TW201530217A - 液晶顯示面板製程 - Google Patents

液晶顯示面板製程 Download PDF

Info

Publication number
TW201530217A
TW201530217A TW103107063A TW103107063A TW201530217A TW 201530217 A TW201530217 A TW 201530217A TW 103107063 A TW103107063 A TW 103107063A TW 103107063 A TW103107063 A TW 103107063A TW 201530217 A TW201530217 A TW 201530217A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
forming
display panel
liquid crystal
metal composite
Prior art date
Application number
TW103107063A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI519850B (zh
Inventor
Shun-Tai Huang
Chih-Wei Huang
Wei-Hsiao Chen
Original Assignee
Himax Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Himax Display Inc filed Critical Himax Display Inc
Publication of TW201530217A publication Critical patent/TW201530217A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI519850B publication Critical patent/TWI519850B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G02F1/133516—Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136277—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本發明提供一種液晶顯示面板的製造方法。提供其上具有一絕緣層的一基底後，在該絕緣層上方形成一第一金屬複合層，接著圖案化該第一金屬複合層以形成穿過該第一金屬複合層的至少一第一開口。在該至少一第一開口內形成一第一中間介電層，在該圖案化第一金屬複合層上形成一第二中間介電層。圖案化該第二中間介電層，以形成穿過該第二中間介電層的第二開口。在該圖案化第二中間介電層上形成一第二金屬複合層，接著圖案化以形成至少一第三開口。然後，在該至少一第三開口內形成一第三中間介電層。

Description

液晶顯示面板製程
本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種液晶顯示面板的製造方法。
矽基液晶(LCOS)顯示器是液晶顯示器(LCDs)的一種類型，由一矽晶片與一玻璃板之間夾著一液晶層組成。由於矽晶片可使用標準互補式金氧半導體(CMOS)技術來製造，故與LCD相比，可提供更高的穩定性與可信度。目前，LCOS顯示面板已廣泛應用於影像與媒體設備，如手持錄攝影機、數位相機、投影電視與多媒體高射投影機等。
在LCOS面板中，雖然反射畫素電極可能在不影響光學性質的情況下覆蓋電晶體，但相較於透射式LCD面板，LCOS面板的畫素具有較大的孔徑比。然而，當畫素尺寸持續縮小，畫素的孔徑比減少而LCOS面板的反射率將降低。
本發明提供一種製造具有雙反射鏡層作為反射結構的液晶顯示面板的方法，可提高光線反射率，並提供更高的影像顯示明亮度。
本發明提供一種液晶顯示器面板的製造方法，其中包括以下步驟。提供其上具有一絕緣層的一基底後，在該絕緣層上形成一第一金屬複合層，接著圖案化以形成穿過該第一金屬複合層的至少一第一開口。在該至少一第一開口內形成一第一中間介電層，而在該圖案化第一金屬複合層上形成一第二中間介電層。圖案化該第二中間介電層，以形成穿過該第二中間介電層的第二開口。在該圖案化第二中間介電層上形成一第二金屬複合層，接著圖案化以形成至少一第三開口。接著，在該至少一第三開口內形成一第三中間介電層。
在一實施例中，形成第一金屬複合層的步驟包含在絕緣層上依序形成一第一層、一第二層與一第一金屬層。
在一實施例中，形成第一層的步驟包含透過濺鍍或物理氣相沉積(PVD)形成一鈦層，而形成第二層包含透過PVD或化學氣相沉積(CVD)形成一氮化鈦(TiN)層。
在一實施例中，形成第一金屬層的步驟包含透過濺鍍、PVD或電鍍形成由鋁、鈦、鉭、銀、金、銅或鉑製成的一層。
在一實施例中，第一金屬複合層的厚度範圍為200nm至1000nm。
在一實施例中，第二中間介電層包含矽氧化物、矽氮氧化物與/或矽氮化物，其透過CVD形成。
在一實施例中，第二中間介電層的厚度範圍為300埃至1800埃。
在一實施例中，形成第二金屬複合層的步驟包含依序形成一第三層、一第四層與一第二金屬層。
在一實施例中，形成第三層的步驟包含透過濺鍍或物理氣相沉積(PVD)形成一鈦層，而形成第四層包含透過PVD或化學氣相沉積(CVD)形成一氮化鈦(TiN)層。
在一實施例中，第三層與第四層共形形成覆蓋第二開口的表面，而不填滿第二開口。
在一實施例中，形成第二金屬層的步驟包含透過濺鍍、PVD或電鍍形成由鋁、鈦、鉭、銀、金、銅或鉑製成的一層。
在一實施例中，第二金屬複合層的厚度範圍為300埃至1800埃。
在一實施例中，還包括在圖案化第二金屬複合層上形成另一絕緣層，並在圖案化第二金屬複合層上方形成多個畫素電極與一彩色濾片矩陣。
在一實施例中，還包括在彩色濾片矩陣上方形成一液晶層與一上基底。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100‧‧‧顯示面板
200‧‧‧主動矩陣
210‧‧‧下基底
220‧‧‧主動元件
230‧‧‧畫素電極
240‧‧‧反射結構
250‧‧‧導電元件
260‧‧‧第一絕緣層
270‧‧‧第二絕緣層
280‧‧‧絕緣層
290‧‧‧彩色濾片矩陣
300‧‧‧液晶層
310‧‧‧配向層
400‧‧‧上基底
410‧‧‧配向層
500‧‧‧基底
510‧‧‧絕緣層
520‧‧‧第一金屬複合層
520a、550a‧‧‧上表面
522‧‧‧第一層
524‧‧‧第二層
526‧‧‧第一金屬層
530‧‧‧第一中間介電層
531、561‧‧‧剩餘部份
540‧‧‧第二中間介電層
550‧‧‧第二金屬複合層
552‧‧‧第三層
554‧‧‧第四層
556‧‧‧第二金屬層
S1、S2、S3‧‧‧開口
以所附圖式做為參考讓本發明更明顯易懂，納入並構成本說明書的一部份。圖式與所附描述用來說明本發明的實施例， 以陳述本發明概念。
圖1是依據本發明一實施例的一顯示面板的剖面示意圖。
圖2A-2J說明本發明一實施例中顯示面板的反射結構的方法製造流程。
圖3是呈現顯示面板反射值與光波長之間關係的示意圖。
在此以本發明實施例作為參考以便於更完整陳述本發明概念，並配合所附圖式作詳細說明如下。在圖式與描述中所用的相同參考數字符號是指相同或相似元件。
圖1是依據本發明一實施例的一顯示面板的示意剖面圖。參照圖1，本實施例的顯示面板100包含一主動矩陣200、一液晶層300與一上基底400。該主動矩陣200包含一下基底210、多個主動元件220、多個畫素電極230、一反射結構240與多個導電元件250。
在本實施例中，舉例而言，下基底210可能是一矽基底，而上基底可能是一玻璃基底。在本案例中，顯示面板100是一LCOS顯示面板，而在本實施例中，主動矩陣200是該LCOS顯示面板的一主動矩陣。主動元件220可以是在基底210中以矩陣排列的電晶體。在本實施例中，畫素電極230是反射畫素電極，並分別配置於主動元件220上方。畫素電極230可以金屬如鋁所 製成。反射結構240配置於基底210與畫素電極230之間。導電元件250貫穿反射結構240，並連接畫素電極230與主動元件220。舉例而言，導電元件250可能是由金屬或金屬合金製成。
顯示面板100還包含一第一絕緣層260與一第二絕緣層270。該第一絕緣層260配置於基底210與反射結構240之間。該第二絕緣層270配置於反射結構240與畫素電極230之間。此外，導電元件250可能透過絕緣層280而與反射結構240隔離。顯示面板100也包含一彩色濾片矩陣290，配置於畫素電極230上，而一配向層310配置於該彩色濾片矩陣290上。
相對的上基底400可能還包含另一配向層410，配置於該透明基底400與液晶層300之間。具體而言，液晶層300配置於配向層310、410之間，以及主動矩陣200與上基底400之間。
依據本實施例的顯示面板100，沒有被畫素電極230反射的光線可被反射結構240反射。具體而言，穿過任兩相鄰畫素電極230之間間隙的光線都被反射結構240反射(以箭頭顯示)。所以，顯示面板100的反射增加。因此，顯示面板100能夠提供具有較高明亮度的影像。在此方式中，即使畫素尺寸減少且畫素的孔徑比例降低，顯示面板100仍能維持高反射率。
在下文中，前述反射結構與其製造流程將進一步詳細描述。因顯示面板的其他元件可能使用已知技術製造，因此此處省略製造流程與適當材料選擇的詳細說明。
圖2A-2J說明本發明一實施例中顯示面板的反射結構的製造流程。
參照圖2A，提供一基底500，其上方有一絕緣層510。舉例而言，該基底500可能是其中形成有數個主動元件與其它元件的一矽基底。在該絕緣層510上形成一第一金屬複合層520。該第一金屬複合層520是透過依序形成一第一層522、一第二層524與一第一金屬層526而形成。舉例而言，該第一層522可能是透過濺鍍或物理氣相沉積法(PVD)形成的一鈦(Ti)層。舉例而言，該第二層524可能是透過PVD或化學氣相沉積法(CVD)形成的一氮化鈦(TiN)層。該第一金屬層526可能是透過濺鍍、PVD或電鍍形成，由具有高反射性的傳導性金屬所製成，如鋁(Al)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)或鉑(Pt)。特別是該第一金屬層526可能是由鋁所製成。該第一金屬複合層520作為一反射鏡層，以反射通過畫素電極上方的光線。該第一金屬複合層520的厚度沒有特別限制，範圍可能從200nm至1000nm。
參照圖2B，透過微影蝕刻製程來圖案化第一金屬複合層520，以形成至少一穿過第一金屬複合層520的開口S1。
參照圖2C，一第一中間介電層530在圖案化的第一金屬複合層520上形成，並填滿開口S1。舉例而言，該第一中間介電層530可能包含矽氧化物、矽氮氧化物與/或矽氮化物，而可能透過CVD形成。
參照圖2D，進行平坦化製程以移除第一中間介電層530，直到第一金屬複合層520的上表面520a暴露出來，而只剩下剩餘部份531(如填在開口S1中的第一中間介電層530)。平坦化製程可能包含化學機械研磨製程先移除第一中間介電層530的大部份，並接著以回蝕刻製程移除第一中間介電層530，直到其下層的上表面520a暴露出來。
參照圖2E，在第一金屬複合層520上形成一第二中間介電層540，並覆蓋剩餘部份531。舉例而言，該第二中間介電層540可能包含矽氧化物、矽氮氧化物與/或矽氮化物，而可能透過CVD形成。舉例而言，該第二中間介電層540的厚度沒有特別限制，範圍例如可能從300埃至1800埃，特別是1000埃較佳。
參照圖2F，透過微影蝕刻製程來圖案化第二中間介電層540，以形成穿過第二中間介電層540的開口S2。開口S2暴露出第一金屬複合層520的上表面520a。
參照圖2G，形成一第二金屬複合層550於圖案化第二中間介電層540上。該第二金屬複合層550是透過依序形成一第三層552、一第四層554與一第二金屬層556而形成。該第三層552與該第四層554是共形於開口S2形狀而形成的薄層，並沒有填滿開口S2。反之，該第二金屬層556填滿開口S2並覆蓋住該第三層552與該第四層554。舉例而言，該第三層552可能是以濺鍍或PVD形成的一鈦(Ti)層。舉例而言，該第四層554可能是CVD或PVD形成的一氮化鈦(TiN)層。該第二金屬層556可能是透過濺鍍、PVD或電鍍形成，由具有高反射性的傳導性金屬如Al、Ti、 Ta、Ag、Au、Cu或Pt所製成。特別是該第二金屬層556可能是由鋁所製成。該第二金屬複合層550作為另一反射鏡層，以反射通過畫素電極上方的光線。第二中間介電層540與第二金屬複合層550的厚度沒有特別限制，而可以為了實現最佳光學性質(特別是針對結構干擾效應)而作調整。第二金屬複合層550的厚度沒有特別限制，範圍可能從例如300埃至1800埃，特別是1000埃較佳。第二反射鏡層550的材料可能和第一反射鏡層520相同或相異。反射鏡層520、550可能是透過相似製程形成，如物理氣相沉積(PVD)製程，但隨著厚度不同在製程上也可有所變化。
接著，參照圖2H，透過微影蝕刻製程圖案化第二金屬複合層550，以形成至少一開口S3，而該開口S3的深度可控制以暴露出下層的第二中間介電層540。
參照圖2I，在圖案化第二金屬複合層550上形成一第三中間介電層560，並填滿開口S3。舉例而言，該第三中間介電層560可能包含矽氧化物、矽氮氧化物與/或矽氮化物，而其可以透過CVD形成。
參照圖2J，進行平坦化製程以移除第三中間介電層560，直到第二金屬複合層550的上表面550a暴露出來，只剩下剩餘部份561(如填於開口S3中的第三中間介電層560)。平坦化製程可能包含化學機械研磨製程先移除第三中間介電層560的大部份，並接著以回蝕刻製程移除第三中間介電層560，直到下層的上表面550a暴露出來。
前述反射結構主要包含複合結構，其中包含第一反射鏡層520、中間介電層540與第二反射鏡層550以及剩餘部份531與561。
一般而言，上述加工步驟僅為顯示面板完整結構製造加工步驟的一部分，而顯示面板其他元件的製造程序並未進行詳細說明。提供內部具有多個主動元件且上方具有絕緣層的下基底後，即透過上述流程製造所謂反射結構。接著，在圖案化第二金屬複合層上形成另一絕緣層並形成多個導電元件後，在圖案化第二金屬複合層上方形成多個畫素電極與彩色濾片矩陣。之後，在彩色濾片矩陣上方形成一液晶層與一上基底。
如圖3所示，相較於使用單一反射鏡層作為反射結構的顯示面板，本發明所提出的使用雙反射鏡層作為反射結構的顯示面板，可提供更高的反射率，特別是在綠光波長中。此外，相較於使用純鋁環做為反射結構的顯示面板，具有雙反射鏡層的顯示面板能夠達成差不多的反射率。這些面板在525nm的反射值(R)列於表1。
透過畫素電極下方的雙反射鏡層設計反射光線，顯示面板可達到更好的反射表現，特別是在綠光波長範圍。此外，此設計更利於小畫素的顯示面板之設計。
因此，本發明提供具有雙反射鏡層之反射結構的LCD面板，以提升光線的反射率，進而提供高明亮度的高解析度影像。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧顯示面板
200‧‧‧主動矩陣
210‧‧‧下基底
220‧‧‧主動元件
230‧‧‧畫素電極
240‧‧‧反射結構
250‧‧‧導電元件
260‧‧‧第一絕緣層
270‧‧‧第二絕緣層
280‧‧‧絕緣層
290‧‧‧彩色濾片矩陣
300‧‧‧液晶層
310‧‧‧配向層
400‧‧‧上基底
410‧‧‧配向層

Claims (14)

  1. 一種液晶顯示面板的製造方法，包括：提供一基底，其上方具有一絕緣層；在該絕緣層上形成一第一金屬複合層；圖案化該第一金屬複合層，以形成穿過該第一金屬複合層的至少一第一開口；在該圖案化第一金屬複合層上形成一第一中間介電層，並填滿該至少一第一開口；進行一第一平坦化製程，以移除該第一中間介電層，直到該圖案化第一金屬複合層暴露出來；在該圖案化第一金屬複合層上形成一第二中間介電層；圖案化該第二中間介電層，以穿過該第二中間介電層形成第二開口；在該圖案化第二中間介電層上形成一第二金屬複合層；圖案化該第二金屬複合層以形成至少一第三開口；在該圖案化第二金屬複合層上形成一第三中間介電層，並填滿該至少一第三開口；以及進行一第二平坦化製程，以移除該第三中間介電層，直到該圖案化第二金屬複合層暴露出來。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示面板的製造方法，其中形成該第一金屬複合層包含依序在該絕緣層上形成一第一層、一第二層與一第一金屬層。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的液晶顯示面板的製造方法，其中形成該第一層包含透過濺鍍或物理氣相沉積(PVD)形成一 鈦層，而形成該第二層包含透過PVD或化學氣相沉積(CVD)形成一氮化鈦(TiN)層。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的液晶顯示面板的製造方法，其中形成該第一金屬層包含透過濺鍍、PVD或電鍍形成一層的鋁、鈦、鉭、銀、金、銅或鉑。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示面板的製造方法，其中該第一金屬複合層的厚度範圍為200nm至1000nm。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示面板的製造方法，其中該第二中間介電層包含矽氧化物、矽氮氧化物與/或矽氮化物，透過CVD形成。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示面板的製造方法，其中該第二中間介電層的厚度範圍為300埃至1800埃。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示面板的製造方法，其中形成該第二金屬複合層包含依序形成一第三層、一第四層與一第二金屬層。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的液晶顯示面板的製造方法，其中形成該第三層包含透過濺鍍或物理氣相沉積(PVD)形成一鈦層，而形成該第四層包含透過PVD或化學氣相沉積(CVD)形成一氮化鈦(TiN)層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的液晶顯示面板的製造方法，其中該第三層與該第四層共形形成覆蓋該些第二開口的表面，而不填滿該些第二開口。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的液晶顯示面板的製造方法，其中形成該第二金屬層包含透過濺鍍、PVD或電鍍形成一層 的鋁、鈦、鉭、銀、金、銅或鉑。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示面板的製造方法，其中該第二金屬複合層的厚度範圍為300埃至1800埃。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示面板的製造方法，還包括在該圖案化第二金屬複合層上形成另一絕緣層，並在該圖案化第二金屬複合層上方形成多個畫素電極與一彩色濾片矩陣。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的液晶顯示面板的製造方法，還包括在該彩色濾片矩陣上方形成一液晶層與一上基底。
TW103107063A 2014-01-24 2014-03-03 液晶顯示面板製程 TWI519850B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/163,869 US20150212357A1 (en) 2014-01-24 2014-01-24 Manufacturing process for liquid crystal display panel

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201530217A true TW201530217A (zh) 2015-08-01
TWI519850B TWI519850B (zh) 2016-02-01

Family

ID=53678889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103107063A TWI519850B (zh) 2014-01-24 2014-03-03 液晶顯示面板製程

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20150212357A1 (zh)
TW (1) TWI519850B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9997548B1 (en) * 2017-05-11 2018-06-12 Himax Technologies Limited Method of fabricating semiconductor display apparatus
CN111880343B (zh) * 2020-08-27 2022-04-05 豪威半导体（上海）有限责任公司 硅基液晶器件以及硅基液晶显示面板

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW426980B (en) * 1999-01-23 2001-03-21 Lucent Technologies Inc Wire bonding to copper
CN100483235C (zh) * 2006-12-04 2009-04-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 硅基液晶显示器单元及其形成方法
US7863145B2 (en) * 2008-09-19 2011-01-04 Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation Method and resulting structure using silver for LCOS devices
JP2013024996A (ja) * 2011-07-19 2013-02-04 Japan Display Central Co Ltd 液晶表示装置
US9341884B2 (en) * 2013-09-23 2016-05-17 United Microelectronics Corp. LCOS device and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
TWI519850B (zh) 2016-02-01
US20150212357A1 (en) 2015-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7700389B2 (en) Method of improving the flatness of a microdisplay surface and method of manufacturing liquid crystal on silicon (LCOS) display panel the same
TWI229213B (en) Method of manufacturing semitransparent display device and semitransparent display device
WO2018228108A1 (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
TWI513005B (zh) 薄膜電晶體及其製造方法
WO2018184279A1 (zh) Tft基板的制作方法及tft基板
US7863145B2 (en) Method and resulting structure using silver for LCOS devices
TWI519850B (zh) 液晶顯示面板製程
TWI591820B (zh) 低反射金屬結構、顯示面板及其製作方法
US20180097015A1 (en) Manufacture method of array substrate and array substrate manufactured by the method
JP2017134138A (ja) 液晶表示装置および電子機器
US9341884B2 (en) LCOS device and method of fabricating the same
US20170010503A1 (en) Reflective liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US8339553B2 (en) Method and structure for top metal formation of liquid crystal on silicon devices
US9449997B2 (en) Electro-optical device, electronic apparatus, and method for manufacturing electro-optical device
US20110109856A1 (en) Method and structure for electro-plating aluminum species for top metal formation of liquid crystal on silicon displays
TWI450005B (zh) 半穿透半反射式液晶顯示面板及其製作方法
JP2008015013A (ja) 反射型液晶表示パネル及びそれに用いる半導体基板の製造方法
US20130250219A1 (en) Liquid crystal on silicon display panel and method for manufacturing the same
CN104900587A (zh) 液晶显示面板的制造方法
TWI390292B (zh) 半穿透半反射式液晶顯示面板及其製作方法
TWI427376B (zh) 顯示器及其製作方法
TW201003841A (en) Pixel structures and fabricating methods thereof
TWI589974B (zh) 液晶顯示器面板及其畫素單元的製備方法
TWI321854B (en) Transflective pixel structure and fabricating method thereof
TWI457676B (zh) 畫素結構及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees