TW201840250A

TW201840250A - 中性粒子束處理裝置

Info

Publication number: TW201840250A
Application number: TW107109602A
Authority: TW
Inventors: 藤井龍介; 速水利泰
Original assignee: 日商Spp科技股份有限公司
Priority date: 2017-03-23
Filing date: 2018-03-21
Publication date: 2018-11-01
Also published as: JPWO2018173227A1; WO2018173227A1

Abstract

[課題]提供一種中性粒子束處理裝置，該裝置的離子中性化效率優異，並且可在用於蝕刻時進行充分的蝕刻。 [解決手段]本發明之中性粒子束處理裝置包含有：腔室；線圈；偏壓用電極；中性化用電極，用以供藉由線圈生成之電漿中的離子通過而將該離子中性化；第1高頻電源，對線圈施加高頻電力；直流電源，對偏壓用電極施加直流電力；第2高頻電源，對中性化用電極施加高頻電力；及脈衝調變機構。脈衝調變機構進行以下之控制：在開啟從第1高頻電源施加的電力時，關閉從直流電源及第2高頻電源施加的各電力，在關閉從第1高頻電源施加的電力時，開啟從直流電源及第2高頻電源施加的各電力。

Description

中性粒子束處理裝置

本發明是有關於一種中性粒子束處理裝置，該裝置的離子中性化效率優異，並且可在用於蝕刻時進行充分的蝕刻。

以往，一種電漿處理裝置為人所知，該裝置是構成為朝腔室(chamber)內供給規定的處理氣體，並將該氣體電漿化，利用電漿(plasma)中的離子等，對配置於腔室內的基板施行蝕刻處理等的電漿處理(例如參照專利文獻1)。

在對基板照射正離子或負離子等荷電粒子之電漿處理裝置中，若基板為絕緣物，會產生電荷累積在基板上的充電(charge up)現象，有無法對基板進行處理的問題。又，離子束會因空間電荷效應而發散，所以還有無法進行極微細加工的問題。

因此，近年來，有人提出一種中性粒子束處理裝置，該裝置使電漿中的離子中性化而生成中性粒子束，並使用該中性粒子束來對基板施行蝕刻處理等(例如參照專利文獻2)。專利文獻2中提出的中性粒子束處理裝置包含有：腔室，其在上部設置有生成中性粒子束的生成室，在下部設置有利用中性粒子束來處理基板的處理室；線圈，是在腔室的外部，配置於生成室的周圍，用以將供給至生成室的處理氣體電漿化；偏壓用電極(專利文獻2中為柵電極(grid electrode))，在腔室內的生成室中是配置於線圈的上方；及中性化用電極(專利文獻2中為有孔電極(orifice electrode))，在腔室內的生成室中是配置於線圈的下方，用以將藉由線圈生成之電漿中的通過離子進行中性化(參照專利文獻2之圖4等)。

更具體地說，在專利文獻2中，記載了以下內容：對線圈施加13.56MHz的高頻電力，對偏壓用電極(柵電極)施加400kHz的高頻電力，將中性化用電極(有孔電極)接地(專利文獻2之段落0018、0021)。且，在專利文獻2中記載了以下內容：令對線圈施加高頻電力的時間點，與對偏壓用電極(柵電極)施加高頻電力的時間點同步，當對線圈施加的高頻電力為開啟時，對偏壓用電極(柵電極)施加的高頻電力為關閉，當對線圈施加的高頻電力為關閉時，對偏壓用電極(柵電極)施加的高頻電力為開啟(專利文獻2之段落0022~0027，圖3等)。

根據專利文獻2記載的中性粒子束處理裝置，認為可解決前述電漿處理裝置產生的充電現象等問題。

然而，在專利文獻2記載的裝置中，負責將位於生成室之電漿中的離子朝中性化用電極加速者，僅有遠離中性化用電極的偏壓用電極。中性化用電極只不過是進行離子的中性化。因此，在專利文獻2記載的裝置中，離子的中性化效率恐怕不一定充分。又，在將中性粒子束處理裝置用於基板之蝕刻時，重要的是盡可能賦予中性粒子束較大的運動能量。然而，在專利文獻2記載的裝置中，藉由位於遠離中性化用電極的位置之偏壓用電極而賦予運動能量的離子，在到達中性化用電極為止的期間，有機會與電漿中的其他粒子碰撞，因而產生運動能量之損失，所以恐怕不一定能進行充分的蝕刻。

先行技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開第2008-244224號公報專利文獻2：日本特許第4073174號公報

發明欲解決之課題本發明是為了解決上述習知技術的問題點而做成，其課題在於提供一種中性粒子束處理裝置，該裝置的離子中性化效率優異，並且例如用於蝕刻時可進行充分的蝕刻。

用以解決課題之手段為解決前述課題，本發明提供一種中性粒子束處理裝置，其特徵在於包含有：腔室，其在上部設置有生成中性粒子束的生成室，在下部設置有利用前述中性粒子束來處理基板的處理室；線圈，是在前述腔室的外部，配置於前述生成室的周圍，用以將供給至前述生成室的處理氣體電漿化；偏壓用電極，在前述腔室內的前述生成室中是配置於前述線圈的上方；中性化用電極，在前述腔室內的前述生成室中是配置於前述線圈的下方，用以供藉由前述線圈生成之電漿中的離子通過而將該離子中性化；第1高頻電源，對前述線圈施加高頻電力；直流電源，對前述偏壓用電極施加直流電力；第2高頻電源，對前述中性化用電極施加高頻電力；及脈衝調變機構，控制來自前述第1高頻電源、前述直流電源及前述第2高頻電源之各電力的施加之開啟、關閉，前述脈衝調變機構在開啟從前述第1高頻電源施加的電力時，會關閉從前述直流電源及前述第2高頻電源施加的各電力，在關閉從前述第1高頻電源施加的電力時，會開啟從前述直流電源及前述第2高頻電源施加的各電力。

根據本發明之中性粒子束處理裝置，藉由脈衝調變機構，從第1高頻電源施加的電力(對線圈施加的高頻電力)被關閉時，從直流電源及第2高頻電源施加的各電力(對偏壓用電極施加的直流電力及對中性化用電極施加的高頻電力)會被開啟。假設從直流電源對偏壓用電極施加負電壓之直流電力，則位於生成室之電漿中的負離子會藉由偏壓用電極的斥力而朝中性化用電極加速，並且當施加於中性化用電極的高頻電力之電壓為正電壓時，會因為中性化用電極的引力而被拉入中性化用電極。又，若從直流電源對偏壓用電極施加正電壓之直流電力，則位於生成室之電漿中的正離子會藉由偏壓用電極的斥力而朝中性化用電極加速，並且當施加於中性化用電極的高頻電力之電壓為負電壓時，會因為中性化用電極的引力而被拉入中性化用電極。在任一種情況下，負責將位於生成室之電漿中的離子拉入中性化用電極的，都是偏壓用電極及中性化電極兩者。因此，可提高離子的中性化效率。又，根據本發明之中性粒子束處理裝置，位於中性化電極近旁的離子會被中性化電極積極地拉入，因此會減少與電漿中其他粒子碰撞而造成的運動能量損失，並可將該減少運動能量損失的離子中性化。又，由於離子的運動能量容易追隨施加於中性化電極的高頻電力，所以容易控制中性粒子束的運動能量。因此，可進行充分的蝕刻。如以上所述，根據本發明之中性粒子束處理裝置，離子的中性化效率優異，並且例如用於蝕刻時可進行充分的蝕刻。但，本發明之中性粒子束處理裝置不限於基板的蝕刻用途，也可用於基板的成膜用途。

在此，當供給至前述生成室的處理氣體為Cl₂ (氯)氣體或SF₆ (六氟化硫)氣體時，電漿中主要是生成負離子Cl^- 或SF₆ ^- 。因此，理想的是，前述直流電源對前述偏壓用電極施加負電壓之直流電力。根據上述理想構成，位於生成室之電漿中的負離子(Cl^- 或SF₆ ^- )會藉由偏壓用電極的斥力而朝中性化用電極加速，因此可提高負離子的中性化效率。

又，當供給至前述生成室的處理氣體為Ar(氬)氣體或He(氦)氣體時，電漿中主要是生成正離子Ar^＋或He^＋。因此，理想的是，前述直流電源對前述偏壓用電極施加正電壓之直流電力。根據上述理想構成，位於生成室之電漿中的正離子(Ar^＋或He^＋ )會藉由偏壓用電極的斥力而朝中性化用電極加速，因此可提高正離子的中性化效率。

進而，當供給至前述生成室的處理氣體為Cl₂ 氣體或SF₆ 氣體、及Ar氣體或He氣體的混合氣體時，電漿中會生成負離子Cl^- 或SF₆ ^- 、及正離子Ar^＋或He^＋之兩者。因此，理想的是，前述直流電源對前述偏壓用電極交替地施加負電壓之直流電力與正電壓之直流電力。根據上述之理想構成，在對偏壓用電極施加負電壓之直流電力的時間點，位於生成室之電漿中的負離子(Cl^- 或SF₆ ^- )會藉由偏壓用電極的斥力而朝中性化用電極加速，另一方面，在對偏壓用電極施加正電壓之直流電力的時間點，位於生成室之電漿中的正離子(Ar^＋或He^＋ )會藉由偏壓用電極的斥力而朝中性化用電極加速。因此，可提高負離子及正離子兩者的中性化效率。

發明效果根據本發明，離子的中性化效率優異，並且例如用於蝕刻時，可進行充分的蝕刻。

以下，一邊適當地參考附加圖式，一邊說明本發明之實施形態(第1實施形態~第3實施形態)。首先，說明第1實施形態~第3實施形態中共通的中性粒子束處理裝置之構成，之後，依序說明各實施形態。

＜中性粒子束處理裝置之構成＞圖1是顯示本發明之實施形態(第1實施形態~第3實施形態)的中性粒子束處理裝置之概略構成例的示意截面圖。如圖1所示，本實施形態的中性粒子束處理裝置100包含腔室1、線圈2、偏壓用電極3、中性化用電極4、第1高頻電源5、直流電源6、第2高頻電源7、及脈衝調變機構8。又，本實施形態的中性粒子束處理裝置100包含氣體供給源9、載置台10、及真空泵20。

在腔室1中，生成中性粒子束的生成室11設置於上部，利用中性粒子束對載置於載置台10的基板S進行處理的處理室12設置於下部。具體而言，中性化用電極4及比中性化用電極4更上側的區域是相當於生成室11，比中性化用電極4更下側的區域是相當於處理室12。真空泵20連接於配管(未圖示)，該配管連通至處理室12內，當利用中性粒子束處理基板S時，會藉由真空泵20的真空處理而使腔室1內減壓。

線圈2是在腔室1的外部，配置於生成室11的周圍，該線圈是用以將從氣體供給源9供給至生成室11的處理氣體進行電漿化的線圈。

偏壓用電極3在腔室1內的生成室11中是配置於線圈2的上方。偏壓用電極3設置有多個孔，該等多個孔可供從氣體供給源9供給至生成室11的處理氣體通過。

中性化用電極4在腔室1內的生成室11中是配置於線圈2的下方，該中性化用電極4是供藉由線圈2生成之電漿中的離子通過而將該離子中性化用的電極。中性化用電極4是由石墨等導電體所形成，且形成有多個孔口。通過形成於中性化用電極4之孔口內部的負離子，主要是在孔口周壁的固體表面附近中性化，或是藉由與殘留在孔口內部的處理氣體進行電荷交換而中性化，並成為中性粒子束。又，通過形成於中性化用電極4之孔口內部的正離子，主要是在孔口周壁的固體表面附近中性化，或是藉由與殘留在孔口內部的處理氣體進行電荷交換而中性化，或是藉由與從中性化用電極之表面放出的電子撞擊並重新結合而中性化，並成為中性粒子束。

第1高頻電源5是對線圈2施加高頻電力。對線圈2施加的高頻電力之頻率例如為100MHz。藉由從第1高頻電源5對線圈2施加高頻電力而形成磁場，會藉由該磁場而誘發感應電場，並且藉由電場而將供給至生成室11的處理氣體電漿化。即，藉由第1高頻電源5及線圈2而生成感應耦合電漿(Inductively Coupled Plasma)。

直流電源6是對偏壓用電極3施加直流電力。在後述的第1實施形態中，直流電源6是對偏壓用電極3施加負電壓之直流電力。又，在後述的第2實施形態中，直流電源6是對偏壓用電極3施加正電壓之直流電力。進而，在後述的第3實施形態中，直流電源6是對偏壓用電極3交替地施加負電壓之直流電力與正電壓之直流電力。在任何實施形態中，直流電源6施加的電壓之絕對值皆是例如100V。

第2高頻電源7是對中性化用電極4施加高頻電力。對中性化用電極4施加的高頻電力之頻率，比對線圈2施加的高頻電力之頻率還要低，例如為600kHz。

脈衝調變機構8具備有：輸出訊號的頻率或工作比為可變的脈衝產生器81、及因應於脈衝產生器81的輸出訊號(脈衝訊號)而切換成開啟或關閉的開關82、83、84。開關82連接到第1高頻電源5的輸出端，開關83連接到直流電源6的輸出端，開關84連接到第2高頻電源7的輸出端。開關82~84會因應於從脈衝產生器81輸出的脈衝訊號之開啟、關閉，而切換成開啟、關閉，藉此控制來自第1高頻電源5、直流電源6、及第2高頻電源7的各電力之施加的開啟、關閉。

＜第1實施形態＞以下，就具有上述說明之概略構成的中性粒子束處理裝置100的第1實施形態加以說明。圖2是示意地顯示第1實施形態中對線圈2、偏壓用電極3及中性化用電極4之施加電力的電壓之說明圖。圖2(a)是顯示各施加電力之電壓的圖，圖2(a)顯示的Vs代表從第1高頻電源5對線圈2施加的高頻電力之電壓，Vb代表從直流電源6對偏壓用電極3施加的直流電力之電壓，Vn代表從第2高頻電源7對中性化用電極4施加的高頻電力之電壓。圖2(b)是示意地顯示在圖2(a)的時間點Ta生成室11內的電漿之狀態的圖。圖2(c)是示意地顯示在圖2(a)的時間點Tb生成室11內的電漿之狀態的圖。如圖2(a)所示，脈衝調變機構8在開啟來自第1高頻電源5之電力的施加時(開啟電壓Vs時)，會關閉來自直流電源6及第2高頻電源7之各電力的施加(關閉電壓Vb及電壓Vn)。另一方面，脈衝調變機構8在關閉來自第1高頻電源5之電力的施加時(關閉電壓Vs時)，會開啟來自直流電源6及第2高頻電源7之各電力的施加(開啟電壓Vb及電壓Vn)。

脈衝調變機構8具備的脈衝產生器81之輸出訊號的頻率，例如是設定在5kHz~20kHz左右。又，脈衝調變機構8具備的脈衝產生器81之輸出訊號的工作比(開啟工作比)，例如是設定在5%~95%左右。從脈衝產生器81輸出的脈衝訊號為開啟時，開關82成為開啟，從第1高頻電源5對線圈2施加的高頻電力之電壓Vs成為開啟。另一方面，從脈衝產生器81輸出的脈衝訊號為關閉時，開關83、84成為開啟，從直流電源6對偏壓用電極3施加的直流電力之電壓Vb、及從第2高頻電源7對中性化用電極4施加的高頻電力之電壓Vn成為開啟。因應脈衝產生器81的輸出訊號之頻率，而決定圖2(a)所示的各電壓Vs、Vb及Vn之開啟、關閉的切換頻率，並因應脈衝產生器81的輸出訊號之工作比，而決定圖2(a)所示的各電壓Vs、Vb及Vn之開啟、關閉的時間比率。

在第1實施形態中，從氣體供給源9供給至生成室11的處理氣體為Cl₂ 氣體或SF₆ 氣體。因此，在生成室11所生成的電漿中，主要是生成負離子即Cl^- 或SF₆ ^- 。因此，在第1實施形態中，如同圖2(a)所示的時間點Ta，當來自直流電源6的施加為開啟時，直流電源6會對偏壓用電極3施加負電壓Vb之直流電力。藉此，如圖2(b)所示，位於生成室11的電漿中的負離子(Cl^- 或SF₆ ^- )會藉由偏壓用電極3的斥力Fr而朝中性化用電極4加速。該斥力Fr是當負離子位在離偏壓用電極3愈近的位置時變得愈大，且隨著負離子靠近中性化用電極4而變小。又，位於生成室11的電漿中的負離子是當對中性化用電極4施加的高頻電力之電壓Vn為正電壓時，藉由中性化用電極4的引力Fa而被拉入中性化用電極4。該引力Fa是當負離子位在離中性化用電極4愈近的位置時變得愈大。做成以上形態，可提高負離子的中性化效率。

再者，當從氣體供給源9供給至生成室11的處理氣體為SF₆ 氣體時，可認為在生成的電漿中除了負離子即SF₆ ^- 以外，還存在正離子即SF₅ ^＋。如同圖2(a)所示的時間點Tb，當對線圈2施加的高頻電力之電壓Vs為開啟時，可認為該正離子之電子溫度變高且生成較多。因此，當開啟對線圈2施加的高頻電力之電壓Vs時，假設已經是在開啟對偏壓用電極3施加的直流電力之電壓Vb(負電壓)的狀態下(亦即，經常開啟著直流電力之電壓Vb的狀態)，因為較多的正離子(SF₅ ^＋ )會累積在偏壓用電極3，可認為欲將偏壓用電極3維持在負電壓會受到妨礙。因此，如前述，在開啟來自第1高頻電源5之電力的施加時(開啟電壓Vs時)，是關閉來自直流電源6之電力的施加(關閉電壓Vb)，藉此防止正離子(SF₅ ^＋ )往偏壓用電極3累積。在開啟從第1高頻電源5往線圈2之電力的施加時(開啟電壓Vs時)，是關閉從直流電源6往偏壓用電極3之電力的施加(關閉電壓Vb)，並且關閉從第2高頻電源7往中性化用電極4之電力的施加(關閉電壓Vn)，所以如圖2(c)所示，對位於生成室11的電漿中的正離子(SF₅ ^＋ )而言，偏壓用電極3的斥力或中性化用電極4的引力不會產生作用。

＜第2實施形態＞圖3是示意地顯示第2實施形態中對線圈2、偏壓用電極3及中性化用電極4之施加電力的電壓Vs、Vb及Vn之說明圖。圖3(a)是顯示各施加電力之電壓的圖，圖3(b)是示意地顯示在圖3(a)的時間點Tc生成室11內的電漿之狀態的圖。第2實施形態與第1實施形態相比，從氣體供給源9供給至生成室11的處理氣體之種類、以及直流電源6對偏壓用電極3施加的電壓Vb的極性為不同。至於其他部分與第1實施形態相同，因此僅就與第1實施形態不同的點說明如下。

在第2實施形態中，從氣體供給源9供給至生成室11的處理氣體為Ar氣體或He氣體。因此，在生成室11所生成的電漿中，主要是生成正離子即Ar^＋或He^＋。因此，在第2實施形態中，如同圖3(a)所示的時間點Tc，當來自直流電源6的施加為開啟時，直流電源6會對偏壓用電極3施加正電壓Vb之直流電力。藉此，如圖3(b)所示，位於生成室11的電漿中的正離子(Ar^＋或He^＋ )會藉由偏壓用電極3的斥力Fr而朝中性化用電極4加速。該斥力Fr是當正離子位在離偏壓用電極3愈近的位置時變得愈大，且隨著正離子靠近中性化用電極4而變小。又，位於生成室11的電漿中的正離子是當對中性化用電極4施加的高頻電力之電壓Vn為負電壓時，會藉由中性化用電極4的引力Fa而被拉入中性化用電極4。該引力Fa是當正離子位在離中性化用電極4愈近的位置時變得愈大。做成以上形態，可提高正離子的中性化效率。

＜第3實施形態＞圖4是示意地顯示第3實施形態中對線圈2、偏壓用電極3及中性化用電極4之施加電力的電壓Vs、Vb及Vn之說明圖。圖4(a)是顯示各施加電力之電壓的圖，圖4(b)是顯示第3實施形態中直流電源6及脈衝調變機構8之具體構成例的圖。第3實施形態與第1實施形態相比，從氣體供給源9供給至生成室11的處理氣體之種類、以及直流電源6對偏壓用電極3施加的電壓Vb的極性為不同。至於其他部分與第1實施形態相同，因此僅就與第1實施形態不同的點說明如下。

在第3實施形態中，從氣體供給源9供給至生成室11的處理氣體為Cl₂ 氣體或SF₆ 氣體、及Ar氣體或He氣體的混合氣體。因此，在生成室11所生成的電漿中，主要是生成負離子即Cl^- 或SF₆ ^- 、及正離子即Ar^＋或He^＋雙方。因此，在第3實施形態中，如圖4(a)所示，當來自直流電源6的施加為開啟時，會藉由脈衝調變機構8，從直流電源6對偏壓用電極3交替地施加負電壓Vb之直流電力及正電壓Vb之直流電力。在圖4(a)所示的例子中，當來自直流電源6的施加成為開啟時(來自第1高頻電源5的施加成為關閉時)，率先施加負電壓Vb之直流電力，下次來自直流電源6的施加成為開啟時(來自第1高頻電源5的施加成為關閉時)，再施加正電壓Vb之直流電力。具體而言，在第3實施形態中，例如，如圖4(b)所示，是構成為直流電源6具備有：直流電源6a，輸出負電壓Vb之直流電力；及直流電源6b，輸出正電壓Vb之直流電力。又，構成為脈衝調變機構8的開關83具備有：開關83a，連接到直流電源6a的輸出端；及開關83b，連接到直流電源6b的輸出端。然後，可例示如下構成：因應於從脈衝產生器81輸出的脈衝訊號之開啟、關閉，而交替地切換開關83a、83b之開啟、關閉，藉此，直流電源6a與直流電源6b交替地連接到偏壓用電極3，藉此，從直流電源6a輸出的負電壓Vb之直流電力與從直流電源6b輸出的正電壓Vb之直流電力會交替地施加於偏壓用電極3。在第3實施形態中，在負電壓Vb之直流電力施加於偏壓用電極3的時間點，位於生成室11的電漿中的負離子(Cl^- 或SF₆ ^- )會藉由偏壓用電極3的斥力Fr而朝中性化用電極4加速，另一方面，在正電壓Vb之直流電力施加於偏壓用電極3的時間點，位於生成室11的電漿中的正離子(Ar^＋或He^＋ )會藉由偏壓用電極3的斥力Fr而朝中性化用電極4加速。因此，可提高負離子及正離子雙方的中性化效率。

1‧‧‧腔室

2‧‧‧線圈

3‧‧‧偏壓用電極

4‧‧‧中性化用電極

5‧‧‧第1高頻電源

6‧‧‧直流電源

6a、6b‧‧‧直流電源

7‧‧‧第2高頻電源

8‧‧‧脈衝調變機構

9‧‧‧氣體供給源

10‧‧‧載置台

11‧‧‧生成室

12‧‧‧處理室

20‧‧‧真空泵

81‧‧‧脈衝產生器

82、83、84‧‧‧開關

83a、83b‧‧‧開關

100‧‧‧中性粒子束處理裝置

Fa‧‧‧引力

Fr‧‧‧斥力

Ta、Tb、Tc‧‧‧時間點

Vs、Vb、Vn‧‧‧電壓

S‧‧‧基板

圖1是顯示本發明之實施形態的中性粒子束處理裝置之概略構成例的示意截面圖。圖2是示意地顯示本發明之第1實施形態中對線圈、偏壓用電極及中性化用電極之施加電力的電壓之說明圖。圖3是示意地顯示本發明之第2實施形態中對線圈、偏壓用電極及中性化用電極之施加電力的電壓之說明圖。圖4是示意地顯示本發明之第3實施形態中對線圈、偏壓用電極及中性化用電極之施加電力的電壓之說明圖。

Claims

一種中性粒子束處理裝置，其特徵在於：包含有：腔室，其在上部設置有生成中性粒子束的生成室，在下部設置有利用前述中性粒子束來處理基板的處理室；線圈，是在前述腔室的外部，配置於前述生成室的周圍，用以將供給至前述生成室的處理氣體電漿化；偏壓用電極，在前述腔室內的前述生成室中是配置於前述線圈的上方；中性化用電極，在前述腔室內的前述生成室中是配置於前述線圈的下方，用以供藉由前述線圈生成之電漿中的離子通過而將該離子中性化；第1高頻電源，對前述線圈施加高頻電力；直流電源，對前述偏壓用電極施加直流電力；第2高頻電源，對前述中性化用電極施加高頻電力；及脈衝調變機構，控制來自前述第1高頻電源、前述直流電源及前述第2高頻電源之各電力的施加之開啟、關閉，前述脈衝調變機構在開啟從前述第1高頻電源施加的電力時，會關閉從前述直流電源及前述第2高頻電源施加的各電力，在關閉從前述第1高頻電源施加的電力時，會開啟從前述直流電源及前述第2高頻電源施加的各電力。
如請求項1之中性粒子束處理裝置，其中供給至前述生成室的處理氣體為Cl₂ 氣體或SF₆ 氣體，前述直流電源是對前述偏壓用電極施加負電壓之直流電力。
如請求項1之中性粒子束處理裝置，其中供給至前述生成室的處理氣體為Ar氣體或He氣體，前述直流電源是對前述偏壓用電極施加正電壓之直流電力。
如請求項1之中性粒子束處理裝置，其中供給至前述生成室的處理氣體為Cl₂ 氣體或SF₆ 氣體、及Ar氣體或He氣體的混合氣體，前述直流電源是對前述偏壓用電極交替地施加負電壓之直流電力與正電壓之直流電力。