TW201515254A - 背接觸式太陽能電池及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種背接觸式太陽能電池及其製造方法，包含提供一基板。形成第一導電型摻雜區與第二導電型摻雜區於該基板。形成鈍化層於該基板，以覆蓋該第一導電型摻雜區與該第二導電型摻雜區。間隔設置複數第一電極漿料團塊於該鈍化層上，各該第一電極漿料團塊對應該第一導電型摻雜區與該第二導電型摻雜區，該第一電極漿料團塊包含金屬成分與玻璃成份。以第二電極漿料包覆該些第一電極漿料團塊。加熱至少該第一電極漿料團塊一預定溫度，使該金屬成份、該玻璃成份以及與該第一電極漿料團塊接觸之該鈍化層共同形成複數接觸區域。
Description
本發明係有關於一種太陽能電池結構，特別是一種背接觸式太陽能電池及其製造方法。
能源，係可以做為創新技術研發之根本。隨著近年來對於環保的訴求以及火力、核能等主要發電源所迸生的種種問題，使得各類潔淨能源紛紛受到重視，其中，相較於其他型態的能源，太陽能具有較高的發電效率與廣泛的使用性。因此，各類型太陽能電池技術也持續不斷的發展。
其中，背接觸式太陽能電池(back contact solar cell)由於其電極係設置於太陽能電池之背光面，使得其正面具有更大的光照面積，進而使發電效率得以提升。
習用製程係常以雷射開孔(Laser Opening)技術製作此類電池之電極，流程概述如下：首先利用雷射於背接觸式太陽能電池中，設置於基板91之鈍化層92(passivation layer)上，對應N型摻雜區93以及P型摻雜區94燒開孔隙99，如第1A圖所示。接著利用濺鍍機(sputter)將含有鋁材、鈦、鎢以及銅材之混合金屬填入孔隙99內，並於鈍化層上形成晶種層(seed layer)95，
如第1B圖所示。接著，利用網版印刷技術於晶種層95上覆蓋抗鍍層96，並裸露對應於孔隙99之晶種層95，如第1C圖所示。然後，電鍍上銅錫合金97，如第1D圖所示，再除去所述抗鍍層96，如第1E圖所示。最後，利用蝕刻技術，將晶種層95未接設有銅錫合金97之部位除去而完成電極之製作，如第1F圖所示。
然而，就此一技術而言，以雷射形成孔隙99的過程中，雷射亦可能對P型摻雜區94(及N型摻雜區93)之表面造成傷害，進而影響背接觸式太陽能電池之發電效率；此外，此一技術尚有成本昂貴以及製程繁複、耗時的問題。
有鑑於此，本發明提出一種背接觸式太陽能電池及其製造方法。所述背接觸式太陽能電池之製造方法包含：提供一基板，其具有一第一表面與一第二表面；形成一第一導電型摻雜區與一第二導電型摻雜區於基板之第二表面；形成一鈍化層於基板之第二表面，以覆蓋第一導電型摻雜區與第二導電型摻雜區，鈍化層之成份係選自氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、氧化鋁等介電質材料及其組合；間隔設置複數第一電極漿料團塊於鈍化層上，各第一電極漿料團塊係分別對應設置於第一導電型摻雜區與第二導電型摻雜區上，第一電極漿料團塊包含一第一金屬成分與一第一玻璃成份，且第一玻璃成份係選自鉍玻璃或鉛玻璃；以第二電極漿料團塊包覆第一電極漿料團塊；加熱該第一
電極漿料團塊與該第二電極漿料至一預定溫度，於該鈍化層形成複數接觸區域，且該第一電極漿料團塊與該第二電極漿料形成一電極結構。其中，加熱第一電極漿料團塊與該第二電極漿料至一預定溫度的步驟係用以使第一金屬成份、第一玻璃成份以及與第一電極漿料團塊接觸之鈍化層三者共同形成一接觸區域於該鈍化層中，使本發明之背接觸式太陽能電池所產生之電力可經由接觸區域而被所述電極結構所收集並輸出。
本發明又提出一種背接觸式太陽能電池之製造方法，包括：提供一基板，該基板具有一第一表面與一第二表面；形成一第一導電型摻雜區與一第二導電型摻雜區於該第二表面；形成一鈍化層於該第二表面，以覆蓋該第一導電型摻雜區與該第二導電型摻雜區，該鈍化層之成份係選自氮化矽、氧化矽、氮氧化矽及氧化鋁等介電質材料及其組合；間隔設置複數第一電極漿料團塊於該鈍化層上，各該第一電極漿料團塊係分別對應設置於該第一導電型摻雜區與該第二導電型摻雜區上，該第一電極漿料團塊包含一第一金屬成分與一第一玻璃成份，且該第一玻璃成份係選自鉍玻璃或鉛玻璃；加熱該些第一電極漿料團塊至一預定溫度，使該第一金屬成份、該第一玻璃成份以及與該第一電極漿料團塊接觸之該鈍化層共同形成複數接觸區域於該鈍化層中；接著以一第二電極漿料包覆該些第一電極漿料團塊；然後加熱該些第一電極漿料團塊與該第二電極漿料以形成一電極結構。
藉由前述方法，無須藉由習知之雷射開孔技術去除鈍化層以形成可用來塗佈銀漿之電極線路，而可以直接在電極預定位置塗佈第一電極漿料團塊，藉由熱燒結而就地形成接觸區域，所形成的接觸區域係同時含有金屬成分、鉍玻璃或鉛玻璃、以及鈍化層成分等三種材料。而第二電極漿料可以在接觸區域形成前包覆第一電極漿料團塊，並與第一電極漿料團塊共同進行熱燒結，亦可在接觸區域形成後再包覆第一電極漿料團塊。
此外，本發明亦提出一種背接觸式太陽能電池，其包含基板、鈍化層、複數接觸區域與複數電極結構。基板具有一第一表面與一第二表面，第一表面係為光入射面，第二表面包括一第一導電型摻雜區與一第二導電型摻雜區。鈍化層設置於第二表面以覆蓋第一導電型摻雜區與第二導電型摻雜區。複數接觸區域間隔設置於鈍化層且個別對應第一導電型摻雜區與第二導電型摻雜區。各接觸區域包含一金屬成份、一玻璃成份與鈍化層之成份，所述玻璃成份係選自鉍玻璃或鉛玻璃，鈍化層之成份係選自氮化矽、氧化矽、氮氧化矽及氧化鋁等介電質材料及其組合。複數電極結構係電性連接於各接觸區域。
因此，本發明之背接觸式太陽能電池之接觸區域並非如先前技術般為純金屬材質，而是同時含有金屬成分、鉍玻璃或鉛玻璃、以及鈍化層成分等三種材料。
91‧‧‧基板
92‧‧‧鈍化層
93‧‧‧N型摻雜區
94‧‧‧P型摻雜區
95‧‧‧晶種層
96‧‧‧抗鍍層
97‧‧‧銅錫合金
99‧‧‧孔隙
100‧‧‧背接觸式太陽能電池
10‧‧‧基板
11‧‧‧第一表面
11a‧‧‧微結構
11b‧‧‧抗反射層
12‧‧‧第二表面
12p‧‧‧P型摻雜區
12n‧‧‧N型摻雜區
20‧‧‧鈍化層
30‧‧‧接觸區域
40‧‧‧電極結構
81‧‧‧第一電極漿料團塊
82‧‧‧第二電極漿料
S01‧‧‧提供一基板
S02‧‧‧於基板之第二表面形成P型摻雜區與N型摻雜區
S03‧‧‧形成鈍化層於第二表面以覆蓋P型摻雜區與N型摻雜區
S04‧‧‧間隔設置複數第一電極漿料團塊於鈍化層上
S05‧‧‧以第二電極漿料包覆第一電極漿料團塊
S06‧‧‧加熱第一漿料團塊與第二電極漿料至一預定溫度
S07‧‧‧部分第一電極漿料團塊進入鈍化層形成複數接觸區域，第一電極漿料團塊與第二電極漿料共同形成電極結構
T01‧‧‧提供一基板
T02‧‧‧於基板之第二表面形成P型摻雜區與N型摻雜區
T03‧‧‧形成鈍化層於第二表面以覆蓋P型摻雜區與N型摻雜區
T04‧‧‧間隔設置複數第一電極漿料團塊於鈍化層上
T05‧‧‧加熱第一電極漿料團塊至預設溫度使部分第一電極漿料團塊進入鈍化層形成複數接觸區域
T06‧‧‧以第二電極漿料包覆第一電極漿料團塊
T07‧‧‧加熱第一電極漿料團塊與第二電極漿料而形成電極結構
第1A圖係為一習知之背接觸式太陽能電池之製造流程圖(一)。
第1B圖係為一習知之背接觸式太陽能電池之製造流程圖(二)。
第1C圖係為一習知之背接觸式太陽能電池之製造流程圖(三)。
第1D圖係為一習知之背接觸式太陽能電池之製造流程圖(四)。
第1E圖係為一習知之背接觸式太陽能電池之製造流程圖(五)。
第1F圖係為一習知之背接觸式太陽能電池之製造流程圖(六)。
第2圖係本發明第一實施例之背接觸式太陽能電池之製造方法之流程示意圖。
第3A圖係本發明背接觸式太陽能電池之剖面示意圖(一)。
第3B圖係本發明背接觸式太陽能電池之剖面示意圖(二)。
第3C圖係本發明背接觸式太陽能電池之剖面示意圖(三)。
第4A圖係本發明背接觸式太陽能電池之第一電極漿料團塊於N型摻雜區上之SEM放大照片。
第4B圖係本發明背接觸式太陽能電池之第一電極漿料團塊與第二電極漿料於N型摻雜區上之SEM放大照片。
第4C圖係本發明背接觸式太陽能電池之第一電極漿料團塊於P型摻雜區上之SEM放大照片。
第4D圖係本發明背接觸式太陽能電池之第一電極漿料團塊與第二電極漿料於P型摻雜區上之SEM放大照片。
第5圖係本發明第二實施例之背接觸式太陽能電池之製造方法之流程示意圖。
請參照第2圖，為本發明第一實施例之背接觸式太陽能電池製造方法之流程示意圖，其具體揭露了本發明第一實施例之背接觸式太陽能電池製造方法，其包含：步驟S01：提供一基板；步驟S02：於基板之第二表面形成P型摻雜區與N型摻雜區；步驟S03：形成鈍化層於第二表面以覆蓋P型摻雜區與N型摻雜區；步驟S04：間隔設置複數第一電極漿料團塊於鈍化層上；步驟S05：以第二電極漿料包覆第一電極漿料團塊；步驟S06：加熱第一漿料團塊與第二電極漿料至一預定溫度；步驟S07：部分第一電極漿料團塊進入鈍化層形成複數接觸區域，且第一電極漿料團塊與第二電極漿料團塊形成一電極結構。需要說明的是，雖然流程圖之表現方式係自步驟S01執行至步驟S07，但本發明並不以此為限。
請同步參照第3A圖，於本實施例中，步驟S01係為提供一基板(substrate)10。在此，基板10係為製作太陽能電池所使用之半導體基板，其係由矽晶圓(silicon wafer)為材料製作而成，其可以為N型矽基結晶半導體基板或P型結晶半導體基板，本實施例係以N型矽基結晶半導體基板為例做說明，但本發明並不以此為限。N型矽基結晶半導體基板係以由浮區法(floating zone method,FZ method)或柴式提拉法(Czochralski pulling technique,CZ)所製得的矽晶圓作為材料，並加入N型摻雜質(N-type dopant)所製得。P型結晶半導體基板則係以前述矽晶圓作
為材料並加入P型摻雜質(P-type dopant)所製得。所述基板10具有第一表面11與第二表面12，光線係自第一表面11入射。於步驟S01所提供之基板10之第一表面11係已被粗糙化處理而形成微結構11a並且於第一表面11形成複數個抗反射層11b，在本實施例中該些複數個抗反射層11b皆具有微結構11a。前述微結構11a可以降低入射光的反射率，並提供比平面更長的光路徑，進而增加第一表面11的收光效率，舉例而言，微結構11a可為規則排列的倒三角錐陣列。抗反射層11b則用以減少因反射而造成的光線損失。
請同時參照第2圖與第3A圖，於本實施例中，步驟S02係為於第二表面12交錯形成P型摻雜區12p與N型摻雜區12n。P型摻雜區12p之多數載子(majority carriers)為電洞，少數載子(minority carriers)為電子；而N型摻雜區12n之多數載子為電子，少數載子為電洞。有關N型摻雜區12n與P型摻雜區12p的作用原理以及於第二表面12形成P型摻雜區12p或N型摻雜區12n之方法係為所屬技術領域中具有通常知識者已知悉或所習知之技術，因此在此不再贅增篇幅述明。在本實施例中，P型摻雜區12p之厚度係等同於N型摻雜區12n之厚度，P型摻雜區12p之面積不等同於N型摻雜區12n之面積，然而本發明並不以此為限，於其他實施例中，P型摻雜區12p之面積亦可以等同於N型摻雜區12n之面積，且P型摻雜區12p之厚度與N型摻雜區12n之厚度可以是相同或不
同。此外，本實施例之P型摻雜區12p或N型摻雜區12n係具有相同的摻雜濃度，然而所屬技術領域中具有通常知識者當知P型摻雜區12p或N型摻雜區12n可以具有不同的摻雜濃度。所述摻雜濃度係可以做為調整P型摻雜區12p或N型摻雜區12n之光電性質的參考依據之一。在本實施例中，P型摻雜區12p與N型摻雜區12n係以交互平行排列的方式形成於第二表面12。
請再參照第3A圖，於本實施例中，步驟S03係為於第二表面12形成鈍化層20以覆蓋P型摻雜區12p與N型摻雜區12n。鈍化層20主要用以提供鈍化效果以降低表面載子復合速度，鈍化層20之成分係可選自氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、氧化鋁及其組合，但並不限於此。一般而言，可以電漿輔助化學氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)、反應式濺鍍法(reactive sputtering)或原子層磊晶方式(atomic layer deposition,ALD)形成氧化鋁成分的鈍化層，但不以此為限，鈍化層20亦可以等其他方式形成於第二表面12。
請同步參照第2圖與第3A圖所示，步驟S04係為將複數第一電極漿料團塊81間隔設置於鈍化層20上，且第一電極漿料團塊81係對應N型摻雜區12n與P型摻雜區12p進行設置。所述各個第一電極漿料團塊81係具有導電性，每個第一電極漿料團塊81包含一第一金屬成分與一第一玻璃成分，所述第一金屬成分係選自鋁、銀、銅及其組合，所述第一玻璃成分係選自鉍玻璃或鉛玻璃。
於本實施例中，以第一電極漿料團塊81之總重量為基礎，N型摻雜區12n上之第一電極漿料團塊81所含之第一金屬成分為銀，且銀之重量百分比係在65%至95%之間，P型摻雜區12p上之第一電極漿料團塊81所含之第一金屬成分為鋁，且鋁之重量百分比係在65%至95%之間，即第一金屬成分為第一電極漿料團塊81之主要成份，並可依需求於65%至95%之重量百分比的範圍內調整所述第一金屬成分內第一電極漿料團塊81所佔的比例。而各個第一電極漿料團塊81係以網版印刷技術設置於鈍化層20上相對於N型摻雜區12n與P型摻雜區12p的位置。在其他實施例中，設置於N型摻雜區12n與P型摻雜區12p上之第一電極漿料團塊81之材料可以是相同或不同，且重量百分比亦可以是相同或不同，例如對應N型摻雜區12n之第一電極漿料團塊81之第一金屬成分為銀，重量百分比為80%，而對應P型摻雜區12p之第一電極漿料團塊81之第一金屬成分為銀鋁合金，重量百分比為90%。熟習此技藝者應理解本發明並不以前述實施例為限。
第一電極漿料團塊81係以間隔點狀的方式設置於鈍化層20上相對於N型摻雜區12n與P型摻雜區12p的位置。第一電極漿料團塊81彼此間的距離可依實際所測得之電性輸出予以調整。
請同時參照第2圖與第3B圖，步驟S05係為以第二電極漿料82包覆位於同一摻雜區上方之第一電極漿料團塊81。於本實施例中，第二電極漿料82係具有導
電性且係可包含第二金屬成分及第二玻璃成分。所述第二金屬成分係選自鋁、銀、銅及其組合，但本發明並不以此為限。第二電極漿料82所含之第二玻璃成分係不含有鉍玻璃或鉛玻璃。於本實施例之一實施態樣中，以第二電極漿料82之總重量為基礎，第二金屬成分的重量百分比係在70%至97%之範圍間。
於本實施例中，第二電極漿料82係藉由網版印刷技術直接形成於尚未經過熱燒結但已烘乾之第一電極漿料團塊81上。此外，也可以先對第一電極漿料團塊81予以熱燒結並形成接觸區域30後，再將第二電極漿料82形成於已經過熱燒結之第一電極漿料團塊81上。相較於第一電極漿料團塊81係呈點狀分布，第二電極漿料82則是呈帶狀並電性連接於同一摻雜區上方之所有第一電極漿料團塊81。
步驟S06係為將第一電極漿料團塊81加熱至一預定溫度。於此溫度或高於此溫度之環境下，鄰近鈍化層的第一電極漿料團塊81之第一玻璃成分可與附近區域的鈍化層20於其界面附近形成低熔點之一共熔組成。此時，由於環境溫度係高於共熔組成之熔點，因此共熔組成係呈現熔融態，進而使第一電極漿料團塊81中的第一金屬成分得以進入鈍化層，形成點狀分佈的接觸區域30並使得第一電極漿料團塊81與鈍化層20下方之P型摻雜區12p或N型摻雜區12n透過接觸區域30接觸，如第3C圖所示。所述接觸區域30可電性連接對應區域之P型摻雜區12p
或N型摻雜區12n，且同時包含第一金屬成分、第一玻璃成份與鈍化層成份。故在鈍化層上設置第一電極漿料團塊81與包覆第一電極漿料團塊81之第二電極漿料82後，進行熱燒結處理，於此步驟中部分含鉍玻璃或鉛玻璃之第一電極漿料團塊81會進入鈍化層20而形成一接觸區域30，且第一電極漿料團塊81與第二電極漿料82共同形成一電極結構40，此即步驟S07。前述背接觸式太陽能電池所產生之電力係經由接觸區域30而被所述電極結構40所收集，進而輸出至外界。本實施例之第二電極漿料82之第二玻璃成分係不含鉍或鉛，因此當第一電極漿料團塊81與第二電極漿料82一起被加熱時，第二電極漿料82之第二金屬成分不會被帶入鈍化層20，故第二電極漿料82下方之鈍化層20不會形成接觸區域。
請參照第4A圖至第4D圖，於本實施例中，若以垂直於一背接觸式太陽能電池之基板10之第二表面的方向來觀察塗覆於鈍化層20上之第一電極漿料團塊81與塗覆於鈍化層20及第一電極漿料團塊81上之第二電極漿料82，二者所占的面積比約在1：1.2至1：100之範圍間，即在俯視圖中，第二電極漿料82的面積為第一電極漿料團塊81的面積的1.2至100倍。
在其他實施態樣中，步驟S01所提供之基板10可以是未經粗糙化處理之基板，而使第一表面11為一平坦之表面。
在其他實施態樣中，步驟S02更包含於第二表面12形成一第一介電層，例如氧化鋁層。步驟S03更包含於鈍化層上形成一第二介電層，例如氧化鋁層或氮氧化矽層。因此，第二表面12上依序設有第一介電層、鈍化層20與第二介電層，接著實施步驟S04使複數個第一電極漿料團塊81係設置於第二介電層上，再實施步驟S05與S06，部份第一電極漿料團塊81會進入第一介電層、鈍化層、與第二介電層而形成接觸區域30，且第一電極漿料與第二電極漿料共同形成電極結構40。
請參閱第4A至4D圖之SEM放大照片，係顯示本發明之接觸區域30上之第一電極漿料團塊81與電極結構40之第二電極漿料82之分佈關係，其中電極結構40之第二電極漿料82係將複數接觸區域30上之第一電極漿料團塊81彼此電性連結。在本實施例中，每一電極結構40之第二電極漿料82係為一連續線形結構，而複數接觸區域30之第一電極漿料團塊81為複數點狀區域分布於鈍化層20並涵蓋於所述條狀結構之中。需要說明的是，由同一電極結構40之第二電極漿料82所涵蓋的複數第一電極漿料團塊81與接觸區域30係對應相同導電性的摻雜區；也就是說，一電極結構40之第二電極漿料82所涵蓋的複數第一電極漿料團塊81與接觸區域30係對應P型摻雜區12p。而另一電極結構40之第二電極漿料82所涵蓋的複數第一電極漿料團塊81與接觸區域30則係對應N型摻雜區12n。因此所述電極結構40之第二電極漿料82係將對應相
同導電性的摻雜區之接觸區域30之第一電極漿料團塊81加以集結、整合。
此外，在本實施例之一實施態樣中，鈍化層20與電極結構40的厚度比係在1：50至1：2000之範圍中。
請參閱第5圖，係為本發明第二實施例之背接觸式太陽能電池製造方法之流程示意圖，同時參閱第4A至4D圖。本實施例與第一實施例之主要差異在於本實施例於間隔設置複數第一電極漿料團塊81於鈍化層20上之後(步驟T04)，便先對第一電極漿料團塊81施以熱燒結以形成接觸區域30(步驟T05)。然後再以第二電極漿料團塊82包覆位於同一摻雜區上方之所有第一電極漿料團塊81(步驟T06)，最後加熱第一電極漿料團塊81與第二電極漿料82而形成電極結構40(步驟T07)。
綜上所述，藉由使用本發明之背接觸式太陽能電池製造方法可以避免對P型摻雜區12p(或N型摻雜區12n)之表面造成傷害，與習知之雷射開孔技術相比，可避免雷射開孔時於P型摻雜區12p(或N型摻雜區12n)表面造成缺陷，P型摻雜區12p(或N型摻雜區12n)表面缺陷的減少可降低載子復合速率，進而提升背接觸式太陽能電池100之發電效率；此外，此一技術相較先前技術而言，尚有成本較為低廉、製程較為簡單、在單位時間內有較高的產能等特點。
雖然本發明的技術內容已經以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，
在不脫離本發明之精神所作些許之更動與潤飾，皆應涵蓋於本發明的範疇內，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧背接觸式太陽能電池
10‧‧‧基板
11‧‧‧第一表面
11a‧‧‧微結構
11b‧‧‧抗反射層
12‧‧‧第二表面
12p‧‧‧P型摻雜區
12n‧‧‧N型摻雜區
20‧‧‧鈍化層
30‧‧‧接觸區域
40‧‧‧電極結構
Claims (24)
- 一種背接觸式太陽能電池之製造方法，包括：提供一基板，該基板具有一第一表面與一第二表面；形成一第一導電型摻雜區與一第二導電型摻雜區於該第二表面；形成一鈍化層於該第二表面，以覆蓋該第一導電型摻雜區與該第二導電型摻雜區；間隔設置複數第一電極漿料團塊於該鈍化層上，各該第一電極漿料團塊對應該第一導電型摻雜區與該第二導電型摻雜區，該第一電極漿料團塊包含一第一金屬成分與一第一玻璃成份，該第一玻璃成份係選自鉍玻璃或鉛玻璃；以一第二電極漿料包覆該些第一電極漿料團塊；以及加熱該些第一電極漿料團塊與該第二電極漿料至一預定溫度，於該鈍化層形成複數接觸區域，且該第一電極漿料團塊與該第二電極漿料形成一電極結構。
- 如請求項1所述之背接觸式太陽能電池之製造方法，該鈍化層之成份係選自氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、氧化鋁及其組合。
- 如請求項1所述之背接觸式太陽能電池之製造方法，其中以各該第一電極漿料團塊之總重量為基礎，該第一金屬成分之重量百分比係在65%至95%之範圍中。
- 如請求項3所述之背接觸式太陽能電池之製造方法，其中該第一金屬成分係選自鋁、銀、銅及其組合。
- 如請求項1至4任一項所述之背接觸式太陽能電池之製造方法，其中該第二電極漿料包括一第二金屬成分與一第二玻璃成分，以該第二電極漿料之總重量為基礎，該第二金屬成分之重量百分比係在70%至97%之範圍中，該第二玻璃成分係不含鉍或鉛。
- 如請求項1至4任一項所述之背接觸式太陽能電池之製造方法，其中該第一電極漿料團塊所覆蓋之面積與該第二電極漿料所覆蓋之面積的比係在1：1.2至1：100之範圍間。
- 如請求項1至4任一項所述之背接觸式太陽能電池之製造方法，更包含形成一第一介電層於該鈍化層與該第二表面之間。
- 如請求項1至4任一項所述之背接觸式太陽能電池之製造方法，更包含形成一第二介電層於該鈍化層上。
- 一種背接觸式太陽能電池之製造方法，包括：提供一基板，該基板具有一第一表面與一第二表面；形成一第一導電型摻雜區與一第二導電型摻雜區於該第二表面；形成一鈍化層於該第二表面，以覆蓋該第一導電型摻雜區與該第二導電型摻雜區；間隔設置複數第一電極漿料團塊於該鈍化層上，各 該第一電極漿料團塊係對應該第一導電型摻雜區與該第二導電型摻雜區，該第一電極漿料團塊包含一第一金屬成份與一第一玻璃成份，該第一玻璃成份係選自鉍玻璃或鉛玻璃；加熱該些第一電極漿料團塊至一預定溫度，使該第一金屬成份、該第一玻璃成份以及與該第一電極漿料團塊接觸之該鈍化層共同形成複數接觸區域；以一第二電極漿料包覆該些第一電極漿料團塊；以及加熱該些第一電極漿料團塊與該第二電極漿料以形成一電極結構。
- 如請求項9所述之背接觸式太陽能電池之製造方法，該鈍化層之成份係選自氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、氧化鋁及其組合。
- 如請求項9所述之背接觸式太陽能電池之製造方法，其中以各該第一電極漿料團塊之總重量為基礎，該第一金屬成分之重量百分比係在65%至95%之範圍中。
- 如請求項11所述之背接觸式太陽能電池之製造方法，其中該第一金屬成分係選自鋁、銀、銅及其組合。
- 如請求項9至12任一項所述之背接觸式太陽能電池之製造方法，其中該第二電極漿料包括一第二金屬成分與一第二玻璃成分，以該第二電極漿料之總重量為基礎，該第二金屬成分之重量百分比係在70%至97%之範圍中，該第二玻璃成分係不含鉍或鉛。
- 如請求項9至12任一項所述之背接觸式太陽能電池之製造方法，其中該第一電極漿料團塊所覆蓋之面積與該第二電極漿料所覆蓋之面積的比係在1：1.2至1：100之範圍間。
- 如請求項9至12任一項所述之背接觸式太陽能電池之製造方法，更包含形成一第一介電層於該鈍化層與該第二表面之間。
- 如請求項9至12任一項所述之背接觸式太陽能電池之製造方法，更包含形成一第二介電層於該鈍化層上。
- 一種背接觸式太陽能電池，包括：一基板，具有一第一表面與一第二表面，該第一表面係為光入射面，該第二表面包括一第一導電型摻雜區與一第二導電型摻雜區；一鈍化層，設置於該第二表面以覆蓋該第一導電型摻雜區與該第二導電型摻雜區；複數接觸區域，間隔設置於該鈍化層且個別對應並電性連接於該第一導電型摻雜區與該第二導電型摻雜區，各該接觸區域包含一金屬成份、一玻璃成份與該鈍化層之成份，該玻璃成份係選自鉍玻璃或鉛玻璃，該鈍化層之成份係選自氮化矽、氧化矽、氮氧化矽及氧化鋁；以及複數電極結構，電性連接於該些接觸區域。
- 如請求項17所述之背接觸式太陽能電池，其中，以該接觸區域之總重量為基礎，該金屬成分之重量百分比係 在75%至95%之範圍中。
- 如請求項18所述之背接觸式太陽能電池，其中該第一金屬成分係選自鋁、銀、銅及其組合。
- 如請求項17至19任一項所述之背接觸式太陽能電池，其中，該鈍化層與該電極結構的厚度比係在1：50至1：2000之範圍中。
- 如請求項17至19任一項所述之背接觸式太陽能電池，該第一表面係進一步包含一抗反射層。
- 如請求項17至19任一項所述之背接觸式太陽能電池，更包含一第一介電層，設置於該鈍化層與該第二表面之間。
- 如請求項17至19任一項所述之背接觸式太陽能電池，更包含一第二介電層，設置於該鈍化層與該些電極結構之間。
- 如請求項17至19任一項所述之背接觸式太陽能電池，其中該鈍化層之成份係選自氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、氧化鋁及其組合。
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