TW201508777A - 透明導體和包含該透明導體的光學顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
本申請案揭示了一種透明導體和包含該透明導體的光學顯示裝置。更具體而言,本申請案揭示了一種透明導體,所述透明導體包含基底層以及在基底層的一面或兩面上形成的透明導電膜,所述透明導電膜包含金屬奈米線,其中所述基底層為延遲膜;本申請案還揭示了一種包含該透明導體的光學顯示裝置。
Description
本發明涉及一種透明導體和包含該透明導體的光學顯示裝置。
透明導體已用於多種應用,包括用於顯示裝置的觸控式螢幕面板和撓性顯示器等,因此近年來已對透明導體進行了積極的研究。透明導體不僅需要在透明度、薄層電阻等方面具有良好的基本性質,而且還需要具有彎曲性質以滿足將應用擴展至撓性顯示器的需求。近來,已開發了透明導體,其中形成了包括金屬奈米線(諸如銀奈米線等)的導電層。此類透明導體具有良好彎曲性質的優點。當用於顯示器中時,普通透明導體的對比度隨觀察者觀看顯示器的角度而變化。而且普通透明導體在穿過液晶的過程中具有較差的視角延遲結果。
本發明的透明導體可包括基底層;和在所述基底
層的一面或兩面上形成的透明導電膜,所述透明導電膜包含金屬奈米線,其中所述基底層可為延遲膜。
本發明的光學顯示裝置可包括所述透明導體。
100、100'‧‧‧透明導體
110‧‧‧基底層
110a‧‧‧第一基底層
110b‧‧‧第二基底層
120‧‧‧第一透明導電膜
130‧‧‧第二透明導電膜
200‧‧‧光學顯示裝置
205‧‧‧視窗
210、212、214‧‧‧黏合劑膜
230‧‧‧透明電極總成
235‧‧‧第一偏振板
240‧‧‧彩色濾光器(CF)
245‧‧‧薄膜電晶體(TFT)
250‧‧‧第二偏振板
255‧‧‧第一電極
260‧‧‧第二電極
265‧‧‧第三電極
270‧‧‧第四電極
330‧‧‧透明電極總成
400‧‧‧光學顯示裝置
430a‧‧‧第一透明電極總成
430b‧‧‧第二透明電極總成
圖1舉例說明根據本發明的一個實施方式的透明導體的截面視圖。
圖2舉例說明根據本發明的另一個實施方式的透明導體的截面視圖。
圖3舉例說明根據本發明的其它實施方式的透明導體的截面視圖。
圖4舉例說明根據本發明的一個實施方式的透明導體的示意圖。
圖5舉例說明根據本發明的一個實施方式的光學顯示裝置的截面視圖。
圖6舉例說明根據本發明的另一個實施方式的光學顯示裝置的截面視圖。
圖7舉例說明根據本發明的進一步的實施方式的光學顯示裝置的截面視圖。
現在將更詳細地描述本發明的某些實施方式,這樣其等可容易地由本領域普通技術人員參考附圖而實施。本發明可以不同方式實施而不限於下列實施方式。在附圖中,為清楚起見將省略與本發明的實施方式的描述無關的
元件。在整個附圖和說明書中將使用相同的元件編號指示相同或類似的部件。如本文所用,參考附圖來定義術語諸如“上面”和“下面”。因此,應理解,當從不同角度觀看時,術語“上面”可與術語“下面”互換使用。
在本申請案中,“Ro”意指“平面內方向的延遲值”並且可由式1定義:[式1]Ro=(nx-ny)×d
在式1中,nx和ny分別為膜的x-軸和膜的y-軸的折射率,並且d為以nm計的膜的厚度。
在本申請案中,“Rth”意指“厚度方向的延遲值”並且可由式2定義:[式2]Rth=((nx+ny)/2-nz)×d
在式2中,nx、ny和nz分別為膜的x-軸、膜的y-軸和膜的z-軸的折射率,並且d為以nm計的膜的厚度。
在本申請案的實施方式中,折射率由nx、ny或nz表示,可分別在450nm、550nm和650nm波長,藉由使用AxoScan(Axometrics,Inc.)測得。
在本申請案中,“(甲基)丙烯醯基”可意指丙烯醯基和/或甲基丙烯醯基。
根據本發明的實施方式的透明導體可包括基底層;和在基底層的一面或兩面上形成的透明導電膜。基底層可為延遲膜,因此本發明的透明導體可具有補償視角的
效應。
在下文中,將參考圖1和圖4來描述本發明的實施方式。
圖1舉例說明根據本發明的一個實施方式的透明導體的截面視圖。且圖4舉例說明根據本發明的一個實施方式的透明導體的示意圖。參見圖4,根據本發明的一個實施方式的透明導體100的x-軸的方向與基底層110的縱向MD相同,y-軸的方向與基底層110的橫向TD相同,且z-軸的方向與基底層110的厚度方向相同。在圖4中,x-軸、y-軸和z-軸彼此正交。儘管圖4舉例說明了具有在其一面上形成的透明導電膜的透明導體,但該圖還適用於具有在其兩面上形成的透明導電膜的透明導體。
參見圖1,根據本發明的一個實施方式,透明導體100可包括基底層110;和在基底層110上形成的第一透明導電膜120。基底層110可為延遲膜,使得透明導體100由於良好的波長色散可補償延遲。
在一個實施方式中,透明導體100自身補償了λ/2或λ/4延遲。例如,透明導體100在450nm的波長處可具有120nm至150nm或120nm至135nm的Ro值。且透明導體100的Ro值在550nm的波長處可為135nm至155nm或140nm至150nm。並且,透明導體100的Ro值在650nm的波長處可為130nm至155nm或145nm至155nm。
在一個實施方式中,透明導體100在450nm的波長處可具有50nm至70nm的Rth值。且透明導體100的Rth值
在550nm的波長處可為50nm至80nm或65nm至75nm。並且,透明導體100的Rth值在650nm的波長處可為50nm至80nm或65nm至75nm。
在一個實施方式中,透明導體100在450nm、550nm或650nm的各個波長處可具有1.50nm至1.65nm的nx值。且透明導體100的ny值在450nm、550nm或650nm的各個波長處可為1.50nm至1.65nm。並且,透明導體100的nz值在450nm、550nm或650nm的各個波長處可為1.50nm至1.65nm。
在一個實施方式中,透明導體100可具有0.9至1.1的B/A,該B/A為在450nm的波長處的Ro值B(以nm計)與在550nm的波長處的Ro值A(以nm計)之比。在該B/A的範圍內,可實現改善的視角和增強的可見度。例如,B/A可為0.9至1.06。
在另一個實施方式中,透明導體100可具有0.9至1.1的C/A,該C/A為在650nm的波長處的Ro值C(以nm計)與在550nm的波長處的Ro值A(以nm計)之比。在該C/A的範圍內,可實現改善的視角和增強的可見度。例如,C/A可為1.001至1.1。
透明導體100在可見光範圍內(例如在400nm至700nm的波長處)可呈現透明性。在一個實施方式中,如使用霧度計在400nm至700nm的波長處測量的,透明導體100可具有0%至1.5%(例如0.01%至1.5%)的霧度值,和90%或以上至100%或以下(例如90%至95%)的總透射率。在該範圍
內,透明導體可呈現良好的透明性並且可用作透明導體。
如使用4-Pin探針測量的,透明導體100可具有150(Ω/□)或以下(例如50(Ω/□)至150(Ω/□)、或30(Ω/□)至100(Ω/□))的薄層電阻。在該範圍內,由於薄層電阻較低,透明導體可用作觸控面板的電極膜,並且可適用於大的觸控面板。
透明導體100可具有10μm至250μm(例如50μm至150μm)的厚度,但不限於此。在該範圍內,透明導體可用作透明電極膜,如用於觸控面板(包括撓性觸控面板)的透明電極膜。
透明導體100可用作諸如觸控面板、電子紙(E-paper)或太陽能電池的裝置的透明電極膜。
基底層110可為延遲膜,並且透明導體可具有補償視角的效應。在一個實施方式中,基底層可為λ/2或λ/4延遲膜。
在一個實施方式中,基底層在450nm的波長處可具有120nm至150nm或125nm至140nm的Ro值。且基底層的Ro值在550nm的波長處可為50nm至280nm、50nm至200nm、250nm至280nm、130nm至155nm或140nm至150nm。並且,基底層的Ro值在650nm的波長處可為130nm至155nm或145nm至155nm。
在一個實施方式中,基底層在450nm的波長處可具有50nm至70nm或55nm至65nm的Rth值。且基底層的Rth值在550nm的波長處可為30nm至200nm、30nm至80nm、
60nm至80nm或65nm至75nm。並且,基底層的Rth值在650nm的波長處可為60nm至90nm或73nm至85nm。
在一個實施方式中,基底層在450nm、550nm或650nm的各個波長處可具有1.50nm至1.65nm的nx值。且基底層的ny值在450nm、550nm或650nm的各個波長處可為1.50nm至1.65nm。並且,基底層的nz值在450nm、550nm或650nm的各個波長處可為1.50nm至1.65nm。
在一個實施方式中,基底層可為λ/2延遲膜,其在550nm的波長處可具有250nm至280nm的平面內方向的延遲值(Ro),以及50nm至200nm的厚度方向的延遲值(Rth)。在另一個實施方式中,基底層可為λ/4延遲膜,其在550nm的波長處可具有130nm至150nm的平面內方向的延遲值(Ro),以及30nm至80nm的厚度方向的延遲值(Rth)。
在一個實施方式中,基底層可為延遲PC膜,其在450nm、550nm或650nm的各個波長處可具有1.50nm至1.65nm的nx值、1.50nm至1.65nm的ny值、1.50nm至1.65nm的nz值。在另一個實施方式中,基底層可為延遲COP膜,其在450nm、550nm或650nm的各個波長處可具有1.55nm至1.65nm的nx值、1.55nm至1.65nm的ny值、1.50nm至1.65nm的nz值。
基底層110可為具有透明性的膜。在一個實施方式中,基底層在550nm的波長處可具有的膜具有85%至100%(例如90%至99%)的透射率。
基底層110可包括用光學透明樹脂形成的膜,但
不限於,聚碳酸酯樹脂、環烯烴樹脂膜、聚酯樹脂膜、非環狀聚烯烴樹脂膜、聚碸樹脂膜、聚醯亞胺樹脂膜、矽酮樹脂膜、聚苯乙烯樹脂膜、聚丙烯酸類(polyacryl)樹脂膜或聚氯乙烯樹脂膜。聚酯可包括例如,聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯等。
基底層110可為單層樹脂膜或為兩個或更多個樹脂膜堆疊的層壓材料。
基底層110可具有10μm至200μm(例如50μm至150μm)的厚度。在該範圍內,透明導體在用於顯示器中時可提供補償視角的效應。
如圖1中未示出的,功能層可進一步堆疊在基底層110的一面或兩面。功能層包括硬塗層、抗腐蝕層、抗眩光塗層、黏結促進劑、用於防止低聚物溶析的塗層等的一個或多個,但並不限於此。
第一透明導電膜120可為導電層,包括由金屬奈米線形成的導電網。因此,第一透明導電膜120可呈現導電性,並且提供優異的撓性和彎曲性質。因此,透明導電膜可藉由包括蝕刻等的圖案化方法形成電極以確保撓性,且由此可用於撓性設備。
第一透明導電膜120可包括基質;和浸漬於基質中的金屬奈米線的導電網。基質可提高基底層110與第一透明導電膜120的黏結性以及提高耐溶劑性,並且防止金屬奈米線暴露而防止氧化。基質可用包含黏結劑和起始劑的組合物形成。在一個實施方式中,第一透明導電膜可包括13
wt%至23wt%的金屬奈米線,以及77wt%至87wt%的基質。在該範圍內,透明導電膜可確保導電性,並且可期望其提高與基底層的黏結性。
在一個實施方式中,第一透明導電膜120可包括金屬奈米線層(其包含金屬奈米線、黏結劑和起始劑的固化產物)和在金屬奈米線層上的外塗層(其包含黏結劑和起始劑的固化產物)。第一透明導電膜120可藉由以下方式製備:在基底層上塗覆並乾燥包含金屬奈米線、溶劑、黏結劑和添加劑(例如,增稠劑等)的金屬奈米線層組合物以形成金屬奈米線網的塗層(例如,濕的薄塗覆層),以及在塗層上塗覆並固化包含黏結劑、溶劑和起始劑的外塗層組合物。當塗覆外塗層組合物時,其可滲透並填充金屬奈米線網空的區域,然後可被固化以形成第一透明導電膜的基質。在第一透明導電膜中,在金屬奈米線層上形成外塗層以防止金屬奈米線的氧化。藉由降低金屬奈米線層的表面的粗糙度而能夠將任何層壓材料穩定地堆疊在第一透明導電膜上。金屬奈米線層可在外塗層上形成並且併入到外塗層中。術語“併入(incorporated)”意指金屬奈米線層和外塗層不是藉由黏合劑層等彼此結合,並且不具有獨立可分離的形式。
在另一個實施方式中,第一透明導電膜120可包括金屬奈米線層(其包含金屬奈米線、黏結劑和起始劑的固化產物),並且可藉由以下方式製備:在基底層上塗覆並固化包含金屬奈米線、黏結劑、起始劑、添加劑(例如,增稠
劑、分散劑等)和溶劑的第一透明導電膜組合物。
由於奈米線的形狀,金屬奈米線具有比金屬奈米顆粒好得多的可分散性。此外,由於顆粒與奈米線之間的形狀的差異,金屬奈米線可顯著降低第一透明導電膜的薄層電阻。
金屬奈米線可具有超細線形狀,該超細線形狀具有特定截面。在一個實施方式中,金屬奈米線具有10至1,000的縱橫比L/d,縱橫比為金屬奈米線的長度L與截面的直徑d之比。在該範圍內,甚至在低密度的奈米線中,可實現具有高導電率的網以及具有低薄層電阻的透明導體。例如,縱橫比可為500至1,000,例如500至700。
金屬奈米線可具有大於0nm至100nm或以下的截面直徑(d)。在該範圍內,由於高的L/d,可實現具有高導電率和低薄層電阻的透明導體。例如,直徑可為30nm至100nm(例如60nm至100nm)。
金屬奈米線可具有不少於20μm的長度(L)。在該範圍內,由於高的L/d,可實現具有高導電率和低薄層電阻的透明導體。例如,長度可為20μm至50μm。
金屬奈米線可包括由任何適合的金屬製備的奈米線。例如,金屬奈米線可包括由銀、銅、金或其混合物製備的奈米線。作為舉例說明,奈米線可由銀或含銀混合物製備。
金屬奈米線可藉由本領域中常用的任何適合的方法來製備,或可為商購的產品。例如,金屬奈米線可藉
由在多元醇和聚乙烯吡咯啶酮存在下還原金屬鹽(例如,硝酸銀,AgNO3)而合成。或者,金屬奈米線可包括由Cambrios Technologies Corporation商購的產品(例如,ClearOhmTM油墨,其係包含金屬奈米線的溶液)。
第一透明導電膜120可包含不少於13wt%(例如13wt%至23wt%)的金屬奈米線。在該範圍內,第一透明導電膜可具有足夠的導電率,並且形成導電網路。
黏結劑可包含於金屬奈米線層組合物、外塗層組合物或透明導電膜組合物中。黏結劑可包含一種或多種具有可固化官能基(例如,(甲基)丙烯酸酯基)的單體和低聚物。在一個實施方式中,黏結劑可包含胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物、以(甲基)丙烯酸酯為主的單官能單體或(甲基)丙烯酸酯類的多官能單體中的一種或多種。
以(甲基)丙烯酸酯為主的單官能單體或(甲基)丙烯酸酯類的多官能單體可包括具有不少於1(例如1至6)的官能度的(甲基)丙烯酸單體,例如具有1個碳原子至20個碳原子的直鏈烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有3個碳原子至20個碳原子的支鏈烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有1個碳原子至20個碳原子的羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有3個碳原子至20個碳原子的環脂族基團的(甲基)丙烯酸酯、具有3至20個碳原子的多價醇的多官能(甲基)丙烯酸酯及其混合物。
例如,以(甲基)丙烯酸酯為主的單官能單體可包括但不限於(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸環戊酯或(甲基)丙烯酸環己酯等。
例如,(甲基)丙烯酸酯類的多官能單體可包括但不限於二(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷酯、三(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷酯、四(甲基)丙烯酸二三羥甲基丙烷酯、三(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、四(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、三(2-羥基乙基)異氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯酸甘油酯、二(甲基)丙烯酸乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、二(甲基)丙烯酸己二醇酯、五(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯、六(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯或二(甲基)丙烯酸環癸烷二甲醇酯等。
起始劑可為任何適合的起始劑,只要其在150nm至500nm的吸收波長處會吸收光以誘發光反應即沒有限制。例如,起始劑可包括氧化膦起始劑或α-羥基酮起始劑等。例如,起始劑可包括雙-醯基-氧化膦、二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)氧化膦、1-羥基環己基苯基酮或其混合物。
添加劑可包括增稠劑或分散劑等,並且可包含於含有金屬奈米線的溶液(例如,由Cambrios Technologies Corporation購得的ClearOhmTM油墨)中以提供金屬奈米線。
溶劑可包括主要溶劑和共溶劑。主要溶劑可包括水和丙酮等,並且共溶劑可包括醇,例如用於水和丙酮混溶的甲醇等。
在一個實施方式中,第一透明導電膜120可為以下組合物的固化產物,該組合物基於固體的總重量包含13wt%至23wt%的金屬奈米線、75wt%至85wt%的黏結劑和1wt%至3wt%的起始劑。在該範圍內,可用單一塗覆來實現
減少步驟次數的效果。
在另一個實施方式中,第一透明導電膜120可為以下組合物的固化產物,該組合物基於固體的總重量包含13wt%至23wt%的金屬奈米線、75wt%至85wt%的黏結劑和添加劑以及1wt%至3wt%的起始劑。在該範圍內,可用單一塗覆來實現減少步驟次數的效果。
第一透明導電膜120可具有10nm至1μm(例如50nm至500nm)的厚度,更具體為100nm至200nm。在該範圍內,第一透明導體可用作觸控面板的膜。
在下文,將參考圖2描述本發明的實施方式。圖2係例示根據本發明的另一個實施方式的透明導體的截面視圖。參見圖2,根據本發明的另一個實施方式的透明導體100可包括基底層110、在基底層110的上面上形成的第一透明導電膜120並且另一個第一透明導電膜120可在基底層110的下面上形成,其中基底層110可為延遲膜。在圖2中,除了第二透明導電膜進一步在基底層的下面上形成以外,透明導體基本上與圖1中根據本發明的實施方式的透明導體相同。
參見圖3,在下文描述根據本發明的其它實施方式的透明導體。參見圖3,根據本發明的其它實施方式的透明導體100'可包括基底層110、在基底層110的上面上形成的第一透明導電膜120和在基底層110的下面上形成的第二透明導電膜130,其中基底層110可為延遲膜。在圖3中,除了第二透明導電膜進一步在基底層的下面上形成以外,透明
導體基本上與圖1中根據本發明的實施方式的透明導體相同。
第二透明導電膜130可在基底層110的另一面上形成,基底層100在一面上具有第一透明導電膜120。因此,第二透明導電膜130可進一步支撐基底層110。第二透明導電膜130可藉由包含導電材料體現出導電性。導電材料可包括碳-奈米管或金屬奈米線和導電聚合物的混合物。導電聚合物可包括PEDOT(聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩))或PEDOT:PSS(聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩:聚苯乙烯磺酸酯)等。
在一個實例中,第二透明導電膜130的厚度可與第一透明導電膜120的厚度相同或不同。在一個實施方式中,第二透明導電膜130的厚度可與第一透明導電膜120的厚度相同,以在圖案化後實現相同的電阻。具體而言,第二透明導電膜130的厚度可為10nm至1μm、50nm至500nm、或100nm至200nm。
在下文,將詳細描述實施方式的裝置。根據本發明的一個實施方式的裝置可包括根據本發明的一個實施方式的透明導體或其圖案化的形式。例如,該裝置可包括但不限於光學顯示裝置、電子紙或太陽能電池。光學顯示裝置可包括觸控面板、觸控式螢幕面板或撓性顯示器等。
在下文,將參考圖5至圖7描述根據本發明的實施方式的光學顯示裝置。圖5至圖7是根據本發明的實施方式的光學顯示裝置的截面視圖。
參見圖5,上述實施方式的光學顯示裝置200可包括透明電極總成230,其包含基底層110、基底層110的上面上的第一電極255和第二電極260以及基底層110的下面上的第三電極265和第四電極270;第一電極255和第二電極260的上面上方(over)的視窗205;第三電極265和第四電極270下面上方的第一偏振板235;在第一偏振板235的下面上的彩色濾光器(CF)240;在CF 240的下面上包含薄膜電晶體(TFT)245的面板;和在TFT 245的下面上的第二偏振板250。透明電極總成230可藉由如下方式製造:圖案化另一個實施方式的透明導體或進一步包括在基底層的下面上形成的第一透明導電膜的一個實施方式的透明導體。
透明電極總成230可藉由如下方式製備:使用給定方法(例如,蝕刻等)分別圖案化第一透明導電膜120和第二透明導電膜130以形成第一電極255、第二電極260、第三電極265和第四電極270。此外,基底層110可為延遲膜,且因此具有補償視角的效應,例如用於穿過第二偏振板250、CF 240、TFT 245和第一偏振板235之光傳播。
第一電極255和第二電極260可為Rx電極,且第三電極265和第四電極270可為Tx電極,或者反之亦然。
視窗205可在光學顯示裝置中進行螢幕顯示功能並且可由任何適合的玻璃材料或塑膠膜製備。第一偏振板235和第二偏振板250可使外部或內部的光偏振以賦予光學顯示裝置偏振能力,並且可包括偏振器或偏振器和保護膜的層壓材料。此外,偏振器和保護膜可包括通常用於偏振
板領域的任何一者。
黏合劑膜210、212可分別放置在視窗205與透明電極總成230之間,以及在透明電極總成230與第一偏振板235之間,從而保持透明電極總成230、視窗205和第一偏振板235之間的黏結性。黏合劑膜210、212可為本領域中通常使用的任何適合的黏含劑膜,例如,光學透明的黏合劑(OCA)膜。
參見圖6,另一個實施方式的光學顯示裝置300可包括透明電極總成330,其包含基底層110、基底層110的上面上的第三電極265和第四電極270。光學顯示裝置300可進一步包括視窗205,其具有在其下面上的第一電極255和第二電極260且在第三電極265和第四電極270的上面上方形成;透明電極總成330的下面上方的第一偏振板235;在第一偏振板235的下面上的彩色濾光器(CF)240;在CF 240的下面上包含薄膜電晶體(TFT)245的面板;和在TFT 245的下面上的第二偏振板250。透明電極總成330可藉由圖案化一個實施方式的透明導體製造。該實施方式除了透明電極總成是藉由圖案化一個實施方式的透明導體而製造的並且第一電極和第二電極是在視窗的下面上形成的以外,可與本發明的一個實施方式的裝置相同。
透明電極總成330可藉由如下方式製備:使用給定方法圖案化圖1中透明導體中的第一透明導電膜120以形成第三電極265和第四電極270。此外,基底層110可為延遲膜,且因此具有補償視角的效應,例如用於穿過第二偏振
板250、CF 240、TFT 245和第一偏振板235傳播。第一電極255和第二電極260可藉由使用通常用於形成電極的任何適合的方法而形成。
參見圖7,又一個實施方式的光學顯示裝置400可包括第一透明電極總成430a,其包含第一基底層110a,以及第一基底層110a的上面上的第一電極255和第二電極260。光學顯示裝置400可進一步包括第一透明電極總成430a的下面上的第二透明電極總成430b,其包含第二基底層110b,以及第二基底層110b的上面上的第三電極265和第四電極270;第二透明電極總成430b的下面上的第一偏振板235;第一偏振板235的下面上的彩色濾光器(CF)240;CF 240的下面上的薄膜電晶體(TFT)245;和在TFT 245的下面上的第二偏振板250。第一透明電極總成430a和第二透明電極總成430b可藉由圖案化一個實施方式的透明導體來製造。該實施方式除了透明電極總成是藉由圖案化作為黏合劑膜層壓的一個實施方式的透明導體來製備的以外,可與本發明的一個實施方式的裝置相同。
第一透明電極總成430a和第二透明電極總成430b藉由如下方式製備:使用給定方法圖案化圖1中透明導體中的第一透明導電膜120以形成第一電極、第二電極、第三電極和第四電極。此外,基底層可為延遲膜,且因此具有補償視角的效應,例如用於穿過第二偏振板250、CF 240、TFT 245和第一偏振板235之光傳播。
黏合劑膜210、212、214可分別放置在第一透明
電極總成430a與視窗205之間,在第一透明電極總成430a與第二透明電極總成430b之間,以及在第二透明電極總成430b與第一偏振板235之間,從而保持透明電極總成、視窗和第一偏振板之中的黏結性。黏合劑膜210、212、214可為本領域中通常使用的任何適合的黏合劑膜,例如,光學透明的黏合劑(OCA)膜。此外,儘管未在圖4至6中舉例說明,第一基底層、第二基底層或基底層還可包括具有藉由黏合劑等堆疊的樹脂膜的層壓材料。
在下文,將參考本發明的較佳實施例更詳細地描述本發明的結構和功能。然而,應注意到,這些實施例是為了本發明的較佳說明而提供,而不應以任何方式被解釋來限制本發明。
實施例和比較例中使用的組分的詳情於表1中列出:
實施例1
藉由在攪拌的同時將50重量份的含有金屬奈米線的溶液(例如,ClearohmTM油墨,共計包含1.65wt%的金屬奈米線和黏結劑(金屬奈米線:黏結劑=1:1.65,以重量比計)、1wt%或以下的增稠劑和分散劑等,以及溶劑)添加至50重量份的純蒸餾水中來製備金屬奈米線層組合物。藉由將0.5重量份的SR506A、0.5重量份的TMPTA和0.05重量份的IRG-184添加至99重量份的丙酮中來製備外塗層組合物。使用Meyer Bar #18塗覆方法將金屬奈米線層組合物塗覆在基底層1上。將組合物在烘箱中於80℃乾燥120秒且於140℃烘焙120秒。使用Meyer Bar #18塗覆方法將外塗層組合物塗覆在所得金屬奈米線層上,在烘箱中於80℃乾燥120秒且於120℃烘焙120秒。然後,使所得外塗層在氮氣氣氛中在500mJ/cm2的金屬鹵化物燈下經受UV固化以形成在基底層1上包含透明導電膜的透明導體,透明導電膜包括金屬奈米線層和外塗層,金屬奈米線層包含金屬奈米線、黏結劑和起始劑的固化產物,且外塗層包含黏結劑和起始劑的固化產物。
實施例2以及比較例1和2
在那些實例中,除了實施例1中的基底層用表2中的那些替換之外,透明導體藉由與如上所述相同的方法來製備。
針對下面物理性質評價實施例和比較例的透明導體。結果於表2中列出。
<評價方法>
(1)薄層電阻(Ω/□):在將接觸型薄層電阻測試儀MCP-T610(由Mitsubish Chemical Analytech Co.,Ltd.購得)的4-Pin探針與透明導體的透明導電膜的表面接觸10秒後,用R-校驗(4-Pin探針的接觸電阻)測量薄層電阻。
(2)霧度和總透射率(%):用為面對光源設置的透明導電膜的表面,使用霧度計(NDH-9000)在400nm至700nm的波長處測量透明導體的霧度值和總透射率。
(3)光學性質:藉由使用AxoScan(Axometrics,Inc.)測量並計算透明導體的nx、ny和nz值。
在表2中,可看出本發明的透明導體具有在本發明的範圍內的B/A和C/A值,因此在應用於顯示器時實現了補償視角的效應並提高了可見度。
因此,本發明的透明導體可實現透明性、導電性和補償視角的效應,還可增加由光學顯示裝置的區域增加引起的視角。
另一方面,其中基底層不為延遲膜的比較例1和2的透明導體由於具有不在實施方式的範圍內的B/A和C/A值而不能實現補償視角的效應,並且在應用於顯示器時不能提高可見度。
本領域技術人員應理解,可在不偏離本發明的精神和範圍的前提下進行本發明的簡單修改或變化。
100‧‧‧透明導體
110‧‧‧基底層
120‧‧‧第一透明導電膜
Claims (19)
- 一種透明導體,包含:一基底層;及一在該基底層的一面或兩面上形成的透明導電膜,該透明導電膜包含一金屬奈米線,其中該基底層為一延遲膜。
- 如請求項1之透明導體,其中該透明導體具有0.9至1.1的B/A,該B/A為在450nm的波長處以nm計的Ro值B與在550nm的波長處以nm計的Ro值A之比,其中該Ro由式1定義:[式1]Ro=(nx-ny)×d在式1中,nx及ny分別為該透明導體的x-軸的折射率及該透明導體的y-軸的折射率,並且d為以nm計的該透明導體的厚度。
- 如請求項1之透明導體,其中該透明導體具有0.9至1.1的C/A,該C/A為在650nm的波長處以nm計的Ro值C與在550nm的波長處以nm計的Ro值A之比,其中該Ro由式1定義:[式1]Ro=(nx-ny)×d在式1中,nx及ny分別為該透明導體的x-軸的折射率及該透明導體的y-軸的折射率,並且d為以nm計的該透明導體 的厚度。
- 如請求項1之透明導體,其中該透明導體在550nm的波長處具有135nm至155nm的Ro,其中該Ro由式1定義:[式1]Ro=(nx-ny)×d在式1中,nx及ny分別為該透明導體的x-軸的折射率及該透明導體的y-軸的折射率,並且d為以nm計的該透明導體的厚度。
- 如請求項1之透明導體,其中該透明導體具有10μm至250μm的厚度。
- 如請求項1之透明導體,其中該透明導體具有λ/4延遲或λ/2延遲。
- 如請求項1之透明導體,其中該基底層為一λ/2延遲膜或一λ/4延遲膜。
- 如請求項1之透明導體,其中該基底層係選自於聚碳酸酯膜、環烯烴膜、聚酯膜、非環烯烴膜、聚碸膜、聚醯亞胺膜、矽酮膜、聚苯乙烯膜、聚丙烯酸類膜或聚氯乙烯膜。
- 如請求項1之透明導體,其中在該基底層的一面或兩面進一步堆疊硬塗層、抗腐蝕層、抗眩光塗層、黏結促進劑及用於防止低聚物溶析的塗層中的一或多者。
- 如請求項1之透明導體,其中該金屬奈米線為一銀奈米線。
- 如請求項1之透明導體,其中該金屬奈米線具有10至1,000的縱橫比L/d,該縱橫比為金屬奈米線的長度L與截面的直 徑d之比。
- 如請求項1之透明導體,其中該金屬奈米線以不少於13wt%的量存在於該透明導電膜中。
- 如請求項1之透明導體,其中該透明導電膜包含金屬奈米線層及在該金屬奈米線層上的外塗層,該金屬奈米線層包含該金屬奈米線、一黏結劑及一起始劑的固化產物,且該外塗層包含該黏結劑及該起始劑的固化產物。
- 如請求項1之透明導體,其中該透明導電膜包含該金屬奈米線、一黏結劑及一起始劑的固化產物。
- 如請求項13或14之透明導體,其中該黏結劑包含胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物以及以(甲基)丙烯酸酯為主的單官能單體或多官能單體中的一種或多種。
- 如請求項13或14之透明導體,其中該透明導電膜包含以下組合物的固化產物,該組合物包含13wt%至23wt%的該金屬奈米線、75wt%至85wt%的該黏結劑及1wt%至3wt%的該起始劑。
- 如請求項1之透明導體,其中該基底層具有50μm至150μm的厚度,且該透明導電膜具有10nm至1μm的厚度。
- 如請求項1之透明導體,其中該透明導體在450nm的波長處具有120nm至150nm的Ro,在550nm的波長處具有135nm至155nm的Ro,在650nm的波長處具有130nm至155nm的Ro,其中該Ro由式1定義:[式1]Ro=(nx-ny)×d 在式1中,nx及ny分別為該透明導體的x-軸的折射率及該透明導體的y-軸的折射率,並且d為以nm計的該透明導體的厚度。
- 一種光學顯示裝置,包含如請求項1至18中任一項之透明導體。
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