TW201515060A

TW201515060A - 汙染物測量基板以及使用其製造基板之設備及方法

Info

Publication number: TW201515060A
Application number: TW103110576A
Authority: TW
Inventors: Chong-Jin Park
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2013-07-25
Filing date: 2014-03-20
Publication date: 2015-04-16
Also published as: KR102094800B1; CN104345023A; TWI631593B; KR20150014000A; CN104345023B; US9267899B2; US20150026945A1

Abstract

一種用於製造基板的設備，包含提供執行製程之空間的腔室；污染物測量基板，其包含安裝以收集污染物的基底材料及在基底材料上並定義基底材料之坐標的雷射標示；設置在腔室內的第一檯子，且在收集腔室之污染物期間，污染物測量基板固定在第一檯子上；設置在腔室外的第二檯子，並於量測在污染物測量基板上收集之腔室的污染物時，污染物測量基板固定在第二檯子上；以及設置在第二檯子之上部的污染物測量光源，且污染物測量光源安裝以在量測在污染物測量基板上收集之腔室之污染物時，以光照射固定在第二檯子上的污染物測量基板。

Description

汙染物測量基板以及使用其製造基板之設備及方法

相關申請案之交互參照

【0001】

本申請案主張於2013年7月25日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2013-0088059號，其揭露之全部內容於此併入作為參考。

【0002】

本發明涉及一種污染物測量基板、使用其製造基板之設備及方法。

【0003】

用於諸如有機發光顯示器(OLED)、液晶顯示器(LCD)、或電漿顯示器之顯示裝置的基板是由製造製程製為成品。

【0004】

製造製程包含基板薄膜沉積製程、塗佈製程、及組裝製程，並在各製程腔室中執行。

【0005】

當用於顯示裝置的基板由製造製程所製成時，由於製程腔室之部分的分裂或老化而發生的污染物往往可能吸附到基板上。

【0006】

當吸附至用於顯示裝置之基板污染物的數量超過參考值時，缺陷可能發生在用於製造作為成品之顯示裝置的基板中。

【0007】

因此，在執行用於顯示裝置之基板的製造製程之前，有必要藉由掌握污染物在各製程腔室的量及污染物發生在各製程腔室之部分的位置排除污染物發生的原因。

【0008】

本發明之例示性實施例提供使用在基板的實際製程前腔室的污染物之測量、掌握污染物出現的位置、及排除污染物發生的原因，可有效地防止通過實際製程之基板缺陷的污染物測量基板。

【0009】

本發明之另一例示性實施例提供用於製造基板的設備，其可有效地防止通過實際製程的基板之缺陷，使用在基板的實際製程前測量腔室的污染物、掌握污染物出現的位置、及排除污染物發生的原因。

【0010】

本發明之另一例示性實施例提供用於製造基板的方法，其可有效地防止通過實際製程的基板之缺陷，藉由在基板的實際製程前測量腔室的污染物、掌握污染物出現的位置、及排除污染物發生的原因。

【0011】

根據本發明之例示性實施例，提供用於製造基板的設備，設備包含提供執行製程之空間的腔室、設置在腔室內的第一檯子、包含設置以收集污染物之基底材料及在基底材料上並定義基底材料之坐標之雷射標示的污染物測量基板，第一檯子設置在腔室內，並在收集腔室之污染物期間，污染物測量基板固定在第一檯子之上、設置在腔室外的第二檯子，並在量測污染物測量基板上收集之腔室之污染物期間，污染物測量基板固定在第二檯子之上、及設置在第二檯子之上部，並安裝以在量測在污染物測量基板上收集之腔室之污染物期間，以光照射固定在第二檯子之上的污染物測量基板的污染物測量光源。

【0012】

根據本發明之另一例示性實施例，提供用於製造基板的方法，方法包含準備污染物測量基板，污染物測量基板包含安裝用以收集污染物的基底材料、及在基底材料上，並在該污染物測量基板上定義分別對應於該基板之單位單元的複數個單位區域的雷射標示；污染物測量基板被固定在第一檯子上並且收集腔室的污染物，第一檯子係設置在腔室內，腔室提供執行製程的空間；在第二檯子上固定污染物測量基板，第二檯子係設置在腔室外，並藉由使用污染物測量光源以光照射的污染物測量基板而對於複數個單位區域測量所收集之腔室的污染物；以及比較存在於對應基板之各單位單元之複數個單位區域中各單位區域之腔室之污染物的數量與參考值，並確認存在於各單位區域上之腔室之污染物的數量是否超過參考值。

【0013】

根據本發明之另一例示性實施例係，提供污染物測量基板，污染物測量基板包含安裝以收集污染物的基底材料、以及在基底材料上並定義基底材料之坐標的雷射標示。

【0014】

根據本發明之例示性實施例，至少可實現以下的效果。

【0015】

由於根據本發明之例示性實施例之污染物測量基板包含可收集污染物的基底材料及提供在基底材料上以定義坐標的雷射標示，腔室的污染物可在基板之實際製程之前被測量、可掌握污染物出現的位置、及可排除腔室之污染物發生的原因。

【0016】

因此，根據本發明之例示性實施例之污染物測量基板可有效地防止通過實際製程之基板的缺陷。

【0017】

根據本發明的效果不限於上述例舉的內容，而更多各種的效果在本發明的說明書中描述。

10‧‧‧輸送裝置

100、200‧‧‧設備

110‧‧‧腔室

120‧‧‧第一檯子

130、130A、130B‧‧‧污染物測量基板

131‧‧‧基底材料

132、132A、132B‧‧‧雷射標示

140‧‧‧第二檯子

150‧‧‧污染物測量光源

260‧‧‧影像裝置

270‧‧‧計數器

A、A1、A2‧‧‧區域

CM‧‧‧污染物

Cij‧‧‧多組同心圓

L1~Ln、L11~L1n‧‧‧第一線

R1~Rn、R11~R1n‧‧‧第二線

S10~ S60‧‧‧步驟

【0018】

本發明上述及其它目的、特徵與優點將藉由結合附圖於下文詳細描述而變得更加顯而易見，其中：

【0019】

第1圖係根據本發明之例示性實施例之污染物測量基板的透視圖；

【0020】

第2圖係繪示一些材料之靜電極性的示意圖；

【0021】

第3圖係繪示在第1圖之污染物測量基板上收集污染物之例子的透視圖；

【0022】

第4圖和第5圖是係繪示根據本發明之污染物測量基板上之雷射標示之各種例示性實施例的透視圖；

【0023】

第6圖係根據本發明之用於製造基板之設備之另一例示性實施例的剖面圖；

【0024】

第7圖係根據本發明之用於製造基板之設備之另一例示性實施例的剖面圖；

【0025】

第8圖係根據本發明之用於製造基板之例示性實施例之方法的流程圖；以及

【0026】

第9圖至第15圖係說明第8圖之用於製造基板之方法的剖面圖。

【0027】

下文中，本發明將參考其中顯示各種實施例的附圖而更完備地描述。然而，本發明可以許多不同形式實施，而不應該解釋為限制於本文所闡述的實施例。相反地，這些實施例的提供使得本公開是徹底且完整，並將充分地傳達本發明之範疇至所屬領域具有通常知識者。文中相似的元件符號表示相同或相似的構件。

【0028】

應理解的是，當層係稱為於另一層或基板時「上(on)」，其可直接地在另一層或基板上，或亦可存在中間層。在整個說明書中，相似的元件符號表示相同或相似的元件。

【0029】

應理解的是，雖然在此可使用第一、第二、第三等等用語描述各種元件、構件、區域、層、及/或部份，但這些元件、構件、區域、層、及/或部份不應該被這些用語所限制。這些用語僅用於分辨一元件、一構件、一區域、一層或一部份與另一元件、另一構件、另一區域、另一層或另一部份。因此，以下討論的第一元件、第一構件、第一區域、第一層、或第一部份可改稱為第二元件、第二構件、第二區域、第二層、或第二部份而未脫離本發明之教示。

【0030】

在此所用之詞語係僅為描述特定實施例之目的而非用於限制。當在此使用時，除非文中另行明確地表示，否則「一(a)」、「一(an)」、「該(the)」等單數型式亦旨在包含具有「至少一個(at least one)」的複數型式。「或(or)」意旨「與/或(and/or)」。如用於本文中，「及/或(and/or)」的用語係包含一或多個所列事項的任何及所有組合。應進一步理解的是，用語「包含 (comprise)」與/或「包含 (comprising)」或「包含 (includes)」與/或「包含 (including)」在本說明書中使用時，係指明所述特性、區域、整數、步驟、操作、元件及/或構件的存在，但是不排除一或更多其他特性、區域、整數、步驟、操作、元件及/或構件及/或其群組的存在或增添。

【0031】

此外，相對性用語，例如「下部(lower)」、「下方(bottom)」、「上部(upper)」、「上方(top)」可用於本文中以描述圖式中所繪示之一元件與另一元件的關係。應理解的是，除了圖式中描繪的方位之外，相對性用語旨在涵蓋裝置之不同方位。例如，如將圖式中的裝置翻轉，描述在其他元件「下部(lower)」的元件將被轉向為在其他元件的「上部(upper)」。因此，取決於附圖的特定方位，例示性用語「下部(lower)」可同時包含「下部(lower)」與「上部(upper)」的方向。同樣地，如將圖式中的裝置翻轉，描述在其他元件「下部(lower)」或「下部(beneath)」的元件將被轉向為在其他元件的「上部(above)」。因此，例示性用語「下部(below)」與「下部(beneath)」可同時包含下部與上部的方向。

【0032】

「約(about)」或「約(approximately)」當用於本文中係包含所述的值及意味著在由本技術領域通常知識者，考慮測量中的問題及與特定數量測量的相關誤差(即測量系統的限制)所決定之特定值之偏差可接受範圍內。例如，「約(about)」可意味著係為所述值之一個或多個標準偏差、或介於±30％、20％、10％、5％內。

【0033】

除另有界定外，本文所用的所有用語（包含技術用語和科學用語）具與其所屬領域通常知識者之通常理解相同的涵義。應當進一步理解的是例如那些在常用字典中定義之用語，應該被解釋為具有與其在相關領域及本揭露之內容一致的意思，除非這裡明確地定義，否則將不以理想化或以過於正式的意義來解釋。

【0034】

示性實施例藉參考為理想化實施例的例示性說明之剖面圖描述於本文中。因此，可預期例如，製造技術與/或誤差導致之所說明的形狀之變化。因此，本文所述的實施例不應該被解釋為僅限於本文所示之區域的特定形狀，而是包含例如，由製造所引起形狀上之偏差。舉例來說，繪示或描述為平坦的區域通常可具有粗糙與/或非線性的特徵。此外，所繪示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域為示意性的，且它們的形狀並不意在繪示出區域的精確形狀，並不旨在限制本申請專利範圍的範圍。

【0035】

下文中，本發明之例示性實施例將藉由參照附圖來詳細描述。

【0036】

第1圖係根據本發明之例示性實施例之污染物測量基板的透視圖、第2圖係繪示一些材料之靜電之極性的示意圖、以及第3圖係繪示在第1圖之污染物測量基板上收集污染物之例子的透視圖。

【0037】

參考第1圖，污染物測量基板130是用來測量在製造基板的製程中發生的污染物。在提供執行實際製程之空間的腔室中執行實際製程之前，收集腔室中的污染物以預先確定之污染物發生在腔室的哪個部分中。

【0038】

基板可包含用於顯示裝置的基板。在一例示性實施例中，基板可以是用於顯示裝置，例如有機發光顯示器(OLED)、液晶顯示器(LCD)、或電漿顯示器等的基板。在一例示性實施例中，基板可以是裸基板、或包含例如薄膜或導線之結構於其上的基板。

【0039】

此外，在一例示性實施例中，基板可以是包含一個單位單元(unit cell)或包含複數個單位單元之母基板的基板。母基板可以藉由切割分離成單元。此外，基板可以是單一基板或是兩個或複數個基板設置為彼此互相接觸或彼此互相間隔隔開，使基板彼此互相面對之層疊基板。

【0040】

實際的製程可包含基板薄膜沉積製程、塗佈製程、及組裝製程等，而腔室可取決於製程而為真空狀態或在非真空狀態。

【0041】

染物測量基板130可以包含基底材料131及雷射標示132。

【0042】

基底材料131可具有與在實際製程中使用的基板的尺寸相同的尺寸，並可包含能夠藉由靜電力收集污染物的材料。也就是說，基底材料131可包含具有負靜電極性值的材料，而負靜電極性值比提供測量污染物之空間的腔室的構成材料小。在一例示性實施例中，參考第2圖，當腔室包含鋼時，舉例來說，基底材料131可包含具有小於鋼之負靜電極性值的聚四氟乙烯(例如，Teflon ®)。因此，如第3圖所繪示，由於部分腔室分裂或老化所發生的污染物CM可藉由靜電力收集在基底材料131上。

【0043】

在部分例示性實施例中，基底材料131可包含匹配但不等同於腔室之構成材料之顏色的顏色。在一例示性實施例中，當室包含顏色為銀色的鋼時，基底材料131可包含不透明的材料，舉例來說，如為白色的聚四氟乙烯(例如，Teflon ®)。因此，收集在基底材料131上之腔室的污染物CM可輕易地通過工人的肉眼確認。

【0044】

第1圖係繪示基底材料131的平面形狀為矩形，但本發明並不限於此，它可能取決於使用於實際製程之基板的平面形狀而不同。

【0045】

雷射標示132可以包含沿第一方向平行設置的複數個第一線L1至Ln及沿與第一方向交叉之第二方向平行設置的複數個第二線R1至Rn，以定義提供在基底材料131上的坐標。因此，雷射標示132可以提供參考，用以有效地防止污染物測量基板130送入腔室時，上/下部或左/右部被顛倒的情況。在一例示性實施例中，可藉由基底材料131以雷射掃描來提供雷射標示132。

【0046】

雷射標示132可藉由複數個第一線L1至Ln和複數個第二線R1至Rn定義具有第一區域A的複數個單位區域。複數個單位區域A中的至少一個單位區域A可以對應於在實際製程中使用的基板之複數個單位單元的其中一個。因此，雷射標示132可提供參考，用以掌握腔室的污染物被收集並坐落之對應於基板之各自單位單元之基底材料131上之複數個單位區域A中的單位區域，因而可使用其中基底材料131上之複數個單位區域A中的單位區域收集超過腔室基準值之污染物的數量，掌握在實際製程中使用的之基板之哪一個單位單元區域具有缺陷(inferiority)。

【0047】

在污染物測量基板130送入腔室以收集腔室的污染物的情況下，當瞭解了缺陷可能發生在基板之特定單位單元時，工人可藉由確認關於相鄰於與被掌握可能發生缺陷之基板之單位單元對應之污染物測量基板130的單元單位區域之腔室部分之分裂或老化的發生，修復或更換腔室。單元單位區域可以包含一個單位區域A、兩個單位區域A、或三個而或多個單位區域A。

【0048】

下文中，將描述被應用於如上所述之污染物測量基板130之具有各種形狀的雷射標示。

【0049】

第4圖和第5圖係繪示根據本發明之各種例示性實施例之雷射標示在污染物測量基板上的透視圖。

【0050】

第4圖例示具有雷射標示132A的污染物測量基板130A，雷射標示132A包含沿第一方向平行設置的複數個第一線L11至L1n及沿與第一方向相交之第二方向平行設置的複數個第二線R11至R1n，以定義設置在基底材料131上的坐標，其中複數個第一線L11至L1n及複數個第二線R11到R1n定義具有第二區域的複數個單位區域A1。複數個單位區域A1的至少其中一個可對應於在實際製程中使用的基板之複數個單位單元的其中一個。

【0051】

在一例示性實施例中，複數個單位區域A1之其中一個的第二區域可大於由第1圖之複數個第一線L1至Ln及複數個第二線R1至Rn定義之複數個單位區域A之其中一個的第一區域。因此，舉例來說，尺寸具有大於在第1圖中繪示之複數個單位區域A之其中兩個之尺寸的一個單位單元例如可對應於複數個單位區域A1的其中兩個。因此，有可能測量對應於具有大尺寸之基板之單位單元之腔室的污染物。

【0052】

儘管未繪示，如同第1圖中污染物測量基板130的方式，第4圖中污染物測量基板130A之基底材料131亦可包含匹配但不相等於腔室之構成材料之顏色的顏色。

【0053】

第5圖例示具有雷射標示132B的污染物測量基板130B，雷射標示132B包含沿第一方向及與第一方向相交之第二方向設置的多同心圓組Cij (其中i和j為1至n，且n是一個自然數)。於此，同心圓組C11可能是設置在第一方向上之第一列且第二方向上之第一行的同心圓組。

【0054】

雷射標示132B可以由複數個同心圓組Cij定義複數個單位區域A2。複數個的單位區域A2的至少一個可對應於在實際製程中使用的基板之複數個單位單元中的一個。於此，一個單位區域A2可藉由同心圓組內圓形線具有複數個劃分區域。因此，雷射標示132B可提供用於次分割的參考和掌握收集腔室之污染物之基底材料131上之複數個單位區域中，對應於基板之各單位單元的部分之單位區域A2。

【0055】

儘管未繪示，如同於第1圖中污染物測量基板130的方式，第5圖之污染物測量基板130B的基底材料131亦可包含匹配但不相等於腔室之構成材料之顏色的顏色。

【0056】

在第1圖、第4圖、及第5圖繪示的例示性實施例中，腔室之污染物的數量是由對應於基板之複數個單位單元中之一個的污染物測量基板130、 130A、或130B的單元單位區域而量測。然而，當所述基板包含一個單位單元時，腔室之污染物的數量可藉由污染物測量基板單位區域計算。因此，在基板包含一個單位單元的情況下，其可掌握一個單位單元的哪個部分可能會發生缺陷。

【0057】

如上所述，在基板實際製程之前，由於根據本發明例示性實施例之污染物測量基板130 包含可收集污染物的基底材料131與定義設置在基底材料131上之坐標的雷射標示132，因而可量測腔室的污染物，可掌握腔室之污染物發生的位置，因此腔室的污染物發生的原因可以被排除。

【0058】

因此，根據本發明例示性實施例之污染物測量基板130、130A、或130B可有效地防止經過實際製程之基板的缺陷。

【0059】

再者，將描述根據本發明另一例示性實施例之用於製造基板的設備。

【0060】

第6圖係根據本發明之另一例示性實施例之用於製造基板之設備的剖面圖。

【0061】

參考第6圖，根據本發明之另一例示性實施例之用於製造基板之設備100可包含腔室110、第一檯子120、污染物測量基板130、第二檯子140、以及污染物測量光源150。

【0062】

腔室110提供執行實際製程的空間。腔室可取決於製程而為真空狀態或在非真空狀態。在一例示性實施例中，舉例來說，當腔室110提供執行基板薄膜沉積製程的空間時，腔室110可以係真空狀態。當腔室110提供執行組裝製程的空間時，腔室110可以係非真空狀態。

【0063】

腔室110可包含鋼，但本發明並不限於此。當腔室110的部分在腔室110包含鋼的狀態下發生分裂或老化時，舉例來說，與腔室構成材料的材料相同之污染物，即鋼材料的污染物，可能會發生。儘管第6圖繪示一個腔室110，但可取決於基板之製造製程而提供複數個腔室。

【0064】

第一檯子120配置（例如，安裝）於腔室110內。在基板的實際製程執行之前，第一檯子120提供可固定污染物測量基板130的空間，且使得污染物測量基板130能夠收集腔室110的污染物。此外，在基板的實際製程期間，第一檯子120提供可固定基板（例如，用於顯示裝置的基板）的空間，而使得能在基板上執行實際製程。

【0065】

污染物測量基板130用於測量在基板製造製程中發生的污染物，並在腔室110中執行實際製程之前收集腔室110的污染物，以使得工人能夠確定污染物發生在腔室110中的哪一部分。

【0066】

污染物測量基板130可藉由諸如機械手臂的輸送裝置10送入至腔室110中或由腔室110中送出。當提供複數個腔室110時，污染物測量基板130可用於收集一個腔室110中的污染物，且污染物測量基板130在清潔後可再次用於收集其他腔室110的污染物。在部分例示性實施例中，當提供複數個腔室110時，污染物測量基板130的數量可設置為相等於腔室110的數量，而在這種情況下，複數個污染物測量基板130可分別用於收集複數個腔室110的污染物。由於污染物測量基板130已詳細描述，因此重複描述將省略。

【0067】

第二個檯子140設置（例如，安裝）在腔室110外。第二個檯子140可提供固定污染物測量基板130的空間，而使工人確認其上收集腔室110的污染物之污染物測量基板130。

【0068】

污染物測量光源150設置在第二檯子140的上部。污染物測量光源150可以光照射安放在第二檯子140上的污染物量測基板130，以執行由污染物測量基板130測量腔室110的污染物。在一例示性實施例中，污染物測量光源150可以是紫外線光源。

【0069】

在一例示性實施例中，污染物的測量可藉由肉眼確認腔室110之污染物位在污染物測量基板130之數量及哪些區域，也就是說，對應於基板之各自單位單元的哪些單位區域而執行。於此，當存在於特定單元單位區域之腔室110中污染物的數量超過參考值時，則能夠掌握缺陷可能發生在對應於單元單位區域之單位單元，且在污染物測量基板130送入腔室以收集腔室的污染物的情況下，工人可藉由確認關於相鄰於與被掌握可能發生缺陷之單位單元對應之單元單位區域之腔室部分之分裂或老化的發生，而修復或更換腔室110。此外，當確認存在於對應於基板的各單位單元之複數個單位區域A之各單位區域中腔室110之污染物的數量比參考值小時，工人可送入基板（例如，用於顯示裝置的基板）至腔室110，以在基板上執行實際製程。

【0070】

如上所述，由於根據本發明繪示之例示性實施例之用於製造基板的設備100包含污染物測量基板130，因此在基板實際製程之前，腔室110的污染物可被測量，腔室110之污染物的發生位置可被掌握，因此腔室110之污染物發生的原因可被排除。

【0071】

因此，根據本發明繪示之例示性實施例之用於製造基板的設備100可有效地防止通過實際製程之基板的缺陷。

【0072】

接下來，將描述根據本發明繪示之例示性實施例之用於製造基板的設備200。

【0073】

第7圖係根據本發明之另一例示性實施例之用於製造基板之設備的剖面圖。

【0074】

根據本發明繪示之例示性實施例之用於製造基板的設備200除了設備200包含影像裝置260和計數器270外，設備200具有與第6圖之用於製造基板之設備100的結構相同的結構。因此，根据本發明繪示之例示性實施例之用於製造基板的設備200將環繞影像設備260和計數器270進行解釋。

【0075】

參考第7圖，根據本發明繪示之例示性實施例之用於製造基板的設備200可以包含腔室110、第一檯子120、污染物測量基板130、第二檯子140、污染物的測量光源150、影像裝置260、及計數器270。

【0076】

影像設備260設置在第二檯子140的上部。影像設備260可擷取座落於第二檯子140上之雜質測量基板130的影像，以使計數器270能夠執行污染物的測量。在一例示性實施例中，影像設備260可以是例如照相機或光學顯微鏡。

【0077】

計數器270可接收由影像設備260擷取之污染物測量基板130的影像，並計數污染物測量基板130上所收集腔室110的污染物。在一例示性實施例中，計數器270可被編程(programmed)，以確定污染物測量基板130上污染物的量與位置。也就是說，計數器270可被編程以藉由比較預存儲之影像之污染物測量基板130的原始影像與由影像裝置260接收之影像，確定包含腔室110的污染物之對應於基板之各單位單元之單位區域的位置及污染物的量。儘管未繪示，計數器270可包含用於顯示藉由抓住污染物測量基板130上腔室110之污染物的數量及位置而獲得之數據的顯示器。

【0078】

此外，計數器270比較存在於對應基板之各單位單元之單位區域A中之各單位區域之腔室110之污染物的數量與參考值。當確認存在於特定單元單位區域之超過參考值之腔室110之污染物的數量時，則可輸出表明缺陷可能會出現在對應於單元單位區域之單位單元的警告訊號。在這種情況下，工人可藉由確認關於腔室110的部分，即相鄰於與其中掌握可能發生缺陷之單位單元對應的單元單位區域，的分裂或老化之發生，修復或更換腔室110，在這種情況下，污染物測量基板130送入腔室110，以收集腔室110的污染物。

【0079】

計數器270比較存在於對應基板之各單位單元之複數個單位區域A中之各單位區域之腔室110之污染物的數量與參考值，而當確認存在於各單位區域之腔室110之污染物的數量是較參考值小時，輸出用於在基板上執行實際製程的信號。因此，工人可送入基板(例如，用於顯示裝置基板的)至腔室110，以在基板上執行實際製程。

【0080】

接著，將描述根據本發明之例示性實施例之用於製造基板的方法。

【0081】

第8圖係根據本發明之例示性實施例之用於製造基板之方法的流程圖，而第9圖至第15圖係說明用於製造第8圖之基板之方法的的剖面圖。

【0082】

參考第8圖，根據本發明之例示性實施例之用於製造基板的方法包含設定製程氣體環境(process atmosphere)（S10）、準備污染物測量基板（S20）、收集污染物（S30）、測量污染物（S40）、比較和確認（S50）、及處理（S60）步驟。

【0083】

參考第9圖，設定製程氣體環境（S10）步驟係設定提供執行製程之空間之腔室110的製程氣體環境。腔室110之製程氣體環境的設定可包含根據製造製程的種類，使腔室110處於真空狀態或非真空狀態。

【0084】

參考第10圖，準備污染物測量基板（S20）步驟準備包含收集污染物之基底材料131和定義提供在激基底材料131上定義坐標之雷射標示132的污染物測量基板130。

【0085】

準備污染物測量基板（S20）步驟可包含提供包含具有負靜電極性值小於腔室110之構成材料之材料的污染物測量基板130。此外，準備污染物測量基板（S20）步驟可包含提供匹配腔室110之構成材料之顏色的顏色的污染物測量基板130。由於污染物測量基板130已詳細描述，因此其重複描述將被省略。

【0086】

參考第11圖，在一個例示性實施例中，準備之污染物測量基板130可由諸如機械手臂之輸送裝置10朝腔室110運送。

【0087】

參考第12圖，收集污染物（S30）步驟係藉由固定污染物測量基板130在設置(例如，安裝)在腔室110內之第一檯子120上，以收集腔室110的污染物。在一例示性實施例中，如第13圖所示，可執行收集腔室110的污染物CM。在一例示性實施例中，收集腔室110的污染物CM可實際製程時間執行相同時間。

【0088】

參考第14圖，測量污染物（S40）步驟係藉由將污染物測量基板130座落於設置（如，安裝）在腔室110外的第二檯子140上，並使用污染物測量光源150以光照射污染物測量基板130，自污染物測量基板130量測由第13圖中之雷射標示132定義之複數個單位區域A之腔室110的污染物。

【0089】

在一例示性實施例中，污染物的測量可藉由肉眼執行確認污染物測量基板130上之污染物的數量及污染物的位置。也就是說，污染物的測量可藉由確定含有測量腔室110的污染物對應於基板的各單位單元之複數個單位區域A中單位區域之位置的和污染物的量執行。在使用設置在第二檯子140之上部以擷取污染物測量基板130之影像的影像裝置260（參照圖7）及接收污染物測量基板130之由影像裝置擷取之影像的計數器且計數收集在污染物測量基板130上之腔室110之污染物的情況下，腔室110之污染物的測量可由計數器270執行（參照第7圖）。

【0090】

比較和確認（S50）步驟係比較存在於對應基板之各單位單元之第13圖中之複數個單位區域A中之單位區域之腔室110之污染物CM的數量與的參考值，並確認存在於各單位區域之腔室110的污染物CM的數量是否超過參考值。

【0091】

在一例示性實施例中，當測量污染物(S40)步驟中以肉眼執行腔室110之污染物的測量時，可由工人執行比較和確認（S50）步驟。在一例示性實施例中，當測量污染物（S40）的步驟中，腔室110的污染物的測量係由計數器270執行時，比較和確認（S50）步驟可由計數器270(參考第7圖)執行。

【0092】

當於比較和確認（S50）步驟中掌握存在於特定單元單位區域A（參照圖13）之腔室110的污染物CM的數量超過參考值，使得缺陷可發生在對應之單元單位區域之基板的單位單元，則進行處理（S60）步驟以確認相鄰於與其中被掌握可能發生的缺陷之掌握之單位單元對應之單元單位區域的腔室110部分，而當掌握存在於各單位區域中之腔室110中污染物CM的數量比參考值小時，進行處理（S60）步驟，如第15圖所示，以送入基板(例如，用於顯示裝置基板的)至腔室110，以在基板上執行實際製程。

【0093】

在處理（S60）步驟中，工人可以直接確認在比較和確認(S50)步驟中由裸眼確認的結果或可接收由計數器在比較和確認（S50）步驟中確認的結果以執行相應的製程。

【0094】

總結詳細描述，此技術領域具有通常知識者將明瞭在未實際上脫離發明之原理下可對優選之例示性實施例進行各種修改和變化。因此，揭露之本發明的優選之例示性實施例僅被用於一般的和描述性的意義，而非做為限制的目的。

國內寄存資訊【請依寄存機構、日期、號碼順序註記】

無

國外寄存資訊【請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記】

無

130‧‧‧污染物測量基板

131‧‧‧基底材料

132‧‧‧雷射標示

A‧‧‧第一區域

CM‧‧‧污染物

L1~Ln‧‧‧第一線

R1~Rn‧‧‧第二線

Claims

【第1項】

一種用於製造基板之設備，其包含：
一腔室，提供執行製程之空間；
一污染物測量基板，其包含：
一基底材料，安裝以收集污染物，以及
一雷射標示，在該基底材料上，並定義該基底材料的坐標；
一第一檯子，設置在該腔室內，並在收集該腔室之污染物期間，該污染物測量基板固定在該第一檯子上；
一第二檯子，設置在該腔室外，並在量測在該污染物測量基板上收集之該腔室之污染物期間，該污染物測量基板固定在該第二檯子上；以及
一污染物測量光源，設置在該第二檯子的上部，並安裝以在量測在該污染物測量基板上收集之該腔室之污染物時，以光照射固定該第二檯子上的該污染物測量基板。
【第2項】

如申請專利範圍第1項所述之用於製造基板之設備，其中該雷射標示包含：
複數個第一線，沿一第一方向平行設置；以及
複數個第二線，沿與該第一方向相交之一第二方向平行設置。
【第3項】

如申請專利範圍第1項所述之用於製造基板之設備，其中該雷射標示包含複數個同心圓組，沿一第一方向及與該第一方向相交之一第二方向設置。
【第4項】

如申請專利範圍第1項所述之用於製造基板之設備，其中該腔室包含鋼，而該基底材料包含具有小於鋼之負靜電極性值的材料。
【第5項】

如申請專利範圍第1項所述之用於製造基板之設備，其中該基底材料包含聚四氟乙烯。
【第6項】

如申請專利範圍第1項所述之用於製造基板之設備，其中該污染物測量基板具有匹配該腔室之顏色的顏色。
【第7項】

如申請專利範圍第1項所述之用於製造基板之設備，其中該污染物測量光源係一紫外線光源。
【第8項】

如申請專利範圍第1項所述之用於製造基板之設備，其進一步包含：
一影像裝置，設置在該第二檯子的上部，且安裝用以擷取固定在該第二檯子上之該污染物測量基板之影像；以及
一計數器，安裝用以從該污染物測量基板之影像計算該腔室之污染物。
【第9項】

一種用於製造基板之方法，其方法包含：
準備一污染物測量基板，該污染物測量基板包含安裝用以收集污染物之一基底材料及在該基底材料上之一雷射標示，該雷射標示在該污染物測量基板上定義分別對應於一基板之複數個單位單元的複數個單位區域；
該污染物測量基板被固定在一第一檯子上並收集該腔室的污染物，該第一檯子係設置在一腔室內，該腔室提供執行製程的一空間；
固定該污染物測量基板在一第二檯子上，該第二檯子係設置在該腔室外，藉由使用一污染物測量光源，以光照射的該污染物測量基板而對於該複數個單位區域測量收集之該腔室的污染物；以及
比較存在於該複數個單位區域中每一個該單位區域之該腔室之污染物之數量與一參考值，並確認存在於每一個該單位區域上之該腔室之污染物的數量是否超過該參考值。
【第10項】

如申請專利範圍第9項所述之用於製造基板之方法，其中該腔室包含鋼，且該基底材料包含具有小於鋼之負靜電極性值的材料。
【第11項】

如申請專利範圍第9項所述之用於製造基板之方法，其中該污染物測量基板具有匹配該腔室之顏色的顏色。
【第12項】

如申請專利範圍第9項所述之用於製造基板之方法，其中測量該腔室之污染物包含準備一紫外線光源作為該污染物測量光源。
【第13項】

如申請專利範圍第9項所述之用於製造基板之方法，其中該腔室之污染物的測量包含：
藉由使用設置在該第二檯子上之一影像設備擷取該污染物測量基板的影像；以及
藉由使用一計數器由該污染物測量基板之影像計數該腔室的污染物。
【第14項】

如申請專利範圍第9項所述之用於製造基板之方法，其進一步包含：
於比較和確認步驟中，當存在於每一個該單位區域之該腔室之污染物的數量超過該參考值時，確認相鄰於每一個該單位區域之該腔室的部分，以及
當存在於每一個該單位區域之該腔室之污染物的數量係小於該參考值時，送入該基板至該腔室，以於該基板上執行製程。
【第15項】

如申請專利範圍第14項所述之用於製造基板之方法，其中該基板係用於一顯示裝置。
【第16項】

一種污染物測量基板，其包含：
一基底材料，安裝以收集污染物；以及
一雷射標示，在該基底材料上，並定義該基底材料的坐標。
【第17項】

如申請專利範圍第16項所述之污染物測量基板，其中該雷射標示包含：
複數個第一線，沿一第一方向平行設置；以及
複數個第二線，沿與該第一方向相交之一第二方向平行設置。
【第18項】

如申請專利範圍第16項所述之污染物測量基板，其中該雷射標示包含複數個同心圓組，沿一第一方向及與該第一方向相交之一第二方向設置。
【第19項】

如申請專利範圍第16項所述之污染物測量基板，其中該基底材料包含具有小於鋼之負靜電極性值的材料。
【第20項】

如申請專利範圍第16項所述之污染物測量基板，其中該基底材料包含聚四氟乙烯。