TW201525449A - 偏光膜之缺陷檢出裝置及方法 - Google Patents

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TW201525449A TW103144174A TW103144174A TW201525449A TW 201525449 A TW201525449 A TW 201525449A TW 103144174 A TW103144174 A TW 103144174A TW 103144174 A TW103144174 A TW 103144174A TW 201525449 A TW201525449 A TW 201525449A
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Jae-Young Heo
Jae-Hyun Park
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Dongwoo Fine Chem Co Ltd
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Abstract

本發明提供一種偏光膜之缺陷檢出裝置及方法。 該偏光膜之缺陷檢出裝置之特徵在於具備：接收部，其接收自動光學檢查機所檢查之偏光膜之檢查結果；及檢出部，其分析上述檢查結果而檢出偏光膜之缺陷；且上述檢出部基於缺陷類型(Defect Type)、δX(Dx)、δY(Dy)、區域(Area)、密度(Density)、尺寸(Size)、峰值(Peak)、厚度(Thickness)中之2個以上之參數，判別上述偏光膜之缺陷形態為接合異物、接合氣泡、異物、亮點、刮痕、群集性亮點、單條線中之至少任一者。

Description

偏光膜之缺陷檢出裝置及方法
本發明係關於一種偏光膜之缺陷檢出裝置及方法，更詳細而言，本發明係關於一種使用自動光學檢查機之檢查結果，即時地自動檢出所生產之偏光膜之不良的系統及方法。
於生產用作LCD光學材料之偏光膜之製造商，為快速且實時地檢查所生產之製品而利用有線內(IN-LINE)自動光學檢查系統(Automated Optical Inspection System，以下稱為「自動光學檢查機」)。一般而言，線內自動光學檢查機會對缺陷之產生部位附加油墨或附加條碼標記，於後續步驟中將附加有油墨或附加條碼標記之部位丟棄或對其進行進一步檢查。
然而，於上述缺陷在特定時間點集中而連續產生之情形時，或有微細缺陷等實際上並不明確是否產生缺陷之情形時，因上述自動光學檢查機之過負載及硬體性能之問題，而有無法對上述所有缺陷之產生部位無遺漏地附加標記之不良狀況。再者，有陷入缺陷之產生部位未被附加標記之製品在後續步驟中未被識別為不良品而提供給顧客公司之狀況之虞。由於該理由，於後續步驟中檢查員最終藉由目視而檢查製品，但此種目視檢查作業存在高成本、費事之問題。
進而，於先前技術中，有如下問題：僅可取得只使用偏光膜圓盤 內檢出之缺陷數之缺陷產生率之資訊，故而無法考慮缺陷之流出(即對缺陷產生部位之標記之遺漏)可能性。
另一方面，提出有自動地抽取形成有複數個分別具有複數個記憶胞之晶片之半導體晶圓之致命不良的不良解析系統及方法(例如參照下述專利文獻1)，但上述不良解析系統及方法中，係僅考慮X、Y方向性之不良而判別良否，故而存在無法精度良好地判別接合異物、接合氣泡、異物、亮點、刮痕、群集性亮點、單條線等各種缺陷之問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：韓國公開專利第2000-0077024號公報
本發明係為消除上述問題而提出者，其目的在於提供一種可使用自動光學檢查機之檢查結果而即時地自動檢出所生產之偏光膜之不良的裝置及方法。
本發明之其他目的在於提供一種可精度良好地判別接合異物、接合氣泡、異物、亮點、刮痕、群集性亮點、單條線等偏光膜之各種缺陷的偏光膜之缺陷檢出裝置及方法。
為達成上述目的，本發明提供一種偏光膜之缺陷檢出裝置，其特徵在於具備：接收部，其接收自動光學檢查機所檢查之偏光膜之檢查結果；及檢出部，其分析上述檢查結果而檢出偏光膜之缺陷；且上述檢出部基於缺陷類型(Defect Type)、δX(Dx)、δY(Dy)、區域(Area)、密度(Density)、尺寸(Size)、峰值(Peak)、厚度(Thickness)中之2個以上之參數，判別上述偏光膜之缺陷形態為接合異物、接合氣泡、異物、亮點、刮痕、群集性亮點、單條線中之至少任一者。
又，為達成上述目的，本發明提供一種偏光膜之缺陷檢出方法，其特徵在於包含如下步驟：接收自動光學檢查機所檢查之偏光膜之檢查結果；及分析上述檢查結果而檢出偏光膜之缺陷；且於上述檢出缺陷之步驟中，基於缺陷類型(Defect Type)、δX(Dx)、δY(Dy)、區域(Area)、密度(Density)、尺寸(Size)、峰值(Peak)、厚度(Thickness)中之2個以上之參數，判別上述偏光膜之缺陷形態為接合異物、接合氣泡、異物、亮點、刮痕、群集性亮點、單條線中之至少任一者。
根據本發明之偏光膜之缺陷檢出裝置及方法，可使用自動光學檢查機之檢查結果，即時地自動檢出所生產之偏光膜之不良。尤其係，可基於缺陷類型(Defect Type)、δX(Dx)、δY(Dy)、區域(Area)、密度(Density)、尺寸(Size)、峰值(Peak)、厚度(Thickness)等，精度良好地判別偏光膜之缺陷形態為接合異物、接合氣泡、異物、亮點、刮痕、群集性亮點、單條線等。
又，藉此無需作業員(運行員)之不良之分析過程，且立即判別缺陷要因，藉此可縮短偏光膜之不良產生區間。
10‧‧‧偏光膜
11‧‧‧編碼器
12‧‧‧輥
20‧‧‧光學裝置
21‧‧‧照明裝置
22‧‧‧攝像裝置
30‧‧‧標記系統
31‧‧‧標記機構
32‧‧‧標記控制部
40‧‧‧影像分析/檢查裝置
50‧‧‧輸出裝置
60‧‧‧顯示裝置
70‧‧‧管理者之伺服器
100‧‧‧偏光膜之缺陷檢出裝置
110‧‧‧接收部
120‧‧‧儲存部
130‧‧‧檢出部
140‧‧‧告知部
S310~S950‧‧‧步驟
圖1係表示本發明中可採用之自動光學檢查機之一例之構成圖。
圖2係本發明之一實施形態之偏光膜之缺陷檢出裝置之構成圖。
圖3係表示本發明之一實施形態之接合異物檢出算法之圖。
圖4係表示本發明之一實施形態之接合氣泡檢出算法之圖。
圖5係表示本發明之一實施形態之異物檢出算法之圖。
圖6係表示本發明之一實施形態之亮點檢出算法之圖。
圖7係表示本發明之一實施形態之刮痕檢出算法之圖。
圖8係表示本發明之一實施形態之群集性亮點檢出算法之圖。
圖9係表示本發明之一實施形態之單條線檢出算法之圖。
以下，基於隨附圖式，詳細地說明本發明之偏光膜之缺陷檢出裝置及方法。
首先，為有助於理解本發明，簡單地說明自動光學檢查機。圖1係表示對偏光膜進行缺陷檢查之自動光學檢查機之一例的圖。
所製作之偏光膜係被一圈一圈地捲成圓盤狀而予以保存，此種偏光膜圓盤於缺陷檢查時係自捲出部(未圖示)被捲出後由輥12朝特定之行進方向搬送。此時，偏光膜10之搬送速度係利用編碼器11等速度感知裝置感知，以後用於產生缺陷產生部位之資訊。
此時，上述自動光學檢查機具備具有至少一個照明裝置21、及與其對應之至少一個攝像裝置22之光學裝置20，藉此可取得上述搬送中之偏光膜之光學影像。
光學裝置20之構成及設計方式根據使用上述自動光學檢查機欲檢出之缺陷之項目(即種類及內容)不同而相異，一般而言，於自動光學檢查機中係對偏光膜進行透過檢查、反射檢查、偏光遮斷檢查(所謂之交叉檢查)等。
因此，光學裝置20被設計成：根據要檢查之缺陷項目而選擇性或並列地驅動反射照明及與其對應之攝像裝置、透過照明及與其對應之攝像裝置等，藉此取得用於檢出各種缺陷類型之光學影像。
然後，將以此方式經由光學裝置20取得之光學影像傳送至影像分析/檢查裝置40，影像分析/檢查裝置40對所傳送之光學影像進行分析，藉此檢出偏光膜中存在之各種缺陷。再者，影像分析/檢查裝置40產生與所檢出之缺陷相關之資料(以下稱為「檢查結果資料」)並進行儲存。
此時，將基於上述檢查結果資料之缺陷之產生部位傳送至標記系統30，上述標記系統30之標記控制部32藉由控制標記機構31，而對應於上述缺陷之產生部位對上述偏光膜實施缺陷標記。
又，上述檢查結果資料被傳送至輸出裝置50、顯示裝置60等，並輸出其結果，將此結果傳送至管理者之伺服器70進行儲存及管理。
如上述般缺陷檢查結束後之偏光膜藉由捲取部(未圖示)而再次被捲起，藉此保存為原本之圓盤狀。
自動光學檢查機之檢查結果資料一般係以資料庫或電子表格等檔案形式被儲存。自動光學檢查機產生缺陷之亮度、寬度、長度、尺寸(面積)、形狀(圓形性/線形性)、檢出光學群(投射/反射/偏光遮斷)等各種資料作為單個偏光膜圓盤LOT之檢查結果而進行儲存。
此時，於傳送上述檢查結果資料時，為確保多個使用者或管理者之可近性，而使用檔案傳送協定(FTP：file transfer protocol)。以此方式傳送之檢查結果資料被儲存於本發明之偏光膜之缺陷檢出裝置內之儲存部，為實現分析格式之一元化而經由資料轉換部將其轉化成特定之共通格式。此處，上述共通格式為作為資料語言之標記語言、例如可擴展之標記語言(XML：Extensible Markup Language)、超文件標記語言(HTML：Hypertext Markup Language)等。因此，以後資料分析係利用經轉換之XML等進行。
然而，如上所述之檢查結果資料之轉換，係以存在檢查機儲存資料形式各線不同之情形為前提，為分析自不同機型之檢查機取得之資料而轉化成一元化之共通格式，與此不同地，於檢查機之儲存資料形式均相同之情形時，可省略資料之轉換過程。再者，即便於各儲存資料形式不同之情形時亦可將各資料形式合併而進行資料分析，故而此種情形時當然亦可省略資料轉換過程。
以下，基於圖2至圖9，對本發明之偏光膜之缺陷檢出裝置及方法進行說明。作為參考，本發明之偏光膜之缺陷檢出裝置可藉由上述影像分析/檢查裝置40本身或其一部分而實現，或者亦可藉由其他裝置而實現。
圖2係本發明之一實施形態之偏光膜之缺陷檢出裝置之構成圖。參照圖2，本發明之一實施形態之偏光膜之缺陷檢出裝置100具備接收部110、儲存部120、檢出部130、及告知部140等。
首先，接收部110接收與自動光學檢查機所檢查之偏光膜相關之檢查結果資料。再者，儲存部120儲存上述接收之檢查結果資料。
此處，檢查結果資料係如上述般表示自動光學檢查機之檢查結果的資料，於本發明之較佳實施形態之情形時，包含與缺陷類型(Defect Type)、δX(Dx)、δY(Dy)、區域(Area)、密度(Density)、尺寸(Size)、峰值(Peak)、厚度(Thickness)等相關之資訊。
作為參考，下述表1係表示缺陷類型(Defect Type)、δX(Dx)、δY(Dy)、區域(Area)、密度(Density)、尺寸(Size)、峰值(Peak)、厚度(Thickness)之參數定義者。
參照表1，δX(Dx)表示識別為缺陷之區域之X軸(偏光膜之寬度方向)尺寸，δY(Dy)表示識別為缺陷之區域之Y軸(偏光膜之長邊方向)尺寸。上述δX(Dx)與δY(Dy)係以像素為基準而設定，例如於識別為缺陷 之區域之X軸像素之數上乘以X軸空間解像度(X軸像素之實際尺寸)，於識別為缺陷之區域之Y軸像素之數上乘以Y軸空間解像度(Y軸像素之實際尺寸)而決定。區域(Area)表示識別為缺陷之總區域。上述區域(Area)亦同樣地以像素為基準而設定，例如於識別為缺陷之總像素之數上乘以像素之實際單位面積而決定。密度(Density)表示識別為缺陷之區域之X軸及Y軸之全體之四邊形面積中識別為缺陷之區域實際所占之比例、即Area×100/(Dx×Dy)。尺寸(Size)表示缺陷之尺寸，於本發明之一實施形態中，係取δX(Dx)與δY(Dy)之平均而推斷缺陷之尺寸。峰值(Peak)表示識別為缺陷之部分之亮度之最高值/最低值與周圍平均亮度之差量。作為參考，上述亮度於顯示於監控器上時可將黑色換算成0之數位值、將白色換算成255之數位值而以0~255之值進行顯示。厚度(Thickness)表示缺陷之厚度，於本發明之一實施形態中，係基於Area/(√Dx2+Dy2)而推斷缺陷之厚度。缺陷類型(Defect Type)分為黑缺陷(黑點)、白缺陷(白點)、及黑白缺陷(凹凸狀)，黑缺陷(黑點)表示較基準陰影(Gray)低(暗)之缺陷，白缺陷(白點)表示較基準陰影(Gray)高(亮)之缺陷，黑白缺陷(凹凸狀)表示包含較基準陰影(Gray)高及較基準陰影(Gray)低之部分的缺陷。
檢出部130分析上述檢查結果資料而檢出偏光膜之缺陷。關於此，圖3至圖9表示本發明之實施形態之檢出算法，以下參照圖3至圖9，對上述檢出部130進行之本發明之偏光膜之缺陷檢出方法進行說明。
圖3係表示本發明之一實施形態之接合異物檢出算法之圖。
參照圖3，於步驟S310中，檢出部130判斷缺陷類型(Defect Type)是否為凹凸狀(黑白缺陷)，於缺陷類型(Defect Type)並非凹凸狀(黑白缺陷)之情形時跳過(Skip)。假設，於缺陷類型(Defect Type)為凹凸狀(黑白缺陷)之情形時，在步驟S320中，檢出部130判斷尺寸(Size)是否為300μm以上，於尺寸(Size)並非300μm以上之情形時跳過(Skip)。而且，假 設，於尺寸(Size)為300μm以上之情形時，在步驟S330中，檢出部130判別該偏光膜之缺陷形態為接合異物。
圖4係表示本發明之一實施形態之接合氣泡檢出算法之圖。
參照圖4，於步驟S410中，檢出部130判斷缺陷類型(Defect Type)是否為黑點(黑缺陷)，於缺陷類型(Defect Type)並非黑點(黑缺陷)之情形時跳過(Skip)。假設，於缺陷類型(Defect Type)為黑點(黑缺陷)之情形時，在步驟S420中，檢出部130判斷尺寸(Size)是否為100μm以上且未達540μm，於尺寸(Size)並非為100μm以上且未達540μm之情形時跳過(Skip)。假設，於尺寸(Size)為100μm以上且未達540μm之情形時，在步驟S430中，檢出部130判斷區域(Area)是否為90μm2以上且1140μm2以下，於區域(Area)並非90μm2以上且1140μm2以下之情形時跳過(Skip)。假設，於區域(Area)為90μm2以上且1140μm2以下之情形時，在步驟S440中，檢出部130判斷δX(Dx)是否為120μm以上且780μm以下，於δX(Dx)並非120μm以上且780μm以下之情形時跳過(Skip)。假設，於δX(Dx)為120μm以上且780μm以下之情形時，在步驟S450中，檢出部130判斷δY(Dy)是否為210μm以下，於δY(Dy)並非210μm以下之情形時跳過(Skip)。假設，於δY(Dy)為210μm以下之情形時，在步驟S460中，檢出部130判斷厚度(Thickness)是否未達66μm，於厚度(Thickness)並非未達66μm之情形時跳過(Skip)。假設，於厚度(Thickness)未達66μm之情形時，在步驟S470中，檢出部130判斷峰值(Peak)是否未達20，於峰值(Peak)並非未達20之情形時跳過(Skip)。假設，於峰值(Peak)未達20之情形時，在步驟S480中，檢出部130判別該偏光膜之缺陷形態為接合氣泡。
圖5係表示本發明之一實施形態之異物檢出算法之圖。
參照圖5，於步驟S510中，檢出部130判斷缺陷類型(Defect Type)是否為黑點(黑缺陷)，於缺陷類型(Defect Type)並非黑點(黑缺陷)之情 形時跳過(Skip)。假設，於缺陷類型(Defect Type)為黑點(黑缺陷)之情形時，在步驟S520中，檢出部130判斷尺寸(Size)是否為160μm以下，於尺寸(Size)並非160μm以下之情形時跳過(Skip)。假設，於尺寸(Size)為160μm以下之情形時，在步驟S530中，檢出部130判斷區域(Area)是否為300μm2以下，於區域(Area)並非300μm2以下之情形時跳過(Skip)。假設，於區域(Area)為300μm2以下之情形時，在步驟S540中，檢出部130判斷δX(Dx)是否為150μm以下，於δX(Dx)並非150μm以下之情形時跳過(Skip)。假設，於δX(Dx)為150μm以下之情形時，在步驟S550中，檢出部130判別該偏光膜之缺陷形態為異物。
圖6係表示本發明之一實施形態之亮點檢出算法之圖。
參照圖6，於步驟S610中，檢出部130判斷缺陷類型(Defect Type)是否為白點(白缺陷)，於缺陷類型(Defect Type)並非白點(白缺陷)之情形時跳過(Skip)。假設，於缺陷類型(Defect Type)為白點(白缺陷)之情形時，在步驟S620中，檢出部130判斷峰值(Peak)是否為16以上，於峰值(Peak)並非16以上之情形時跳過(Skip)。假設，於峰值(Peak)為16以上之情形時，在步驟S630中，檢出部130判斷δY(Dy)是否為450μm以下，於δY(Dy)並非450μm以下之情形時跳過(Skip)。假設，於δY(Dy)為450μm以下之情形時，在步驟S640中，檢出部130判別該偏光膜之缺陷形態為亮點。
圖7係表示本發明之一實施形態之刮痕檢出算法之圖。
參照圖7，於步驟S710中，檢出部130判斷缺陷類型(Defect Type)是否為白點(白缺陷)，於缺陷類型(Defect Type)並非白點(白缺陷)之情形時跳過(Skip)。假設，於缺陷類型(Defect Type)為白點(白缺陷)之情形時，在步驟S720中，檢出部130判斷δX(Dx)是否為105μm以下，於δX(Dx)並非105μm以下之情形時跳過(Skip)。假設，於δX(Dx)為105μm以下之情形時，在步驟S730中，檢出部130判斷δY(Dy)是否為150μm 以上，於δY(Dy)並非150μm以上之情形時跳過(Skip)。假設，於δY(Dy)為150μm以上之情形時，在步驟S740中，檢出部130判斷峰值(Peak)是否為50以下，於峰值(Peak)並非50以下之情形時跳過(Skip)。假設，於峰值(Peak)為50以下之情形時，在步驟S750中，檢出部130判別該偏光膜之缺陷形態為刮痕。
圖8係表示本發明之一實施形態之群集性亮點檢出算法之圖。
參照圖8，於步驟S810中，檢出部130判斷缺陷類型(Defect Type)是否為白點(白缺陷)，於缺陷類型(Defect Type)並非白點(白缺陷)之情形時跳過(Skip)。假設，於缺陷類型(Defect Type)為白點(白缺陷)之情形時，在步驟S820中，檢出部130判斷δX(Dx)與δY(Dy)之差量是否為45μm以上，於δX(Dx)與δY(Dy)之差量並非45μm以上之情形時跳過(Skip)。假設，於δX(Dx)與δY(Dy)之差量為45μm以上之情形時，在步驟S830中，檢出部130判斷峰值(Peak)是否為16以上，於峰值(Peak)並非16以上之情形時跳過(Skip)。假設，於峰值(Peak)為16以上之情形時，在步驟S840中，檢出部130判斷δX(Dx)是否為420μm以下，於δX(Dx)並非420μm以下之情形時跳過(Skip)。假設，於δX(Dx)為420μm以下之情形時，在步驟S850中，檢出部130判斷δY(Dy)是否為1260μm以下，於δY(Dy)並非1260μm以下之情形時跳過(Skip)。假設，於δY(Dy)為1260μm以下之情形時，在步驟S860中，檢出部130判斷密度(Density)是否為7.5以下，於密度(Density)並非7.5以下之情形時跳過(Skip)。假設，於密度(Density)為7.5以下之情形時，在步驟S870中，檢出部130判別該偏光膜之缺陷形態為群集性亮點。
圖9係表示本發明之一實施形態之單條線檢出算法之圖。
參照圖9，於步驟S910中，檢出部130判斷峰值(Peak)是否為50以上，於峰值(Peak)並非50以上之情形時跳過(Skip)。假設，於峰值(Peak)為50以上之情形時，在步驟S920中，檢出部130判斷密度(Density)是否 為6.75以下，於密度(Density)並非6.75以下之情形時跳過(Skip)。假設，於密度(Density)為6.75以下之情形時，在步驟S930中，檢出部130判斷厚度(Thickness)是否為42μm以上，於厚度(Thickness)並非42μm以上之情形時跳過(Skip)。假設，於厚度(Thickness)為42μm以上之情形時，在步驟S940中，檢出部130判斷δX(Dx)是否為150μm以上，於δX(Dx)並非150μm以上之情形時跳過(Skip)。假設，於δX(Dx)為150μm以上之情形時，在步驟S950中，檢出部130判別該偏光膜之缺陷形態為單條線。
另一方面，根據本發明之較佳實施形態，上述檢出部130於無法檢出接合異物、接合氣泡、異物、亮點、刮痕、群集性亮點、單條線中之任一缺陷形態而跳過(Skip)之情形時，再次進行檢出以發現其他缺陷形態。
例如，檢出部130進行接合異物檢出算法時，於無法檢出接合異物而跳過(Skip)之情形時，進行接合氣泡檢出算法。而且，假設，於進行接合氣泡檢出算法時，無法檢出接合氣泡而跳過(Skip)之情形時，再次進行異物檢出算法，對各種缺陷形態進行檢出。
返回至圖2中，告知部140經由輸出裝置(例如顯示器、缺陷告知裝置等)而向外部告知上述檢出部130所檢出之缺陷形態，讓檢收偏光膜之作業員(運行員)可立即把握缺陷形態而可快速地消除與此對應之缺陷要因。
以上，參照本發明之實施形態對本發明進行了詳細說明，但對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者而言此種具體技術僅為簡單的較佳實現例，當然不可由此限制本發明之範圍。例如，上述各缺陷檢出算法中構成算法之個別之步驟的順序即便有變更亦可實現相同的檢出機能，且各缺陷檢出算法之順序亦可變更。
由此，於本發明所屬技術領域具有通常知識者可基於上述內容而 在本發明之範圍內進行各種應用及變化，由此本發明之實質性範圍應由隨附之申請專利範圍及其等價物定義。
100‧‧‧偏光膜之缺陷檢出裝置
110‧‧‧接收部
120‧‧‧儲存部
130‧‧‧檢出部
140‧‧‧告知部

Claims (20)

  1. 一種偏光膜之缺陷檢出裝置，其特徵在於具備：接收部，其接受自動光學檢查機所檢查之偏光膜之檢查結果；及檢出部，其分析上述檢查結果而檢出偏光膜之缺陷；且上述檢出部基於缺陷類型(Defect Type)、δX(Dx)、δY(Dy)、區域(Area)、密度(Density)、尺寸(Size)、峰值(Peak)、厚度(Thickness)中之2個以上之參數，判別上述偏光膜之缺陷形態為接合異物、接合氣泡、異物、亮點、刮痕、群集性亮點、單條線中之至少任一者。
  2. 如請求項1之裝置，其進而具備告知部，該告知部經由輸出裝置告知上述檢出部所檢出之缺陷形態。
  3. 如請求項1或2之裝置，其中上述檢出部於缺陷類型(Defect Type)為凹凸狀、且尺寸(Size)為300μm以上之情形時，判別上述偏光膜之缺陷形態為接合異物。
  4. 如請求項1或2之裝置，其中上述檢出部於缺陷類型(Defect Type)為黑點、尺寸(Size)為100μm以上且未達540μm、區域(Area)為90μm2以上且1140μm2以下、δX(Dx)為120μm以上且780μm以下、δY(Dy)為210μm以下、厚度(Thickness)未達66μm、且峰值(Peak)未達20之情形時，判別上述偏光膜之缺陷形態為接合氣泡。
  5. 如請求項1或2之裝置，其中上述檢出部於缺陷類型(Defect Type)為黑點、尺寸(Size)為160μm以下、區域(Area)為300μm2以下、且δX(Dx)為150μm以下之情形時，判別上述偏光膜之缺陷形態為異物。
  6. 如請求項1或2之裝置，其中上述檢出部於缺陷類型(Defect Type)為白點、峰值(Peak)為16以上、且δY(Dy)為450μm以下之情形時， 判別上述偏光膜之缺陷形態為亮點。
  7. 如請求項1或2之裝置，其中上述檢出部於缺陷類型(Defect Type)為白點、δX(Dx)為105μm以下、δY(Dy)為150μm以上、且峰值(Peak)為50以下之情形時，判別上述偏光膜之缺陷形態為刮痕。
  8. 如請求項1或2之裝置，其中上述檢出部於缺陷類型(Defect Type)為白點、δX(Dx)與δY(Dy)之差量為45μm以上、峰值(Peak)為16以上、δX(Dx)為420μm以下、δY(Dy)為1260μm以下、且密度(Density)為7.5以下之情形時，判別上述偏光膜之缺陷形態為群集性亮點。
  9. 如請求項1或2之裝置，其中上述檢出部於峰值(Peak)為50以上、密度(Density)為6.75以下、厚度(Thickness)為42μm以上、且δX(Dx)為150μm以上之情形時，判別上述偏光膜之缺陷形態為單條線。
  10. 如請求項1或2之裝置，其中上述檢出部於無法檢出接合異物、接合氣泡、異物、亮點、刮痕、群集性亮點、單條線中之任一缺陷形態而跳過(Skip)之情形時，再次檢出其他缺陷形態。
  11. 一種偏光膜之缺陷檢出方法，其特徵在於包含如下步驟：接收自動光學檢查機所檢查之偏光膜之檢查結果；及分析上述檢查結果而檢出偏光膜之缺陷；且於上述檢出缺陷之步驟中，基於缺陷類型(Defect Type)、δX(Dx)、δY(Dy)、區域(Area)、密度(Density)、尺寸(Size)、峰值(Peak)、厚度(Thickness)中之2個以上之參數，判別上述偏光膜之缺陷形態為接合異物、接合氣泡、異物、亮點、刮痕、群集性亮點、單條線中之至少任一者。
  12. 如請求項11之方法，其進而包含如下步驟：經由輸出裝置告知上述檢出之缺陷形態。
  13. 如請求項11或12之方法，其中於上述檢出步驟中，於缺陷類型(Defect Type)為凹凸狀、且尺寸(Size)為300μm以上之情形時，判別上述偏光膜之缺陷形態為接合異物。
  14. 如請求項11或12之方法，其中於上述檢出步驟中，於缺陷類型(Defect Type)為黑點、尺寸(Size)為100μm以上且未達540μm、區域(Area)為90μm2以上且1140μm2以下、δX(Dx)為120μm以上且780μm以下、δY(Dy)為210μm以下、厚度(Thickness)未達66μm、且峰值(Peak)未達20之情形時，判別上述偏光膜之缺陷形態為接合氣泡。
  15. 如請求項11或12之方法，其中於上述檢出步驟中，於缺陷類型(Defect Type)為黑點、尺寸(Size)為160μm以下、區域(Area)為300μm2以下、且δX(Dx)為150μm以下之情形時，判別上述偏光膜之缺陷形態為異物。
  16. 如請求項11或12之方法，其中於上述檢出步驟中，於缺陷類型(Defect Type)為白點、峰值(Peak)為16以上、且δY(Dy)為450μm以下之情形時，判別上述偏光膜之缺陷形態為亮點。
  17. 如請求項11或12之方法，其中於上述檢出步驟中，於缺陷類型(Defect Type)為白點、δX(Dx)為105μm以下、δY(Dy)為150μm以上、且峰值(Peak)為50以下之情形時，判別上述偏光膜之缺陷形態為刮痕。
  18. 如請求項11或12之方法，其中於上述檢出步驟中，於缺陷類型(Defect Type)為白點、δX(Dx)與δY(Dy)之差量為45μm以上、峰值(Peak)為16以上、δX(Dx)為420μm以下、δY(Dy)為1260μm以下、且密度(Density)為7.5以下之情形時，判別上述偏光膜之缺陷形態為群集性亮點。
  19. 如請求項11或12之方法，其中於上述檢出步驟中，於峰值(Peak) 為50以上、密度(Density)為6.75以下、厚度(Thickness)為42μm以上、且δX(Dx)為150μm以上之情形時，判別上述偏光膜之缺陷形態為單條線。
  20. 如請求項11或12之方法，其中於上述檢出步驟中，於無法檢出接合異物、接合氣泡、異物、亮點、刮痕、群集性亮點、單條線中之任一缺陷形態而跳過(Skip)之情形時，再次檢出其他缺陷形態。
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