TW201445642A - 處理電子裝置的方法 - Google Patents

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Abstract

一種處理電子裝置的方法包括以下步驟：獲得具有薄玻璃片(20)之物件(2)，該薄玻璃片(20)耦合至具有第一QCOLED壓實值之載體(10)。物件經受第一處理循環(P1)以在薄玻璃片上形成第一裝置(40)，其中在第一處理循環之後，載體具有第二QCOLED壓實值，該第二QCOLED壓實值小於第一QCOLED壓實值。薄玻璃片自載體移除(P2)。隨後，載體經受第二處理循環(P4)以在該載體上形成第二裝置(50)，其中在第二處理循環期間，使用之最大處理溫度與第一處理循環期間使用之最大處理溫度不同。第二薄片(220)可耦合至載體及在該第二薄片(220)上處理之第三裝置(60)，而非在載體上形成第二裝置。

Description

處理電子裝置的方法 【相關申請案之交叉引用】
本申請案根據專利法規定主張2013年3月14申請之美國臨時申請案第61/781,872號之優先權權益，本文依賴該案之內容且該案內容全文以引用之方式併入本文中。
本發明係關於處理電子裝置的方法，且更特定言之，係關於使用薄片及載體處理電子裝置的方法。
可撓性基板有望使用捲軸式處理提供更便宜之裝置，且可能製造更薄、更輕、更可撓及耐久之顯示器。然而，高品質顯示器之捲軸式處理所需之技術、設備及製程尚未完全開發。由於面板製造商已大量投資工具集以處理大玻璃片，故將可撓性基板積層至載體及藉由片對片製程製造顯示器裝置提供較短期解決方案以開發更薄、更輕且更可撓之顯示器之價值需求。當可撓性基板由載體支撐以在處理期間為可撓性基板提供足夠剛性時，電子裝置製造於可撓性基板上。在可撓性基板上生產所需電子裝置之後，可撓性基板(抑或整體，抑或部分)自載體移除。
載體通常為顯示級玻璃基板，該基板可為昂貴的。將可撓性基板黏結至載體之一些方式允許載體在可撓性基板自載體脫黏之後保持完整。參見例如美國臨時專利申請案第61/736887號、第61/736862號及第61/736871號，每一申請案於2012年12月13日申請(下文中稱為「12月13日申請案」)。將可撓性基板黏結至載體之其他方式在可撓性基板與載體之間提供永久黏結區域。參見例如2013年2月7日申請之PCT專利申請案第PCT/US13/25035號(下文中稱為「2月7日申請案」)。在每一情況下，需要能夠再用載體以降低處理成本。
電子裝置(例如，薄膜電晶體(TFT))，以多個步驟製造於基板上。近年來，基板上裝置之間的間隔或間距變得越來越小，從而越來越嚴格要求一個步驟中應用之材料與後續步驟中應用之材料之間的對準容差。符合此嚴格對準要求生產電子裝置之能力導致必須具有基板，該等基板經由製程以彼此類似之方式作用，亦即，每一基板將自裝置製造製程開始至結束經歷類似尺寸變化。
更具體言之，例如，用於液晶顯示器(LCD)電視面板之薄膜電晶體(TFT)陣列及濾色器(CF)製造於平板玻璃基板上。非晶矽(a-Si)TFT及CF製造製程需要在高達約350℃(用於前者)及約250℃(用於後者)之溫度下進行多個熱循環。在該等溫度下，顯示器玻璃基板經歷大約高達4ppm之壓實(用於熔融成形之玻璃)達實際處理時間。CF及 TFT基板製造商可補償CF及TFT基板之暴露放大至少高達10ppm，故在每一製程中，顯示器玻璃基板之典型壓實量級通常不是問題。然而，若壓實在玻璃基板內為不均勻的或片與片之間不同，則暴露補償可能不足以提供連續熱循環中放置之特徵結構的適當對準。總間距誤差為指定給LCD面板的術語，該等面板由於CF或TFT基板內之特徵結構的失準或TFT相對於CF板之失準而發生故障。用於TFT及CF之典型總間距誤差預算分別為4μm及6μm。顯示器市場中出現之許多趨勢導致更嚴格總間距規格及由於壓實導致之增加之總間距誤差風險。
●導致更嚴格總間距規格之因數包括：○針對產品差異化之增加之面板解析度；○針對較高面板透射率之增加之孔徑比；及○針對產品組合靈活性之較小應用至較大尺寸之基板的遷移。
●由於壓實導致增加之總間距誤差風險之因數包括：○針對較高製造產量之降低的製程步驟間之間距量測及壓實配方調整；○針對輕薄面板之降低基板厚度；○針對大尺寸(>40")顯示器之降低成本的增加之Gen大小。
本發明者已發現當玻璃載體在同一製程在作為載體再用時，玻璃載體壓實(或至少部分由於熱影響而收縮)。 並且，每次玻璃載體經受相同時間溫度循環，玻璃載體即進一步壓實，雖然壓實程度在某種程度上比上次通過循環的壓實程度小。另外，載體壓實影響耦合至載體之可撓性玻璃之壓實，以及物件(載體及可撓性玻璃基板組合)之總組合壓實。因此，當試圖將載體再用於後續可撓性玻璃基板時，一個物件可不合期望地視物件之載體通過製程之時間差異而經歷彼此不同的壓實。
經受相同裝置製造製程之不同物件之間的尺寸變化的該等差異係不良的，因為此舉使得暴露補償過程非常困難(在最好情況下)且可能難以實行。然而，在經由一次裝置製造製程之後，僅丟棄或處理載體就極昂貴。因此，發明者已發現載體可以除在相同製程中作為載體之外的方式有利地再用。相反，載體可獨立作為可於其上製造電子裝置之基板使用。在一些情況下，載體在一個製程中之壓實可有利地使載體可在較高溫度製程中用作基板，在該製程中，載體原本因為載體將經受不可接受之尺寸變化而不可用。在其他情況下，載體在一個製程中之壓實可有利地使載體在較低溫度製程中用作基板，電子裝置形成於基板上，在該製程中，載體將經受少得多的尺寸變化。或者，在經受用於將電子裝置形成於耦合至載體之可撓性玻璃基板上的第一製程之後，載體可在較低溫度(相較於第一)製程中用作用於第二可撓性玻璃基板之載體，不同電子裝置將製造於第二可撓性玻璃基板上。更進一步，在一些情況下，載體可用於載送多個可撓性玻璃基板，其中電子裝置進而經由後續製程形成於基板中之 每一者上，其中通過先前製程可有利地使下一基板更好地適合於經歷下一製程。
將在隨後的詳細描述中闡述額外特徵及優點，且對於熟習此項技術者而言，額外特徵及優點將部分地自描述中顯而易見或藉由實踐書面描述及附隨圖式中所例示之各個態樣來認識到。應理解，前文一般描述及以下詳細描述兩者僅示例各個態樣且意欲提供用於理解本發明所主張之本發明之性質與特性的概述或框架。
包括隨附圖式以提供對本發明之原理之進一步理解，且隨附圖式併入本說明書中並構成本說明書的一部分。圖式圖示一或多個實施例，並與描述一起用於以實例之方式解釋本發明的原理及操作。應理解，本說明書及圖式中所揭示之各種特徵可以任何及所有組合使用。如以下態樣中所述，各種特徵可以非限制實例之方式彼此組合：根據第一態樣，提供一種處理電子裝置的方法，該方法包含以下步驟：獲得物件，該物件包含耦合至載體之薄玻璃片，其中載體具有第一QCOLED壓實值；使物件經受第一處理循環以在薄玻璃片上形成第一裝置，其中在第一處理循環之後，載體具有第二QCOLED壓實值，該第二QCOLED壓實值小於或等於第一QCOLED壓實值；自載體移除薄玻璃片；及使載體經受第二處理循環以在載體上形成第二裝置。
根據第二態樣，提供態樣1之方法，其中載體在第二處理循環之前經化學強化，且進一步其中，第二裝置包括防眩光、防指紋、抗汙跡或抗菌膜。
根據第三態樣，提供一種處理電子裝置的方法，該方法包含以下步驟：獲得第一物件，該第一物件包含耦合至載體之第一薄玻璃片，其中載體具有第一QCOLED壓實值；使第一物件經受第一處理循環以在第一薄玻璃片上形成第一裝置，其中在第一處理循環之後，載體具有第二QCOLED壓實值，該第二QCOLED壓實值小於或等於第一QCOLED壓實值；自載體移除第一薄玻璃片；將載體耦合至第二薄玻璃片以形成第二物件；及使第二物件經受第二處理循環以在第二薄玻璃片上形成第二裝置，其中在第二處理循環之後，載體QCOLED壓實值減少5%。
根據第四態樣，提供一種處理電子裝置的方法，該方法包含以下步驟：獲取第一物件，該第一物件包含：第一薄玻璃片，該第一薄玻璃片耦合至載體，其中第一薄玻璃片具有第一QCOLED壓實值；及第二薄玻璃片，該第二薄玻璃片耦合至第一薄玻璃片且耦合至載體； 使第一物件經受第一處理循環以在第二薄玻璃片上形成第一裝置，其中在第一處理循環之後，第一薄玻璃片具有第二QCOLED壓實值，該第二QCOLED壓實值小於第一QCOLED壓實值；自第一物件移除第二薄玻璃片，以形成第二物件；及使第二物件經受第二處理循環以在第一薄玻璃片上形成第二裝置。
根據第五態樣，提供態樣4之方法，其中載體經完全退火(dead-annealed)。
根據第六態樣，提供態樣4之方法，其中載體在耦合至第一或第二薄玻璃片之前完全退火。
根據第七態樣，提供態樣4之方法，其中第二薄玻璃片位於載體之與第一薄玻璃片相同之側面上。
根據第八態樣，提供態樣1至7中任一態樣之方法，其中在第二處理循環期間使用之最大處理溫度小於在第一處理循環期間使用之最大處理溫度。
根據第九態樣，提供態樣1至8中任一態樣之方法，其中第一處理循環包括範圍為大於450℃至700℃的最大溫度。
根據第十態樣，提供態樣9之方法，其中第二處理循環包括450℃之最大溫度。
根據第十一態樣，提供態樣9或態樣10之方法，其中第一裝置為多晶半導體裝置、微晶半導體裝置、低溫多晶 矽裝置或結晶氧化物TFT裝置。
根據第十二態樣，提供態樣1至8中任一態樣之方法，其中第一處理循環包括範圍為大於250℃至450℃的最大溫度。
根據第十三態樣，提供態樣12之方法，其中第二處理循環包括250℃之最大溫度。
根據第十四態樣，提供態樣12或態樣13之方法，其中第一裝置為非晶半導體裝置、非晶氧化物TFT裝置或非晶矽LCD。
根據第十五態樣，提供態樣13或態樣14之方法，其中第二裝置為觸控感測器、透明導電材料膜或濾色器。
根據第十六態樣，提供態樣1至7中任一態樣之方法，其中第二處理循環之最大溫度大於第一處理循環之最大溫度。
根據第十七態樣，提供態樣1至7或16中任一態樣之方法，其中第一處理循環包括範圍為大於250℃至450℃的最大溫度。
根據第十八態樣，提供態樣17之方法，其中第一裝置為非晶半導體裝置、非晶氧化物TFT或非晶矽LCD裝置。
根據第十九態樣，提供態樣16至18中任一態樣之方法，其中第二處理循環之最大溫度在大於450℃至700℃的範圍中。
根據第二十態樣，提供態樣19之方法，其中第二裝置為多晶半導體裝置、微晶半導體裝置、低溫多晶矽裝置或 結晶氧化物TFT裝置。
根據第二十一態樣，提供態樣1至20中之任一態樣的方法，其中載體具有200微米之厚度。
根據第二十二態樣，提供態樣1至21中之任一態樣的方法，其中薄玻璃片具有300微米之厚度。
根據第二十三態樣，提供態樣1至22中任一態樣之方法，該方法進一步包含以下步驟：在處理期間，在載體之側面上提供保護層，該側面與薄玻璃片定位之側面相反。
根據第二十四態樣，提供態樣23之方法，其中保護層為硬塗層及薄玻璃片中之一者。
根據第二十五態樣，提供態樣1至24中之任一態樣的方法，其中載體為玻璃。
根據第二十六態樣，提供態樣1至25中之任一態樣的方法，其中載體具有0.1平方公尺之面積。
根據第二十七態樣，提供態樣1至26中之任一態樣的方法，其中薄玻璃片具有0.1平方公尺之面積。
2‧‧‧物件
8‧‧‧厚度
10‧‧‧載體
12‧‧‧第一表面
14‧‧‧黏結表面
16‧‧‧周邊
18‧‧‧厚度
20‧‧‧薄片
22‧‧‧第一表面
24‧‧‧黏結表面
26‧‧‧周邊
28‧‧‧厚度
30‧‧‧耦合劑
38‧‧‧厚度
40‧‧‧第一裝置
50‧‧‧第二裝置
60‧‧‧第三裝置
102‧‧‧第二物件
120‧‧‧第一薄片
130‧‧‧第一耦合劑
202‧‧‧物件
220‧‧‧第二薄片
230‧‧‧第二耦合劑
302‧‧‧物件
308‧‧‧厚度
320‧‧‧第三薄片
330‧‧‧第三耦合劑
420‧‧‧保護層
500‧‧‧點
510‧‧‧點
520‧‧‧線
530‧‧‧參考節點
P1‧‧‧製程
P2‧‧‧製程
P3‧‧‧製程
P4‧‧‧製程
P5‧‧‧製程
P6‧‧‧製程
第1圖為具有耦合至載體之薄玻璃片之物件的一個實施例的側視圖。
第2圖為第1圖中所示之物件的分解圖。
第3圖為QCOLED壓實試驗之時間溫度圖表。
第4圖為用於第3圖之QCOLED壓實試驗中之量測的劃痕線及節點位置的示意圖。
第5圖為示意性製程流程。
第6圖為具有耦合至載體之薄玻璃片之物件的第二實施例的側視圖。
第7圖為具有耦合至載體之薄玻璃片之物件的第三實施例的側視圖。
在以下詳細描述中，出於說明而非限制之目的，闡述揭示具體細節之示例性實施例以提供對本發明之各種原理的透徹理解。然而，得益於本揭示案，本領域具有通常知識者將顯而易見的是，可在脫離本文中揭示之具體細節之其他實施例中實踐本發明。此外，對熟知裝置、方法及材料之描述可省略，以免模糊對本發明之各種原理之描述。最終，在任何適用的情況下，相同元件符號係指相同元件。
在本文中，範圍可表達為自「約」一個特定值及/或至「約」另一特定值。當表達此範圍時，另一實施例包括自一個特定值及/或至另一特定值。類似地，當藉由使用先行詞「約」將值表達為近似值時，將理解，特定值形成另一實施例。將進一步理解，範圍中之每一範圍的端點顯著與其他端點相關且獨立於其他端點。
如本文中所使用之方向術語(例如，上、下、右、左、前、後、頂部、底部)僅參考所制圖式作出且不意欲暗示絕對定向。
除非另行明確說明，則本文中闡述之任何方法決不意欲解釋為要求以特定次序執行該方法之步驟。因此，在方法請求項實際上未敘述待由方法步驟遵循之次序的情況下， 或在申請專利範圍或描述中未以其他方式具體說明步驟限制於特定次序的情況下，在任何方面，決不意欲推斷次序。此情況適用於任何可能不言自明之解釋基礎，包括：關於步驟之排列或操作流程之邏輯問題；源自文法組織或標點之普通含義；及說明書中描述之實施例的數目或類型。
如本文中所使用，除非上下文另有明確指示，單數形式「一」、「一個」及「該」包括複數個指示物。因此，除非上下文另有明確指示，例如，對「組件」之引用包括具有兩個或更多個該等「組件」之態樣。
如第1圖及第2圖中所示，玻璃物件2具有厚度8，且包括具有厚度18之載體10、具有厚度28之薄片20(亦即，具有300微米之厚度之薄片，包括(但不限於)以下厚度：例如，10微米至50微米、50微米至100微米、100微米至150微米、150微米至300微米、300微米、250微米、200微米、190微米、180微米、170微米、160微米、150微米、140微米、130微米、120微米、110微米、100微米、90微米、80微米、70微米、60微米、50微米、40微米、30微米、20微米或10微米)及具有厚度38之耦合劑30。玻璃物件2經設計以允許在設計用於較厚片(亦即，大約0.4mm(例如，0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm或1.0mm)之彼等片)之設備中處理薄片20，即使薄片20自身為300微米。換言之，作為厚度18、厚度28及厚度38之和的厚度8經設計為相當於較厚片之厚度，一件設備(例如，經設計以將電子裝置組件安置於基板片上之設備)經設計以 處理該等較厚片。例如，若處理設備經設計用於700微米之片，且薄片具有300微米之厚度28，則厚度18將選擇為400微米，假設厚度38係可忽略的。換言之，耦合劑30未按比例圖示；相反，耦合劑30僅為了說明起見而經大大誇示。另外，在第2圖中，耦合劑以剖面圖示。事實上，耦合劑將安置於黏結表面14上方，以防止薄片20與載體10之間至少在薄片20與載體10之間的中心重疊區域上方及較佳地薄片20與載體10之間的整個重疊區域上方的永久黏結。通常，厚度38將為奈米級，例如，0.1nm至2.0nm，或高達10nm，且在一些情況下可為高達100nm。厚度38可由橢圓偏光計量測。另外，耦合劑之存在可由表面化學分析(例如，由ToF二次離子質譜法)偵測。因此，厚度38對物件厚度8之作用可忽略，且可在用於針對處理具有厚度28之給定薄片20確定載體10之適當厚度18的計算中忽略。然而，在耦合劑30具有任何顯著厚度38的情況下，此舉可用於針對薄片20之給定厚度28確定載體10之厚度18及處理設備經設計用於之給定厚度。
載體10具有第一表面12、黏結表面14、周邊16及厚度18。進一步，載體10可具有任何適當材料，包括例如玻璃。載體不必為玻璃，但可替代地為陶瓷或玻璃陶瓷。若載體10由玻璃製成，則載體10可具有任何適當組成物，包括鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽、鋁硼矽酸鹽、鈉鈣矽酸鹽，且可視載體10之最終應用為含鹼或不含鹼的。厚度18可為約0.2mm至3mm或更大，例如，0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、 0.6mm、0.65mm、0.7mm、1.0mm、2.0mm或3mm或更大，且當此厚度為不可忽略的時，該厚度將視厚度28及厚度38而定，如上所述。另外，載體10可由一個層(如圖所示)或黏結在一起的多個層(包括多個薄片)製成。進一步，載體可具有晶圓大小或更大，例如，Gen 2、Gen 3、Gen 4、Gen 5、Gen 8或更大(例如，100mm×100mm至3公尺×3公尺或更大之片大小)。
薄片20具有第一表面22、黏結表面24、周邊26及厚度28。周邊16及周邊26可具有任何適當形狀、可彼此相同或可彼此不同。進一步，薄片20可具有任何適當材料，包括例如玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷。當薄片20由玻璃製成時，薄片20可具有任何適當組成物，包括鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽、鋁硼矽酸鹽、鈉鈣矽酸鹽，且可視薄片20之最終應用為含鹼或不含鹼的。薄片之熱膨脹係數可與載體之熱膨脹係數相對緊密匹配，以防止物件在高溫下處理期間翹曲。薄片20之厚度28為300微米或更小，如上所述。進一步，薄片可具有晶圓大小或更大，例如，Gen 2、Gen 3、Gen 4、Gen 5、Gen 8或更大(例如，100mm×100mm至3公尺×3公尺或更大之片大小)。
耦合劑30耦合薄片20與載體10，以使得薄片20及載體10可一起經受製程。雖然耦合劑30圖示為薄片20與載體10之間的固體層，但事實不需如此。例如，層30可為約0.1nm至2nm厚，且可不完全覆蓋黏結表面14之每一處。例如，覆蓋率可為100%、1%至100%、10%至100%、20% 至90%或50%至90%。在其他實施例中，層30可為高達10nm厚，或在其他實施例中，甚至高達100nm厚。耦合劑30可視為安置在載體10與薄片20之間，但耦合劑30可能不接觸載體10及薄片20中之一者或另一者。在任何情況下，耦合劑30之重要態樣為耦合劑30允許載體10及薄片20彼此耦合用於處理至薄片20上之電子裝置、允許在電子裝置處理之後自載體10移除薄片20且在移除薄片20後或伴隨移除薄片20而自載體移除耦合劑30。耦合劑30之材料及厚度，以及黏結之前對黏結表面14、黏結表面24之處理可用於控制載體10與薄片20之間的黏結強度(黏附能)，如12月13日申請案中所述。或者，耦合劑30可用於在可撓性基板與載體之間提供永久黏結區域，如2月7日申請案中所述。在該後一情況中，當耦合劑用於在薄片20與載體10之間形成永久黏結時，耦合劑僅可用在薄片20與載體10之間的重疊區域的周邊周圍。因此，周邊部分可經移除以提供分離的薄片20及載體10。雖然載體10將稍微小於原始載體10，但該情況可適用於一些應用，且事實上，在移除薄片20之後，載體10可切割成更小基板大小。例如，電子裝置可經處理至具有Gen 8大小之物件的薄片上。接著，在移除薄片20及薄片20上之裝置之後，Gen 8大小之載體可移除永久黏結區域且經切割成多個更小Gen 2大小之片供後續使用，如下所述。
壓實及QCOLED壓實值/試驗
如上所述，當載體經受時間溫度循環時，載體將壓實或收縮。實際情況是，若玻璃之應變點比將達到之處理溫 度(例如，大於約200℃至300℃)大得多，則壓實為最小的。壓實程度將視玻璃之先前熱經歷及時間溫度循環類型而定，該時間溫度循環類型進而視形成之電子裝置的類型而定。例如，平板顯示器(FPD)生產線可包括高溫處理，其中高溫處理為在大於250℃之溫度下之處理，且可視製造之裝置的類型而改變，例如，包括如在非晶半導體處理(包括例如非晶矽或非晶氧化物TFT(例如，銦鎵鋅氧化物(IGZO)背板處理)中之高達約450℃之溫度，且包括如在結晶半導體處理(包括例如結晶氧化物TFT處理)中之高達約500℃至550℃，或如在包括低溫多晶矽(LTPS)製程之多晶或微晶半導體處理中典型的高達約600℃至650℃，其中與LTPS製程相關聯之「低溫」相較於可在約750℃下發生之固相結晶為低的。典型aSi TFT製造要求高達320℃之處理。在400℃下退火用於氧化物TFT製程中，而超過600℃之結晶及摻雜劑活化步驟用於LTPS處理中。在範圍之另一端，較低溫度處理(例如，小於或等於250℃)可用於形成例如濾色器裝置或觸控感測器裝置，包括沉積透明導電材料，例如，ITO。
經歷該處理之玻璃片(包括載體、薄片或物件)之穩定性可由將參看第3圖及第4圖描述之QCOLED試驗量測。一般而言，QCOLED壓實值越低，越少玻璃片將在特定製程中壓實。
QCOLED熱循環經設計以區分意欲用於多晶矽基AMOLED應用之玻璃的壓實差異，但QCOLED熱循環亦可用於確定一個基板相較於另一基板的相對熱穩定性。QCOLED 循環中之典型多晶矽基板玻璃的壓實大於25ppm。由於量規雜訊為約1ppm，故QCOLED循環在區分小效能差異方面很有效，該等差異原本難以使用典型多步驟多晶矽製造熱循環識別。
QCOLED壓實之量測可使用254mm×254mm片之試驗樣本以下方式執行。
基本壓實量測程序如下：
1.橫跨整個樣本在水平方向及垂直方向兩者上以20mm間距劃出11根線520，參見第4圖，
2.執行「第一次查看」以確定72個參考節點530(位於與片之每一邊緣上的兩根最外劃痕線相關聯的交叉點處，參見第4圖)相對於量規上之框標之初始位置，
3.熱處理樣本，其中樣本根據第3圖中所示之熱剖面在箱式爐中經熱處理。首先，爐經預熱至稍微高於590℃。樣本接著經由爐前面之小裂縫投入爐中(參見第3圖之圖表中的點500)。在三十分鐘之後，樣本自爐淬火(參見第3圖之圖表中的點510)進入環境空氣。樣本停留在峰值溫度590℃處之總時間為約18分鐘。
4.重新量測72個參考節點之位置，及
5.藉由平均化所有節點相對於該等節點之初始位置的位移來確定壓實。
對於步驟4中之參考節點的重新量測，更具體言 之，在樣本經熱處理之後，節點之位置經量測以確定該等節點在X方向上之位移dx及在Y方向上之位移dy。每一方向上之壓實值為作為位置函數之位移之線性回歸的斜率：
其中i為識別量測節點之下標，x及y表示每一節點之坐標；且dy及dx為每一節點相對於初始量測之特定方向位移。方程式中之值132為x及y兩者之平均值。X方向壓實及Y方向壓實經平均化以獲得壓實值。
一般而言，QCOLED壓實量級隨特定玻璃材料之退火點升高而連續降低。因此，熱處理玻璃材料(作為經受用於將電子裝置形成於耦合至載體之薄片上的製程的載體)可使玻璃材料之QCOLED值降低，藉此，玻璃材料將在後續製程中如較高退火點玻璃一樣作用。
再用載體之製程
將結合第5圖描述再用載體10之一個方式。在物件2進入製程P1之前，如在(1)處，物件2包括藉由耦合劑30耦合至載體10的薄片20。為了方便起見，在第5圖至第7圖中，耦合劑圖示為不具有厚度；然而，再次，耦合劑未按 比例繪製。在此階段，作為整體之物件具有第一QCOLED壓實值，正如物件之組件部分(載體10及薄片20)中之每一者一樣。視薄片及厚片之化學組成物及用於製造薄片及厚片的熱製程而定，薄片壓實範圍可為50ppm至250ppm，而厚片(或載體10)壓實範圍可為20ppm至150ppm。
物件2接著經受製程P1，如由箭頭示意性表示，以在薄片20上形成第一裝置40，此舉之結果在(2)處圖示。製程P1可包括具有各種時間溫度循環之各種步驟及最大溫度。
當裝置40為非晶氧化物TFT、非晶IGZO裝置或顯示器裝置之非晶矽背板之部分(例如，OLED或LCD顯示面板)時，製程P1可包括在大於250℃且450℃之溫度下對物件之處理。
或者，製程P1可為低溫多晶矽製程，亦即，相較於固相結晶之低溫，該低溫包括約750℃之溫度。因此，低溫多晶矽製程實際上包括範圍為大於450℃至700℃之處理溫度。該製程可包括準分子雷射退火(ELA)、快速熱退火(RTA)或形成低溫多晶矽裝置或結晶氧化物TFT裝置之其他步驟。該等類型之裝置可用於手持式平板顯示器裝置。
在物件2完成P1之處理之後，物件2將具有小於第一QCOLED壓實值之第二QCOLED壓實值。再次，物件2之組件部分中之每一者亦是如此，亦即，載體10及薄片20將各自具有低於載體10及薄片20之各別第一QCOLED壓實值之第二QCOLED壓實值。物件2接著經歷製程P2，如箭頭示 意性圖示，以分離其上具有裝置40之薄片20(作為整體或整體之部分)與載體10。製程P2之結果圖示於(3)處。耦合劑30可經設計以在分離期間與載體10保持在一起，如圖所示；或者，耦合劑30可經設計以與薄片20保持在一起。在任何情況下，製程P2為能夠在不破壞載體之黏結表面14的情況下自載體10移除薄片20的製程。
在耦合劑30在分離薄片20之後與載體10保持在一起的情況下，載體10接著經受製程P3以自載體10移除耦合劑30。製程P3之結果圖示於(4)處。視耦合劑30之材料而定，可藉由例如沖洗、加熱、電漿清洗、標準清洗(SC1或SC2)、RCA清洗及/或白骨化清洗(piranhacleaning)自載體10移除耦合劑30。
在藉由製程P2或藉由製程P3(視情況而定)移除耦合劑30之後，載體10接著準備進行進一步處理。在一些情況下，載體10可用作基板，第二裝置50藉由製程P4形成於基板上，如箭頭示意性圖示。製程P4之結果圖示於(5)處，其中第二裝置50形成於載體10之黏結表面14上。
製程P4可為具有不同於製程P1期間使用之溫度範圍的溫度範圍的製程。
製程P4之最大處理溫度可小於製程P1之最大處理溫度。例如，當製程P1包括範圍為大於250℃及450℃之最大處理溫度(如上所述)時，則如當第二裝置50為包括透明導電材料(例如，氧化銦錫(ITO))之濾色器或觸控感測器時，製程P4可具有較低最大處理溫度範圍，亦即，250℃。 在此情況下，由製程P1導致之載體10之QCOLED壓實值的降低將形成基板10，該基板10適用於在製程P4期間在不經歷任何實質額外壓實的情況下在較低溫度下形成裝置50，其中5%之壓實變化係不重要的。
或者，製程P4之最大處理溫度可高於製程P1中之最大處理溫度。例如，當製程P1包括範圍為大於250℃及450℃之最大處理溫度(如上所述)時，則如當第二裝置50為適用於手持式FPD之低溫多晶矽裝置或結晶氧化物TFT裝置時，製程P4可具有較高最大處理溫度範圍，亦即，大於450℃至700℃。在此情況下，由製程P1導致之載體10之QCOLED壓實值的降低將形成基板10，該基板10適用於在製程P4期間在不經歷任何實質額外壓實的情況下在較高溫度下形成裝置50。換言之，製程P1將「退火」載體10，以使得載體10適合於較高溫度處理。
在一個實施例中，載體可由可化學強化玻璃製成，其中在製程P4之前，載體經化學強化。製程P4中之裝置則可為防眩光膜、防指紋膜、抗汙跡膜或抗菌膜中之任何一或多者。
在具有第二薄片20之第二物件102中可再次使用載體10作為載體10，而非將載體10用作用於第二電子裝置50的基板。在此情況下，載體可經受製程P5(而非經受製程P4)以藉由耦合劑30將第二薄片220耦合至載體。在一些情況下，在製程P2之後，耦合劑30可留在載體10上，且因此，移除製程P3可能係不必要的。或者，如(3)處之耦合劑30 可經由製程P3移除，且新耦合劑30可用於製程P5中以將第二薄片220耦合至載體10。製程P5之結果圖示於(6)處，其中第二物件102包括藉由耦合劑30耦合至載體10的第二薄片220。
第二物件102可接著經受製程P6以在第二薄片220上形成第三裝置60。製程P6之結果圖示於(7)處。製程P6之詳情可與上文關於製程P4所述之彼等詳情類似，不同之處在於電子裝置形成於第二薄片220上，而非載體10上。在製程P6之後，第二薄片220以類似於上文結合製程P2所述之方式的方式自載體移除。自此，載體10可以上文關於製程P3及製程P4所述之方式再次再用以將電子裝置50形成於載體10之黏結表面上。或者，若載體10之先前處理為載體提供QCOLED壓實值，以使得載體10相對於製程P6之溫度「完全退火」(亦即，載體將經歷5%之壓實變化)，則載體10可多次再用以反覆載送第二薄片220以在第二薄片220上形成第三裝置60。然而，在此情況下，載體10經由製程P6反復使用可能導致載體10由於在處理設備中刮痕而在其透光性或機械強度方面降級。因此，可再用載體10之次數實際有限，且因此，在某些情況下，將載體10僅再用作為基板可能更有利，電子裝置50藉由上述之製程P4形成於該基板上。
替代物件配置
將結合第6圖說明物件之第二實施例。在此實施例中，將主要描述第1圖、第2圖及第5圖之第一實施例的差異，其中應理解，剩餘元件類似於結合第一實施例描述之彼 等元件，且其中相同元件符號貫穿實施例表示相同元件。
在此實施例中，物件202包括載體10，該載體10藉由第一耦合劑130使第一薄片120耦合至載體10。進而，第一薄片120藉由第二耦合劑230使第二薄片220耦合至第一薄片120，且第二薄片220藉由第三耦合劑330使第三薄片320耦合至第二薄片220。耦合劑130、耦合劑230及耦合劑330中之每一者可與上文結合耦合劑30描述的相同。進一步，視情況而定，耦合劑130、耦合劑230及耦合劑330中之每一者可為相同材料或可為不同材料。物件202之厚度將為物件202之組件的厚度和。
當首次裝配時，物件202將包括第一QCOLED壓實值，物件202之組件部分(亦即，載體10、第一薄片120、第二薄片220及第三薄片320)中之每一者亦將如此。物件202可經處理以相繼在第三薄片320、第二薄片220及第一薄片120上形成電子裝置。在處理一個薄片上之電子裝置之後，彼薄片可自物件202剝去，以允許接近下方下一薄片之表面，此類似於上文說明製程P1及製程P2之方式，藉此在製程P1之後，物件可具有第二QCOLED壓實值(再次，物件之組件部分(載體10、第一薄片120及第二薄片220)中之每一者亦將如此)，其中第二QCOLED壓實值小於第一QCOLED壓實值。在剝去一個薄片之後，下一薄片之表面可經歷製程以自表面移除任何耦合劑。以此方式，只要在經設計以處理具有由先前製程導致之QCOLED壓實值之物件的設備中執行後續製程，電子裝置即可相繼形成於物件202中之連續薄片上。 當以此方式處理電子裝置時，在越來越低之溫度下發生連續製程以避免載體10及耦合至載體10之任何剩餘薄片的QCOLED值的過多變化係有利的。在另一有利實施例中，在將薄片120、薄片220、薄片320耦合至載體10之前，載體10可經「完全退火」，以降低物件202在經歷連續處理時之QCOLED壓實值的變化，藉此電子裝置可可靠地製造於每一連續薄片320、220、120上。例如，低溫多晶矽裝置可處理在第三薄片320上，接著，非晶氧化物TFT裝置(或非晶IGZO裝置，或非晶矽LCD背板裝置)可處理在第二薄片220上，且最後，觸控感測器或濾光器裝置可形成在第一薄片120上。
雖然三個薄片120、220、320圖示為耦合至載體10，但可使用任何適當數目之薄片，例如，2個、4個、5個、6個、7個、8個、9個、10個。
替代物件配置
將結合第7圖說明物件之第三實施例。在此實施例中，將主要描述第一實施例及第二實施例之差異，其中應理解，剩餘元件類似於結合第一實施例及第二實施例描述之彼等元件，且其中相同元件符號貫穿實施例表示相同元件。
物件302包括藉由耦合劑30耦合至載體10之薄片20。另外，載體10包括在載體10側面上之保護層420，該側面與耦合薄片20之側面相反。物件302之厚度308為物件302之組件部分之厚度和。保護層420可為藉由耦合劑30耦合至載體之額外薄片，或可為例如硬塗覆層、透明導電材料層或ITO。保護層420之目的為在電子裝置經處理至薄片20之第 一表面上時保護載體10之第一表面12(免於例如刮痕或其他破壞)。必要時，例如在載體用作其上形成有電子裝置之基板的情況下，保護層420可移除。在一些情況下，如當保護層420為具有類似於薄片20之性質之性質的類似材料的薄片時，將薄片用作保護層420可最小化物件302之翹曲。
應注意，結合第三實施例揭示之保護層420可以類似方式用於第一實施例及第二實施例中。
應強調，本發明之上述實施例，特別是任何「較佳」實施例僅為實施之可能實例，僅經闡述用於清楚理解本發明之各種原理。在實質上不脫離本發明之精神及各種原理的情況下，可對本發明之上述實施例作出各種變化及修改。在本文中，意欲使所有此等修改及變化包括於本揭示案及本發明之範疇內且受到以下申請專利範圍保護。
2‧‧‧物件
8‧‧‧厚度
10‧‧‧載體
12‧‧‧第一表面
14‧‧‧黏結表面
16‧‧‧周邊
18‧‧‧厚度
20‧‧‧薄片
22‧‧‧第一表面
24‧‧‧黏結表面
26‧‧‧周邊
28‧‧‧厚度
30‧‧‧耦合劑
38‧‧‧厚度

Claims (10)

  1. 一種處理電子裝置之方法，該方法包含以下步驟：獲得一物件，該物件包含耦合至一載體之一薄玻璃片，其中該載體具有一第一QCOLED壓實值；使該物件經受一第一處理循環以在該薄玻璃片上形成一第一裝置，其中在該第一處理循環之後，該載體具有一第二QCOLED壓實值，該第二QCOLED壓實值小於或等於該第一QCOLED壓實值；自該載體移除該薄玻璃片；及使該載體經受一第二處理循環以在該載體上形成一第二裝置。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該載體在該第二處理循環之前經化學強化，且進一步，其中該第二裝置包括一防眩光、防指紋、抗汙跡或抗菌膜。
  3. 一種處理電子裝置之方法，該方法包含以下步驟：獲得一第一物件，該第一物件包含耦合至一載體之一第一薄玻璃片，其中該載體具有一第一QCOLED壓實值；使該第一物件經受一第一處理循環以在該第一薄玻璃片上形成一第一裝置，其中在該第一處理循環之後，該載體具有一第二QCOLED壓實值，該第二QCOLED壓實值小於或等於該第一QCOLED壓實值；自該載體移除該第一薄玻璃片； 將該載體耦合至一第二薄玻璃片以形成一第二物件；及使該第二物件經受一第二處理循環以在該第二薄玻璃片上形成一第二裝置，其中在該第二處理循環之後，該載體QCOLED壓實值減少5%。
  4. 一種處理電子裝置之方法，該方法包含以下步驟：獲取一第一物件，該第一物件包含一第一薄玻璃片，該第一薄玻璃片耦合至一載體，其中該第一薄玻璃片具有一第一QCOLED壓實值；及一第二薄玻璃片，該第二薄玻璃片耦合至該第一薄玻璃片且耦合至該載體；使該第一物件經受一第一處理循環以在該第二薄玻璃片上形成一第一裝置，其中在該第一處理循環之後，該第一薄玻璃片具有一第二QCOLED壓實值，該第二QCOLED壓實值小於該第一QCOLED壓實值；自該第一物件移除該第二薄玻璃片，以形成一第二物件；及使該第二物件經受一第二處理循環以在該第一薄玻璃片上形成一第二裝置。
  5. 如請求項4項所述之方法，其中該載體經完全退火。
  6. 如請求項4所述之方法，其中該第二薄玻璃片位於該載體之與該第一薄玻璃片相同的側面上。
  7. 如請求項1、3或4中任一項所述之方法，其中在該第二處理循環期間使用之一最大處理溫度小於在該第一處理循環期間使用之最大處理溫度。
  8. 如請求項1、3或4中任一項所述之方法，其中該第一處理循環包括範圍為大於450℃至700℃的一最大溫度。
  9. 如請求項1、3或4中任一項所述之方法，其中該第二處理循環之最大溫度大於該第一處理循環之最大溫度。
  10. 如請求項1、3或4中任一項所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：在處理期間，在該載體之一側面上提供一保護層，該側面與該薄玻璃片定位之側面相反。
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