TW201524927A - 蝕刻玻璃基板之裝置及使用該裝置之蝕刻玻璃基板的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之實施例提供一種裝置用以蝕刻一玻璃基板且一種方法使用該裝置蝕刻玻璃基板之方法。在蝕刻玻璃基板的方法中，玻璃基板固定於卡匣中並維持於彎曲狀態。接著蝕刻物供應至玻璃基板表面。

Description

蝕刻玻璃基板之裝置及使用該裝置之蝕刻玻璃基板的方法
本發明係有關於一種裝置，特別係有關於一種用於蝕刻一玻璃基板及一種使用該裝置蝕刻玻璃基板的方法。
現今玻璃基板應用於顯示面板如TFT-LCD面板。玻璃基板包括薄膜電晶體、液晶及色彩濾光片需要盡可能厚度越小越好以達到減少顯示面板的重量及厚度。為達此目的，玻璃基板與變薄製程相關如機構拋光、化學拋光等。雖然機構拋光製程用於顯示器初始開發階段，即並不需要非常薄之面板，現今最近需要超薄產品的需求，導致化學拋光的廣泛應用，因其可確保較佳生產量及製程控制成果。在化學蝕刻中，一氫氟酸溶液用做蝕刻物且與玻璃基板(二氧化矽)依據反應式反應。
SiO2+4HF → SiF4+2H2O----------------(1)
使用蝕刻物包括氫氟酸蝕刻一玻璃基板的製程包含擴散蝕刻物於接近玻璃基板之擴散層、吸收蝕刻物元件至玻璃基板表面、允許化學反應於蝕刻物元件及玻璃基板間、由玻璃基板分離反應物及由擴散層上移除反應產物。
化學反應關於此化學原則分類根據蝕刻物供應及 反應物跨擴散方式而落入浸洗、噴灑等方法。浸洗法為將待蝕刻之玻璃基板表面藉由將玻璃基板浸入蝕刻物槽中進行。於浸洗方法中，因為蝕刻藉由充滿蝕刻物之蝕刻槽進行，大量玻璃基板可同時蝕刻，因而能提供高生產量。然而因為反應產物在蝕刻後仍留在玻璃基板表面，浸洗方法造成最終玻璃基板表面品質不佳。因此，近年來噴灑方法於習知中廣泛應用。於噴灑方法中，蝕刻製程藉由玻璃基板上方或是側邊噴灑或是倒入蝕刻物以沿著玻璃基板表面流動。
舉例來說，韓國專利號No.10-2013-0093204A及No.10-1068113等揭露依據噴灑方法使用一裝置蝕刻玻璃基板之蝕刻方法。
本發明提供一種方法用於蝕刻一玻璃基板，其藉由噴灑方法的蝕刻過程中防止玻璃基板由卡匣中分離，以確保蝕刻可靠度。
本發明同時提供一種裝置，用於蝕刻一玻璃基板，以確保蝕刻可靠度。
依據本發明中之一目的，提供蝕刻一玻璃基板之方法。在玻璃基板蝕刻方法中，首先，玻璃基板以彎曲狀態固定於一卡匣中。其次，一蝕刻物供應至玻璃基板之表面。
依據本發明之另一目的，提供蝕刻一玻璃基板之方法。在玻璃基板蝕刻方法中，首先，準備具有無限大曲律半徑之一玻璃基板。固定玻璃基板於具有一第一曲率半徑之工作桌且彎曲玻璃基板以具有第一曲率半徑。然後放置玻璃基板於 一工作卡匣以固定玻璃基板具有第一曲率半徑。供應一蝕刻物至工作卡匣以允許玻璃基板處於彎曲狀態下蝕刻。
依據本發明之另一目的，提供蝕刻一玻璃基板之方法。在玻璃基板蝕刻方法中，首先，準備具有無限大曲律半徑之一玻璃基板。藉由真空治具彎曲玻璃基板以具有第一曲率半徑並包括複數個可調整長度之傳送臂。然後放置玻璃基板於一工作卡匣以固定玻璃基板具有第一曲率半徑。供應一蝕刻物至工作卡匣以允許玻璃基板處於彎曲狀態下蝕刻。
依據本發明之另一目的，提供蝕刻一玻璃基板之裝置。此裝置包括：一卡匣，用於容納一玻璃基板以使玻璃基板維持彎曲狀態；一注入噴嘴，以讓用於玻璃基板之一蝕刻物注入至卡匣中及一傳送單元，用以傳送玻璃基板進出卡匣。卡匣具有一相反側設置之一第一收納部以收納玻璃基板。卡匣具有一低支撐座包括一第二收納部於側向方向不同於卡匣之第一收納部的位置設置，以允許玻璃基板位於彎曲狀態。
依據本發明之又一目的，提供蝕刻一玻璃基板之裝置。此裝置包括：一卡匣，用於容納一玻璃基板；一注入噴嘴，以讓用於玻璃基板之一蝕刻物注入至卡匣中及一傳送單元，用以傳送玻璃基板進出卡匣；其中卡匣具有一相反側設置之一第一收納部以收納玻璃基板且包括一支撐結構由鄰近於第一收納部相反側延伸至面對玻璃基板兩面。
依據本發明之一實施例，一玻璃基板提供作為蝕刻目標物固定於卡匣中站立以保持預定曲率半徑之彎曲狀態。玻璃基板可藉由傾向由彎曲狀態回復成原始狀態之回復力 而穩固地固定於卡匣中。因此在蝕刻玻璃基板的過程中，玻璃基板可防止與卡匣分離。因此，此方法可以改善玻璃基板的蝕刻可靠度。
依據本發明之一實施例，一卡匣用於容納一玻璃基板，包括一支撐結構由相反側延伸。支撐結構可包括突出部且當分離時，設置面對玻璃基板。因此，當進行蝕刻時，玻璃基板防止與卡匣分離。因此，本發明實施例之方法可改善玻璃基板蝕刻可靠度。
上述發明效果不應視為由一個實施必須提供所有前述效果。換句話說，下述的實施例之一能實現本發明任一上述及其他效果且另一實施例能實現所有前述效果。
為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例並配合所附圖式做詳細說明。
10a‧‧‧第一收納部
10b‧‧‧第一收納部
30a‧‧‧第一收納部
30b‧‧‧第一收納部
70a‧‧‧第一收納部
70b‧‧‧第一收納部
100‧‧‧蝕刻裝置
110‧‧‧卡匣
111‧‧‧卡匣本體
112a‧‧‧突出部
112b‧‧‧突出部
113a‧‧‧點
113b‧‧‧點
114a‧‧‧收納溝槽
114b‧‧‧收納溝槽
120‧‧‧噴嘴頭
122‧‧‧注入噴嘴
124‧‧‧蝕刻物
130‧‧‧玻璃基板
300‧‧‧蝕刻裝置
310‧‧‧卡匣
312a‧‧‧突出部
312b‧‧‧突出部
314a‧‧‧收納溝槽
314b‧‧‧收納溝槽
316‧‧‧低支撐座
316a‧‧‧第二收納部
510‧‧‧儲存卡匣
520a‧‧‧第一傳送單元
520b‧‧‧第二傳送單元
522a‧‧‧傳送臂
522b‧‧‧傳送臂
530‧‧‧第一工作桌
535‧‧‧第二工作桌
540‧‧‧工作卡匣
620‧‧‧第一傳送單元
622‧‧‧傳送臂
622a‧‧‧第一傳送臂
622b‧‧‧第二傳送臂
622c‧‧‧第三傳送臂
622d‧‧‧第四傳送臂
622e‧‧‧第五傳送臂
700‧‧‧蝕刻裝置
710‧‧‧卡匣
711‧‧‧卡匣本體
712a‧‧‧突出部
712b‧‧‧突出部
714a‧‧‧接收溝槽
714b‧‧‧接收溝槽
720‧‧‧支撐結構
730‧‧‧突出部
A‧‧‧方向
h‧‧‧高度
l‧‧‧長度
x‧‧‧軸向
y‧‧‧軸向
R1‧‧‧預定曲率半徑
第1a圖係顯示本發明依據現有揭露之一比較實施例之蝕刻玻璃基板裝置之透視示意圖；第1b圖係顯示本發明裝置由第1a圖之箭頭A方向，顯示玻璃基板放置於卡匣中之蝕刻玻璃基板裝置之平面示意圖；第2圖係顯示本發明依據現有揭露之一比較實施例之蝕刻玻璃基板製程之示意圖；第3a圖係顯示本發明實施例之蝕刻玻璃基板裝置之示意圖；第3b圖係顯示本發明裝置由第3a圖之箭頭A方向，顯示 玻璃基板放置於卡匣中之蝕刻玻璃基板裝置之平面圖；第3c圖係顯示本發明實施例中玻璃基板放置於一卡匣之一低支撐座之透視示意圖；第4圖係顯示本發明實施例之玻璃基板曲率半徑改變之示意圖；第5圖係顯示本發明實施例之蝕刻玻璃基板方法之流程圖；第6圖係顯示本發明另一實施例之蝕刻玻璃基板方法之流程圖；第7圖係顯示本發明另一實施例之蝕刻玻璃基板裝置之透視圖；及第8圖係顯示本發明實施例由第7圖中箭頭A方向，顯示玻璃基板放置於卡匣中之蝕刻玻璃基板裝置之平面圖。
於後本發明之實施例將藉由圖式揭露細節。應理解的，揭露於此之方法並非用於限定下述實施例且可實現於不同方式的例子中。此外，應注意到圖形並非正確維度且可能於線條厚度或部件尺寸誇飾，僅為方便描述與澄清。
應理解的，當元件指示為於另一元件“上”或“下”可直接視為形成於另一元件“上”方或“下”方，亦可視為有一介入元件存在。此外，相對空間詞如“上部”、“上表面”等可理解為“下部”、“下表面”等端看參考空間方向。換句話說，空間方向的描述建構根據為相對方向而非絕對方向。
於圖式中，相同元件以相同號碼標示。單數及指 示代名詞則傾向涵括複數，除非上下文清楚闡述。可進一步理解的，使用本說明書中之“包括”表示清楚定義功能、步驟、運作、構件及/或元件但並未預先排除現有或額外一至多個功能、步驟、運作、構件、元件及/或群組。
如這裡使用的“玻璃基板”並非單指無層別形成的玻璃基板，同時包含玻璃面板如TFT-LCD組合面板，其藉由組裝具有電晶體於玻璃基板與具有彩色濾光片之玻璃基板疊合形成。在此情形下，蝕刻一玻璃基板，可單指蝕刻不具有電晶體與彩色濾光片的玻璃面板的那一邊。
第1a圖係顯示本發明依據現有揭露之一比較實施例之蝕刻玻璃基板裝置之透視示意圖；第1b圖係顯示本發明裝置由第1a圖之箭頭A方向，顯示玻璃基板放置於卡匣中之蝕刻玻璃基板裝置之平面示意圖。
請參考第1a圖，一蝕刻裝置100，包括：一卡匣110，用於容納一玻璃基板130及一噴嘴頭120，用於供應蝕刻物124於玻璃基板130。噴嘴頭120提供複數個注入噴嘴122，蝕刻物124藉此注入朝向玻璃基板130。在此架構下，蝕刻物120當流經玻璃基板130時於玻璃基板之厚度方向蝕刻玻璃基板130。
如本發明人所確認揭露的蝕刻裝置100問題在於玻璃基板130可由卡匣110中分離且於蝕刻過程中損壞，因此相較於本發明後述揭露的實施例中之蝕刻裝置，更會造成蝕刻品質可靠度惡化。
請參考第1b圖，玻璃基板130以站立狀態設置於 卡匣110中，以被收納於形成於卡匣110相反兩側之第一收納部10a、10b。第一收納部10a、10b包括突出部112a、112b，由卡匣本體111延伸，且收納溝槽114a、114b分別形成於突出部112a、112b間。為儘可能收集越多的蝕刻物，玻璃基板130可設置減少與卡匣110接觸。換句話說，玻璃基板130可帶入與突出部112a、112b於收納溝槽114a、114b內的高度位置上進行線接觸。於平面視圖上，玻璃基板130與每一突出部112a、112b的線接觸可表示為單一點113a或113b。
第2圖係顯示本發明依據現有揭露之一比較實施例之蝕刻玻璃基板製程之示意圖。蝕刻過程可藉由第1a、1b圖中所描述之蝕刻裝置100進行。
首先，請參考第2(a)圖，玻璃基板130收納於卡匣110之第一收納部10a、10b。請參考第2(b)圖，蝕刻物124透過注入噴嘴122注入朝向玻璃基板130以蝕刻玻璃基板130。如圖所示，當玻璃基板130厚度逐漸受蝕刻減少時，玻璃基板130可被彎曲。因此，玻璃基板130展現y方向長度增加變化，x方向長度變化為減少。請參考第2(c)圖，當玻璃基板130厚度進一步受蝕刻減少時，玻璃基板130的彎曲會進一步進行。因此，玻璃基板130展現連續的x方向與y方向的長度變化。然後，當玻璃基板130厚度減少到關鍵厚度或更少時，由於y軸方向長度增加且x軸方向長度減少，玻璃基板130可能會與第一收納部10a、10b分離。因此，玻璃基板130可能會導致掉落、破損或妨礙其他玻璃基板對準及防止蝕刻物供應至其他玻璃基板上。
因此本發明發明者揭露一種新蝕刻裝置，可克服於蝕刻製程可靠度的惡化，及依據使用本發明裝置的比較例及蝕刻方法。
第3a圖係顯示本發明實施例之蝕刻玻璃基板裝置之示意圖。第3b圖係分別顯示本發明裝置由第3a圖之箭頭A方向，顯示玻璃基板放置於卡匣中之蝕刻玻璃基板裝置之平面圖。第3c圖係分別顯示本發明實施例中玻璃基板放置於卡匣之低支撐座之透視示意圖。
請參考第3a圖，一蝕刻裝置300，包括：一卡匣310，用於容納一玻璃基板130及一注入噴嘴122，用於供應蝕刻物124於卡匣310中之玻璃基板130。注入噴嘴122可具有噴嘴頭120。儘管未顯示，蝕刻裝置300可進一步包括一傳送單元，用於傳送玻璃基板130進出卡匣110。
如圖所示，噴嘴頭120可設置於卡匣310上方，但不侷限於此。於選擇實施例中(圖上未顯示)，噴嘴頭120可設置於不同位置包含卡匣310邊面。
於本實施例中，玻璃基板130彎曲收納於卡匣中具有一預先曲率半徑。請參考第3b圖，卡匣310可提供第一收納部30a、30b於相反邊以接收玻璃基板130進入。第一收納部30a、30b包括突出部312a、312b，由卡匣本體111延伸，且收納溝槽314a、314b分別形成於突出部312a、312b間。
此外，卡匣310具有一低支撐座316，當玻璃基板130維持彎曲狀態時，收納玻璃基板130。低支撐座316提供一第二收納部316a相較於第一收納部30a、30b於側向方向上 設置在卡匣310不同位置。特定地，在第3b圖中，第二收納部316a可設置於y方向較高位置的接收溝槽314a、314b。第二收納部316a可包括形成於低支撐座316之溝槽。
請參考第3b與3c圖，第二收納部316a的溝槽具有預定的曲率半徑以接收具有預定曲率半徑之玻璃基板130。
於本實施例中，卡匣310提供於一低部，具有三個低支撐座316，每一個具有第二收納部316a，但並不侷限於此。於選擇實施例中，卡匣310可提供更多或是較少個低支撐座316以支撐玻璃基板130。
依據本實施例，玻璃基板130可設置以於玻璃基板130高度方向線接觸於每一第一收納部30a、30b。在此情況下，玻璃基板130相反端分別與突出部312a、312b的接收溝槽314a、314b邊面最小接觸。
如前所述，玻璃基板130提供做為蝕刻目標物可以站立狀態以一預定曲率半徑維持彎曲狀態固定於卡匣310中。接著，玻璃基板130具有回復力，其造成玻璃基板130由彎曲狀態釋放進而玻璃基板130可穩定固定於卡匣310之第一收納部30a、30b。此外，低支撐座316之第二收納部316a也具有一預定曲率半徑以幫助玻璃基板130穩定設置於卡匣310。
蝕刻過程可藉由透過設置靠近卡匣310的蝕刻噴嘴122注入蝕刻物124朝向玻璃基板130進行。當進行蝕刻時，玻璃基板130可在卡匣310內維持彎曲狀態。雖然玻璃基板130的曲率半徑會因為厚度減少而改變，玻璃基板130因具有相對 彎曲的回復力，因此可穩定固定於第一收納部30a、30b內。藉由此結構，玻璃基板130可防止於蝕刻過程中由卡匣310分離，因而改善對於玻璃基板的蝕刻製程可靠度。
第4圖係分別顯示本發明實施例之玻璃基板曲率半徑改變之示意圖。在第4圖中，一標準G5商用玻璃基板作為描述例子。標準G5玻璃基板具有1100mm長度、1300mm寬度及1mm厚度。
首先，請參考第4(a)圖，玻璃基板130具有無窮大曲率半徑放置於縱向方向。在此情況下，玻璃基板130設置於橫向方向站立於卡匣內。如圖所示，玻璃基板130可具有1100mm長度。
請參考第4(b)圖，玻璃基板130受彎曲以具有減少長度為1094mm於x軸方向且y軸50mm的變化量。在此，玻璃基板130曲率半徑為3019mm。
請參考第4(c)圖，玻璃基板130受彎曲以具有減少長度為1075mm於x軸方向且y軸100mm的變化量。在此，玻璃基板130曲率半徑為1496mm。
可以理解的是，本例子提供係用於描述當玻璃基板於x軸方向與y軸方向改變時曲率半徑的變化量且本發明揭露實施例並不限於標準G5玻璃基板。於其他例子中，本發明揭露實施例可適用於標準G6基板長1500mm、寬1850mm且厚度1mm，或是標準G7玻璃基板甚至是更長及更寬。
下述本發明實施例依據初始厚度提供玻璃基板曲率半徑組成設定值。
依據本發明之一實施例，當玻璃基板130之初始厚度位於0.8mm至1.0mm間且蝕刻後目標厚度設定於0.5mm或以上，玻璃基板130的初始曲率半徑範圍可維持在3000mm至4000mm間。如發明人所確認揭露當初始曲率半徑設定小於3000mm時，玻璃基板130可能由於過大的彎曲而遭受初始錯誤。當初始曲率半徑大於4000mm時，會產生玻璃基板130無法有效避免於蝕刻過程中由卡匣中分離的問題。
依據本發明之另一實施例，當玻璃基板130之初始厚度位於0.5mm且小於0.8mm間且蝕刻後目標厚度設定於0.25mm至小於0.5mm，玻璃基板130的初始曲率半徑範圍可維持在1500mm至3000mm間。如發明人所確認揭露當初始曲率半徑小於1500mm時，玻璃基板130可能由於過大的彎曲而遭受初始錯誤。當初始曲率半徑大於3000mm時，會產生玻璃基板130無法有效避免於蝕刻過程中由卡匣中分離的問題。
依據本發明之又一實施例，當玻璃基板130之初始厚度位於0.3mm且小於0.5mm間且蝕刻後目標厚度設定於0mm至小於0.25mm，玻璃基板10的曲率半徑範圍可維持在1000mm至1500mm間。如發明人所確認揭露當初始曲率半徑小於1000mm時，玻璃基板130可能由於過大的彎曲而遭受初始錯誤。當初始曲率半徑大於1500mm時，會產生玻璃基板130無法受足夠防護以避免於蝕刻過程中由卡匣中分離的問題。
第5圖係分別顯示本發明實施例之蝕刻玻璃基板方法之流程圖。請參考第5(a)圖，收納玻璃基板130於其內之一儲存卡匣510準備完成。在這裡每一玻璃基板130可具有無 限大曲率半徑。
請參考第5(b)圖，玻璃基板130藉由一第一傳送單元520a傳送至一第一工作桌530。此第一傳送單元520a可包括例如一真空治具，具有複數個傳送手臂522a。在第一傳送單元520a中，真空治具可傳送玻璃基板130至第一工作桌530且玻璃基板130吸附於真空治具上。真空治具之傳送手臂522a設置允許長度調整以對應具有無限大曲率半徑之玻璃基板130。
請再參考第5(b)圖，第一工作桌530可具有一預定曲率半徑R1。在受到傳送單元522a移動後，玻璃基板130放置於第一工作桌530上。在第一工作桌530上，玻璃基板130可具有一第一曲率半徑對應預定曲率半徑R1。玻璃基板可具有任何曲率半徑由前述實施例描述於第4圖之選擇曲率半徑，端看玻璃基板130初始厚度及蝕刻後目標厚度。
請參考第5(c)及(d)圖，玻璃基板130具有第一曲率半徑使用具有真空治具包含傳送臂522b之一第二傳送單元520b放置於一工作卡匣540內，長度調整對應第一曲率半徑。工作卡匣540實質上具有相同組成如第3a至3c圖所述之實施例中之卡匣310。
請參考第5(d)圖，藉由玻璃基板130放置於工作卡匣540內，蝕刻於玻璃基板130上進行。蝕刻玻璃基板130可藉由噴灑蝕刻物至玻璃基板130。蝕刻物可包括氫氟酸(HF)、硫酸(H2SO4)、酸性弗化氨(NH4FHF)或是組合並無限制。
請參考第5(e)圖，在蝕刻完成後，玻璃基板130 使用第二傳送單元520b傳送至第二工作桌535，接著放置於第二工作桌535上。此處第二工作桌535可具有無限曲率半徑，因此被蝕刻的玻璃基板130可同時調整具有無限曲率半徑。在這裡所表示的“玻璃基板130調整具有無限曲率半徑”可意指玻璃基板130調整由彎曲狀態釋放。
請參考第5(f)圖，玻璃基板130調整具有無限曲率半徑使用第一傳送單元520a傳送至儲存卡匣510。接著，玻璃基板130可儲存於儲存卡匣510以繼續後續製程如清洗、檢驗、拋光等。
雖然上述過程描述單一片玻璃基板放置於儲存卡匣510，當複數個玻璃基板130放置於儲存卡匣510時，玻璃基板接續由儲存卡匣510傳送至工作卡匣540，藉著整批完成蝕刻後，接續送回至儲存卡匣510。
第6圖係分別顯示本發明另一實施例之蝕刻玻璃基板方法之流程圖。請參考第6(a)圖，準備一儲存卡匣510接收玻璃基板130於其內。在此所有玻璃基板130可具有無限曲率半徑。
請參考第6(b)圖，玻璃基板130藉由一第一傳送單元620由儲存卡匣510移除。此第一傳送單元620可包括例如一真空治具，具有複數個傳送手臂622。在第一傳送單元620中，真空治具可傳送玻璃基板130至第一工作桌630且玻璃基板130吸附於真空治具上。如圖所示，每一傳送手臂622具有可調整長度且真空治具可具有5個傳送手臂，一第一傳送手臂622a、一第二傳送手臂622b、一第三傳送手臂622c、一第四 傳送手臂622d、一第五傳送手臂622e。然而，應了解本發明實施例並不限於此，傳送手臂622的數量可依照不同方式設置。
請參考第6(c)圖，玻璃基板130的曲率半徑可藉由調節第一傳送單元620之傳送手臂622長度來做調整。特定地，藉由調節第一至第五傳送臂622a至622e之長度，玻璃基板130接合於第一傳送單元620可受彎而具有一預定曲率半徑。舉例來說，玻璃基板130可藉由增加第一與第五傳送臂622a、622e長度接觸玻璃基板外周長大於第三傳送臂622c接觸玻璃基板中心的長度而彎曲。
於一實施例中，透過上述過程可具有彎曲形狀玻璃基板130可具有一第一曲率半徑。玻璃基板可具有任何曲率半徑由前述實施例描述於第4圖之選擇曲率半徑，端看玻璃基板130初始厚度及蝕刻後目標厚度。
請參考第6(d)圖，玻璃基板130彎曲具有第一曲率半徑使用第一傳送單元620放置於一工作卡匣540內。工作卡匣540實質上具有相同組成如前述實施例第3a至3c圖之卡匣310。
請參考第6(d)圖，藉由玻璃基板130放置於一工作卡匣540內，蝕刻製程於玻璃基板130上進行。蝕刻玻璃基板130可藉由噴灑蝕刻物至玻璃基板130。蝕刻物可包括氫氟酸(HF)、硫酸(H2SO4)、酸性弗化氨(NH4FHF)或是組合並無限制。
請參考第6(e)圖，在蝕刻完成後，玻璃基板130使用第一傳送單元620傳送至工作卡匣540。
請參考第6(f)圖，玻璃基板130可藉由調節複數個第一傳送單元620之傳送手臂622的長度來調整以具有無限曲率半徑。在這裡所表示的“玻璃基板130調整具有無限曲率半徑”可意指玻璃基板130調整由彎曲狀態釋放。特定地，藉由調節第一傳送單元620之傳送手臂622具有相同長度，玻璃基板130可調整具有無限曲率半徑。
請參考第6(g)圖，玻璃基板130調整具有無限曲率半徑使用第一傳送單元620傳送至儲存卡匣510。接著，玻璃基板130可儲存於儲存卡匣510以繼續後續製程如清洗、檢驗、拋光等。
雖然上述過程描述單一片玻璃基板放置於儲存卡匣510，當複數個玻璃基板130放置於儲存卡匣510時，玻璃基板接續由儲存卡匣510傳送至工作卡匣540，藉著整批完成蝕刻後，接續送回至儲存卡匣510。
第7圖係顯示本發明另一實施例之蝕刻玻璃基板裝置之透視圖；及第8圖係顯示本發明實施例由第7圖中箭頭A方向，顯示玻璃基板放置於卡匣中之蝕刻玻璃基板裝置之平面圖。
請參考第7圖，一蝕刻裝置700包括：一卡匣710，用以容納玻璃基板130、一注入噴嘴122，用以供應蝕刻物124至卡匣710內之玻璃基板130。注入噴嘴122可具有噴嘴頭120。如圖所示，噴嘴頭120可設置於卡匣310上方，但不侷限於此。於選擇實施例中(未顯示)，噴嘴頭120可設置於不同位置包含卡匣710邊面。
雖然圖上未顯示，然蝕刻裝置700可進一步包括一傳送單元，以傳送玻璃基板130進出卡匣710。
請參考第8圖，卡匣710可具有相反邊的第一收納部70a、70b，以收納玻璃基板130於其內。第一收納部70a、70b包含突出部712a、712b由卡匣本體711延伸且接收溝槽714a、714b分別形成於突出部712a、712b間。
卡匣710可具有一支撐結構720，由鄰近於第一收納部70a、70b的突出部712a、712b延伸至面對玻璃基板130兩面。支撐結構720可設置固定間隔以分離收納於卡匣710內之玻璃基板130。
當玻璃基板130彎曲進行蝕刻時，支撐結構720可防止玻璃基板130由卡匣710中分離。每一支撐結構720具有突出部730形成於表面。在蝕刻過程出，突出部730或許非連續接觸玻璃基板130。
支撐結構720可由卡匣相反兩側藉由對應收納於卡匣710內的1/4玻璃基板130長度(l)延伸，分別顯示於第8圖。此外，如第7圖所示，支撐結構720可放置在由該玻璃基板130的低表面，對應玻璃基板130的1/4及1/2高度(h)點的地方。
請再參考第8圖，玻璃基板130可設置於卡匣710中呈現非彎曲狀態。依據本實施例，能夠防止玻璃基板130因為蝕刻時產生彎曲而分離，如發生於第1a、1b、2圖中的比較例。
於一些未圖式之實施例中，設置於卡匣710中的 玻璃基板130可具有一預定曲率半徑。在此情況下，卡匣710除蝕刻裝置300定義於第3a至3c圖設置外，可具有如前述之支撐結構720。因此，依據本實施例蝕刻裝置700可包括一低支撐座316，提供於具有收納溝槽之一第二收納部316a，以固定玻璃基板130的低表面。
另一方面，依據本實施例應用蝕刻裝置700以蝕刻製程一玻璃基板可以實質上相同於第5及6圖所述蝕刻方式達成。因此，細部的蝕刻過程避免重複而與以忽略。
本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
120‧‧‧噴嘴頭
122‧‧‧注入噴嘴
124‧‧‧蝕刻物
130‧‧‧玻璃基板
300‧‧‧蝕刻裝置
310‧‧‧卡匣
A‧‧‧方向

Claims (21)

  1. 一種蝕刻玻璃基板之方法，包括：(a)固定一玻璃基板於一卡匣且該玻璃基板處於一彎曲狀態；(b)供應一蝕刻物至該玻璃基板表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該(a)固定一玻璃基板步驟包括站立該玻璃基板於該卡匣中，使得該玻璃基板收納在提供於該卡匣相反側之一第一收納部。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該玻璃基板設置為以於該玻璃基板之高度方向線接觸該第一收納部。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該卡匣包括一低支撐座以支撐該玻璃基板且該低支撐座包括一第二收納部於側向方向不同於該卡匣之該第一收納部的位置設置，以允許該玻璃基板位於彎曲狀態。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該基板之一初始厚度位於0.8mm至1.0mm間且玻璃基板之蝕刻後目標厚度設定於0.5mm或以上，步驟(a)固定一玻璃基板步驟包括維持玻璃基板的曲率半徑範圍在3000mm至4000mm間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該基板之一初始厚度位於0.5mm且小於0.8mm間且玻璃基板蝕刻後目標厚度設定於0.25mm至小於0.5mm，步驟(a)固定一玻璃基板步驟包括維持玻璃基板的曲率半徑範圍在1500mm至3000mm間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該基板之一初始 厚度位於0.3mm且小於0.5mm間且玻璃基板之蝕刻後目標厚度設定大於0mm至小於0.25mm，步驟(a)固定一玻璃基板步驟包括維持玻璃基板的曲率半徑範圍在1000mm至1500mm間。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該(b)供應一蝕刻物步驟包括當該基板處於彎曲狀態時，於玻璃基板厚度方向蝕刻該玻璃基板。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該(b)供應一蝕刻物步驟包括透過一噴嘴設置於該卡匣附近，以注入該蝕刻物至該玻璃基板。
  10. 一種蝕刻玻璃基板之方法，包括：準備具有無限大曲律半徑之一玻璃基板；固定該玻璃基板於具有一第一曲率半徑之工作桌且彎曲該玻璃基板以具有該第一曲率半徑；放置該玻璃基板於一工作卡匣以固定該玻璃基板具有該第一曲率半徑；及供應一蝕刻物至該工作卡匣以允許該玻璃基板處於彎曲狀態下蝕刻。
  11. 一種蝕刻玻璃基板之方法，包括：準備具有無限大曲律半徑之一玻璃基板；使用一真空治具彎曲該玻璃基板使具有第一曲率半徑，並具有複數個可調整長度傳送臂；放置該玻璃基板於一工作卡匣以固定該玻璃基板具有該第一曲率半徑；及 供應一蝕刻物至該工作卡匣以允許該玻璃基板處於彎曲狀態下蝕刻。
  12. 如申請專利範圍第10或11項所述之方法，其中該基板之一初始厚度位於0.8mm至1.0mm間且玻璃基板蝕刻後目標厚度設定於0.5mm或以上，第一曲率半徑維持範圍在3000mm至4000mm間。
  13. 如申請專利範圍第10或11項所述之方法，其中該基板之一初始厚度位於0.5mm且小於0.8mm間且玻璃基板蝕刻後目標厚度設定於0.25mm至小於0.5mm，第一曲率半徑維持範圍在1500mm至3000mm間。
  14. 如申請專利範圍第10或11項所述之方法，其中該基板之一初始厚度位於0.3mm且小於0.5mm間且玻璃基板蝕刻後目標厚度設定於0mm至小於0.25mm，第一曲率半徑維持範圍在1000mm至1500mm間。
  15. 一種蝕刻玻璃基板之裝置，包括：一卡匣，用於容納一玻璃基板以使該玻璃基板維持彎曲狀態；一注入噴嘴，以讓用於該玻璃基板之一蝕刻物注入至該卡匣中；及一傳送單元，用以傳送該玻璃基板進出該卡匣；其中該卡匣具有一相反側設置之一第一收納部以收納該玻璃基板且包括一低支撐座包括一第二收納部於側向方向不同於該卡匣之該第一收納部的位置設置，以允許該玻璃基板位於彎曲狀態。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之裝置，其中每一第一收納部係於玻璃基板之高度方向以線接觸該玻璃基板。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之裝置，其中該傳送單元包括一真空治具，具有複數個可長度調整傳送臂以調整該玻璃基板的曲率半徑。
  18. 一種蝕刻玻璃基板之裝置，包括：一卡匣，用於容納一玻璃基板；一注入噴嘴，以讓用於該玻璃基板之一蝕刻物注入至該卡匣中；及一傳送單元，用以傳送該玻璃基板進出該卡匣；其中該卡匣具有一相反側設置之一第一收納部以收納該玻璃基板且包括一支撐結構由鄰近於該第一收納部相反側延伸至面對該玻璃基板兩面。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之裝置，其中該支撐結構包括形成於一表面上之一突出部且由該卡匣相反側延伸1/4收納於該卡匣內之該玻璃基板長度。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之裝置，其中該支撐結構包括形成於一表面上之一突出部，設置於由該玻璃基板低表面1/4及1/2的高度。
  21. 如申請專利範圍第18項所述之裝置，其中該卡匣更包括一低支撐座，具有一第二收納部具有收納溝槽以固定該玻璃基板之低表面。
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