TW201502297A - 遮罩及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種遮罩及遮罩之製造方法。 依據本發明之一態樣，本發明之特徵在其為一種遮罩之製造方法，其特徵在於包含以下步驟：於基板上形成絕緣性圖案層之步驟；於形成有前述絕緣性圖案層之基板上，藉鍍覆程序而形成金屬鍍膜之步驟；及，分離前述金屬鍍膜與形成有前述絕緣性圖案層之基板之步驟。

Description

遮罩及其製造方法 技術領域
本發明有關於一種遮罩及遮罩之製造方法。更詳而言之，係有關於一種可提昇有機電場發光部之均勻度之遮罩及遮罩之製造方法。
背景技術
電場發光元件可發出多種色光，且易於薄膜化及形成圖案，直流驅動電壓較低及發光效率較高，而為平板顯示元件中研究極為盛行之技術範疇之一。
尤其，有機電場發光元件(OLED)與習知之薄膜電晶體液晶顯示裝置(TFT-LCD)不同，不需要其它光源，故可減少元件之體積及重量，而具備可以較電漿顯示裝置(PDP)更低之電壓進行驅動之優點，並為可預期今後將普及使用之顯示元件。
為於基板上形成有機電場發光元件，可採用於基板上使用遮罩而蒸鍍有機物之方法。即，可經用於噴射有機物之噴嘴朝基板噴射有機物，但僅對用於形成有機電場發光元件之部分蒸鍍有機物，而於噴嘴與基板間配置遮 罩。
圖7顯示使用習知之遮罩而形成有機電場發光元件。參照圖7，可自噴嘴50'噴射有機物，但遮罩3位在噴嘴50'與元件形成板10'之間。遮罩3對應元件形成板10'上形成之有機電場發光元件20'之圖案而形成開口3'。開口3'則朝與遮罩3之面垂直之方向而形成。通常，噴嘴50'之面積大於開口3'之面積，故如圖7所示，形成可供自噴嘴50'呈放射狀噴射之有機物通過開口3'之路徑(參照虛線)。即，圖7上，可供自噴嘴50'之左側端部噴射之有機物通過開口3'之左側端部之路徑相當於a2，可供自噴嘴50'之右側端側噴射之有機物通過開口3'之左側端部之路徑相當於b2。若均一地噴射有機物而使其通過噴嘴50'之噴射口之總面積，有機物將通過開口3'而使元件形成板10'上形成之有機電場發光元件20'之中間部分厚度均一，但遠離中間部分則有機電場發光元件20'之厚度將逐漸減薄。上述現象稱為陰影效應(shadow effect)，但圖7中，ρ1代表有機電場發光元件20'之厚度因陰影效應而不固定之部分之寬度。
使用習知之遮罩而形成有機電場發光元件時，伴隨有機電場發光元件之厚度因陰影效應而不固定之部分之面積增大，而將發生有機電場發光元件之品質及功能降低之問題。
發明概要
本發明目的在提供一種可提昇有機電場發光部之均勻度之遮罩及遮罩之製造方法。
且，本發明目的在提供一種可輕易形成遮罩之遮罩之製造方法。
為達成上述目的，本發明之代表構造如下。
依據本發明之一態樣，本發明之特徵在其係一種遮罩之製造方法，其特徵在於包含以下步驟：於基板上形成絕緣性圖案層之步驟；於形成有前述絕緣性圖案層之基板上，藉鍍覆程序而形成金屬鍍膜之步驟；及，分離前述金屬鍍膜與形成有前述絕緣性圖案層之基板之步驟。
依據本發明之另一態樣，本發明之特徵在其係一種遮罩，其特徵在於設有複數開口，前述複數開口個別之垂直截面則為台形形狀。
此外，進而可提供用於實現本發明之其它構造。
依據本發明，可提供可提昇有機電場發光部之均勻度之遮罩及遮罩之製造方法。
且，可提供可輕易形成遮罩之遮罩之製造方法。
3‧‧‧遮罩
10‧‧‧元件形成板
10'‧‧‧元件形成板
20‧‧‧有機電場發光元件
20'‧‧‧有機電場發光元件
50‧‧‧噴嘴
50'‧‧‧噴嘴
100‧‧‧基板
200‧‧‧絕緣性圖案層
200a‧‧‧上部
200b‧‧‧下部
300‧‧‧金屬鍍膜、遮罩
310‧‧‧開口
310a‧‧‧上部
310b‧‧‧下部
a1‧‧‧路徑
a2‧‧‧路徑
b1‧‧‧路徑
b2‧‧‧路徑
ρ1‧‧‧寬度
ρ2‧‧‧寬度
圖1顯示本發明一實施形態之遮罩之製造方法。
圖2A顯示本發明一實施形態之遮罩之製造方法。
圖2B顯示本發明一實施形態之遮罩之製造方 法。
圖3顯示本發明一實施形態之遮罩之製造方法。
圖4顯示本發明一實施形態之遮罩之製造方法。
圖5顯示本發明一實施形態之遮罩。
圖6顯示使用本發明一實施形態之遮罩而形成有機電場發光元件。
圖7顯示使用習知之遮罩而形成有機電場發光元件。
用以實施發明之形態
有關後述之本發明之詳細說明，將參照以可實施本發明之特定之實施形態為例而加以顯示之附圖。並將充分地詳細說明該等實施形態以令本技術範疇之從業人士得以實施本發明。本發明之各種實施形態雖互異，但須理解為無需彼此排斥。舉例言之，其中所揭露之特定形狀、構造及特性涉及一實施形態，在未脫離本發明之主旨及範圍之限度內，可藉其它實施形態加以實現。且，須理解分別揭示之實施形態之個別組件之位置或配置可在未脫離本發明之主旨及範圍之限度內加以變更。因此，應理解後述之詳細說明並非意在限定，本發明之範圍在經適當說明後，僅由與該等請求項所主張者均等之全部範圍以及後附之請求項所限定。圖示中，類似之參照標號在各方面均代表同一或類似之功能，長度及面積、厚度等及其形態亦可能為求方便而予以誇大顯示。
以下，即就本發明之各種較佳實施形態參照附圖加以詳細說明，以令具有本發明所屬之技術範疇之通常知識者得以輕易實施本發明。
[本發明之較佳實施形態]
圖1乃至圖4顯示本發明一實施形態之遮罩之製造方法。
參照圖1，為形成遮罩，可準備基板100。基板100亦可為金屬等之傳導性基板，或為玻璃等之絕緣性基板。基板100為傳導性基板時，其本身雖可使用於後續之程序，但基板100為絕緣性基板時，則須於其上形成其它傳導層(未圖示)。此則因後續程序中為形成遮罩而採用鍍覆方式，故基板100之至少局部須具備傳導性之故。形成其它傳導層(未圖示)時，可利用濺鍍(sputtering)程序等之蒸鍍程序等。
參照圖2A，可於基板100上使用絕緣性材質而形成絕緣性圖案層200。如圖2A所示，絕緣性圖案層200之截面形狀可為上部200a較下部200b更窄之台形。為將絕緣性圖案層200之截面形狀形成台形，則可利用光刻(photolithography)程序，或採用就PMMA(polymethyl metacrylate)進行微細圖案形成之方法等。更具體說明光刻程序，則可於基板100上塗布光阻劑(photo resist)後，調整光刻程序中所使用之曝光能量而使光阻劑中殘餘之部分之側面傾斜，以形成絕緣性圖案層200。更具體說明就PMMA進行微細圖案形成之方法，則可於基板100上塗布PMMA後，再藉壓印(imprinting)程序使PMMA中之殘餘部分之側面傾 斜，而形成絕緣性圖案層200。可對應絕緣性圖案層200之形狀而決定後述之金屬鍍膜內形成之開口之形狀。
圖2B顯示圖2A之基板100上形成有絕緣性圖案層200之狀態。
參照圖3，可於形成有絕緣性圖案層200之基板上形成金屬鍍膜300。為形成金屬鍍膜300，可利用電鍍程序。金屬鍍膜300之材質可為含有不變鋼(invar、Ni36%-Fe64%之合金)之鐵-鎳合金。因利用電鍍程序而形成金屬鍍膜300，故形成有絕緣性圖案層200之部分上亦可不形成金屬鍍膜。故而，對應形成有絕緣性圖案層200之部分之部分即為金屬鍍膜300之開口。
參照圖4，可自形成有絕緣性圖案層200之基板100分離金屬鍍膜300。如前所述，開口310之垂直截面可為台形形狀，而使對應形成有絕緣性圖案層200之部分之部分為開口310，下部310b之面積則對應絕緣性圖案層200之形狀而大於開口310之上部310a。
圖5顯示本發明之一實施形態之遮罩。藉先前已說明之本發明之一實施形態而形成之金屬鍍膜300即為遮罩。因此，以下，圖示標號300將意指本發明一實施形態之遮罩。
圖6顯示使用本發明一實施形態之遮罩而形成有機電場發光元件20。參照圖6，將自噴嘴50噴射有機物，並使本發明一實施形態之金屬鍍膜300位在噴嘴50與元件形成板10之間。可於元件形成板10之上部面上形成有機電場 發光元件20。金屬鍍膜300上形成有開口310，其可與元件形成板10上形成之有機電場發光元件20之圖案對應。如圖6所示，可形成自噴嘴50呈放射狀噴射之有機物之通過開口310之路徑(參照虛線)。舉例言之，圖6上，自噴嘴50之左側端部噴射之有機物通過310之左側端部之路徑相當為a1，自噴嘴50之右側端部噴射之有機物通過開口310之左側端部之路徑相當為b1。與圖7所示之習知遮罩相較，本發明一實施形態之金屬鍍膜300之開口310側面為傾斜之形狀，故自噴嘴50右側端部噴射之有機物通過開口310左側端部之路徑b1與元件形成板10交會之處，較以往更為接近有機電場發光元件20之中央。即，本發明之一實施形態之金屬鍍膜300可藉陰影效應而使有機電場發光元件20之厚度不固定部分較以往減少。由圖6觀之，僅已就有機電場發光元件20左側之外圍部加以說明如前，但上述說明亦可同樣適用於有機電場發光元件20之其它外圍部。圖6中，ρ2代表藉陰影效應而使有機電場發光元件20之厚度不固定之部分之寬度，與圖7之ρ1相較，可確認其更為狹窄。因此，具有可提昇有機電場發光元件20之品質及功能之效果。
本發明雖已舉出較佳實施形態如上而加以圖示及說明，但不限於上述之實施形態，在未脫離本發明之主旨之範圍內可由具備本發明所屬之技術範疇之通常知識者進行各種變形及變更實施。此類變形例及變更例均包含於本發明及後附之申請專利範圍之範圍內。
300‧‧‧金屬鍍膜
310‧‧‧開口
310a‧‧‧上部
310b‧‧‧下部

Claims (10)

  1. 一種遮罩之製造方法，其特徵在於包含以下步驟：於基板上形成絕緣性圖案層之步驟；於形成有前述絕緣性圖案層之基板上，藉鍍覆程序而形成金屬鍍膜之步驟；及分離前述金屬鍍膜與形成有前述絕緣性圖案層之基板之步驟。
  2. 如請求項1之遮罩之製造方法，其特徵在於前述絕緣性圖案層之垂直截面之形狀為上部較下部更窄之台形。
  3. 如請求項1之遮罩之製造方法，其特徵在於前述金屬鍍膜之材質為鐵-鎳合金。
  4. 如請求項1之遮罩之製造方法，其特徵在於前述基板係傳導性基板。
  5. 如請求項1之遮罩之製造方法，其特徵在於前述基板係於絕緣性基板上形成有傳導性層。
  6. 如請求項1之遮罩之製造方法，其特徵在於前述絕緣性圖案層係藉光刻(photolithography)程序而形成。
  7. 如請求項1之遮罩之製造方法，其特徵在於前述絕緣性圖案層係由已圖案化之PMMA(polymethyl metacrylate，甲基丙烯酸甲酯)所形成。
  8. 一種遮罩，其特徵在於含有複數開口，且前述複數開口個別之垂直截面為台形形狀。
  9. 如請求項8之遮罩，其特徵在於前述遮罩之材質係鐵-鎳 合金。
  10. 一種遮罩，其特徵在於係藉請求項1~7中任一項之遮罩之製造方法而製成。
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