TW201445792A - 有機發光裝置及其製造方法、以及包含其之影像顯示系統 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種有機發光裝置。此有機發光裝置包括一基板，一第一電極與一輔助電極形成於該基板上，其中該第一電極與該輔助電極於該基板投影面上具有一間隙且彼此電性絕緣，且一畫素定義層位於該第一電極與該輔助電極之間；一有機材料層形成於該畫素定義層、該第一電極與該輔助電極上；一第二電極形成於該有機材料層上；以及，一導通元件穿過該有機材料層以電性連接該第二電極與該輔助電極。

Description

有機發光裝置及其製造方法、以及包含其之影像顯示系統

本發明係關於有機發光裝置，更特別關於具有輔助電極的有機發光裝置。

有機電激發光元件係為一種可將電能轉換成光能的光電元件，且具有高轉換效率。其常見的用途為照明光源、或是作為顯示面板等。由於有機電激發光元件具備一些特性，諸如無視角限制、製程簡易、低成本、高應答速度、使用溫度範圍廣泛以及全彩化等，符合多媒體時代下對顯示器特性之要求，近年來已被廣泛的研究。

為符合平面顯示器的需求，近年來有機電激發光元件已經逐漸朝向大尺寸發展，以提供足夠的顯示區域。有機電激發光元件的出光側透明電極通常係以銦錫氧化物(ITO)等透明導電材料來製作，然而此類材料與金屬導電材料相比具有相對高的阻值。所以，當有機電激發光元件的顯示區域越大時，有機電激發光元件陣列越容易發生IR壓降(IR drop)的情形，導致有機電激發光元件產生影像不均勻(image mura)的現像，而嚴重影響有機電 激發光元件的顯示品質(display quality)。

為了改善上述IR壓降的情形，複數條輔助電極(counter electrode)係進一步被設置於主動區域(active area)內，來與出光側透明電極電性連結。在習知技術上，為確保輔助電極與出光側透明電極能夠順利電性連結，在製程中必需要使用高精密金屬遮罩(fine metal mask)來形成有機電激發光元件的有機材料層，才能避免有機材料層覆蓋住輔助電極，導致之後形成的電極無法順利與輔助電極導通。然而，隨著畫素面積越來越小且顯示面積越來越大，在製程中使用高精度金屬遮罩的方式，會造成有機電激發光元件蒸鍍製程的複雜性及成本上升，因畫素尺寸越來越小，高精度金屬遮罩開口難以縮到非常小，且因為開口太小也難以蒸鍍。加上高精度金屬遮罩隨著尺寸越大，高精度金屬遮罩容易因重量的問題而彎曲變形，導致對位偏差的問題發生。因此有需要發展出一個無須使用高精度金屬遮罩但又可以使輔助電極與出光側透明電極順利電性連結的問題。

本發明揭示一種有機發光裝置。此有機發光裝置包括一基板，一第一電極與一輔助電極形成於該基板上，其中該第一電極與該輔助電極於該基板投影面上具有一間隙且彼此電性絕緣，且一畫素定義層位於該第一電極與該輔助電極之間；一有機材料層形成於該畫素定義層、該第一電極與該輔助電極上；一第二電極形成於該有機材料層上；以及，一導通元件穿過該有機材料層以電性連接該第二電極與該輔助電極。

本發明另一實施例提供一種有機發光裝置的製造方 法，包含：形成一第一電極、及一輔助電極於一基板上；形成一畫素定義層於該第一電極及該輔助電極之間；形成一有機材料層於該畫素定義層、該第一電極、與該輔助電極之上；配置一導電膠於該輔助電極之上；對導電膠進行一乾燥製程，得到一導通元件與該輔助電極直接接觸；以及，形成一第二電極於該有機材料層之上，其中該第二電極藉由該導通元件與該輔助電極電性連結。

根據本發明其他實施例，本發明亦提供一種影像顯示系統，包含：一電子裝置。其中，該電子裝置包含：一顯示裝置，其中該顯示裝置包含上述之有機發光裝置；以及，一輸入單元，與該顯示裝置耦接，其中該輸入單元係傳輸一訊號至該顯示裝置以產生影像。

2-2’‧‧‧切線

3‧‧‧基板

4‧‧‧閘極

5‧‧‧閘極絕緣層

6‧‧‧源極

7‧‧‧區域

8‧‧‧汲極

9‧‧‧通道

10‧‧‧有機發光裝置

11‧‧‧主動區

12‧‧‧介電層

13‧‧‧平坦層

14‧‧‧第一電極

16‧‧‧輔助電極

17‧‧‧第一開口

18‧‧‧畫素定義層

19‧‧‧第二開口

20‧‧‧有機材料層

21‧‧‧導電膠

22‧‧‧導通元件

24‧‧‧第二電極

31-36‧‧‧步驟

100‧‧‧顯示裝置

150‧‧‧輸入單元

200‧‧‧電子裝置

H1‧‧‧第二開口深度

H2‧‧‧導通元件高度

W1‧‧‧第二開口寬度

W2‧‧‧導通元件寬度

第1圖係本發明一實施例所述之有機發光裝置製造方法的製程步驟流程圖。

第2圖係顯示根據本發明實施例所述之有機發光裝置之主動區的平面示意圖。

第3-7圖係顯示一系列剖面結構示意圖，用以說明根據本發明實施例所述之有機發光裝置的製造流程。

第8圖係為第7圖區域7的放大示意圖。

第9圖係為一平面示意圖，用以說明本發明一實施例所述之導通元件係為一連續的膜層。

第10及11圖係為平面示意圖，用以說明本發明其他實施例所述之導通元件係由複數個導電島所構成。

第12圖係顯示根據第3-7圖所述之有機發光裝置的製造流程所得之有機發光裝置的剖面結構示意圖。

第13-14圖係顯示一系列剖面結構示意圖，用以說明根據本發明另一實施例所述之有機發光裝置的製造步驟。

第15圖係顯示一系列剖面結構示意圖，用以說明根據本發明某些實施例所述之有機發光裝置的製造步驟。

第16圖係繪示出根據本發明一實施例所述之影像顯示系統的方塊示意圖。

在不同的特徵中所對應之數字和符號，除非另有註記，一般而言視為對應部份。所繪示的特徵清楚地標明了具體實施方式的相關態樣，且其並不一定依比例繪製。

以下以各實施例詳細說明並伴隨著圖式說明之範例，做為本發明之參考依據。且在圖式中，實施例之形狀或是厚度可擴大，並以簡化或是方便標示。再者，圖式中各元件之部分將以分別描述說明之，值得注意的是，圖中未繪示或描述之元件，為所屬技術領域中具有通常知識者所知的形式，此外，特定之實施例僅為揭示本發明使用之特定方式，其並非用以限定本發明。

發明一實施例係提供一有機發光裝置的製造方法。請參照第1圖，係為該有機發光裝置的製造方法的製程步驟流程圖。在步驟31中，形成一第一電極、及一輔助電極於一基板上。在步驟32中，形成一畫素定義層於第一電極及輔助電極之上。在步驟33中，形成一有機材料層於畫素定義層、第一電極、與輔助 電極之上。在步驟34中，配置一導電膠於輔助電極之上。在步驟35中，對導電膠進行一乾燥製程，得到一導通元件與輔助電極接觸。在步驟36中，形成一第二電極於有機材料層上，其中第二電極藉由導通元件與輔助電極電性連結。

以下依據本發明一實施例，說明本發明所述之有機發光裝置的製造方法。

首先，請參照第2圖，係顯示一有機發光裝置10的基板3及主動區11，為方便解說，圖上僅簡化繪示出基板3與主動區的部分。一平坦層13配置於主動區11內，且一第一電極14及一輔助電極16係分別配置於該平坦層13之上，其中第一電極14及輔助電極16並未電性連結，且彼此相隔一段距離，亦即第一電極14及輔助電極16於基板投影面上並未接觸且彼此被一間隙相隔，該投影面亦即為第2圖於垂直俯視有機發光裝置10之基板3方向上的基板表面，第一電極14及輔助電極16彼此間隔且彼此電性絕緣。請參照第3圖，係為第2圖延切線2-2’的剖面結構示意圖，該第一電極14可進一步與一預先設置於基板3之上的薄膜電晶體之一汲極8電性連結。此外，薄膜電晶體可包含一源極6、通道9、以及閘極4，其中閘極4係以一閘極絕緣層5與源極6、汲極8、及通道9相隔，而該平坦層13係形成於一介電層12之上。

平坦層13係具有較平整的表面，可使形成於其上的膜層具有較低的粗糙度。舉例來說，平坦層13係為一具有絕緣性質的膜層，可例如為介電材料。第一電極14及輔助電極16可在同一步驟中同時形成，或是利用不同步驟分別形成。舉例來說，該第一電極14及輔助電極16係在同一步驟中以相同材質所形成，其 形成方式可例如：化學氣相沉積法(chemical vapor deposition、CVD)、物理氣相蒸鍍(physical vapor deposition、PVD)、電漿輔助化學氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition、PECVD)、常壓化學氣相沉積法(atmospheric pressure chemical vapour deposition、APCVD)、高密度電漿化學氣相沉積法(high density chemical vapordeposition、HDCVD)、低壓化學氣相沉積法(low pressure chemical vapor deposition、LPCVD)、或濺鍍法。第一電極14與輔助電極16可為多層電極，例如為ITO/Ag/ITO、或ITOACX/Mo。

在此，有機發光裝置10可例如為上方光式(top-emission)有機發光裝置，而第一電極14可例如為一反射電極，其反射率大約為50-99%，較佳係大於90%，例如可為具有較高膜厚的金屬層，例如：鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、或其合金所形成的不透明金屬層。第一電極14若為多層電極時，不透明金屬層位於最下方(亦即遠離發光層之最下層)。

接著，請參照第4圖，形成一畫素定義層18於平坦層13之上，並定義出一第一開口17及一第二開口19。其中，第一開口17係露出第一電極14，且第二開口19係露出一輔助電極16。該畫素定義層18之材質係為一絕緣材料，可為有機樹脂(例如聚亞醯胺(polyimide))、或是介電材料(例如氧化物、氮化物或是氮氧化物)。仍請參照第4圖，第二開口19具有一深度H1、以及一最小剖面寬度W1。

接著，請參照第5圖，順應性形成一有機材料層20於 畫素定義層18、第一電極14、與輔助電極16之上。值得注意的是，於此實施例中，有機材料層20係全面性形成並覆蓋於發光裝置的主動區11上，因此在形成有機材料層20的步驟中，可不使用高精密金屬遮罩(fine metal mask)進行圖形化。但於其他實施例中，有機材料層20亦可進行圖案化，但無須使用高精密金屬遮罩來進行與畫素面積精準對位且須避開輔助電極區域之圖案化製程。也就是，例如可以將有機材料層以較低精密度的金屬遮罩，例如採條狀圖案方式或是其他區域形圖案方式形成於主動區11上，有機材料層可能同時覆蓋主動區11中的部分個第一電極14與部分個輔助電極16上，而非全面覆蓋。

因此，有機材料層20係形成於輔助電極16之上，並與輔助電極16直接接觸。由於本發明係利用一後續形成的導通元件貫穿有機材料層20將輔助電極16與後續形成的一透明電極形成電性連結，因此不需使用高精密金屬遮罩來精準形成與畫素區域大小相當的第一電極14且一定要避開輔助電極16的方法，與傳統有機發光裝置的製程相比，可降低製程的複雜性及成本，且可避免使用高精度金屬遮罩所產生的對位偏差等問題。

有機材料層20可至少包含一發光層(light emitting layer)(例如：紅色發光層、藍色發光層、綠色發光層)，且更可以包含其他習用之膜層(例如：電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、或是阻擋層)。

有機材料層20之各膜層可分別為小分子有機電激發光材料或高分子有機電激發光材料，均可利用真空蒸鍍方式或使用塗佈、噴墨、網版印刷等方式形成有機發光二極體材料層。此 外，有機材料層20之每一發光層可包含一有機電激發光材料及一摻雜物(dopant)，熟悉本技術者可視所使用之有機電激發光材料及所需之元件特性而改變所搭配的摻雜物之摻雜量。摻雜物可為能量傳移(energy transfer)型摻雜材料或是載體捕集(carrier trapping)型摻雜材料。有機電激發光材料可為螢光(fluorescence)發光材料。而在本發明之某些較佳實施例中，有機電激發光材料亦可為磷光(phosphorescence)發光材料。熟悉本技術者可視所使用之有機電激發光材料及所需之元件特性而改變有機材料層，因此，有機材料層之膜層組成、材質、及厚度非關本發明之特徵，非為限制本發明範圍之依據。

接著，請參照第6圖，配置一導電膠21於第二開口19內位於輔助電極16上的有機材料層20。其中，作為將導電膠21賦予至有機材料層20上的方法可例如為網版印刷、噴墨法、或分注器(dispenser)法。

在此實施例所使用的導電膠並無限制，可為習用之適合的導電膠組合物。舉例來說，導電膠可包含一導電材料，以及一溶劑。導電材料包括金、銀、銅、鋁、鈦、或其混合物，且導電材料的形狀可為粒狀、管狀、棒狀、片狀、或其組合。舉例來說，導電材料可為銀粒子，其具有一粒徑介於0.01 μm~3 μm之間。導電膠所使用的溶劑可例如為酮類溶劑、醇類溶劑、醚類溶劑、酯類溶劑、或其混合。在本發明某些實施例中，酮類溶劑可例如為丙酮、環己酮或異佛爾酮；醇類溶劑可包括乙醇、松油醇、或乙二醇；醚類溶劑可包括乙二醇甲醚、或乙二醇丁醚；酯類溶劑可包括乙酸乙酯或乳酸丁酯。此外，根據本發明其他實施 例，導電膠可更包含一樹脂，例如壓克力樹脂、環氧樹脂、乙烯-醋酸乙烯酯(ethylene vinyl acetate)樹脂、聚碳聚酯(polycarbonate、PC)、聚苯乙烯(polystyrene、PS)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)、或聚乙烯基吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone)。

當導電膠21配置於有機材料層20上時，導電膠21中具有適當成分比例的溶劑會進一步溶解該有機材料層20，進而使導電膠21穿越有機材料層20與輔助電極16接觸。因此，在將導電膠21賦予至有機材料層20上的步驟並經過一段時間後，對導電膠進行一乾燥製程，使得導電膠內的溶劑被移除，可得到一導通元件22穿越有機材料層20與該輔助電極16直接接觸，請參照第7圖。上述乾燥製程之製程溫度可例如介於50-120℃，且乾燥時間可介於1-60分鐘。於其他實施例中，製程溫度可能隨著導電膠材料與成分比例的不同而異，於此並不限定。

此外，請參照第8圖，係為第7圖區域7的放大示意圖，由該圖可知，導通元件22具有一寬度W2及一高度H2。值得注意的是，可藉由控制導電膠21的體積來調整所得之導通元件22的寬度W2，且可藉由控制導電膠21的成分比例及黏度來調整所得之導通元件22的高度H2。其中，導通元件22之寬度W2與該第二開口19的寬度W1之比可介於0.05-1之間；且導通元件22之高度H2與該第二開口19的深度H1之比可介於0.05-1之間。

請參照第9圖，根據本發明一實施例，所得之導通元件22可為一連續的膜層，即導電膠係於第二開口19範圍內且不超出第二開口19範圍以連續性的塗佈方式形成於有機材料層20之上，繼而烤乾後形成導通元件22；此外，根據本發明其他實施例， 所得之導通元件22亦可為一不連續的膜層(即導電膠係以不連續的塗佈方式形成於有機材料層20之上)。再者，根據本發明另一實施例，任兩相鄰導通元件22間的距離係為相等，請參照第10圖；且根據本發明其他實施例，任兩相鄰導通元件22間的距離係為不相等，或連成一直線，沒有間距請參照第11圖。

最後，請參照第12圖，形成一第二電極24於該有機材料層20之上，並使第二電極24與導通元件22直接接觸，完成本發明所述之有機發光裝置10。其中，第二電極24係藉由導通元件22與輔助電極16電性連結。在此，第二電極係位於有機發光裝置的出光側，且為一透明電極。第二電極之材質可為金屬氧化物、透光的金屬層、或其組合。舉例來說，第二電極之材質可例如為氧化銦(indium oxide)、氧化銦錫(indium tin oxide、ITO)、二氧化鈦(titanium dioxide)、氧化鎘(cadmium oxide)、氧化鎵(gallium oxide)、氧化鋅(zinc oxide、ZnO)、氧化鋅鎵(Gallium Zinc Oxide、GZO)、氧化鉭(tantalum oxide)、氧化鎵銦(gallium indium oxide、GIO)、五氧化二鈮(niobium pentoxide)、二氧化鋅(zinc dioxide)、錫酸鋅(zinc stannate)、錫酸鎘(cadmium Stannate)、氧化銦鋅(zinc indium oxide、IZO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide、AZO)、氧化銦鎂(magnesium indium oxide)、或二氧化錫(tin dioxide)、含鈰(cerium)之氧化物、含鈦(titanium)之氧化物、含鋯(zirconium)之氧化物、含鉿(hafnium)之氧化物及/或含鉭(tantalum)之氧化物。第二透明電極24之形成方法沒有限定，可例如為化學氣相沉積法(chemical vapor deposition、CVD)、物理氣相蒸鍍(physical vapor deposition、PVD)、電漿輔助化學氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition、PECVD)、常壓化學氣相沉積法(atmospheric pressure chemical vapor deposition、APCVD)、高密度電漿化學氣相沉積法(high density chemical vapor deposition、HDCVD)、低壓化學氣相沉積法(low pressure chemical vapor deposition、LPCVD)、或濺鍍法。

在上述有機發光裝置10的製造方法中，配置該導電膠於該輔助電極之上的步驟係在形成該有機材料層的步驟之後才完成，使得導電膠係配置於有機材料層上並與其直接接觸。由於導電膠的適量溶劑會進一步溶解該有機材料層，進而使導電膠穿越有機材料層與輔助電極接觸。因此，在對導電膠進行乾燥製程後，該導通元件穿過該有機材料層以與該輔助電極接觸。

此外，根據本發明另一實施例，該導電膠亦可在形成該有機材料層的步驟之前配置於輔助電極之上，使得導電膠係配置於輔助電極上並與其直接接觸。請參照第13圖，在完成第4圖所述形成畫素定義層18於平坦層13之上並定義出第一開口17及第二開口19的步驟後，配置一導電膠21於第二開口19內的輔助電極16上，使導電膠21直接與輔助電極16接觸，且於導電膠進行乾燥製程後形成一導通元件22。接著，順應性形成一有機材料層20於畫素定義層18、第一電極14、輔助電極16、與導通元件22上。因此，在對導電膠21進行乾燥製程後，所得之導通元件22可凸起使塗佈有機材料層20時會形成一段差而不會全面覆蓋住導通元件22，請參照第14圖。如此一來因為有機材料層20於覆蓋時有一段差而露出部分的導通元件22，因而於形成第二電極24於該有機材料層20之上時，導通元件22可與第二電極24接觸，使第二電極24可藉由導通元件22與輔助電極16電性連結。因此不論有機材料層 係全面性覆蓋於主動區11上或係圖案化的部分覆蓋主動區11的部分輔助電極16上，因導通元件形成之段差而均可使第二電極24與導通元件22電性連接。因此無須如使用傳統高精密金屬遮罩時需考慮不能覆蓋到輔助電極的複雜製程問題。

此外，根據本發明其他實施例，該導電膠亦可在形成第二電極的步驟後配置於第二電極之上，使得導電膠係配置於第二電極上並與其直接接觸。請參照第15圖，於第二電極24形成後配置一導電膠21於第二開口19內的第二電極24上。值得注意的是，在此所使用的導電膠21除了具有導電材料、溶劑、以及樹脂外，必需更包含一適當成分比例之酸性溶液，用來蝕刻第二電極24，使導電膠21貫穿該第二電極及有機材料層20，但不會貫穿輔助電極16並與輔助電極16接觸。舉例來說，該第二電極24可為氧化銦錫(indium tin oxide、ITO)，而該導電膠21可包含適當配比的草酸溶液，用來蝕刻氧化銦錫。最後，對導電膠21進行一乾燥製程，所得之導通元件22可穿越第二電極24以及有機材料層20，導致第二電極24可藉由導通元件22與輔助電極16電性連結。

第16圖係繪示出根據本發明另一實施例之影像顯示系統方塊示意圖，其可實施於顯示裝置100或電子裝置200，例如筆記型電腦、手機、數位相機、個人數位助理、桌上型電腦、電視機、車用顯示器、或攜帶型播放器。根據本發明之有機發光裝置10可設置於顯示裝置100，而顯示裝置100可為全彩有機電激發光顯示器。在其他實施例中，顯示裝置100可設置於電子裝置200中。如第16圖所示，電子裝置200包括：顯示裝置100及輸入單元150。輸入單元150係耦接至平面顯示器裝置100，用以提供輸入信 號(例如，影像信號)至顯示裝置100以產生影像。

前述已揭露了本發明數個具體實施方式的特徵，使此領域中具有通常技藝者得更加瞭解本發明細節的描述。此領域中具有通常技藝者應能完全明白且能使用所揭露之技術特徵，做為設計或改良其他製程和結構的基礎，以實現和達成在此所介紹實施態樣之相同的目的和優點。此領域中具有通常技藝者應也能瞭解這些對應的說明，並沒有偏離本發明所揭露之精神和範圍，且可在不偏離本發明所揭露之精神和範圍下進行各種改變、替換及修改。

2-2’‧‧‧切線

3‧‧‧基板

4‧‧‧閘極

5‧‧‧閘極絕緣層

6‧‧‧源極

7‧‧‧區域

8‧‧‧汲極

9‧‧‧通道

12‧‧‧介電層

13‧‧‧平坦層

14‧‧‧第一電極

16‧‧‧輔助電極

18‧‧‧畫素定義層

20‧‧‧有機材料層

22‧‧‧導通元件

24‧‧‧第二電極

Claims (10)

1. 一種有機發光裝置，包含：一基板；一第一電極與一輔助電極形成於該基板上，其中該第一電極與該輔助電極於該基板一投影面上具有一間隙且彼此電性絕緣，且一畫素定義層位於該第一電極與該輔助電極之間；一有機材料層形成於該畫素定義層、該第一電極與該輔助電極上；一第二電極形成於該有機材料層上；以及一導通元件穿過該有機材料層以電性連接該第二電極與該輔助電極。
2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該畫素定義層具有一第一開口及一第二開口，其中該第一開口露出該第一電極及該第二開口露出該輔助電極。
3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光裝置，其中該導通元件的寬度與該第一開口的寬度比係介於0.05-1之間。
4. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光裝置，其中該導通元件的高度與該第一開口的高度比係介於0.05-1之間。
5. 一種有機發光裝置的製造方法，包含：形成一第一電極及一輔助電極於一基板3上；形成一畫素定義層於該第一電極及該輔助電極之間；形成一有機材料層於該畫素定義層、該第一電極、與該 輔助電極之上；配置一導電膠於該輔助電極之上；對導電膠進行一乾燥製程，得到一導通元件與該輔助電極直接接觸；以及形成一第二電極於該有機材料層之上，其中該第二電極藉由該導通元件與該輔助電極電性連結。
6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光裝置的製造方法，其中配置該導電膠於該輔助電極之上的步驟係在形成該有機材料層的步驟之後，且在該乾燥製程後該導通元件穿過該有機材料層以與該輔助電極接觸。
7. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光裝置的製造方法，其中配置該導電膠於該輔助電極之上的步驟係在形成該有機材料層的步驟之前，且在該乾燥製程後該導通元件與該輔助電極接觸。
8. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光裝置的製造方法，其中配置一導通元件位於該輔助電極之上的步驟係在形成該第二電極的步驟之後，且在該乾燥製程後該導通元件穿過該有機材料層及第二電極以與該輔助電極接觸。
9. 一種影像顯示系統，包含：一電子裝置，其中該電子裝置包含：一顯示裝置，其中該顯示裝置包含申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置；以及 一輸入單元，與該顯示裝置耦接，其中該輸入單元係傳輸一訊號至該顯示裝置以產生影像。
10. 如申請專利範圍第9項所述之影像顯示系統，其中該電子裝置為行動電話、數位相機、個人數位助理、筆記型電腦、桌上型電腦、電視、車用顯示器、或攜帶式數位影音光碟播放器。