TW201600981A

TW201600981A - 監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的方法暨其系統

Info

Publication number: TW201600981A
Application number: TW103122308A
Authority: TW
Inventors: 郭晴菀; 韋芮榛
Original assignee: 力晶科技股份有限公司
Priority date: 2014-06-27
Filing date: 2014-06-27
Publication date: 2016-01-01
Also published as: CN105302036A

Abstract

本發明提出了一種監控製程配方運作之製程狀態的方法，其步驟包含：取得製程狀態的計量資料X、根據公式Z=(X-μ)/σ標準化計量資料X以產生對應的標準化後計量資料Z，其中μ為某一製程配方的所有計量資料X的平均值，σ為對應該製程配方的所有計量資料X的標準差、以及根據標準化後的計量資料Z來判定製程狀態。

Description

監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的方法暨其系統

本發明大體上與一種製程監控方法相關，更特定言之，其係關於一種根據標準化後計量資料來判定製程狀態的方法。

統計製程管制(statistical process control,SPC)技術被普遍用在監控製程狀態、系統、或是個別的製程機台的運作。一般而言，與監控製程相關的量測資料會被彙整到管制圖表中來進行檢視。管制圖表中會設有管制界限(controllimit)與多種管制規則，製程中所收集到的資料，或稱為計量資料，會根據這些管制界限或規則來加以檢視，一旦有資料違反，即會警示出錯誤狀態來告知製程或產品負責人來檢視，例如最常見的超過三倍標準差範圍的管制規則。實作中造成錯誤狀態的原因有很多，一般而言如機台問題、製程不穩、或是材料缺陷等等。有些錯誤狀態則是導因於製程改變或是製程趨離(trend up/down)，這類錯誤狀態可透過製程優化或是重新設計來加以修正。

某些製程中會使用特定具有多種運作參數的生產線、製程、或機台等來達成不同的工作，半導體製程中多會具備爐管、黃光、蝕刻、沉積等製程或機台，例如一片晶圓會需要經過蝕刻製程來在上面形成線路或特定的元件結構，這類製程中都會設定各種不同的製程參數，諸如各種製程氣體的量、濃度、製程中每一步驟的運行時間、加熱的溫度等等，其多會組成一優化且標準的製程配方(recipe)來方便後續相同的製程或產品來套用。另一方面，在製品/工序(wafer or work-in-process)或成品會需要進行多種檢測，舉例來說，在進行蝕刻製程形成某層金屬線路後，都會使用SEM機台來量測線路的寬度(critical dimension,CD)來確保製程狀態，其他諸如膜厚、雜質粒子數目、WAT電性等，也是半導體製程中常進行檢測者。管制圖表即會被導入來監控上述所提各種的製程參數或檢測數值。

現今的半導體製程愈趨複雜化，整個半導體製程中可能涵括了多種的製程配方、機台、或者各種的產品，每種製程配方、機台、或產品都有其特定的目標值、管制界限要監控，計量資料會被多種的變因所影響。故此，可以想像一套製程中會產生出多少張SPC圖表來讓系統或負責人檢測。以第1圖為例，其會繪示出先前技術中根據不同製程配方以及計量資料的管制架構示意圖。圖中假設一機台中共設有製程配方A至製程配方K共K個製程配方，其中以單一製程配方A來說，其中可能產生A1至AN共N種的計量資料群組，每一計量資料群組的資料都會繪示成一張SPC圖表來加以檢視監控。從第1圖的例子來看，此單一機台就會產生共K×N張SPC圖表，要檢視這麼多的SPC圖表與管制規範對於製程負責人來說會是相當沉重的負擔。

另一方面，在某些生產模式中，單一機台可能會被用來處理各式各樣多種且小量的產品，亦即少量多樣的生產模式。由於產品多樣化且個別的批量不多，這樣生產模式所產生的SPC圖表往往就會有量測資料不足的情況，不足的資料量無法真正反映出實際的製程狀態。

有鑑於上述實作需求，本案申請人特以提出了一新穎的製程狀態的監控方法，其特點在於透過特定的標準化動作同整各計量資料群組的平均值與標準差，得以將其所有計量資料彙整到單一的SPC圖表中來進行檢視，不易發生可供參考的計量資料不足的情形，並可摒除不同製程配方或是不同產品等這類的參數變因，如此可省去使用者檢視大量SPC圖表的時間，並同時兼顧資料檢視的準確度與精確度。

本發明的一目的在於提出一種監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的方法，其步驟包含：取得表示製程狀態的輸出參數的計量資料X，其中計量資料X對應第N個該製程配方，N為大於1的整數；根據公式Z=(X-μ)/σ標準化計量資料X以產生對應的標準化後計量資料Z，其中標準化後計量資料Z對應第N個製程配方，μ為對應該第N個製程配方的所有該些計量資料X的平均值，σ為對應該第N個製程配方的該些計量資料X的標準差，該些標準化後計量資料Z具有一標準化後標準差；以及根據標準化後計量資料Z來判定製程狀態。

本發明的另一目的在於提出一種監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的系統，其包含：一計量工具，用來量測根據複數個製程配方運作之製程狀態的輸出參數，以產生計量資料X，其中計量資料X對應第N個製程配方，N為大於1的整數；一資料庫，用來接收並儲存計量資料X；以及一處理器，從資料庫接收計量資料X並根據公式Z=(X-μ)/σ標準化計量資料X以產生對應的標準化後計量資料Z，並根據標準化後計量資料Z來判定製程狀態，其中標準化後計量資料Z對應第N個製程配方，N為1至K的整數，μ為對應第N個製程配方的計量資料X的平均值，σ為對應第N個製程配方的計量資料X的標準差，標準化後計量資料Z具有一標準化後標準差。

無疑地，本發明的這類目的與其他目的在閱者讀過下文以多種圖示與繪圖來描述的較佳實施例細節說明後將變得更為顯見。

100‧‧‧製程狀態監控系統

105‧‧‧製程實體

110‧‧‧計量工具

115‧‧‧資料庫

120‧‧‧統計製程管制伺服器(處理器)

125‧‧‧傳輸排線

本說明書含有附圖併於文中構成了本說明書之一部分，俾使閱者對本發明實施例有進一步的瞭解。該些圖示係描繪了本發明一些實施例並連同本文描述一起說明了其原理。在該些圖示中：第1圖繪示出先前技術中根據不同製程配方以及計量資料的管制架構示意圖；第2圖繪示出根據本發明實施例一製程狀態監控系統的方塊圖；第3圖繪示出本發明實施例中根據不同的製程配方、計量資料、以及標準化後計量資料的管制架構示意圖；第4-6圖繪示出根據本發明實施例中計量資料與標準化後計量資料的常態分配示意圖；以及第7-9圖分別繪示出根據本發明實施例計量資料在標準化前、標準化後、以及經過彙整後的統計製程管制(SPC)圖表。

須注意本說明書中的所有圖示皆為圖例性質，為了清楚與方便圖示說明之故，圖示中的各部件在尺寸與比例上可能會被誇大或縮小地呈現，一般而言，圖中相同的參考符號會用來標示修改後或不同實施例中對應或類似的元件特徵。

下文中將參照圖式來解說本發明的說明用實施例。為簡明之故，說明書中不會探究本發明實作時的所有細節。當然，本領域的一般技藝人士可以了解到，在研究開發任何這類現行的實施例的過程中會需要作出多種施作相關的特定動作或決定，以達到開發者所欲的特定目標，例如遵從多個系統相關或商務相關的管制規範，且其內容會根據施作的內容而有所不同。再者，本領域的一般技藝人士亦可了解到，這類開發上的嘗試與成果係複雜且費時的，但無論如何，其對本領域的一般技藝人士來說會是例行常規的發展與應用。

首先請參照第2圖，其繪示出根據本發明實施例中一製程狀態監控系統100的方塊圖。在此說明性實施例中，製程狀態監控系統100含有一製程實體105。所謂的製程實體105，其可代表的是一種產品線、一種製程、一種製程機台、或是其他可以輸出參數來製作管制圖表的實體。在本實施例中，製程實體主要是運行於半導體製造廠的各種製程機台及/或其所施作的各種製程，例如一蝕刻(etch)機台，而此製程狀態監控系統則是用來監控管制這類製程或機台的多種部件狀態或製程狀態，或者是其所製作出之在製品(wafer-in-process,WIP)或製品的品質。

製程狀態監控系統100中含有計量工具110可擷取或得出製程實體105所輸出之參數並據以監控其製品與製程狀態，如一溫度計、氣壓計、或者是一SEM機台。儘管本實施例並不限定於特定的製程或機台，然為了簡明之故，下文中將以監控半導體元件製作中所使用的蝕刻機台為範例，例如量測蝕刻製程所形成的電路臨界尺寸(critical dimension,CD)。故此，下文中所稱的製程實體基本上指的是一種蝕刻機台暨其製程。在此實施例中，製程狀態監控系統100另含有一資料庫115，例如含括在一在製品(WIP)伺服器中，用來控制製程狀態監控系統100的各種運作。計量工具110會透過例如傳輸排線125等方式以提供所取得的計量資料給製程狀態監控系統100，例如蝕刻製程過後經由SEM機台量測而得的整盒晶圓CD線寬資料。該些計量工具110所提供資料會被儲存在資料庫115中以供後續處理分析之用。

復參照第2圖，由於計量工具110輸出之計量資料一般需搭配統計製程管制圖表(statistical process control,SPC，下文中都稱為SPC圖表)等軟體來彙整並制定管制規範，故此製程狀態監控系統100另可含有終端電腦設備120可從資料庫115中擷取出計量資料並對其進行分析。終端電腦設備120亦可稱為SPC伺服器，或者可統稱其為一處理器。須注意在半導體製作環境中，SPC伺服器120不會只有一台，一條生產線上可設有多台SPC伺服器120進行資料的存取與分析，並將處理後的資料彙整到資料庫115中作最終的處理與判斷。此外，在處理器判定計量資料違反SPC圖表的管制規範時，也會送出一警示訊息給製程相關的負責人，以告知並提醒其作出反應。

如所屬領域的一般技藝人士所公知者，半導體製程機台能夠使用並施作多種不同的製程配方(recipe)，每個製程配方都有其經過精細調配組成的製程參數。例如同樣是以蝕刻製程來形成半導體晶片中的金屬電路，用來吃出第一層(M1)金屬線路與頂層(TM)金屬線路所使用的製程配方就不相同，且製程配方也會視需求頻繁的修改，故不同的製程配方會有不同族群的計量資料。如第3圖所示，其繪示出本實施例中以不同的製程配方、計量資料、以及標準化後計量資料為基礎的管制架構示意圖。如第3圖所示，一機台T共存有並可施行製程配方A至製程配方K等K個不同的製程配方，每個製程配方在製程期間或製程後都會產生個別的計量資料，例如計量資料A1,A2...AN至計量資料K1,K2...KN。在此實施例中，製程配方A至K亦可替換為製品A至K，意即對於各種製品而言，其也會產生不同的計量資料。然須注意，本發明的計量資料的變因並不以上所述的製程配方與製品為限，其也有可能是其他變因，例如同類製程不同機台的差異。

再者，對於單一的製程配方或製品而言，其可產生多種的計量資料。以蝕刻製程的實際例子而言，施行一蝕刻製程配方“recipe M1”吃出M1金屬線路後會進行線寬CD的量測，也可能會再後續使用KLA機台進行雜質粒子的數目檢測，故在此例子中線寬CD與雜質粒子數目即為製程配方“recipe M1”所產生的兩種計量資料，其可能以第3圖中的計量資料A1,A2來代表，而使用製程配方K所產生的線寬CD與雜質粒子數目則以計量資料K1,K2來代表。當然實際製程中，能予以計量之製程參數或量測數值將遠多於兩個以上，舉凡製程氣體之計量、製程時間、製程溫度、膜厚均勻度、各種晶圓接受度測試(wafer acceptance test,WAT)電性等，都可予以計量。本實施例統一以計量資料A1,A2...AN至計量資料K1,K2...KN來代表一單一機台T所產生的製程相關計量資料。而經過一段長時間的製程期間或處理了相當大量的WIP後，單一機台會累積大量的計量資料，例如以機台T中製程配方A所產生的計量資料A1來說，其可能已經收集了上百個以上的資料點，而這僅僅是該種計量資料所收集的資料量，相同種類或群組的資料點還有B1, C1...K1等資料組，其可能都代表由機台T所產生的線寬CD，只是所使用的製程配方或所處理的製品/在製品不同。故此可以了解到一套製程中須加以監測的計量資料是非常多的。

另一方面，除了製程配方上的差別外，單一製程機台也慣常用來處理製作各種不同的產品，如不同型號的晶片。故此，就算使用相同的製程配方來製作同一層的電路結構，基於產品的不同，其也會導致所屬計量資料的不同。例如，以相同的製程配方“recipe TM”來製作產品X與產品Y的頂層金屬線路，兩產品的線寬所預定的目標值可能大不相同，如一者可能為10微米(μm)，一者為100微米，故其相關之計量資料基本上也應該歸屬於不同的群組。故此，閱者應能了解到，製程配方的不同或產品的不同都會有製程上的差異，會產生不同性質的計量資料，會歸屬於不同的資料群組。對本發明而言，製程配方是一製程變因，產品也是一製程變因，另外還有多種的製程變因，端看在SPC伺服器120要以何種製程變因為依歸來進行分析。此外，上述的計量資料可為單一製品不同位置處量測出之參數特徵，舉例言之，如單片晶圓表面上、下、左、右、中等五個位置的CD線寬資料，其可在蝕刻製程後透過SEM機台量測而得，並可以整盒(lot)晶圓為單位批次輸出，如此方式能獲得較為大量、具有局部細節且整體平均的計量資料。

從上述第3圖所示不同製程配方的計量資料之間的管制架構圖亦可知，如果將每一製程配方(或每一種產品)所產生的特定一種計量資料彙整成一張SPC圖表，則以第3圖中K種製程配方(或產品)以及N種計量資料為例，其總共會產生K×N張SPC圖表，如此龐大的圖表量，如先前技術段落所言，會造成機台或產品負責人在檢視製程狀態時的負擔。故此，本發明的重要技術特徵在於，對上述機台所產生的各種計量資料，包括計量資料A1,A2...AN至計量資料K1,K2...KN進行一標準化動作，使得該些計量資料得以彙整在一起進行分析與監控。本發明的標準化方法有別於一般習知技術以目標值(Target)為基礎之標準化作法，係同時以計量資料的平均值與標準差為基礎，其可以下列共通的式(1)來表示之：

上述式(1)中的X代表所收集到特定輸出參數(如製程配方A的計量資料A1群組)的計量資料群組，μ為該製程配方的資料群組中所有計量資料X的目標值，或可說是該製程配方的該種資料群組長期的平均值，σ為該製程配方的資料群組中所有計量資料X的標準差，Z則為該些所收集到特定輸出參數之計量資料群組以式(1)進行標準化處理與轉換所得出的標準化後計量資料。

上述實施例是以製程配方A的計量資料A1群組為例，故其所得出的標準化後計量資料群組可以Z _A1來表示，處理後製程配方A其他的標準化後計量資料群組還包括Z _A2~Z _AN等，其他製程配方所得出的標準化後計量資料群組則包括Z _B1~Z _BN以及Z _K1~Z _KN，如第3圖所示。在完成了各種計量資料的標準化流程後，吾人就可將同種的標準化後計量資料Z彙整並繪製成單一的SPC圖表。例如，在此實施例中，Z _A1,Z _B1, Z _C1~Z _K1係為同類的計量資料，如(如線寬CD)，故可將其彙整並依資料產生時間繪製在SPC圖表C ₁上，此圖表可代表機台T使用包含所有的製程配方所製作出的頂層金屬線路線寬的製程表現。其他彙整而成的SPC圖表，如圖表C ₂,C ₃,C ₄等，則可能代表雜質粒子數目、介電層膜厚等其他計量資料的彙整圖表。在建立起彙整後的SPC圖表後即可使用該些圖表來建立多重製程配方或產品的管制界限或規範並據以判定其製程狀態。

接著，下文中將以常態分配圖來說明上述式(1)的處理與其所能達成之功效。第4-6圖繪示出根據本發明實施例中計量資料與標準化後計量資料的常態分配示意圖。如第4圖所示，其中具有兩條曲線X _A1與X _B1，其分別代表製程配方A(或製品A)與製程配方B(或製品B)所產生的同種類輸出參數(如線寬CD)的計量資料群組，兩曲線係由該些群組中所收集的多個資料點所構成。從圖中可以看出計量資料X _A1的常態分佈平均值為5，而計量資料X _B1的常態分佈平均值為6。再者，計量資料X _A1較之計量資料X _B1具有較高的波峰以及較為集中的波形，代表計量資料X _A1群組的標準差較小，計量資料X _A1群組的標準差較大，故可以知道同樣是同種的計量資料(如線寬CD)，不同的製程配方所產生的計量資料可能會具有不同的預定目標值、常態平均值、以及標準差水準，代表其製程狀況或穩定度上的不同。由於這樣的差別，在不作任何資料處理的情況下，兩組計量資料X _A1與計量資料X _B1是無法彙整在一起根據以標準差為基礎的管制規範來分析比對的，故此才要進行標準化的動作。

接著請參照第5圖，承上，為了能夠將計量資料X _A1與計量資料X _B1彙整，處理方法中首先將計量資料X _A1與計量資料X _B1的平均值同整，其作法即為式(1)的分子所表示者，將各組計量資料群組減去其對應的目標值(長期平均值)，如μ _A1與μ _B1，在此例中即分別為第5圖中的平均值=5以及平均值=6。如此可以看到，經過此處理的計量資料X _A1與X _B1即如同經過了一平移動作，使得兩者的常態分佈中心軸都對齊在0的位置。

儘管兩曲線的中心軸對齊，但如同前文所述，計量資料X _A1與計量資料X _B1兩者的標準差水準並不相同，若僅進行上述將兩計量資料群組的平均值同整的處理，兩者彙整的資料仍會因為標準差的不相同而無法在SPC圖表中使用以標準差為基礎的規範進行有效的資料分析、判別或是設立管制規則(constraint)。

故基於上述原因，在本發明實施例中，平均值同整的計量資料X _A1與X _B1還會再經過一次標準差同整的處理，其作法即為式(1)的分母所表示者，各平均值同整後的計量資料群組再除以其對應之標準差，如σ _A1與σ _B1。如此可以看到，經過此標準差同整處理的計量資料X _A1與X _B1即如同經過了一正負偏差分布範圍的壓縮動作，使得兩者的正負偏差範圍同整一致，即將標準差同整為1，再加上前述常態分佈中心軸已同整在0的位置。如此，兩計量資料 X _A1與X _B1即可彙整在同一SPC圖表中並使用以標準差為基礎的相同規範來進行有效的資料分析、判別或是設立管制規則。上述平均值以及標準差的同整處理可以稱之為令計量資料X服從平均值為μ、標準差為σ的分配動作，經過標準化的計量資料Z的平均值等於0，其(標準化後)標準差則等於1。

另外須注意，有些先前技術是採用判定計量資料對目標值的百分比偏差的同整作法，也就是將經過目標值(Target)同整後的計量資料群組再除以對應之該目標值的處理動作。上述先前技術沒有考量到標準差方面的資料分佈，其使用這類彙整資料僅能顧及準確度(accuracy)的判定，而無法顧及精確度(precision)的判定。舉例來說，如果機台的製程狀況很差，其有可能產生的計量資料大部分都分佈在偏離目標值的正負偏差區域，而鮮少有計量資料在目標值附近，這樣的製程狀態很差，但是所收集到的計量資料所計算出的平均值卻仍可能接近目標值，故可以知道這樣以目標值為基礎的同整作法並無法完全反映並判別出真實的製程狀態。

上述第4-6圖係以常態分布的計量資料來說明本發明的實施方式，然須注意，本發明之施作並不限定於常態分布的計量資料標準化，其亦可適用於隨機分佈等不規則的計量資料型態。再者，本發明的資料處理方法可以適用於多個同種的計量資料群組，並不限定於實施例中所例舉的X _A1與X _B1兩組，而是可以處理如第3圖中所示的計量資料A1,B1...K1等同種的計量資料族群，其可能都代表經過蝕刻製程後所形成的某層電路的線寬CD，差別在於可能採用的是不同的製程配方，或是不同產品的電路。

接著，下文中將以SPC圖表實例來具體表示與說明前述計量資料之標準化處理的實際應用。第7-9圖分別繪示出根據本發明實施例一計量資料在標準化前、標準化後、以及經過彙整後的SPC圖表。首先，如第7圖所示，圖中繪示出一計量資料X _A1(如使用製程配方A所產生的頂層金屬線路的線寬量測資料)在其SPC圖表中的分佈。從圖中可以看到計量資料X _A1群組共有22個資料點，其目標值μ(或稱為長期平均值)為0.1265，標準差σ 則為0.0011，在22個資料點中有4個點超過三倍正標準差的範圍，3個點在兩倍正標準差到三倍正標準差之間的範圍內。

接下來，以前文所述之式(1)對該些資料點進行標準化處理後會得到一標準化後計量資料Z _A1群組，其在SPC圖表中的分佈如第8圖所示。從圖中可以看到經過標準化處理後的計量資料在SPC圖表中的分佈基本上沒有甚麼改變，但是其目標值(長期平均值)μ變為0，標準差σ則變為1。閱者可以從第8圖理解到，在SPC圖表的平均值同整為0以及標準差同整為1的基礎上，同種類的各個計量資料群組(例如使用製程配方A以外的製程配方所產生的頂層金屬線路的線寬量測資料)將可彙整到同一張SPC圖表中，如第9圖所示。

為簡明之故，第9圖中僅彙整了製程配方A至製程配方C所產生的第1種標準化後計量資料Z_A1、Z_B1、Z_C1。然閱者可以了解到，第9圖中是可以彙整所有的第1種標準化後計量資料，並非僅限於製程配方A至製程配方C。此即代表在此SPC圖表中，製程配方已經不是計量資料的變因了，所有的第1種計量資料(如進行蝕刻製程後所形成的頂層金屬線路的線寬CD量測資料)將都可以在同一張SPC圖表來加以檢視，並使用相同的管制規則對其進行有效的資料分析、判別。在本發明實施例中，上述的管制規則可包含業界習用的「西屋電子規則」，包含：判定是否有任何該些標準化後計量資料超出三倍的標準化後標準差，即超過3，從圖中可以看到共有8個點違反此規則；判定連續三筆標準化後計量資料中是否至少有兩筆超出兩倍的該標準化後標準差，圖中V₁區域中的資料點即違反此規則；判定連續五筆該標準化後計量資料中是否至少有四筆超出一倍的該標準化後標準差，圖中V₂區域中的資料點即違反此規則；或者是判定是否有至少連續八筆的該標準化後計量資料Z都位於該統計流程控制圖表的正偏差或負偏差範圍中，如V₃區域中所示之資料點。

綜合上述實施說明，本發明的優點在於透過特定的標準化動作將同種類的計量資料彙整在單一SPC圖表中來進行檢視，不易發生可供參考的計量資料不足的情形，並可摒除不同製程配方或是不同產品等這類的參數變因，如此可省去使用者檢視大量SPC圖表的時間。另一方面，此標準化動作係同時考量各資料群組平均值與標準差的同整，故在資料檢視方面可同時顧及準確度與精確度，更能即時且有效地監控製程狀態。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

Claims

一種監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的方法，包含：取得表示該製程狀態的輸出參數的計量資料X，其中該些計量資料X對應第N個該製程配方，N為大於1的整數；根據下列公式標準化該些計量資料X，以產生對應的標準化後計量資料Z：其中該些標準化後計量資料Z對應第N個該製程配方，μ為對應該第N個製程配方的所有該些計量資料X的平均值，σ為對應該第N個製程配方的該些計量資料X的標準差，該些標準化後計量資料Z具有一標準化後標準差；以及根據該些標準化後計量資料Z來判定該製程狀態。
如申請專利範圍第1項所述之監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的方法，其中根據該些標準化後計量資料Z來判定該製程狀態之步驟包含：將對應所有該些製程配方的該些標準化後計量資料Z標示在單一統計流程控制(SPC)圖表中；以及判定該些標準化後計量資料Z是否有違反該統計流程控制圖表的管制規範。
如申請專利範圍第2項所述之監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的方法，其中判定該些標準化後計量資料Z是否有違反該統計流程控制圖表的管制規範之步驟包含判定是否有任何該些標準化後計量資料Z超出三倍的該標準化後標準差。
如申請專利範圍第2項所述之監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的方法，其中判定該些標準化後計量資料Z是否有違反該統計流程控制圖表的管制規範之步驟包含判定連續三筆該標準化後計量資料Z中是否至少有兩筆超出兩倍的該標準化後標準差。
如申請專利範圍第2項所述之監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的方法，其中判定該些標準化後計量資料Z是否有違反該統計流程控制圖表的管制規範之步驟包含判定連續五筆該標準化後計量資料Z中是否至少有四筆超出一倍的該標準化後標準差。
如申請專利範圍第2項所述之監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的方法，其中判定該些標準化後計量資料Z是否有違反該統計流程控制圖表的管制規範之步驟包含判定是否有至少連續八筆的該標準化後計量資料Z都位於該統計流程控制圖表的正偏差或負偏差範圍中。
如申請專利範圍第2項所述之監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的方法，另包含在判定該些標準化後計量資料Z違反該統計流程控制圖表的管制規範時送出一警示訊息給違反該管制規範的該標準化後計量資料Z所對應之該製程配方的負責人。
如申請專利範圍第1項所述之監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的方法，其中該標準化後標準差等於1。
如申請專利範圍第1項所述之監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的方法，其中每一該製程配方對應不同的產品。
如申請專利範圍第1項所述之監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的方法，其中該複數個製程配方都於同一製程機台實施。
如申請專利範圍第1項所述之監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的方法，其中該些計量資料X係為對應第N個該製程配方的一種輸出參數。
一種監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的系統，包含：一計量工具，用來量測根據該複數個製程配方運作之製程狀態的輸出參數，以產生計量資料X，其中該些計量資料X對應第N個該製程配方，N為大於1的整數；一資料庫，用來接收並儲存該些計量資料X；以及一處理器，從該資料庫接收該些計量資料X並根據下列公式標準化該些計量資料X以產生對應的標準化後計量資料Z，並根據該些標準化後計量資料Z來判定該製程狀態：其中該些標準化後計量資料Z對應第N個該製程配方，μ為對應該第N個製程配方的所有該些計量資料X的平均值，σ為對應該第N個製程配方的該些計量資料X的標準差，該些標準化後計量資料Z具有一標準化後標準差。
如申請專利範圍第12項所述之監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的系統，更包含一以指令編碼的程式儲存裝置，該程式儲存裝置受該處理器執行時該指令編碼會進行接收該些計量資料X、標準化該些計量資料X以產生對應的該標準化後計量資料Z、以及根據該些標準化後計量資料Z來判定該製程狀態的動作。
如申請專利範圍第12項所述之監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的系統，其中該處理器將所有該些標準化後計量資料Z標示在一對應所有該些製程配方的統計流程控制圖表中並判定該些標準化後計量資料Z是否有違反該統計流程控制圖表的管制規範。
如申請專利範圍第14項所述之監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的系統，其中該處理器判定是否有任何該些標準化後計量資料Z超出三倍的該標準化後標準差。
如申請專利範圍第14項所述之監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的系統，其中該處理器判定連續三筆該標準化後計量資料Z中是否至少有兩筆超出兩倍的該標準化後標準差。
如申請專利範圍第14項所述之監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的系統，其中該處理器判定連續五筆該標準化後計量資料Z中是否至少有四筆超出一倍的該標準化後標準差。
如申請專利範圍第14項所述之監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的系統，其中該處理器判定是否有至少連續八筆的該標準化後計量資料Z都位於該統計流程控制圖表的正偏差或負偏差範圍中。
如申請專利範圍第14項所述之監控根據複數個製程配方運作之製程狀態的系統，其中該處理器在判定該些標準化後計量資料Z違反該統計流程控制圖表的管制規範時會送出一警示訊息給違反該管制規範的該標準化後計量資料Z所對應之該製程配方的負責人。