TW201426994A - 有機發光二極體顯示裝置及其製造方法 - Google Patents
有機發光二極體顯示裝置及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201426994A TW201426994A TW102128697A TW102128697A TW201426994A TW 201426994 A TW201426994 A TW 201426994A TW 102128697 A TW102128697 A TW 102128697A TW 102128697 A TW102128697 A TW 102128697A TW 201426994 A TW201426994 A TW 201426994A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- pixel
- blue
- light emitting
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 98
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 36
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 36
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 27
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 334
- 239000000463 material Substances 0.000 description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- -1 PQIr Chemical compound 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- VBQVHWHWZOUENI-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-2H-quinoline Chemical compound C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 VBQVHWHWZOUENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004556 carbazol-9-yl group Chemical group C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3N(C12)* 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 2
- ZSYMVHGRKPBJCQ-UHFFFAOYSA-N 1,1'-biphenyl;9h-carbazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 ZSYMVHGRKPBJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylisoquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21,23-dihydroporphyrin platinum Chemical compound [Pt].CCc1c(CC)c2cc3[nH]c(cc4nc(cc5[nH]c(cc1n2)c(CC)c5CC)c(CC)c4CC)c(CC)c3CC VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FSEXLNMNADBYJU-UHFFFAOYSA-N 2-phenylquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=N1 FSEXLNMNADBYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- QWOJMRHUQHTCJG-UHFFFAOYSA-N CC([CH2-])=O Chemical compound CC([CH2-])=O QWOJMRHUQHTCJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一種有機發光二極體(OLED)顯示裝置，包括：基板；複數個畫素區域，藉由閘極線和資料線定義該等畫素區域，每一個畫素區域包括：紅色、綠色、第一藍色和第二藍色次畫素；薄膜電晶體(TFT)，在每一個畫素區域中；第一電極，連接至薄膜電晶體；絕緣層，暴露第一電極；電洞注入層和電洞傳輸層，兩者堆疊在第一電極上；紅色、綠色和藍色發光層，位於電洞傳輸層上，紅色和綠色發光層分別位於紅色和綠色次畫素中，而藍色發光層位於第一和第二藍色次畫素中；電子傳輸層和電子注入層，兩者堆疊在紅色、綠色和藍色發光層上；及第二電極，位於絕緣層和電子注入層上，其中，在第二藍色次畫素中的第一電極具有第一電極層和至少一金屬層的多層結構。
Description
本發明係關於一種有機發光二極體(OLED)顯示裝置，更具體地，係關於一種包括四色發光層的OLED顯示裝置，及製造該OLED顯示裝置的方法。
新型平板顯示裝置的OLED顯示裝置為自發光型。由於OLED顯示裝置不需要背光，但其為液晶顯示裝置所必須，所以OLED裝置具有較薄輪廓及較輕重量。
尤其，利用有機材料可顯示各種顏色，例如：紅色、綠色、藍色、青色、淡藍色等。具有優良功效及壽命的紅色和綠色磷光材料被加以利用，同時具有如紅色和綠色磷光材料般的顏色特性及壽命的深藍色螢光材料也被使用。然而，深藍色螢光材料有較低效率，在功率消耗方面有缺點。
第1圖為顯示在OLED顯示裝置中，使用紅色磷光材料PH_R、綠色螢光材料FL_G、綠色磷光材料PH_G、藍色磷光材料PH_B1，以及藍色螢光材料FL_B2之功率消耗的模擬資料的示意圖。
第1圖顯示相對於使用紅色磷光材料PH_R、綠色磷光材料PH_G，以及藍色螢光材料FL_B2的OLED顯示裝置，使用紅色磷光材料PH_R、綠色磷光材料PH_G，以及藍色磷光材料PH_B1的OLED顯示裝置，其功率消耗減少約45%。
第2圖為在習知技術的OLED顯示裝置中的次畫素排列的平面示意圖。
在第2圖中，一個畫素100a包括：紅色次畫素、綠色次畫素，和藍色次畫素R、G和B。另一方面，另一畫素100b包括：紅色次畫素R、綠色次畫素G、磷光材料的淡藍色次畫素B1、以及螢光材料的深藍色次畫素B2，用以防止由螢光材料所導致的功率消耗增加的問題。
此外，為了顯示影像，使用高於70%的淡藍色材料，和使用低於30%的深藍色材料。利用磷光材料顯示淡藍色影像，同時利用螢光材料顯示深藍色。因此，需要四種發光材料及四個沉積製程，來製造具有畫素100b的OLED顯示裝置。
參考第3圖，其為現有技術的OLED顯示裝置包括紅色、綠色、第一藍色和第二藍色次畫素的剖視示意圖，並解釋了製造該OLED顯示裝置的方法。
如第3圖所示，該OLED顯示裝置包括有機發光單元。該有機發光單元包括：第一電極106、電洞注入層107、電洞傳輸層108、發光層109、電子傳輸層110、電子注入層111、以及第二電極112，其中，該第一電極106連接至薄膜電晶體(TFT)T，該薄膜電晶體T形成在基板101上。該電洞注入層107、該電洞傳輸層108、該發光層109、該電子傳輸層110、該電子注入層111、以及該第二電極112堆疊在第一電極106上。
尤其，在基板101上形成薄膜電晶體T後，形成第一電極106、電洞注入層107、以及電洞傳輸層108。接著，紅色發光層109R、綠色發光層109G、淡藍色發光層109B1、以及深藍色發光層109B2形成在紅色次畫素R、綠色次畫素G、第一藍色次畫素B1、以及第二藍色次畫素B2中。為了形成四色畫素結構，需要進一步形成淡藍色發光層109B1或深藍色發光層109B2的步驟。
即，由於具有四色畫素結構的OLED顯示裝置包括紅色、綠色、第一藍色，和第二藍色次畫素R、G、B1和B2，相對於只有三色畫素結構的OLED顯示裝置，增加了生產成本及製造步驟。此外，由於還使用螢光
材料顯示深藍色，所以仍有功率消耗方面的缺點。
因此，本發明旨在提供一種OLED顯示裝置及其製造方法，其基本上可避免由於現有技術的限制及缺點導致的一個或多個問題。
本發明額外的特點和優點將在隨後的描述中闡明，而部分內容將在隨後的描述變得明顯，或可藉由實施本發明而瞭解。本發明的這些和其他優點將藉由在描述中特別指出的結構、申請專利範圍，以及所附圖式實現和獲得。
根據本發明，於此具體並大略描述一種OLED顯示裝置，包括：一基板；複數個畫素區域，藉由在該基板上形成的閘極線和資料線定義該等畫素區域，每一個畫素區域包括紅色次畫素、綠色次畫素、第一藍色次畫素和第二藍色次畫素；一薄膜電晶體，位於每一個畫素區域中；一第一電極，電性連接至該薄膜電晶體的汲電極；一絕緣層，暴露該第一電極；一電洞注入層和一電洞傳輸層，依次堆疊在該第一電極上；紅色、綠色和藍色發光層，位於該電洞傳輸層上，該紅色發光層和該綠色發光層分別位於該紅色次畫素和該綠色次畫素中，而該藍色發光層位於該第一藍色次畫素和該第二藍色次畫素中；一電子傳輸層和一電子注入層，依次堆疊在該等紅色、綠色和藍色發光層上；以及一第二電極，位於該絕緣層和該電子注入層上，其中，在該第二藍色次畫素中的第一電極具有第一電極層和至少一金屬層的多層結構。
較佳地，該第一藍色次畫素可顯示淡藍色，而該第二藍色次畫素可顯示深藍色。
較佳地，該多層結構可為該第一電極層和位於該第一電極層下的第一金屬層的雙層結構，且該第一金屬層包括銀(Ag)或銀合金，而其中該第一電極層包括氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)，或其他透明導電材料。
較佳地，該多層結構可為該第一電極層、位於該第一電極層上的第一金屬層、以及位於該第一金屬層上的第二金屬層的三層結構，並
且每一個第一電極層和第二金屬層包括ITO或IZO，或其他透明導電材料，而其中該第一金屬層包括銀或銀合金。
較佳地，該第一電極層可具有大於0埃且小於約300埃的厚度，而該第一金屬層可具有約100至200埃的厚度。
較佳地，該第一電極層可具有大於0埃且小於約300埃的厚度，而該第一金屬層可具有約100埃至200埃的厚度，其中，該第二金屬層具有大於0埃且小於約100埃的厚度。
較佳地，在該第一藍色次畫素和該第二藍色次畫素中的藍色發光層可包括相同的藍色磷光有機材料。
較佳地，該第二電極可包括鋁(Al)。
一種用於有機發光二極體顯示裝置的基板，包含：一基板；複數個畫素區域，藉由在該基板上形成複數條閘極線和複數條資料線定義該等畫素區域，每一個畫素區域包括：紅色次畫素、綠色次畫素、第一藍色次畫素和第二藍色次畫素；一薄膜電晶體，位於每一個畫素區域中；一第一電極，電性連接至該薄膜電晶體的汲電極；一絕緣層，暴露該第一電極；一電洞注入層和一電洞傳輸層，依次堆疊在該第一電極上；紅色、綠色、和藍色發光層，位於該電洞傳輸層上，該紅色發光層位於該紅色次畫素中，該綠色發光層位於該綠色次畫素中，而該藍色發光層位於該第一藍色次畫素和該第二藍色次畫素中；一電子傳輸層和一電子注入層，依次堆疊在該等紅色、綠色、和藍色發光層上；以及一第二電極，位於該絕緣層和該電子注入層上，其中，在該第二藍色次畫素中的該第一電極具有第一電極層和至少一金屬層的多層結構。
較佳地，該多層結構可為第一電極層和位於該第一電極層下的第一金屬層的雙層結構，或為第一電極層、位於該第一電極層上的第一金屬層和位於該第一金屬層上的第二金屬層的三層結構。
較佳地，在該第一藍色次畫素和該第二藍色次畫素中的藍色發光層可包括相同的藍色磷光有機材料。
另一方面，一種製造有機發光二極體顯示裝置的方法，包括：形成複數條閘極線和複數條資料線，用以定義複數個畫素區域，每一個畫素區域包括：紅色次畫素、綠色次畫素、第一藍色次畫素、和第二藍色次畫素；在每一個畫素區域中形成一薄膜電晶體，其中，在該第二藍色次畫素中的第一電極具有第一電極層和至少一金屬層的多層結構；形成一第一電極，其電性連接至該薄膜電晶體的汲電極；形成一絕緣層，暴露該第一電極；依次形成一電洞注入層和一電洞傳輸層，堆疊在該第一電極上；在該電洞傳輸層上，形成紅色、綠色，和藍色發光層，該紅色發光層位於該紅色次畫素中，該綠色發光層位於該綠色次畫素中，以及該藍色發光層位於該第一藍色次畫素和第二藍色次畫素中；依次形成一電子傳輸層和一電子注入層，依次堆疊在該等紅色、綠色，和藍色發光層上；以及在該絕緣層和該電子注入層上形成一第二電極。
較佳地，該第一藍色次畫素可顯示淡藍色，而該第二藍色次畫素可顯示深藍色。
較佳地，該多層結構可為第一電極層和位於該第一電極層之下的第一金屬層的雙層結構，而該第一金屬層可包括銀或銀合金，且該第一電極層可包括ITO或IZO，或其他透明導電材料。
較佳地，該多層結構可為第一電極層、位於該第一電極層上的第一金屬層、以及位於該第一金屬層上的第二金屬層的三層結構，並且每一個第一電極層和第二金屬層包括ITO或IZO，或其他透明導電材料，而該第一金屬層包括Ag或銀合金。
較佳地，該第一電極層可具有大於0埃且小於約300埃的厚度，而該第一金屬層可具有約100至200埃的厚度。
較佳地，該第一電極層可具有大於0埃且小於約300埃的厚度，而該第一金屬層可具有約100至200埃的厚度，其中，該第二金屬層可具有大於0埃且小於約100埃的厚度。
較佳地，在該第一藍色次畫素和該第二藍色次畫素中的藍色發光層可包括相同的藍色磷光有機材料。
較佳地，該第二電極可包括鋁。
可以理解的是，以上概括說明和以下詳細說明都為示例性和解釋性，並意圖為本發明所聲稱的申請專利範圍提供進一步的解釋說明。
100a、100b‧‧‧畫素
101、201、301‧‧‧基板
106‧‧‧第一電極
107、210、310‧‧‧電洞注入層
108、211、311‧‧‧電洞傳輸層
109R‧‧‧紅色發光層
109G‧‧‧綠色發光層
109B1‧‧‧淡藍色發光層
109B2‧‧‧深藍色發光層
110、213、313‧‧‧電子傳輸層
111、214、314‧‧‧電子注入層
112‧‧‧第二電極
202、302‧‧‧閘電極
203、303‧‧‧閘極絕緣層
204、304‧‧‧氧化物半導體層
205、305‧‧‧蝕刻阻止層
206a、306a‧‧‧源電極
206b、306b‧‧‧汲電極
207、307‧‧‧第一絕緣層
208、308‧‧‧第一電極層
208h‧‧‧接觸孔
209、309‧‧‧第二絕緣層
212R、312R‧‧‧紅色磷光發光層
212G、312G‧‧‧綠色磷光發光層
212B、312B‧‧‧藍色磷光發光層
215、315‧‧‧第二電極層
220、320‧‧‧第一金屬層
330‧‧‧第二金屬層
B‧‧‧藍色次畫素
B1‧‧‧淡藍色次畫素
B2‧‧‧深藍色次畫素
FL_B2‧‧‧藍色螢光材料
FL_G‧‧‧綠色螢光材料
G‧‧‧綠色次畫素
PH_B1‧‧‧藍色磷光材料
PH_G‧‧‧綠色磷光材料
PH_R‧‧‧紅色磷光材料
R‧‧‧紅色次畫素
T‧‧‧薄膜電晶體
x、y‧‧‧顏色座標指數
所附圖式提供關於本發明實施例的進一步理解，結合與構成本說明書的一部份，並說明本發明的實施例，與敘述一同解釋本發明的原理。
第1圖為顯示根據OLED顯示裝置所使用的發光材料之功率消耗的示意圖；第2圖為習知技術OLED裝置中的次畫素排列的平面示意圖；第3圖為包括紅色次畫素、綠色次畫素、第一藍色次畫素、和第二藍色次畫素之現有技術OLED顯示裝置的剖視示意圖；第4圖為根據本發明示例性實施例的OLED顯示裝置的剖視示意圖；第5A圖至第5J圖為顯示根據本發明示例性實施例的OLED顯示裝置的製造過程的剖視圖；第6圖為根據本發明另一示例性實施例的OLED顯示裝置的剖視示意圖；以及第7圖為根據本發明示例性實施例的OLED顯示裝置中的第一和第二藍色顏色座標的示意圖。
現在將詳細參考本發明的較佳實施例，且將於所附圖式說明本發明的實施例。
第4圖為根據本發明示例性實施例的OLED顯示裝置的剖視示意圖。
如第4圖所示，閘電極202形成在基板201上。例如，閘電極202可具有鉬(Mo)和鋁合金(AlNd)的雙層結構。
在閘電極202上，形成閘極絕緣層203，以覆蓋基板201。
在閘極絕緣層203上，形成氧化物半導體層204，以對應閘電極202所形成的區域。例如，氧化物半導體層204可由如銦鎵鋅氧化物(indium-gallium-zinc-oxide,IGZO)或銦錫鋅氧化物(indium-tin-zinc-oxide,ITZO)的氧化物半導體材料來形成。氧化物半導體層204可具有大於閘電極202的寬度。在氧化物半導體層204上，形成蝕刻阻止層205以防止由於進行源電極和汲電極的金屬材料蝕刻製程，在氧化物半導體層204上導致的破壞。例如，蝕刻阻止層205可具有與閘電極202基本上相同的寬度。源電極206a和汲電極206b形成在氧化物半導體層204上。因其間有蝕刻阻止層205源電極206a和汲電極206b彼此分開。
在每一個次畫素區域中，閘電極202、閘極絕緣層203、半導體層204、蝕刻阻止層205、源電極206a、以及汲電極206b構成驅動薄膜電晶體。儘管未顯示，複數條閘極線和複數條資料線形成在基板201上，且該等閘極線和資料線彼此交叉，用以定義畫素區域。每一個畫素區域包括：紅色、綠色、淡藍色以及深藍色次畫素R、G、B1和B2。此外，在基板上和每一個次畫素區域R、G、B1和B2中，形成開關薄膜電晶體，其連接至閘極線、資料線、及驅動薄膜電晶體。
第一絕緣層207形成在形成有源電極206a和汲電極206b的基板201上，且通過第一絕緣層207形成接觸孔，其暴露汲電極206b。在深藍色次畫素B2中，形成第一金屬層220。第一金屬層220可由銀或銀合金形成。
然後，在第一絕緣層207和第一金屬層220上，形成第一電極層208。而第一電極層208通過接觸孔208h電性連接至汲電極206b。第一電極層208可由透明導電材料，如ITO或IZO，或其他透明材料形成。
因此，在深藍色次畫素B2中，形成第一電極層208和第一金屬層220，且在紅色、綠色，和淡藍色次畫素R、G和B1中，形成不具第一金屬層220的第一電極層208。換句話說，在深藍色次畫素B2中的第一電極，具有第一金屬層220和第一電極層208的雙層結構，同時，在紅色、綠色和淡藍色次畫素R、G和B1中的第一電極具有第一電極層208的單層結構。
在形成第一金屬層220和第一電極層208之後，形成第二絕緣層209，用以定義每一個次畫素R、G、B1和B2，且在每一個次畫素R、G、B1和B2中的第一電極層208上，依次形成電洞注入層210和電洞傳輸層211。
在紅色次畫素R中的電洞傳輸層211上，形成紅色磷光發光層212R，且在綠色次畫素G中的電洞傳輸層211上，形成綠色磷光發光層212G。此外，在淡藍色次畫素B1和深藍色次畫素B2中的電洞傳輸層211上，形成藍色磷光發光層212B。
例如，紅色磷光發光層212R可包括主體材料，例如：咔唑聯苯(carbazole biphenyl,CBP)或1,3-双(咔唑-9-基)(1,3-bis(carbazol-9-yl),mCP)，以及摻雜劑，例如：双(1-苯基異喹啉)乙酸丙酮化銥(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium,PIQIr(acac))、双(1-苯基喹啉)乙酸丙酮化銥(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium,PQIr(acac))、三(苯基喹啉)銥(tris(1-phenylquinoline)iridium,PQIr)，或八乙基卟吩鉑(octaethylporphyrin platinum,PtOEP)。
綠色磷光發光層212G可包括主體材料，例如：CBP或mCP，以及摻雜劑，例如：三(2-苯基吡啶)銥(fac-tris(2-phenylpyridine)iridium,Ir(ppy)3)。
藍色磷光發光層212B可包括主體材料，例如：CBP或mCP，以及摻雜劑，例如：[二(4,6-二-氟苯基)-吡啶-N,C2’]2銥([bis(4,6-di-fluorophenyl)-pyridinato-N,C2’]2iridium,FIrpic)。
然而，用於紅色、綠色，和藍色磷光發光層212R、212G和212B的材料不限於此。
在紅色、綠色，和藍色磷光發光層212R、212G和212B上，依次形成電子傳輸層213和電子注入層214，並且形成第二電極層215，用以覆蓋電子注入層214和第二絕緣層209。例如，第二電極層215可包括鋁。
第6圖為根據本發明另一示例性實施例的OLED顯示裝置的剖視示意圖。
如第6圖所示，在基板301上形成閘電極302。例如，閘電極302可具有鉬和鋁合金的雙層結構。
在閘電極302上，形成閘極絕緣層303，用以覆蓋基板301。
氧化物半導體層304形成在閘極絕緣層303上，以對應閘電極302所形成的區域。氧化物半導體層304可由氧化物半導體材料形成，例如：銦鎵鋅氧化物(IGZO)或銦錫鋅氧化物(ITZO)。氧化物半導體層304可具有大於閘電極302的寬度。在氧化物半導體層304上，形成蝕刻阻止層305，用以防止由於進行源電極和汲電極金屬材料的蝕刻製程，在氧化物半導體層304上導致的破壞。例如，蝕刻阻止層305基本上可具有與閘電極302相同的寬度。源電極306a和汲電極306b形成在氧化物半導體層304上。源電極306a和汲電極306b因其間有蝕刻阻止層305而彼此分開。
第一絕緣層307形成在形成有源電極306a和汲電極306b的基板301上，並通過第一絕緣層307形成接觸孔，暴露汲電極306b。第一電極層308沉積在第一絕緣層307上。第一電極層308通過接觸孔電性連接至汲電極306b。第一電極層308可由透明導電材料(如ITO或IZO)形成。
在第一電極層308上，沉積第一金屬層320。第一金屬層320可由銀或銀合金形成。
接著，第二金屬層330沉積在第一金屬層320上。第二金屬層330可由ITO或其他透明材料形成。
然後，藉由執行半調式光罩製程，在深藍色次畫素B2中，形成第一電極層308、第一金屬層320、以及第二金屬層330，而在紅色、綠色，和藍色次畫素R、G和B1中，形成不具第一和第二金屬層320和330的第一電極308。換句話說，在深藍色次畫素B2中的第一電極，具有第一電極層308、第一金屬層320、和第二金屬層330的三層結構，同時，在紅色、綠色和淡藍色次畫素R、G和B1中的第一電極具有第一電極層308的單層結構。
在形成第一和第二金屬層320和330以及第一電極層308後，第二絕緣層309定義每一個次畫素R、G、B1和B2，而電洞注入層310和電洞
傳輸層311依次形成在深藍色次畫素B2中的第二金屬層330上、以及在每一個紅色、綠色和淡藍色次畫素R、G和B1中的第一電極層308上。
紅色磷光發光層312R形成在紅色次畫素R中的電洞傳輸層311上，而綠色磷光發光層312G形成在綠色次畫素G中的電洞傳輸層311上。此外，藍色磷光發光層312B形成在淡藍色次畫素B1和深藍色次畫素B2中的電洞傳輸層311上。
例如，紅色磷光發光層312R可包括主體材料，例如：咔唑聯苯(CBP)或1,3-双(咔唑-9-基)(mCP)，以及摻雜劑，例如：双(1-苯基異喹啉)乙酸丙酮化銥(PIQIr(acac))、双(1-苯基喹啉)乙酸丙酮化銥(PQIr(acac))、三(苯基喹啉)銥(PQIr)，或八乙基卟吩鉑(PtOEP))。
綠色磷光發光層312G可包括主體材料，例如：CBP或mCP，以及摻雜劑，例如：三(2-苯基吡啶)銥(Ir(ppy)3)。
藍色磷光發光層312B可包括主體材料，例如：CBP或mCP，以及摻雜劑，例如：FIrpic、(4,6-F2ppy)2Irpic或L2BD111。
然而，用於紅色、綠色和藍色磷光發光層312R、312G、和312B的材料不限於此。
在紅色、綠色，和藍色磷光發光層312R、312G和312B上，依次形成電子傳輸層313和電子注入層314，並且形成第二電極層315，用以覆蓋電子注入層314以及第二絕緣層309。例如，第二電極層315可包括鋁。
以下，參考第5A圖至第5J圖，說明製造第4圖所示之OLED顯示裝置的方法，而第5A圖至第5J圖為顯示根據本發明示例性實施例的OLED顯示裝置的製造過程的剖視圖。
如第5A圖所示，在基板201上沉積閘電極202的金屬層後，藉由光罩製程形成閘電極202，如第5B圖所示。閘電極202具有Mo和AlNd的雙層結構。在依次沉積Mo和AlNd層後，依次蝕刻AlNd和Mo層，以形成閘電極202。
接著，如第5C圖所示，閘極絕緣層203形成在形成有閘電極
202的基板201上，而氧化物半導體材料層形成在閘極絕緣層203上。
如第5D圖所示，藉由光罩製程圖案化氧化物半導體材料層，以便在閘電極202上形成氧化物半導體層204。氧化物半導體層204重疊在閘電極202上。氧化物半導體層204可由IGZO、ITZO、或銦鋁鋅氧化物(IAZO)形成。
接著，如第5E圖所示，蝕刻阻止層205形成在氧化物半導體層204上，並且形成源電極206a和汲電極206b，於其間有蝕刻阻止層205使兩電極彼此分開。由於蝕刻阻止層205，可防止因源電極206a和汲電極206b的蝕刻製程，在氧化物半導體層204上導致的破壞。
接著，如第5F圖所示，在形成源電極206a和汲電極206b後，在基板201上形成第一絕緣層207。圖案化第一絕緣層207以形成接觸孔，用於接通汲電極206b和第一電極層208。
然後，在第一絕緣層207上及深藍色次畫素B2中，形成第一金屬層220。第一金屬層220由Ag或銀合金形成，並具有約100至200埃的厚度。
接著，如第5G圖所示，在第一絕緣層207和第一金屬層220上，形成第一電極層208。例如，第一電極層208由ITO或IZO，或其他透明導電材料形成，並具有大於0埃且小於約300埃的厚度。若第一金屬層220太厚，則深藍色光通過第一金屬層220時，顏色會改變，因為本發明為底發射式有機發光二極體顯示裝置。
然後，如第5H圖所示，藉由蝕刻第一電極層208，在深藍色次畫素B2中，形成第一金屬層220和第一電極層208的雙層結構，且在每一個紅色、綠色和淡藍色次畫素R、G和B1中，形成第一電極層208的單層結構。
接著，如第5I圖所示，形成第二絕緣層209，用以定義次畫素R、G、B1和B2。
接著，如第5J圖所示，形成電洞注入層210、電洞傳輸層211、
紅色、綠色和藍色磷光發光層212R、212G和212B、電子傳輸層213、電子注入層214、以及第二電極215。紅色磷光發光層212R形成在紅色次畫素R中，而綠色磷光發光層212G形成在綠色次畫素G中。藍色磷光發光層212B形成在淡藍色次畫素B1和深藍色次畫素B2中。第二電極層215包括鋁。
在第6圖所示的OLED中，閘電極至第一絕緣層的製造過程基本上與上述製程相同。
在形成第一絕緣層307後，依次沉積第一電極層308、第一金屬層320、以及第二金屬層330。
例如，第一電極層308包括ITO，並具有小於約300埃的厚度。由於本發明為底發射式有機發光二極體顯示裝置，若第一金屬層320太厚，則深藍色光通過第一金屬層320時，顏色會改變。因此，理想上第一金屬層320包括銀或銀合金，並具有約100至200埃的厚度。第二金屬層330包括ITO，具有大於0埃且小於約100埃的厚度，但本發明不限於此。
接著，藉由利用半調式光罩製程，蝕刻第一電極層308、第一金屬層320、以及第二金屬層330，在深藍色次畫素B2中形成第一電極層308、第一金屬層320、以及第二金屬層330的三層結構，且在紅色、綠色和藍色次畫素R、G和B1中，形成第一電極308的單層結構。
接著，形成電洞注入層310、電洞傳輸層311、紅色、綠色和藍色磷光發光層312R、312G和312B、電子傳輸層313、電子注入層314、以及第二電極315。紅色磷光發光層312R形成在紅色次畫素R中，而綠色磷光發光層312G形成在綠色次畫素G中。藍色磷光發光層312B形成在淡藍色次畫素B1和深藍色次畫素B2中。第二電極層315包括鋁。
磷光有機材料有良好的效率和壽命。當相同的藍色磷光有機材料沉積在淡藍色區域和深藍色區域時，磷光有機材料在淡藍色區域中顯示固有特質的淡藍色。然而，在深藍色區域中，由於位於第一電極層208、308之上或之下的第一金屬層220、320，與第二電極215、315之間引發微共振腔效應(micro-cavity effect)，而顯示出深藍色。
由於特定波長的光，在第一電極層208、308之上或之下的第一金屬層220、320分別與第二電極215、315間，重複地反射而得到建設性加強放大，而可顯示深藍色。藉由考慮第一金屬層220、320與第二電極215、315間的距離，可決定特定波長。
第7圖為根據本發明示例性實施例的OLED顯示裝置中，第一和第二藍色的顏色座標示意圖。淡藍色的第一藍色標記為「Gamut1」，而深藍色的第二藍色標記為「Gamut2」。雖然在淡藍色區域和深藍色區域中，使用相同的淡藍色磷光有機材料，但在淡藍色區域和深藍色區域中，所顯示的光有不同的顏色座標。
表1顯示第7圖中的顏色座標。
在CIE顏色座標指數中，當CIE(y)越高，顯示淡藍色。因此，「Gamut1」為淡藍色，而「Gamut2」為深藍色。
在本發明的OLED顯示裝置及製造該OLED顯示裝置的方法中，藉由在深藍色次畫素中形成銀(Ag)或銀合金的金屬層，利用相同的藍色磷光有機材料顯示淡藍色和深藍色，所以可省略沉積有機材料的步驟，減少功率消耗。此外，可提供具有四個畫素且壽命增加的OLED顯示裝置。
在不脫離本發明的精神或範圍內，本發明中的各種修改或變更對於熟悉本領域的人員是顯而易見的。因此，本發明意圖涵蓋在所附申請專利範圍和等同範圍內，提供的本發明的修改和變更。
本申請分別主張2012年12月27日和2013年7月19日，於韓國提交的韓國專利申請第10-2012-0155239號和第10-2013-0085411號的優先權權益，其全部公開內容通過引用結合到本文中。
201‧‧‧基板
202‧‧‧閘電極
203‧‧‧閘極絕緣層
204‧‧‧氧化物半導體層
205‧‧‧蝕刻阻止層
206a‧‧‧源電極
206b‧‧‧汲電極
207‧‧‧第一絕緣層
208‧‧‧第一電極層
209‧‧‧第二絕緣層
210‧‧‧電洞注入層
211‧‧‧電洞傳輸層
212R‧‧‧紅色磷光發光層
212G‧‧‧綠色磷光發光層
212B‧‧‧藍色磷光發光層
213‧‧‧電子傳輸層
214‧‧‧電子注入層
215‧‧‧第二電極層
220‧‧‧第一金屬層
R‧‧‧紅色次畫素
G‧‧‧綠色次畫素
B1‧‧‧淡藍色次畫素
B2‧‧‧深藍色次畫素
Claims (19)
- 一種有機發光二極體顯示裝置，包含：一基板；複數個畫素區域，通過在該基板上形成的複數條閘極線和複數條資料線定義該等畫素區域，而每一個畫素區域包括：一紅色次畫素、一綠色次畫素、一第一藍色次畫素、和一第二藍色次畫素；一薄膜電晶體，該薄膜電晶體在每一個畫素區域中；一第一電極，該第一電極電連接至每一該薄膜電晶體的一汲電極；一絕緣層，該絕緣層暴露該第一電極；一電洞注入層和一電洞傳輸層，該電洞注入層和該電洞傳輸層依次堆疊在該第一電極上；一紅色發光層、一綠色發光層和一藍色發光層，該等紅色、綠色和藍色發光層在該電洞傳輸層上，該紅色發光層在該紅色次畫素中，該綠色發光層在該綠色次畫素中，以及該藍色發光層在該第一藍色次畫素和該第二藍色次畫素中；一電子傳輸層和一電子注入層，該電子傳輸層和該電子注入層依次堆疊在該等紅色、綠色和藍色發光層上；以及一第二電極，該第二電極在該絕緣層和該電子注入層上，其中，在該第二藍色次畫素中的第一電極具有一第一電極層和至少一金屬層的多層結構。
- 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中，該第一藍色次畫素顯示淡藍色，以及該第二藍色次畫素顯示深藍色。
- 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中，該多層結構為該第一電極層以及在該第一電極層之下的第一金屬層的雙層結構，而該第一金屬層包括銀(Ag)或銀合金，並且其中該第一電極層包括氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)或其他透明導電材料。
- 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中，該多層結構為該第一電極層、在該第一電極層之上的第一金屬層、以及在該第一金屬層之上的第二金屬層的三層結構，並且每一該第一電極層和該第二金屬層包括氧化銦錫或氧化銦鋅或其他透明導電材料，而於其中該第一金屬層包括銀(Ag)或銀合金。
- 依據申請專利範圍第3項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中，該第一電極層具有大於0埃且小於約300埃的厚度，而該第一金屬層具有約100至200埃的厚度。
- 依據申請專利範圍第4項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中，該第一電極層具有大於0埃且小於約300埃的厚度，而該第一金屬層具有約100至200埃的厚度，以及其中該第二金屬層具有大於0埃且小於約100埃的厚度。
- 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中，該第一藍色次畫素和該第二藍色次畫素中的藍色發光層包括相同的藍色磷光有機材料。
- 依據申請專利範圍第1項所述的裝置，其中，該第二電極包括鋁(Al)。
- 一種用於有機發光二極體顯示裝置的基板，包含：一基板；複數個畫素區域，通過在該基板上形成的複數條閘極線和複數條資料線定義該等畫素區域，而每一個畫素區域包括一紅色次畫素、一綠色次畫素、一第一藍色次畫素、和一第二藍色次畫素；一薄膜電晶體，該薄膜電晶體在每一個畫素區域中；一第一電極，該第一電極電連接至該薄膜電晶體的汲電極；一絕緣層，該絕緣層暴露該第一電極； 一電洞注入層和一電洞傳輸層，該電洞注入層和該電洞傳輸層依次堆疊在該第一電極上；一紅色發光層、一綠色發光層和一藍色發光層，該等紅色、綠色和藍色發光層在該電洞傳輸層上，該紅色發光層在該紅色次畫素中，該綠色發光層在該綠色次畫素中，以及該藍色發光層在該第一藍色次畫素和該第二藍色次畫素中；一電子傳輸層和一電子注入層，該電子傳輸層和該電子注入層依次堆疊在該等紅色、綠色和藍色發光層上；以及一第二電極，該第二電極在該絕緣層和該電子注入層上，其中，該第二藍色次畫素中的第一電極具有一第一電極層和至少一金屬層的多層結構。
- 依據申請專利範圍第9項所述之用於有機發光二極體顯示裝置的基板，其中，該多層結構為該第一電極層、以及在該第一電極層之下的第一金屬層的雙層結構，或者為該第一電極層、在該第一電極層之上的第一金屬層、以及在該第一金屬層之上的第二金屬層的三層結構。
- 依據申請專利範圍第9項所述之用於有機發光二極體顯示裝置的基板，其中，該第一藍色次畫素和該第二藍色次畫素中的藍色發光層包括相同的藍色磷光有機材料。
- 一種製造有機發光二極體顯示裝置的方法，包含：形成複數條閘極線和複數條資料線，以定義複數個畫素區域，每一個畫素區域包括一紅色次畫素、一綠色次畫素、一第一藍色次畫素、和一第二藍色次畫素；在每一個畫素區域中形成一薄膜電晶體；形成一第一電極，該第一電極電連接至在每一個畫素區域中的薄膜電晶體的汲電極，其中，在該第二藍色次畫素中的第一電極具有一第一電極層和至少一金屬層的多層結構；形成一絕緣層，該絕緣層暴露該第一電極； 依次形成一電洞注入層和一電洞傳輸層，該電洞注入層和電洞傳輸層堆疊在該第一電極上；在該電洞傳輸層上形成一紅色發光層、一綠色發光層和一藍色發光層，該紅色發光層在該紅色次畫素中，該綠色發光層在該綠色次畫素中，以及該藍色發光層在該第一和第二藍色次畫素中；依次形成一電子傳輸層和一電子注入層，該電子傳輸層和該電子注入層依次堆疊在該等紅色、綠色和藍色發光層上；以及在該絕緣層和該電子注入層上形成一第二電極。
- 依據申請專利範圍第12項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方法，其中，該第一藍色次畫素顯示淡藍色，以及該第二藍色次畫素顯示深藍色。
- 依據申請專利範圍第12項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方法，其中，該多層結構為該第一電極層以及在該第一電極層之下的第一金屬層的雙層結構，而該第一金屬層包括銀(Ag)或銀合金，並於其中該第一電極層包括氧化銦錫或氧化銦鋅或其他透明導電材料。
- 依據申請專利範圍第12項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方法，其中，該多層結構為該第一電極層、在該第一電極層之上的第一金屬層、以及在該第一金屬層之上的第二金屬層的三層結構，並且每一該第一電極層和該第二金屬層包括氧化銦錫或氧化銦鋅或其他透明導電材料，而於其中該第一金屬層包括銀(Ag)或銀合金。
- 依據申請專利範圍第14項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方法，其中，該第一電極層具有大於0埃且小於約300埃的厚度，而該第一金屬層具有約100至200埃的厚度。
- 依據申請專利範圍第15項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方法，其中，該第一電極層具有大於0埃且小於約300埃的厚度，而該第 一金屬層具有約100至200埃的厚度，以及其中該第二金屬層具有大於0埃且小於約100埃的厚度。
- 依據申請專利範圍第12項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方法，其中，在該第一藍色子圖和該第二藍色次畫素中的藍色發光層包括相同的藍色磷光有機材料。
- 依據申請專利範圍第12項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方法，其中，該第二電極包括鋁(Al)。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120155239A KR101464600B1 (ko) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 유기전계발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR1020130085411A KR102140086B1 (ko) | 2013-07-19 | 2013-07-19 | 유기전계발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201426994A true TW201426994A (zh) | 2014-07-01 |
| TWI559525B TWI559525B (zh) | 2016-11-21 |
Family
ID=50995344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102128697A TWI559525B (zh) | 2012-12-27 | 2013-08-09 | 有機發光二極體顯示裝置及其製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9305979B2 (zh) |
| CN (1) | CN103904100B (zh) |
| TW (1) | TWI559525B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10367163B2 (en) | 2014-08-21 | 2019-07-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10580832B2 (en) | 2013-01-18 | 2020-03-03 | Universal Display Corporation | High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime |
| KR102084400B1 (ko) * | 2013-08-30 | 2020-03-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광장치 및 그 제조방법 |
| CN104752459B (zh) * | 2013-12-25 | 2018-04-03 | 清华大学 | 有机发光二极管阵列 |
| CN104752611B (zh) * | 2013-12-25 | 2017-09-01 | 清华大学 | 有机发光二极管阵列 |
| US10700134B2 (en) * | 2014-05-27 | 2020-06-30 | Universal Display Corporation | Low power consumption OLED display |
| CN104600094B (zh) * | 2014-12-31 | 2017-10-10 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种具有四色亚像素的有机电致发光装置 |
| TWI543423B (zh) * | 2015-01-26 | 2016-07-21 | 財團法人工業技術研究院 | 發光元件 |
| TWI596816B (zh) * | 2015-03-10 | 2017-08-21 | 財團法人工業技術研究院 | 發光元件 |
| CN105826478B (zh) * | 2015-01-26 | 2018-01-16 | 财团法人工业技术研究院 | 发光元件 |
| KR102382005B1 (ko) * | 2015-05-13 | 2022-04-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN104933981A (zh) * | 2015-07-10 | 2015-09-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素结构及高亮度广色域长寿命的显示方法 |
| KR102406606B1 (ko) * | 2015-10-08 | 2022-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 이의 제조 방법 |
| KR20170084736A (ko) * | 2016-01-12 | 2017-07-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| TWI573493B (zh) | 2016-02-19 | 2017-03-01 | 財團法人工業技術研究院 | 發光元件 |
| KR102500612B1 (ko) * | 2017-12-22 | 2023-02-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
| US11362147B2 (en) * | 2018-07-31 | 2022-06-14 | Lg Display Co., Ltd. | Display device |
| TWI703722B (zh) * | 2018-08-06 | 2020-09-01 | 友達光電股份有限公司 | 發光裝置 |
| CN109300945B (zh) * | 2018-09-27 | 2020-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及制作方法、显示面板 |
| FR3087943B1 (fr) * | 2018-10-24 | 2020-11-06 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un pixel d'un micro-ecran a oleds |
| CN109859685B (zh) * | 2019-01-30 | 2021-03-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示器像素排列 |
| CN110137384B (zh) * | 2019-06-28 | 2022-02-01 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110931526B (zh) * | 2019-11-25 | 2022-07-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法与显示装置 |
| WO2021152672A1 (ja) * | 2020-01-27 | 2021-08-05 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005108644A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機ｅｌ素子 |
| JP4439260B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-03-24 | 三洋電機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| US7023013B2 (en) * | 2004-06-16 | 2006-04-04 | Eastman Kodak Company | Array of light-emitting OLED microcavity pixels |
| US9385167B2 (en) * | 2008-10-01 | 2016-07-05 | Universal Display Corporation | OLED display architecture |
| KR101400389B1 (ko) * | 2011-11-01 | 2014-05-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자 |
-
2013
- 2013-08-09 TW TW102128697A patent/TWI559525B/zh active
- 2013-08-20 CN CN201310364408.2A patent/CN103904100B/zh active Active
- 2013-08-22 US US13/973,275 patent/US9305979B2/en active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10367163B2 (en) | 2014-08-21 | 2019-07-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same |
| TWI703751B (zh) * | 2014-08-21 | 2020-09-01 | 南韓商三星顯示器有限公司 | 包含有機發光二極體之有機發光顯示裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103904100A (zh) | 2014-07-02 |
| US20140183464A1 (en) | 2014-07-03 |
| CN103904100B (zh) | 2016-12-28 |
| US9305979B2 (en) | 2016-04-05 |
| TWI559525B (zh) | 2016-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI559525B (zh) | 有機發光二極體顯示裝置及其製造方法 | |
| JP5639839B2 (ja) | 有機発光表示装置 | |
| TWI500144B (zh) | 有機發光顯示裝置及其製造方法 | |
| KR102584253B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| US11552151B2 (en) | Display device and method for manufacturing display device | |
| KR102248641B1 (ko) | 유기전계 발광소자 | |
| CN105895655B (zh) | 具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法 | |
| KR101454752B1 (ko) | 유기발광다이오드표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR101254748B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법 | |
| KR102504436B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| TW201320329A (zh) | 有機發光顯示面板及其製造方法 | |
| WO2020233284A1 (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| WO2003075615A1 (fr) | Affichage a electroluminescence organique et procede de fabrication correspondant | |
| KR101978779B1 (ko) | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| TW201334040A (zh) | 用於有機發光顯示器之畫素結構之製造方法 | |
| KR101464600B1 (ko) | 유기전계발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20150037278A (ko) | 대면적 상부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치 | |
| KR100825384B1 (ko) | 백색 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102094805B1 (ko) | 유기발광 디스플레이장치 및 그 제조방법 | |
| KR102140086B1 (ko) | 유기전계발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법 | |
| US20240130196A1 (en) | Display device and manufacturing method of the same | |
| KR20170051074A (ko) | 유기발광다이오드표시장치 및 이의 제조방법 |