TW201535585A - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

基板處理裝置係具備有：基板支撐部(141)，其自下側支撐基板(9)；基板旋轉機構，其使基板支撐部產生旋轉；及頂板(123)，其對向於基板之上表面(91)。頂板係藉由對向部支撐機構而以選擇之方式配置在相對於基板支撐部而於上方產生分離之分離位置、及與基板支撐部產生連結之連結位置。於基板支撐部，設置有具有複數個爪部(41)及傳遞機構(42)的卡盤部(4)，於頂板位在連結位置之時，藉由頂板之自重而傳遞機構之各抵接部(43)被壓入。傳遞機構係藉由將作用於抵接部之力加以傳遞至複數個爪部，使複數個爪部以朝向中心軸之方式按壓基板之邊緣。其結果，實現使基板相對於旋轉中心一方面進行對位一方面進行保持。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種基板處理裝置。
習知，於半導體基板(以下，簡稱為「基板」)之製造步驟中，使用基板處理裝置對基板實施各式各樣之處理。例如，藉由朝表面上形成有阻劑之圖案的基板供給藥液，對基板之表面進行蝕刻等之處理。此外，於蝕刻處理結束後，還進行將基板上之阻劑除去或對基板進行洗淨之處理。
於對基板逐片地進行處理之單片式之基板處理裝置中，藉由基板保持部保持基板後，一方面使基板保持部旋轉一方面對基板供給處理液。作為於基板保持部上保持基板之方法，實用上已有真空卡盤、機械卡盤、磁性卡盤等之各種手段。例如，美國專利第6,446,643號說明書中揭示一種機構，其於上下之腔室構件配置於相互接近之位置時將基板挾持，於上下之腔室構件分離時解除基板之挾持。此外，日本專利特開2005-19456號公報中揭露一種機構，其藉由使配置於基板之周圍之複數個挾持構件分別轉動，進行基板之挾持或挾持之解除。又，美國專利第6,485,531號說明書(文獻3)中揭露一種方法，於藉由磁性使旋轉頭相對於定子非接觸式地旋轉之裝置中，藉由具有彈簧之把持部將晶圓保持於旋轉頭上。
然而，於像文獻3之裝置那樣使基板保持部以懸浮狀 態進行旋轉之情況下，為了保持基板，對基板保持部傳遞藉由電氣或壓縮空氣等之動力源而產生之驅動力，惟該傳遞有困難。文獻3之裝置中，藉由具有彈簧之把持部保持晶圓，但需要有於處理腔室之外側將晶圓固定於旋轉頭上，然後將裝設了晶圓之旋轉頭導入處理腔室內之繁瑣之作業。此外，於基板處理裝置中，為了使基板穩定地旋轉，重點在於使基板相對於旋轉中心進行對位，但於藉由外部之搬送機構將基板搬入基板處理裝置內時，要使基板相對於旋轉中心精度良好地進行對位，並非易事。因此，需要能有一種新穎之方法，可使基板相對於旋轉中心一方面進行對位一方面進行保持。
本發明係應用於處理基板之基板處理裝置，其目的在於使基板相對於旋轉中心一方面進行對位一方面進行保持。
與本發明相關之一種基板處理裝置，其具備有：基板支撐部，其在將基板之一側之主表面即上表面朝向上側之狀態下自下側支撐上述基板；旋轉機構，其使上述基板支撐部以垂直於上述基板之中心軸為中心進行旋轉；上表面對向部，其對向於上述上表面之至少外緣部；對向部支撐機構，其以選擇之方式將上述上表面對向部配置在相對於上述基板支撐部而於上方產生分離之分離位置、及與上述基板支撐部產生連結之連結位置；及卡盤部，其設置在上述基板支撐部或者上述上表面對向部之一側，上述卡盤部係具備有：至少3個爪部，其等在沿著上述中心軸而進行觀察之情況下，配置在上述基板之周圍；及傳遞機構，其包含有於上述上表面對向部位在上述連結位置之時藉由上述基板支撐部或者上述上表面對向部之另一側而被壓入之抵接部，藉由將作用於上述抵接部之力加 以傳遞至上述至少3個爪部，使上述至少3個爪部以朝向上述中心軸之方式按壓上述基板之邊緣。於該基板處理裝置中，可使基板相對於旋轉中心一方面進行對位一方面進行保持。
較佳為，上述傳遞機構係包括有彈性構件，在被上述基板支撐部所支撐之基板的大小產生變動之情況下，藉由上述彈性構件產生彈性變形，將在上述連結位置上之上述上表面對向部與上述基板之間的距離加以保持為一定。
此外也可為，上述旋轉機構係具備有：轉子部，其為以上述中心軸為中心之環狀，且包含有永久磁鐵；及定子部，其為與上述轉子部而對向於以上述中心軸為中心之徑向的環狀，且在與上述轉子部之間產生以上述中心軸為中心之旋轉力，上述轉子部係與上述基板支撐部產生連接。
於該情況下較佳為，基板處理裝置更進一步具備有供對上述基板進行處理之形成有被密閉之內部空間的密閉空間形成部，上述基板支撐部、上述旋轉機構之上述轉子部、上述上表面對向部及上述卡盤部係配置在上述密閉空間形成部內。更佳為，上述密閉空間形成部係具備有具有上部開口之腔室本體、及將上述腔室本體之上述上部開口加以封閉之腔室蓋部，上述腔室蓋部係亦為上述對向部支撐機構之一部分，上述腔室蓋部係相對於上述腔室本體以相對之方式進行昇降，於上述上表面對向部位在上述分離位置之時，上述上表面對向部係自位在上述腔室本體之上方的上述腔室蓋部之一部分而懸垂，於上述上表面對向部位在上述連結位置之時，上述上表面對向部係與抵接或者靠近於上述腔室本體之上述腔室蓋部呈非接觸狀態。
與本發明相關之另一種基板處理裝置，其具備有：基板支撐部，其在將一側之主表面即上表面朝向上側之狀態下自下側支撐基板；旋轉機構，其使上述基板支撐部以垂直於上述基板之中心軸為中心進行旋轉；錘部，其可配置在第1相對位置與第2相對位置，該第1相對位置係為於上下方向相對於上述基板支撐部而所不同之位置，該第2相對位置係較上述第1相對位置為更靠上方；錘支撐機構，其藉由支撐上述錘部而將上述錘部配置在上述第2相對位置，藉由解除上述錘部之支撐，使上述錘部位在用於與上述基板及上述基板支撐部一起旋轉之上述第1相對位置；及卡盤部，其設置在上述基板支撐部或者上述錘部，上述卡盤部係具備有：至少3個爪部，其等在沿著上述中心軸而進行觀察之情況下，配置在上述基板之周圍；及傳遞機構，其將藉由位在上述第1相對位置之上述錘部的重量所引起之力加以傳遞至上述至少3個爪部，使上述至少3個爪部以朝向上述中心軸之方式按壓上述基板之邊緣。於該基板處理裝置中，可使基板相對於旋轉中心一方面進行對位一方面進行保持。
較佳為，上述旋轉機構係具備有：轉子部，其為以上述中心軸為中心之環狀，且包含有永久磁鐵；及定子部，其為與上述轉子部而對向於以上述中心軸為中心之徑向的環狀，且在與上述轉子部之間產生以上述中心軸為中心之旋轉力，上述轉子部係與上述基板支撐部產生連接。更佳為，上述錘部係配置在上述基板支撐部與配置在上述基板支撐部之下方的上述轉子部之間，且沿著連接上述基板支撐部與上述轉子部的防護部而能夠於上述上下方向產生移動，上述卡盤部係設置在上述基板支撐部。
該情況之一形態中，上述基板支撐部及上述錘部係為以上述中心軸為中心之環狀。另一形態中，於藉由上述錘支撐機構所進行之支撐被解除之時之上述錘部的位置，係較藉由上述錘支撐機構所進行之支撐之時之上述錘部的位置為更靠近上述轉子部。
上述目的及其他目的、特徵、態樣及利點，藉由參照附圖及以下進行之發明之詳細說明，而闡明。
J1~J4‧‧‧中心軸
1、1a‧‧‧基板處理裝置
4、4a、4b‧‧‧卡盤部
4c‧‧‧卡盤部
4d‧‧‧卡盤部
9‧‧‧基板
10‧‧‧控制部
12‧‧‧處理腔室
14‧‧‧基板保持部
15‧‧‧基板旋轉機構
16‧‧‧液接取部
17‧‧‧蓋體
18‧‧‧氣液供給部
19‧‧‧氣液排出部
41、41a‧‧‧爪部
42、42a、42b‧‧‧傳遞機構
42c‧‧‧傳遞機構
42d‧‧‧傳遞機構
43‧‧‧抵接部
44、45‧‧‧桿
46、47‧‧‧軸
49‧‧‧連結部
51‧‧‧錘部
52‧‧‧連接構件
53‧‧‧錘支撐機構
53a‧‧‧錘支撐機構
81‧‧‧環狀開口
91‧‧‧上表面
92‧‧‧下面
95‧‧‧基板保持部
96‧‧‧基板支撐部
97‧‧‧基板按壓部
100‧‧‧擴大密閉空間
120‧‧‧腔室空間
121‧‧‧腔室本體
122‧‧‧腔室蓋部
123‧‧‧頂板
124‧‧‧內部空間
126‧‧‧頂板移動機構
131‧‧‧腔室開閉機構
140‧‧‧卡合銷
141‧‧‧基板支撐部
142‧‧‧支撐部基部
143‧‧‧內部空間
144‧‧‧支撐銷
145‧‧‧連絡孔
151‧‧‧定子部
152‧‧‧轉子部
161‧‧‧杯部
162‧‧‧杯部移動機構
163‧‧‧杯對向部
165‧‧‧液接取凹部
180‧‧‧加熱氣體供給噴嘴
181‧‧‧上部噴嘴
182‧‧‧下部噴嘴
183‧‧‧藥液供給部
184‧‧‧純水供給部
185‧‧‧IPA供給部
186‧‧‧惰性氣體供給部
187‧‧‧加熱氣體供給部
191‧‧‧第1排出流路
192‧‧‧第2排出流路
193‧‧‧氣液分離部
194‧‧‧外側排氣部
195‧‧‧藥液回收部
196‧‧‧排液部
197‧‧‧氣液分離
198‧‧‧內側排氣部
199‧‧‧排液部
210‧‧‧腔室底部
211‧‧‧中央部
212‧‧‧內側壁部
213‧‧‧環狀底部
214‧‧‧腔室側壁部
215‧‧‧外側壁部
216‧‧‧基部
217‧‧‧下部環狀空間
222‧‧‧板支撐部
223‧‧‧筒部
224‧‧‧凸緣部
231‧‧‧唇封
232‧‧‧唇封
235‧‧‧頂板軸
237‧‧‧被支撐部
238‧‧‧筒部
239‧‧‧凸緣部
241、241a‧‧‧卡合部
242、242a‧‧‧凹部
243、437‧‧‧磁鐵
261‧‧‧第1磁鐵
262‧‧‧第2磁鐵
263‧‧‧磁鐵移動機構
264‧‧‧環狀孔
410‧‧‧爪部支撐台
411‧‧‧爪部本體
412‧‧‧上表面
413‧‧‧突出部
421‧‧‧銷
422‧‧‧銷
423‧‧‧波紋管
424‧‧‧銷
425‧‧‧銷
431‧‧‧抵接部收容部
432‧‧‧上側支撐部
433‧‧‧下側支撐部
434‧‧‧圓板部
435‧‧‧彈簧
436‧‧‧彈性構件
440‧‧‧桿支撐部
441‧‧‧長孔
450‧‧‧桿支撐部
451‧‧‧長孔
460‧‧‧軸支撐部
461‧‧‧桿
462‧‧‧長孔
463‧‧‧桿
464‧‧‧長孔
470‧‧‧軸支撐部
492‧‧‧連結部支撐部
493‧‧‧波紋管
498‧‧‧被支撐部
511‧‧‧貫通孔
531‧‧‧空氣汽缸
532‧‧‧活塞桿
533‧‧‧支撐構件
534‧‧‧前端面
535‧‧‧波紋管
536‧‧‧支撐臂
537‧‧‧支撐構件
611‧‧‧側壁部
612‧‧‧上表面部
617‧‧‧波紋管
951‧‧‧卡合部
952‧‧‧卡合銷
960‧‧‧支撐部基部
961‧‧‧第1接觸部
971‧‧‧第2接觸部
圖1為顯示第1實施形態之基板處理裝置之剖視圖。
圖2為顯示氣液供給部及氣液排出部之方塊圖。
圖3為顯示卡盤部之構成之圖。
圖4為顯示基板處理裝置中之基板之處理流程之圖。
圖5為顯示基板處理裝置之剖視圖。
圖6為顯示卡盤部及頂板之圖。
圖7為顯示基板處理裝置之剖視圖。
圖8為顯示比較例之基板處理裝置中之基板保持部附近之剖視圖。
圖9為顯示卡盤部之另一例之圖。
圖10為顯示抵接部及複數個軸之立體圖。
圖11為顯示爪部之俯視圖。
圖12為顯示卡盤部之又一例之圖。
圖13為顯示頂板移動機構之構成之圖。
圖14為顯示第2實施形態之基板處理裝置之剖視圖。
圖15為顯示卡盤部及錘支撐機構之圖。
圖16為用以說明卡盤部及錘支撐機構之動作之圖。
圖17為顯示基板處理裝置之剖視圖。
圖18為顯示基板處理裝置之剖視圖。
圖19為顯示卡盤部之再一例之圖。
圖20為顯示連結部及複數個軸之立體圖。
圖21為顯示爪部之俯視圖。
圖22為顯示錘支撐機構之另一例之圖。
圖23為顯示錘支撐機構及連結部之另一例之圖。
圖24為顯示第3實施形態之卡盤部之構成之圖。
圖25為顯示卡盤部及頂板之圖。
圖26為顯示卡盤部之另一例之圖。
圖27為顯示卡盤部之又一例之圖。
圖1為顯示本發明之第1實施形態之基板處理裝置1之剖視圖。基板處理裝置1係將處理液供給於大致圓板狀之半導體基板9(以下簡稱為「基板9」)，對基板9逐片地進行處理之單片式之裝置。圖1中，對基板處理裝置1之局部構成之截面，省略平行斜線之提供(其他之剖視圖中也同樣)。
基板處理裝置1具備處理腔室12、頂板123、腔室開閉機構131、基板保持部14、基板旋轉機構15、液接取部16、及蓋體17。蓋體17係覆蓋處理腔室12之上方及側面。
處理腔室12具備腔室本體121及腔室蓋部122。處理腔室12係以朝上下方向之中心軸J1為中心之有蓋及有底之大致圓筒狀。腔室本體121具備腔室底部210及腔室側壁部214。腔室 底部210具備：大致圓板狀之中央部211；自中央部211之外緣部朝下方擴展之大致圓筒狀之內側壁部212；自內側壁部212之下端朝徑向外側擴展之大致圓環板狀之環狀底部213；自環狀底部213之外緣部朝上方擴展之大致圓筒狀之外側壁部215；及自外側壁部215之上端部朝徑向外側擴展之大致圓環板狀之基部216。
腔室側壁部214係以中心軸J1為中心之環狀。腔室側壁部214係自基部216之內緣部朝上方突出。形成腔室側壁部214之構件，如後述兼作液接取部16之一部分。以下之說明中，稱由腔室側壁部214、外側壁部215、環狀底部213、內側壁部212及中央部211之外緣部所包圍之空間為下部環狀空間217。
於基板9支撐於基板保持部14之基板支撐部141(後述)之情況下，基板9之下面係與腔室底部210之中央部211之上表面對向。以下之說明中，稱腔室底部210之中央部211為「下面對向部211」。
腔室蓋部122係垂直於中心軸J1之大致圓板狀，包括處理腔室12之上部。腔室蓋部122係將腔室本體121之上部開口密閉。圖1中，顯示腔室蓋部122自腔室本體121分離之狀態。於腔室蓋部122將腔室本體121之上部開口密閉時，腔室蓋部122之外緣部與腔室側壁部214之上部接合。
腔室開閉機構131係用以使處理腔室12之可動部即腔室蓋部122相對於處理腔室12之其他部位即腔室本體121，於上下方向相對地移動。腔室開閉機構131係使腔室蓋部122昇降之蓋部昇降機構。於藉由腔室開閉機構131使腔室蓋部122於上下方向移動時，頂板123也與腔室蓋部122一起於上下方向移動。腔室蓋 部122係與腔室本體121接合而將上部開口密閉，而且，藉由朝腔室本體121按壓腔室蓋部122，於處理腔室12內形成被密閉之內部空間即腔室空間120(參照圖7)。換言之，藉由腔室蓋部122將腔室本體121之上部開口密閉，藉以密閉腔室空間120。腔室蓋部122及腔室本體121係形成腔室空間120之密閉空間形成部。
基板保持部14係配置於腔室空間120，且以水平狀態保持基板9。亦即，基板9係於形成有微細圖案之一主表面91(以下稱為「上表面91」)垂直於中心軸J1且面向上側之狀態下藉由基板保持部14所保持。基板保持部14具備上述基板支撐部141、及設於基板支撐部141之卡盤部4。基板支撐部141係以中心軸J1為中心之大致圓環狀。基板支撐部141係具備以中心軸J1為中心之大致圓環板狀之支撐部基部142、及於支撐部基部142上沿圓周方向排列配置之複數個支撐銷144。藉由複數個支撐銷144自下側支撐基板9之外緣部(亦即，包括外周緣之外周緣附近之部位)。卡盤部4具備複數個爪部41。在沿中心軸J1觀察之情況下，複數個爪部41係配置於基板9之周圍。關於卡盤部4之詳細構造，容待後述。
頂板123係垂直於中心軸J1之大致圓板狀。頂板123係配置於腔室蓋部122之下方且基板支撐部141之上方。頂板123係於中央具有開口。若基板9被基板支撐部141支撐，則基板9之上表面91與垂直於中心軸J1之頂板123的下面對向。亦即，頂板123係與基板9之上表面91對向之上表面對向部。頂板123之直徑係較基板9之直徑大，且頂板123之外周緣係較基板9之外周緣全周位於徑向外側。於頂板123之外緣部之下面沿圓周方向配置有複 數個卡合部241。於各卡合部241之下部設置有朝上方凹陷之凹部。
於圖1所示之狀態下，頂板123係藉由腔室蓋部122所懸吊支撐。詳細而言，腔室蓋部122係於中央部具有大致環狀之板支撐部222。板支撐部222具備以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之筒部223、及以中心軸J1為中心之大致圓環狀之凸緣部224。凸緣部224係自筒部223之下端朝徑向內側擴展。
頂板123具備環狀之被支撐部237。被支撐部237具備以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之筒部238、及以中心軸J1為中心之大致圓環狀之凸緣部239。筒部238係自頂板123之上表面朝上方擴展。凸緣部239係自筒部238之上端朝徑向外側擴展。筒部238係位於板支撐部222之筒部223之徑向內側。凸緣部239係位於板支撐部222之凸緣部224之上方，且於上下方向與凸緣部224對向。藉由被支撐部237之凸緣部239之下面接觸於板支撐部222之凸緣部224的上表面，以自腔室蓋部122懸吊之方式將頂板123安裝於腔室蓋部122。
基板處理裝置1中，於腔室蓋部122自腔室本體121朝上方分離之狀態下，藉由腔室蓋部122之板支撐部222支撐頂板123，將頂板123配置於相對於基板支撐部141朝上方分離之位置(以下稱為「分離位置」)。實際上，腔室蓋部122係藉由腔室開閉機構131所支撐，腔室開閉機構131及腔室蓋部122實質上係支撐上表面對向部即頂板123之對向部支撐機構。
基板旋轉機構15係一中空馬達。基板旋轉機構15包括以中心軸J1為中心之環狀之定子部151、及環狀之轉子部152。轉子部152包括大致圓環狀之永久磁鐵。永久磁鐵之表面係 由PTFE樹脂所封裝。轉子部152係於處理腔室12內被配置於下部環狀空間217內。於轉子部152之上部經由連接構件安裝有基板支撐部141之支撐部基部142。支撐部基部142係配置於轉子部152之上方。
定子部151係於處理腔室12外配置於轉子部152之周圍、即以中心軸J1為中心之徑向外側。本實施形態中，定子部151係固定於腔室底部210之外側壁部215及基部216，位於液接取部16之下方。定子部151包括配置於以中心軸J1為中心之圓周方向的複數個線圈。
藉由朝定子部151供給電流，於定子部151與轉子部152之間產生以中心軸J1為中心之旋轉力。藉此，轉子部152以中心軸J1為中心以水平狀態進行旋轉。藉由作用於定子部151與轉子部152之間之磁力，轉子部152於處理腔室12內既不直接也不間接地與處理腔室12接觸而懸浮於處理腔室12內，使基板9與基板支撐部141一起以懸浮狀態且以中心軸J1為中心進行旋轉。如此，包含轉子部152之旋轉體係與不旋轉之其他構件以非接觸狀態進行旋轉。
液接取部16具備杯部161、杯部移動機構162及杯對向部163。杯部161係以中心軸J1為中心之環狀，且位於處理腔室12之徑向外側全周。杯部移動機構162係使杯部161沿上下方向移動。杯部移動機構162係配置於杯部161之徑向外側。杯部移動機構162係配置於與上述腔室開閉機構131在圓周方向上不同之位置。杯對向部163係位於杯部161之下方，且於上下方向與杯部161對向。杯對向部163係形成腔室側壁部214之構件之一部分。 杯對向部163具有位於腔室側壁部214之徑向外側之環狀之液接取凹部165。
杯部161具備側壁部611、上表面部612及波紋管617。側壁部611係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。上表面部612係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，且自側壁部611之上端部朝徑向內側及徑向外側擴展。側壁部611之下部係位於杯對向部163之液接取凹部165內。
波紋管617係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀，且可於上下方向伸縮。波紋管617係於側壁部611之徑向外側，設於側壁部611之周圍全周。波紋管617係由不使氣體或液體通過之材料形成。波紋管617之上端部係連接於上表面部612之外緣部下面全周。換言之，波紋管617之上端部係經由上表面部612而間接地連接於側壁部611。波紋管617與上表面部612之連接部被密封，以防止氣體或液體之通過。波紋管617之下端部係經由杯對向部163而間接地連接於腔室本體121。於波紋管617之下端部與杯對向部163之連接部中，也防止氣體或液體之通過。
於腔室蓋部122之中央安裝有以中心軸J1為中心之大致圓柱狀之上部噴嘴181。上部噴嘴181係與基板9之上表面91之中央部對向地固定於腔室蓋部122。上部噴嘴181可插入頂板123之中央之開口。於腔室底部210之下面對向部211之中央安裝有下部噴嘴182。下部噴嘴182係與基板9之下面92之之中央部對向。於下面對向部211還安裝有複數個加熱氣體供給噴嘴180。複數個加熱氣體供給噴嘴180例如於以中心軸J1為中心之圓周方向以等角度間隔配置。
圖2為顯示基板處理裝置1具備之氣液供給部18及氣液排出部19之方塊圖。氣液供給部18除上述之加熱氣體供給噴嘴180、上部噴嘴181及下部噴嘴182外，還具備藥液供給部183、純水供給部184、IPA供給部185、惰性氣體供給部186及加熱氣體供給部187。藥液供給部183、純水供給部184及IPA供給部185分別經由閥而與上部噴嘴181連接。下部噴嘴182經由閥而與純水供給部184連接。上部噴嘴181經由閥還與惰性氣體供給部186連接。上部噴嘴181係於中央具有液吐出口，且於其周圍具有氣體噴出口。因此，正確而言，上部噴嘴181之一部分係朝處理腔室12之內部供給氣體之廣義之氣體供給部之一部分。下部噴嘴182係於中央具有液吐出口。複數個加熱氣體供給噴嘴180係經由閥而與加熱氣體供給部187連接。
連接於液接取部16之液接取凹部165之第1排出流路191係連接於氣液分離部193。氣液分離部193分別經由閥而與外側排氣部194、藥液回收部195及排液部196連接。連接於處理腔室12之腔室底部210之第2排出流路192係連接於氣液分離部197。氣液分離部197分別經由閥而與內側排氣部198及排液部199連接。氣液供給部18及氣液排出部19之各構成係藉由控制部10所控制。腔室開閉機構131、基板旋轉機構15及杯部移動機構162(參照圖1)也藉由控制部10所控制。
本實施形態中，自藥液供給部183經由上部噴嘴181供给於基板9上之藥液，例如為氟酸、氫氧化四甲基銨水溶液等之蝕刻液。純水供給部184經由上部噴嘴181及下部噴嘴182將純水(DIW：Deionized Water)供給於基板9。IPA供給部185經由上部噴 嘴181將異丙醇(IPA)供給於基板9上。基板處理裝置1中，還可設置供給上述以外之處理液之處理液供給部。
此外，惰性氣體供給部186係經由上部噴嘴181朝處理腔室12內供給惰性氣體。加熱氣體供給部187係經由複數個加熱氣體供給噴嘴180朝基板9之下面92供給加熱之氣體(例如，加熱為120~130℃之高溫惰性氣體)。本實施形態中，惰性氣體供給部186及加熱氣體供給部187所利用之氣體為氮氣(N2)，但也可為氮氣以外之氣體。
圖3為顯示卡盤部4之一部分之構成之圖。如已述之，卡盤部4係設於基板支撐部141，卡盤部4之一部分係設於以中心軸J1為中心之圓環狀之支撐部基部142之內部。圖3中，關於支撐部基部142及後述之抵接部收容部431內之一部分構成，顯示包含中心軸J1之面而構成之截面(圖6及圖9中也同樣)。卡盤部4具備已述之複數個爪部41及傳遞機構42。如已述之，複數個爪部41係於藉由複數個支撐銷144所支撐之基板9之周圍沿圓周方向排列配置。複數個爪部41之個數至少為3個，於該至少3個爪部41中於圓周方向上相鄰接之2個爪部41之各組合中，連結該2個爪部41與中心軸J1之線所夾之角度小於180度。該至少3個爪部41較佳為沿圓周方向以等角度間隔設置。本實施形態中，4個爪部41係沿圓周方向以等角度間隔設置。
傳遞機構42具備相對於各爪部41而設置之抵接部43及複數個桿44、45。抵接部43係上下方向延伸之桿構件，一部分配置於設在支撐部基部142之上表面上之抵接部收容部431內。於抵接部收容部431內設置有圓環狀之上側支撐部432及下側支撐 部433，且藉由上側及下側支撐部432、433於上下方向可移動地支撐抵接部43。抵接部43之下端部係配置於形成在支撐部基部142之內部空間143。於該內部空間143配置有桿44，桿44之一端部經由銷421連接於抵接部43之下端部。於桿44形成有沿桿44之長邊方向延伸之長孔441，銷421係插入長孔441。桿44係藉由設於內部空間143之桿支撐部440，以垂直於圖3之紙面之旋轉軸為中心而可旋轉地支撐。
桿44之另一端部經由銷422連接於大致沿上下方向之另一個桿45之下端部。於桿45形成有沿桿45之長邊方向延伸之長孔451，銷422係插入長孔451。於支撐部基部142之上表面設置有與內部空間143連絡之連絡孔145，桿45係插入連絡孔145。桿45係藉由固定於連絡孔145周圍之桿支撐部450，以垂直於圖3之紙面之旋轉軸為中心而可旋轉地支撐。於桿45上，較桿支撐部450靠上側之部分係配置於支撐部基部142之內部空間143之外側，其周圍由大致筒狀之波紋管423所覆蓋。於桿45之上端部安裝有爪部41。波紋管423係由不使氣體或液體通過之材料形成。波紋管423與爪部41之連接部、波紋管423與桿支撐部450之連接部、桿支撐部450與支撐部基部142之連接部、及抵接部收容部431與支撐部基部142之連接部被密封，防止氣體或液體之通過。
於抵接部43安裝有以抵接部43為中心之圓板部434。圓板部434係於抵接部收容部431內配置於上側支撐部432與下側支撐部433之間。於圓板部434與下側支撐部433之間設置有圍繞抵接部43之周圍之彈簧435。藉由彈簧435朝上方對圓板部434及抵接部43賦予勢能，如圖3般使圓板部434與上側支撐部 432之下面抵接。於圓板部434與上側支撐部432之下面抵接之狀態下，桿44之桿45側之端部係較抵接部43側之端部位於下側，桿45沿上下方向大致直立。藉此，爪部41配置於自基板9之邊緣朝外側(與中心軸J1相反側)分離之位置。於抵接部43之一部分(也可為全部)設置有由橡膠等形成之彈性構件436，抵接部43係於長邊方向可略微伸縮。傳遞機構42所包括之上述構成係相對於複數個爪部41之各個而設置。
圖4為顯示基板處理裝置1中之基板9之處理流程之圖。基板處理裝置1中，如圖1所示，於腔室蓋部122自腔室本體121分離而位於上方，且杯部161自腔室蓋部122分離而位於下方之狀態下，藉由外部之搬送機構將基板9搬入處理腔室12內，且藉由基板支撐部141自下側支撐(步驟S10)。以下，稱圖1所示之處理腔室12及杯部161之狀態為「開放狀態」。腔室蓋部122與腔室側壁部214之間之開口，係以中心軸J1為中心之環狀，以下稱為「環狀開口81」。基板處理裝置1中，藉由腔室蓋部122自腔室本體121分離，而於基板9之周圍(亦即，徑向外側)形成環狀開口81。於步驟S10中，基板9係經由環狀開口81搬入。
若搬入基板9，則腔室蓋部122藉由腔室開閉機構131而自圖1所示之位置下降至圖5所示之位置(靠近腔室本體121之位置)。此外，杯部161自圖1所示之位置上昇至圖5所示之位置，且位於環狀開口81之徑向外側全周。以下之說明中，稱圖5所示之處理腔室12及杯部161之狀態為「第1密閉狀態」。此外，稱圖5所示之杯部161之位置為「液接取位置」，稱圖1所示之杯部161之位置為「退避位置」。杯部移動機構162係使杯部161於環狀開 口81之徑向外側之液接取位置與較液接取位置下方之退避位置之間沿上下方向移動。
於位於液接取位置之杯部161中，側壁部611係在徑向上與環狀開口81對向。此外，上表面部612之外緣部之上表面，接合於腔室蓋部122之外緣部下端之唇封(lip seal)232全周。於腔室蓋部122與杯部161之上表面部612之間形成有防止氣體或液體通過之密封部。藉此，形成有藉由腔室本體121、腔室蓋部122、杯部161、及杯對向部163所包圍之密閉的空間(以下稱為「擴大密閉空間100」)。擴大密閉空間100係藉由經由環狀開口81將腔室蓋部122及腔室本體121之間的腔室空間120、與杯部161及杯對向部163所包圍之側面空間160連通而形成之一個空間。
此外，於第1密閉狀態下，如圖6所示，於頂板123之各卡合部241之下部之凹部242嵌入自抵接部收容部431朝上方突出之抵接部43之上端部。藉此，頂板123與基板支撐部141之支撐部基部142連接。換言之，頂板123之相對於基板支撐部141之旋轉方向(圓周方向)上之相對位置被固定。以下之說明中，稱頂板123與基板支撐部141連結之位置為「連結位置」。當腔室蓋部122下降時，藉由基板旋轉機構15控制支撐部基部142之旋轉位置，以使卡合部241與抵接部43嵌合。實際上，於各抵接部43之上端面、及與該上端面對向之卡合部241之凹部242內之面設置有磁鐵437、243，藉由作用於這些磁鐵437、243之間的磁力(引力)，牢固地將卡合部241與抵接部43結合。
此時，如圖5所示，被支撐部237之凸緣部239係朝板支撐部222之凸緣部224之上方分離，板支撐部222與被支撐部 237不接觸。換言之，解除了藉由板支撐部222對頂板123之支撐、即腔室開閉機構131之間接的對頂板123之支撐。因此，頂板123自腔室蓋部122獨立，且藉由基板旋轉機構15可與基板保持部14及保持於基板保持部14之基板9一起進行旋轉。
如圖6所示，迄卡合部241之下面與抵接部收容部431之上表面抵接為止，藉由頂板123之自重將抵接部43朝下方壓入。桿44之桿45側之一端朝較抵接部43側之端部更上側移動，於是桿45傾斜而使桿45之上端部靠近基板9。藉此，爪部41抵接於支撐銷144上之基板9之邊緣(側面)，且藉由爪部41朝中心軸J1按壓該邊緣。實際上，作用於複數個抵接部43之力分別傳遞至複數個爪部41，且藉由排列配置於圓周方向之複數個爪部41以大致相同之力朝中心軸J1按壓基板9之邊緣之不同部位。其結果，可一方面將基板9之中心配置於中心軸J1上，一方面藉由卡盤部4牢固地保持基板9(步驟S11)。即使於由基板支撐部141所支撐之基板9之大小(直徑)變動之情況下，仍藉由抵接部43之彈性構件436之伸縮量變化，以使卡合部241之下面與抵接部收容部431之上表面抵接。因此，頂板123之下面與基板9之上表面91之間的上下方向之距離保持一定。
若保持了基板9，藉由圖5所示之基板旋轉機構15按一定轉速(較低之轉速，以下稱為「穩態轉速」。)開始基板9的旋轉。此外，自惰性氣體供給部186(參照圖2)開始朝擴大密閉空間100供給惰性氣體(在此為氮氣)，並藉由外側排氣部194開始進行擴大密閉空間100內之氣體的排出。藉此，於經過既定時間後，擴大密閉空間100成為填充有惰性氣體之惰性氣體填充狀態(亦即， 氧濃度低之低氧環境氣體)。再者，朝擴大密閉空間100之惰性氣體之供給及擴大密閉空間100內之氣體之排出，也可自圖1所示之開放狀態進行。
接著，自複數個加熱氣體供給噴嘴180朝旋轉之基板9之下面92噴出加熱後之氣體。藉此，基板9被加熱。然後，自上部噴嘴181朝基板9之上表面91之中央部開始供給藥液(步驟S12)。來自上部噴嘴181之藥液被連續地供給於旋轉之基板9之上表面91。上表面91上之藥液藉由基板9之旋轉朝基板9之外周部擴散，使得上表面91整體藉由藥液所被覆。
於來自之上部噴嘴181之藥液之供給中，來自加熱氣體供給噴嘴180之加熱氣體之噴出仍繼續噴出。藉此，一方面以大致所需之溫度均勻地將基板9加熱，一方面藉由藥液對上表面91進行蝕刻。其結果，可提高對基板9之藥液處理之均勻性。於自上部噴嘴181供給藥液時，位於連結位置之頂板123之下面，係於基板9之上方以覆蓋基板9之方式沿基板9之上表面91擴展，且靠近基板9之上表面91。如此，藉由藥液對基板9之處理，係於頂板123之下面與基板9之上表面91之間的極窄之空間中進行。藉此，可更加提高對基板9之藥液處理之均勻性。
於擴大密閉空間100中，自旋轉之基板9之上表面91飛散之藥液，經由環狀開口81被杯部161所接取，並導向液接取凹部165。朝液接取凹部165引導之藥液經由圖2所示之第1排出流路191流入氣液分離部193。於藥液回收部195中，自氣液分離部193回收藥液，且經由過濾器等自藥液中除去雜質等後，被再利用。
若自來自上部噴嘴181之藥液之供給開始經過了既定時間(例如，60~120秒)，則停止來自上部噴嘴181之藥液之供給、及停止來自加熱氣體供給噴嘴180之加熱氣體之供給。接著，藉由基板旋轉機構15使基板9之轉速高於穩態轉速達既定時間(例如，1~3秒)，自基板9除去藥液。
接著，腔室蓋部122及杯部161同步朝下方移動。然後，如圖7所示，藉由腔室蓋部122之外緣部下端之唇封231與腔室側壁部214之上部接觸而將環狀開口81關閉，在與側面空間160隔絕之狀態下將腔室空間120密閉。杯部161與圖1同樣地位於退避位置。以下，稱圖7所示之處理腔室12及杯部161之狀態為「第2密閉狀態」。於第2密閉狀態下，基板9係與處理腔室12之內壁直接對向，且於這些之間不存在其他之液接取部。
於第2密閉狀態下，也與第1密閉狀態同樣地，藉由卡盤部4之複數個爪部41朝中心軸J1按壓基板9之邊緣，牢固地保持基板9。此外，解除了藉由板支撐部222對頂板123之保持，頂板123自腔室蓋部122獨立，與基板保持部14及基板9一起進行旋轉。
若腔室空間120被密閉，則停止藉由外側排氣部194(參照圖2)進行之氣體之排出，並開始藉由內側排氣部198進行之腔室空間120內之氣體之排出。然後，藉由純水供給部184開始朝基板9之純水之供給(步驟S13)。
來自純水供給部184之純水，自上部噴嘴181連續地供給於基板9之上表面91之中央部。此外，來自純水供給部184之純水，自下部噴嘴182連續地供給於基板9之下面92之中央部。 自上部噴嘴181及下部噴嘴182吐出之純水，係作為洗淨液供給於基板9。
純水藉由基板9之旋轉朝上表面91及下面92之外周部擴散，並自基板9之外周緣朝徑向外側飛散。自基板9飛散之純水，於處理腔室12之內壁(亦即，腔室蓋部122及腔室側壁部214之內壁)被接取，並經由圖2所示之第2排出流路192、氣液分離部197及排液部199被廢棄(於後述之基板9之乾燥處理中也同樣)。藉此，於腔室空間120中，與藉由純水對基板9之洗淨處理一起，實質上還進行處理腔室12內之洗淨。實際上，自基板9飛散之純水之一部分，於處理腔室12之內壁朝中心軸J1側彈回，但基板9之上表面91藉由頂板123所覆蓋，藉此，防止來自處理腔室12之內壁之純水附著於基板9之上表面91。
若自純水之供給開始經過了既定時間，則停止來自純水供給部184之純水之供給。然後，自複數個加熱氣體供給噴嘴180朝基板9之下面92噴出加熱之氣體。藉此，基板9被加熱。並且，於繼續來自加熱氣體供給噴嘴180之加熱氣體之噴出之狀態下，將基板9之轉速提高至充分高於穩態轉速。藉此，藉由自基板9上除去純水，進行基板9之乾燥處理(步驟S14)。若自基板9之乾燥開始後經過既定時間，則停止基板9之旋轉。再者，也可於基板9之乾燥處理前，自上部噴嘴181朝基板9之上表面91供給IPA，於上表面91上將純水置換為IPA。此外，基板9之乾燥處理，也可於藉由內側排氣部198對腔室空間120進行減壓而低於大氣壓之減壓環境氣體下進行。
其後，藉由腔室蓋部122上昇，如圖1所示，處理腔 室12成為開放狀態，頂板123相對於基板支撐部141配置於分離位置。於步驟S14中，由於頂板123與基板支撐部141一起旋轉，因此於頂板123之下面幾乎不殘留液體，從而於腔室蓋部122之上昇時，無液體自頂板123落下於基板9上。
於頂板123配置於分離位置之狀態下，卡合部241與圖3所示之抵接部43於上下方向分離，抵接部43藉由彈簧435所賦予之勢能而被配置於圖3所示之位置。藉此，桿45沿上下方向大致直立，爪部41自基板9之邊緣朝外側(與中心軸J1相反側)分離。亦即，解除藉由卡盤部4對基板9之保持(步驟S15)。其後，基板9係藉由外部之搬送機構自處理腔室12搬出(步驟S16)，完成藉由基板處理裝置1對基板9之處理。實際上，上述步驟S10~S16之處理係對於其他之基板9重複地進行。
圖8為顯示比較例之基板處理裝置中之基板保持部附近之剖視圖。比較例之基板處理裝置中，基板保持部95具備：自下側支撐基板9之外緣部之大致圓環狀之基板支撐部96；及自上側按壓支撐於基板支撐部96之基板9之外緣部之基板按壓部97。基板支撐部96具備大致圓環板狀之支撐部基部960及固定於支撐部基部960之上表面之複數個第1接觸部961，且複數個第1接觸部961係於圓周方向排列配置。基板按壓部97具備固定於頂板123之下面之複數個第2接觸部971，且複數個第2接觸部971係於圓周方向排列配置。於頂板123之外緣部之下面沿圓周方向排列配置有複數個卡合部951，於支撐部基部960之上表面沿圓周方向排列配置有複數個卡合銷952。若頂板123配置於連結位置，則卡合部951與卡合銷952嵌合，頂板123與基板支撐部96連結。於比較例 之基板處理裝置中，基板按壓部97藉由頂板123之自重朝基板支撐部96側按壓基板9，以基板按壓部97與基板支撐部96上下挾持基板9。
然而，於基板處理裝置中，因基板9之彎曲或製造誤差等，搬入之基板9的直徑略有變動。為了應對此種變動，於比較例之基板處理裝置中，配合SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International)規格中之最大直徑的基板9，決定支撐部基部960之複數個第1接觸部961之位置及形狀、暨頂板123中之複數個第2接觸部971之位置及形狀。因此，於比較例之基板處理裝置中，若搬入較上述規格中之最大直徑小之直徑之基板9，於對該基板9之處理液之供給時、或基板9之旋轉之加減速時等，有時會有基板支撐部96上之基板9之位置變動(亦即，基板9略微移動)。於該情況下，基板9與接觸部961、971相擦而產生污染物，或者產生接觸部961、971之磨耗。此外，若基板9之位置變動較大，則恐有基板9破損之虞。再者，於比較例之基板處理裝置中，第1接觸部961之端面係調芯用之傾斜面，但即使設置此種傾斜面，也不保證一定能精度良好地對基板9進行調芯。
相對於此，於基板處理裝置1中，於基板支撐部141設置具有複數個爪部41及傳遞機構42之卡盤部4，當頂板123位於連結位置時，藉由頂板123之自重，於上下方向將傳遞機構42之各底接部43壓入。傳遞機構42藉由將作用於各抵接部43之力傳遞至對應之爪部41，使複數個爪部41朝中心軸J1按壓基板9之邊緣。藉此，即使於搬入之基板9之直徑變動之情況下，仍可實現利用配置於連結位置之頂板123之自重，藉由複數個爪部41自外 側對基板9之保持。其結果，於對基板9之處理液之供給時、或基板9之旋轉之加減速時等，可抑制基板支撐部141上之基板9之位置變動，還可防止基板9之破損。此外，藉由複數個爪部41將基板9之中心配置於中心軸J1、亦即使基板9相對於旋轉中心進行對位，藉此，可將包含基板9、基板支撐部141及頂板123之旋轉體之重心配置於中心軸J1之附近(取得平衡)，從而可穩定地旋轉旋轉體。
此外，配置於連結位置之頂板123靠近基板9之上表面91而將上表面91覆蓋。藉此，於朝旋轉之基板9供給處理液之處理中，可防止自基板9之外緣部飛散之處理液於處理腔室12之內壁彈回而再度附著於基板9之上表面91。進而，於基板保持部14中，傳遞機構42包含彈性構件436，於基板支撐部141所支撐之基板9之大小變動之情況下，彈性構件436彈性變形。藉此，可將連結位置上之頂板123與基板9之間的距離保持一定。其結果，即使於基板9之大小變動之情況下，也可以一定之條件對基板9實施處理。
於基板處理裝置1中，基板旋轉機構15具備以中心軸J1為中心之環狀之轉子部152、及間隔間隙於徑向與轉子部152對向之環狀之定子部151。並且，基板支撐部141連接於轉子部152，基板支撐部141及轉子部152係於處理腔室12內不與處理腔室12接觸而進行旋轉。如此，即使於無法對設於基板支撐部141之卡盤部4傳遞電氣或壓縮空氣等之動力源之驅動力之情況下，仍可於具有上述構造之基板處理裝置1中，使基板9相對於旋轉中心一方面進行對位一方面進行保持。
圖9為顯示卡盤部之另一例之圖。圖9之卡盤部4a之傳遞機構42a具備相對於各爪部41a而設之抵接部43及複數個軸46、47。抵接部43及抵接部收容部431之內部構造與圖3同樣。
圖10為顯示抵接部43及複數個軸46、47之立體圖。圖10中，為便於圖示，省略了其他構成要素之圖示。如圖9所示，於支撐部基部142之內部空間143配置有朝垂直於中心軸J1之方向(圖9之橫向)延伸之軸46。軸46係藉由一對軸支撐部460而以其中心軸J2為中心可旋轉地支撐。如圖10所示，於軸46之一端部固定有朝垂直於軸46之中心軸J2之方向延伸之桿461之一端部，桿461之另一端部經由銷424連接於抵接部43之下端部。於桿461形成有沿桿461之長邊方向延伸之長孔462，銷424係插入長孔462。
如圖9所示，於支撐部基部142之內部空間143配置有上下方向延伸之另一根軸47之下部。軸47係藉由軸支撐部470而以其中心軸J3為中心可旋轉地支撐。如圖10所示，於軸46之另一端部固定有沿垂直於軸46之中心軸J2之方向延伸之桿463之一端部。桿463之另一端部係經由銷425連接於軸47之上部。於桿463形成有沿桿463之長邊方向延伸之長孔464，銷425係插入長孔464。
圖11為顯示一個爪部41a之俯視圖，顯示沿上下方向所觀察之爪部41a。如圖9及圖11所示，爪部41a具有沿上下方向觀察之形狀為橢圓形之爪部本體411。爪部本體411之上表面412係自該橢圓形之長軸之一端朝另一端而高度逐漸減少之傾斜面。於爪部本體411之上表面412，且於高度最大之位置附近，設置有朝 上方突出之突出部413。突出部413係上部之直徑較下部之直徑大之倒圓錐梯形。爪部本體411係固定於有蓋圓筒狀之爪部支撐台410之上表面。
於軸47中，除下部以外之部位係配置於支撐部基部142之內部空間143之外側，軸47之上端部係固定於爪部支撐台410之蓋部的下面。配置於內部空間143之外側之軸47之部位之周圍，係藉由爪部支撐台410之側壁部所包圍。爪部支撐台410之側壁部與支撐部基部142之連接部，係於兩者可滑動之狀態下被密閉。
於頂板123配置於分離位置，且如圖9中二點鏈線所示，圓板部434藉由彈簧435所賦予之勢能而與上側支撐部432之下面抵接之狀態下，基板9之邊緣係於爪部本體411之上表面412上配置於自突出部413略微分離之位置。如圖9中實線所示，若藉由位於連結位置之頂板123之自重朝下方壓入抵接部43，則圖10所示之軸46以中心軸J2為中心進行轉動，軸47以中心軸J3為中心進行轉動。藉此，爪部本體411以中心軸J3為中心自圖11中二點鏈線所示之旋轉位置朝以實線所示之旋轉位置進行轉動，如圖9中實線所示，基板9略朝上方移動，並且突出部413之側面抵接於基板9之邊緣。換言之，基板9之外緣部咬入突出部413之側面與爪部本體411之上表面412所形成之凹部。實際上，作用於複數個抵接部43之力分別對沿基板9之外緣配置之複數個爪部41a進行傳遞，藉由複數個爪部41a以大致相同之力朝中心軸J1按壓基板9之邊緣之不同部位。如此，於圖9所示之卡盤部4a中，利用配置於連結位置之頂板123之重量，實現使基板9相對於旋轉中心一方面進行對位一方面進行保持。
圖12為顯示卡盤部之又一例之圖。圖12之卡盤部4b係設於頂板123。圖12中，關於頂板123及抵接部收容部431內之構成之一部分，顯示包含中心軸J1之面而構成之截面。卡盤部4b具備複數個爪部41及傳遞機構42b。於沿中心軸J1觀察之情況下，複數個爪部41係配置於基板9之周圍。傳遞機構42b具有近似於將圖3之傳遞機構42上下反轉者之構造。
具體而言，傳遞機構42b具備相對於各爪部41而設置之抵接部43及複數個桿44、45。抵接部43係藉由上側支撐部432及下側支撐部433而於上下方向可移動地支撐。於頂板123之下面設置有大致筒狀之抵接部收容部431，下側支撐部433係設於抵接部收容部431內。抵接部43之上端部係配置於形成在頂板123之內部空間124。於該內部空間124配置有桿44，桿44之一端部經由銷421連接於抵接部43之上端部。於桿44形成有沿桿44之長邊方向延伸之長孔441，銷421係插入長孔441。桿44係藉由桿支撐部440，以垂直於圖12之紙面之旋轉軸為中心而可旋轉地支撐。
桿44之另一端部經由銷422連接於另一個桿45之上端部。於桿45形成有沿桿45之長邊方向延伸之長孔451，銷422係插入長孔451。桿45係藉由桿支撐部450，以垂直於圖12之紙面之旋轉軸為中心而可旋轉地支撐。於桿45上，較桿支撐部450靠下側之部分係配置於頂板123之內部空間124之外側。桿支撐部450之下側附近的桿45之部位之周圍，係藉由隔膜密閉427所覆蓋。於桿45之下端部安裝有爪部41。
安裝於抵接部43上之圓板部434，係配置於上側支 撐部432與下側支撐部433之間。於圓板部434與上側支撐部432之間設置有圍繞抵接部43之周圍之彈簧435。藉由此彈簧435，朝下方對圓板部434及抵接部43賦予勢能。於頂板123位於分離位置，且如圖12中二點鏈線所示，圓板部434與下側支撐部433之上表面抵接之狀態下，桿45之相對於上下方向之傾斜角變小，爪部41自基板9之邊緣朝外側分離。
於支撐部基部142之上表面設置有朝上方突出之卡合部241a，當頂板123位於連結位置時，自抵接部收容部431朝下方突出之抵接部43之下端部嵌合於卡合部241a之上部之凹部242a。藉此，頂板123與基板支撐部141連結。此外，如圖12中實線所示，迄卡合部241a之上表面與抵接部收容部431之下面抵接為止，藉由基板支撐部141將抵接部43朝上方壓入。藉此，桿45傾斜而使桿45之下端部靠近基板9，進而爪部41抵接於基板9之邊緣。實際上，作用於複數個抵接部43之力分別傳遞至沿基板9之外緣配置之複數個爪部41，藉由複數個爪部41朝中心軸J1按壓基板9之邊緣之不同部位。如此，於圖12所示之卡盤部4b中，利用配置於連結位置之頂板123之重量，實現使基板9相對於旋轉中心一方面進行對位一方面進行保持。再者，根據防止自基板9之上表面91飛散之處理液因連接於爪部之傳遞機構之構成要素而彈回並附著於上表面91之觀點，卡盤部較佳為設置於基板支撐部141。
上述基板處理裝置1中，可進行各種之變形。
作為將作用於抵接部之力傳遞至複數個爪部之傳遞機構，也可採用上述以外之各式各樣之構造。例如，於圖9所示之傳遞機構42a中，也可於軸46之軸47側之端部形成陽螺紋，且與 設於軸47之陰螺紋螺合。該情況下，藉由抵接部43於上下方向移動，軸46以中心軸J2為中心進行旋轉，軸47於沿基板9之上表面91之方向(圖9之左右方向)直線移動。此外，傳遞機構除僅將作用於對各爪部而設之抵接部43之力傳遞至該爪部之構造以外，也可為將作用於一個或複數個抵接部43之力連動地傳遞至複數個爪部之構造。
於支撐於基板支撐部141之基板9之大小變動之情況下，以連結位置之頂板123與基板9之間的距離一定之方式彈性變形之彈性構件，也可設於傳遞機構之抵接部43以外。此外，於根據基板9之大小，允許連結位置上之頂板123與基板9之間的距離略微變動之情況下，也可於傳遞機構中省略上述彈性構件。
於上述實施形態中，藉由將密閉空間開閉機構即腔室開閉機構131兼作支撐上表面對向部即頂板123之對向部支撐機構(之一部分)，可將基板處理裝置1之構造簡化，但根據基板處理裝置1之設計，對向部支撐機構與腔室開閉機構131也可分開設置。
圖13所示之例中，上下方向移動頂板123之頂板移動機構126係作為對向部支撐機構而設。頂板移動機構126具備第1磁鐵261、第2磁鐵262及磁鐵移動機構263。第1磁鐵261及第2磁鐵262係分別為以中心軸J1為中心之大致圓環狀。於頂板123之上表面設置有藉由非磁性體所形成之筒狀之頂板軸部235，第1磁鐵261係於頂板軸部235之內部沿頂板軸部235之外周面而配置。第2磁鐵262係於形成在腔室蓋部122之環狀孔264內，圍繞頂板軸部235之周圍而配置。第2磁鐵262係藉由磁鐵移動機構263而於環狀孔264內沿上下方向移動。藉此，頂板123可於相對於基 板支撐部141朝上方分離之分離位置、及與基板支撐部141連結之連結位置之間，對於基板支撐部141進行相對移動。
此外，也可藉由腔室開閉機構131使腔室蓋部122相對於腔室本體121相對地昇降，也可使腔室本體121相對於位置固定之腔室蓋部122進行昇降。於該情況下，也藉由使腔室本體121上昇而使腔室本體121之上端部靠近或抵接於腔室蓋部122，使頂板123與腔室蓋部122成為非接觸狀態，且配置於連結位置(參照圖5或圖7)。此外，藉由使腔室本體121下降而自腔室蓋部122分離，頂板123自位於腔室本體121之上方之腔室蓋部122之一部分懸吊並配置於分離位置(參照圖1)。如上述，選擇性地將頂板123配置於分離位置與連結位置之對向部支撐機構，可以各式各樣之構造實現。
於基板處理裝置1中，也可將僅與基板9之上表面91之外緣部對向之圓環板狀之構件作為上表面對向部而設置。於該情況下，於將處理液供給於旋轉之基板9之處理中，藉由配置於連結位置之上述圓環板狀之構件，防止自基板9之外緣部飛散之處理液於處理腔室12之內壁被彈回而再次附著於基板9之上表面91。如此，於基板處理裝置1中，設置有與基板9之上表面91之至少外緣部對向之上表面對向部。
基板旋轉機構15之定子部151及轉子部152之形狀及構造，也可進行各種之變更。例如，也可於轉子部152之內側(中心軸J1側)設置定子部151。轉子部152不一定要以懸浮狀態進行旋轉，也可於處理腔室12內設置機械式地支撐轉子部152之導引等之構造，也可使轉子部152沿該導引旋轉。此外，基板旋轉機構 15不一定要為中空馬達，例如，也可利用使固定於圓板狀之基板支撐部141下面之軸旋轉之基板旋轉機構。
於基板處理裝置1中，基板支撐部141、基板旋轉機構15之轉子部152、頂板123及卡盤部4、4a、4b係設於密閉空間形成部即處理腔室12內，於密閉之內部空間對基板9進行處理，但根據基板處理裝置之設計，也可於開放之空間內對基板9進行處理。
於基板處理裝置1中進行處理之基板，不限於半導體基板，也可為玻璃基板或其他之基板。
圖14為顯示本發明之第2實施形態之基板處理裝置1a之剖視圖。基板處理裝置1a之基本構造，係與圖1之基板處理裝置1同樣(包含圖2之氣液供給部18及氣液排出部19)，並對相同之構成賦予相同符號。於以下之基板處理裝置1a之構造之說明中，主要對與基板處理裝置1之相異點進行說明。
於圖14之基板處理裝置1a之支撐部基部142的上表面設置有朝上方突出之複數個卡合銷140，複數個卡合銷140係於圓周方向排列配置。如已述之，於各卡合部241之下部設置有朝上方凹陷之凹部，如後述，卡合銷140插入該凹部。實際上，卡合銷140及卡合部241係與複數個爪部41於圓周方向上配置於不同之位置。卡合銷140及卡合部241之組合之個數較佳為3個以上。
於轉子部152之上部設置有朝上下方向延伸之桿狀之複數個連接構件52，轉子部152藉由複數個連接構件52而與基板支撐部141之支撐部基部142連接。複數個連接構件52較佳為於圓周方向以等角度間隔配置。
於轉子部152與基板支撐部141之間設置有以中心軸J1為中心之大致環狀之錘部51。於錘部51設置有上下方向貫通之複數個貫通孔511(參照圖15)。複數個貫通孔511分別供上述複數個連接構件52插入。錘部51之各貫通孔511之內周面係與連接構件52之外周面滑接，並且錘部51可沿連接構件52而於上下方向移動。複數個連接構件52係於基板支撐部141與配置於基板支撐部141之下方之轉子部152之間，對錘部51之上下方向之移動進行導引之導引部。
圖15為顯示卡盤部4及錘支撐機構53之構成之圖，且將圖14中顯示支撐部基部142之左側之截面附近放大顯示。如已述之，卡盤部4係設於基板支撐部141，卡盤部4之一部分係設於以中心軸J1為中心之圓環狀之支撐部基部142之內部。圖15中，關於腔室本體121、錘部51、支撐部基部142、後述之連結部支撐部492及波紋管493，顯示包含中心軸J1之面所構成之截面(圖16、圖19及圖23中也同樣)。卡盤部4具備已述之複數個爪部41及傳遞機構42。如已述之，複數個爪部41係於藉由複數個支撐銷144所支撐之基板9之周圍沿圓周方向排列配置。複數個爪部41之個數至少為3個，於該至少3個爪部41中於圓周方向上相鄰接之2個爪部41之各組合中，連結該2個爪部41與中心軸J1之線所夾之角度小於180度。該至少3個爪部41較佳為沿圓周方向以等角度間隔設置。本實施形態中，4個爪部41係沿圓周方向以等角度間隔設置。
傳遞機構42具備相對於各爪部41而設置之連結部49及複數個桿44、45。連結部49係上下方向延伸之桿構件，其藉 由設於支撐部基部142之下面之圓筒狀之連結部支撐部492而於上下方向可移動地支撐。連結部49之下端部係連接於錘部51。於連結部支撐部492之下端面設置有大致筒狀之波紋管493。波紋管493係由不使氣體或液體通過之材料形成。波紋管493與連結部49之連接部、波紋管493與連結部支撐部492之連接部、及連結部支撐部492與支撐部基部142之連接部被密閉，防止氣體或液體之通過。
連結部49之上端部係配置於形成在支撐部基部142之內部空間143。於該內部空間143配置有桿44，桿44之一端部經由銷421連接於連結部49之上端部。於桿44形成有沿桿44之長邊方向延伸之長孔441，銷421係插入長孔441。桿44係藉由設於內部空間143之桿支撐部440，以垂直於圖15之紙面之旋轉軸為中心而可旋轉地支撐。
桿44之另一端部經由銷422連接於大致沿上下方向之另一個桿45之下端部。於桿45形成有沿桿45之長邊方向延伸之長孔451，銷422係插入長孔451。於支撐部基部142之上表面設置有與內部空間143連絡之連絡孔145，桿45係插入連絡孔145。桿45係藉由固定於連絡孔145周圍之桿支撐部450，以垂直於圖15之紙面之旋轉軸為中心而可旋轉地支撐。於桿45上，較桿支撐部450靠上側之部分係配置於支撐部基部142之內部空間143之外側，其周圍由大致筒狀之波紋管423所覆蓋。於桿45之上端部安裝有爪部41。波紋管423係由不使氣體或液體通過之材料形成。波紋管423與爪部41之連接部、波紋管423與桿支撐部450之連接部、及桿支撐部450與支撐部基部142之連接部被密閉，防止氣體或液體之通過。
如圖15所示，於腔室側壁部214設置有朝下部環狀空間217開口之凹部218，於凹部218內設置錘支撐機構53。錘支撐機構53具備空氣汽缸531，於空氣汽缸531之活塞桿532之前端安裝有支撐構件533。支撐構件533之前端面(中心軸J1側之面)534係隨著朝上方而自中心軸J1分離之傾斜面。於空氣汽缸531之本體與支撐構件533之間圍繞著活塞桿532設置有波紋管535。波紋管535係由不使氣體或液體通過之材料形成，防止氣體或液體朝空氣汽缸531之內部之侵入。於空氣汽缸531推壓活塞桿532之狀態下，錘部51之外緣部藉由支撐構件533自下側支撐，錘部51配置於圖15所示之位置(以下，稱為「支撐位置」)。藉由位於支撐位置之錘部51，朝上方推昇連結部49。因此，桿44之桿45側之端部係較連結部49側之端部位於下側，桿45沿上下方向大致直立。藉此，爪部41配置於自基板9之邊緣朝外側(與中心軸J1相反側)分離之位置。傳遞機構42所包括之上述構成係相對於複數個爪部41之各個而設置。錘支撐機構53也可具有馬達等。
其次，參照圖4對基板處理裝置1a中之基板9之處理流程進行說明。基板處理裝置1a中，如圖14所示，於腔室蓋部122自腔室本體121分離而位於上方，且杯部161自腔室蓋部122分離而位於下方之狀態下，藉由外部之搬送機構將基板9搬入處理腔室12內，且藉由基板支撐部141自下側支撐(步驟S10)。以下，稱圖14所示之處理腔室12及杯部161之狀態為「開放狀態」。腔室蓋部122與腔室側壁部214之間之開口，係以中心軸J1為中心之環狀，以下稱為「環狀開口81」。基板處理裝置1a中，藉由腔室蓋部122自腔室本體121分離，而於基板9之周圍(亦即，徑向外 側)形成環狀開口81。於步驟S10中，基板9係經由環狀開口81搬入。
若搬入基板9，則藉由圖15所示之錘支撐機構53之空氣汽缸531緩慢拉入活塞桿532，如圖16所示，支撐構件533朝腔室側壁部214之凹部218內移動。藉此，支撐構件533之前端面534自錘部51之外緣部分離，進而解除藉由錘支撐機構53對錘部51之支撐。連結部49及錘部51係自圖16中二點鏈線所示之支撐位置下降。桿44之桿45側之端部朝較連結部49側之端部更上側移動，於是桿45傾斜而使桿45之上端部靠近基板9。藉此，爪部41抵接於支撐銷144上之基板9之邊緣(側面)，進而藉由爪部41朝中心軸J1按壓該邊緣。實際上，作用於複數個連結部49之力分別傳遞至複數個爪部41，且藉由排列配置於圓周方向之複數個爪部41以大致相同之力朝中心軸J1按壓基板9之邊緣之不同部位。其結果，可一方面將基板9之中心配置於中心軸J1上，一方面藉由卡盤部4牢固地保持基板9(步驟S11)。此時，藉由複數個爪部41與基板9之邊緣抵接，限制錘部51朝下方之移動，錘部51配置於圖16中實線所示位置(以下稱為「支撐解除位置」)。
接著，腔室蓋部122藉由腔室開閉機構131而自圖14所示之位置下降至圖17所示之位置(靠近腔室本體121之位置)。此外，杯部161自圖14所示之位置上昇至圖17所示之位置，且位於環狀開口81之徑向外側全周。以下之說明中，稱圖17所示之處理腔室12及杯部161之狀態為「第1密閉狀態」。此外，稱圖17所示之杯部161之位置為「液接取位置」，稱圖14所示之杯部161之位置為「退避位置」。杯部移動機構162係於環狀開口81之 徑向外側之液接取位置與較液接取位置下方之退避位置之間使杯部161沿上下方向移動。
於位於液接取位置之杯部161中，側壁部611係在徑向上與環狀開口81對向。此外，上表面部612之內緣部之上表面接合於腔室蓋部122之外緣部下端之唇封232全周。於腔室蓋部122與杯部161之上表面部612之間形成有防止氣體或液體通過之密閉部。藉此，形成有藉由腔室本體121、腔室蓋部122、杯部161、及杯對向部163所包圍之密閉的空間(以下稱為「擴大密閉空間100」)。擴大密閉空間100係藉由經由環狀開口81將腔室蓋部122及腔室本體121之間的腔室空間120、與杯部161及杯對向部163所包圍之側面空間160連通而形成之一個空間。
此外，於第1密閉狀態下，於頂板123之各卡合部241之下部之凹部嵌入自支撐部基部142朝上方突出之卡合銷140之上端部。藉此，頂板123與基板支撐部141之支撐部基部142連接。換言之，頂板123之相對於基板支撐部141之旋轉方向(圓周方向)之相對位置被固定。以下之說明中，稱頂板123與基板支撐部141連結之位置為「連結位置」。當腔室蓋部122下降時，藉由基板旋轉機構15控制支撐部基部142之旋轉位置，以使卡合部241與卡合銷140嵌合。實際上，於各卡合銷140之上端面、及與該上端面對向之卡合部241之凹部內之面設置有磁鐵，藉由作用於這些磁鐵之間的磁力(引力)，牢固地將卡合部241與卡合銷140結合。
此時，被支撐部237之凸緣部239係朝板支撐部222之凸緣部224之上方分離，板支撐部222與被支撐部237不接觸。換言之，解除了藉由板支撐部222對頂板123之支撐、即腔室開閉 機構131之間接的對頂板123之支撐。因此，頂板123係自腔室蓋部122獨立，且與基板保持部14及保持於基板保持部14之基板9一起地，可藉由基板旋轉機構15而進行旋轉。
接著，藉由基板旋轉機構15按一定轉速(較低之轉速，以下稱為「穩態轉速」。)開始基板9的旋轉。此外，自惰性氣體供給部186(參照圖2)開始朝擴大密閉空間100供給惰性氣體(在此為氮氣)，並藉由外側排氣部194開始進行擴大密閉空間100內之氣體的排出。藉此，於經過既定時間後，擴大密閉空間100成為填充有惰性氣體之惰性氣體填充狀態(亦即，氧濃度低之低氧環境氣體)。再者，朝擴大密閉空間100之惰性氣體之供給及擴大密閉空間100內之氣體之排出，也可自圖14所示之開放狀態進行。
其次，自複數個加熱氣體供給噴嘴180朝旋轉之基板9之下面92噴出加熱之氣體。藉此，基板9被加熱。然後，自上部噴嘴181朝基板9之上表面91之中央部開始供給藥液(步驟S12)。步驟S12中之藥液之供給動作，係與上述第1實施形態同樣。
接著，腔室蓋部122及杯部161同步朝下方移動。如圖18所示，藉由腔室蓋部122之外緣部下端之唇封231與腔室側壁部214之上部接觸而將環狀開口81關閉，在與側面空間160隔絕之狀態下將腔室空間120密閉。杯部161與圖14同樣地位於退避位置。以下，稱圖18所示之處理腔室12及杯部161之狀態為「第2密閉狀態」。於第2密閉狀態下，基板9係與處理腔室12之內壁直接對向，且於這些之間不存在其他之液接取部。
於第2密閉狀態下，也與第1密閉狀態同樣地，藉由卡盤部4之複數個爪部41朝中心軸J1按壓基板9之邊緣，牢固地 保持基板9。此外，解除了藉由板支撐部222對頂板123之保持，頂板123自腔室蓋部122獨立，與基板保持部14及基板9一起進行旋轉。
若腔室空間120被密閉，則停止藉由外側排氣部194(參照圖2)進行之氣體之排出，並開始藉由內側排氣部198進行之腔室空間120內之氣體之排出。然後，藉由純水供給部184開始朝基板9之純水之供給(步驟S13)。步驟S13之純水之供給動作係與上述第1實施形態同樣。
若自純水之供給開始經過了既定時間，則停止來自純水供給部184之純水之供給。然後，自複數個加熱氣體供給噴嘴180朝基板9之下面92噴出加熱之氣體。藉此，基板9被加熱。而且，於繼續來自加熱氣體供給噴嘴180之加熱氣體之噴出之狀態下，將基板9之轉速提高至遠高於穩態轉速。藉此，藉由自基板9上除去純水，進行基板9之乾燥處理(步驟S14)。若自基板9之乾燥開始後經過既定時間，則停止基板9之旋轉。再者，也可於基板9之乾燥處理前，自上部噴嘴181朝基板9之上表面91供給IPA，於上表面91上將純水置換為IPA。此外，基板9之乾燥處理，也可於藉由內側排氣部198對腔室空間120進行減壓而低於大氣壓之減壓環境氣體中進行。
然後，藉由腔室蓋部122上昇，如圖14所示，處理腔室12成為開放狀態，頂板123相對於基板支撐部141配置於分離位置。於步驟S14中，由於頂板123與基板支撐部141一起旋轉，因此於頂板123之下面幾乎不殘留液體，從而不會有蓋部122之上昇時，液體自頂板123落下於基板9上之情況。
此外，藉由圖16所示之錘支撐機構53之空氣汽缸531緩慢地推壓活塞桿532，使支撐構件533之前端面534與錘部51之外緣部抵接，進而沿前端面534朝上方推昇錘部51。藉此，錘部51及連結部49配置於圖15所示之位置，桿45沿上下方向大致直立，爪部41自基板9之邊緣朝外側(與中心軸J1相反側)分離。亦即，解除藉由卡盤部4對基板9之保持(步驟S15)。然後，基板9係藉由外部之搬送機構自處理腔室12搬出(步驟S16)，完成藉由基板處理裝置1a對基板9之處理。實際上，上述步驟S10~S16之處理係對於其他之基板9重複地進行。
然而，於基板處理裝置中，因基板9之彎曲或製造誤差等，被搬入之基板9的直徑略有變動。為了應對此種變動，於圖8所示之比較例之基板處理裝置中，配合SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International)規格中之最大直徑的基板9，決定支撐部基部960之複數個第1接觸部961之位置及形狀、暨頂板123中之複數個第2接觸部971之位置及形狀。因此，於比較例之基板處理裝置中，若搬入較上述規格中之最大直徑小之直徑之基板9，於對該基板9之處理液之供給時、或基板9之旋轉之加減速時等，有時會有基板支撐部96上之基板9之位置變動(亦即，基板9略微移動)。於該情況下，基板9與接觸部961、971相擦而產生污染物，或者產生接觸部961、971之磨耗。此外，若基板9之位置變動較大，則恐有基板9破損之虞。再者，於比較例之基板處理裝置中，第1接觸部961之端面係調芯用之傾斜面，但即使設置此種傾斜面，也不保證一定能精度良好地對基板9進行調芯。
相對於此，於基板處理裝置1a中，設置有藉由錘支 撐機構53支撐於支撐位置之錘部51、及具有複數個爪部41及傳遞機構42之卡盤部4。若解除藉由錘支撐機構53之對錘部51之支撐，則錘部51藉由自重朝較支撐位置更下方之支撐解除位置下降，並朝下方牽拉連接於錘部51之傳遞機構42之各連結部49。傳遞機構42藉由將作用於各連結部49之力、即錘部51之重量引起之力傳遞至對應之爪部41，使複數個爪部41朝中心軸J1按壓基板9之邊緣。藉此，即使於搬入之基板9之直徑變動之情況下，利用配置於支撐解除位置之錘部51之重量，仍可實現藉由複數個爪部41自外側對基板9之保持。其結果，於對基板9之處理液之供給時、或基板9之旋轉之加減速時等，可抑制基板支撐部141上之基板9之位置變動，還可防止基板9之破損。此外，藉由複數個爪部41將基板9之中心配置在中心軸J1、亦即將基板9相對於旋轉中心進行對位，藉此可將包含基板9、基板支撐部141及頂板123之旋轉體之重心配置於中心軸J1之附近(取得平衡)，從而可穩定地旋轉旋轉體。
此外，於解除基板9之保持(將基板9開放)時，只要將錘部51沿導引部即連接構件52抬起，不會對旋轉體之其他構成作用過度之力。因此，不用將旋轉體之位置錯開，可進行基板9之保持及開放。又，於卡盤部4中，由於不使用彈簧等之金屬構件，因而可容易提高基板保持部14之耐藥品性，可實現能於各式各樣之藥液環境氣體下使用之基板保持部14。
於基板處理裝置1a中，基板旋轉機構15具備以中心軸J1為中心之環狀之轉子部152、及間隔間隙於徑向與轉子部152對向之環狀之定子部151。並且，基板支撐部141連接於轉子部 152，基板支撐部141及轉子部152係於處理腔室12內不與處理腔室12接觸而進行旋轉。如此，即使於無法針對設於基板支撐部141之卡盤部4傳遞電氣或壓縮空氣等之動力源之驅動力之情況下，仍可於具有上述構造之基板處理裝置1a中，使基板9相對於旋轉中心一方面進行對位一方面進行保持。
此外，解除了藉由錘支撐機構53之支撐時之錘部51之位置(支撐解除位置)，係較藉由錘支撐機構53支撐時之錘部51之位置(支撐位置)靠近轉子部152。藉此，可抑制錘部51與轉子部152一起旋轉時之振動之產生。再者，錘部51之支撐解除位置，可作為用以使錘部51與基板9及基板支撐部141一起進行旋轉之位置。
圖19為顯示卡盤部之另一例之圖。圖19之卡盤部4a之傳遞機構42a具備相對於各爪部41a而設之連結部49及複數個軸46、47。連結部49及連結部支撐部492之構造與圖15同樣。
圖20為顯示連結部49及複數個軸46、47之立體圖。圖20中，為便於圖示，省略了其他構成要素之圖示。如圖19所示，於支撐部基部142之內部空間143配置有朝垂直於中心軸J1之方向(圖19之橫向)延伸之軸46。軸46係藉由一對軸支撐部460而以其中心軸J2為中心可旋轉地支撐。如圖20所示，於軸46之一端部固定有朝垂直於軸46之中心軸J2之方向延伸之桿461之一端部，桿461之另一端部經由銷424連接於連結部49之上端部。於桿461形成有沿桿461之長邊方向延伸之長孔462，銷424係插入長孔462。
如圖19所示，於支撐部基部142之內部空間143配 置有上下方向延伸之另一根軸47之下部。軸47係藉由軸支撐部470而以其中心軸J3為中心可旋轉地支撐。如圖20所示，於軸46之另一端部固定有沿垂直於軸46之中心軸J2之方向延伸之桿463之一端部，桿463之另一端部係經由銷425連接於軸47之上部。於桿463形成有沿桿463之長邊方向延伸之長孔464，銷425係插入長孔464。
圖21為顯示一個爪部41a之俯視圖，顯示沿上下方向所觀察之爪部41a。如圖19及圖21所示，爪部41a具有沿上下方向觀察之形狀為橢圓形之爪部本體411。爪部本體411之上表面412係自該橢圓形之長軸之一端朝另一端而高度逐漸減少之傾斜面。於爪部本體411之上表面412，且於高度最大之位置附近，設置有朝上方突出之突出部413。突出部413係上部之直徑較下部之直徑大之倒圓錐梯形。爪部本體411係固定於有蓋圓筒狀之爪部支撐台410之上表面。
於軸47中，除下部以外之部位係配置於支撐部基部142之內部空間143之外側，且軸47之上端部係固定於爪部支撐台410之蓋部的下面。配置於內部空間143之外側之軸47之部位之周圍，係藉由爪部支撐台410之側壁部所包圍。爪部支撐台410之側壁部與支撐部基部142之連接部，係於兩者可滑動之狀態下被密封。
如圖19中二點鏈線所示，於藉由錘支撐機構53使錘部51位於支撐位置之狀態下，基板9之邊緣係於爪部本體411之上表面412上配置於自突出部413略微分離之位置。如圖19中實線所示，若藉由配置於支撐解除位置之錘部51之重量朝下方牽拉連結部49，則圖20所示之軸46以中心軸J2為中心進行轉動，軸 47以中心軸J3為中心進行轉動。藉此，爪部本體411以中心軸J3為中心自圖21中二點鏈線所示之旋轉位置朝向以實線所示之旋轉位置進行轉動，如圖19中實線所示，基板9略朝上方移動，並且突出部413之側面抵接於基板9之邊緣。換言之，基板9之外緣部咬入突出部413之側面與爪部本體411之上表面412所形成之凹部。實際上，作用於複數個連結部49之力分別對沿基板9之外緣配置之複數個爪部41a進行傳遞，藉由複數個爪部41a以大致相同之力朝中心軸J1按壓基板9之邊緣之不同部位。如此，於圖19所示之卡盤部4a中，利用配置於支撐解除位置之錘部51之重量，實現使基板9相對於旋轉中心一方面進行對位一方面進行保持。
於圖14之基板處理裝置1a中，錘支撐機構53係設於處理腔室12，但錘支撐機構也可設於處理腔室12之外部。圖22為顯示錘支撐機構之另一例之圖。圖22之錘支撐機構53a係可使支撐臂536以平行於上下方向之中心軸J4為中心進行轉動，並可使支撐臂536沿上下方向進行昇降。
於藉由錘支撐機構53a支撐錘部51時，處理腔室12及杯部161處於開放狀態。錘支撐機構53a將支撐臂536上昇，接著以中心軸J4為中心進行轉動，藉此，經由環狀開口81將支撐臂536配置於處理腔室12內。然後，錘支撐機構53a使支撐臂536下降，然後進行轉動，藉以將設於支撐臂536之前端之支撐構件537配置於錘部51之外緣部之下方。然後，錘支撐機構53a使支撐臂536略微上昇，藉此，錘部51藉由支撐構件537自下側支撐而被配置於支撐位置。藉此，解除藉由複數個爪部41對基板9之保持。於藉由複數個爪部41對基板9進行保持時，使支撐臂536略微下 降，藉以解除錘部51之支撐，將錘部51配置於支撐解除位置。錘支撐機構53a藉由依序進行支撐臂536之轉動、上昇、轉動，自處理腔室12取出支撐臂536。再者，錘支撐機構53a也可為使支撐臂536沿水平方向移動及於上下方向昇降者。
此外，如圖23所示，錘支撐機構53也可經由連結部49間接地支撐錘部51。於圖23所示之例子中，連結部49係較支撐部基部142之上表面突出於上方，並於連結部49之上端部設置有朝中心軸J1之相反側延伸之被支撐部498。並且，藉由錘支撐機構53之支撐構件533，自下側支撐被支撐部498，藉以將錘部51配置於支撐位置。此外，藉由解除錘支撐機構53之支撐構件533之對被支撐部498之支撐，將錘部51配置於支撐解除位置。當然，圖23所示之連結部49之被支撐部498，也可藉由圖22之錘支撐機構53a所支撐。
圖24為顯示第3實施形態之基板處理裝置1a之一部分之圖，顯示卡盤部4b之構成。於圖24之基板處理裝置1a中，與圖15之基板處理裝置1a比較，省略了錘部51及錘支撐機構53，並且卡盤部4b之構造係與圖15之卡盤部4不同。其他之構成係與圖15同樣，且對相同之構成，賦予相同符號。
與圖15之卡盤部4同樣地，圖24之卡盤部4b係設於基板支撐部141，卡盤部4b之一部分係設於以中心軸J1為中心之圓環狀之支撐部基部142之內部。圖24中，關於支撐部基部142及後述之抵接部收容部431內之一部分構成，顯示包含中心軸J1之面所構成之截面(於後述之圖25及圖26中也同樣)。卡盤部4b具備複數個爪部41及傳遞機構42b。複數個爪部41係於藉由複數 個支撐銷144所支撐之基板9之周圍沿圓周方向排列配置。
傳遞機構42b中，取代圖15之卡盤部4中之連結部49，相對於各爪部41而設置抵接部43。抵接部43係上下方向延伸之桿構件，一部分配置於設在支撐部基部142之上表面上之抵接部收容部431內。於抵接部收容部431內設置有圓環狀之上側支撐部432及下側支撐部433，藉由上側及下側支撐部432、433可於上下方向移動地支撐抵接部43。抵接部43之下端部係配置於形成在支撐部基部142之內部空間143。抵接部43經由桿44、45連接於爪部41。桿44、45之構造係與圖15之卡盤部4同樣。
於抵接部43安裝有以抵接部43為中心之圓板部434。圓板部434係於抵接部收容部431內配置於上側支撐部432與下側支撐部433之間。於圓板部434與下側支撐部433之間設置有圍繞抵接部43之周圍之彈簧435。藉由彈簧435朝上方對圓板部434及抵接部43賦予勢能，如圖24般，圓板部434與上側支撐部432之下面抵接。於圓板部434與上側支撐部432抵接之狀態下，桿44之桿45側之端部係較抵接部43側之端部位於下側，桿45沿上下方向大致直立。藉此，爪部41配置於自基板9之邊緣朝外側(與中心軸J1相反側)分離之位置。於抵接部43之一部分(也可為全部)設置有由橡膠等形成之彈性構件436，抵接部43係於長邊方向可略微伸縮。傳遞機構42b所包含之上述構成係相對於複數個爪部41之各個而設置。
如圖25所示，於頂板123配置於用以與基板9及基板支撐部141一起旋轉之連結位置時，於頂板123之各卡合部241之下部之凹部242嵌入自抵接部收容部431朝上方突出之抵接部43 之上端部。藉此，頂板123與基板支撐部141之支撐部基部142連結。如此，抵接部43係兼有圖17之卡合銷140之功能。實際上，於各抵接部43之上端面、及與該上端面對向之卡合部241之凹部242內之面設置有磁鐵437、243，藉由作用於這些磁鐵437、243之間的磁力(引力)，牢固地將卡合部241與抵接部43結合。
於基板處理裝置1a中，迄卡合部241之下面與抵接部收容部431之上表面抵接為止，藉由頂板123之自重將抵接部43朝下方壓入。桿44之桿45側之端部朝較抵接部43側之端部更上側移動，於是桿45傾斜而使桿45之上端部靠近基板9。藉此，爪部41抵接於支撐銷144上之基板9之邊緣(側面)，且藉由爪部41朝中心軸J1按壓該邊緣。實際上，作用於複數個抵接部43之力分別傳遞至複數個爪部41，藉由排列配置於圓周方向之複數個爪部41以大致相同之力朝中心軸J1按壓基板9之邊緣之不同部位。其結果，一方面將基板9之中心配置於中心軸J1上，一方面藉由卡盤部4b牢固地保持基板9。此外，即使於由基板支撐部141所支撐之基板9之大小(直徑)變動之情況下，藉由使抵接部43之彈性構件436之伸縮量變化，卡合部241之下面仍與抵接部收容部431之上表面抵接。因此，頂板123之下面與基板9之上表面91之間的上下方向之距離保持一定。
此外，若錘部即頂板123配置於自基板支撐部141分離之分離位置(參照圖14)，則卡合部241自抵接部43朝上下方向分離，抵接部43藉由彈簧435所賦予之勢能而朝圖24所示之位置上昇。藉此，桿45沿上下方向大致直立，且爪部41自基板9之邊緣朝外側(與中心軸J1相反側)分離。亦即，解除藉由卡盤部4b 對基板9之保持。再者，由於位於分離位置之頂板123係藉由錘支撐機構即腔室開閉機構131及腔室蓋部122所支撐，因此可將該分離位置作為錘部之支撐位置。此外，由於位於連結位置之頂板123係將藉由腔室開閉機構131及腔室蓋部122之支撐(參照圖17及圖18)解除，因此可將該連結位置作為錘部之支撐解除位置。
如上述，於基板處理裝置1a中，當頂板123位於連結位置時，藉由頂板123之自重沿上下方向將傳遞機構42b之各底接部43壓入。傳遞機構42b藉由將作用於各抵接部43之力傳遞至對應之爪部41，使複數個爪部41朝中心軸J1按壓基板9之邊緣。藉此，利用配置於連結位置之頂板123之自重，實現藉由複數個爪部41自外側對基板9之保持。此外，藉由複數個爪部41將基板9之中心配置在中心軸J1、亦即將基板9相對於旋轉中心進行對位，藉此可將包含基板9、基板支撐部141及頂板123之旋轉體之重心配置於中心軸J1之附近(取得平衡)，從而可穩定地旋轉旋轉體。
此外，於傳遞機構42b包含彈性構件436，且基板支撐部141所支撐之基板9之大小有變動之情況下，彈性構件436彈性變形。藉此，可將連結位置上之頂板123與基板9之間的距離保持一定。其結果，即使於基板9之大小變動之情況下，也可以一定之條件對基板9實施處理。再者，彈性構件436也可設於傳遞機構42b之抵接部43以外。於根據基板9之大小，允許連結位置上之頂板123與基板9之間的距離略微變動之情況下，也可於傳遞機構中省略上述彈性構件。
於將頂板123作為錘部利用之圖24之基板處理裝置1a中，由於不需要如圖14之基板處理裝置1a般另外設置錘部51 及錘支撐機構53，因此可簡化基板處理裝置1a之構造。另一方面，於具有錘部51及錘支撐機構53之圖14之基板處理裝置1a中，可省略頂板123，並於基板9之上方配置清洗掃描噴嘴或上表面91之毛刷等。
圖26為顯示卡盤部之另一例之圖。於圖26之卡盤部4c之傳遞機構42c中，取代圖19之卡盤部4a之連結部49，設置與圖24及圖25同樣之抵接部43。
於頂板123位於分離位置，且如圖26中二點鏈線所示，藉由彈簧435所賦予之勢能而使圓板部434與上側支撐部432之下面抵接之狀態下，基板9之邊緣係於爪部本體411之上表面412上配置於自突出部413略微分離之位置。如圖26中實線所示，若藉由位於連結位置之頂板123之自重朝下方壓入抵接部43，則軸46以中心軸J2為中心進行轉動，軸47及爪部本體411以中心軸J3為中心進行轉動。藉此，如圖26中實線所示，基板9略朝上方移動，並且突出部413之側面抵接於基板9之邊緣。實際上，作用於複數個抵接部43之力分別對沿基板9之外緣配置之複數個爪部41a進行傳遞，藉由複數個爪部41a以大致相同之力朝中心軸J1按壓基板9之邊緣之不同部位。如此，於圖26所示之卡盤部4c中，利用配置於連結位置之頂板123之重量，實現使基板9相對於旋轉中心一方面進行對位一方面進行保持。
圖27為進而顯示卡盤部之又一例之圖。圖27之卡盤部4d係設於錘部即頂板123。圖27中，關於頂板123及抵接部收容部431內之構成之一部分，顯示包含中心軸J1之面而構成之截面。卡盤部4d具備複數個爪部41及傳遞機構42d。於沿中心軸J1 觀察之情況下，複數個爪部41係配置於基板9之周圍。傳遞機構42d具有近似於將圖24之傳遞機構42b上下反轉者之構造。
具體而言，傳遞機構42d具備相對於各爪部41而設置之抵接部43及複數個桿44、45。抵接部43係藉由上側支撐部432及下側支撐部433可於上下方向移動地支撐。於頂板123之下面設置有大致筒狀之抵接部收容部431，下側支撐部433係設於抵接部收容部431內。抵接部43之上端部係配置於形成在頂板123之內部空間124。於該內部空間124配置有桿44，桿44之一端部經由銷421連接於抵接部43之上端部。於桿44形成有沿桿44之長邊方向延伸之長孔441，銷421係插入長孔441。桿44係藉由桿支撐部440，以垂直於圖27之紙面之旋轉軸為中心而可旋轉地支撐。
桿44之另一端部經由銷422連接於另一個桿45之上端部。於桿45形成有沿桿45之長邊方向延伸之長孔451，銷422係插入長孔451。桿45係藉由桿支撐部450，以垂直於圖27之紙面之旋轉軸為中心而可旋轉地支撐。於桿45上，較桿支撐部450靠下側之部分係配置於頂板123之內部空間124之外側。桿支撐部450之下側附近的桿45之部位之周圍，係藉由隔膜密閉427所覆蓋。於桿45之下端部安裝有爪部41。
安裝於抵接部43上之圓板部434，係配置於上側支撐部432與下側支撐部433之間。於圓板部434與上側支撐部432之間設置有圍繞抵接部43之周圍之彈簧435。藉由此彈簧435，朝下方對圓板部434及抵接部43賦予勢能。頂板123位於分離位置，於如圖27中二點鏈線所示圓板部434與下側支撐部433之上表面抵接之狀態下，桿45之相對於上下方向之傾斜角變小，爪部41自 基板9之邊緣朝外側分離。
於支撐部基部142之上表面設置有朝上方突出之卡合部241a，當頂板123位於連結位置時，自抵接部收容部431朝下方突出之抵接部43之下端部嵌合於卡合部241a之上部之凹部242a。藉此，頂板123與基板支撐部141連結。此外，如圖27中實線所示，迄卡合部241a之上表面與抵接部收容部431之下面抵接為止，藉由基板支撐部141將抵接部43朝上方壓入。藉此，桿45傾斜而使桿45之下端部靠近基板9，爪部41抵接於基板9之邊緣。實際上，作用於複數個抵接部43之力分別傳遞至沿基板9之外緣配置之複數個爪部41，藉由複數個爪部41朝中心軸J1按壓基板9之邊緣之不同部位。如此，於圖27所示之卡盤部4d中，利用配置於連結位置之頂板123之重量，實現使基板9相對於旋轉中心一方面進行對位一方面進行保持。再者，根據防止自基板9之上表面91飛散之處理液因連接於爪部之傳遞機構之構成要素而彈回並附著於上表面91之觀點，卡盤部較佳為設置於基板支撐部141。
上述基板處理裝置1a中，可進行各種之變形。
作為將作用於連結部49或抵接部43之力傳遞至複數個爪部之傳遞機構，也可採用上述以外之各式各樣之構造。例如，也可於圖19所示之傳遞機構42a中，於軸46之軸47側之端部形成陽螺紋，且與設於軸47之陰螺紋螺合(於圖26中也同樣)。該情況下，藉由連結部49於上下方向移動，軸46以中心軸J2為中心進行旋轉，軸47於沿基板9之上表面91之方向(圖19之左右方向)直線移動。此外，傳遞機構除僅將作用於對各爪部而設之連結部49或抵接部43之力傳遞至該爪部之構造以外，也可為將作用於一個 或複數個連結部49或者一個或複數個抵接部43之力連動地傳遞至複數個爪部之構造。
於圖25至圖27之例中，藉由密閉空間開閉機構即腔室開閉機構131兼作支撐錘部即頂板123之錘支撐機構(之一部分)，將基板處理裝置1a之構造簡化，但也可將支撐頂板123之錘支撐機構與腔室開閉機構131分開設置。
此外，也可藉由腔室開閉機構131使腔室蓋部122對於腔室本體121相對地昇降，也可使腔室本體121相對於位置固定之腔室蓋部122進行昇降。於該情況下，也藉由使腔室本體121上昇而使腔室本體121之上端部靠近或抵接於腔室蓋部122，使頂板123與腔室蓋部122成為非接觸狀態，進而配置於支撐解除位置(連結位置)(參照圖17或圖18)。此外，藉由使腔室本體121下降而自腔室蓋部122分離，使頂板123自位於腔室本體121之上方之腔室蓋部122之一部分懸吊而配置於支撐位置(分離位置)(參照圖14)。
進而，根據基板處理裝置1a之設計，也可將圖15之卡盤部4及圖19之卡盤部4a中之錘部51設於支撐部基部142之上方或側面。如上述，於基板處理裝置1a中，可於任意之位置設置可配置於第1相對位置與第2相對位置之錘部，該第1相對位置係於上下方向相對於基板支撐部141而不同之位置，該第2相對位置係較該第1相對位置靠上方之位置。此外，藉由錘支撐機構支撐錘部而將錘部配置於第2相對位置，藉由解除錘部之支撐，將錘部配置於用以與基板9及基板支撐部141一起旋轉之第1相對位置。並且，位於第1相對位置之錘部之重量引起之力，藉由傳遞機構傳遞至複數個爪部，藉此，實現使基板9相對於旋轉中心一方面進行 對位一方面進行保持。
於基板處理裝置1a中，也可設置僅與基板9之上表面91之外緣部對向之圓環板狀之構件作為上表面對向部。於該情況也是於將處理液供給於旋轉之基板9之處理中，藉由配置於連結位置之上述圓環板狀之構件來防止自基板9之外緣部飛散之處理液於處理腔室12之內壁被彈回而再次附著於基板9之上表面91。如此，根據防止處理液之再附著之觀點，於基板處理裝置1a中，較佳為設置有與基板9之上表面91之至少外緣部對向之上表面對向部。
基板旋轉機構15之定子部151及轉子部152之形狀及構造，也可進行各式各樣之變更。例如，也可於轉子部152之內側(中心軸J側)設置定子部151。轉子部152不一定要以懸浮狀態進行旋轉，也可於處理腔室12內設置機械式地支撐轉子部152之導引等之構造，也可使轉子部152沿該導引旋轉。於具有中空馬達之基板處理裝置1a中，藉由基板支撐部141及錘部51係以中心軸J1為中心之環狀，可容易地將下部噴嘴182及複數個加熱氣體供給噴嘴180配置於與基板9之下面92對向之位置。此外，基板旋轉機構15不一定要為中空馬達，例如，也可利用使固定於圓板狀之基板支撐部141下面之軸旋轉之基板旋轉機構。
於基板處理裝置1a中，基板支撐部141、基板旋轉機構15之轉子部152、錘部51(或錘部即頂板123)及卡盤部4、4a~4d係設於密閉空間形成部即處理腔室12內，於密閉之內部空間對基板9進行處理，但根據基板處理裝置之設計，也可於開放之空間內對基板9進行處理。
於基板處理裝置1a中處理之基板，不限於半導體基板，也可為玻璃基板或其他之基板。
上述實施形態及各變形例之構成，只要不相互矛盾，即可適宜地組合。
以上詳細地對發明進行了說明，但已敘述之說明僅為例示而已，非用來限制本發明。因此，只要未超出本發明之實質範圍，即可進行多種之變形及變更。
4‧‧‧卡盤部
9‧‧‧基板
41‧‧‧爪部
42‧‧‧傳遞機構
43‧‧‧抵接部
44‧‧‧桿
45‧‧‧桿
91‧‧‧上面
123‧‧‧頂板
141‧‧‧基板支撐部
142‧‧‧支撐部基部
144‧‧‧支撐銷
241‧‧‧卡合部
242‧‧‧凹部
243‧‧‧磁鐵
431‧‧‧抵接部收容部
432‧‧‧上側支撐部
434‧‧‧圓板部
436‧‧‧彈性構件
437‧‧‧磁鐵

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，其為對基板進行處理者，其具備有：基板支撐部，其在將基板之一側之主表面即上表面朝向上側之狀態下自下側支撐上述基板；旋轉機構，其使上述基板支撐部以垂直於上述基板之中心軸為中心進行旋轉；上表面對向部，其對向於上述上表面之至少外緣部；對向部支撐機構，其以選擇之方式將上述上表面對向部配置在相對於上述基板支撐部而於上方產生分離之分離位置、及與上述基板支撐部產生連結之連結位置；及卡盤部，其設置在上述基板支撐部或者上述上表面對向部之一側，上述卡盤部係具備有：至少3個爪部，其等在沿著上述中心軸而進行觀察之情況下，配置在上述基板之周圍；及傳遞機構，其包含有於上述上表面對向部位在上述連結位置之時藉由上述基板支撐部或者上述上表面對向部之另一側而被壓入之抵接部，且藉由將作用於上述抵接部之力加以傳遞至上述至少3個爪部，使上述至少3個爪部以朝向上述中心軸之方式按壓上述基板之邊緣。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述傳遞機構係包含有彈性構件，且在被上述基板支撐部所支撐之基板的大小產生變動之情況下，藉由上述彈性構件產生彈性變形，將在上述連結位置上之上述上表面 對向部與上述基板之間的距離加以保持為一定。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述旋轉機構係具備有：轉子部，其為以上述中心軸為中心之環狀，且包含有永久磁鐵；及定子部，其為與上述轉子部而對向於以上述中心軸為中心之徑向的環狀，且在與上述轉子部之間產生以上述中心軸為中心之旋轉力，上述轉子部係與上述基板支撐部產生連接。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有供對上述基板進行處理之形成有被密閉之內部空間的密閉空間形成部，上述基板支撐部、上述旋轉機構之上述轉子部、上述上表面對向部及上述卡盤部係配置在上述密閉空間形成部內。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，上述密閉空間形成部係具備有：具有上部開口之腔室本體、及將上述腔室本體之上述上部開口加以封閉之腔室蓋部，上述腔室蓋部係亦為上述對向部支撐機構之一部分，上述腔室蓋部係相對於上述腔室本體以相對之方式進行昇降，於上述上表面對向部位在上述分離位置之時，上述上表面對向部係自位在上述腔室本體之上方的上述腔室蓋部之一部分而懸垂，於上述上表面對向部位在上述連結位置之時，上述上表面對向部係與抵接或者靠近於上述腔室本體之上述腔室蓋部呈非接觸狀態。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有對上述上表面對向部與上述基板之上述上表面之間供給既定之藥液之噴嘴，該上表面對向部係於位在上述連結位置時，以覆蓋上述基板之方式沿著上述上表面擴展。
  7. 一種基板處理裝置，其為對基板進行處理者，其具備有：基板支撐部，其在將一側之主表面即上表面朝向上側之狀態下自下側支撐基板；旋轉機構，其使上述基板支撐部以垂直於上述基板之中心軸為中心進行旋轉；錘部，其可配置在第1相對位置與第2相對位置，該第1相對位置係為於上下方向相對於上述基板支撐部而所不同之位置，該第2相對位置係較上述第1相對位置為更靠上方；錘支撐機構，其藉由支撐上述錘部而將上述錘部配置在上述第2相對位置，藉由解除上述錘部之支撐，使上述錘部位在用於與上述基板及上述基板支撐部一起旋轉之上述第1相對位置；及卡盤部，其設置在上述基板支撐部或者上述錘部，上述卡盤部係具備有：至少3個爪部，其等在沿著上述中心軸而進行觀察之情況下，配置在上述基板之周圍；及傳遞機構，其將藉由位在上述第1相對位置之上述錘部的重量所引起之力加以傳遞至上述至少3個爪部，使上述至少3個爪部以朝向上述中心軸之方式按壓上述基板之邊緣。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中，上述旋轉機構係具備有： 轉子部，其為以上述中心軸為中心之環狀，且包含有永久磁鐵；及定子部，其為與上述轉子部而對向於以上述中心軸為中心之徑向的環狀，且在與上述轉子部之間產生以上述中心軸為中心之旋轉力，上述轉子部係與上述基板支撐部產生連接。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述錘部係配置在上述基板支撐部與配置在上述基板支撐部之下方的上述轉子部之間，且沿著連接上述基板支撐部與上述轉子部的防護部而能夠於上述上下方向產生移動，上述卡盤部係設置在上述基板支撐部。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，上述基板支撐部及上述錘部係為以上述中心軸為中心之環狀。
  11. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，於藉由上述錘支撐機構所進行之支撐被解除之時之上述錘部的位置，係較藉由上述錘支撐機構所進行之支撐之時之上述錘部的位置為更靠近上述轉子部。
  12. 如申請專利範圍第8至11項中任一項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有供對上述基板進行處理之形成有被密閉之內部空間的密閉空間形成部，上述基板支撐部、上述旋轉機構之上述轉子部、上述錘部及上述卡盤部係配置在上述密閉空間形成部內。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述錘支撐機構係設置在上述密閉空間形成部。
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