TW201532110A - 等離子體處理裝置及等離子體處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明公開了一種等離子體處理裝置，包括等離子體處理腔室，其包括下電極以及與所述下電極分隔並與之相對設置的上電極；第一射頻功率供應單元，與所述下電極電連接；第二射頻功率供應單元，與所述上電極及所述下電極電連接，所述第二射頻功率供應單元以脈衝的方式輸出射頻功率，其施加於所述上電極的射頻功率與施加於所述下電極的射頻功率為反相的脈衝信號；所述第射頻功率供應單元和所述第二射頻功率供應單元其中一個為等離子體射頻功率源，另一個為偏置射頻功率源。本發明能夠有效提高等離子體工藝的效率。

Description

等離子體處理裝置及等離子體處理方法

本發明涉及半導體加工設備，特別涉及一種等離子體處理裝置及等離子體處理方法。

近年來，隨著半導體製造工藝的發展，對元件的集成度和性能要求越來越高，等離子工藝被廣泛應用於半導體器件的製造中。

通常，等離子體處理裝置的處理腔室內配置上電極和下電極，在下電極之上載置待處理基板。進行如等離子體刻蝕的等離子體工藝時，通過在上電極或下電極施加等離子體射頻功率源進行高頻放電，使工藝氣體生成等離子體，同時在下電極施加偏置射頻功率源以提供負的偏置電壓，使等離子體中的正離子向下電極加速。加速的正離子轟擊基板表面以所期望的圖形進行刻蝕。然而，正離子在轟擊和刻蝕的過程中也滯留在刻蝕圖形(如孔或溝槽)的底部。在這種狀態下，如果進一步持續用正離子進行刻蝕，被引入到基板的正離子與滯留在刻蝕圖形底部的正離子排斥而發生移動路線的扭曲，最終導致刻蝕圖形的扭曲變形。

為了改善上述問題，近年來提出了通過脈衝射頻輸出功率控制等離子體工藝的方法。具體來說，用於生成等離子體的等離子體射頻功率源和偏置用的偏置射頻功率源以同步脈衝的方式(即相位、脈衝週期及占空比均相同)輸出射頻信號。當射頻信號為高電平時，等離子體射頻功 率源產生等離子體，偏置射頻功率源使得等離子體中的正離子向下電極加速，進行正離子刻蝕；當射頻信號為低電平時，等離子體中失去能量的失活電子附著于中性的分子和原子或原子團等而生成負離子，該負離子與滯留在刻蝕圖形底部的正離子電中和。

然而，由於失活電子向分子或原子或原子團的附著是通過電子撞擊分子或原子團進行的，所以負離子的生成速度慢，此外負離子是通過熱擴散和靜電力擴散才能被引入到待處理基板，引入基板的時間較長，因此仍無法在低電平期間進行有效的正離子的電中和。若增加低電平時間，則意味著等離子體射頻功率源關閉期間的增加，也可能會發生等離子體熄滅的情況。

因此，需要提供一種能克服上述缺陷的等離子體處理裝置。

本發明的主要目的在於克服現有技術的缺陷，提供一種能夠提高正離子刻蝕效率，特別是提高高深寬比結構的刻蝕效率的等離子體處理裝置和等離子體處理方法。

為達成上述目的，本發明提供一種等離子體處理裝置，包括等離子體處理腔室，其包括下電極以及與所述下電極分隔並與之相對設置的上電極；第一射頻功率供應單元，與所述下電極電連接；第二射頻功率供應單元，與所述上電極及所述下電極電連接，所述第二射頻功率供應單元以脈衝的方式輸出射頻功率，其施加於所述上電極的射頻功率與施加於所述下電極的射頻功率為反相的脈衝信號；所述第一射頻功率供應單元和所述第二射頻功率供應單元其中一個為等離子體射頻功率源，另一個為偏 置射頻功率源。

優選的，所述第二射頻功率供應單元包括第二射頻功率源及第三射頻功率源，所述第二射頻功率源與所述下電極相連以提供第二射頻功率，所述第三射頻功率源與所述上電極相連以提供第三射頻功率。

優選的，還包括脈衝信號控制單元，其與所述第二射頻功率源和所述第三射頻功率源相連，並分別提供脈衝信號以控制所述第二射頻功率與所述第三射頻功率為反相的脈衝信號。

優選的，所述第二射頻功率源包括第二射頻功率產生器和與所述第二射頻功率產生器相連的第二射頻信號發生器，所述第三射頻功率源包括與所述第二射頻信號發生器相連的第三射頻功率產生器，所述第二射頻信號發生器提供脈衝信號以使所述第二射頻功率與所述第三射頻功率為反相的脈衝信號。

優選的，所述第一射頻功率供應單元包括第一射頻功率源，其以脈衝的方式輸出第一射頻功率。

優選的，所述第一射頻功率和所述第二射頻功率為同步脈衝信號。

優選的，所述第二射頻功率與所述第三射頻功率為具有相位差的反相脈衝信號，所述第三射頻功率延時於所述第二射頻功率，延時時間為小於等於10us。

優選的，所述射頻功率的脈衝頻率為10-100000赫茲，信號占空比範圍為10%~90%。

優選的，所述第一射頻功率供應單元為偏置射頻功率源，所 述第二射頻功率供應單元為等離子體射頻功率源。

根據本發明的另一方面，本發明還提供了一種等離子體處理方法，包括：提供待處理基板於一等離子體處理裝置內，所述等離子體處理裝置包括處理腔室，所述處理腔室內設有下電極以及與所述下電極分隔並與之相對的上電極；在所述處理腔室內通入反應氣體，所述反應氣體由第一射頻功率供應單元或第二射頻功率供應單元電離為等離子體，其中所述第一射頻功率供應單元和所述下電極電連接，所述第二射頻功率供應單元和所述下電極及所述上電極電連接；通過所述等離子體對所述待處理基板進行處理，其中，所述第二射頻功率供應單元以脈衝的方式輸出射頻功率，且其施加於所述上電極的第二射頻功率與施加於所述下電極的第三射頻功率為反相的脈衝信號；所述第一射頻功率供應單元和所述第二射頻功率供應單元其中一個為等離子體射頻功率源，另一個為偏置射頻功率源。

優選地，所述第一射頻功率供應單元以脈衝的方式輸出第一射頻功率。

優選地，所述第一射頻功率和所述第二射頻功率為同步脈衝信號。

優選地，所述第二射頻功率與所述第三射頻功率為具有相位差的反相脈衝信號，所述第三射頻功率延時於所述第二射頻功率，延時時間為小於等於10us。

優選地，所述第一射頻功率供應單元為偏置射頻功率源，所述第二射頻功率供應單元為等離子體射頻功率源。

本發明的有益效果在於通過在上電極和下電極施加反相的 射頻脈衝信號，使得負離子和二次電子能夠充分與刻蝕圖形底部積累的正離子中和，由此改善刻蝕圖形的形貌，提高等離子體工藝的效率。

10‧‧‧下電極

11‧‧‧上電極

12‧‧‧脈衝信號控制單元

W‧‧‧基板

RF1‧‧‧第一射頻功率源

RF2‧‧‧第二射頻功率源

RF3‧‧‧第三射頻功率源

第1圖，為本發明一實施例等離子體處理裝置的示意圖。

第2a和2b圖，為第1圖所示之等離子體處理裝置在等離子體刻蝕工藝中等離子體分佈示意圖。

第3圖，為本發明另一實施例等離子體處理裝置的示意圖。

第4圖，為第3圖所示的等離子體處理裝置進行等離子體刻蝕工藝時射頻功率的時序圖。

第5圖，為本發明的另一實施例等離子體處理裝置進行等離子體刻蝕工藝時射頻功率的時序圖。

為使本發明的內容更加清楚易懂，以下結合說明書附圖，對本發明的內容作進一步說明。當然本發明並不局限於該具體實施例，本領域內的技術人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發明的保護範圍內。

在本發明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“相連”、“電連接”應做廣義理解，例如，可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連。對於本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。

第1圖顯示了本發明一種實施例提供的等離子處理裝置。應該理解，等離子體處理裝置僅僅是示例性的，其可以包括更少或更多的組 成元件，或該組成元件的安排可能與第1圖所示不同。本實施例以及後續實施例中等離子體處理裝置可以是電感耦合等離子體處理裝置(ICP)也可以是電容耦合等離子體處理裝置(CCP)。

等離子體處理裝置包括處理腔室，其中引入有刻蝕氣體；處理腔室下部設置有用於夾持基板W的夾盤(例如靜電夾盤或機械夾盤)，該基板W可以是待要處理的半導體基板或者待要加工成平板顯示器的玻璃平板。夾盤中設置有下電極10。處理腔室頂部與下電極10相對的位置處，如反應氣體噴淋頭，設置有上電極11。此外，處理腔室內的其他結構可與現有技術的等離子體處理裝置基本相同。

等離子體處理裝置還包括第一射頻功率供應單元和第二射頻功率供應單元。第一射頻功率供應單元通過射頻匹配器與下電極10電連接，第二射頻功率供應單元通過射頻匹配器和上電極11及下電極10電連接。第一射頻功率供應單元和第二射頻功率供應單元的其中一個為等離子體射頻功率源(source RF)，另一個為偏置射頻功率源(bias RF)。

如第1圖所示，在本實施例中第二射頻功率供應單元包括第二射頻功率源RF2和第三射頻功率源RF3，第二射頻功率源RF2通過射頻匹配器與下電極10電連接，第三射頻功率源RF3通過射頻匹配器與上電極11電連接。在本實施例中，第三射頻功率源RF3為獨立的射頻功率源。當然，在其他實施例中，第三射頻功率源RF3也可以不是獨立的射頻功率源，此時第二射頻功率供應單元可包括第二射頻功率源RF2及功率分配器，功率源RF2通過功率分配器分配施加到上電極11的射頻功率源RF3。

在本發明中，第二射頻功率供應單元是以脈衝的方式輸出射 頻功率，並且其輸出至上電極11的第二射頻功率P2與輸出至下電極10的第三射頻功率P3為反相的脈衝信號。這裡，“反相的脈衝信號”的含義為兩個射頻功率的脈衝信號週期相同，占空比之和為100%。

如第1圖所示，在本實施例中，等離子體處理裝置是通過脈衝信號控制單元12產生的脈衝的高低電平來控制第二射頻功率供應單元射頻功率的輸出。具體來說，脈衝信號控制單元12與第二射頻功率源RF2和第三射頻功率源RF3電連接，分別提供脈衝信號來對第二射頻功率源RF2和第三射頻功率源RF3的開啟時間和關閉時間進行控制，當脈衝為高電平時相應的射頻功率源輸出射頻功率，低電平時停止輸出射頻功率，從而使得第二射頻功率P2與第三射頻功率P3為反相的脈衝信號。在本發明的其他實施例中，也可不設脈衝信號控制單元12，而是通過一個射頻功率源對其他功率源的輸出功率進行控制。例如第二射頻功率源RF2可包括第二射頻功率產生器和與第二射頻功率產生器相連的第二射頻信號發生器，第三射頻功率源RF3包括與第二射頻信號發生器相連的第三射頻功率產生器，第二射頻信號發生器對第二射頻功率產生器提供脈衝信號，並對第三射頻功率產生器提供反相的脈衝信號(如通過反相器)，使得第二射頻功率產生器和第三射頻功率產生器產生的第二射頻功率P2與第三射頻功率P3為反相的脈衝信號。

第一射頻功率供應單元包括第一射頻功率源RF1，其可以是以脈衝的方式輸出射頻功率，也可以是以連續方式輸出射頻功率。當第一射頻功率源RF1以脈衝的方式輸出第一射頻功率P1時，也可以通過脈衝信號控制單元12或第二射頻信號發生器來控制其射頻信功率產生器的輸出。

如前所述，本發明的第一射頻功率供應單元和第二射頻功率供應單元的其中一個為等離子體射頻功率源(source RF)，另一個為偏置射頻功率源(bias RF)，以下將結合具體實施例對本發明的等離子體處理裝置在第一射頻功率供應單元為等離子體射頻功率源(source RF)時以及第一射頻功率供應單元為偏置射頻功率源(bias RF)的情況進行詳細說明。

請參考第2a圖和第2b圖，第一實施例中第一射頻功率供應單元為等離子體射頻功率源(source RF)、第二射頻功率供應單元為偏置射頻功率源(bias RF)。

如圖所示，第一射頻功率源RF1與下電極10電連接，用以在上下電極之間形成射頻電場，被該射頻電場加速的電子與腔室內的反應氣體的分子發生電離衝撞，對反應氣體電離以生成等離子體。

第二射頻功率源RF2與下電極10電連接，第三射頻功率源RF3與上電極11電連接。脈衝控制單元12與第二射頻功率源RF2和第三射頻功率源RF3電連接，控制功率源所產生的第二射頻功率P2和第三射頻功率P3為同步反相脈衝信號。這裡所說的“同步反相脈衝信號”的含義為，兩個脈衝信號的相位、頻率均相同，占空比之和為100%，簡單來說，即射頻功率P2為高電平時，射頻功率P3為低電平，反之亦然。其中，第二、第三射頻功率的脈衝頻率可為10-100000赫茲，信號占空比範圍為10%~90%。

如第2a圖所示，當第二射頻功率P2為高電平時，第三射頻功率P3為低電平，此時第二射頻功率P2在待處理基板附近施加負的偏置電壓，負的偏置電壓在基板附近產生等離子體鞘層(plasma sheath)，造成體 等離子體位置更接近上電極11。此外，負的偏置電壓使正離子向下電極加速進入到待處理基板，從而進行正離子刻蝕。在正離子刻蝕過程中，部分正離子滯留在刻蝕圖形的底部。

請參考第2b圖，當第二射頻功率P2為低電平，第三射頻功率P3為高電平時，第三射頻功率P3在上電極11附近施加負的偏置電壓，負的偏置電壓在上電極附近產生等離子體鞘層，迫使等離子體位置更接近下電極。負的偏置電壓施加在上電極11上，使正離子在等離子體鞘層中被加速而衝撞上電極11，正離子衝撞能量增加，產生的二次電子也增多。然後，二次電子在等離子體鞘層中向下電極加速，進入刻蝕圖形的底部。此外由於等離子體位置更接近下電極，等離子體的失活電子附著于中性的分子和原子或原子團等所生成的負離子進入刻蝕圖形的底部的速度也有所增加。如此，二次電子和負離子與底部的正離子中和。

由以上可知，通過將第二射頻功率P2和第三射頻功率P3為同步反相脈衝信號，當第二射頻功率P2為高電平時，進行正離子刻蝕，當第三射頻功率P3為高電平時，進行刻蝕圖形底部的電中和，可改善刻蝕圖形的扭曲變形。

第二實施例中第一射頻功率供應單元為等離子體射頻功率源(source RF)、第二射頻功率供應單元為偏置射頻功率源(bias RF)。

如第3圖所示，第一射頻功率源RF1與下電極10電連接，用以在上下電極之間形成射頻電場，被該射頻電場加速的電子與腔室內的反應氣體的分子發生電離衝撞，對反應氣體電離以生成等離子體。

第二射頻功率源RF2與下電極10電連接，第三射頻功率源 RF3與上電極11電連接。脈衝控制單元12與第一射頻功率源RF1、第二射頻功率源RF2和第三射頻功率源RF3電連接。如第4圖所示，脈衝控制單元控制第二、第三功率源所產生的第二射頻功率P2和第三射頻功率P3為同步反相脈衝信號；同時控制第一射頻功率源RF1也是以脈衝的方式輸出射頻功率P1，並且射頻功率P1與第二射頻功率P2為同步脈衝信號。這裡所說的“同步脈衝信號”指的是相位，脈衝週期和脈衝占空比完全一致的脈衝信號。其中，第二、第三和第一射頻功率的脈衝頻率可為10-100000赫茲，信號占空比範圍為10%~90%。將射頻功率P1與第二射頻功率P2控制為同步脈衝信號，則第三射頻功率P3和第一射頻功率P1也為反相脈衝。具體來說，若第三射頻功率P3和第一射頻功率P1在較長時間內同時為高電平，那麼第一射頻功率P1可能會在下電極上產生自偏置電壓，該自偏置電壓形成靠近基板W的等離子體鞘層。被靠近上電極的等離子體鞘層加速向下電極的二次電子在該靠近基板W的等離子體鞘層內，在相反方向的電場中被減速，會失去一部分電子能量。因此，通過將第一射頻功率P1設為與第二射頻功率P2完全一致的脈衝信號，使第三射頻功率P3和第一射頻功率P1也為反相脈衝，由此能夠避免施加第三射頻功率P3的同時，第一射頻功率P1產生自偏置電壓，從而確保二次電子以高能被打入基板表面。

第三實施例中第一射頻功率供應單元為偏置射頻功率源(bias RF)、第二射頻功率供應單元為等離子體射頻功率源(source RF)。

等離子體處理裝置的構成與第1圖類似，第一射頻功率源RF1與下電極10電連接，用以提供偏置電壓。第二射頻功率源RF2與下電極10電連接，用於在上下電極之間形成射頻電場，從而對反應氣體電離以 生成等離子體。第三射頻功率源RF3與上電極電連接，同樣是用於等離子體的產生。

脈衝控制單元12與第二射頻功率源RF2和第三射頻功率源RF3電連接，控制其所產生的第二射頻功率P2和第三射頻功率P3為同步反相的脈衝信號，因此能夠在刻蝕工藝過程中創建和維持由反應氣體所形成的等離子體，避免等離子體的熄滅。

在一較佳實施例中，第一射頻功率源RF1也是以脈衝的方式輸出射頻功率P1。脈衝控制單元12與第一射頻功率源RF1電連接(可參見第3圖)，控制第一射頻功率P1與第二射頻功率P2為同步脈衝信號，即相位、脈衝週期和脈衝占空比完全一致的脈衝信號。第一射頻功率P1為偏置射頻功率源產生的功率，當其高電平時，在待處理基板附近施加負的偏置電壓，負的偏置電壓在基板附近產生等離子體鞘層，造成體等離子體位置更接近上電極。此外，負的偏置電壓使正離子向下電極加速進入到待處理基板，從而進行正離子刻蝕。當第一射頻功率P1為低電平時，等離子體中失去能量的失活電子附著于中性的分子和原子或原子團等而生成負離子，該負離子與滯留在刻蝕圖形底部的正離子電中和。而通過將第一射頻功率P1與第二射頻功率P2控制為同步脈衝信號，也即是意味著第一射頻功率P1與第三射頻功率P3為反相脈衝，則第一射頻功率P1為低電平時，施加於上電極的第三射頻功率P3為高電平，通過對第三射頻功率P3的功率調節，可使第三射頻功率P3在上電極上產生自偏置電壓，而形成靠近上電極的等離子體鞘層，進而使等離子體中的正離子在等離子體鞘層中被向上加速撞擊產生二次電子，該二次電子向下電極加速與基板刻蝕圖案底部 的正離子電中和，由此提高了正離子電中和的效率。

在本實施例中，第二射頻功率P2和第三射頻功率P3的占空比互補，脈衝頻率相等且同步變化，即第二射頻功率源RF2、第三射頻功率源RF3交替打開、關閉。在其他實施例中，第二射頻功率P2和第三射頻功率P3脈衝信號的占空比可以互補，脈衝頻率可以相等，但不同步變化，即第二射頻功率P2與第三射頻功率P3為具有相位差的反相脈衝信號。

如第5圖所示，各射頻功率源均是以脈衝的方式輸出射頻功率，其中第一射頻功率P1與第二射頻功率P2為同步脈衝信號，第三射頻功率P3延時於第二射頻功率P2，由此，存在三個射頻功率均為低電平的時段，在此時間段可便於等離子體中正負離子的自由擴散。較佳的，延時的時間不宜過長，如小於10us，以避免發生等離子體熄滅。第三射頻功率P3延遲於第二射頻功率P2同樣也適用于本發明的第一實施例和第二實施例中第一射頻功率供應單元為等離子體射頻功率源(source RF)、第二射頻功率供應單元為偏置射頻功率源(bias RF)的情況。

需要注意的是，本實施例及前述實施例所述的“低電平”既包括功率源關閉時功率的脈衝信號為0的情況，也包括脈衝信號為低功率的情況。

綜上所述，本發明所提出的等離子體處理裝置通過在上電極和下電極施加反相的射頻脈衝信號，使得負離子和二次電子能夠充分與刻蝕圖形底部積累的正離子中和，後續的正離子的轟擊軌道將不會因正離子互相排斥而彎曲，由此防止刻蝕圖形扭曲變形，改善刻蝕圖形的形貌，提高整體的刻蝕效率。

雖然本發明已以較佳實施例揭示如上，然所述諸多實施例僅為了便於說明而舉例而已，並非用以限定本發明，本領域的技術人員在不脫離本發明精神和範圍的前提下可作若干的更動與潤飾，本發明所主張的保護範圍應以權利要求書所述為准。

10‧‧‧下電極

11‧‧‧上電極

12‧‧‧脈衝控制單元

W‧‧‧基板

RF1‧‧‧第一射頻功率源

RF2‧‧‧第二射頻功率源

RF3‧‧‧第三射頻功率源

Claims (14)

1. 一種等離子體處理裝置，其特徵在於，包括：等離子體處理腔室，其包括下電極以及與所述下電極分隔並與之相對設置的上電極；第一射頻功率供應單元，與所述下電極電連接；第二射頻功率供應單元，與所述上電極及所述下電極電連接，所述第二射頻功率供應單元以脈衝的方式輸出射頻功率，其施加於所述上電極的射頻功率與施加於所述下電極的射頻功率為反相的脈衝信號；所述第射頻功率供應單元和所述第二射頻功率供應單元其中一個為等離子體射頻功率源，另一個為偏置射頻功率源。
2. 如申請專利範圍第1項所述之等離子體處理裝置，其特徵在於，所述第二射頻功率供應單元包括第二射頻功率源及第三射頻功率源，所述第二射頻功率源與所述下電極相連以提供第二射頻功率，所述第三射頻功率源與所述上電極相連以提供第三射頻功率。
3. 如申請專利範圍第2項所述之等離子體處理裝置，其特徵在於，還包括脈衝信號控制單元，其與所述第二射頻功率源和所述第三射頻功率源相連，並分別提供脈衝信號以控制所述第二射頻功率與所述第三射頻功率為反相的脈衝信號。
4. 如申請專利範圍第2項所述之等離子體處理裝置，其特徵在於，所述第二射頻功率源包括第二射頻功率產生器和與所述第二射頻功率產生器相連的第二射頻信號發生器，所述第三射頻功率源包括與所述第二射頻信號發生器相連的第三射頻功率產生器，所述第二射頻信號發生器提供脈 衝信號以使所述第二射頻功率與所述第三射頻功率為反相的脈衝信號。
5. 如申請專利範圍第2項所述之等離子體處理裝置，其特徵在於，所述第一射頻功率供應單元包括第一射頻功率源，其以脈衝的方式輸出第一射頻功率。
6. 如申請專利範圍第5項所述之等離子體處理裝置，其特徵在於，所述第一射頻功率和所述第二射頻功率為同步脈衝信號。
7. 如申請專利範圍第6項所述之等離子體處理裝置，其特徵在於，所述第二射頻功率與所述第三射頻功率為具有相位差的反相脈衝信號，所述第三射頻功率延時於所述第二射頻功率，延時時間為小於等於10us。
8. 如申請專利範圍第1或第5項任一項所述之等離子體處理裝置，其特徵在於，所述射頻功率的脈衝頻率為10-100000赫茲，信號占空比範圍為10%~90%。
9. 如申請專利範圍第1至第7項任一項所述之等離子體處理裝置，其特徵在於，所述第一射頻功率供應單元為偏置射頻功率源，所述第二射頻功率供應單元為等離子體射頻功率源。
10. 一種等離子體處理方法，包括：提供待處理基板於一等離子體處理裝置內，所述等離子體處理裝置包括處理腔室，所述處理腔室內設有下電極以及與所述下電極分隔並與之相對的上電極；在所述處理腔室內通入反應氣體，所述反應氣體由第一射頻功率供應單元或第二射頻功率供應單元電離為等離子體，其中所述第一射頻功率供應單元和所述下電極電連接，所述第二射頻功率供應單元和所述下電極及 所述上電極電連接；通過所述等離子體對所述待處理基板進行處理，其中，所述第二射頻功率供應單元以脈衝的方式輸出射頻功率，且其施加於所述上電極的第二射頻功率與施加於所述下電極的第三射頻功率為反相的脈衝信號；所述第一射頻功率供應單元和所述第二射頻功率供應單元其中一個為等離子體射頻功率源，另一個為偏置射頻功率源。
11. 如申請專利範圍第10項所述之等離子體處理方法，其特徵在於，所述第一射頻功率供應單元以脈衝的方式輸出第一射頻功率。
12. 如申請專利範圍第11項所述之等離子體處理方法，其特徵在於，所述第一射頻功率和所述第二射頻功率為同步脈衝信號。
13. 如申請專利範圍第12項所述之等離子體處理方法，其特徵在於，所述第二射頻功率與所述第三射頻功率為具有相位差的反相脈衝信號，所述第三射頻功率延時於所述第二射頻功率，延時時間為小於等於10us。
14. 如申請專利範圍第10至第13項任一項所述之等離子體處理方法，其特徵在於，所述第一射頻功率供應單元為偏置射頻功率源，所述第二射頻功率供應單元為等離子體射頻功率源。