TW201434150A

TW201434150A - 有機發光顯示設備及其製造方法

Info

Publication number: TW201434150A
Application number: TW102133654A
Authority: TW
Inventors: Jeong-Hun Kim
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2013-02-28
Filing date: 2013-09-17
Publication date: 2014-09-01
Also published as: US20140239266A1; US9209234B2; KR20140108024A; CN104022137A

Abstract

在製造過程中大幅降低其瑕疵率之有機發光顯示設備包括具有第一子像素區域、第二子像素區域及第三子像素區域之基板；及覆蓋第一子像素區域、第二子像素區域及第三子像素區域之平坦化層，使得基板及位在第一子像素區域之中心處之平坦化層之上表面之間之距離大於基板及位在第二子像素區域之中心處之平坦化層之上表面之間之距離，或大於基板及位在第三子像素區域之中心處之平坦化層之上表面之間之距離。本發明亦揭露一種製造有機發光顯示設備之方法。

Description

有機發光顯示設備及其製造方法

相關申請案之交互參照

【0001】

本申請案係主張2013年2月28日提申於韓國智慧財產局之韓國專利申請案第10-2013-0022445號的優先權及效益，其整體內容係併於此作為參考。

【0002】

以下說明係關於一種有機發光顯示設備及製造有機發光顯示設備之方法，更精確地說，是關於一種在製造過程中大幅降低其瑕疵率之有機發光顯示設備以及製造此有機發光顯示設備之方法。

【0003】

有機發光顯示設備代表具有子像素之顯示設備，各子像素具有一個有機發光裝置(OLED)，其包括彼此相對之兩個電極及插設於電極間之中間層，且中間層包括發光層(EML)。有機發光顯示設備藉由使用薄膜電晶體(TFT)控制各子像素之發光及各子像素的發光量。一般而言，有機發光顯示設備具有設置於基板上之複數個薄膜電晶體、以及位在各薄膜電晶體上且與其電性連接之有機發光裝置。

【0004】

然而，當各子像素之中間層形成或是當各子像素必須透過複雜程序形成時，傳統有機發光顯示設備之製造過程具有高瑕疵率之問題。舉例來說，為了在相對應子像素區域上沉積不同發光材料，使用具有對應於子像素之小貫通孔之遮罩。然而，隨著有機發光顯示設備之解析度提高，遮罩中之貫通孔變得更小且設置得更密集，使沉積發光材料更困難且可能無法準確地實行沉積。

【0005】

本發明之一態樣係針對一種在製造過程中大幅降低其瑕疵率之有機發光顯示設備及製造有機發光顯示設備之方法。然而，其將被本領域中具有通常知識者理解的是，可進行各種形式及細節上之修改，而不脫離本發明之精神與範疇。

【0006】

根據本發明之實施例，一種有機發光顯示設備包括具有第一子像素區域、第二子像素區域及第三子像素區域之基板；覆蓋第一子像素區域、第二子像素區域及第三子像素區域之平坦化層，使得基板及位在第一子像素區域之中心處之平坦化層之上表面之間之距離大於基板及位在第二子像素區域之中心處之平坦化層之上表面之間之距離，或大於基板及位在第三子像素區域之中心處之平坦化層之上表面之間之距離；以及在第一子像素區域中設置於平坦化層上之第一子像素電極、在第二子像素區域中設置於平坦化層上之第二子像素電極、及在第三子像素區域中設置於平坦化層上之第三子像素電極。

【0007】

有機發光顯示設備可進一步包括設置在平坦化層上且延伸橫跨第一子像素區域及第二子像素區域，且橫跨第二子像素區域及第三子像素區域之像素定義層(PDL)，以覆蓋第一子像素電極、第二子像素電極及第三子像素電極之邊緣。

【0008】

基板及延伸橫跨第一子像素區域及第二子像素區域以覆蓋第一子像素電極之邊緣及第二子像素電極之邊緣之像素定義層之部分之上表面之間之距離可相等於基板及延伸橫跨第二子像素區域及第三子像素區域以覆蓋第二子像素電極之邊緣及第三子像素電極之邊緣之像素定義層之部分之上表面之間之距離。

【0009】

平坦化層可形成使得基板及位在第一子像素區域之中心處之平坦化層之上表面之間之距離可大於基板及位於第一子像素區域之邊緣之平坦化層之上表面之間之距離。

【0010】

第一子像素電極在第一子像素區域之中心處可設置於平坦化層之上表面上。

【0011】

位在延伸橫跨第一子像素區域及第二子像素區域之像素定義層之部分上，像素定義層之上表面及由像素定義層覆蓋之第二子像素電極之部分之上表面之間之距離可大於像素定義層之上表面及由像素定義層覆蓋之第一子像素電極之部分之上表面之間之距離。

【0012】

第一子像素電極可覆蓋位在第一子像素區域之邊緣之平坦化層之上表面之至少一部分且可覆蓋位在第一子像素區域之中心處之平坦化層之上表面。

【0013】

延伸橫跨第一子像素區域及第二子像素區域之像素定義層之部分可覆蓋第一子像素區域之邊緣之第一像素電極之部分。

【0014】

有機發光顯示設備可進一步包括第二發光層(第二發光層(EML))，第二發光層(第二發光層(EML))設置在延伸橫跨第一子像素區域及第二子像素區域之像素定義層之部分之上表面上、在未被像素定義層覆蓋之第二子像素電極之至少一部分上、及在延伸橫跨第二子像素區域及第三子像素區域之像素定義層之部分之上表面上；以及第一發光層(EML)，第一發光層(EML)設置在延伸橫跨第一子像素區域及第二子像素區域之像素定義層之部分之上表面上之第二發光層之上表面上、在未被像素定義層覆蓋之第一子像素電極之至少一部分上、及在延伸橫跨第二子像素區域及第三子像素區域之像素定義層之部分之上表面上之第二發光層(EML)之上表面上。

【0015】

在延伸橫跨第一子像素區域及第二子像素區域之像素定義層之部分上之第二發光層之上表面以及第一子像素電極之中心處之上表面之間之階差可等於在延伸橫跨第一子像素區域及第二子像素區域之像素定義層之部分上之第二發光層之底表面以及第二子像素電極之中心處之上表面之間之階差。

【0016】

有機發光顯示設備可進一步包括插設於第二發光層及像素定義層之間、第二發光層及第二子像素電極之間、第一發光層及像素定義層之間、以及第一發光層及第一子像素電極之間，且覆蓋未被像素定義層覆蓋之第三子像素電極之至少一部分之第三發光層。

【0017】

根據本發明之另一實施例，製造有機發光顯示設備之方法包括運作製備具有第一子像素區域、第二子像素區域及第三子像素區域之基板；形成覆蓋第一子像素區域、第二子像素區域及第三子像素區域之平坦化層，使得基板及位在第一子像素區域之中心處之平坦化層之上表面之間之距離大於基板及位在第二子像素區域之中心處之平坦化層之上表面之間之距離，或大於基板及位在第三子像素區域之中心處之平坦化層之上表面之間之距離；以及在第一子像素區域中形成設置於平坦化層上之第一子像素電極、在第二子像素區域中形成設置於平坦化層上之第二子像素電極及在第三子像素區域中形成設置於平坦化層上之第三子像素電極。

【0018】

方法可進一步包括運作形成設置於平坦化層上且延伸橫跨第一子像素區域及第二子像素區域，及橫跨第二子像素區域及第三子像素區域之像素定義層(PDL)，以覆蓋第一子像素電極、第二子像素電極及第三子像素電極之邊緣。

【0019】

可執行形成像素定義層之運作，使得基板及延伸橫跨第一子像素區域及第二子像素區域以覆蓋第一子像素電極之邊緣及第二子像素電極之邊緣之像素定義層之部分之上表面之間之距離可等於基板及延伸橫跨第二子像素區域及第三子像素區域以覆蓋第二子像素電極之邊緣及第三子像素電極之邊緣之像素定義層之部分之上表面之間之距離。

【0020】

可執行形成像素定義層之運作，使得基板及位在第一子像素區域之中心處之平坦化層之上表面之間之距離可大於基板及位於第一子像素區域之邊緣之平坦化層之上表面之間之距離。

【0021】

第一子像素電極可覆蓋位於第一子像素區域之邊緣之平坦化層之上表面之至少一部分且可覆蓋位於第一子像素區域之中心處之平坦化層之上表面。

【0022】

可執行形成像素定義層之運作，使得延伸橫跨第一子像素區域及第二子像素區域之像素定義層之部分可覆蓋位於第一子像素區域之邊緣之第一子像素電極之一部分。

【0023】

方法可進一步包括運作形成第二發光層(第二發光層(EML))，第二發光層(第二發光層(EML))設置在延伸橫跨第一子像素區域及第二子像素區域之像素定義層之部分之上表面上、未被像素定義層覆蓋之第二子像素電極之至少一部份上、及在延伸橫跨第二子像素區域及第三子像素區域之像素定義層之部分之上表面上；以及形成第一發光層，第一發光層設置在延伸橫跨第一子像素區域及第二子像素區域之像素定義層之部分之上表面上之第二發光層之上表面上、未被像素定義層覆蓋之第一子像素電極之至少一部分上、及在延伸橫跨第二子像素區域及第三子像素區域之像素定義層之部分之上表面上之第二發光層之上表面上。

【0024】

在延伸橫跨第一子像素區域及第二子像素區域之像素定義層之部分上之第二發光層之上表面及第一子像素電極之中心處之上表面之間之階差，可等於在延伸橫跨第一子像素區域及第二子像素區域之像素定義層之部分上之第二發光層之底表面及第二子像素電極之中心處之上表面之間之階差。

【0025】

方法可進一步包括運作形成第三發光層，第三發光層覆蓋未被像素定義層覆蓋之第一子像素電極之一部分、未被像素定義層覆蓋之第二子像素電極之一部分、未被像素定義層覆蓋之第三子像素電極之一部分及像素定義層之上表面。

A1．．．第一子像素區域

A2．．．第二子像素區域

A3．．．第三子像素區域

110．．．基板

115．．．緩衝層

130．．．閘極絕緣層

140．．．層間絕緣層

150．．．保護層

160．．．平坦化層

170．．．像素定義層

170’．．．圖樣化像素定義層

200．．．薄膜電晶體

210．．．半導體層

220．．．閘極電極

230．．．源極及汲極電極

301．．．第一子像素

302．．．第二子像素

303．．．第三子像素

311．．．第一子像素電極

312．．．第二子像素電極

313．．．第三子像素電極

321、321a．．．第一發光層

322、322a．．．第二發光層

323．．．第三發光層

311’．．．邊緣

321’．．．虛擬第一發光層

322’．．．虛擬第二發光層

330．．．相反電極

1712、1712’、1723、1723’、1731、1731’．．．部分

321b、322b．．．基底膜

d1、d2、d12、d23、d31、d101、d102、d103、h1、h2．．．距離

【0026】

本發明之上述及其他特徵及優點將藉由參考附圖詳細說明其例示性實施例而變得更顯而易見，其中：

【0027】

第1圖至第8圖為根據本發明之實施例描繪製造有機發光顯示設備之程序之各種作動之剖面圖；

【0028】

第9圖為根據本發明之實施例之有機發光顯示設備之剖面圖；

【0029】

第10圖為根據本發明之另一實施例之有機發光顯示設備之剖面圖；

【0030】

第11圖為根據本發明之另一實施例說明製造有機發光顯示設備之程序之剖面圖；

【0031】

第12圖為根據本發明之另一實施例之有機發光顯示設備之剖面圖。

【0032】

本發明現將參考其中示出本發明之例示性實施例之附圖而更詳細地說明。然而，本發明可以不同形式實現且不應詮釋為以所列實施例為限；反之，提供這些實施例以使此公開將更徹底及完整，且將充分傳達本發明概念予以此領域具有通常知識者。附圖中，層及區域之厚度可為清楚起見而誇大或縮小。舉例來說，附圖中元件之厚度及尺寸為了方便說明而任意示出，因此，本發明之精神與範疇不需由附圖所定義。

【0033】

通篇說明書中，亦將被理解的是當元件如層、膜、區域或基板被提及位於另一元件「上」，其可直接位於另一元件上，或亦可能存在中間元件。

【0034】

如此處所用，術語「及/或」包括一或多個相關所列物件之任何及所有組合。表述如「至少其一」，當前綴於所列元件之前，其修飾全部所列之元件且不修飾所列之個別元件。

【0035】

第1圖至第8圖為根據本發明之實施例描繪製造有機發光顯示設備之製程之各種作動之剖面圖。

【0036】

根據製造有機發光顯示設備之方法，首先，製備基板110。基板110具有第一子像素區域A1，第二子像素區域A2及第三子像素區域A3。一組第一子像素區域A1，第二子像素區域A2及第三子像素區域A3可構成一個像素區域。基板110可具有複數個像素區域。在一個實施例中，第一子像素區域A1為其中形成發出紅色光的子像素之區域，第二子像素區域A2為其中形成發出綠色光的子像素之區域，且第三子像素區域A3為其中形成發出藍色光的子像素之區域。此處，根據有機發光顯示設備之結構，第一子像素區域A1及第二子像素區域A2可為其中形成發出藍色混合光的子像素之區域。

【0037】

基板110可由各種適合的材料形成，如玻璃材料、金屬材料、或包括聚乙二醇對苯二甲酸酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚亞醯氨等之塑膠材料。薄膜電晶體200可設置於基板110上。在一實施例中，在薄膜電晶體200形成前，另一層如緩衝層115形成在基板110上。如所示，緩衝層115可形成於基板110的整個表面上或可圖樣化形成。

【0038】

緩衝層115可具有其中各種適合材料包括聚乙二醇對苯二甲酸酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚丙烯酸酯、聚亞醯氨及/或其類似物以單層或多層排列堆疊之結構。此處，緩衝層115可以氧化矽或氮化矽形成，或可形成作為包括有機材料及/或無機材料之複合層。

【0039】

薄膜電晶體200可控制各子像素之發光或當各子像素發光時可控制發光量。薄膜電晶體200可包括半導體層210、閘極電極220及源極及汲極電極230。

【0040】

半導體層210可以非晶矽層、氧化矽層、或多晶矽層形成，或可以有機半導體材料形成。在一實施例中，半導體層210包括以摻雜物摻雜之源極區域及汲極區域、以及通道區域。

【0041】

半導體層210可以閘極絕緣層130覆蓋，且閘極電極220可設置在閘極絕緣層130上。一般而言，閘極絕緣層130可覆蓋基板110之整個表面。在一實施例中，閘極絕緣層130藉著圖樣化形成。考量到相鄰層的結合力及堆疊目標層之表面平坦度及成形性，閘極絕緣層130可以氧化矽、氮化矽或其他絕緣有機或無機材料形成。閘極電極220可以包括鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、及銅(Cu)、或其適合合金之至少其一之單一或複合材料層形成。

【0042】

閘極電極220及閘極絕緣層130可以由氧化矽、氮化矽及/或其他適合之絕緣有機或無機材料形成之層間絕緣層140覆蓋。在這方面，閘極絕緣層130及層間絕緣層140之一部分可被移除，且在移除以暴露半導體層210之預定區域後形成接觸孔。源極及汲極電極230可透過接觸孔接觸半導體層210。考量到導電性，源極及汲極電極230可由包括鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、和銅(Cu)或其適合合金之至少之一之單一或複合材料層形成。

【0043】

薄膜電晶體200可由以氧化矽、氮化矽及/或其他適合之絕緣有機或無機材料形成之保護層150覆蓋。保護層150覆蓋基板110整個或局部部分。如所示，由於具有複合層結構之薄膜電晶體200設置在保護層150之下，保護層150之上表面可能不夠平坦。因此，如所示，必須在保護層150上形成平坦化層160使得保護層150可具有足夠平坦的上表面。

【0044】

平坦化層160覆蓋第一子像素區域A1、第二子像素區域A2及第三子像素區域A3。此處，平坦化層160形成使得位於第一子像素區域A1之中心處之平坦化層160之上表面相較於各別位於第二子像素區域A2及第三子像素區域A3之中心處之平坦化層160之上表面距離基板110更遠。換言之，如所示，平坦化層160形成使得位在第一子像素區域A1之中心處之基板110之上表面及平坦化層160之上表面之間之距離d1大於位在第二及第三子像素區域A2及A3之其中之一之中心處之基板110之上表面及平坦化層160之上表面之間之距離d2。

【0045】

平坦化層160可藉由使用各種適合的方法形成。舉例來說，平坦化層可形成同時使得位在第一、第二及第三子像素區域A1、A2及A3之中心處之基板110之上表面與平坦化層之上表面之間之距離為相等的，且接著用於平坦化層之另外材料層可形成在第一子像素區域A1之中心處。另外，平坦化層160可形成使得位在第一、第二及第三子像素區域A1、A2及A3之中心處之基板110之上表面與平坦化層之上表面之間之距離為相等的，且接著除了第一子像素區域A1之中心處以外之平坦化層之部分可被暴露且移除。此處，當平坦化層160一旦藉由使用半色調遮罩實行沉積而形成時，平坦化層160可形成同時使得位在第一子像素區域A1之中心處之基板110之上表面及平坦化層160之上表面之間之距離d1大於位在第二及第三子像素區域A2及A3之其中之一之中心處之基板110之上表面及平坦化層160之上表面之間之距離d2，如第1圖中所示。

【0046】

在平坦化層160形成後，通孔可形成於保護層150及平坦化層160中，從而暴露薄膜電晶體200之源極及汲極電極230之其中之一，如第1圖所示。

【0047】

之後，如第2圖所示，第一子像素電極311、第二子像素電極312及第三子像素電極313形成於平坦化層160上。第一子像素電極311形成於第一子像素區域A1中，第二子像素電極312形成於第二子像素區域A2中且第三子像素電極313形成於第三子像素區域A3中。此處，第一子像素電極311、第二子像素電極312及第三子像素電極313可同時或同步形成。各第一子像素電極311、第二子像素電極312及第三子像素電極313可透過通孔電性連接到薄膜電晶體200。

【0048】

各第一子像素電極311、第二子像素電極312及第三子像素電極313可形成作為透明(半透射)電極或反射電極。當第一子像素電極311、第二子像素電極312及第三子像素電極313形成作為透明(半透射)電極時，其可以氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)、氧化銦鎵(IGO)或氧化鋁鋅(AZO)形成。當第一子像素電極311、第二子像素電極312及第三子像素電極313形成作為反射電極時，其可包括以銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或這些任何化合物材料所形成之反射層、以及以氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化銦(In₂O₃)形成之一層。此處，第一子像素電極311、第二子像素電極312及第三子像素電極313之配置及材料不以此為限且可變化。

【0049】

根據本實施例之製造有機發光顯示設備之方法，如上所述，平坦化層160形成使得位在第一子像素區域A1之中心處之基板110之上表面及平坦化層160之上表面之間之距離d1大於位在第二及第三子像素區域A2及A3之中心處之基板110之上表面及平坦化層160之上表面之間之距離d2。因此，基板110與形成於第一子像素區域A1中之第一子像素電極311的中心區域之上表面之間之距離大於基板110與形成於第二子像素區域A2中之第二子像素電極312的中心區域之上表面之間之距離，或大於基板110與形成於第三子像素區域A3中之第三子像素電極313的中心區域之上表面之間之距離。當發光層(EML)形成或包括發光層之中間層形成，如將於後說明之，上述特徵可為用於降低第一子像素區域A1及第二子像素區域A2中瑕疵之發生之基礎。

【0050】

在第一子像素電極311、第二子像素電極312及第三子像素電極313形成後，如第2圖及第3圖中所示，像素定義層(PDL)170形成。像素定義層(PDL)170形成同時覆蓋第一子像素電極311、第二子像素電極312及第三子像素電極313之邊緣。像素定義層(PDL)170形成於平坦化層160上，同時延伸橫跨第一子像素區域A1及第二子像素區域A2、以及橫跨第二子像素區域A2及第三子像素區域A3。此處，像素定義層(PDL)170可形成同時延伸橫跨第三子像素區域A3及另一第一子像素區域A1。

【0051】

像素定義層(PDL)170可作用以藉由具有對應各子像素之開口來定義像素，即，用以暴露各子像素之中心部分之開口。而且，像素定義層(PDL)170可提升各子像素之末端及其上之相反電極330(參考第9圖)之間之距離，因此可避免子像素末端弧形(arc)之發生。像素定義層(PDL)170可以包括適合的有機材料如聚丙烯酸酯、聚亞醯氨或其類似物，或包括適合的無機材料之單一或複合材料層所形成。

【0052】

像素定義層(PDL)170可以依藉由使用用於像素定義層(PDL)170之材料在基板110之整個表面上形成用於像素定義層(PDL)170之一層從而覆蓋第一子像素電極311、第二子像素電極312及第三子像素電極313 之方式形成，且接著用於像素定義層(PDL)170之此層係圖樣化以暴露及移除第一子像素電極311、第二子像素電極312及第三子像素電極313之中心部分。

【0053】

此處，如第2圖所示，圖樣化像素定義層(PDL)170’之上表面可能不是平坦的。換言之，因平坦化層160之上表面與第一子像素電極311及第二子像素電極312之上表面之其中之一之間的階差，延伸橫跨第一子像素區域A1及第二子像素區域A2之圖樣化像素定義層(PDL)170’之部分1712’之上表面可能不是平坦的，因平坦化層160之上表面與第二子像素電極312及第三子像素電極313之上表面之其中之一之間的階差，延伸橫跨第二子像素區域A2及第三子像素區域A3之圖樣化像素定義層(PDL)170’之部分1723’之上表面可能不是平坦的，以及因平坦化層160之上表面與第三子像素電極313及第一子像素電極311之上表面之其中之一之間的階差，延伸橫跨第三子像素區域A3及另一第一子像素區域A1之圖樣化像素定義層(PDL)170’之部分1731’之上表面可能不是平坦的。

【0054】

此外，依平坦層160之形狀而定，基板110與延伸橫跨第三子像素區域A3及其他第一子像素區域A1之圖樣化像素定義層(PDL)170’之部分1731’之上表面之間之距離可能不同於基板110與延伸橫跨第一子像素區域A1及第二子像素區域A2之圖樣化像素定義層(PDL)170’之部分1712’之上表面之間之距離。當之後藉由使用雷射引發熱成像(LITI)法形成第二發光層322(參考第5圖及第6圖)或第一發光層321(參考第7圖及第8圖)時，此差異可能造成施體膜及像素定義層(PDL)170之間不規則的接觸。

【0055】

因此，於此例中，藉由蝕刻圖樣化像素定義層170’之上表面之至少一部分，像素定義層170形成使得基板110與像素定義層170之上表面之間之距離為常數，如第3圖所示。在第3圖中，基板110之底表面與延伸橫跨第一子像素區域A1及第二子像素區域A2之像素定義層(PDL)170之部分1712之上表面之間的距離d12、基板110之底表面與延伸橫跨第二子像素區域A2及第三子像素區域A3之像素定義層(PDL)170之部分1723之上表面之間的距離d23、以及基板110之底表面與延伸橫跨第三子像素區域A3及另一第一子像素區域A1之像素定義層(PDL)170之部分1731之上表面之間的距離d31彼此相等。圖樣化像素定義層170’之上表面之至少一部分之蝕刻可藉由使用包括機械研磨法(mechanical milling method)之各種方法之其中之一來實行。

【0056】

其後，如第4圖所示，形成第三發光層323，第三發光層323覆蓋第一子像素電極311未被像素定義層170覆蓋之一部份、第二子像素電極312未被像素定義層170覆蓋之一部份、第三子像素電極313未被像素定義層170覆蓋之一部份及像素定義層170之上表面。換言之，形成第三發光層323同時覆蓋所有第一像素區域A1、第二像素區域A2及第三像素區域A3。第三發光層323可包括發出藍色光之材料。在一實施例中，當第三發光層323以小分子材料形成時，第三發光層323可藉由真空沉積形成，且當第三發光層323以高分子材料形成時，第三發光層323可藉由使用網印法(screen printing mehtod)形成。

【0057】

在形成第三發光層323後，形成第二發光層322。第二發光層322可包括發出綠色光之材料。第二發光層322可藉由雷射引發熱成像法形成。換言之，如第5圖及第6圖所示，具有其中作為第二發光層322a之材料層形成於基底膜322b上之結構之施體膜可安置在像素定義層170上使為第二發光層322a之材料層面對像素定義層170，且接著位在對應於第二子像素區域A2之位置的雷射光束可照射至施體膜，使得具有雷射光束照射於其上之第二發光層322a之材料層之一部分可從基底膜322b轉移到第二子像素電極312上。在一實施例中，施體膜進一步包括各種適合的層，如基底膜322b與第二發光層322a之材料層間之光熱轉換層(light-to-heat conversion layer)。

【0058】

透過使用雷射光束照射之上述製程，第二發光層322形成於未被像素定義層170覆蓋之第二子像素電極312之至少一部分上，且更詳細的說，第二發光層322形成於排列於第二子像素電極312上之第三發光層323之一部分上。此製程中，由於延伸橫跨第一子像素區域A1及第二子像素區域A2之像素定義層(PDL)170之部分1712之上表面及延伸橫跨第二子像素區域A2及第三子像素區域A3之像素定義層(PDL)170之部分1723之上表面接觸施體膜作為第二發光層322a之材料層，第二發光層322亦可無論雷射光束照射與否而形成於接觸部分上。

【0059】

此外，接觸施體膜之第二發光層322a之材料層之像素定義層(PDL)170之另一部分，亦即，延伸橫跨第三子像素區域A3及另一第一子像素區域A1之像素定義層(PDL)170之部分1731之上表面也可接觸施體膜作為第二發光層322a之材料層，使得虛擬第二發光層322’也可形成於接觸部分。

【0060】

其後，如第7圖及第8圖所示，形成第一發光層321。第一發光層321可包括發出紅色光之材料。第一發光層321亦可藉由使用雷射引發熱成像法形成。換言之，如第7圖所示，具有其中作為第一發光層321a之材料層形成於基底膜321b上之結構之施體膜可安置在像素定義層170上使為第一發光層321a之材料層面向像素定義層170，且接著位在對應於第一子像素區域A1之位置的雷射光束可照射至施體膜，使得具有雷射光束照射於其上之為第一發光層321a之材料層之一部分可從基底膜321b轉移至第一子像素電極311上。此處，當需要時，施體膜可進一步包括各種適合層，如基底膜321b與為第一發光層321a之材料層間之光熱轉換層。

【0061】

透過上述使用雷射光束照射之製程，第一發光層321形成於未被像素定義層170覆蓋之第一子像素電極311之至少一部分上，且更詳細的說，第一發光層321形成於排列於第一子像素電極311上之第三發光層323之一部分上。此製程中，由於延伸橫跨第三子像素區域A3及另一第一子像素區域A1之像素定義層(PDL)170之部分1731之上表面、以及延伸橫跨第一子像素區域A1及第二子像素區域A2之像素定義層(PDL)170之部分1712之上表面接觸施體膜作為第一發光層321a之材料層，第一發光層321亦可無論雷射光束照射與否而形成於接觸部分。此處，由於第二發光層322或虛擬第二發光層322’形成於像素定義層(PDL)170之接觸部分，第一發光層321在接觸部分上可形成於第二發光層322上或虛擬第二發光層322’上。

【0062】

此外，像素定義層(PDL)170接觸施體膜作為第一發光層321a之材料層之另一部分，亦即，延伸橫跨第二子像素區域A2及第三子像素區域A3之像素定義層(PDL)170之部分1723之上表面也可接觸施體膜作為第一發光層321a之材料層，使得虛擬第一發光層321’也可形成於接觸部分上。由於第二發光層322形成於像素定義層(PDL)170之對應部分，虛擬第一發光層321’可形成於形成在對應部分上之第二發光層322上。

【0063】

其後，當形成覆蓋第一子像素區域A1、第二子像素區域A2及第三子像素區域A3之相反電極330，可完成如第9圖所示之有機發光顯示設備之製造。相反電極330可相對複數個子像素一體成形，從而覆蓋全部的顯示區(即有效區(active area))。此處，顯示區表示有機發光顯示設備可發光之所有區域，如，顯示區可代表除了有機發光顯示設備之邊緣外之所有區域。此處，若有機發光顯示設備之整個表面不存在盲區(dead area)，有機發光顯示設備之整個表面可為顯示區。

【0064】

相反電極330接觸顯示區外之電極電源供應線，從而接收來自電極電源供應線之電子訊號。相反電極330可形成作為透明(半透射)電極或反射電極。當相反電極330形成作為透明(半透射)電極時，相反電極330可包括藉由於朝向發光層321、322或323之方向沉積鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)/鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)/鋁、(Al)鋁、(Al)鎂、(Mg)或這些之任何化合物材料形成之層、以及以透明(半透射)材料包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In₂O₃)形成之輔助電極或匯流排電極線(bus electrode line)。當相反電極形成作為反射電極時，相反電極330可具有包括選自由鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)/鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)/鋁(Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)中之一或多種材料之層。然而，相反電極330之配置及材料不在此限且因此可變化。

【0065】

與根據先前技術之製造方法比較，根據本發明實施例，製造有機發光顯示設備之方法提供增益使得可輕易地形成各子像素之中間層並可大幅降低瑕疵率。

【0066】

如上述，為了各別在子像素區域上沉積不同發光材料，製造有機發光顯示設備之比較性方法使用具有對應於子像素之小貫通孔之遮罩，然而，隨有機發光顯示設備之解析度提升，遮罩中之貫通孔變得更小且更密集地設置，使發光材料之沉積變得更困難且可能無法準確地實行沉積。

【0067】

然而，根據製造有機發光顯示設備之方法之實施例，由於第三發光層323形成於所有第一子像素區域A1、第二子像素區域A2及第三子像素區域A3，可使用開放遮罩(open mask)而非具有小貫通孔之遮罩，且由於具有高準確度之雷射光束照射以形成第二發光層322及第一發光層321，第二發光層322及第一發光層321可精確地形成於所設計之位置上。

【0068】

同時，施體膜之第二發光層322a之材料層之底表面與第二發光層322要形成於其上之表面(在第5圖中，第二子像素電極312上第三發光層323之上表面)之間之距離定義為h1。接著，當第一發光層321在第二發光層322形成後形成時，施體膜之第一發光層321a之材料層之底表面與第一發光層321要形成於其上之表面(在第7圖中，第一子像素電極311上第三發光層323之上表面)之間之距離定義為h2。

【0069】

如上述，平坦化層160形成使得在基板110之上表面與位於第一子像素區域A1之中心處之平坦化層160之上表面之間之距離d1(參考第1圖)大於基板110之上表面與位於第二及第三子像素區域A2及A3之其中之一之中心處之平坦化層160之上表面之間之距離d2(參考第1圖)。因此，基板110與第一子像素區域A1中第一子像素電極311之中心部分之上表面之間之距離各別大於基板110與第二子像素區域A2及第三子像素區域A3之第二及第三子像素電極312及313之其中之一之中心部分之上表面之間之距離。

【0070】

在上述情況中，當第二發光層322及第一發光層321藉由使用雷射引發熱成像法形成時，施體膜之第二發光層322a之材料層之底表面與第二發光層322要形成於其上之表面(在第5圖中，第二子像素電極312上第三發光層323之上表面)之間之距離h1可為相等或非常相似於施體膜之第一發光層321a之材料層之底表面與第一發光層321要形成於其上之表面(在第7圖中，第一子像素電極311上第三發光層323之上表面)之間之距離h2。此意味著照射以形成第二發光層322之雷射光束之強度、以及照射以形成第一發光層321之雷射光束之強度可為彼此相等或相似的。

【0071】

距離h1及距離h2彼此相等或非常相似之事實係導因於平坦化層160形成使得基板110之上表面及位在第一子像素區域A1之中心處之平坦化層160之上表面之間之距離d1大於基板110之上表面及位在第二及第三子像素區域A2及A3之其中之一之中心處之平坦化層160之上表面之間之距離d2。

【0072】

當第二發光層322形成時，像素定義層170上只存在第三發光層323，使得只有第三發光層323插設於像素定義層170及要形成第二發光層322之施體膜之間。然而，當第一發光層321形成時，第二發光層322或虛擬第二發光層322’以及第三發光層323存在於像素定義層170上，使得第二發光層322或虛擬第二發光層322’以及第三發光層323插設於像素定義層170與要形成第一發光層321之施體膜之間。因此，若平坦化層160以基板110之上表面及位在第一子像素區域A1之中心處之平坦化層160之上表面之間之距離d1(參考第1圖)等於基板110之上表面及位在第二及第三子像素區域A2及A3之其中之一之中心處的平坦化層160之上表面之間之距離d2(參考第1圖)這樣的方式形成，則此意味著相對於第一發光層321之形成之距離h2變得大於相對於第二發光層322之形成之距離h1。因為此差異，照射以形成第二發光層322之雷射光束之強度必須不同於照射以形成第一發光層321之雷射光束之強度。若照射以形成第二發光層322之雷射光束之強度不同於照射以形成第一發光層321之雷射光束之強度，則第二發光層322之耐久度不同於第一發光層321之耐久度，從而造成瑕疵的有機發光顯示設備或短壽命的有機發光顯示設備。

【0073】

然而，根據本發明實施例之製造有機發光顯示設備之方法，即便當第二發光層322形成時像素定義層170上只存在第三發光層323，使得只有第三發光層323插設於像素定義層170及要形成第二發光層322之施體膜之間，且，即便當第一發光層321形成時第二發光層322或虛擬第二發光層322’以及第三發光層323存在於像素定義層170上，使得第二發光層322或虛擬第二發光層322’以及第三發光層323插設於像素定義層170及要形成第一發光層321之施體膜之間，相對於第二發光層322之形成之距離h1及相對於第一發光層321之形成之距離h2仍可為彼此相等或非常類似的。此為由於第二發光層322或虛擬第二發光層322’之存在之距離差異可以依平坦化層160形成使得基板110之上表面及位在第一子像素區域A1之中心處的平坦化層160之上表面之間之距離d1大於基板110之上表面及位在第二及第三子像素區域A2及A3之其中之一之中心處的平坦化層160之上表面之間之距離d2之方式抵銷。因此，照射以形成第二發光層322之雷射光束之強度及照射以形成第一發光層321之雷射光束之強度可為彼此相等的。

【0074】

在藉由使用根據本實施例之實施例之方法所製造之有機發光顯示設備中，在延伸橫跨第一子像素區域A1及第二子像素區域A2之像素定義層(PDL)170之部分1712上之第二發光層322之上表面與第一子像素電極311之中心處之上表面之階差相等於在延伸橫跨第一子像素區域A1及第二子像素區域A2之像素定義層(PDL)170之部分1712上之第二發光層322之底表面與第二子像素電極312之中心處之上表面之階差。

【0075】

如上述，第二發光層322及第一發光層321在第三發光層323形成後形成，但本發明之一或多個實施例不限於此。換言之，由於第三發光層323幾乎相等地形成於第一子像素區域A1、第二子像素區A2及第三子像素區域A3中，第三發光層323可在第二發光層322及第一發光層321形成後形成，或，另外，第二發光層322可第一個形成，且接著第三發光層323可在第一發光層321形成前形成。

【0076】

在附圖中，為了方便說明，只有展示發光層插設於像素電極及相反電極之間。然而，除了發光層以外，當需要時，電洞注入層(HIL)、層間層或中界層、電子傳輸層(ETL)、及/或電子注入層(EIL)，或類似的層可插設於像素電極及相反電極之間。此處，一些上述層可藉由使用雷射引發熱成像(LITI)法在一作動(步驟)中與發光層同時形成或可透過分開製程像是沉積來形成。

【0077】

舉例來說，第一子像素區域A1之第一子像素301可發出藍色及紅色混合光，第二子像素區域A2之第二子像素302可發出藍色及綠色混合光，且第三子像素區域A3之第三子像素303可發出藍色光。藉由調整各別上述子像素的發光量，能夠實現全彩有機發光顯示設備。

【0078】

第10圖為根據本發明之另一實施例藉由使用製造有機發光顯示設備之方法所製造之有機發光顯示設備之剖面圖。根據本發明的製造有機發光顯示設備之方法，平坦化層160形成使得基板110及位於第一子像素區域A1之中心處之平坦化層160之上表面之間之距離大於基板110及位於第一子像素區域A1邊緣之平坦化層160之上表面之間之距離。換言之，平坦化層160形成使得在第一子像素區域A1之中心部分的平坦化層160之上表面突出。

【0079】

第一子像素電極311形成以覆蓋位於第一子像素區域A1邊緣之平坦化層160上表面及位於第一子像素區域A1之中心處之平坦化層160之上表面之至少一部分。接著，像素定義層170以延伸橫跨第一子像素區域A1及第二子像素區域A2之像素定義層(PDL)170之部分1712之上表面覆蓋位在第一子像素區域A1邊緣之第一子像素電極311之一部份這樣的方式形成。此處，如第10圖所示，延伸橫跨第三子像素區域A3及第一子像素區域A1之像素定義層(PDL)170之部分1731可形成以覆蓋位在第一子像素區域A1邊緣311’之第一子像素電極311之一部份。

【0080】

根據之前實施例之製造有機發光顯示設備之方法，如第2圖所示之圖樣化像素定義層170’之上表面可能不是平坦的。特別是，當延伸橫跨第三子像素區域A3及另一第一子像素區域A1之圖樣化像素定義層170’之部分1731’如第2圖所示覆蓋第一子像素電極311之平坦化層160之突出部分時，與延伸橫跨第二子像素區域A2及第三子像素區域A3之圖樣化像素定義層170’之部分1723’覆蓋第三子像素電極313之例子比較，基板110及覆蓋第一子像素電極311之部分之圖樣化像素定義層170’之上表面之間之距離異於基板110及覆蓋第三子像素電極313之部分之圖樣化像素定義層170’之上表面之間之距離。此距離上之差異可能會造成圖樣化像素定義層170’ 之部分1731’之上表面與圖樣化像素定義層170’ 之部分1723’之上表面之間之高度差，且高度差可能會造成在蝕刻圖樣化像素定義層170’之上表面時發生不規則蝕刻。

【0081】

然而，參考第10圖，根據本實施例之製造有機發光顯示設備之方法，在基板110及像素定義層170之部分1731與第一子像素電極311之接觸部分之間之距離d101、在基板110及像素定義層170之部分1712與第二子像素電極312之接觸部分之間之距離d102、以及在基板110及像素定義層170之部分1723與第三子像素電極313之接觸部分之間之距離d103彼此相等。因此，像素定義層170可在相同條件下形成，使得像素定義層170可根據所需設定或預定高度準確地形成，另外，當需要機械研磨操作以形成像素定義層170時，可精確地實行研磨製程。

【0082】

此外，雖然在像素定義層170形成時像素定義層170之上表面不是平坦的，然而即使像素定義層170之上表面未經過蝕刻，基板110及像素定義層170之部分1712、1723及1731之不均勻上表面之間的形狀或距離仍為彼此相等。因此，當之後藉由使用雷射引發熱成像法形成第二發光層322或第一發光層321時則可無問題。

【0083】

第11圖說明根據本發明之另一實施例之製造有機發光顯示設備之方法之製程之剖面圖。第12圖為藉由使用第11圖之方法所製造之有機發光顯示設備之剖面圖。

【0084】

根據本實施例之製造有機發光顯示設備之方法，平坦化層160形成以使得基板110及位在第一子像素區域A1之中心處之平坦化層160之上表面之間之距離大於基板110及位在第一子像素區域A1邊緣之平坦化層160之上表面之間之距離。換言之，平坦化層160形成使得位在第一子像素區域A1之中心部分之平坦化層160之上表面突出。

【0085】

接著，第一子像素電極311形成在位在第一子像素區域A1之中心處之平坦化層160之上表面上。換言之，第一子像素電極311形成在平坦化層160之上表面之突出部分上。

【0086】

根據本實施例之製造有機發光顯示設備之方法，第一子像素電極311、第二子像素電極312及第三子像素電極313全部形成在平坦表面上。因此，可降低形成子像素電極之瑕疵率，各子像素電極之電洞注入或電子注入進發光層可順利實行，且電洞注入或電子注入可為均勻或相似地形成在子像素電極中。

【0087】

上述已說明製造有機發光顯示設備之方法之實施例；然而，本發明並不在此限。舉例來說，有機發光顯示設備也包括在本發明之範疇內。

【0088】

舉例來說，根據本發明之實施例，第9圖中之有機發光顯示裝置包括基板110、平坦化層160、第一子像素電極311、第二子像素電極312及第三子像素電極313。此處，如所示，有機發光顯示設備可進一步包括像素定義層170、第一發光層321、第二發光層322、第三發光層323及相反電極330。

【0089】

基板110具有第一子像素區域A1、第二子像素區域A2及第三子像素區域A3。平坦化層160以基板110之上表面及位在第一子像素區域A1之中心處之平坦化層160之上表面之間之距離大於基板110之上表面及位在第二及第三子像素區域A2及A3之其中之一之中心處之平坦化層160之上表面之間之距離的這種方式覆蓋第一子像素區域A1、第二子像素區域A2及第三子像素區域A3。子像素電極設置在平坦化層160上，如，第一子像素電極311設置在第一子像素區域A1上，第二子像素電極312設置在第二子像素區域A2上及第三子像素電極313設置在第三子像素區域A3上。

【0090】

根據本實施例之有機發光顯示設備中，如上述，基板110之上表面及位在第一子像素區域A1之中心處的平坦化層160之上表面之間之距離d1大於基板110之上表面及位在第二及第三子像素區域A2及A3之其中之一之中心處的平坦化層160之上表面之間之距離d2。因此，基板110及形成於第一子像素區域A1中之第一子像素電極311之中心區域之上表面之間之距離大於基板110及形成於第二子像素區域A2中之第二子像素電極312之中心區域之上表面之間之距離，或大於基板110及形成於第三子像素區域A3中之第三子像素電極313之中心區域之上表面之間之距離。如將於後說明之當發光層或包括發光層之中間層形成時，上述特徵可為降低第一子像素區域A1及第二子像素區域A2中瑕疵發生之基礎。

【0091】

第三發光層323可設置同時覆蓋第一子像素電極311未被像素定義層170覆蓋之部分、第二子像素電極312未被像素定義層170覆蓋之部分、第三子像素電極313未被像素定義層170覆蓋之部分及像素定義層170之上表面。換言之，第三發光層323可設置同時覆蓋所有第一子像素區域A1、第二子像素區域A2及第三子像素區域A3。第三發光層323可包括發藍色光之材料。

【0092】

第二發光層322可包括發出綠色光之材料。如所述，可藉由使用雷射引發熱成像法形成第二發光層322。第二發光層322形成於第二子像素電極312未被像素定義層170覆蓋之至少一部分上，且更詳細的說，第二發光層322形成於排列於第二子像素電極312上之第三發光層323之一部分上。

【0093】

如上述，當藉由使用雷射引發熱成像法形成第二發光層322時，第二發光層322可形成於延伸橫跨第一子像素區域A1及第二子像素區域A2之像素定義層(PDL)170之部分1712之上表面上、及延伸橫跨第二子像素區域A2及第三子像素區域A3之像素定義層(PDL)170之部分1723之上表面上。此處，當藉由使用雷射引發熱成像法形成第二發光層322時，虛擬第二發光層322’可形成於像素定義層170之另一部分上，如，延伸橫跨第三子像素區域A3及另一第一子像素區域A1之像素定義層(PDL)170之部分1731之上表面。

【0094】

第一發光層312可包括發出紅色光之材料。第一發光層321也可如上述藉由使用雷射引發熱成像法形成。第一發光層321可位在第一子像素電極311未被像素定義層170覆蓋之至少一部分上，更詳細的說，第一發光層321可位在第一子像素電極311上第三發光層323之一部分上。

【0095】

如上述，第一發光層321可形成於延伸橫跨第三子像素區域A3及第一子像素區域A1之像素定義層(PDL)170之部分1731之上表面上，且可形成在延伸橫跨第一子像素區域A1及第二子像素區域A2之像素定義層(PDL)170之部分1712之上表面上。此處，由於第二發光層322及/或虛擬第二發光層322’形成於像素定義層170上之對應部分上，第一發光層321可形成於對應部分上之第二發光層322及/或虛擬第二發光層322’上。

【0096】

此外，虛擬第一發光層321’可形成於延伸橫跨第二子像素區域A2及第三子像素區域A3之像素定義層(PDL)170之部分1723之上表面上。此處，由於第二發光層322形成於像素定義層170上之對應部分上，虛擬第一發光層321’可形成於對應部分上之第二發光層322上。

【0097】

設置在前述之發光層上之相反電極330係如上所述。

【0098】

根據本實施例製造有機發光顯示設備之方法中，各子像素之中間層可輕易地形成且可大幅降低瑕疵率。

【0099】

換言之，根據本實施例之有機發光顯示設備中，由於第三發光層323形成於所有第一像素區域A1、第二像素區域A2及第三像素區域A3中，可使用開放遮罩而非具有小貫通孔之遮罩，且由於具有高準確度之雷射光束照射以形成第二發光層322及第一發光層321，第二發光層322及第一發光層321可形成於精確位置，使得生產良率可大幅提高。

【0100】

此外，由於平坦化層160具有前述之形狀，當第二發光層322形成時，施體膜之底表面與其上要形成第二發光層322之第三發光層323之上表面之間之距離h1(參考第5圖)、以及當第一發光層321形成時，施體膜之底表面與其上要形成第一發光層321之第三發光層323之上表面之間之距離h2(參考第7圖)可為彼此相等或非常相似。此為由於第二發光層322或虛擬第二發光層322’之存在之距離差異可以依平坦化層160形成使得基板110之上表面及位在第一子像素區域A1之中心處的平坦化層160之上表面之間之距離d1大於基板110之上表面及位在第二及第三子像素區域A2及A3之其中之一之中心處的平坦化層160之上表面之間之距離d2的這種方式抵銷。因此，照射以形成第二發光層322之雷射光束之強度及照射以形成第一發光層321之雷射光束之強度可為彼此相等的。

【0101】

根據本實施例所製造之有機發光顯示設備中，在延伸橫跨第一子像素區域A1及第二子像素區域A2之像素定義層(PDL)170之部分1712上之第二發光層322之上表面與第一子像素電極311之中心處之上表面之階差相等於在延伸橫跨第一子像素區域A1及第二子像素區域A2之像素定義層(PDL)170之部分1712上之第二發光層322之底表面與第二子像素電極312之中心處之上表面之階差。

【0102】

在上述中，說明了第一發光層321形成在第一子像素301中之第三發光層323上，且第二發光層322形成在第二子像素302中之第三發光層323上，但本發明之一或多個實施例並不限於此。換言之，第三發光層323覆蓋基板110之第一子像素區域A1、第二子像素區域A2及第三子像素區域A3，且在此方面，第三發光層323設置在第一子像素301中之第一發光層321上，且第三發光層323設置在第二子像素302中之第二發光層322上。而且，第三發光層323幾乎相等地形成在第一子像素區域A1、第二子像素區域A2及第三子像素區域A3中。因此，或者，第二發光層322可設置在延伸橫跨第一子像素區域A1及第二子像素區域A2之像素定義層(PDL)170之部分1712上，第三發光層323可形成於其上，且第一發光層321可形成在其上方。

【0103】

第9圖中，為了方便說明，只有展示發光層插設於像素電極及相反電極330之間。然而，除了發光層以外，當需要時，電洞注入層、層間層(或中界層)、電子傳輸層或電子注入層等可插設於像素電極及相反電極330之間。

【0104】

第10圖為根據本發明之另一實施例之有機發光顯示設備之剖面圖。根據本實施例之有機發光顯示設備中，基板110及位於第一子像素區域A1之中心處之平坦化層160之上表面之間之距離大於基板110及位於第一子像素區域A1之邊緣之平坦化層160之上表面之間之距離。換言之，平坦化層160之上表面在第一子像素區域A1之中心部分突出。

【0105】

此外，第一子像素電極311覆蓋位於第一子像素區域A1之邊緣之平坦化層160之上表面以及位於第一子像素區域A1之中心部分之平坦化層160之上表面之至少一部份。像素定義層170覆蓋延伸橫跨第一子像素區域A1及第二子像素區域A2之像素定義層(PDL)170之部分1712之一部份，其中該部份設置於位在第一子像素區域A1之邊緣之第一子像素電極311。此處，如所示，延伸橫跨第三子像素區域A3及另一第一子像素區域A1之像素定義層(PDL)170之部分1731可覆蓋位在第一子像素區域A1之邊緣之第一子像素電極311。

【0106】

根據本實施例所製造之有機發光顯示設備中，在基板110及像素定義層170之部分1731與第一子像素電極311之接觸部分之間之距離、在基板110及像素定義層170之部分1712與第二子像素電極312之接觸部分之間之距離、以及在基板110及像素定義層170之部分1723與第三子像素電極313之接觸部分之間之距離彼此相等。因此，像素定義層170可在相同條件下形成，使得像素定義層170可根據所需設定或預定高度準確地形成，此外，當需要機械研磨運作以形成像素定義層170時，可準確地實行研磨製程。

【0107】

此外，雖然當像素定義層170形成時像素定義層170之上表面不是平坦的，然而即使像素定義層170之上表面尚未經過蝕刻，基板110及像素定義層170之部分1721、1723及1731之不均勻上表面之間的形狀或距離仍彼此相等。因此，之後在藉由使用雷射引發熱成像法形成第二發光層322或第一發光層321時無問題。

【0108】

【0109】

根據本實施例之有機發光顯示設備中，基板110及位於第一子像素區域A1之中心部分之平坦化層160之上表面之間之距離大於基板110及位於第一子像素區域A1之邊緣之平坦化層160之上表面之間之距離。換言之，在第一子像素區域A1之中心部分的平坦化層160之上表面突出。第一子像素電極311設置在第一子像素區域A1之中心部分之平坦化層160之上表面上。換言之，第一子像素電極311設置在平坦化層160之上表面之突出部分上。

【0110】

根據本實施例之有機發光顯示設備中，第一子像素電極311、第二子像素電極312及第三子像素電極313全部形成在平坦表面上。因此，可降低形成子像素電極之瑕疵率，各子像素電極之電洞注入或電子注入進發光層可順利實行，且電洞注入或電子注入可為均勻或類似地形成在子像素電極中。

【0111】

此處，位在延伸橫跨第一子像素區域A1及第二子像素區域A2之像素定義層(PDL)170之部分1712處，像素定義層170之上表面及由像素定義層170覆蓋之第二子像素電極312之一部分上表面之間之距離可大於像素定義層170之上表面及由像素定義層170覆蓋之第一子像素電極311之一部分上表面之間之距離。藉由如此作動，當第一發光層321在第二發光層形成後形成時，第一發光層321可根據相等或非常類似於相對於第二發光層322之形成條件之形成條件來形成。

【0112】

根據本發明之一或多個實施例，能夠實現在製造過程中大幅降低其瑕疵率之有機發光顯示設備及製造此有機發光顯示設備之方法。

【0113】

雖然本發明已參考其例示性實施例具體地展示及說明，其將被本領域具有通常知識者理解的是，在未脫離本發明由所附之申請專利範圍或其同等物所定義之精神與範疇下可對其進行形式及細節上之各種修改。