CN111781771B - 背光模组及其设计方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种背光模组及其设计方法和显示装置。背光模组包括：设置于第一基板的多个LED芯片；和设置于第一基板的光控结构，被配置为：接收LED芯片的出射光，并控制从光控结构射出的光的光通量分布。背光模组包括多个光控区域组，多个光控区域组与多个LED芯片一一对应，每一个光控区域组包括第一光控区域和第二光控区域；光控结构包括多个光控子结构组，多个光控子结构组分别位于多个光控区域组中，每一个光控子结构组包括第一光控子结构和第二光控子结构，第一光控子结构位于第一光控区域，第二光控子结构位于第二光控区域；每一个光控子结构均包括多个透光部和多个反光部，第一光控子结构中透光部的占比与第二光控子结构中透光部的占比不同。

Description

背光模组及其设计方法、显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种背光模组及其设计方法、显示装置。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，英文缩写为LED)技术发展了近三十年，其应用范围不断扩展，例如，其可以应用于显示领域，用作显示装置的背光源或用作LED显示屏。随着技术的发展，次毫米发光二极管(Mini Light Emitting Diode，英文缩写为Mini LED)逐渐成为显示技术领域中的一个研究热点。例如，Mini LED可以用于液晶显示装置中的背光模组中，作为背光模组的发光元件。这样，通过利用Mini LED的优点，所述背光模组可以实现分区调光、快速响应、结构简单和寿命长等优点。

在本部分中公开的以上信息仅用于对本公开的发明构思的背景的理解，因此，以上信息可包含不构成现有技术的信息。

发明内容

为了解决上述问题的至少一个方面，本公开实施例提供一种背光模组及其设计方法和显示装置。

在一个方面，提供一种背光模组，包括：

第一基板；

设置于所述第一基板的多个发光二极管芯片，所述多个发光二极管芯片沿第一方向和第二方向成阵列地布置在所述第一基板上；和

设置于所述第一基板的光控结构，所述光控结构被配置为：接收所述发光二极管芯片的出射光，并控制从所述光控结构射出的光的光通量分布，

其中，所述背光模组包括多个光控区域组，多个光控区域组与多个发光二极管芯片分别一一对应，每一个光控区域组至少包括第一光控区域和第二光控区域，每一个光控区域组的第一光控区域在所述第一基板上的正投影覆盖与该光控区域组对应的发光二极管芯片在所述第一基板上的正投影，每一个光控区域组的第二光控区域在所述第一基板上的正投影包围该光控区域组的第一光控区域在所述第一基板上的正投影；

所述光控结构包括多个光控子结构组，多个光控子结构组分别位于多个光控区域组中，每一个光控子结构组至少包括第一光控子结构和第二光控子结构；以及

每一个所述光控子结构均包括多个透光部和多个反光部，所述第一光控子结构中透光部的占比与所述第二光控子结构中透光部的占比不同。例如，所述第一光控子结构中透光部的占比为该第一光控子结构包括的所有透光部在所述第一基板上的正投影的面积与该第一光控子结构所在的第一光控区域的面积之比，所述第二光控子结构中透光部的占比为该第二光控子结构包括的所有透光部在所述第一基板上的正投影的面积与该第二光控子结构所在的第二光控区域的面积之比。

根据一些示例性的实施例，所述第一光控子结构位于所述第一光控区域，所述第二光控子结构位于所述第二光控区域，所述第一光控子结构中透光部的占比小于所述第二光控子结构中透光部的占比。

根据一些示例性的实施例，所述光控结构的多个透光部和多个反光部交替地布置。例如，所述光控结构的多个透光部和多个反光部沿所述第一方向交替地布置，并且所述光控结构的多个透光部和多个反光部沿所述第二方向交替地布置。

根据一些示例性的实施例，所述光控结构包括由反光材料形成的反光层和形成在所述发光层中的多个镂空部，所述多个镂空部构成所述多个透光部，所述反光层位于每两个相邻的镂空部之间的部分构成所述多个反光部。

根据一些示例性的实施例，所述光控结构的多个反光部沿所述第一方向和所述第二方向成阵列地布置，所述光控结构包括填充在每两个相邻的反光部之间且覆盖所述多个反光部的透明材料层，所述透明材料层位于每两个相邻的反光部之间的部分构成所述多个透光部。

根据一些示例性的实施例，所述背光模组还包括：设置于所述第一基板的第一导电层，所述第一导电层包括多条第一走线；

设置于所述第一导电层远离所述第一基板一侧的第二导电层，所述第二导电层包括多条第二走线；和

设置于所述第一基板的第一覆盖层，所述第一覆盖层由透光材料形成，所述第一覆盖层至少填充于所述多条第一走线之间的间隙，

其中，所述光控结构的多个反光部包括所述多条第一走线和所述多条第二走线，所述光控结构的多个透光部包括所述第一覆盖层的位于所述多条第一走线之间的间隙中的部分。

根据一些示例性的实施例，所述第一走线沿所述第一方向延伸，所述第二走线沿所述第二方向延伸，所述多条第一走线和所述多条第二走线的组合在所述第一基板上的正投影呈多个回字形。

根据一些示例性的实施例，每一个光控区域组还包括第三光控区域，每一个光控区域组的第三光控区域在所述第一基板上的正投影包围该光控区域组的第二光控区域在所述第一基板上的正投影；

每一个光控子结构组还包括第三光控子结构，所述第三光控子结构位于所述第三光控区域；

所述第三光控子结构也包括多个透光部和多个反光部，所述第三光控子结构中透光部的占比、所述第二光控子结构中透光部的占比和所述第一光控子结构中透光部的占比彼此均不同，所述第三光控子结构中透光部的占比为该第三光控子结构包括的所有透光部在所述第一基板上的正投影的面积与该第三光控子结构所在的第三光控区域的面积之比。

根据一些示例性的实施例，每一个光控区域组还包括第四光控区域，每一个光控区域组的第四光控区域在所述第一基板上的正投影包围该光控区域组的第三光控区域在所述第一基板上的正投影；

每一个光控子结构组还包括第四光控子结构，所述第四光控子结构位于所述第四光控区域；

所述第四光控子结构也包括多个透光部和多个反光部，所述第四光控子结构中透光部的占比、所述第三光控子结构中透光部的占比、所述第二光控子结构中透光部的占比和所述第一光控子结构中透光部的占比彼此均不同，所述第四光控子结构中透光部的占比为该第四光控子结构包括的所有透光部在所述第一基板上的正投影的面积与该第四光控子结构所在的第四光控区域的面积之比。

根据一些示例性的实施例，每一个光控区域组包括N个光控区域，其中，N为大于等于2的正整数；所述N个光控区域至少包括所述第一光控区域和所述第二光控区域，每一个光控区域组的第N个光控区域在所述第一基板上的正投影包围该光控区域组的第N-1个光控区域在所述第一基板上的正投影。

根据一些示例性的实施例，所述背光模组还包括设置于所述第一基板的多个光扩散结构，其中，所述多个光扩散结构在所述第一基板上的正投影分别覆盖所述多个发光二极管芯片在所述第一基板上的正投影，所述光扩散结构用于扩散所述发光二极管芯片的出射光。

根据一些示例性的实施例，每一个所述光扩散结构包括多个三棱镜，每一个三棱镜具有顶角和与该顶角相对的边，所述三棱镜的边位于所述三棱镜靠近所述第一基板的一侧，所述顶角位于所述三棱镜远离所述第一基板的一侧。

根据一些示例性的实施例，所述背光模组还包括设置于所述第一基板的第一平坦化层，其中，所述第一平坦化层覆盖所述多个三棱镜，所述第一平坦化层的材料的折射率大于所述光扩散结构的材料的折射率。

根据一些示例性的实施例，所述第一基板包括第一侧和与所述第一侧相反的第二侧，所述多个发光二极管芯片和所述光控结构分别位于所述第一基板的第一侧和第二侧；

所述多个光扩散结构设置在所述第一基板的第一侧，且位于所述第一基板与所述多个发光二极管芯片之间。

根据一些示例性的实施例，所述第一基板包括第一侧和与所述第一侧相反的第二侧，所述多个发光二极管芯片和所述光控结构均位于所述第一基板的第一侧；

所述显示基板还包括设置于所述第一基板的第一反射层，所述第一反射层设置在所述第一导电层与所述第一基板之间；

所述第一反射层在所述第一基板上的正投影覆盖所述第一走线在所述第一基板上的正投影，并且，所述第一反射层在所述第一基板上的正投影还覆盖所述第二走线在所述第一基板上的正投影。

根据一些示例性的实施例，所述显示基板还包括设置于所述第一基板的第二反射层，所述第二反射层位于所述第二覆盖层远离所述第一基板的一侧；

所述第二反射层在所述第一基板上的正投影与所述第一走线在所述第一基板上的正投影至少部分重叠，所述第二反射层在所述第一基板上的正投影与所述第二走线在所述第一基板上的正投影至少部分重叠，所述第二反射层在所述第一基板上的正投影呈回字形。

根据一些示例性的实施例，所述背光模组还包括封装层和反射结构，其中，所述封装层设置于所述第一基板且覆盖所述多个发光二极管芯片，所述反射结构位于所述封装层远离所述第一基板的一侧，所述反射结构在所述第一基板上的正投影至少覆盖所述多个发光二极管芯片在所述第一基板上的正投影。

根据一些示例性的实施例，所述反射结构包括多个透镜，所述多个透镜成阵列地布置在所述第一基板上，每一个所述透镜沿远离所述第一基板的方向凸出。

根据一些示例性的实施例，所述反射结构包括凹槽部，所述凹槽部在所述第一基板上的正投影与所述多个发光二极管芯片在所述第一基板上的正投影至少部分重叠，所述凹槽部沿朝向所述发光二极管芯片的方向凹入。

根据一些示例性的实施例，所述背光模组还包括封装层和反射结构，其中，所述封装层设置于所述第一基板且覆盖所述多个发光二极管芯片，所述反射结构位于所述第一基板的第二侧，所述反射结构在所述第一基板上的正投影至少覆盖所述多个发光二极管芯片在所述第一基板上的正投影。

根据一些示例性的实施例，所述发光二极管芯片为次毫米发光二极管芯片。

在另一方面，还提供一种显示装置，包括如上所述的背光模组。

在又一方面，提供一种背光模组的设计方法，包括以下步骤：

获取发光二极管芯片的参数，所述参数至少包括发光二极管芯片的尺寸以及发光二极管芯片出射光的光通量和发光角度；

确定所述发光二极管芯片出射光的反射次数的上限值；

根据发光二极管芯片的参数、第一基板的厚度以及确定出的反射次数的上限值确定各个光控区域以及发光二极管芯片阵列的周期值，所述发光二极管芯片阵列的周期值为两个相邻的发光二极管芯片的中心距；

确定各个光控区域的光透过率和光反射率；以及

根据确定出的各个光控区域的光透过率，设计各个光控区域中的光控结构。

附图说明

通过下文中参照附图对本公开所作的描述，本公开的其它目的和优点将显而易见，并可帮助对本公开有全面的理解。

图1是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组的平面示意图；

图2是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组沿图1中的线A-A’截取的截面图；

图3是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组的设计方法的部分流程图；

图4示意性示出了LED芯片出射光在玻璃基板中的反射光路图；

图5示意性示出了各个光控区域的平面图；

图6A和图6B是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组包括的单独的光控结构的结构示意图；

图6C是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组包括的由走线形成的光控结构的结构示意图；

图7是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组的结构示意图，例如，该图7可以是所述背光模组沿图1中的线B-B’截取的截面图；

图8是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组包括的光扩散结构的结构示意图；

图9是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组的结构示意图，例如，该图9可以是所述背光模组沿图1中的线C-C’截取的截面图；

图10是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组包括的由走线形成的光控结构的局部平面图；

图11是图10中所示的光控结构的局部放大图，其中示意性示出了回字形结构；

图12是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组的结构示意图，例如，该图9可以是所述背光模组沿图1中的线C-C’截取的截面图；

图13是图12中所示的背光模组包括的反射结构的局部放大图；

图14是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组的结构示意图，例如，该图14可以是所述背光模组沿图1中的线C-C’截取的截面图；

图15是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组的结构示意图，例如，该图15可以是所述背光模组沿图1中的线B-B’截取的截面图；

图16是根据本公开的一些示例性实施例的用于制造图7所示的背光模组的方法的流程图；

图17是根据本公开的一些示例性实施例的用于制造图9所示的背光模组的方法的流程图；以及

图18是根据本公开的一些示例性实施例的显示装置的示意图。

需要注意的是，为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层、结构或区域的尺寸可能被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。

具体实施方式

在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种示例性实施例的全面的理解。然而，明显的是，在不具有这些具体细节或者具有一个或多个等同布置的情况下，可以实施各种示例性实施例。在其它情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。此外，各种示例性实施例可以是不同的，但不必是排他的。例如，在不脱离发明构思的情况下，可以在另一示例性实施例中使用或实施示例性实施例的具体形状、配置和特性。

在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可以放大元件的尺寸和相对尺寸。如此，各个元件的尺寸和相对尺寸不必限于图中所示的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施示例性实施例时，可以与描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的元件。

当元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，所述元件可以直接在所述另一元件上、直接连接到所述另一元件或直接结合到所述另一元件，或者可以存在中间元件。然而，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，不存在中间元件。用于描述元件之间的关系的其他术语和/或表述应当以类似的方式解释，例如，“在......之间”对“直接在......之间”、“相邻”对“直接相邻”或“在......上”对“直接在......上”等。此外，术语“连接”可指的是物理连接、电连接、通信连接和/或流体连接。此外，X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的含义解释。例如，X轴、Y轴和z轴可彼此垂直，或者可代表彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z构成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、或者诸如XYZ、XYY、YZ和ZZ的X、Y和z中的两个或更多个的任何组合。如文中所使用的，术语“和/或”包括所列相关项中的一个或多个的任何组合和所有组合。

应该理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二等来描述不同的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件与另一个元件区分开来。例如，在不脱离示例实施例的范围的情况下，第一元件可以被命名为第二元件，类似地，第二元件可以被命名为第一元件。

在本文中，无机发光二极管是指利用无机材料制成的发光元件，其中，LED表示有别于OLED的无机发光元件。具体地，无机发光元件可以包括次毫米发光二极管(Mini LightEmitting Diode，英文缩写为Mini LED)和微型发光二极管(Micro Light EmittingDiode，英文缩写为Micro LED)。其中，次毫米发光二极管(即Mini LED)表示晶粒尺寸在Micro LED与传统LED之间的小型发光二极管，通常，Mini LED的晶粒尺寸可以在100～300微米之间。

在本文中，表述“光控结构”表示该结构可以对入射到其上的光进行控制，以使得经过该结构出射的光的能量分布或光通量分布满足预定的要求。表述“光控区域”表示需要控制该区域中出射的光的能量分布或光通量分布满足预定的要求。

本公开的一些示例性实施例提供了一种背光模组及其设计方法和显示装置。所述背光模组包括：第一基板；设置于所述第一基板的多个发光二极管芯片，所述多个发光二极管芯片沿第一方向和第二方向成阵列地布置在所述第一基板上；和设置于所述第一基板的光控结构，所述光控结构被配置为：接收所述发光二极管芯片的出射光，并控制从所述光控结构射出的光的光通量分布，其中，所述背光模组包括多个光控区域组，多个光控区域组与多个发光二极管芯片分别一一对应，每一个光控区域组至少包括第一光控区域和第二光控区域，每一个光控区域组的第一光控区域在所述第一基板上的正投影覆盖与该光控区域组对应的发光二极管芯片在所述第一基板上的正投影，每一个光控区域组的第二光控区域在所述第一基板上的正投影包围该光控区域组的第一光控区域在所述第一基板上的正投影；所述光控结构包括多个光控子结构组，多个光控子结构组分别位于多个光控区域组中，每一个光控子结构组至少包括第一光控子结构和第二光控子结构；以及每一个所述光控子结构均包括多个透光部和多个反光部，所述第一光控子结构中透光部的占比与所述第二光控子结构中透光部的占比不同。这样，可以使得各个光控区域出射光的光通量基本一致，即，可以提高背光模组的匀光性。

图1是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组的平面示意图，图2是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组沿图1中的线A-A’截取的截面图。结合图1和图2，根据本公开实施例的背光模组可以包括第一基板1以及设置在第一基板1上的LED芯片阵列。例如，第一基板1可以是玻璃基板，LED芯片阵列可以包括多个LED芯片2。在实际制造时，在玻璃基板1上形成走线后，多个LED芯片2通过打件(例如表面贴装等方式)成阵列地布置在第一基板1上。如图1所示，示意性示出了多个LED芯片2沿第一方向X和第二方向Y成阵列地布置在第一基板1上。

例如，第一方向X和第二方向Y彼此垂直，第三方向Z垂直于所述第一方向X和第二方向Y。

在本公开的一些示例性示例中，所述LED芯片2可以是Mini LED芯片。Mini LED可以像有源矩阵一样用薄膜晶体管来驱动，或者可以无源矩阵用驱动IC来驱动，例如，LED背光源可以采用驱动IC驱动。具体地，Mini LED背光模组可以应用于LCD显示面板中，以形成显示屏。在该显示屏中，可以根据需要把Mini LED背光模组划分为几百到几万个区域，每个区域可以对应显示面板中的多个像素点，且各区域的亮暗可以独立控制。这样，显示屏的明暗对比度能够提升到跟OLED一样的10000000∶1。对于图像暗的区域，Mini LED可以设定在关闭状态。如果图像需要特别明亮，例如烟花，那么可以增大这个区域中的Mini LED的亮度。通过这样的分区域控制，不仅可以大大提升明暗对比度，还可以省电。

需要说明的是，图1中使用矩形框来代表LED芯片，但可以理解的是，本公开实施例中的LED芯片并不限于为矩形，可以为圆形、多边形等其他形状。

由于每一个LED芯片2出射的光为朗伯型分布，所以，需要对上述LED芯片阵列的pitch值以及每一个LED芯片2的光控区域进行设计，以保证整个背光模组发出的光的均一性满足要求。

在本文中，表述“LED芯片阵列或LED芯片的pitch值”又称为LED芯片阵列或LED芯片的周期值，表示LED芯片阵列中两个相邻的LED芯片的中心的间距，如图1和图2所述，用附图标记p表示。

图3是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组的设计方法的部分流程图。下面，将结合图1至图3描述根据本公开的一些示例性实施例的背光模组的设计方法。

在步骤S31中，获取LED芯片的参数。例如，所述参数可以包括LED芯片出射光的光通量、发光角度等。在选择了LED芯片的型号之后，这些参数都是确定的值。

在步骤S32中，确定LED芯片出射光的反射次数的上限值。

图4示意性示出了LED芯片出射光在玻璃基板中的反射光路图。结合参照图2和图4，LED芯片出射光的一部分可以从正面(即沿垂直于第一基板1的方向)射出，这部分光可以不在第一基板1内反射而直接射出。LED芯片出射光的另一部分在第一基板1内经多次反射后射出。光的传输距离越长，反射次数越多，最终射出的光的光效就越低。即，在光传输和反射的过程中，会发生光的损耗。所述光的损耗与光传输和反射的材料相关。

在本公开的实施例中，第一基板1为玻璃基板，即光主要在玻璃中传输和反射。在该步骤中，可以根据第一基板1的参数(包括第一基板1所用的材料和第一基板1的厚度等参数)，计算光每经过一次反射的光损耗，从而确定出LED芯片出射光的反射次数。例如，在图4中，示意性示出了一个LED芯片的出射光经过6次反射(包括3次上表面的反射和3次下表面的反射)的情形，在经过更多次(例如8次以上)反射后，可能光的损耗较大，可以忽略这部分光。也就是说，在设计时，可以主要考虑6次以内的反射光。

在步骤S33中，确定各个光控区域以及LED芯片阵列的周期值。

可以根据LED芯片的发光角度、芯片尺寸、第一基板1的厚度以及步骤S32中确定的反射次数来确定各个光控区域。参照图4，示意性示出了4个光控区域，为了方便描述，将4个光控区域分别称为第一光控区域、第二光控区域、第三光控区域和第四光控区域，分别用附图标记A1、A2、A3和A4表示。在第一光控区域A1中，LED芯片2的出射光经过0次反射射出，即LED芯片2的出射光直接射出。在第二光控区域A2中，LED芯片2的出射光经过2次反射(1次上表面的反射和1次下表面的反射)后射出。在第三光控区域A3中，LED芯片2的出射光经过4次反射(2次上表面的反射和2次下表面的反射)后射出。在第四光控区域A4中，LED芯片2的出射光经过6次反射(3次上表面的反射和3次下表面的反射)后射出。如上所述，由于光经过反射后会产生光损耗，所以，理论上，对于单一LED芯片2的出射光而言，从第一光控区域A1、第二光控区域A2、第三光控区域A3和第四光控区域A4中射出的光的能量不同。具体地，从第一光控区域A1中射出的光的能量大于从第二光控区域A2射出的光的能量，从第二光控区域A2中射出的光的能量大于从第三光控区域A3射出的光的能量，从第三光控区域A3中射出的光的能量大于从第四光控区域A4射出的光的能量。

例如，第一光控区域A1、第二光控区域A2、第三光控区域A3和第四光控区域A4中的每一个在第一基板1上的正投影的形状为圆形或圆环，但本公开的实施例不限于圆和圆环形状。在此情况下，第一光控区域A1在第一基板1上的正投影具有圆心O，该圆心O与LED芯片2的中心在第一基板1上的正投影重合。第一光控区域A1、第二光控区域A2、第三光控区域A3和第四光控区域A4的尺寸可以分别用它们各自的正投影(圆形)的半径表示。

图5示意性示出了各个光控区域的平面图。如图4和图5所示，第一光控区域A1、第二光控区域A2、第三光控区域A3和第四光控区域A4可以分别具有第一半径R1、第二半径R2、第三半径R3和第四半径R4。应该理解，第一光控区域A1在第一基板1上的正投影区域是以圆心O为圆心、以第一半径R1为半径的圆形区域，第二光控区域A2在第一基板1上的正投影区域是以圆心O为圆心、以第二半径R2为半径的圆形区域减去以圆心O为圆心、以第一半径R1为半径的圆形区域之后得到的圆环区域，第三光控区域A3在第一基板1上的距投影区域是以圆心O为圆心、以第三半径R3为半径的圆形区域减去以圆心O为圆心、以第二半径R2为半径的圆形区域之后得到的圆环区域，第四光控区域A4在第一基板1上的正投影区域是以圆心O为圆心、以第四半径R4为半径的圆形区域减去以圆心O为圆心、以第三半径R3为半径的圆形区域之后得到的圆环区域。

在该步骤S33中，可以获得LED芯片的发光角度θ，LED芯片尺寸(即LED芯片的直径)为d。另外，还可以获得第一基板1的厚度t。那么，可以根据下面的公式分别计算出第一半径R1、第二半径R2、第三半径R3和第四半径R4的值：

R1＝t*tanθ+0.5*d

R2＝3*t*tanθ+0.5*d

R3＝5*t*tanθ+0.5*d

R4＝7*t*tanθ+0.5*d

例如，LED芯片的发光角度θ为约41度，LED芯片尺寸d为约100微米，即，LED芯片的半径(其边缘距离中心O之间的距离)为50微米。另外，第一基板1的厚度t为约0.5毫米。那么，可以根据下面的公式分别计算出第一半径R1、第二半径R2、第三半径R3和第四半径R4的值：

R1＝0.5*tan41+0.05＝0.485(mm)

R2＝3*0.5*tan 41+0.05＝1.355(mm)

R3＝5*0.5*tan41+0.05＝2225(mm)

R4＝7*0.5*tan41+0.05＝3.095(mm)

如上所述，经过多次反射后，LED芯片的出射光产生的损耗较大，所以，在图4所示的示例性实施例中，2个相邻的LED芯片2的出射光在第四光控区域A4中混合，即，2个相邻的LED芯片2的第四光控区域A4是重叠的。这样，可以计算出2个相邻的LED芯片2的中心O之间的间距(即LED芯片阵列的周期值或pitch值)，结合参照图4，可以如下计算：

p＝12*t*tanθ+d

例如，在上述的示例中，p＝12*0.5*tan41+0.1＝5.32(mm)。

在步骤S34中，确定各个光控区域的光透过率和/或光反射率。

在本文中，表述“光控区域的光透过率”表示光入射该光控区域后透射的光与入射到该光控区域的光的比率，表述“光控区域的光反射率”表示光入射到该光控区域后反射的光与入射到该光控区域的光的比率。

具体地，对于具体型号的LED芯片，它的出射光的光通量是已知的。即，入射到各个光控区域的总的光通量是已知的。这样，可以计算出入射到各个光控区域A1、A2、A3和A4的光的光通量。根据入射到各个光控区域A1、A2、A3和A4的光的光通量，并考虑各个光控区域A1、A2、A3和A4的面积，可以计算出各个光控区域A1、A2、A3和A4的光透过率和光反射率。

例如，在上述示例性实施例中，可以确定出各个光控区域的光透过率和光反射率，如下表所示。

表1各个光控区域的光透过率和光反射率的示例

光控区域	A1	A2	A3	A4
					光透过率	22.56％	29.13％	26.94％	28.12％
光反射率	77.44％	70.87％	73.06％	71.88％

从上表可以看出，第一光控区域A1的光透过率最小，第二光控区域A2的光透过率最大，第三光控区域A3和第四光控A4的光透过率位于二者之间。应该理解，一个光控区域出射光的光通量受该光控区域入射光的光通量、该光控区域的面积和该光控区域的光透过率三者影响。在本公开的实施例中，由于入射到第一光控区域A1的光的光通量最大，所以，将第一光控区域A1的光透过率最小；虽然第三光控区域A3和第四光控区域A4的入射光的光通量较小，但是，由于第三光控区域A3和第四光控区域A4中每一个的面积较大，所以，综合起来看，其光透过率可以设置得比第一光控区域A1的光透过率大，但比第二光控区域A2的光透过率小。

在该步骤中，为各个光控区域设计出各自的光透过率，可以使得各个光控区域出射光的光通量基本一致，即，可以提高背光模组的匀光性。

在步骤S35中，根据确定出的各个光控区域的光透过率，设计各个光控区域中的光控结构。

可以在各个LED芯片2的出光侧设置光控结构，位于各个光控区域的光控结构可以不同，以使得各个光控区域的光透光率匹配上述步骤S34中确定出的光透过率。

在一些可选的实施例中，可以在各个LED芯片2的出光侧设置单独的光控结构。图6A和图6B是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组包括的单独的光控结构的结构示意图。如图6A和图6B所示，光控结构6可以包括多个透光部61和多个反光部62。当光入射至透光部61时，它可以透射通过透光部61；当光入射至反光部62时，它可以被反光部62反射。

例如，如图6A所示，可以先形成一层反光材料层(或不透光材料层)，然后在反光材料层中形成多个透光孔或镂空部，例如，可以通过构图工艺形成多个透光孔或镂空部，这些透光孔或镂空部就形成所述透光部61。多个透光部61在发光材料层中成阵列地间隔布置。这样，相邻的透光部61之间的反光材料层的部分就形成所述反光部62。在该情况下，通过构图工艺形成的透光部61可以称为光控微结构。

再例如，如图6B所示，可以形成一层反光材料层(或不透光材料层)，然后通过构图工艺形成成阵列地间隔布置的多个反光图案，这些反光图案形成所述反光部62。多个反光部62之间的空隙形成所述透光部61。可选地，也可以在多个反光图案62之间填充透明材料，位于多个反光图案62之间的透明材料部形成所述透光部61。在该情况下，通过构图工艺形成的反光部62可以称为光控微结构。

也就是说，光控结构6可以包括多个透光部61和多个反光部62。在第一方向X上，多个透光部61和多个反光部62交替地设置，即2个相邻的透光部61之间设置有反光部62，2个相邻的反光部62之间设置有透光部61。在第二方向Y上，多个透光部61和多个反光部62交替地设置，即2个相邻的透光部61之间设置有反光部62，2个相邻的反光部62之间设置有透光部61。

需要说明的是，虽然图6A中透光部61以及图6B中反光部62在XY平面内的正投影示出为圆形，但是，本公开的实施例不局限于此，图6A中透光部61以及图6B中反光部62在XY平面内的正投影可以为任何合适的形状，例如，矩形，圆角矩形，椭圆形等。

在此情况下，上述步骤S35可以进一步包括以下步骤：S351.根据各个光控区域的光透光率，确定各个光控区域中的光控结构包括的透光部61和反光部62的占比；S352.根据确定出的透光部61和反光部62的占比，确定各个光控区域中的光控结构包括的所述光控微结构的尺寸。

结合参照上述图4和图5以及上述表1，在步骤S351中，可以确定：对于第一光控区域A1中的光控结构，透光部61在XY平面内的正投影的面积占第一光控区域A1的总面积的22.56％，反光部62在XY平面内的正投影的面积占第一光控区域A1的总面积的77.44％；对于第二光控区域A2中的光控结构，透光部61在XY平面内的正投影的面积占第二光控区域A2的总面积的29.13％，反光部62在XY平面内的正投影的面积占第二光控区域A2的总面积的70.87％；对于第三光控区域A3中的光控结构，透光部61在XY平面内的正投影的面积占第三光控区域A3的总面积的26.94％，反光部62在XY平面内的正投影的面积占第三光控区域A3的总面积的73.06％；对于第四光控区域A4中的光控结构，透光部61在XY平面内的正投影的面积占第四光控区域A4的总面积的28.12％，反光部62在XY平面内的正投影的面积占第四光控区域A4的总面积的71.88％。

在步骤S352中，根据上述占比，可以确定各个光控区域中的光控微结构的尺寸。例如，如图6A所示，此处的尺寸可以包括每一个光控微结构61的直径以及两个相邻的光控微结构61之间的中心距(该中心距也可以称为光控微结构的pitch值或周期值)；如图6B所示，此处的尺寸可以包括每一个光控微结构62的直径以及两个相邻的光控微结构62之间的中心距(该中心距也可以称为光控微结构的pitch值或周期值)。

需要说明的是，在步骤S352中，还需要考虑实际加工工艺的因素。由于各个光控微结构62是借助掩模板通过构图工艺形成的，所以需要考虑掩模板加工工艺的分辨率限制。

如上所述，由于各个光控区域的光透光率不同，所以，各个光控区域中的光控微结构的分布密度应该不同。具体地，针对图6B所示的实施例，第一光控区域A1中的光控微结构62的分布密度最大，第二光控区域A2中的光控微结构62的分布密度最小，第三光控区域A3和第四光控区域A4中的光控微结构62的分布密度位于第一光控区域A1中的光控微结构62的分布密度与第二光控区域A2中的光控微结构62的分布密度之间。

在本文中，表述“分布密度”表示某些结构、部件、元件或部分在单位面积内的分布数量，它可以表示出这些结构、部件、元件或部分在某一区域中分布的稀疏程度。

可选地，为了便于加工，位于各个光控区域中的光控微结构的直径可以相同。此时，为了使得各个光控区域中的光控微结构的分布密度不同，可以设计各个光控区域中的光控微结构的pitch值不同，关于这一点，将在下文结合附图进行更详细的说明。

在一些可选的实施例中，可以利用设置在各个LED芯片2的出光侧的走线形成所述光控结构。

在本文中，表述“走线”可以包括由导电材料形成的走线，所述导电材料通常为不透光材料，例如Cu等金属导电材料。例如，这些走线可以电连接至各个LED芯片2的电极，用于给各个LED芯片2提供电信号。

图6C是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组包括的由走线形成的光控结构的结构示意图。如图6C所示，在各个LED芯片2的出光侧设置有多条走线7，多条走线7间隔设置。由于走线由不透光材料形成，所以走线7位于各个光控区域中的部分可以形成光控结构的反光部62，走线7之间的间隙形成所述光控结构的透光部61。

在此情况下，上述步骤S35可以进一步包括以下步骤：S351.根据各个光控区域的光透光率，确定走线方式；S352.根据确定出的走线方式，确定各个光控区域中走线的尺寸。

例如，如图6C所示，在步骤S351中，可以根据各个光控区域的光透光率，确定走线方式为回字形走线方式。即，一部分走线7沿第一方向X延伸，另一部分走线7沿第二方向Y延伸。为了描述方便，将沿第一方向X延伸的走线称为第一走线71，将沿第二方向Y延伸的走线7称为第二走线72。这样，第一走线71和第二走线72在XY平面内的投影形成回字形。

在步骤S352中，可以确定各个光控区域A1、A2、A3和A4中的走线7的尺寸。此处的尺寸可以包括各条走线的线宽以及每两条相邻的走线之间的间距(下文简称为走线间距)。

需要说明的是，在该步骤S352中，同样需要考虑实际加工工艺的因素。

如上所述，由于各个光控区域的光透光率不同，所以，各个光控区域中的走线的尺寸应该不同。为了便于加工，位于各个光控区域中的走线的线宽可以相同。此时，可以设计各个光控区域中的走线间距不同，以在不同的光控区域中实现不同的光透射率。

具体地，针对图6C所示的实施例，第一光控区域A1中的走线间距可以最小，第二光控区域A2中的走线间距最大，第三光控区域A3和第四光控区域A4中的走线间距位于第一光控区域A1中的走线间距与第二光控区域A2中的走线间距之间。

还需要说明的是，在一些可选的实施例中，延伸通过各个光控区域的走线的线宽也可以不同。例如，可以将延伸通过第一光控区域A1的走线的线宽设置得较大，以在第一光控区域A1中实现较大的光反射率；将延伸通过第二光控区域A2的走线的线宽设置得较小，以在第二光控区域A2中实现较小的光反射率，即，延伸通过第一光控区域A1的走线的线宽可以大于延伸通过第二光控区域A2的走线的线宽。

下面，将结合附图进一步描述根据本公开的一些示例性实施例的背光模组。需要说明的是，所述背光模组可以根据上述设计方法或设计原则设计制造出来。

图7是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组的结构示意图，例如，该图7可以是所述背光模组沿图1中的线B-B’截取的截面图。参照图7，所述背光模组可以包括第一基板1和设置于所述第一基板1的LED芯片阵列。

可选地，所述LED芯片阵列可以包括多个Mini LED芯片2。在图7所示的实施例中，Mini LED芯片2可以是正装芯片。

所述背光模组还可以包括设置于所述第一基板1的光控结构6。例如，所述光控结构6可以参照图6A和图6B，上文针对图6A和图6B的描述都可以结合于此处。

结合参照图6A、图6B和图7，所述光控结构6可以包括多个透光部61和反光部62。在第一方向X上，多个透光部61和多个反光部62交替地设置，即2个相邻的透光部61之间设置有反光部62，2个相邻的反光部62之间设置有透光部61。在第二方向Y上，多个透光部61和多个反光部62交替地设置，即2个相邻的透光部61之间设置有反光部62，2个相邻的反光部62之间设置有透光部61。

在图7示出的示例性实施例中，反光部62可以为由反光材料或不透光材料形成的光控微结构。透光材料可以填充在每两个相邻的反光部62之间，可选地，透光材料还可以覆盖反光部62。填充在每两个相邻的反光部62之间的透光材料形成所述透光部61。

例如，每一个反光部62可以采用金属Ag、Al、A1Nd(钕化铝)、CuNi(铜镍合金)等金属形成，或者由ITO/Ag/ITO形成的叠层结构。所述透光材料可以包括氮化硅或氧化硅等材料。

光控结构6和LED芯片2分别设置在第一基板1的相反两侧。在图7中，LED芯片2设置在第一基板1的下侧，光控结构6设置在第一基板1的上侧。

如上所述，所述背光模组可以包括多个光控区域。结合参照图4、图5和图7，所述多个光控区域示意性示出为4个光控区域A1、A2、A3和A4。

具体地，对于每一个LED芯片2，都形成有多个光控区域。为了描述方便，可以将每一个LED芯片2对应的多个光控区域称为光控区域组。多个LED芯片2与多个光控区域组一一对应。在图4、图5和图7的示例性实施例中，每一个LED芯片2对应的光控区域组包括4个光控区域A1、A2、A3和A4。但是，本公开的实施例不局限于此，例如，每一个LED芯片2对应的光控区域组包括2个光控区域、3个光控区域、5个光控区域或更多个光控区域。即，每一个光控区域组可以包括N个光控区域，其中，N为大于等于2的正整数；所述N个光控区域至少包括所述第一光控区域和所述第二光控区域，每一个光控区域组的第N个光控区域在所述第一基板上的正投影包围该光控区域组的第N-1个光控区域在所述第一基板上的正投影。

在每一个光控区域组中，第一光控区域A1在第一基板1上的正投影可以覆盖与该光控区域组对应的LED芯片2在第一基板1上的正投影。第一光控区域A1在第一基板1上的正投影的面积可以大于与该光控区域组对应的LED芯片2在第一基板1上的正投影的面积。第二光控区域A2在第一基板1上的正投影可以包围第一光控区域A1在第一基板1上的正投影。第三光控区域A3在第一基板1上的正投影可以包围第二光控区域A2在第一基板1上的正投影。第四光控区域A4在第一基板1上的正投影可以包围第三光控区域A3在第一基板1上的正投影。

例如，第一光控区域A1在第一基板1上的距投影可以呈圆形，第二光控区域A2、第三光控区域A3和第四光控区域A4中的每一个在第一基板1上的正投影可以呈圆环形。

为了描述方便，将所述光控结构6位于第一光控区域A1中的部分称为第一光控子结构6A，将所述光控结构6位于第二光控区域A2中的部分称为第二光控子结构6B，将所述光控结构6位于第三光控区域A3中的部分称为第三光控子结构6C，将所述光控结构6位于第四光控区域A4中的部分称为第四光控子结构6D。

相应地，位于每一个光控区域组中的多个光控子结构可以称为一个光控子结构组。在上述示例性的实施例中，每一个光控子结构组可以包括第一光控子结构6A、第二光控子结构6B、第三光控子结构6C和第四光控子结构6D。

在本公开的实施例中，在同一个光控子结构组中，各个光控子结构中透光部61的占比不同，相应地，各个光控子结构中反光部62的占比也不同。这样，可以实现各个光控区域具有不同的光透光率和光反射率。

在本文中，表述“光控子结构中透光部的占比”可以用该光控子结构包括的所有透光部在第一基板上的正投影的面积与该光控子结构所在的光控区域的面积之比表示。表述“光控子结构中反光部的占比”可以用该光控子结构包括的所有反光部在第一基板上的正投影的面积与该光控子结构所在的光控区域的面积之比表示。

在图7所示的示例性的实施例中，在同一个光控子结构组中，第一光控子结构6A、第二光控子结构6B、第三光控子结构6C和第四光控子结构6D中透光部61的占比彼此不同，相应地，第一光控子结构6A、第二光控子结构6B、第三光控子结构6C和第四光控子结构6D中反光部62的占比也彼此不同。

例如，第一光控子结构6A中透光部61的占比可以在22％左右；第二光控子结构6B中透光部61的占比可以在29％左右；第三光控子结构6C中透光部61的占比可以在27％左右；第四光控子结构6D中透光部61的占比可以在28％左右。

可选地，第一光控子结构6A、第二光控子结构6B、第三光控子结构6C和第四光控子结构6D的周期值可以彼此不相等。例如，在图7所示的实施例中，所述光控微结构为反光部62。每一个光控子结构6A的周期值可以用一个反光部62沿一个方向的尺寸(例如沿第一方向X的尺寸)与两个相邻的反光部62之间沿该方向(例如沿第一方向X)的间距之和来表示。如图7中的附图标记p1所表示。

如上所述，第一光控子结构6A的周期值可以小于第二光控子结构6B的周期值，第三光控子结构6C和第四光控子结构6D中每一个的周期值可以介于第一光控子结构6A的周期值与第二光控子结构6B的周期值之间。

经研究发现，第一光控子结构6A、第二光控子结构6B、第三光控子结构6C和第四光控子结构6D中每一个的周期值需要设置在10微米至100微米的范围内。当该周期值小于10微米时，受限于构图工艺所使用的掩模板的分辨率，会增大加工的难度。当该周期值大于100微米时，会导致各个光控微结构在人眼视觉上可见，降低显示质量。

通过这样的设置方式，可以在各个光控区域实现不同的光透光率和光反射率，从而提高背光模组在各个光控区域的均一性。

继续参照图7，所述背光模组还可以包括光扩散结构8。光扩散结构8被配置为：使从LED芯片2出射且入射到光扩散结构8上的光扩散。可选地，所述背光模组可以包括多个光扩散结构8，多个光扩散结构8分别与多个LED芯片2一一对应。例如，多个光扩散结构8在第一基板上的正投影可以分别位于多个第一光控区域A1中，并且多个光扩散结构8在第一基板上的正投影分别覆盖多个LED芯片在第一基板上的正投影。

光扩散结构8设置在第一基板1靠近LED芯片2的一侧，并且设置在LED芯片2与第一基板1之间。

每一个光扩散结构8可以包括多个棱镜81。例如，每一个棱镜81可以沿第二方向Y延伸，即，每一个棱镜81可以为条状棱镜。多个棱镜81沿第一方向X排列。

图8是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组包括的光扩散结构的结构示意图。如图7和图8所示，每一个棱镜81为三棱镜。每一个棱镜81具有顶角α和与该顶角α相对的边82。边82可以位于棱镜81靠近第一基板1的一侧，顶角α位于棱镜81远离第一基板1的一侧。如图8所示，竖直向上的光线经过棱镜81后被扩散。

可选地，多个棱镜81的顶角α可以设置为彼此相同。这样，有利于制造出所述光扩散结构。

可选地，多个棱镜81中的至少一些的顶角α可以设置为彼此不同。这样，可以更有利于光的扩散。

可选地，所述背光模组还可以包括设置在第一基板1与光扩散结构8之间的缓冲层3，所述缓冲层3可以提高第一基板1下表面的平坦度，并且可以调整应力。这样，有利于光扩散结构8形成在第一基板1上。

参照图7，所述背光模组还可以包括设置在第一基板1上的第一平坦化层4。第一平坦化层4可以覆盖多个棱镜81。例如，第一平坦化层4可以由透明有机材料构成，棱镜81可以由诸如透明树脂的透明有机材料构成，并且第一平坦化层4的材料的折射率大于光扩散结构8的材料的折射率。例如，第一平坦化层4的材料的折射率可以为约1.55～1.65，光扩散结构8的材料的折射率可以为约1.2。通过这样的折射率匹配，更有利于光扩散结构发挥光扩散的作用。

继续参照图7，所述背光模组还可以包括设置在第一基板1上的第一导电层5和第二导电层9。第一导电层5位于第一平坦化层4远离第一基板1的一侧，第二导电层9位于第一导电层5远离第一基板1的一侧。第一导电层5和第二导电层9均可以为金属导电材料构成的，例如，由铜构成。第一导电层5的厚度可以大于第二导电层9的厚度。

具体地，第一导电层5中可以设置有多条走线，第二导电层9中也可以设置有多条走线。每一个LED芯片2可以包括2个电极，即第一电极21和第二电极22。所述多条走线分别电连接至第一电极21和第二电极22，用于给LED芯片2供给电信号。

可选地，所述背光模组还可以包括设置在第一平坦化层4远离第一基板1的一侧的覆盖层11，所述覆盖层11可以位于第一导电层5中的多条走线之间，还可以位于第二导电层9中的多条走线之间。覆盖层11可以为叠层结构，例如，可以包括氮化硅层和树脂层；覆盖层11也可以包括低温有机材料构成的单层结构。

所述背光模组还可以包括设置LED芯片2远离第一基板1一侧的封装层12。所述封装层12覆盖LED芯片2，以保护LED芯片2。在一些示例性实施例中，将封装胶涂覆在LED芯片2远离第一基板1一侧，干燥后形成所述封装层12。所述封装胶可以包括透明的光固化或热固化树脂，例如硅胶等。

所述背光模组还可以包括设置封装层12远离第一基板1一侧的反射结构13。反射结构13在第一基板1上的正投影覆盖多个LED芯片2在第一基板1上的正投影，还覆盖光控结构6在第一基板1上的正投影。

在图7所示的实施例中，LED芯片2可以为向上发光，所述背光模组的出光侧为图7中所示的上侧。在实际应用中，有一部分光会入射到反射结构13上，反射结构13可以将这部分光朝向出光侧反射，从而能够提高背光模组的整体光效。

可选地，继续参照图7，所述背光模组还可以包括量子点膜层14，即，所述背光模组采用LED和量子点的组合结构。量子点膜层14和LED芯片2分别设置在第一基板1的相反两侧。具体地，量子点膜层14设置在光控结构6远离第一基板1的一侧。

例如，LED芯片2出射的光可以为蓝光，即LED为蓝光LED。量子点膜层14中可以包括受蓝光激发后发出红光的红光量子点和/或受蓝光激发后发出绿光的绿光量子点。但是，本公开的实施例不局限于此，量子点膜层14中还可以包括受蓝光激发后发出黄光的黄光量子点。通过设置所述量子点膜层14，可以实现将蓝光LED芯片的光线转换成白光出射的光学效果。具体地，从LED芯片2发出的光为蓝光，当所述蓝光通过所述量子点膜层14时，在蓝光的激发下，部分蓝光转化成红光和绿光。然后，红光和绿光以及未转化的蓝光混合，形成白光。

可选地，所述背光模组还可以包括增亮膜层15和扩散膜层16。增亮膜层15设置在量子点膜层14远离第一基板1的一侧，扩散膜层16设置在增亮膜层15远离第一基板1的一侧。

结合参照图2和图7，通过设置在第一基板上的光扩散结构和光控结构，可以对LED芯片2的出射光进行分区取光，能够提高整个背光模组的出射光的均一性，例如，整个背光模组的出射光的均一性可以达到90％。而且，在传统的背光模组中，通常需要设置厚度较厚的下扩散板，例如，该下扩散板设置在LED芯片与量子点膜层之间。但是，该下扩散板的厚度较厚，而且光通过该下扩散板的光效损失较大，例如可以达到20％～30％。在本公开的实施例中，通过设置在第一基板上的光扩散结构和光控结构，无需使用该下扩散板，这样，不仅可以减小背光模组的厚度，还可以提高背光模组的整体光效。

在本公开的实施例中，用于LED芯片阵列的各条走线都形成在诸如玻璃基板的第一基板1上，即，第一基板1用作LED芯片的承载基板。并且，LED芯片的出射光通过第一基板1后，经光扩散结构和光控结构处理后射出，在该过程中，第一基板1可以用作导光板，可以减小背光模组的光程混光距离。此外，第一基板1还可以作为光扩散结构、光控结构等的承载基板。以此方式，可以进一步减小背光模组的厚度，提高产品的竞争力。具体地，返回参照图2，所述背光模组主要包括诸如玻璃基板的第一基板1，以及设置在第一基板1两侧的LED芯片2和封装层12以及量子点膜层14、增亮膜层15和扩散膜层16。其中，第一基板1的厚度为约0.5mm，LED芯片2和封装层12组合的厚度为约0.2mm，量子点膜层14的厚度为约0.2mm，增亮膜层15的厚度为约0.13mm，扩散膜层16的厚度为约0.1mm。这样，背光模组的整体厚度为约1.13mm。由此可见，背光模组的整体厚度得以显著减小。

图9是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组的结构示意图，例如，该图9可以是所述背光模组沿图1中的线C-C’截取的截面图。参照图9，所述背光模组可以包括第一基板1和设置于所述第一基板1的LED芯片阵列。

可选地，所述LED芯片阵列可以包括多个Mini LED芯片2。在图9所示的实施例中，Mini LED芯片2可以是倒装芯片。

所述背光模组的光控结构6是由走线形成的。例如，所述光控结构6可以参照图6C，上文针对图6C的描述都可以结合于此处。

图10是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组包括的由走线形成的光控结构的局部平面图。图11是图10中所示的光控结构的局部放大图，其中示意性示出了回字形结构。

结合参照图6C和图9-图11，在各个LED芯片2的出光侧设置有多条走线7，多条走线7间隔设置。由于走线由不透光材料形成，所以走线7位于各个光控区域中的部分可以形成光控结构的反光部62，走线7之间的间隙形成所述光控结构的透光部61。

具体地，所述背光模组可以包括：设置在第一基板1上的缓冲层3；设置在缓冲层3远离第一基板1一侧的第一反射层20；设置在第一反射层20远离第一基板1一侧的第一导电层5，所述第一导电层5中设置有多条走线7；设置在第一基板1上的第一覆盖层21，第一覆盖层21填充在多条走线7之间并且覆盖第一导电层5的一部分；设置在第一导电层5远离第一基板1一侧的第二导电层9，所述第二导电层9中设置有多条走线7；设置在第二导电层9远离第一基板1一侧的保护层22；设置在保护层22远离第一基板1一侧的第一钝化层23；设置在第一钝化层23远离第一基板1一侧的第二覆盖层24；设置在第二覆盖层24远离第一基板1一侧的第二反射层25；设置在第二导电层9远离第一基板1一侧的LED芯片2；设置在第一基板1上的封装层12；以及设置在封装层12远离第一基板1一侧的反射结构13。可选地，在第一反射层20与第一导电层5之间还可以设置有第二钝化层26。

例如，所述走线可以包括由导电材料形成的走线，所述导电材料通常为不透光材料，例如Cu等金属导电材料。这些走线7可以电连接至各个LED芯片2的电极，用于给各个LED芯片2提供电信号。

例如，位于第一导电层5中的各条走线7可以沿第一方向X延伸，位于第二导电层9中的各条走线7可以沿第二方向Y延伸。为了描述方便，将沿第一方向X延伸的走线称为第一走线71，将沿第二方向Y延伸的走线7称为第二走线72。这样，第一走线71和第二走线72在XY平面内的投影形成回字形，如图10和图11所示。

例如，第一导电层5的厚度可以大于第二导电层9的厚度。

具体地，参照图10和图11，对于每一个LED芯片2，都形成有多个光控区域。为了描述方便，可以将每一个LED芯片2对应的多个光控区域称为光控区域组。多个LED芯片2与多个光控区域组一一对应。每一个LED芯片2对应的光控区域组包括4个光控区域A1、A2、A3和A4。但是，本公开的实施例不局限于此，例如，每一个LED芯片2对应的光控区域组包括2个光控区域、3个光控区域、5个光控区域或更多个光控区域。例如，第一光控区域A1在第一基板1上的正投影可以呈正方形，第二光控区域A2、第三光控区域A3和第四光控区域A4中的每一个在第一基板1上的正投影可以呈正方环形。

同样地，在每一个光控区域组中，第一光控区域A1在第一基板1上的正投影可以覆盖与该光控区域组对应的LED芯片2在第一基板1上的正投影。第一光控区域A1在第一基板1上的正投影的面积可以大于与该光控区域组对应的LED芯片2在第一基板1上的正投影的面积。第二光控区域A2在第一基板1上的正投影可以包围第一光控区域A1在第一基板1上的正投影。第三光控区域A3在第一基板1上的正投影可以包围第二光控区域A2在第一基板1上的正投影。第四光控区域A4在第一基板1上的正投影可以包围第三光控区域A3在第一基板1上的距投影。

为了描述方便，将所述光控结构6位于第一光控区域A1中的部分称为第一光控子结构6A，将所述光控结构6位于第二光控区域A2中的部分称为第二光控子结构6B，将所述光控结构6位于第三光控区域A3中的部分称为第三光控子结构6C，将所述光控结构6位于第四光控区域A4中的部分称为第四光控子结构6D。

相应地，位于每一个光控区域组中的多个光控子结构可以称为一个光控子结构组。在上述示例性的实施例中，每一个光控子结构组可以包括第一光控子结构6A、第二光控子结构6B、第三光控子结构6C和第四光控子结构6D。

在本公开的实施例中，在同一个光控子结构组中，各个光控子结构中透光部61(即各条走线7之间的间隙)的占比不同，相应地，各个光控子结构中反光部62(即走线7位于各个光控区域中的部分)的占比也不同。这样，可以实现各个光控区域具有不同的光透光率和光反射率。

在图9-图11所示的示例性的实施例中，在同一个光控子结构组中，第一光控子结构6A、第二光控子结构6B、第三光控子结构6C和第四光控子结构6D中透光部61的占比彼此不同，相应地，第一光控子结构6A、第二光控子结构6B、第三光控子结构6C和第四光控子结构6D中反光部62的占比也彼此不同。

例如，第一光控子结构6A中透光部61的占比可以在22％左右；第二光控子结构6B中透光部61的占比可以在29％左右；第三光控子结构6C中透光部61的占比可以在27％左右；第四光控子结构6D中透光部61的占比可以在28％左右。

如上所述，由于各个光控区域的光透光率不同，所以，各个光控区域中的走线的尺寸应该不同。例如，为了便于加工，位于各个光控区域中的走线的线宽可以相同。此时，可以设计各个光控区域中的走线间距不同，以在不同的光控区域中实现不同的光透射率。

具体地，在示例性的实施例中，第一光控区域A1中的走线间距可以最小，第二光控区域A2中的走线间距最大，第三光控区域A3和第四光控区域A4中的走线间距位于第一光控区域A1中的走线间距与第二光控区域A2中的走线间距之间。

还需要说明的是，在一些可选的实施例中，延伸通过各个光控区域的走线的线宽也可以不同。例如，可以将延伸通过第一光控区域A1的走线的线宽设置得较大，以在第一光控区域A1中实现较大的光反射率；将延伸通过第二光控区域A2的走线的线宽设置得较小，以在第二光控区域A2中实现较小的光反射率，即，延伸通过第一光控区域A1的走线的线宽可以大于延伸通过第二光控区域A2的走线的线宽。

在第一光控区域A1中，走线7设置得较密；在第二光控区域A2中，走线7设置得较稀疏；在第三光控区域A3和第四光控区域A4中，走线7的稀疏程度处于第一光控区域A1与第二光控区域A2之间。

可选地，在每一个光控区域中，走线周期可以在2～100微米的范围内。此处的走线周期可以等于一条走线的宽度与两条相邻的走线之间的间距之和。当该走线周期小于2微米时，受限于构图工艺所使用的掩模板的分辨率，会增大加工的难度。当该走线周期大于100微米时，会导致各条走线在人眼视觉上可见，降低显示质量。

通过这样的设置方式，可以在各个光控区域实现不同的光透光率和光反射率，从而提高背光模组在各个光控区域的均一性。

需要说明的是，在本公开的实施例中，为了匹配各个光控区域中的透光率，各个光控区域中的部分走线可以设计成不传输电信号的走线，即，这部分走线主要起到光控作用。

继续参照图9，LED芯片2是倒装芯片，其向下发光。即，LED芯片2的出射光向下发射，被反射结构13反射后朝向上侧出射。

第二反射层25在第一基板1上的正投影与第一走线71在第一基板1上的正投影至少部分重叠，第二反射层25在第一基板1上的正投影与第二走线72在第一基板1上的正投影至少部分重叠。第二反射层25在第一基板1上的距投影呈环形。例如，与多条走线一样，第二反射层25在第一基板1上的正投影也可以呈回字形。

这样，如图9所示，经反射结构13反射的部分光入射到第二反射层25上之后，再依次经过第二反射层25和反射结构13的反射后射出，通过这样的方式，可以增加LED芯片2出射光的混光距离，有利于更好地混光。另外，第二反射层25位于各条走线7的下方，可以避免大量的出射光直接照射到走线7上，从而可以减少铜走线对出射光的吸收量，有利于提高光效。

通过设置反射结构13和第二反射层25，可以将LED芯片2的部分出射光转换成大角度的光，使得部分出射光能够入射到第一光控区域A1之外的光控区域，即，它们可以起到与上述光扩散结构8类似的作用。这样，它们与由走线形成的光控结构配合，可以提高显示模组出射光的均一性，提高整体光效。

第一反射层20设置在第一导电层5与衬底基板1之间。第一反射层20在第一基板1上的正投影与第一走线71在第一基板1上的正投影至少部分重叠，例如，第一反射层20在第一基板1上的正投影覆盖第一走线71在第一基板1上的正投影。第一反射层20在第一基板1上的正投影与第二走线72在第一基板1上的正投影至少部分重叠，例如，第一反射层20在第一基板1上的正投影还覆盖第二走线72在第一基板1上的正投影。第一反射层20在第一基板1上的正投影呈环形。例如，与多条走线一样，第一反射层20在第一基板1上的正投影也可以呈回字形。

例如，在第一基板1远离缓冲层3的一侧还设置有量子点膜层14。光入射到量子点膜层14上后，会产生散射，这时，有部分光被量子点膜层14反射回来。通过设置所述第一反射层20，可以将这部分光朝出光侧反射，避免这部分光入射到铜走线上而被部分吸收，从而提高背光模组的整体光效。

参照图9，第一反射层20与第一导电层5之间设置有第二钝化层26。在制造过程中，该第二钝化层26可以保护第一反射层20。可选地，该第二钝化层6也可以省略，即，第一反射层20与第一导电层5可以接触，这样，可以降低各条走线的传输电阻，减小IR Drop的问题。

保护层20覆盖位于第二导电层9位于绑定区BDA的部分。如图9所示，一些走线72位于绑定区BDA中，这些走线72远离第一基板1的表面需要暴露出来，以便于与外部电路进行电连接。在图9的实施例中，使用保护层20覆盖这些走线72暴露的表面，以避免这些铜走线被氧化。例如，保护层20可以由ITO等导电材料构成。

第一钝化层23覆盖第二导电层9的至少一部分。如图9所示，第一钝化层23中设置有开口231，以暴露保护层20远离第一基板1的表面，便于该保护层20与外部电路进行电连接。

可选地，继续参照图9，所述背光模组还可以包括量子点膜层14，即，所述背光模组采用LED和量子点的组合结构。量子点膜层14和LED芯片2分别设置在第一基板1的相反两侧。具体地，量子点膜层14设置在光控结构6远离第一基板1的一侧。

可选地，所述背光模组还可以包括增亮膜层15和扩散膜层16。增亮膜层15设置在量子点膜层14远离第一基板1的一侧，扩散膜层16设置在增亮膜层15远离第一基板1的一侧。

需要说明的是，图9中所示的背光模组的一些其他结构可以参照上文针对图7的描述，在此不再赘述。

还需要说明的是，图9中所示的背光模组具有与上述各个实施例中描述的相同的优点和效果，关于这些优点和效果，可以参照上文的描述。

图12是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组的结构示意图，例如，该图9可以是所述背光模组沿图1中的线C-C’截取的截面图。需要说明的是，图12所示的实施例的主要结构与图9中所示的相同，下面将主要描述二者的不同之处，相同之处可以参照上文的描述。二者的不同之处主要在于反射结构。图13是图12中所示的背光模组包括的反射结构的局部放大图。

结合参照图12和图13，反射结构13包括多个透镜130。多个透镜130可以成阵列地布置在第一基板1上。每一个透镜130沿远离第一基板1的方向凸出。

例如，每一个透镜130可以由有机树脂构成。

透镜130凸出的面为弧面，该弧面可以是一个圆形的至少一部分。如图13所示，示意性示出了一个以LO为圆心的虚线圆，该弧面是该虚线圆的一部分。该圆形的直径可以用LD表示。

反射结构13的周期值LP可以用相邻的两个透镜130之间的中心距表示，即，图13中所示的两个圆心LO之间的距离。

发明人经研究发现，当所述直径LD在所述周期值LP的2倍以上时，所述反射结构13可以对入射到其上的光产生较好的散射效果。此时，结合上述的光控结构6，可以进一步提高背光模组出射光的均一性，有利于提高整体光效。

图14是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组的结构示意图，例如，该图14可以是所述背光模组沿图1中的线C-C’截取的截面图。需要说明的是，图14所示的实施例的主要结构与图9和图12中所示的相同，下面将主要描述不同之处，相同之处可以参照上文的描述。

参照图14，所述背光模组可以包括：设置在第一基板1上的缓冲层3；设置在缓冲层3远离第一基板1一侧的第一反射层20；设置在第一反射层20远离第一基板1一侧的第一导电层5，所述第一导电层5中设置有多条走线7；设置在第一基板1上的第一覆盖层21，第一覆盖层21填充在多条走线7之间并且覆盖第一导电层5的一部分；设置在第一导电层5远离第一基板1一侧的第二导电层9，所述第二导电层9中设置有多条走线7；设置在第二导电层9远离第一基板1一侧的保护层22；设置在保护层22远离第一基板1一侧的第一钝化层23；设置在第一钝化层23远离第一基板1一侧的第二覆盖层24；设置在第二覆盖层24远离第一基板1一侧的第二反射层25；设置在第二导电层9远离第一基板1一侧的LED芯片2；以及设置在第一基板1上的封装层12。可选地，在第一反射层20与第一导电层5之间还可以设置有第二钝化层26。

所述背光模组还包括反射结构13，所述反射结构13设置在第一基板1远离LED芯片2的一侧。即发射结构13与第一基板1上的其他结构分别位于第一基板1的相反侧。

在该实施例中，LED芯片2向下发光。即，LED芯片2的出射光向下发射，被反射结构13反射后朝向上侧出射。

例如，所述反射结构13可以是图9中所示的反射结构，也可以是图12和图13中所示的反射结构。

图15是根据本公开的一些示例性实施例的背光模组的结构示意图，例如，该图15可以是所述背光模组沿图1中的线B-B’截取的截面图。需要说明的是，图15所示的实施例的主要结构与图7中所示的相同，下面将主要描述不同之处，相同之处可以参照上文的描述。

参照图15，所述反射结构13可以具有凹槽部135。所述凹槽部135在第一基板1上的正投影与LED芯片2在第一基板1上的正投影至少部分重叠，例如，所述凹槽部135在第一基板1上的正投影落入LED芯片2在第一基板1上的正投影内。

反射结构13设置在LED芯片2远离第一基板1的一侧，凹槽部135沿朝向LED芯片2的方向凹入。例如，凹槽部135形成为类似金字塔形状的棱锥结构。

如图15所示，LED芯片2出射光入射到凹槽部135上，经凹槽部135的反射，以较大角度朝出光侧射出，即，该凹槽部135可以起到散射光线的作用。

需要说明的是，在图15中，示出一个凹槽部135，但是，本公开不局限于此，在其他实施例中，反射结构13可以包括多个凹槽部。

应该理解，在不冲突的情况下，上述各个实施例描述的结构可以相互组合。例如，图12至图14所示的结构也可以应用于图7所示的实施例中，图15所示的结构也可以应用于图9所示的实施例中。具体地，在图7中，LED芯片朝上发光，在LED芯片的出光侧设置的光控结构由单独的光控层形成，并且在LED芯片与单独的光控层之间设置有光扩散结构；在图9中，LED芯片为倒装芯片且朝下发光，所述光控结构由呈回字形布置的多条走线形成，并且配合多个反射结构；在图12中，与图9类似，LED芯片为倒装芯片且朝下发光，所述光控结构由呈回字形布置的多条走线形成，并且配合多个反射结构，并且一个反射结构包括多个透镜；在图14中，LED芯片为正装芯片且朝下发光，所述光控结构由呈回字形布置的多条走线形成，并且配合多个反射结构，并且一个反射结构包括多个透镜；在图15中，LED芯片为倒装芯片且朝下发光，所述光控结构由呈回字形布置的多条走线形成，并且配合多个反射结构，并且一个反射结构包括凹槽部。本公开不局限于上述实施例，在不冲突的情况下，这些实施例中的结构可以互相替换或组合。例如，朝上发光的LED芯片可以与由呈回字形布置的多条走线形成的光控结构组合，光扩散结构也可以应用于由呈回字形布置的多条走线形成的光控结构的实施例中，图9、图12、图14和图15中的反射结构也可以应用于图7的实施例中。再例如，在一些实施例中，所述背光模组可以同时包括由单独的光控层形成的光控结构(图7)和由呈回字形布置的多条走线形成的光控结构(图12)。

图16是根据本公开的一些示例性实施例的用于制造图7所示的背光模组的方法的流程图。结合参照图7和图16，可以按照如下步骤执行所述方法。

在步骤S161中，在诸如玻璃基板的第一基板1上制作光控微结构，例如，制作多个反光部62。

具体地，该反光部62可以采用金属Ag、Al、AlNd等单一金属或者ITO/Ag/ITO等复合金属形成。可以在第一基板1上沉积一层金属材料层，然后通过构图工艺形成多个反光部62。

在步骤S162中，在第一基板1上形成透光材料层。该透光材料层可以填充在每两个相邻的反光部62之间，可选地，透光材料层还可以覆盖反光部62。填充在每两个相邻的反光部62之间的透光材料形成所述透光部61。

例如，所述透光材料层可以采用氮化硅或氧化硅等无机材料、或有机聚合物形成，其厚度可以在1000～3000埃的范围内。

在步骤S163中，翻转第一基板1，在第一基板1的相反的一侧上形成缓冲层3。该缓冲层3可以用于调整应力，保证第一基板1的表面平坦度。

在步骤S164中，在缓冲层3远离第一基板1的一侧制作光扩散结构8。

具体地，可以采用诸如透明树脂的透明有机材料来制作该光扩散结构8。通过光的邻近效应，将透明有机材料制备成棱柱结构。棱柱结构的数量可以是单个也可以是多个。

在步骤S165中，在第一基板1上制备第一平坦化层4。

例如，可以用透明有机物流平来形成所述第一平坦化层4，该第一平坦化层4覆盖光扩散结构8。第一平坦化层4的材料的折射率大于光扩散结构8的材料的折射率。例如，第一平坦化层4的材料的折射率可以为约1.55～1.65，光扩散结构8的材料的折射率可以为约1.2。

在步骤S166中，在第一平坦化层4远离第一基板1的一侧形成第一导电层5。

例如，第一导电层5可以采用Cu金属通过溅射工艺或电镀工艺形成，第一导电层的厚度可以在2～10um的范围内。然后通过构图工艺，对其进行图案化，以形成多条走线。

可选地，在形成上述走线后，可以形成覆盖层11。例如，该覆盖层11可以采用厚为约100纳米的氮化硅，然后采用树脂填充和固化。可选地，可以采用低温有机材料直接填充。

在步骤S167中，在第一导电层5远离第一基板1的一侧形成第二导电层9。

例如，第二导电层9可以采用Cu金属通过溅射工艺或电镀工艺形成，第二导电层的厚度可以小于第一导电层的厚度。然后通过构图工艺，对其进行图案化，以形成多条走线。

在步骤S168中，将LED芯片2键合于第一基板1上。

例如，可以通过打件工艺将LED芯片2键合于第一基板1上，使LED芯片2的各个电极与第一基板1上的各条走线电连接。

在步骤S169中，在第一基板1上形成覆盖LED芯片2的封装层12。

例如，可以将封装胶涂覆在LED芯片2远离第一基板1一侧，干燥后形成所述封装层12。所述封装胶可以包括透明的光固化或热固化树脂，例如硅胶等。

在步骤S170中，在封装层12远离第一基板1的一侧形成反射结构13。

例如，该反射结构13可以采用ITO/Ag/ITO的叠层结构，也可以采用市购的反射膜片。

在步骤S171中，翻转第一基板1，依次贴合量子点膜层14、增亮膜层15和扩散膜层16。

图17是根据本公开的一些示例性实施例的用于制造图9所示的背光模组的方法的流程图。结合参照图9和图17，可以按照如下步骤执行所述方法。

在步骤S1711中，在第一基板1上形成缓冲层3。该缓冲层3可以用于调整应力，保证第一基板1的表面平坦度。

在步骤S1712中，在缓冲层3远离第一基板1的一侧形成第一反射层20。

例如，第一反射层20可以采用金属Ag、Al、AlNd(钕化铝)等单一金属或者ITO/Ag/ITO等复合金属形成。可以在第一基板1上沉积一层金属材料层，然后通过构图工艺形成第一反射层20。

可选地，可以在第一反射层20远离第一基板1的一侧形成第二钝化层26。例如，第二钝化层26可以采用例如氮化硅或氧化硅等的无机材料或有机聚合物材料形成，其厚度为1000～3000埃。

在步骤S173中，在第一反射层20远离第一基板1的一侧形成第一导电层5。

例如，第一导电层5可以采用Cu金属通过溅射工艺或电镀工艺形成，第一导电层的厚度可以在2～10um的范围内。然后通过构图工艺，对其进行图案化，以形成多条走线。

可选地，在形成上述走线后，可以形成第一覆盖层21。例如，该第一覆盖层21可以采用厚为约100纳米的氮化硅，然后采用树脂填充和固化。可选地，可以采用低温有机材料直接填充。

在步骤S174中，在第一导电层5远离第一基板1的一侧形成第二导电层9。

例如，第二导电层9可以采用Cu金属通过溅射工艺或电镀工艺形成，第二导电层的厚度可以小于第一导电层的厚度，例如在0.5～1微米的范围内。然后通过构图工艺，对其进行图案化，以形成多条走线。

在步骤S175中，在第二导电层9远离第一基板1的一侧形成保护层22。

例如，该保护层22可以由ITO等导电材料形成，厚度为500～1500埃。

在步骤S176中，在保护层22远离第一基板1的一侧依次形成第一钝化层23和第二覆盖层24。

第一钝化层23可以由氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等材料形成，厚度在1000～3000埃的范围内。

第二覆盖层24可以采用有机材料直接流平，可选的材料包树脂、聚酰亚胺系材料、丙烯酸系材料。为了防止铜被氧化，可以采用低温制程工艺，例如温度小于150℃。

在步骤S177中，在第二覆盖层24远离第一基板1的一侧形成第二反射层25。

在步骤S178中，将LED芯片2键合于第一基板1上。

例如，可以通过打件工艺将LED芯片2键合于第一基板1上，使LED芯片2的各个电极与第一基板1上的各条走线电连接。

在步骤S179中，在第一基板1上形成覆盖LED芯片2的封装层12。

例如，可以将封装胶涂覆在LED芯片2远离第一基板1一侧，干燥后形成所述封装层12。所述封装胶可以包括透明的光固化或热固化树脂，例如硅胶等。

在步骤S180中，在封装层12远离第一基板1的一侧形成反射结构13。

例如，该反射结构13可以采用ITO/Ag/ITO的叠层结构，也可以采用市购的反射膜片。

在步骤S181中，翻转第一基板1，依次贴合量子点膜层14、增亮膜层15和扩散膜层16。

在本公开实施例的方法中，除了具备上述各个实施例的优点和效果之外，它还减少了第一基板1的翻转次数，有利于实现大尺寸产品的制造工艺。

需要说明的是，上述制造方法的一些步骤可以单独执行或组合执行，以及可以并行执行或顺序执行，并不局限于图中所示的具体操作顺序。

本公开的一些示例性实施例还提供一种显示装置。图18是根据本公开的一些示例性实施例的显示装置的示意图。参照图18，所述显示装置包括上述的背光模组。

该显示装置可以为任何具有显示功能的产品或部件。例如，所述显示装置可以是智能电话、便携式电话、导航设备、电视机(TV)、车载音响本体、膝上型电脑、平板电脑、便携式多媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)等等。

应该理解，根据本公开的一些示例性实施例的显示装置具有上述背光模组的所有特点和优点，这些特点和优点可以参照上文针对发光基板的描述，在此不再赘述。

如这里所使用的，术语“基本上”、“大约”、“近似”和其它类似的术语用作近似的术语而不是用作程度的术语，并且它们意图解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值的固有偏差。考虑到工艺波动、测量问题和与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)等因素，如这里所使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值，并表示对于本领域普通技术人员所确定的特定值在可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±10％或±5％内。

虽然根据本公开的总体发明构思的一些实施例已被图示和说明，本领域普通技术人员将理解，在不背离本公开的总体发明构思的原则和精神的情况下，可对这些实施例做出改变，本公开的范围以权利要求和它们的等同物限定。

Claims (19)

1.一种背光模组，包括：

第一基板；

设置于所述第一基板的多个发光二极管芯片，所述多个发光二极管芯片沿第一方向和第二方向成阵列地布置在所述第一基板上；和

设置于所述第一基板的光控结构，所述光控结构被配置为：接收所述发光二极管芯片的出射光，并控制从所述光控结构射出的光的光通量分布，

其中，所述背光模组包括多个光控区域组，多个光控区域组与多个发光二极管芯片分别一一对应，每一个光控区域组至少包括第一光控区域和第二光控区域，每一个光控区域组的第一光控区域在所述第一基板上的正投影覆盖与该光控区域组对应的发光二极管芯片在所述第一基板上的正投影，每一个光控区域组的第二光控区域在所述第一基板上的正投影包围该光控区域组的第一光控区域在所述第一基板上的正投影；

所述光控结构包括多个光控子结构组，多个光控子结构组分别位于多个光控区域组中，每一个光控子结构组至少包括第一光控子结构和第二光控子结构；以及

每一个所述光控子结构均包括多个透光部和多个反光部，所述第一光控子结构中透光部的占比与所述第二光控子结构中透光部的占比不同，

设置于所述第一基板的第一导电层，所述第一导电层包括多条第一走线；

设置于所述第一导电层远离所述第一基板一侧的第二导电层，所述第二导电层包括多条第二走线；和

设置于所述第一基板的第一覆盖层，所述第一覆盖层由透光材料形成，所述第一覆盖层至少填充于所述多条第一走线之间的间隙，

其中，所述光控结构的多个反光部包括所述多条第一走线和所述多条第二走线，所述光控结构的多个透光部包括所述第一覆盖层的位于所述多条第一走线之间的间隙中的部分，

其中，所述第一基板包括第一侧和与所述第一侧相反的第二侧，所述多个发光二极管芯片和所述光控结构均位于所述第一基板的第一侧；

所述背光模组还包括设置于所述第一基板的第一反射层，所述第一反射层设置在所述第一导电层与所述第一基板之间；

所述第一反射层在所述第一基板上的正投影覆盖所述第一走线在所述第一基板上的正投影，并且，所述第一反射层在所述第一基板上的正投影还覆盖所述第二走线在所述第一基板上的正投影。

2.根据权利要求1所述的背光模组，其中，所述第一光控子结构位于所述第一光控区域，所述第二光控子结构位于所述第二光控区域，所述第一光控子结构中透光部的占比小于所述第二光控子结构中透光部的占比。

3.根据权利要求1或2所述的背光模组，其中，所述光控结构的多个透光部和多个反光部交替地布置。

4.根据权利要求3所述的背光模组，其中，所述光控结构包括由反光材料形成的反光层和形成在所述反光层中的多个镂空部，所述多个镂空部构成所述多个透光部，所述反光层位于每两个相邻的镂空部之间的部分构成所述多个反光部；或者，

所述光控结构的多个反光部沿所述第一方向和所述第二方向成阵列地布置，所述光控结构包括填充在每两个相邻的反光部之间且覆盖所述多个反光部的透明材料层，所述透明材料层位于每两个相邻的反光部之间的部分构成所述多个透光部。

5.根据权利要求1所述的背光模组，其中，所述第一走线沿所述第一方向延伸，所述第二走线沿所述第二方向延伸，所述多条第一走线和所述多条第二走线的组合在所述第一基板上的正投影呈多个回字形。

6.根据权利要求1～2和5中任一项所述的背光模组，其中，每一个光控区域组还包括第三光控区域，每一个光控区域组的第三光控区域在所述第一基板上的正投影包围该光控区域组的第二光控区域在所述第一基板上的正投影；

每一个光控子结构组还包括第三光控子结构，所述第三光控子结构位于所述第三光控区域；

所述第三光控子结构也包括多个透光部和多个反光部，所述第三光控子结构中透光部的占比、所述第二光控子结构中透光部的占比和所述第一光控子结构中透光部的占比彼此均不同。

7.根据权利要求6所述的背光模组，其中，每一个光控区域组还包括第四光控区域，每一个光控区域组的第四光控区域在所述第一基板上的正投影包围该光控区域组的第三光控区域在所述第一基板上的正投影；

每一个光控子结构组还包括第四光控子结构，所述第四光控子结构位于所述第四光控区域；

所述第四光控子结构也包括多个透光部和多个反光部，所述第四光控子结构中透光部的占比、所述第三光控子结构中透光部的占比、所述第二光控子结构中透光部的占比和所述第一光控子结构中透光部的占比彼此均不同。

8.根据权利要求1或2所述的背光模组，其中，每一个光控区域组包括N个光控区域，其中，N为大于等于2的正整数；

所述N个光控区域至少包括所述第一光控区域和所述第二光控区域，每一个光控区域组的第N个光控区域在所述第一基板上的正投影包围该光控区域组的第N-1个光控区域在所述第一基板上的正投影。

9.根据权利要求1或2所述的背光模组，还包括设置于所述第一基板的多个光扩散结构，

其中，所述多个光扩散结构在所述第一基板上的正投影分别覆盖所述多个发光二极管芯片在所述第一基板上的正投影，所述光扩散结构用于扩散所述发光二极管芯片的出射光。

10.根据权利要求9所述的背光模组，其中，每一个所述光扩散结构包括多个三棱镜，每一个三棱镜具有顶角和与该顶角相对的边，所述三棱镜的边位于所述三棱镜靠近所述第一基板的一侧，所述顶角位于所述三棱镜远离所述第一基板的一侧。

11.根据权利要求10所述的背光模组，还包括设置于所述第一基板的第一平坦化层，

其中，所述第一平坦化层覆盖所述多个三棱镜，所述第一平坦化层的材料的折射率大于所述光扩散结构的材料的折射率。

12.根据权利要求9所述的背光模组，其中，所述第一基板包括第一侧和与所述第一侧相反的第二侧，所述多个发光二极管芯片和所述光控结构分别位于所述第一基板的第一侧和第二侧；

所述多个光扩散结构设置在所述第一基板的第一侧，且位于所述第一基板与所述多个发光二极管芯片之间。

13.根据权利要求1所述的背光模组，其中，所述背光模组还包括设置于所述第一基板的保护层，所述保护层位于所述第二导电层远离第一基板的一侧；

设置于所述第一基板的第一钝化层，所述第一钝化层位于所述保护层远离第一基板的一侧；

设置于所述第一基板的第二覆盖层，所述第二覆盖层位于所述第一钝化层远离第一基板的一侧；

设置于所述第一基板的第二反射层，所述第二反射层位于所述第二覆盖层远离所述第一基板的一侧；

所述第二反射层在所述第一基板上的正投影与所述第一走线在所述第一基板上的正投影至少部分重叠，所述第二反射层在所述第一基板上的正投影与所述第二走线在所述第一基板上的正投影至少部分重叠，所述第二反射层在所述第一基板上的正投影呈回字形。

14.根据权利要求13所述的背光模组，还包括封装层和反射结构，

其中，所述封装层设置于所述第一基板且覆盖所述多个发光二极管芯片，所述反射结构位于所述封装层远离所述第一基板的一侧，所述反射结构在所述第一基板上的正投影至少覆盖所述多个发光二极管芯片在所述第一基板上的正投影。

15.根据权利要求14所述的背光模组，其中，所述反射结构包括多个透镜，所述多个透镜成阵列地布置在所述第一基板上，每一个所述透镜沿远离所述第一基板的方向凸出。

16.根据权利要求14所述的背光模组，其中，所述反射结构包括凹槽部，所述凹槽部在所述第一基板上的正投影与所述多个发光二极管芯片在所述第一基板上的正投影至少部分重叠，所述凹槽部沿朝向所述发光二极管芯片的方向凹入。

17.根据权利要求13所述的背光模组，还包括封装层和反射结构，

其中，所述封装层设置于所述第一基板且覆盖所述多个发光二极管芯片，所述反射结构位于所述第一基板的第二侧，所述反射结构在所述第一基板上的正投影至少覆盖所述多个发光二极管芯片在所述第一基板上的正投影。

18.一种显示装置，包括权利要求1至17中任一项所述的背光模组。

19.一种背光模组的设计方法，包括以下步骤：

获取发光二极管芯片的参数，所述参数至少包括发光二极管芯片的尺寸以及发光二极管芯片出射光的光通量和发光角度；

确定所述发光二极管芯片出射光的反射次数的上限值；

根据发光二极管芯片的参数、第一基板的厚度以及确定出的反射次数的上限值确定各个光控区域以及发光二极管芯片阵列的周期值，所述发光二极管芯片阵列的周期值为两个相邻的发光二极管芯片的中心距；

确定各个光控区域的光透过率和光反射率；以及

根据确定出的各个光控区域的光透过率，设计各个光控区域中的光控结构。

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