TW201443108A - 用於矽晶圓之污染物去疵的氧化物介質 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種用於製備可印刷的低至高黏度氧化物介質之新穎方法，及其在太陽能電池生產中之用途，及使用此等新穎介質生產之具有改良壽命的產品。

Description

用於矽晶圓之污染物去疵的氧化物介質
本發明係關於一種用於製備可印刷的低至高黏度氧化物介質之新穎方法，及其在太陽能電池生產中之用途，及使用此等新穎介質生產之具有改良壽命的產品。
簡單太陽能電池或目前代表市場中最大市場份額的太陽能電池的生產包含概述如下的必不可少的生產步驟：
1.鋸損傷蝕刻及紋理化
矽晶圓(單晶、多晶或準單晶，p型或n型基礎摻雜)藉助於蝕刻法除去附著的鋸損傷且「同時」紋理化(一般在同一蝕刻浴中)。在此情況下，紋理化意謂由於蝕刻步驟形成較佳對齊的表面(性質)或簡言之，晶圓表面之有意而非特別對齊的粗糙化。由於紋理化，晶圓表面現充當漫反射器且因此減少定向反射，其視波長及入射角而定，最終導致入射在表面上之光的吸收比例增加且因此增加相同電池的轉換效率。
在單晶晶圓之情況下，以上提及之用於處理矽晶圓之蝕刻溶液通常由已添加異丙醇作為溶劑之稀氫氧化鉀溶液組成。亦可添加具有比異丙醇更高的蒸氣壓力或更高的沸點的其他醇作為替代，若此能夠達成所需蝕刻結果。所獲得的所需蝕刻結果通常為以隨機排列(更精確地說原始表面蝕刻出)的具有方形基底之角錐體為特徵之形態。角錐體之密度、高度且因此基底面積可部分受以上提及之蝕刻溶液組分 之合適選擇、蝕刻溫度及晶圓在蝕刻槽中之滯留時間的影響。單晶晶圓之紋理化通常在70-<90℃之溫度範圍中進行，其中可達成每一晶圓側高達10μm之蝕刻移除率。
在多晶矽晶圓之情況下，蝕刻溶液可由具有中等濃度(10-15%)之氫氧化鉀溶液組成。然而，此蝕刻技術幾乎仍不用於工業實踐。更頻繁地使用由硝酸、氫氟酸及水組成之蝕刻溶液。此蝕刻溶液可藉由不同添加劑改質，諸如硫酸、磷酸、乙酸、N-甲基吡咯啶酮以及界面活性劑，使得尤其蝕刻溶液之濕潤性以及其蝕刻速率能夠受到特定影響。此等酸性蝕刻混合物在表面上產生嵌套蝕刻溝槽之形態。蝕刻通常在範圍介於4℃與<10℃之間的溫度下進行，且此處蝕刻移除率一般為4μm至6μm。
在紋理化後即刻集中地用水清潔矽晶圓且用稀氫氟酸處理，以便移除由於前述處理步驟形成之化學氧化物層以及吸收及吸附於其中以及其上之污染物，為後續高溫處理作準備。
2.擴散及摻雜
在前述步驟中蝕刻及清潔之晶圓(在此情況下，p型基礎摻雜)在高溫(通常介於750℃與<1000℃之間)下用由磷氧化物組成之蒸氣處理。在此操作期間，晶圓在管式爐中之石英管中暴露於由乾燥氮氣、乾燥氧氣及磷醯氯組成之控制氛圍中。為此，晶圓在介於600℃與700℃之間的溫度下引入石英管中。氣體混合物經由石英管運輸。在氣體混合物經由非常溫熱的管運輸期間，磷醯氯分解得到由磷氧化物(例如P2O5)及氯氣組成之蒸氣。磷氧化物蒸氣尤其沈澱於晶圓表面(塗層)上。同時，矽表面在此等溫度下氧化，形成薄氧化物層。沈澱之磷氧化物包埋於此層中，致使在晶圓表面上形成二氧化矽及磷氧化物之混合氧化物。此混合氧化物稱為磷矽酸鹽玻璃(PSG)。此PSG相對於磷氧化物具有不同的軟化點及不同的擴散常數，視所存在之磷氧化 物的濃度而定。混合氧化物充當矽晶圓之擴散源，其中磷氧化物在擴散過程中沿PSG與矽晶圓之間界面的方向擴散，其中其藉由與晶圓表面上之矽反應(矽熱)還原成磷。以此方式形成之磷在矽中具有溶解度，其數量級比在已由其形成之玻璃基質中高，且因此由於極高偏析係數(segregation coefficient)而較佳溶解於矽中。在溶解後，磷在矽中沿著濃度梯度擴散至矽之體積中。在此擴散過程中，在1021個原子/平方公分之典型表面濃度與大約1016個原子/平方公分之基礎摻雜之間形成約為105之濃度梯度。典型擴散深度為250至500nm且視所選擴散溫度(例如880℃)及晶圓在非常溫熱的氛圍中的總暴露時間(加熱及塗佈階段及注射階段及冷卻)而定。在塗佈階段期間，形成層厚度通常為40至60nm之PSG層。用PSG塗佈晶圓(在此期間亦已擴散至矽之體積中)後為注射階段。此可與塗佈階段分開，但在實踐中一般依據時間直接與塗佈聯結且因此通常亦在同一溫度下進行。此處以一定方式調整氣體混合物之組成，使得磷醯氯之進一步供應得以抑制。在注射期間，矽表面藉由氣體混合物中存在之氧氣進一步氧化，導致同樣包含磷氧化物之磷氧化物耗盡之二氧化矽膜在實際摻雜來源(磷氧化物高度富集之PSG)與矽晶圓之間生成。此層生長相對於來自來源(PSG)之摻雜劑的質量流動快得多，因為氧化物生長藉由晶圓本身之高表面摻雜而加速(加速達一個至兩個數量級)。此使得摻雜來源能夠以某一方式達成消耗或分離，在磷氧化物於上面擴散時之滲透受材料流動的影響，其視溫度且因此擴散係數而定。以此方式可在某些限制上控制矽摻雜。由塗佈階段及注射階段組成之典型擴散持續時間為例如25分鐘。在此處理後，自動冷卻管式爐，且可在600℃與700℃之間的溫度下自加工管中移出晶圓。
在晶圓以n型基礎摻雜形式摻雜硼的情況下，進行不同方法，其不會在此處單獨闡明。在此等情況下，使用例如三氯化硼或三溴化硼 進行摻雜。視摻雜所用氣氛之組成的選擇而定，可觀察到所謂硼皮在晶圓上之形成。此硼皮視以下不同影響因素而定：關鍵為摻雜氛圍、溫度、摻雜持續時間、來源濃度及以上提及之聯結(或線性組合)參數。
在該等擴散過程中，顯然若基板先前未進行相應預處理(例如其使用擴散抑制及/或抑止層及材料建構)，所用晶圓不能含有任何較佳擴散及摻雜之區域(除藉由不均勻氣流及不均勻組合物之所得氣泡形成之區域以外)。
為完整起見，此處亦應指出亦存在其他擴散及摻雜技術，其已在基於矽之結晶太陽能電池生產中確立至不同程度。因此，可提及-離子植入，-藉助於APCVD、PECVD、MOCVD及LPCVD方法，經由混合氧化物(諸如PSG及BSG(硼矽玻璃)之混合氧化物)之氣相沈積促進摻雜，-混合氧化物及/或陶瓷材料及硬質材料(例如氮化硼)之(共)濺鍍，-最後兩者之氣相沈積，-由固體摻雜劑來源(例如氧化硼及氮化硼)起始之純熱氣相沈積及-摻雜液體(墨水)及漿料之液相沈積。
後者常用於所謂線內摻雜，其中相應漿料及墨水藉助於合適方法適用於待摻雜之晶圓側。在施用後或亦甚至在施用期間，摻雜所用組合物中所存在之溶劑藉由溫度及/或真空處理移除。此使得實際摻雜劑留在晶圓表面上。可使用之液體摻雜來源為例如磷酸或硼酸之稀溶液，以及基於溶膠-凝膠之系統或亦為聚合硼拉茲爾(borazil)化合物之溶液。相應摻雜漿料幾乎專門以使用額外增稠聚合物表徵，且包含合適形式之摻雜劑。自以上提及之摻雜介質蒸發溶劑通常在高溫處理 後，在高溫處理期間，不希望有的及干擾性添加劑(除了調配物所必需的添加劑)經「灼燒」及/或熱解。溶劑之移除及燒盡可(但不必)同時進行。經塗佈之基板隨後通常穿過溫度在800℃與1000℃之間的流動貫通式爐，其中為了縮短通過時間，溫度可與管式爐中之氣相擴散相比略微增加。流動貫通式爐中盛行的氣氛可根據摻雜要求而不同，且可由乾燥氮氣、乾燥空氣、乾燥氧氣及乾燥氮氣之混合物，及/或視待穿過之爐的設計而定，一個或其他以上提及之氣氛之區帶組成。其他氣體混合物為可想像的，但目前在工業上不具有至關重要性。線內擴散之特徵為摻雜劑之塗佈及注射可原則上彼此分開地進行。
3.摻雜劑來源及視情況選用之邊緣絕緣體之移除
在摻雜後提供之晶圓在表面兩面或多或少地用玻璃塗佈。在此情況下，或多或少係指可在摻雜加工期間應用之修飾：雙側擴散對藉由在所用加工舟皿之一個位置中兩個晶圓背靠背排列發起之準單側擴散。後一變化形式主要能夠實現單側摻雜，但不完全抑止背側擴散。在兩種情況中，目前技術現狀為藉助於在稀氫氟酸中蝕刻自表面移除摻雜後存在之玻璃。為此，首先將晶圓分批再裝載於濕式加工舟皿中且使其輔助裝置浸入稀氫氟酸溶液(通常2%至5%)中，並保留在其中直至表面已完全去除玻璃為止或加工週期持續時間(其表示必要蝕刻持續時間及機器加工自動化之總計參數已期滿)。可例如由稀氫氟酸水溶液使矽晶圓表面完全去濕而確定玻璃完全移除。在室溫下，在此等加工條件(例如使用2%氫氟酸溶液)下於210秒內實現PSG之完全移除。相應BSG之蝕刻較慢且需要較長加工時間，且可能亦需要較高濃度之所用氫氟酸。在蝕刻後，用水沖洗晶圓。
另一方面，蝕刻晶圓表面上之玻璃亦可在水平操作加工中進行，其中晶圓以恆流引入蝕刻器中，在蝕刻器中晶圓水平穿過相應加工槽(線內機器)。在此情況下，晶圓在輥上傳送穿過加工槽且蝕刻溶 液存在於其中，或蝕刻介質藉助於輥施用運輸於晶圓表面上。在PSG蝕刻期間晶圓之典型滯留時間為約90秒，且所用氫氟酸比在分批法情況下稍微更高度濃縮以便補償由於蝕刻速率增加而導致的滯留時間較短。氫氟酸之濃度通常為5%。槽溫度可視情況另外與室溫相比略微升高(>25℃<50℃)。
在最後概述的加工中，已同時確定依次進行所謂邊緣絕緣，產生略微修改的加工流程：邊緣絕緣→玻璃蝕刻。邊緣絕緣為加工工程所必需的，其由雙側擴散之系統固有特徵引起，亦在有意單側背靠背擴散情況下出現。大面積寄生p-n接面存在於太陽能電池(後面)背部，其出於加工工程原因，在稍後的加工期間部分(而非完全)移除。因此，太陽能電池之前部及背部經由寄生及殘餘p-n接面(通道接觸)而短路，降低稍後太陽能電池的轉換效率。為移除此接面，晶圓在一側通過由硝酸及氫氟酸組成之蝕刻溶液。蝕刻溶液可包含例如硫酸或磷酸作為第二成分。或者，蝕刻溶液經由輥運輸(傳送)於晶圓背部上。在此加工中通常達到的蝕刻移除率為在4℃與8℃之間的溫度下約1μm矽(包含在待處理表面上存在的玻璃層)。在此加工中，仍存在於晶圓相對側上之玻璃層充當遮罩，其提供抗此側蝕刻侵蝕之一定保護。此玻璃層隨後與已描述之玻璃蝕刻輔助裝置一起移除。
此外，邊緣絕緣亦可藉助於電漿蝕刻加工來進行。此電漿蝕刻則一般在玻璃蝕刻之前進行。為此，使複數個晶圓一個於另一個頂部來堆疊，且使外部邊緣暴露於電漿。電漿用氟化氣體(例如四氟甲烷)供給。在此等氣體電漿分解時出現之反應性物質蝕刻晶圓邊緣。一般，電漿蝕刻後則為玻璃蝕刻。
4.用抗反射層塗佈前側
在蝕刻玻璃及視情況選用之邊緣絕緣體後，稍後的太陽能電池之前側用通常由非晶形及富氫氮化矽組成之抗反射塗層塗佈。替代性 抗反射塗層為可想像的。可能的塗層可為二氧化鈦、氟化鎂、二氧化錫及/或由二氧化矽及氮化矽之相應堆疊層組成。然而，具有不同組成之抗反射塗層在技術上亦為可能的。用以上提及之氮化矽塗佈晶圓表面本質上履行兩個功能：一方面，該層由於許多併入的正電荷而生成電場，其可保持矽中之電荷載流子遠離表面且可顯著降低此等電荷載流子在矽表面之複合率(場效應鈍化)，另一方面，此層生成減少反射之特性，視其光學參數(諸如折射率及層厚度)而定，有助於更多光可能運用於稍後的太陽能電池。該兩個效應可提高太陽能電池之轉換效率。當前所用層之典型特性為：在僅用以上提及之氮化矽時約80nm之層厚度，其具有約2.05之折射率。抗反射減少在600nm之光波長區中最清楚明顯。此處定向及不定向的反射展現原始入射光(垂直入射於垂直矽晶圓之表面)之約1%至3%之值。
以上提及之氮化矽層當前一般藉助於定向PECVD加工而沈積於表面上。為此，在氬氣氛圍中引燃引入矽烷及氨之電漿。矽烷及氨在電漿中經由離子及游離基反應而反應得到氮化矽，且同時沈積於晶圓表面上。層之特性可例如經由反應物之個別氣流來調節及控制。以上提及之氮化矽層之沈積亦可僅以氫氣作為運載氣體及/或反應物來進行。典型沈積溫度在300℃與400℃之間的範圍中。替代性沈積方法可為例如LPCVD及/或濺鍍。
5.前側電極柵之產生
在抗反射層沈積後，在塗有氮化矽之晶圓表面上界定前側電極。在工業實踐中，已建立藉助於網版印刷方法使用金屬燒結漿料來產生電極。然而，此僅為產生所需金屬接觸點之許多不同可能性之一。
在網版印刷金屬化中，一般使用銀粒子高度富集(銀含量80%)之漿料。剩餘成分之總和由漿料調配所需的流變助劑產生，諸如溶 劑、黏合劑及增稠劑。此外，銀漿料包含特殊玻璃料混合物，通常為基於二氧化矽之氧化物及混合氧化物、硼矽玻璃以及氧化鉛及/或氧化鉍。玻璃料基本上履行兩個功能：其一方面充當晶圓表面與大部分待燒結之銀粒子之間的助黏劑，另一方面其負責透入氮化矽頂層以便於與下層矽之直接歐姆接觸。透入氮化矽係經由蝕刻加工及隨後溶解於玻璃料基質中之銀擴散至矽表面中來發生，由此實現歐姆接觸形成。在實踐中，銀漿料藉助於網版印刷沈積於晶圓表面上且隨後在約200℃至300℃之溫度下乾燥幾分鐘。為完整起見，應提及在工業上亦使用雙重印刷方法，其使得第二電極柵能夠精確配準地印刷於在第一印刷步驟期間生成之電極柵上。銀金屬化之厚度因此增加，其可對電極柵之導電性具有正面影響。在此乾燥期間，漿料中存在之溶劑自漿料排出。經印刷之晶圓隨後穿過流動貫通式爐。此類型之爐一般具有複數個加熱段，其可彼此獨立地啟動及控制溫度。在流動貫通式爐鈍化期間，加熱晶圓至高達約950℃之溫度。然而，個別晶圓一般僅經受此峰值溫度數秒。在其餘流經階段期間，晶圓具有600℃至800℃之溫度。在此等溫度下，燒盡銀漿料中存在之有機伴隨物，且開始蝕刻氮化矽層。在盛行峰值溫度之較短時間間隔期間，與矽形成接觸。隨後使晶圓冷卻。
以此方式簡單概述之接觸形成過程通常同時與兩個其餘接觸形成(參看6及7)一起進行，其為術語共燃燒過程亦用於此情況之原因。
前側電極柵本身由寬度通常為80μm至140μm之薄指狀物(通常數目>=68)以及寬度在1.2mm至2.2mm範圍內(視其數目而定，通常為兩至三個)匯流條組成。經印刷之銀元件的典型高度一般在10μm與25μm之間。縱橫比很少大於0.3。
6.背部匯流條之產生
背部匯流條一般同樣藉助於網版印刷方法施用及界定。為此， 使用與前側金屬化所用的銀漿料相似的銀漿料。此漿料具有相似組成，但包含銀與鋁之合金，其中鋁之比例通常佔2%。此外，此漿料包含較低玻璃料含量。匯流條(一般兩個單元)藉助於網版印刷以4mm之典型寬度印刷於晶圓背部上且壓實並燒結，如已在第5點下所述。
7.背部電極之產生
在匯流條印刷後界定背部電極。電極材料由鋁組成，其為含鋁漿料藉助於網版印刷以<1mm之邊緣離距印刷於晶圓背部剩餘空閒區上用於界定電極之原因。漿料由高達80%之鋁組成。剩餘組分為已在第5點下提及之組分(諸如溶劑、黏合劑等)。鋁漿料在共燃燒期間藉由鋁粒子在加溫期間開始熔融及來自晶圓之矽溶於熔融鋁中而黏結於晶圓。熔融混合物充當摻雜劑來源且將鋁釋放至矽(溶解度極限：0.016個原子百分比)，其中矽由於此注射而為p+摻雜。在晶圓冷卻期間，在577℃下凝固且具有Si莫耳分數為0.12之組成的鋁與矽之共熔混合物尤其沈積於晶圓表面上。
由於鋁注射至矽中，對於矽中之一部分自由電荷載流子充當一種類型之鏡面(「電鏡」)之高度摻雜p型層在晶圓背部形成。此等電荷載流子不能克服此勢壁且因此極有效地遠離背部晶圓表面，其由於電荷載流子在此表面之複合率總體減小而因此為明顯的。此勢壁一般稱為背表面場。
在第5、6及7點下所述之加工步驟之順序可(但不必)對應於此處概述之順序。對於熟習此項技術者明顯的是所概述之加工步驟的順序可原則上以任何可想像的組合形式進行。
8.視情況選用之邊緣絕緣體
若晶圓之邊緣絕緣尚未如第3點所述進行，則此通常在共燃燒後藉助於雷射束方法來進行。為此，使雷射束指向太陽能電池前端，且藉助於由此束聯結之能量分開前側p-n接面。由於雷射之作用，此處 生成多至15μm深度之切割溝槽。同時，矽經由切除機構自經處理位點移除或自雷射溝槽拋出。此雷射溝槽通常具有30μm至60μm之寬度且距離太陽能電池邊緣約200μm。
在產生後，太陽能電池根據其個別效能表徵且分類於個別效能類目中。
熟習此項技術者瞭解使用n型以及p型基材兩者之太陽能電池架構。此等太陽能電池類型包括：
˙PERC太陽能電池
˙PERL太陽能電池
˙PERT太陽能電池
˙由其得出之MWT-PERT及MWT-PERL太陽能電池
˙雙面太陽能電池
˙背面接觸電池
˙使用叉指式接觸之背面接觸電池。
選擇替代摻雜技術作為起先已描述之氣相摻雜的替代一般不能解決在矽基板上產生具有局部不同摻雜之區域的問題。此處可提及之替代技術為藉助於PECVD及APCVD方法沈積摻雜玻璃或非晶形混合氧化物。位於此等玻璃下之熱誘發之矽摻雜可易於由此等玻璃達成。然而，為了產生具有局部不同摻雜之區域，此等玻璃必須藉助於遮罩方法蝕刻，以便在此等玻璃中製備相應結構。或者，結構化擴散阻障可在玻璃沈積之前沈積於矽晶圓上，以便由此界定待摻雜之區域。然而，在此方法中不利的是在各種情況下，僅可達成一種極性(n或p)之摻雜。比摻雜來源或任何擴散阻障之結構化略微簡單的為定向雷射束支持的注射來自提前沈積於晶圓表面上之摻雜劑來源的摻雜劑。此方法使得昂貴的結構化步驟能夠得以省略。然而，仍不能補償可能需要在同一表面上同時摻雜兩種極性(共擴散)之缺點，因為此方法同樣基 於摻雜劑來源之預先沈積，摻雜劑來源僅隨後活化用於釋放摻雜劑。該等來源之此(後)摻雜的缺點為基板不可避免的雷射損傷：雷射束必須藉由吸收放射線轉化為熱量。由於習知摻雜劑來源由矽之混合氧化物及待注射之摻雜劑(亦即在硼的情況下，氧化硼)組成，此等混合氧化物之光學特性因而與氧化矽之光學特性極相似。此等玻璃(混合氧化物)因此在相關波長範圍中具有極低放射係數。出於此吸收原因，位於光學透明玻璃下之矽用作吸收來源。此處，在一些情況下加熱矽直至其熔融，且因而溫熱位於其上方的玻璃。其有助於摻雜劑擴散且確實比在正常擴散溫度下所預期的快多倍，因此矽呈現的擴散時間極短(小於1秒)。矽意欲在吸收雷射照射後由於強大的熱傳遞遠離至剩餘未照射的矽體積而再次相對快速地冷卻，且同時外延凝固於未熔融材料上。然而，整個方法實際上伴有雷射照射誘發之缺陷的形成，其可歸結於不完全的外延凝固及因此形成晶體缺陷。此可歸結於例如由於方法之震動樣進展的位錯及空白及瑕疵的形成。雷射束支持之擴散的另一缺點為若快速摻雜相對較大的面積，相對低效率，因為雷射系統以點-柵方法掃描表面。此缺點自然在摻雜狹窄區域的情況下較不重要。然而，雷射摻雜需要順序沈積可後處理之玻璃。
此外，太陽能電池產生中之基本問題為最初使用之矽晶圓必要的高純度，因為此為所產生電池之功能容量及有效性的基礎必要條件。為了取得必要的純度，一般必需進行複雜且昂貴的清潔方法。
為了降低結晶矽太陽能電池之成本，在光伏打行業中能夠採用便宜的「升級冶金級」(UMG)矽為合乎需要的。習知高純度矽係藉助於複雜方法，基於所謂西門子法(Siemens process)來製備。此使用反應得到氯矽烷，其隨後多次蒸餾且沈積於薄的高純度矽棒上。相比之下，UMG矽係經由物理化學純化(例如酸萃取及/或偏析)由粗物質矽獲得。然而，此矽含有高得多的污染物濃度，尤其3d過渡金屬，諸如 Ti、Fe、Cu。此等金屬在太陽能電池之電活性部件中極有害，因為其在矽帶隙中形成載流子複合中心。
因此，目的在於在電池加工步驟之間或期間藉由簡單清潔法(諸如所謂去疵)自便宜的矽載體材料移除干擾性污染物。
一般，去疵為移除污染物或將其移至對太陽能電池較無害的地方的方法。一般，此步驟藉由所謂HCl去疵來進行。此為基於氣體氯化氫(HCl)與金屬之反應且形成在高溫下揮發的金屬氯化物的方法。雖然此方法移除干擾性污染物，然而，必需提供特別的安全措施以避免HCl氣體自設施逸出。此外，HCl氣體對設施具有腐蝕性，意謂能夠進行污染物移除同時避免蝕刻氣體氛圍，較佳與另一方法步驟組合為合乎需要的。
本發明之目標
由以上描述明顯可見，結晶矽太陽能電池工業生產構成對其中所用化學試劑及助劑之純度的高要求。此等純度需要將來變得甚至更大，因為進一步增加太陽能電池之效率(其為目的所在)不可避免地與對應於電池之最大操作點電壓增加相關。電池之電壓可藉由多種方法增加。關於此主題之多種解決方法已描述於文獻中。此等解決方法尤其包括以下解決途徑：選擇性發射體之概念、局部背表面場之概念、具有置於背部之p/n接面的背表面接觸電池之概念及其他。由太陽能電池作用之簡化考慮開始，太陽能電池之電流效率以及電壓必須增加。然而，兩個太陽能電池參數為互相依賴型數值。電流效率短路電流ISC不再能在無其他方式的情況下顯著或不成比例地增加，因為其視耦接入太陽能電池或由太陽能電池所吸收之光強度而定(若入射光強度未富集)。
常用方法(諸如使用專門表面紋理、抗反射層等)已用於所有太陽能電池架構，意謂內部量子產率仍作為對短路電流效率具有必不可少 的影響的關鍵因素：
由方程式(II)顯而易見，太陽能電池可達到的最大開路電壓(VOC)基本上視短路電流密度及暗電流飽和密度(Io)而定。
如以上簡化方式中所述，短路電流密度不能簡單地按需要增加-太陽光譜(IEC 60904-3第2版之AM1.5)在280nm至1100nm之波長範圍中產生804.6W/m2之積分光強度，其相當於43.5mA/cm2-因此可能的最佳化參數可為暗電流飽和密度。由於暗電流飽和密度在短路電流密度之二等分被假定為恆定，通常可預期電壓最大增加17-18mV。此由發射體與晶圓基底之比例組成。以上提及之新穎太陽能電池概念基本上藉由便利地影響暗電流飽和密度尤其解決太陽能電池電壓之增加：選擇性發射體之概念使發射體在暗電流飽和密度中之比例最佳化，且局部背表面場之概念解決基底之流入比例。然而，暗電流飽和密度不僅僅依賴於在所提及之兩個概念的技術實施過程中由於在晶圓表面上之修改而出現的效應，而且不能僅僅歸因於其基本上經由所產生之過量載流子表面複合率的急劇減小而產生的優勢。矽體積中之電荷載流子壽命發揮一樣重要的作用且為太陽能電池必不可少的關鍵參數。電荷載流子壽命視許多因素而定且因此亦可易於操控。在不希望單獨提及此等因素的情況下，在此方面頻繁提及「材料品質」。長久已知且頻繁論述的不利地影響矽之材料品質的原因為污染物注入晶體體積中。該等污染物通常為過渡金屬元素，諸如鐵、銅及鎳，其可顯著降低電荷載流子壽命(>3個數量級，相應地由毫秒降低到微秒或更小)。因此，舉例而言，金特定用於產生某些積體電路以便降低組件之響應時間。3d過渡金屬目前幾乎出現在太陽能電池之每個生產環境，且一 些此等代表(諸如鐵)無所不在，例如可見於所有常見化學試劑。由於即使最微小的痕量(比率1：106-1010，以原子/立方公分為單位)可足以永久電子損傷矽晶圓，詳言之在其在高溫階段後加工後，避免污染或其「治癒」在基於矽之半導體組件生產中特別重要。
本發明之目標因此為提供一種便宜進行的簡單方法，及一種可用於此方法之介質，藉助於其可抑制或消除(治癒)此損傷污染。
本發明提供一種用於產生對矽晶圓具有去疵效應之耐操作及磨蝕層的方法，藉助於該方法將呈氧化物介質形式之去疵介質印刷於矽晶圓表面上，該介質已藉由經對稱及/或不對稱二取代至四取代的烷氧基矽烷及烷氧基烷基矽烷與a)對稱及不對稱的有機及混合有機/無機羧酸酐或與b)強羧酸
之縮合及受控凝膠化來製備且同時使用對矽具有摻雜作用(亦即便利地影響其電導率)之典型物質，且經印刷之氧化物介質藉助於依次進行之一或多個加熱步驟(藉由階梯函數加熱)及/或加熱斜坡在50℃與800℃之間、較佳在50℃與500℃之間的溫度範圍中乾燥且壓實以便玻璃化，且溫度(視情況在升高後)隨後保持在500與800℃之間的範圍內，較佳在600與750℃之間的範圍內數秒至一分鐘，形成厚度高達500nm之耐操作及磨蝕層。
在經印刷之氧化物介質之玻璃化期間，在其乾燥及壓實後，在未誘發基板本身有意摻雜的情況下及在高溫下處理同時產生去疵效應，導致宜藉由擴散自下層(矽)移除不希望有的污染物，及改良少數 電荷載流子之壽命。
高黏度形式之氧化物介質較佳印刷於矽晶圓上，且除在其熱壓實及玻璃化後之去疵作用之外，產生作為針對磷及硼擴散之擴散阻障的效應。
然而，若需要，使用選自氧化硼、硼酸及硼酸酯之群之含硼化合物及/或選自氧化磷(V)、磷酸、聚磷酸、磷酸酯及在α位及/或β位含有矽氧烷官能化基團之磷酸酯之群之含磷化合物製備之去疵介質可用於本發明之方法。
在此情況下，表面上經玻璃化之層可藉由在範圍介於750℃與1100℃之間、較佳介於850℃與1100℃之間的溫度下的溫度處理釋放矽摻雜原子(諸如硼及/或磷)至基板，影響基板之電導率。在此等高溫下之溫度處理將摻雜劑運輸至高達1μm之深度且產生高達10Ω/sqr之電薄片電阻率，其中獲得大於或等於1×1021個原子/立方公分之摻雜劑表面濃度。同時，由此產生經處理基板上寄生摻雜之濃度與有意摻雜區域之摻雜相差至少十的二次冪的狀態。
去疵介質宜印刷於親水性及/或疏水性矽晶圓表面上。此外，已證明在印刷本發明之去疵介質、其乾燥、壓實及玻璃化及視情況藉由合適溫度處理摻雜後，用包含氫氟酸及視情況選用之磷酸之混合酸蝕刻所形成之玻璃層且因此獲得疏水性矽晶圓表面為有利的。適於此目的之蝕刻混合物包含濃度為0.001重量%至10重量%之氫氟酸作為蝕刻劑。然而，其亦可包含0.001重量%至10重量%之氫氟酸及0.001重量%至10重量%之磷酸的混合物。
方法中所用之去疵介質使用經對稱及/或不對稱二取代至四取代的烷氧基矽烷及烷氧基烷基矽烷來製備，烷氧基矽烷及烷氧基烷基矽烷可個別地含有飽和或不飽和、分支或未分支、脂族、脂環及芳族基或含有多種此等基團，其可接著在烷氧化物基團或烷基之任何所需位 置由選自O、N、S、Cl、Br之群之雜原子官能化。此等烷氧基矽烷及烷氧基烷基矽烷藉由與來自甲酸、乙酸、草酸、三氟乙酸、單氯乙酸、二氯乙酸及三氯乙酸、乙醛酸、酒石酸、順丁烯二酸、丙二酸、丙酮酸、蘋果酸、2-側氧基戊二酸之群之強羧酸縮合及受控凝膠化而轉化為所需去疵介質。詳言之，若鋁、鍺、鋅、錫、鈦、鋯或鉛之醇化物/酯、乙酸鹽、氫氧化物或氧化物或其混合物用於縮合反應，獲得基於混合溶膠及/或凝膠之可印刷的去疵介質。為此，去疵介質較佳經凝膠化得到高黏度的近似玻璃樣材料，且所獲得之產物藉由添加合適溶劑或溶劑混合物再溶解，或藉助於高剪切混合裝置轉化成溶膠態且藉由部分或完整結構恢復(凝膠化)轉化為均勻凝膠。為了改良穩定性，已證明個別地或以混合物形式添加選自乙醯氧基三烷基矽烷、烷氧基三烷基矽烷、鹵基三烷基矽烷及其衍生物之群之「封端劑」為有利的。在此方面，在未添加增稠劑的情況下將去疵介質調配為高黏度氧化物介質尤其有利。根據本發明，高黏度去疵介質可在所主張之方法中藉由旋塗或浸塗、滴鑄、簾式或狹縫型擠壓式塗佈、網版或柔版印刷、凹版印刷、噴墨或氣溶膠噴射印刷、平版印刷、微接觸印刷、電流體動力學分配、輥塗或噴塗、超音波噴塗、管噴射、雷射轉移印刷、移印或滾網印刷，但較佳藉助於網版印刷而加以印刷。
本發明因此亦詳言之關於呈可印刷的氧化物介質形式的去疵介質，其包含在製備期間經由使用鋁、鍺、鋅、錫、鈦、鋯或鉛之醇化物/酯、乙酸鹽、氫氧化物或氧化物產生之SiO2-Al2O3及/或更高級混合物之群之二元系統或三元系統。
此去疵介質宜穩定儲存至少三個月時間且可用於在光伏打、微電子、微機械及微光學應用之矽晶圓處理方法中生產擴散阻障，或亦用於生產PERC、PERL、PERT、IBC太陽能電池及其他，其中太陽能電池具有其他架構特徵，諸如MWT、EWT、選擇性發射體、選擇性 前表面場、選擇性背表面場及雙面性。此外，其可用於產生薄的緻密玻璃層，其由於熱處理而在LCD技術中充當鈉及鉀擴散阻障；或用於產生顯示器之防護玻璃罩上由摻雜SiO2組成之薄的緻密玻璃層，其防止離子自防護玻璃罩擴散至液晶相中。
令人驚訝的是，目前已發現在用於外在去疵之合適方法中使用適當調配之摻雜墨水或漿料(下文亦稱為去疵介質或漿料)有利地使得經污染矽晶圓之材料品質能夠得到改良，且少數電荷載流子之壽命因此可延長。矽晶圓之去疵可較佳在其用以上提及之摻雜介質擴散後，在低於常用擴散溫度之溫度下進行，若摻雜劑例如進入矽之擴散率足夠低。此處去疵較佳在作為擴散法之一部分在擴散後之可變平線時間中進行。
詳言之，已發現上述問題可藉由使用可印刷的低黏度至高黏度氧化物介質作為去疵介質來解決，該去疵介質可在基於無水溶膠-凝膠之合成中，確切地說藉由經對稱及/或不對稱二取代至四取代的烷氧基矽烷及烷氧基烷基矽烷與a)對稱及不對稱的(有機及無機)羧酸酐或與b)強羧酸c)與變數a)與b)之組合
縮合且藉由受控凝膠化得到低黏度至高黏度的氧化物介質來製備。
取得尤其良好的方法結果，若低黏度或漿料形式的高黏度氧化物介質確切地說在基於無水溶膠-凝膠之合成中，藉由經對稱及/或不 對稱二取代至四取代的烷氧基矽烷及烷氧基烷基矽烷與a)對稱及不對稱的(有機及無機)羧酸酐i.在含硼化合物存在下及/或ii.在含磷化合物存在下或b)與強羧酸iii.在含硼化合物存在下及/或iv.在含磷化合物存在下或c)與變數a)與b)之組合v.在含硼化合物存在下及/或vi.在含磷化合物存在下
縮合且藉由受控凝膠化來製備。
關於所述本發明之氧化物介質的製備，所用烷氧基矽烷及烷氧基烷基矽烷可含有個別或不同的飽和或不飽和、分支或未分支、脂族、脂環或芳族基，其可接著在烷氧化物基團之任何所需位置藉由選自O、N、S、Cl及Br之群之雜原子官能化。
含硼介質較佳使用選自氧化硼、硼酸及硼酸酯之群之化合物製備。
若根據本發明使用含磷化合物，若含磷化合物係選自氧化磷(V)、磷酸、聚磷酸、磷酸酯及在α位及β位含有矽氧烷官能化基團之膦酸酯，獲得具有良好特性之氧化物介質。
縮合反應可如上所述在強羧酸存在下進行。
羧酸意謂以下通式之有機酸
其中化學及物理特性一方面明確由羧基決定，因為羰基(C=O)具有相對較強的吸電子效應，使得羥基中質子之鍵結強烈極化，可導致其容易釋放及在鹼性化合物存在下釋出H+離子。若具有吸電子(-I效應)之取代基存在於α-C原子上，諸如在相應鹵代酸或二羧酸中，羧酸之酸性更高。
因此，尤其適用於本發明方法之強羧酸為來自甲酸、乙酸、草酸、三氟乙酸、單氯乙酸、二氯乙酸及三氯乙酸、乙醛酸、酒石酸、順丁烯二酸、丙二酸、丙酮酸、蘋果酸、2-側氧基戊二酸之群之酸。
所述方法使得可印刷的氧化物介質能夠使用鋁、鍺、鋅、錫、鈦、鋯或鉛之醇化物/酯、乙酸鹽、氫氧化物或氧化物及其混合物以基於混合溶膠及/或凝膠之摻雜介質形式來製備。以低於化學計量比至充分化學計量比添加合適掩蔽劑、錯合劑及螯合劑使得此等混合溶膠及凝膠能夠一方面在空間上穩定且另一方面針對其縮合及凝膠化速率，而且針對流變特性受到特定影響及控制。合適掩蔽劑及錯合劑以及螯合劑為熟習此項技術者自專利申請案WO 2012/119686 A、WO2012119685 A1及WO2012119684 A中知曉。此等說明書之內容因此經由引用併入本申請案之揭示內容。
根據本發明，氧化物介質可經凝膠化得到高黏度的近似玻璃樣材料，且所得產物藉由添加合適溶劑或溶劑混合物再溶解，或藉助於高剪切混合裝置再轉變成溶膠態且允許藉由再次部分或完整結構恢復(凝膠化)而恢復得到均勻凝膠。
已證明在未添加增稠劑的情況下調配高黏度氧化物介質尤其有利。以此方式，根據本發明獲得呈墨水或漿料形式之穩定氧化物介質 作為穩定儲存至少三個月時間之去疵介質。
若在製備期間將選自乙醯氧基三烷基矽烷、烷氧基三烷基矽烷、鹵基三烷基矽烷及其衍生物之群之「封端劑」添加至氧化物介質，此引起所獲得介質之穩定性的改良。在製備低黏度氧化物介質的情況下，添加封端劑使儲存穩定性顯著增加。所添加之「封端劑」不一定需要併入縮合及凝膠化反應，但實際上亦可選擇其添加時間以便其可在凝膠化完成後攪拌入所得漿料材料，其中封端劑與網中存在之反應性端基(諸如矽烷醇基)起化學反應且因此防止其進行以不受控制及不希望有的方式出現的其他縮合事件。
根據本發明製備之氧化物介質可視稠度而定，藉由旋塗或浸塗、滴鑄、簾式或狹縫型擠壓式塗佈、網版或柔版印刷、凹版印刷、噴墨或氣溶膠噴射印刷、平版印刷、微接觸印刷、電流體動力學分配、輥塗或噴塗、超音波噴塗、管噴射、雷射轉移印刷、移印或滾網印刷來印刷。
相應製備之氧化物介質特別適用於生產PERC、PERL、PERT、IBC太陽能電池及其他，其中太陽能電池具有其他架構特徵，諸如MWT、EWT、選擇性發射體、選擇性前表面場、選擇性背表面場及雙面性，或用於生產薄的緻密玻璃層，其由於熱處理而在LCD技術中充當鈉及鉀擴散阻障；詳言之用於生產顯示器之防護玻璃罩上的由摻雜SiO2組成之薄的緻密玻璃層，其防止離子自防護玻璃罩擴散至液晶相中。
本發明因此亦關於根據本發明製備之新穎氧化物介質，其已藉由上述方法製備，且包含在製備期間經由使用鋁、鍺、鋅、錫、鈦、鋯或鉛之醇化物或酯、乙酸鹽、氫氧化物或氧化物產生的SiO2-P2O5、SiO2-B2O3、SiO2-P2O5-B2O3及SiO2-Al2O3-B2O3及/或更高級混合物之群之二元系統或三元系統。如上文已述，以低於化學計量比至充 分化學計量比添加合適掩蔽劑、錯合劑及螯合劑使得此等混合溶膠能夠一方面在空間上穩定且另一方面針對其縮合及凝膠化速率，而且針對流變特性受到特定影響及控制。適用於此目的之掩蔽劑及錯合劑以及螯合劑為熟習此項技術者自專利申請案WO 2012/119686 A、WO2012119685 A1及WO2012119684 A中所知曉。
以此方式獲得之氧化物介質使得能夠在矽晶圓上產生耐操作及磨蝕之層。此可在以下方法中進行：其中藉由本發明之方法製備且印刷在表面上之氧化物介質藉助於依次進行之一或多個加熱步驟(藉由階梯函數加熱)及/或加熱斜坡在50℃與750℃之間、較佳在50℃與500℃之間、尤其較佳在50℃與400℃之間的溫度範圍中乾燥且壓實以便玻璃化，形成厚度高達500nm之耐操作及磨蝕層。
在本發明之氧化物介質乾燥及壓實後以及在矽晶圓藉助於該等氧化物介質可能的摻雜後所獲得之玻璃層可用包含氫氟酸及視情況選用之磷酸的混合酸以無殘餘物方式蝕刻得到疏水性矽表面，其中所用蝕刻混合物可包含濃度為0.001重量%至10重量%之氫氟酸或0.001重量%至10重量%之氫氟酸與0.001重量%至10重量%之磷酸之混合物作為蝕刻劑。經乾燥及壓實之摻雜玻璃可此外使用蝕刻混合物自晶圓表面移除。蝕刻混合物可為組合物，諸如經緩衝之氫氟酸混合物(BHF)、經緩衝之氧化物蝕刻混合物、由氫氟酸及硝酸組成之蝕刻混合物，諸如所謂P蝕刻劑、R蝕刻劑、S蝕刻劑或包含氫氟酸及硫酸之蝕刻混合物，其中此清單的主張並不完全。
所產生之層在範圍介於500℃與800℃之間、尤其較佳介於600℃與750℃之間的高溫下處理後，在存在及不存在擴散(去疵擴散)的情況下獲得所需且有利的去疵效應。
印刷於矽晶圓表面上之氧化物介質在乾燥及壓實後在基板未摻雜的情況下對經印刷之矽有利地施加去疵效應，且同時對少數電荷載 流子之壽命具有正面影響。
令人驚訝的是，藉由溶膠-凝膠法製備且在此可獲得的本發明之可印刷的黏性氧化物介質可解決開篇描述的問題。出於本發明之目的，此等氧化物介質亦可藉助於合適添加劑調配為可印刷的摻雜介質。此亦意謂此等新穎氧化物介質可基於溶膠-凝膠法合成且必要時進一步調配。
溶膠及/或凝膠之合成可藉由添加不含水之縮合引發劑，諸如羧酸酐及/或強羧酸而受到特定控制。黏度因此可經由添加化學計量之例如酸酐加以控制。二氧化矽粒子之交聯度可藉由超化學計量的添加來調節，使得能夠形成高度膨脹的網。在交聯度相對較低的情況下，所得墨水具有低黏度且為可印刷的且可藉助於多種印刷方法施用於表面，較佳施用於矽晶圓表面。
合適印刷方法可如下：
旋塗或浸塗、滴鑄、簾式或狹縫型擠壓式塗佈、網版或柔版印刷、凹版印刷或噴墨或氣溶膠噴射印刷、平版印刷、微接觸印刷、電流體動力學分配、輥塗或噴塗、超音波噴塗、管噴射、雷射轉移印刷、移印、網版印刷及滾網印刷。
此清單並不完全，且其他印刷方法亦可為合適的。
此外，本發明之去疵材料的特性可藉由添加其他添加劑而更特定調整，使其理想地適於特定印刷方法及施用於某些表面，使其與該等表面可強烈地相互作用。以此方式可特定設定以下特性：諸如表面張力、黏度、濕潤行為、乾燥行為及黏著能力。視所製備之去疵材料的要求而定，亦可添加其他添加劑。此等添加劑可為：˙影響濕潤及乾燥行為之界面活性劑、表面活性化合物，˙影響乾燥行為之消泡劑及脫氣劑，˙影響粒度分佈、預縮合程度、縮合、濕潤及乾燥行為以及印刷 行為之其他高沸點及低沸點極性質子性及非質子性溶劑，˙影響粒度分佈、預縮合程度、縮合、濕潤及乾燥行為以及印刷行為之其他高沸點及低沸點非極性溶劑，˙影響流變特性之粒子添加劑，˙影響在乾燥後所得乾燥膜厚度以及其形態之粒子添加劑(例如氫氧化鋁及氧化鋁、二氧化矽)，˙影響乾燥膜之耐擦傷性的粒子添加劑(例如氫氧化鋁及氧化鋁、二氧化矽)，˙用於混合溶膠調配之硼、鎵、矽、鍺、鋅、錫、磷、鈦、鋯、釔、鎳、鈷、鐵、鈰、鈮、砷、鉛及其他之氧化物、氫氧化物、鹼性氧化物、烷氧化物、預縮合烷氧化物，˙尤其用於調配對半導體(尤其矽)具有摻雜作用之調配物的硼及磷之簡單及聚合氧化物、氫氧化物、烷氧化物。
在此方面，顯然每一印刷-塗佈方法構成其自身對待印刷墨水及/或由該墨水產生之漿料的要求。關於相應印刷方法所單獨設定之參數通常為諸如墨水或由其產生之漿料之表面張力、黏度及總蒸汽壓力之彼等參數。
除用作去疵材料之外，可印刷介質可用作擦傷保護及腐蝕保護層，例如用於金屬行業中之組件生產，較佳用於電子行業，且此處尤其用於微電子、光伏打及微機電(MEMS)組件之製造。在此方面，光伏打組件尤其意謂太陽能電池及模組。此外，在電子行業中之應用特徵為在以實例方式提及(但並不全面)之以下領域中使用該等墨水及漿料：由薄膜太陽能模組製造薄膜太陽能電池、生產有機太陽能電池、生產印刷電路及有機電子設備、基於薄膜電晶體(TFT)、液晶(LCD)、有機發光二極體(OLED)及觸敏電容及電阻性感測器之技術生產顯示元件。
根據本發明施用墨水或漿料在矽表面上理想地形成薄的均勻的膜或層，其甚至在乾燥及壓實後形成光滑表面。在極粗糙的表面(諸如彼等紋理化矽晶圓表面)上，此更有要求，且必須使用經調整之施用法。
亦可以簡單方式施用於有需要的表面且宜插入生產方法中之合適去疵介質必須符合多種要求。詳言之，起始物質之純度代表迄今出於此目的已知的材料中之問題。
一般，漿料調配所需的助劑及此處特別是聚合黏合劑代表難以控制的污染源，且對矽晶圓之效能及其壽命具有不利影響。
通常用於調配漿料所添加之黏合劑一般極困難或甚至不可能以化學方式純化或其無金屬痕量元素負擔。其嘗試純化較多且由於高成本，代表在競爭性生產方法之情形中的問題。此等助劑因此代表恆定的污染源，藉助於此等助劑強烈促成不希望有的金屬物質形式的污染。
在應用過程中，在延長介質儲存期時出現其他缺點。延長儲存導致例如其在網版印刷網版上聚結或其迅速部分乾燥(乾透)，其使得在晶圓熱處理後必需複雜地移除殘餘物。由於污染一般限制載流子壽命，甚至黏附於晶圓表面藉由急劇增加晶圓表面之複合率而導致其還原。
令人驚訝的是，此等問題可藉由本發明，更確切地說藉由本發明之可印刷的黏性氧化物介質來解決，該等氧化物介質可藉由溶膠凝膠法來製備。在本發明的過程中，此等氧化物介質可製備為可印刷的去疵材料。詳言之，相應調整之製備及最佳化合成方法使得可印刷的去疵介質之製備能夠˙具有卓越的儲存穩定性，˙顯示出卓越的印刷效能，防止在網版上聚結及結塊， ˙具有極低的固有金屬物質污染負擔且因此不會不利地影響經處理矽晶圓之壽命，˙有助於極均勻的印刷經處理之矽晶圓，同時形成光滑表面，及˙由於製備，不包含任何習知增稠劑。
本發明之描述使得熟習此項技術者能夠綜合應用本發明。即使沒有其他註解，仍因此假定熟習此項技術者應能夠以最寬範疇利用以上描述。
若存在任何不明了，顯然應查閱所引用之公開案及專利文獻。因此，此等文獻視為本發明描述之揭示內容的一部分。
為了更好理解且為了說明本發明，下文給出在本發明之保護範疇內的實例。此等實例亦用來說明可能的變化形式。然而，由於所述本發明原理之一般正確性，實例並不適於將本申請案之保護範疇縮小至僅此等實例。
此外，熟習此項技術者顯然知曉在給出之實例中以及其餘描述中，組合物中存在之組分量以全部組合物計始終僅合計達100重量%、莫耳%或體積%，且不能超出此值，即使更高值可由指定百分比範圍產生。除非另外指明，否則%資料因此視為重量%、莫耳%或體積%。
在實例及描述以及技術方案中給出之溫度始終以℃為單位。
實例 實例1：
有意地藉助於經鐵污染的溶液處理在一側拋光的p型晶圓(分成大小相等的片)，該p型晶圓具有在5×1014cm-3之注射密度下所量測的大於或等於800μs之壽命(使用濕式化學甲醇/醌氫醌鈍化法及準靜態光導電性量測法)。為此，將0.1g三氯化鐵六水合物溶解於85g水、12g 過氧化氫及1.25g乙酸中，且升溫至95℃。將晶圓在此溶液中處理10分鐘，且在此溶液中冷卻另外2小時。
若矽表面在表面上具有氧化物且因此具有矽醇基團，則該矽表面對鐵氧離子具有高度吸附性。吸附的離子可因為隨後的高溫處理而滲透氧化物薄層，且進入矽體積中。已知鐵可在氧化物界面上分離且可非常容易地在矽表面上自鐵矽化物分離。此等矽化物代表污染源及污染槽。儘管有此矽化物形成及作為槽之相關部分功能，但不知道其可以使得已擴散進入矽體積之鐵可由於作為槽之作用而完全移除的方式起作用。可能存在於表面上之矽化物(即使其可充當槽)對所觀察到的壽命具有影響，因為表面污染物由於增加表面複合率降低矽之少數電荷載流子的有效壽命。鐵為以適度快的速率在矽中擴散的污染物之一，且在p型矽中具有極大的少數電荷載流子、電子之捕獲截面，其壽命可藉助於光電導性量測值由其在照射後之衰減函數來測定。
晶圓隨後在馬弗爐中在900℃下處理五分鐘以便吸附在表面上之鐵注入矽。藉助於濕式化學甲醇/醌氫醌鈍化法及準靜態光導電性量測法量測經處理晶圓之壽命且在5×1014cm-3之注射密度下讀出。壽命為3μs且因此與起始位置相比短約170倍。
在此處理之後，藉助於在2000rpm下旋塗30秒，在晶圓片兩側均塗佈根據實例2及3(兩個實驗系列，不交叉)之去疵介質。在兩側的塗層之間，用摻雜介質首先塗佈之側面在各種情況下均藉由在加熱板上在200℃短暫乾燥2分鐘來進行固定。晶圓片接著在具備玻璃-陶瓷之加熱板上在600℃下加熱(在各種情況下)漸增之持續時間。在加熱後，藉助於準靜態光電導性量測來測定仍塗有玻璃之晶圓的壽命。在5×1014cm-3之注射密度下讀出壽命。關於對照，一些晶圓藉助於稀氫氟酸(5%)蝕刻，藉助於甲醇/醌氫醌方法以濕式化學方式鈍化且再次進行壽命測定。
圖1展示經污染之矽晶圓片的壽命量測值，其受鐵污染且根據技術方案8在兩側用含硼摻雜介質塗佈。壽命作為在600℃下之加熱持續時間的函數來記錄(之前=起始情況，壽命為3μs)。作為加熱持續時間之函數的壽命增加清楚明顯。
圖2展示經污染之矽晶圓片的壽命量測值，其受鐵污染且根據技術方案8在兩側用含磷摻雜介質塗佈。壽命作為在600℃下之加熱持續時間的函數來記錄(之前=起始情況，壽命為3μs)。作為加熱持續時間之函數的壽命增加清楚明顯。
圖3展示矽晶圓片在用鐵有意污染，隨後用去疵介質塗佈且隨後加熱後之壽命與其在600℃下之暴露時間的相關性。壽命作為處理持續時間之函數由於本發明之介質的去疵效應而增加清楚明顯。
根據本發明之介質明顯地展現去疵效應，亦即污染物自矽體積中移除且進入去疵介質之玻璃層中。因此，矽片之有效壽命顯著增加。如通常所描述，根據本發明之介質之去疵作用在該情況下與去疵擴散之作用沒有關聯。去疵作用依賴於溫度，因為此以指數相關性影響矽中鐵的擴散係數。
實例2
在250ml圓底燒瓶中藉由短暫加熱將已經在乾燥器中乾燥之5.8g原磷酸溶解於10g乙酸酐中。在攪拌下將此溶液緩慢地逐滴添加至19.4g原矽酸四乙酯中。在攪拌及100℃恆定升溫下蒸餾出所形成的乙酸乙酯。為了調節黏度，可添加另外的1-10g乙酸酐。為了終止反應，隨後添加25-50g質子性溶劑(例如分支及未分支、脂族、環狀、飽和及不飽和以及芳族單、二、三及多元醇(醇類)；以及乙二醇，其單醚及單乙酸酯及其類似物；丙二醇，其單醚及單乙酸酯；以及該等溶劑在任何所需體積及/或重量混合比率下之二元、三元、四元及更多元混合物，其中該等質子性溶劑可按需要與極性及非極性非質子性 溶劑組合；術語溶劑未明確侷限於在室溫下呈液體物理狀態之物質)。對所得墨水之31P-NMR研究更清楚地顯示，磷物質結合至SiO2網狀結構中。
實例3：
在70℃在250ml圓底燒瓶中在攪拌下將已經在乾燥器中預乾燥之3.6g硼酸溶解於12.5g四氫呋喃中。在攪拌下添加12.3g乙酸酐，且隨後逐滴緩慢添加19.4g原矽酸四乙酯。當原矽酸四乙酯的添加完成時，將溶液升溫至100℃且清除揮發性溶劑。隨後添加55g質子性溶劑(例如分支及未分支、脂族、環狀、飽和及不飽和以及芳族單、二、三及多元醇(醇類)；以及乙二醇，其單醚及單乙酸酯及其類似物；丙二醇，其單醚及單乙酸酯；以及該等溶劑在任何所需體積及/或重量混合比率下之二元、三元、四元及更多元混合物，其中該等質子性溶劑可按需要與極性及非極性非質子性溶劑組合；術語溶劑未明確侷限於在室溫下呈液體物理狀態之物質)。將所得混合物回流直至形成完全澄清的溶液。
亦可使用原矽酸四乙酯與三異丁醇鋁之混合物替代性地合成墨水形式之氧化物介質。用三異丁醇鋁部分取代原矽酸四乙酯可導致必需添加低於化學計量之量的複合配位體，例如乙醯丙酮、水楊酸、2,3-二羥基苯甲酸及3,4-二羥基苯甲酸或其混合物。

Claims (17)

  1. 一種用於產生對矽晶圓具有去疵效應之耐操作及磨蝕層的方法，其特徵在於將呈氧化物介質形式的去疵介質印刷於矽晶圓表面上，該去疵介質已藉由經對稱及/或不對稱二取代至四取代的烷氧基矽烷及烷氧基烷基矽烷(其個別地含有飽和或不飽和、分支或未分支、脂族、脂環族或芳族基或含有其中多種基團)與a)對稱及不對稱的有機及混合有機/無機羧酸酐或與b)強羧酸，c)與變數a)與b)之組合之縮合及受控凝膠化製備得且藉由受控凝膠化得到低黏度至高黏度氧化物介質，且使該經印刷之介質藉助於依次進行之一或多個加熱步驟(藉由階梯函數加熱)及/或加熱斜坡在50℃與800℃之間、較佳在50℃與500℃之間的溫度範圍中乾燥且壓實以便玻璃化，且該溫度視情況在升高後隨後保持在500至800℃之範圍內，較佳在600至750℃之範圍內數秒至一分鐘，導致形成厚度高達500nm之耐操作及磨蝕層。
  2. 如請求項1之方法，其中印刷於該等矽晶圓表面上之該等氧化物介質在乾燥及壓實後在基板未摻雜下對該經印刷之矽施加去疵效應且改良少數電荷載流子之壽命。
  3. 如請求項2之方法，其中用高黏度去疵介質印刷矽晶圓，該介質在其熱壓實及玻璃化後充當針對磷及硼擴散之擴散阻障。
  4. 如請求項1之方法，其中利用使用選自氧化硼、硼酸及硼酸酯之群之含硼化合物及/或選自氧化磷(V)、磷酸、聚磷酸、磷酸酯及在α位及/或β位含有矽氧烷官能化基團之膦酸酯之群的含磷化合 物製備的去疵介質。
  5. 如請求項4之方法，其中該等表面上該等經玻璃化之層藉由在範圍介於750℃與1100℃之間、較佳介於850℃與1100℃之間的溫度下的溫度處理來釋放諸如硼及/或磷之矽摻雜原子至該基板，影響該基板之導電性。
  6. 如請求項1、4及5中任一項之方法，其中由於該經印刷之基板在範圍介於750℃與1100℃之間、較佳介於850℃與1100℃之間的溫度下的該溫度處理，該等摻雜劑經輸送至多達1μm之深度，且在大於或等於1×1021個原子/立方公分之該摻雜劑之表面濃度下產生高達10Ω/sqr之電薄片電阻率。
  7. 如請求項1、4、5及6中任一項之方法，其中在該等經處理之基板上之寄生摻雜的濃度與有意摻雜區域之摻雜相差至少十的二次冪。
  8. 如請求項1至7中任一項之方法，其中該去疵介質係印刷於親水性及/或疏水性矽晶圓表面上。
  9. 如請求項1至8中任一項之方法，其中該去疵介質係使用經對稱及/或不對稱二取代至四取代的烷氧基矽烷及烷氧基烷基矽烷來製備，該等烷氧基矽烷及烷氧基烷基矽烷個別地含有飽和或不飽和、分支或未分支、脂族、脂環族或芳族基或含有多種此等基團，其可接著在該烷氧化物基團或烷基之任何所需位置藉由選自O、N、S、Cl、Br之群之雜原子官能化。
  10. 如請求項1至9中任一項之方法，其中用於製備該等去疵介質之該等強羧酸為來自甲酸、乙酸、草酸、三氟乙酸、單氯乙酸、二氯乙酸及三氯乙酸、乙醛酸、酒石酸、順丁烯二酸、丙二酸、丙酮酸、蘋果酸、2-側氧基戊二酸之群之酸。
  11. 如請求項1至10中任一項之方法，其中該等可印刷的去疵介質係 使用鋁、鍺、鋅、錫、鈦、鋯或鉛之醇化物/酯、乙酸鹽、氫氧化物或氧化物及其混合物基於混合溶膠及/或凝膠來製備。
  12. 如請求項1至11中任一項之方法，其中該去疵介質經凝膠化得到高黏度的近似玻璃樣材料，且所獲得之產物藉由添加合適溶劑或溶劑混合物再溶解，或藉助於高剪切混合裝置轉變成溶膠態且藉由部分或完整結構恢復(凝膠化)轉化為均勻凝膠。
  13. 如請求項1至12中任一項之方法，其中藉由個別地或以混合物形式添加選自乙醯氧基三烷基矽烷、烷氧基三烷基矽烷、鹵基三烷基矽烷及其衍生物之群之「封端劑」至該去疵介質來改良穩定性。
  14. 如請求項1至13中任一項之方法，其中所用之該去疵介質係在未添加增稠劑的情況下調配成為高黏度氧化物介質。
  15. 一種以如請求項1、4、10至14中任一項之方法製備之呈可印刷的氧化物介質形式的去疵介質，其包含在該製備期間經由使用鋁、鍺、鋅、錫、鈦、鋯或鉛之醇化物/酯、乙酸鹽、氫氧化物或氧化物產生的SiO2-Al2O3及/或更高級混合物之群之二元系統或三元系統。
  16. 一種如請求項14或15之可印刷的去疵介質之用途，其係在用於光伏打、微電子、微機械及微光學應用之矽晶圓的處理方法中用於產生擴散阻障。
  17. 一種如請求項14或15之去疵介質的用途，其係用於生產PERC、PERL、PERT、IBC太陽能電池及其他，其中該等太陽能電池具有其他架構特徵，諸如MWT、EWT、選擇性發射體、選擇性前表面場、選擇性背表面場及雙面性。
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