TW201423915A - 鐳射晶片封裝結構 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種鐳射晶片封裝結構，其包括一電路基板、一襯墊、一雙面膠薄膜、一鐳射晶片及一散熱膠體。所述襯墊形成在電路基板上，其具有一承載面。雙面膠薄膜包括一黏著在承載面上之第一膠面，以及一與所述第一膠面相背之第二膠面。鐳射晶片附著在雙面膠薄膜之第二膠面，鐳射晶片具有一發光面，發光面背離雙面膠薄膜之第二膠面。散熱膠體塗覆在承載面並黏附在鐳射晶片及雙面膠薄膜之周圍，散熱膠體背離襯墊之頂面低於鐳射晶片之發光面以露出鐳射晶片之發光面，散熱膠體為銀膠。

Description

鐳射晶片封裝結構

本發明涉及一種晶片封裝結構，尤其涉及一種鐳射晶片封裝結構。

目前之鐳射之應用越來越廣，將來會普遍用在鐳射投影系統及光通訊傳輸系統，鐳射之輸出功率是通過輸入電流控制，鐳射之輸出光功率隨著溫度之上升，其輸出功率會變小。一般電子元件操作時，其溫度會越來越高，如此當輸入電流不變時，則鐳射輸出光功率會隨著溫度升高而降低。當鐳射用在光通訊時，隨著溫度之上升，輸出功率變小會造成誤碼率之增加。

有鑒於此，有必要提供一種能提升鐳射晶片散熱效果之鐳射晶片封裝結構。

一種鐳射晶片封裝結構，其包括：

一電路基板；

一襯墊形成在所述電路基板上，其具有一背離所述電路基板之承載面；

一雙面膠薄膜包括一黏著在所述承載面上之第一膠面，以及一與所述第一膠面相背之第二膠面；

一鐳射晶片附著在所述雙面膠薄膜之第二膠面，所述鐳射晶片具有一發光面，所述發光面位背離所述雙面膠薄膜之第二膠面；以及

一散熱膠體塗覆在所述襯墊之所述承載面並黏附在所述鐳射晶片及所述雙面膠薄膜之周圍，所述散熱膠體背離所述襯墊之頂面低於所述鐳射晶片之發光面以露出所述鐳射晶片之發光面，所述散熱膠體為銀膠。

相對於先前技術，所述散熱膠體塗覆在所述襯墊之所述表面並黏附在所述鐳射晶片及所述雙面膠薄膜之周圍，所述散熱膠體為銀膠具有良好之散熱效果，所述鐳射晶片可通過所述散熱膠體來加快散熱速度。

下面將結合附圖與實施例對本技術方案作進一步詳細說明。

請參閱圖1，本發明實施方式提供之鐳射晶片封裝結構100包括一電路基板10，一襯墊20，一雙面膠薄膜30，一鐳射晶片40以及一散熱膠體50。

所述鐳射晶片40為鐳射二極體（Laser diode, LD），其應用於光纖連接傳輸系統中，所述鐳射晶片40為微晶片，其一種常用尺寸為長與寬均在200 um左右。所述鐳射晶片40具有一發光面42用於發射鐳射，本實施方式中，所述發光面42位於所述鐳射晶片40之一頂面。

所述電路基板10用於驅動和控制所述鐳射晶片40工作。所述電路基板10可以由玻璃纖維、強化塑膠或陶瓷等材質所製成。

所述襯墊20形成在所述電路基板10欲封裝所述鐳射晶片40之位置，且所述襯墊20之面積大於所述鐳射晶片40之面積。所述襯墊20由銅、鎳、金、銀或其合金等導電金屬性材質製成，其可以通過焊接形成在所述電路基板10上。所述襯墊20具有一背離所述電路基板10之承載面22。所述鐳射晶片40可以打線連接至所述襯墊20之承載面22，並通過所述襯墊20電性連接至所述電路基板10。

所述雙面膠薄膜30包括一黏著在所述襯墊20之所述承載面22之第一膠面32，以及一與所述第一膠面32相背之一第二膠面34。所述雙面膠薄膜30之長度尺寸不小於所述鐳射晶片40之長度尺寸，二者以相當，即基本等於為宜。所述鐳射晶片40附著在所述雙面膠薄膜30之第二膠面34。所述鐳射晶片40之發光面42所在之頂面朝上，即背離所述雙面膠薄膜30。

所述散熱膠體50塗覆在所述襯墊20之所述承載面22並黏附在所述鐳射晶片40及所述雙面膠薄膜30周圍。本實施方式中，所述散熱膠體50以360度圍繞所述鐳射晶片40及所述雙面膠薄膜30周圍。所述散熱膠體50背離所述襯墊20之頂面52低於所述鐳射晶片40之發光面42以露出所述鐳射晶片40之發光面42。本實施方式中，所述散熱膠體50沿垂直所述承載面22方向之高度大於所述雙面膠薄膜30之高度且小於所述雙面膠薄膜30之高度與所述鐳射晶片40之高度之和。

本實施方式中，所述雙面膠薄膜30與所述散熱膠體50均為銀膠。

在其他實施方式中，也可只有所述散熱膠體50採用銀膠製成，而所述雙面膠薄膜30採用環氧樹脂或其他具有黏性之材料製成。

本發明提供之鐳射晶片封裝結構100所述散熱膠體塗覆在所述襯墊之所述表面並黏附在所述鐳射晶片及所述雙面膠薄膜之周圍，所述散熱膠體為銀膠具有良好之散熱效果，所述鐳射晶片可通過所述散熱膠體來加快散熱速度。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士爰依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

100．．．鐳射晶片封裝結構

10．．．電路基板

20．．．襯墊

30．．．雙面膠薄膜

40．．．鐳射晶片

50．．．散熱膠體

42．．．發光面

22．．．承載面

32．．．第一膠面

34．．．第二膠面

52．．．散熱膠體之頂面

圖1是本發明實施方式提供之鐳射晶片封裝結構之剖示圖。

100．．．鐳射晶片封裝結構

10．．．電路基板

20．．．襯墊

30．．．雙面膠薄膜

40．．．鐳射晶片

50．．．散熱膠體

42．．．發光面

22．．．承載面

32．．．第一膠面

34．．．第二膠面

52．．．散熱膠體之頂面

Claims (6)

1. 一種鐳射晶片封裝結構，其包括：
   一電路基板；
   一襯墊形成在所述電路基板上，其具有一背離所述電路基板之承載面；
   一雙面膠薄膜包括一黏著在所述承載面上之第一膠面，以及一與所述第一膠面相背之第二膠面；
   一鐳射晶片附著在所述雙面膠薄膜之第二膠面，所述鐳射晶片具有一發光面用於發射鐳射，所述發光面背離所述雙面膠薄膜之第二膠面；以及
   一散熱膠體塗覆在所述襯墊之所述承載面並黏附在所述鐳射晶片及所述雙面膠薄膜之周圍，所述散熱膠體背離所述襯墊之頂面低於所述鐳射晶片之發光面以露出所述鐳射晶片之發光面，所述散熱膠體為銀膠。
2. 如請求項1所述之鐳射晶片封裝結構，其中：所述襯墊之材質選自銅、鎳、金、銀或其合金。
3. 如請求項1所述之鐳射晶片封裝結構，其中：所述散熱膠體沿垂直所述承載面之高度小於所述雙面膠薄膜之高度與所述晶片之高度之和。
4. 如請求項1所述之鐳射晶片封裝結構，其中：所述雙面膠薄膜之長度尺寸與所述晶片之長度尺寸相當。
5. 如請求項1所述之鐳射晶片封裝結構，其中：所述雙面膠薄膜為銀膠。
6. 如請求項1所述之鐳射晶片封裝結構，其中：所述襯墊之面積大於所述鐳射晶片之面積。