TW201523380A - 觸控面板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種觸控面板及其製造方法，本發明的觸控面板包含：一支撐件、一形成在支撐件上的第1絕緣層，以及電極圖層支持部和連接部。第1觸控電極圖層形成在第1絕緣層的電極圖層支持部，第2絕緣層形成在第1絕緣層和第1觸控電極圖層上，第2觸控電極圖層形成在第2絕緣層的電極圖層支持部，第1絕緣層的電極圖層支持部的厚度大於第1絕緣層的連接部，第2絕緣層的電極圖層支持部的厚度大於第2絕緣層的連接部。因此，本發明可以取代ITO，且減少使用金屬線、降低電極圖層的電阻、簡化製程難度、時間和成本，並減少面板整體的厚度。

Description

觸控面板及其製造方法

本發明係有關於一種觸控面板及其製造方法，特別是指一種可以取代使用稀有金屬、降低電極圖層的電阻、減少製程使用的材料，薄型化面板厚度的觸控面板及其製造方法。

習用的觸摸檢測裝置，包括有觸控面板，透過使用者經由螢幕觸控以確認輸入的信息。一般觸控檢測裝置的觸控面板分為電阻式，電容式，超音波式，以及紅外線式等，其中，以電容式觸控面板的輸入最為簡易，從而使電容式的觸控面板最引人注目。

電容式觸控面板的結構係在一基板上設置有複數個X軸檢測電極，和複數個Y軸檢測電極交叉佈置在X軸檢測電極。定位在同一行中的X軸檢測電極必須相互電連接，且定位在同一列中的Y軸檢測電極同樣需要彼此電連接。由於X軸的檢測電極與Y軸檢測電極必須絕緣，同時維持在上述的連接結構狀態，因此，X軸檢測電極形成在一基板，Y軸的檢測電極形成在另一個基板，並將兩個基板粘合。另外保持電連接的方法可為，在X軸的檢測電極和Y軸檢測電極分別形成複數個絕緣層，並在絕緣層上形成連接電極，以電連接X軸檢測電極和Y軸檢測電極。惟類似的做法將會增加基板 的數目，導致觸控面板總體的厚度相對增大，所以無法製作薄型面板。再者，因絕緣層增加，亦會提高生產製程的難度，製造費用因而高漲，製程耗費的時間也同樣增加，另外，也衍生絕緣層排列上的問題。

同時，觸控面板的檢測電極係使用透明導電材質，尤其是ITO(Indium Tin Oxide，銦錫氧化物)最廣為使用。檢測電極使用ITO作為材料時，需要有曝光、顯影、蝕刻、剝離或其他類似多道製程。而且，ITO使用稀有金屬，稀有金屬漸漸枯竭，耗費成本也隨之上揚。使用高分子聚合物作為觸控面板透明導電電極的相關技術文件，可參閱韓國第10-2010-0057586號專利申請案。

本發明係為了提供一種可以置換ITO檢測電極圖層中稀有金屬、降低檢測電極圖層電阻的觸控面板和製造觸控面板的方法。根據本發明的觸控面板和製造方法，可以降低加工困難度、製程費用和加工時間。同時，改善前述習知技術的缺點而不使用底板基板(base substrate)或絕緣層。

本發明的一具體實施例為提供一觸控面板，其包含：一支撐件；一形成在支撐件上的第1絕緣層，第1絕緣層更包含觸控電極圖層支持部和連接部；一形成在第1絕緣層的第1觸控電極圖層支持部上的第1觸控電極圖層；一第2絕緣層，係形成在第1絕緣層和第1觸控電極圖層上，第2絕緣層更包含觸控電極圖層支持部和連接部；以及一第2觸控電極圖層，係形成在第2絕緣層的觸控電極圖層支持部上。其中，第1絕緣層的電極圖層支持部的厚度大於第1絕緣層連接部的厚度；第2絕緣層的電極圖層支持部的厚 度大於第2絕緣層連接部的厚度。

第1、2絕緣層的材質可為光阻材料。第1、2觸控電極圖層可為透明導電圖層。透明導電圖層可使用含有金屬的導電材料。第1觸控電極圖層可沿著第1方向延伸，第2觸控電極圖層可沿著與第1方向垂直的第2方向延伸。

本發明的另一具體實施例為提供一觸控面板，一支撐件；一形成在支撐件表面上的第1光感應樹脂層，第1光感應樹脂層具有凹部、凸部；一第1導電圖層形成在第1光感應樹脂層的凸部；一第2光感應樹脂層形成在第1光感應樹脂層和第1導電圖層上，第2光感應樹脂層具有一第1部分和一第2部分，其中，第2部分的第2厚度大於第1部分的第1厚度；一第2導電圖層形成在第2光感應樹脂層的第2部分。

本發明又一具體實施例係關於一觸控面板的製造方法，其步驟包含：提供一支撐件，於支撐件上設置一下層光阻薄膜以及一形成在下層光阻薄膜的下層透明導電層；對下層光阻薄膜進行多次曝光，形成包含觸控電極支持部和連接部的第1光阻硬化層；對下層光阻薄膜進行顯影處理，形成第1透明導電圖層；設置一上層光阻薄膜以及一形成在上層光阻薄膜的上層透明導電層，上層光阻薄膜係設置於第1光阻硬化層和第1透明導電圖層上；對上層光阻薄膜進行多次曝光，形成包含觸控電極支持部和連接部的第2光阻硬化層；對上層光阻薄膜進行顯影處理，形成第2透明導電圖層。第1、2透明導電圖層可使用含有金屬的導電材料。

第1光阻硬化層的形成步驟，包含：對下層光阻薄膜進行曝光，形成第1光阻硬化層的觸控電極圖層的支持部，再對下層光阻薄膜進行 曝光，形成第2光阻硬化層的連接部，連接部的厚度小於觸控電極圖層支持部的厚度。

第1光阻硬化層的觸控電極圖層支持部之形成步驟，包含：藉由一光罩將下層光阻薄膜曝光，相對應於第1光阻硬化層觸控電極圖層支持部的區域，並沒有被光罩覆蓋，所以可以和下層透明導電層接觸。第1光阻硬化層的連接部的形成步驟，包含：藉由一光罩對下層光阻薄膜相對應於第1光阻硬化層觸控電極圖層支持部以及連接部的區域進行曝光，光罩與下層透明導電層間保持有一距離。

第1光阻硬化層觸控電極圖層連接部的形成，可以針對下層光阻薄膜全部區域進行曝光。

第1透明導電層可形成在第1光阻硬化層的觸控電極圖層支持部。

第2光阻硬化層的觸控電極圖層支持部之形成步驟，包含：對上層光阻薄膜進行曝光，在第2光阻硬化層形成觸控電極圖層支持部以及連接部，連接部的厚度小於觸控電極圖層支持部的厚度。

第2透明導電層可形成在第1光阻硬化層的觸控電極圖層支持部。

實施例中其他有關的事項，請參見實施方式中所載圖式和詳細說明。

根據前述發明實施所載內容，本發明確實可以解決習知技術面臨的缺點，並達成本發明訴求的目的和功效。

20‧‧‧第1絕緣層

21‧‧‧電極圖層支持部

22‧‧‧連接部

30‧‧‧第2絕緣層

31‧‧‧電極圖層支持部

32‧‧‧連接部

40‧‧‧第1觸控電極圖層

50‧‧‧第2觸控電極圖層

120、130‧‧‧光阻薄膜

140、150‧‧‧透明導電層

d1~d4‧‧‧厚度

S500~S550‧‧‧步驟

第1圖係根據本發明觸控面板一實施例的上視圖。

第2圖為第1圖中延II-II’剖面線切開的觸控面板剖面圖。

第3圖為第1圖中延III-III’剖面線切開的觸控面板剖面圖。

第4圖為第1圖中延IV-IV’剖面線切開的觸控面板剖面圖。

第5圖係根據本發明一實施例有關觸控面板製造方法的流程圖。

第6A至6H圖係根據本發明一實施例有關觸控面板製造方法製程中剖面圖。

本說明書中配合圖式所舉具體實施例係用來說明本發明揭露的技術內容，所舉實施例係以不同形態來完整說明本發明而非用以限制本發明，並可使本技術領域中具有通常知識者可充分了解本發明。本發明的保護範圍係以申請專利範圍所揭露的範疇為依據。

本說明書中和圖式使用相同的元件符號，指定相同或類似的元件。說明書中使用的用語，例如層，膜，區域或基板在另一個元件「上」時，可以解釋為直接在元件上或中間有其他元件存在。

雖然元件名稱使用「第一」，「第二」等等，此乃用於識別相同構成元件的名稱，而構成元素的名稱並不限於該順序。因此，以下所稱的第一構成要件在本發明的技術範圍內可以是第二構成元件。說明書中類似的元件標號代表類似的元件。此外，圖式中如尺寸和厚度的配置，係為了便於說明和了解，而非用於限制。

本發明的幾個具體實施例中的各特性可部分地或完全地結 合，並在技術和各種連接可為本領域技術人員充分理解，各實施例可以獨立地進行，或根據相連關聯予以實施。以下茲配合圖式列舉具體實施例來說明本發明揭露的技術內容。

第1圖是本發明觸控面板的一實施例上視圖，如圖所示，一觸控面板100包含：一支撐件10、一形成在支撐件10上的第1絕緣層20、一第1觸控電極圖層40、一第2絕緣層30、一第2觸控電極圖層50。支撐件10為一透明絕緣材質支持體，用以支持構成觸控面板100的各元件，支撐件10也可以使用具有強度的材質，例如，鋼化玻璃和丙烯酸樹脂(acryl resin)；也可以使用適用於軟性顯示器的硬質材料，例如，聚對苯二甲酸乙酯(PET)，聚碳酸酯(PC)，聚醚砜(PES)，聚酰亞胺(PI)，和polymethylmethaacrylate丙烯酸甲酯(PMMA)等或類似材質。一第1絕緣層20包含一第1觸控電極圖層支持部21和一連接部22，第1觸控電極圖層40係形成在第1絕緣層20的電極圖層支持部21。第2絕緣層30形成在第1絕緣層20和第1觸控電極圖層40上，第2絕緣層30包含一第2觸控電極圖層支持部31和一連接部32，第2觸控電極圖層50形成在第2絕緣層30的第2觸控電極圖層支持部31。

關舤第1絕緣層20、第1觸控電極圖層40、第2絕緣層30以及第2觸控電極圖層，將於下文中配合第2至4圖做更詳細的說明。

第2圖所示為第1圖中II-II’剖面線的剖面圖，亦即觸控面板100上表面的對角線方向的剖面圖；第3圖所示為第1圖中III-III’剖面線的剖面圖，亦即觸控面板100上Y方向的剖面圖；第4圖所示為第1圖中IV-IV’剖面線的剖面圖，亦即觸控面板100上表面X方向的剖面圖。

如第2至4圖所示，第1絕緣層20形成在支撐件10上，第1絕緣層20係可為光阻材料，特別是光阻硬化層。由於第1絕緣層20為光阻材料，因此，第1絕緣層20可以稱視為第1感光樹脂層。第1絕緣層20更具有電極圖層支持部21和連接部22，電極圖層支持部21係用以支持第1絕緣層20上的第1觸控電極圖層40。連接部22係用以連接相鄰的電極圖層支持部21。

第1絕緣層20的電極圖層支持部21的厚度d1大於第1絕緣層20的連接部22的厚度d2，請參見第2至4圖，當第1絕緣層20形成於支撐件10的平坦表面時，第1絕緣層20上的電極圖層支持部21高度大於第1絕緣層20上的連接部22的高度。因此，第1絕緣層20上的電極圖層支持部21可以視為凸部，第1絕緣層20上的連接部22可以視為凹部。第1絕緣層20上的電極圖層支持部21和連接部22的形成，可以多次的光阻材料曝光的方法達成，此將於下文中配合第5、6圖加以說明。

當第1絕緣層20上的連接部22尚未形成前，第1絕緣層20和第2絕緣層30之間形成一間隙，第2絕緣層30係從支撐件10和第1絕緣層20的電極圖層之間形成，所以第1絕緣層20和第2絕緣層30間有一空間。本實施例中，在第1絕緣層20和第2絕緣層30間之形成最小的空間電極圖層支持部21，相鄰的電極圖層支持部21以連接部22連接。而第1觸控電極圖層40係形成在第1絕緣層20的電極圖層支持部21上，電極圖層為一檢知電極圖層，同時，第1觸控電極圖層40在支撐件10的第1方向延伸，第1圖所示為本發明第1觸控電極圖層40在Y軸向的延伸示意圖，但此一實施例並非用以限定本發明。

第1觸控電極圖層40包含複數個檢知電極和連接電極，檢知 電極可為各種形狀，第1圖中所示的檢知電極為鑽石形狀，並以連接電極連接。檢知電極的形狀可為柱狀、塊狀、圓狀或多角形狀。第1觸控電極圖層40一表面上的形狀實質上與第1絕緣層20的電極圖層支持部21相同，如第1圖所示，第1觸控電極圖層40延Y軸向延伸，電極圖層支持部21同樣延Y軸向延伸，電極圖層支持部21上表面的形狀，即和第1觸控電極圖層40的鑽石狀形狀相同。第1觸控電極圖層40為一透明的導電材料，亦可能包含金屬，例如銀奈米線、金屬網和石墨烯。根據本發明的一實施例，觸控面板100的第1觸控電極圖層40使用含金屬的導電材料，非使用ITO，因此，可取代使用稀有金屬。

第2絕緣層30係形成在第1絕緣層20和第1觸控電極圖層40上，第2絕緣層30可為光阻材料，特別是以光阻材料硬化成的光阻硬化層。由於第2絕緣層30為光阻材料，可將其視為光感應樹脂層。第2絕緣層30更具有電極圖層支持部31和連接部32，電極圖層支持部31係用以支持形成在第2絕緣層30上的第2觸控電極圖層50。連接部32係用以連接相鄰的電極圖層支持部31。

第2絕緣層30的電極圖層支持部31的厚度d3大於第2絕緣層30的連接部32的厚度d4，第2絕緣層30上的電極圖層支持部31和連接部32的形成，可以多次的光阻材料曝光的方法達成，有關製程方法將於下文中配合第5、6圖加以說明。

當第2絕緣層30上還未形成連接部32前，第1觸控電極圖層40和第2觸控電極圖層50之間的可視性差。通常，觸控面板100係使用在顯示裝置以顯示圖像，若一圖案在觸控面板100上表面的間距過大，在顯示裝置 上的圖像即會不明顯。本實施例中，在第2絕緣層30上形成連接部32，即可改善可視性。而第2觸控電極圖層50係形成在第2絕緣層30的電極圖層支持部31上。同時，第2觸控電極圖層50在支撐件10的第2方向延伸，如第1圖所示為，第2觸控電極圖層50在X軸向延伸的示意圖，惟本實施例並非用以限定本發明。

第2觸控電極圖層50包含複數個檢知電極和連接電極，檢知電極可為各種形狀，第1圖中所示的檢知電極為鑽石形狀，並以連接電極連接。檢知電極的形狀可為柱狀、塊狀、圓狀或多角形狀。第2觸控電極圖層50一表面上的形狀實質上與第2絕緣層30的電極圖層支持部31相同，如第1圖所示，第2觸控電極圖層50延X軸向延伸，電極圖層支持部31同樣延X軸向延伸，電極圖層支持部31上表面的形狀，即和第2觸控電極圖層50的鑽石狀形狀相同。第2觸控電極圖層50為一透明的導電材料，亦可能包含金屬，例如銀奈米線、金屬網和石墨烯，或和第1觸控電極圖層為相同材料。

第1絕緣層20的電極圖層支持部21的厚度d1相等或小於第2絕緣層30電極圖層支持部31的厚度d3，當第1觸控電極圖層40的厚度d2相等於第2觸控電極圖層50的厚度d4。因此，第1絕緣層20上的電極圖層支持部21加上第1觸控電極圖層40的總厚度小於或等於第2絕緣層30上的電極圖層支持部31加上第2觸控電極圖層50的總厚度。當形成在第1絕緣層20上的第2絕緣層30的厚度相對小於第1絕緣層20時，即會在第1絕緣層20和第2絕緣層30之間形成一間隙，而在第1絕緣層20和第2絕緣層30產生一空間。因此，可以藉由將第2絕緣層30的厚度製成大於或等於第1絕緣層20的厚度，使得第1絕緣層20和第2絕緣層30產生的空間最小化。在某些實施例中，第1絕緣 層20上的電極圖層支持部21加上第1觸控電極圖層40的總厚度，以及第2絕緣層30上的電極圖層支持部31加上第2觸控電極圖層50的總厚度為10μm，或小於10μm。

本發明的觸控面板100為一種水平型態的觸控面板，觸控面板100藉由檢知觸控是否發生，再計算觸控座標上第1觸控電極圖層40和第2觸控電極圖層50上電阻的變化。當使用ITO作為電極圖層時，觸控的距離一般為100μm，或大於100μm，此一觸控距離足夠作為檢知是否有產生觸控動作，以及計算觸控位置座標，所以ITO適於使用在垂直型態的觸控面板。然而根據本發明的實施例，觸控面板100的電極圖層厚度為10μm，或小於10μm，且使用透明的導電材料，例如銀奈米線、金屬網和石墨烯，而非使用ITO，所以本發明較難適用在垂直型態的觸控面板。然而如前所述，本發明的觸控面板100適用於水平型態的觸控面板，藉由檢知觸控時第1觸控電極圖層40和第2觸控電極圖層50上電阻的變化，計算出觸控位置的座標。

在某些實施例中，觸控面板100更包括一藉由第1觸控電極圖層40和第2觸控電極圖層50上傳送輸入信號的佈線，佈線為導電材質，例如金屬材質。佈線可以成在某一區域，如支撐件10上未形成第1絕緣層20和第2絕緣層30的區域，換言之，也就是第1絕緣層20和第2絕緣層30以外的區域，且可以從第1觸控電極圖層40和第2觸控電極圖層50導通輸入信號。

以下將以具體實施例配合第5圖、第6A到第6H圖來說明本發明觸控面板的製造方法。

如第5圖所示，為本發明所揭露的觸控面板之製造方法流程圖。第6A到第6H 圖為依據本實施例所述製造方法製成的觸控面板剖面圖。

首先，請參考第5圖所示的步驟S500，下層光阻薄膜120和形成在下層光阻薄膜120上的下層透明導電層140係設置在支撐件10。有關下層光阻薄膜120和形成在下層光阻薄膜120上的下層透明導電層140，將於下文配合第6A圖詳加說明。

下層光阻薄膜120是用來形成第1絕緣層20的一種光阻薄膜，係設置在觸控面板100的第1絕緣層20和第2絕緣層30之間較低側的位置，下層光阻薄膜120為光阻材質，且為薄膜型態。下層透明導電層140係用來形成第1觸控電極圖層40，並設置在第1觸控電極圖層40和第2觸控電極圖層50較低側的位置。下層透明導電層140為透明導電材質，例如為含有金屬的導電材料。

下層透明導電層140係先形成在下層光阻薄膜120後，再設置於支撐件10上。換言之，下層透明導電層140係藉由添加液態導電材質，並形成在下層光阻薄膜120上，再加以乾燥處理。而下層光阻薄膜120及下層透明導電層140係以層壓法設置在支撐件10。惟此一形成方法非用以限制本發明，下層光阻薄膜120及形成在下層光阻薄膜120上的下層透明導電層140，可以多樣的方法形成。

接著，請參考第5圖所示的步驟S510，第1絕緣層20更具有電極圖層支持部21和連接部22，係對下層光阻薄膜120進行多次曝光。第1絕緣層20形成的詳細過程，將於下文配合第6A、6C圖加以說明。

請參閱第6B圖所示係對下層光阻薄膜120進行第1次曝光，以在第1絕緣層20形成電極圖層支持部21。形成電極圖層支持部21曝光的過 程中，係將第1光罩190覆蓋於下層透明導電層140上，在欲形成電極圖層支持部21的區域，則未覆蓋第1光罩190。之後，對第1光罩190施以紫外線照射，下層光阻薄膜120可為負光阻材質，在未覆蓋第1光罩190的區域，由於曝光硬化而在第1絕緣層20形成電極圖層支持部21。

請再參閱第6C圖，為了在第1絕緣層20形成連接部22，再對下層光阻薄膜120進行第2次曝光。為了在第2絕緣層30形成連接部32，對下層透明導電層140施以紫外線曝光。如圖所示，相對於要在第1絕緣層20形成電極圖層支持部21和連接部22的區域，不覆蓋光罩。連接部22的厚度可以藉由紫外線曝光的次數來調整，例如，將連接部22形成的厚度小於電極圖層支持部21的厚度。

此外，本實施例中，第1絕緣層相鄰的電極圖層支持部21係利用對下層光阻薄膜120進行多次的曝光，使每一電極圖層支持部21連接起來，以減少製造步驟，並最佳化開口現象。

步驟S520，如第6D圖所示，係藉由將下層光阻薄膜120顯像形成第1觸控電極圖層40，第1觸控電極圖層40形成的詳細過程，將於下文配合第6D圖加以說明。

於第6D圖中，下層光阻薄膜120完成多次的曝光後，殘留的下層光阻薄膜120可以經由顯影除去。殘留的下層光阻薄膜120去除時，形成在其上的下層透明導電層140也會一併被去除。使用於下層光阻薄膜120的顯影溶液為無機鹼溶液或有機鹼溶液。但本發明並不受限於此，係可以使用各種顯影方法。如上所述，經由顯影後，即在第1絕緣層20的電極圖層支持部21上形成第1觸控電極圖層40。於其他實施例中，形成第1觸控電極 圖層40後，可於第1絕緣層20上另外進行硬化處理程序。

在使用ITO作為電極圖層的觸控面板技術中，ITO需要被沉積在一支撐件以形成光阻層，再經過曝光，顯影，蝕刻，和剝離等製程後，ITO才完成圖案化。然而由本發明的實施例中可知，本發明只要對形成在一支撐件10上的下層光阻薄膜120，以及光阻薄膜12上形成的下層透明導電層140，進行曝光和顯影的製程，即可完成圖案化。完全不需習知技術使用的蝕刻、剝離及其他類似的製程。因此，本發明可以降低製造成本、時間，減少製程和加工困難度。

請參考第6E圖所示的步驟S530，光阻薄膜130和形成在光阻薄膜130膜上的透明導電層150係設置在第一絕緣層20和第一電極圖層40上。有關光阻薄膜130和透明導電層150的形成，將於下文配合第6E圖詳細說明。

上層光阻薄膜130是用來形成第2絕緣層30所使用的一種光阻薄膜，其係設置在觸控面板100的第1絕緣層20和第2絕緣層30之間較高側的位置，上層光阻薄膜130為光阻材質，並為薄膜型態。

上層透明導電層150係用來形成第2觸控電極圖層50，並設置在觸控面板100第1觸控電極圖層40和第2觸控電極圖層50較高側的位置。上層透明導電層150可使用與下層透明導電層140相同的材質。

上層光阻薄膜130和上層透明導電層150在配置在第1絕緣層20和第1觸控電極圖層40之前，上層透明導電層150係先形成在上層光阻薄膜130上，其形成的方法和下層透明導電層140形成在下層光阻薄膜120上的方法相同。

上層光阻薄膜130及上層透明導電層150係以層壓法設置在 第1絕緣層20和第1觸控電極圖層40。惟此一形成方法非用以限制本發明，上層光阻薄膜130及形成在上層光阻薄膜130上的上層透明導電層150，可以多樣的方法形成。

步驟S540，如第6F、6G圖所示，第2絕緣層30更具有電極圖層支持部31和連接部32，其係藉由對上層光阻薄膜130進行多次曝光。第2絕緣層30形成的過程，茲配合第6F、6G圖於下文中詳述。

如第6F圖所示，為了在第2絕緣層30形成電極圖層支持部31，因此，對上層光阻薄膜130進行第1次曝光。在形成電極圖層支持部31的過程中，係於上透明導電層15上覆蓋第2光罩191，不過在欲形成電極圖層支持部31的區域，則未覆蓋第2光罩191。之後，對第2光罩191施以紫外線照射，在未覆蓋第2光罩191的區域，由於曝光硬化在第2絕緣層30形成電極圖層支持部31。

接著，請參閱第6G圖，為了在第2絕緣層30形成連接部32，對上層光阻薄膜130進行第2次曝光。為了在第2絕緣層30形成連接部32，對上層透明導電層150係施以紫外線曝光。如第6G圖所示，相對於要在第2絕緣層30形成電極圖層支持部31和連接部32的區域，但並不使用獨立的光罩，而係使用一設置在上層透明導電層150上方，但不與上層透明導電層150接觸的光罩。如上所述，不使用光罩或者光罩不與上層透明導電層150接觸，在紫外線的曝光過程中，氧氣流經上層光阻薄膜130的上表面，再與上層透明導電層150接觸，上層光阻薄膜130的上表面係由於氧氣擾流硬化，而上層光阻薄膜130的下表面係與第1絕緣層20和第1觸控電極圖層40接觸，因此，上層光阻薄膜130係由下往上形成硬化。由本實施例可知，可藉 由紫外線曝光的次數來調整第2絕緣層30連接部32的厚度。

此外，本實施例中，第2絕緣層30相鄰的電極圖層支持部31係利用對上層光阻薄膜130進行多次的曝光形成連接部32後加以連接，因此，第1觸控電極圖層40和第2觸控電極圖層50間的製程減少，可改善可視性。

步驟S550，如第6H圖所示，係將上層光阻薄膜130顯像，形成第2觸控電極圖層50。第2觸控電極圖層50形成的詳細過程，將於下文配合第6H圖加以說明

如第6H圖中所示，上層光阻薄膜130完成多次的曝光後，殘留的上層光阻薄膜130可以經由顯影除去。殘留的上層光阻薄膜130去除時，形成在其上的上層透明導電層150也會一併被去除。使用於上層光阻薄膜130的顯影溶液為無機鹼溶液或有機鹼溶液。但本發明並不受限於此，而係可以使用各種顯影方法。

如上所述，經由顯影後，即在第2絕緣層30的電極圖層支持部31上形成第2觸控電極圖層50。於其他實施例中，形成第2觸控電極圖層50後，可於第2絕緣層30上另外進行硬化處理程序。

在使用ITO作為電極圖層的觸控面板技術中，ITO需要被沉積在一支撐件以形成光阻層，再經過曝光，顯影，蝕刻，和剝離等製程後，ITO才完成圖案化。而且，如果想在一ITO電極圖層上再形成一ITO電極圖層時，必須在二個ITO電極圖層間，額外設置一支持件，將增加製造費用，且觸控面板厚度也隨之變厚，而無法生產製造薄型的觸控面板。

不過，由本發明的實施例中的製造方法可知，本發明只要對上層光阻薄膜130，以及上層光阻薄膜130上形成的上層透明導電層150，進行曝光和顯影 的製程，即可完成圖案化。完全不需習知技術使用的蝕刻、剝離及其他類似的製程。因此，本發明可以降低製造成本、時間，減少製程、降低製程難度、減少不必要的材料，而可以產製薄型的觸控面板。

再者，如果想在一ITO電極圖層上再形成一ITO電極圖層時，在二個ITO電極圖層間設置一絕緣層(非前述的支持件)。在此情況下，此一絕緣層只形成在二個ITO電極圖層的交叉點，使觸控面板厚度的增加最小化。而且，製程上需分別使用光罩，絕緣層無法精確地排列。

然而，本發明的實施例中的製造方法，利用上層光阻薄膜130硬化形成第2導電圖層50，第2絕緣層30使第1導電圖層40、第2導電圖層50絕緣，因此，本發明不需要個別形成絕緣層的製程。

唯以上所述者，僅為本發明之具體實施例，當不能以之限制本發明的範圍。即大凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化及修飾，仍將不失本發明之要義所在，亦不脫離本發明之技術意義和範圍，故都應視為本發明的均等範疇。

20‧‧‧第1絕緣層

21‧‧‧電極圖層支持部

22‧‧‧連接部

30‧‧‧第2絕緣層

31‧‧‧電極圖層支持部

32‧‧‧連接部

40‧‧‧第1觸控電極圖層

50‧‧‧第2觸控電極圖層

d1~d4‧‧‧厚度

Claims (15)

1. 一種觸控面板，包含：一支撐件；一第1絕緣層，形成在該支撐件上，更包含一電極圖層支持部和一連接部；一第1觸控電極圖層，形成在該第1絕緣層的該電極圖層支持部上；一第2絕緣層，形成在該第1絕緣層和第1觸控電極圖層，更包含一電極圖層支持部和一連接部；一第2觸控電極圖層，形成在該第2絕緣層的該電極圖層支持部上；其中，第1絕緣層的電極圖層支持部的厚度大於第1絕緣層連接部的厚度；第2絕緣層的電極圖層支持部的厚度大於第2絕緣層連接部的厚度。
2. 如請求項1所述之觸控面板，其中該第1絕緣層和該第2絕緣層可為光阻材質。
3. 如請求項1所述之觸控面板，其中該第1觸控電極圖層和該第2觸控電極圖層可為透明導電圖層。
4. 如請求項3所述之觸控面板，其中該透明導電圖層可為含有金屬的導電材料。
5. 如請求項1所述之觸控面板，其中該第1觸控電極圖層可沿著第1方向延伸，第2觸控電極圖層可沿著與第1方向垂直的第2方向延伸。
6. 一種觸控面板，包含：一支撐件；一形成在該支撐件表面上的第1光感應樹脂層，該第1光感應樹脂層具 有凹部、凸部；一第1導電圖層形成在該第1光感應樹脂層的該凸部；一第2光感應樹脂層形成在該第1光感應樹脂層和該第1導電圖層上，該第2光感應樹脂層具有一第1部分和一第2部分，其中，該第2部分的第2厚度大於該第1部分的第1厚度；一第2導電圖層形成在該第2光感應樹脂層的該第2部分。
7. 一種觸控面板的製造方法，其步驟包含：提供一支撐件，於該支撐件上設置一下層光阻薄膜以及一形成在該下層光阻薄膜的下層透明導電層；對該下層光阻薄膜進行多次曝光，形成包含觸控電極支持部和連接部的第1光阻硬化層；對該下層光阻薄膜進行顯影處理，形成第1透明導電圖層；設置一上層光阻薄膜以及一形成在上層光阻薄膜的上層透明導電層，該上層光阻薄膜係設置於該第1光阻硬化層和該第1透明導電圖層上；對該上層光阻薄膜進行多次曝光，形成包含觸控電極支持部和連接部的第2光阻硬化層；對該上層光阻薄膜進行顯影處理，形成第2透明導電圖層。
8. 如請求項7所述之觸控面板的製造方法，其中該第1、2透明導電圖層可使用含有金屬的導電材料。
9. 如請求項7所述之觸控面板的製造方法，其中該第1光阻硬化層的形成步驟，包含：對該下層光阻薄膜進行曝光，形成該第1光阻硬化層的觸控電極圖層的支 持部；再對該下層光阻薄膜進行曝光，形成該第2光阻硬化層的連接部；該連接部的厚度小於該觸控電極圖層支持部的厚度。
10. 如請求項9所述之觸控面板的製造方法，其中該第1光阻硬化層的觸控電極圖層支持部之形成步驟，包含：藉由一光罩將該下層光阻薄膜曝光，相對應於該第1光阻硬化層觸控電極圖層支持部的區域，並沒有被該光罩覆蓋，所以可以和該下層透明導電層接觸。
11. 如請求項9所述之觸控面板的製造方法，其中該第1光阻硬化層的連接部的形成步驟，包含：藉由一光罩對該下層光阻薄膜相對應於該第1光阻硬化層觸控電極圖層支持部以及連接部的區域進行曝光，該光罩與該下層透明導電層保持有一距離。
12. 如請求項9所述之觸控面板的製造方法，其中該第1光阻硬化層觸控電極圖層連接部的形成，可以針對該下層光阻薄膜全部區域進行曝光。
13. 如請求項9所述之觸控面板的製造方法，其中該第1透明導電層係形成在該第1光阻硬化層的觸控電極圖層支持部。
14. 如請求項7所述之觸控面板的製造方法，其中第2光阻硬化層的觸控電極圖層支持部之形成步驟，包含：對該上層光阻薄膜進行曝光，在該第2光阻硬化層形成觸控電極圖層支持部以及連接部，該連接部的厚度小於該觸控電極圖層支持部的厚度。
15. 如請求項14所述之觸控面板的製造方法，其中該第2透明導電層係形 成在第1光阻硬化層的觸控電極圖層支持部。