TW201502665A - 顯示裝置、背光模組與覆晶式發光元件 - Google Patents

Abstract

一種顯示裝置、背光模組與覆晶式發光元件，覆晶式發光元件包含一承載基板、一覆晶晶片與一封裝體。覆晶晶片電性連接承載基板。覆晶晶片包含頂面、多個發光面與光改向層。頂面相對承載基板，此些發光面圍繞並連接頂面。光改向層位於頂面表面，用以改變多個光線之方向，以致分別從發光面輸出。封裝體配置於承載基板上且包覆覆晶晶片。

Description

顯示裝置、背光模組與覆晶式發光元件

本發明有關於一種背光模組，特別是有關於一種具覆晶式發光元件之背光模組。

一般來說，由於液晶顯示器的液晶面板本身不發光，故需配置一背光模組於液晶面板之背面，以提供液晶面板之顯示光源。背光模組依發光架構可分類為一側光式(Edge Lighting)背光模組與一直下式(Direct Lighting)背光模組。

如第1A圖所示，第1A圖繪示一習知直下式背光模組10的側視圖。這個直下式背光模組10至少包含一導光板11與多個發光元件12(如發光二極體)。發光元件12朝向導光板11之底面11B投射光線L。導光板11與發光元件12之間通常需要預留一足夠之展光距離D，以便於導光板11之頂面11T提供一均勻的出光面。如此，具有這個直下式背光模組10的液晶顯示器在外型上無法有效地薄型化。

反觀，如第1B圖所示，第1B圖繪示一習知側光式背光模組20的俯視圖。這個側光式背光模組20至少包含一導光板21與多個發光元件22(如發光二極體)。發光 元件22朝向導光板21之其中一側向面21L投射光線L。光線L經導光板21之光路徑轉換後而於導光板21之頂面21T提供出光面。

然而，側光式背光模組20需要藉由邊框(圖中未示)來遮光並承載發光元件22，而且為了達到出光面均勻，側光式背光模組20需要的發光二極體顆數，至少是直下式背光模組10所需要的發光二極體顆數的兩倍。例如，32吋平面，側光式背光模組20的發光二極體顆數是直下式背光模組10的2.4倍。易言之，為了螢幕整體變薄，付出的代價就是造價高昂。

有鑑於此，如何研發出一種背光模組，同時改善上述側光式背光模組與直下式背光模組所帶來的缺失及不便，實乃相關業者目前刻不容緩之一重要課題。

本發明之一技術態樣是在提供一種顯示裝置、背光模組與覆晶式發光元件，用以解決以上先前技術所提到的困難。

根據本發明一實施方式，這種背光模組包含一導光板與多個覆晶式發光元件。導光板包含多個凹槽與一第一主面。這些凹槽間隔地位於這個第一主面上。這些覆晶式發光元件分別伸入這些凹槽內，各覆晶式發光元件包含一承載基板與一覆晶晶片。覆晶晶片位於承載基板上，且電性連接承載基板。覆晶晶片包含一頂面、多個發光面與一 第一光改向層。頂面相對承載基板配置。這些發光面圍繞頂面並連接頂面。第一光改向層位於頂面的表面，可改變多個光線之方向，以便讓這些光線分別從發光面輸出。

在本發明一或多個實施方式中，每一個覆晶式發光元件還包含一封裝體。封裝體配置於承載基板上且包覆這個覆晶晶片。

在本發明一或多個實施方式中，每一個覆晶式發光元件更包含多個波長轉換粒子，這些波長轉換粒子散佈於封裝體中，以轉換光線之波長。

在本發明一或多個實施方式中，每一個覆晶晶片更包含多個波長轉換膜。這些波長轉換膜分別形成於這些發光面上，以轉換光線之波長。

在本發明一或多個實施方式中，承載基板包含一板體與一隆起部。隆起部位於板體上，且覆晶晶片位於隆起部上，且封裝體更包覆隆起部。

在本發明一或多個實施方式中，覆晶晶片包含一晶片基板、一第一半導體層、一第二半導體層、一第一電極與一第二電極。晶片基板具透光性。上述之第一光改向層與第一半導體層分別形成於晶片基板的二相對面。第一半導體層包含彼此具有高度差的一第一表面與一第二表面。第二半導體層疊設於第一半導體層之第一表面上，介於第一半導體層與承載基板之間，第二半導體層具有一第三表面。第三表面與第二表面之間具有一個段差面。第一電極位於第一半導體層之第二表面上，電性連接承載基板。第 二電極位於第二半導體層之第三表面上，電性連接承載基板。

在本發明一或多個實施方式中，每一覆晶晶片更包含多個第二光改向層。這些第二光改向層位於第一半導體層之第二表面、第二半導體層之第三表面以及上述段差面上。第一電極與第二電極分別位於這些第二光改向層之間。

在本發明一或多個實施方式中，覆晶晶片更包含一絕緣層。絕緣層位於第一電極與其中一第二光改向層之間，以及第二電極與其中另一第二光改向層之間。

在本發明一或多個實施方式中，第一光改向層與第二光改向層至少其中之一為光反射片或光反射物塗層。

在本發明一或多個實施方式中，第一光改向層與第二光改向層至少其中之一具白色或銀色之顏色。

在本發明一或多個實施方式中，第一光改向層與第二光改向層至少其中之一的材質為銀、鋁、金、鉻、銅、鈀、鈦或其組合。

根據本發明一實施方式，顯示裝置包含上述之背光模組。

綜上所述，藉由本發明之顯示裝置、背光模組與覆晶式發光元件之設計，即使本發明之覆晶式發光元件與導光板之間沒有預留足夠展光距離，覆晶式發光元件之光改向層還是可讓這些光線於導光板內橫向地擴散以於導光板上提供均勻的出光面，進而實現外型薄型化的目的。如此，本發明之背光模組便可克服上述直下式背光模組與側光式 背光模組所存在的缺點。

10‧‧‧直下式背光模組

11‧‧‧導光板

11T‧‧‧導光板之頂面

11B‧‧‧導光板之底面

12‧‧‧發光元件

D‧‧‧展光距離

20‧‧‧側光式背光模組

21‧‧‧導光板

21T‧‧‧導光板之頂面

21L‧‧‧導光板之側向面

22‧‧‧發光元件

L‧‧‧光線

100‧‧‧背光模組

200‧‧‧導光板

210‧‧‧第一主面

220‧‧‧第二主面

220M‧‧‧光學微結構

230‧‧‧側向面

240‧‧‧凹槽

241‧‧‧二次燈杯

300~305‧‧‧覆晶式發光元件

310‧‧‧承載基板

311‧‧‧第一電路圖案

311A‧‧‧第一接點

311B‧‧‧第三接點

312‧‧‧第二電路圖案

312A‧‧‧第二接點

312B‧‧‧第四接點

313‧‧‧板體

313F‧‧‧一面

314‧‧‧隆起部

314T‧‧‧放置面

320‧‧‧覆晶晶片

320T‧‧‧頂面

320B‧‧‧底面

320L‧‧‧側面

321‧‧‧晶片基板

322‧‧‧第一半導體層

322A‧‧‧第一表面

322B‧‧‧第二表面

323‧‧‧發光層

323A‧‧‧段差面

324‧‧‧第二半導體層

324A‧‧‧第三表面

325‧‧‧第一電極

326‧‧‧第二電極

330‧‧‧第一光改向層

340R‧‧‧右邊第二光改向層

340L‧‧‧左邊第二光改向層

340M‧‧‧中間第二光改向層

350‧‧‧絕緣層

360‧‧‧封裝體

361‧‧‧波長轉換粒子

362‧‧‧波長轉換膜

363‧‧‧波長轉換粒子

400‧‧‧顯示裝置

410‧‧‧顯示面板

2‧‧‧局部

G1、G2‧‧‧導電物

H‧‧‧高度差

R‧‧‧光線

第1A圖繪示一習知直下式背光模組的側視圖。

第1B圖繪示一習知側光式背光模組的俯視圖。

第2A圖繪示依照本發明一實施方式之背光模組的側視圖。

第2B繪示第2A圖之局部2的放大圖。

第3圖繪示依照本發明一實施方式之覆晶式發光元件的側視圖。

第4圖繪示依照本發明一實施方式之覆晶式發光元件的側視圖。

第5圖繪示依照本發明一實施方式之覆晶式發光元件的側視圖。

第6圖繪示依照本發明一實施方式之覆晶式發光元件的側視圖。

第7A圖繪示依照本發明一實施方式之背光模組的側視圖。

第7B圖繪示第7A圖之覆晶式發光元件的側視圖。

第8圖繪示本發明一實施方式之一顯示裝置的側視圖。

以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明 確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

第2A圖繪示依照本發明一實施方式之背光模組100的側視圖。第2B繪示第2A圖之局部2的放大圖。

如第2A圖與第2B圖所示，本實施方式之這個背光模組100包含一導光板200與多個覆晶式發光元件300。導光板200之一主面(main surface)具有多個凹槽240。這些覆晶式發光元件300分別位於這些凹槽240內，並分別從這些凹槽240內投射光線R進入導光板200內。如第2B圖，各覆晶式發光元件300包含一承載基板310與一覆晶晶片320。覆晶晶片320位於承載基板310上，且電性連接承載基板310。覆晶晶片320包含一頂面320T、至少一底面320B、多個側面320L與一第一光改向層330。第一光改向層330設置於頂面320T上。當覆晶晶片320發出多個光線R時，第一光改向層330得以反射光線R，以改變這些光線R原有之行進方向。

由於第一光改向層330使覆晶晶片320內朝頂面320T所投射之光線R全部地改向，使得這些被改向之光線R可部份地從覆晶晶片320之各側面320L側向地輸出，故，這些側面320L被稱為出光面。此外，如第2A圖，因為這些光線R從凹槽240進入導光板200內，所以這些光 線R於導光板200內側向地擴散後，可於導光板200上提供均勻的出光面。換句話說，凹槽240取代了傳統側光式背光模組20的入光側。

如此，由於各覆晶式發光元件伸入導光板內，可有效地縮短覆晶式發光元件與導光板之間的距離，進而實現外型薄型化的目的。而且，本發明之背光模組在光源位置的配置架構上，採類似傳統直下式背光模組10的方案，故能節省需要的發光二極體顆數達一半以下，進而同時克服上述直下式背光模組太厚與側光式背光模組太貴的缺點。

更具體來說，如第2A圖所示，導光板200呈平面狀板形，因其夠薄而可依需求撓曲。導光板200包含相對設置之第一主面210與第二主面220以及環繞第一主面210與第二主面220之多個側向面230。上述之這些凹槽240間隔地開設於第一主面210上，以供這些覆晶式發光元件300一對一地伸入其中。此外，各凹槽240可以塞二次燈杯241，加強由四周側向入光導光板的適合光型。具體言之，導光板板材可以達到3mm的厚度，此非極限，而是適合大尺寸液晶電視的一種選擇。凹槽深度可達2mm左右，再佐以相關設計，厚度可達0.15mm的發光二極體，即可置於約當板材中央1.5mm厚度的位置。當然，導光板第一主面或第二主面，仍需佐以相配合之光學圖樣微結構設計，使出光面整體均勻發亮。

第3圖繪示依照本發明一實施方式之覆晶式發光元件301的側視圖。如第3圖所示，覆晶晶片320包含一 晶片基板321、一第一半導體層322、一發光層323、一第二半導體層324、一第一電極325與一第二電極326。晶片基板321具透光性，例如為一藍寶石基板或一碳化矽基板，其係磊晶製程中，作為覆晶發光二極體之長晶基板。然而，本發明不限制於此，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇晶片基板的材料。第一半導體層322與第一光改向層330分別形成於晶片基板321的二相對面上。故，晶片基板321背對第一半導體層322之一面即為上述之頂面320T。第一半導體層322例如為N型或P型半導體層，其相對第一光改向層330之一側包含彼此具有高度差的一第一表面322A與一第二表面322B。第二半導體層324與第一半導體層322之極性(P型/N型)彼此相反，例如為N型或P型半導體層，疊設於第一半導體層322之第一表面322A上，介於第一半導體層322與承載基板310之間。第二半導體層324相對第一半導體層322之一側具有一第三表面324A。第一半導體層322之第二表面322B為覆晶晶片320底面320B之一部分。第一電極325設於第二表面322B上，透過導電物G1(例如金球、銀球或錫球等焊球)電性連接承載基板310之一第一電路圖案311。第三表面324A為覆晶晶片320底面320B之一部分。第二電極326位於第三表面324A上，透過導電物G2(例如焊球)電性連接承載基板310之一第二電路圖案312。第二表面322B與第三表面324A之間可定義出一個段差面323A，這個段差面323A為覆晶晶片320底面320B之一部 分，係共面地形成於第一半導體層322、第二半導體層324與發光層323上。第一半導體層322之第一表面322A與第二半導體層324之交接位置自然形成有一發光層323(即PN介面)。當第一電極325與第二電極326之間存在有一電壓差時，將致使發光層323產生光線R。

然而，本發明不限於此，覆晶晶片320設計上可利用材料選擇，直接整合第一光改向層330的光反射功能，於晶片基板321上；易言之，晶片基板321材料上若有反射能力或光學半透半反能力，亦可配合導光板200之圖樣，而有其適用。但以現有製程觀之，本發明於一實施例中，係以半導體製程技術，沉積金屬層於晶片基板321，實現所述第一光改向層330及後面介紹的第二光改向層。

第4圖繪示依照本發明一實施方式之覆晶式發光元件302的側視圖。如第4圖所示，為更加強上述這些被改向之光線R從覆晶晶片320之各側面320L輸出的效率，覆晶晶片320更包含一或多個第二光改向層340R、340L、340M。第二光改向層340R、340L、340M形成於這些底面320B的表面，也可反射光線R，以改變這些光線R原有之行進方向，使得發光層323朝底面320B所行進之光線R部份地改向至此些側面320L。如此，當覆晶晶片320之頂面320T與底面320B都設置光改向層時，第二光改向層340R、340L、340M與第一光改向層330之間所行進之光線R最終只能朝此些側面320L輸出。

更進一步地，本實施方式中，所述第二光改向層 340R、340L、340M的數量為多個時，這些第二光改向層340R、340L、340M分別形成於第一半導體層322之第二表面322B、第二半導體層324之第三表面324A以及上述之段差面323A上。舉例來說，如第4圖中，一個右邊第二光改向層340R形成於第一半導體層322之第二表面322B、一個左邊第二光改向層340L形成於第二半導體層324之第三表面324A以及一個中間第二光改向層340M同時形成於第一半導體層322之第二表面322B、第二半導體層324之第三表面324A以及上述之段差面323A上。此外，這些第一電極325與第二電極326分別間隔地位於這些第二光改向層340R、340L、340M之間。更細部地看，這些第二光改向層340R、340L、340M分別沿第一電極325或第二電極326朝承載基板310之方向延伸，並且右邊第二光改向層340R的厚度與第一電極325之厚度相等，左邊第二光改向層340L的厚度與第二電極326之厚度相等，中間第二光改向層340M之一部分的厚度與第一電極325之厚度相等，另一部分的厚度與第二電極326之厚度相等。

此外，覆晶晶片320更包含一絕緣層350。絕緣層350位於電極(第一電極325及/或第二電極326)與第二光改向層340R、340L、340M之間，以保持第二光改向層340R、340L、340M與電極(第一電極325及/或第二電極326)間的電性絕緣。更細部地看，絕緣層350包覆第一電極325、第二電極326與這些第二光改向層340R、340L、340M，且介於第一電極325與右邊第二光改向層340R之 間、第一電極325與中間第二光改向層之間、第二電極326與中間第二光改向層340M之間，以及介於第二電極326與左邊第二光改向層340L之間。

本發明之第一光改向層與第二光改向層可部份反射光線、全反射光線或至少遮蔽光線透出第一光改向層與第二光改向層之外。然而，本發明不限第一光改向層與第二光改向層之形式、顏色與材質，也不限第一光改向層與第二光改向層之形式、顏色與材質是否相同。第一光改向層與第二光改向層，例如可為一光反射片或一光反射物塗層，第一光改向層與第二光改向層，例如可以具白色或銀色之顏色，第一光改向層與第二光改向層之材質可為高反光係數之金屬，例如銀、鋁、金、鉻、銅、鈀、鈦或其組合，但不僅限於此。

第5圖繪示依照本發明一實施方式之覆晶式發光元件303的側視圖。如第5圖所示，覆晶式發光元件303更包含一封裝體360。封裝體360配置於承載基板310上且包覆覆晶晶片320。封裝體360之材料例如環氧樹脂(Epoxy Resin)、矽樹脂(Silicone Resin)或聚碳酸酯(Poly Carbonate)之透明膠材。

如第5圖所示，在一或多個實施方式中，封裝體360內更包含多個波長轉換粒子361。波長轉換粒子361散佈於封裝體360中，以轉換光線之波長。本發明不限波長轉換粒子之材質，例如螢光粉。舉例來說，當覆晶晶片320之各發光面(即側面320L)發出藍光時，藍光通過封裝體360 時，被波長轉換粒子361(如黃色螢光粉)激發出白光，使得覆晶式發光元件303因此對外提供白光。

第6圖繪示依照本發明一實施方式之覆晶式發光元件304的側視圖。如第6圖所示，在一或多個實施方式中，覆晶晶片320更包含多個波長轉換膜362。此些波長轉換膜362呈薄膜狀，分別位於覆晶晶片320外表面，例如，全面地形成於這些發光面(即側面320L)上。每一波長轉換膜內散佈多個波長轉換粒子363，用以轉換這些光線之波長。

本發明不限波長轉換粒子之材質，例如螢光粉。舉例來說，當覆晶晶片320之各發光面(即側面320L)發出藍光，且藍光通過波長轉換膜362並進入封裝體360前，藍光被波長轉換粒子363(如黃色螢光粉)激發出白光，使得覆晶式發光元件304因此對外提供白光。

第7A圖繪示依照本發明一實施方式之背光模組100的側視圖。第7B圖繪示第7A圖之覆晶式發光元件305的側視圖。如第7A圖所示，承載基板310包含一板體313與一隆起部314。隆起部314突出於板體313之一面313F上，使得隆起部314之一放置面314T與板體313之此面313F之間保持一高度差H，然而，隆起部314不限一體成型地位於板體313上。第一電路圖案311之一第一接點311A與第二電路圖案312之一第二接點312A分別露出於隆起部314之放置面314T，且第一電路圖案311之第三接點311B與第二電路圖案312之第四接點312B分別露出於板體313 背對隆起部314之一面。覆晶晶片320配置於隆起部314之放置面314T，並透過導電物G1、G2(例如焊球)電性連接第一電路圖案311之第一接點311A與第二電路圖案312之第二接點312A。封裝體360一併包覆隆起部314與覆晶晶片320。

如此，如第7B圖所示，當每一覆晶式發光元件305伸入凹槽240內，使得板體313之此面313F鄰接第一主面210時，由於隆起部314與覆晶晶片320都伸入凹槽240內，故，覆晶晶片320可更接近導光板200之第二主面220，進而讓覆晶晶片320所輸出之光線更充分地被引導至導光板200之第二主面220，以提高導光板200之出光面的亮度。

此外，回第2圖所示，為確保導光板200提供更好的出光效率，導光板200更包含多個擴散用或反射用之光學微結構220M。舉一例來說，光學微結構220M間隔地形成於第二主面220上，以使光線更均勻。舉另一例來說，每一覆晶式發光元件300垂直正投影至導光板200之第二主面220之區域上所配置的光學微結構220M的密度較導光板200之第二主面其餘區域上所配置的光學微結構220M的密度大。如此，可更均勻導光板200之第二主面220上肢亮度。

此外，本發明並不限制光學微結構之形式，其他實施例可為複數個突出部(如球形凸出部、三角錐形凸出部或鋸齒狀凸出部等等)或複數個凹陷部(如球形凹陷部、三角錐形凹陷部或鋸齒狀凹陷部等等)以將光線產生更多 之折射或反射，而更均勻地發光。研發人員可依實際需求或限制加以調整。

其他實施例中，此些光學微結構亦可為均勻或不均勻地分佈於導光板之第二主面上；或可以複數排的方式平行或非平行地排列在導光板之第二主面上。研發人員可依實際需求或限制加以選擇光學微結構之排列方式。其他實施例中，此些光學微結構可分別藉由印刷、機械加工、蝕刻或電鍍等方式予以成型於導光板上。如此，此些光學微結構可分別為印刷或塗佈於導光板上之印刷點或結構為突出或凹入之透鏡。研發人員可依實際需求或限制加以選擇光學微結構之製作方式及具體種類。然而，本發明不限於此，導光板中，第一主面210與第二主面220至少二者之一都可配置上述之光學微結構220M，或者，導光板200之第一主面210與第二主面220也可以完全不具有光學微結構。

第8圖繪示本發明一實施方式之一顯示裝置400的側視圖。如第8圖所示，顯示裝置400包含一顯示面板410與上述背光模組100，背光模組100位於顯示面板410之一側，以提供顯示面板410足夠的發光亮度。

如此，藉由本發明顯示裝置、背光模組與覆晶式發光元件之設計，因為覆晶式發光元件讓這些光線於導光板內橫向地擴散，可於導光板上提供均勻的出光面，使得背光模組可因此縮短了覆晶式發光元件與導光板之間的展光距離，進而實現外型薄型化的目的。如此，本發明之背光 模組便可克服上述直下式背光模組與側光式背光模組所存在的缺點。

100‧‧‧背光模組

200‧‧‧導光板

210‧‧‧第一主面

220‧‧‧第二主面

220M‧‧‧光學微結構

230‧‧‧側向面

240‧‧‧凹槽

241‧‧‧二次燈杯

300‧‧‧覆晶式發光元件

330‧‧‧第一光改向層

2‧‧‧局部

R‧‧‧光線

Claims (28)

1. 一種覆晶式發光元件，包含：一承載基板；以及一覆晶晶片，位於該承載基板上，且電性連接該承載基板，該覆晶晶片包含：一頂面，相對該承載基板；多個發光面，圍繞並連接該頂面；以及一第一光改向層，位於該頂面表面，用以改變多個光線之方向，以致分別從該些發光面輸出。
2. 如請求項1所述之覆晶式發光元件，其中該覆晶晶片更包含：至少一底面，相對該頂面設置，其中該些發光面連接於該底面與該頂面之間；以及至少一第二光改向層，位於該底面表面，用以改變該些光線之方向，以致分別從該些發光面輸出。
3. 如請求項2所述之覆晶式發光元件，其中該覆晶晶片包含：一晶片基板，具透光性；一第一半導體層，與該第一光改向層分別形成於該晶片基板的二相對面上，該第一半導體層包含彼此具有高度差的一第一表面與一第二表面；一第二半導體層，疊設於該第一表面上，介於該第一半導體層與該承載基板之間，該第二半導體層具有一第三表面，其中該 第三表面與該第二表面之間具有一個段差面；一第一電極，位於該第二表面上，電性連接該承載基板；以及一第二電極，位於該第三表面上，電性連接該承載基板。
4. 如請求項3所述之覆晶式發光元件，其中該至少一第二光改向層的數量為多個時，該些第二光改向層位於該第一半導體層之該第二表面、該第二半導體層之該第三表面以及該段差面上，其中該第一電極與該第二電極分別位於該些第二光改向層之間。
5. 如請求項4所述之覆晶式發光元件，其中該覆晶晶片更包含：一絕緣層，位於該第一電極與該第二電極至少其中一者與該些第二光改向層其中一者之間。
6. 如請求項3所述之覆晶式發光元件，其中該晶片基板為一藍寶石基板或一碳化矽基板。
7. 如請求項2所述之覆晶式發光元件，其中該第一光改向層與該第二光改向層至少其中一者為一光反射片或一光反射物塗層。
8. 如請求項2所述之覆晶式發光元件，其中該第一光改向層 與該第二光改向層至少其中一者具白色或銀色之顏色。
9. 如請求項2所述之覆晶式發光元件，其中該第一光改向層與該第二光改向層至少其中一者之材質係選自從銀、鋁、金、鉻、銅、鈀、鈦或其組合所組成之群組。
10. 如請求項1所述之覆晶式發光元件，更包含：一封裝體，配置於該承載基板上且包覆該覆晶晶片。
11. 如請求項10所述之覆晶式發光元件，更包含：多個波長轉換粒子，散佈於該封裝體中，用以轉換該些光線之波長。
12. 如請求項10所述之覆晶式發光元件，其中該覆晶晶片更包含：多個波長轉換膜，分別形成於該些發光面上，用以轉換該些光線之波長，其中每一該些波長轉換膜包含多個波長轉換粒子。
13. 如請求項10所述之覆晶式發光元件，其中該承載基板包含：一板體；以及一隆起部，位於該板體上，其中該覆晶晶片位於該隆起部上，且該封裝體更包覆該隆起部。
14. 一種背光模組，包含：一導光板，包含多個凹槽與一第一主面，該些凹槽間隔地位於該第一主面上；以及多個覆晶式發光元件，分別伸入該些凹槽內，每一該些覆晶式發光元件包含：一承載基板；一覆晶晶片，位於該承載基板上，且電性連接該承載基板，該覆晶晶片包含：一頂面，相對該承載基板；多個發光面，圍繞並連接該頂面；以及一第一光改向層，位於該頂面表面，用以改變多個光線之方向，以致該些光線分別從該些發光面輸出。
15. 如請求項14所述之背光模組，其中該覆晶晶片更包含：至少一底面，相對該頂面設置，其中該些發光面連接於該底面與該頂面之間；以及至少一第二光改向層，位於該底面表面，用以改變該些光線之方向，以致該些光線分別從該些發光面輸出。
16. 如請求項15所述之背光模組，其中該覆晶晶片包含：一晶片基板，具透光性；一第一半導體層，與該第一光改向層分別形成於該晶片基板的二相對面上，該第一半導體層包含彼此具有高度差的一第一表面與一第二表面； 一第二半導體層，疊設於該第一表面上，介於該第一半導體層與該承載基板之間，該第二半導體層具有一第三表面，其中該第三表面與該第二表面之間具有一個段差面；一第一電極，位於該第二表面上，電性連接該承載基板；以及一第二電極，位於該第三表面上，電性連接該承載基板。
17. 如請求項16所述之背光模組，其中該至少一第二光改向層的數量為多個時，該些第二光改向層位於該第一半導體層之該第二表面、該第二半導體層之該第三表面以及該段差面上，其中該第一電極與該第二電極分別位於該些第二光改向層之間。
18. 如請求項17所述之背光模組，其中該覆晶晶片更包含：一絕緣層，位於該第一電極與該第二電極至少其中一者與該些第二光改向層其中一者之間。
19. 如請求項16所述之背光模組，其中該晶片基板為一藍寶石基板或一碳化矽基板。
20. 如請求項15所述之背光模組，其中該第一光改向層與該第二光改向層至少其中一者為一光反射片或一光反射物塗層。
21. 如請求項15所述之背光模組，其中該第一光改向層與該 第二光改向層至少其中一者具白色或銀色之顏色。
22. 如請求項15所述之背光模組，其中該第一光改向層與該第二光改向層至少其中一者之材質係選自從銀、鋁、金、鉻、銅、鈀、鈦或其組合所組成之群組。
23. 如請求項14所述之背光模組，其中該覆晶式發光元件更包含：一封裝體，配置於該承載基板上且包覆該覆晶晶片。
24. 如請求項23所述之背光模組，更包含：多個波長轉換粒子，散佈於該封裝體中，用以轉換該些光線之波長。
25. 如請求項23所述之背光模組，其中該覆晶晶片更包含：多個波長轉換膜，分別形成於該些發光面上，用以轉換該些光線之波長，其中每一該些波長轉換膜包含多個波長轉換粒子。
26. 如請求項23所述之背光模組，其中該承載基板包含：一板體，鄰接該第一主面；以及一隆起部，位於該板體上，其中該覆晶晶片位於該隆起部上，該隆起部與該覆晶晶片位於該凹槽內，且該封裝體更包覆該隆起部。
27. 如請求項14所述之背光模組，其中該導光板更包含：一第二主面，相對該第一主面配置；以及多個光學微結構，間隔地形成於該第二主面上。
28. 一種顯示裝置，包含一如請求項14至27其中之一所述之背光模組。