TW201423185A - 插座及光傳送模組 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種使用能確保各VCSEL間之隔離之VCSEL陣列之插座及光傳送模組。發光元件陣列100，由VCSEL100A,100B一體化而成。定位構件，使光纖之芯部與VCSEL100A,100B分別光學耦合。發光元件陣列100，具備：底基板128；發光區域多層部160，包含N型DBR層132、具備量子井之活性層136、及P型DBR層140；陽極用電極921，連接於P型DBR層140；以及陰極用電極911，連接於N型DBR層132。底基板128之發光區域多層部160側由半絕緣性半導體構成。VCSEL100A,100B之組，在底基板128係形成有複數個。

Description

插座及光傳送模組
本發明係關於一種插座及光傳送模組，更特定而言，關於將電氣訊號轉換成光訊號並傳送之插座及光傳送模組。
作為習知插座，已知有例如專利文獻1記載之光耦合器。圖17係專利文獻1記載之光耦合器之分解立體圖。
光耦合器500，如圖17所示，具備光連接器510A及光通訊模組510B。又，光連接器510A具備由複數條光纖502A構成之光纖陣列520A、光導波路504A、及透鏡基板530A。再者，光通訊模組510B具備用以連接光連接器510A之透鏡殼體560、及垂直諧振器面發光雷射(以下，稱為VCSEL)即VCSEL505。此外，在光通訊模組510B，使用與光纖502A之條數同數之VCSEL505組合在一個元件內之雷射陣列。
在光通訊模組510B，藉由VCSEL505將電氣訊號轉換成光訊號。轉換後之光訊號從複數個VCSEL505射出，透過光連接器510A之透鏡基板530A及光導波路504A傳送至光纖陣列520A。
然而，如光耦合器500般使用VCSEL505之雷射陣列之情形，會有在各VCSEL505間無法充分地隔離之問題。關於此，以專利文獻2記載之VCSEL600為例詳細說明。圖18係專利文獻2記載之VCSEL之剖面圖。
VCSEL600之概略構造，如圖18所示，在背面形成有陰極電極630之N型半導體基板612之上形成有第1DBR(多層分布布雷格反射器)層614。在第1DBR層614之上層形成有第1間隔物層616。在第1間隔物層616之上層形成有具備量子井之活性層618。在活性層618之上層形成有第2間隔物層620。在第2間隔物層620之上層形成有第2DBR層622。在第2DBR層622之上層形成有陽極電極628。此外，藉由對陽極電極628與陰極電極630之間施加驅動訊號，產生往與基板垂直(與積層方向平行)之方向具有銳利指向性之雷射。
若在上述一個N型半導體基板612上形成複數個VCSEL600(陣列化)，則賦予給各VCSEL600之各驅動訊號在N型半導體基板612內洩漏。因此，在各VCSEL600間產生驅動訊號之串擾。是以，在各VCSEL600間無法充分地隔離。
專利文獻1：日本特開2008-158001號公報
專利文獻2：日本特表2003-508928號公報
因此，本發明之目的在於提供一種能確保各VCSEL間之隔離之插座及光傳送模組。
本發明一形態之插座，係供連接設在光纖一端之插頭，其特徵在於，具備：發光元件陣列，由複數個垂直諧振器面發光雷射一體化而成；定位構件，使複數個該光纖之芯部與複數個該垂直諧振器面發光雷射分別光學耦合；以及構裝基板，供構裝該發光元件陣列；該發光元件陣列，具備：底基板；發光區域多層部，形成於該底基板之表面，且包含N型半 導體多層膜反射層、具備量子井之活性層、及P型半導體多層膜反射層；陽極用電極，連接於該P型半導體多層膜反射層；以及陰極用電極，連接於該N型半導體多層膜反射層；該底基板之至少該發光區域多層部側之既定部分由半絕緣性半導體構成；該陰極用電極形成在該底基板之表面側；由該發光區域多層部、該陽極用電極及該陰極用電極構成之垂直諧振器面發光雷射之組，在該底基板係形成有複數個。
本發明一形態之光傳送模組，具備：該插座；以及插頭，設在該光纖之前端；在該插頭設有位在該光纖之光軸上且與該定位構件對向之第3凸透鏡。
根據本發明之插座及光傳送模組，能確保各VCSEL間之隔離。
E1‧‧‧表面構裝用電極
R1,R2‧‧‧全反射面
10‧‧‧光傳送模組
20‧‧‧插座
22‧‧‧構裝基板
24‧‧‧密封樹脂
30‧‧‧金屬罩
32a~32d‧‧‧卡合部
40‧‧‧插頭
50‧‧‧受光元件陣列
60‧‧‧光纖
100‧‧‧發光元件陣列
100A,100B‧‧‧VCSEL(垂直諧振器面發光雷射)
128‧‧‧底基板
160‧‧‧發光區域多層部
200‧‧‧定位構件
230,232,234,250,252,254‧‧‧凸透鏡
911‧‧‧陰極用電極
921‧‧‧陽極用環電極
圖1係本發明一實施形態之光傳送模組之外觀立體圖。
圖2係本發明一實施形態之插座之分解立體圖。
圖3係從本發明一實施形態之插座移除金屬罩及定位構件之外觀立體圖。
圖4係從z軸方向之正方向側俯視本發明一實施形態之發光元件陣列之圖。
圖5係圖4記載之發光元件陣列之A-A或B-B之剖面圖。
圖6係從本發明一實施形態之插座移除金屬罩之狀態之外觀立體圖。
圖7係本發明一實施形態之定位構件之外觀立體圖。
圖8係從z軸方向之負方向側俯視本發明一實施形態之定位構件之圖。
圖9係在圖7記載之定位構件之C-C或D-D剖面追加本發明一實施形態之構裝基板及插頭之圖。
圖10係本發明一實施形態之金屬罩之外觀立體圖。
圖11係本發明一實施形態之插頭之外觀立體圖。
圖12係從z軸方向之負方向側俯視本發明一實施形態之插頭之圖。
圖13係本發明一實施形態之插座之製程之圖。
圖14係習知插座及插頭之剖面圖。
圖15係習知插座之製程之圖。
圖16係在本發明一實施形態之變形例之定位構件之剖面追加本發明一實施形態之構裝基板及插頭之圖。
圖17係專利文獻1記載之光耦合器之分解立體圖。
圖18係專利文獻2記載之VCSEL之剖面圖。
以下，說明本發明一實施形態之插座、光傳送模組及其製造方法。
(光傳送模組之構成)
以下，參照圖式說明本發明實施形態之插座及光傳送模組之構成。圖1係本發明一實施形態之光傳送模組10之外觀立體圖。圖2係本發明一實施形態之插座20之分解立體圖。圖3係從本發明一實施形態之插座20移除金屬罩30及定位構件200之外觀立體圖。此外，將光傳送模組10之上下方向定義成z軸方向，將從z軸方向俯視時沿著光傳送模組10之長邊之方向定 義成x軸方向。再者，將沿著光傳送模組10之短邊之方向定義成y軸方向。x軸、y軸及z軸彼此正交。
光傳送模組10，如圖1所示，具備插座20及插頭40。此外，插頭40連接於插座20。
插座20，如圖2所示，具備金屬罩30、受光元件陣列50、發光元件陣列100、定位構件200、構裝基板22、及密封樹脂24。
構裝基板22，如圖3所示，從z軸方向俯視時，呈矩形狀。又，在構裝基板22之z軸方向之負方向側之面(以下，將「z軸方向之負方向側之面」稱為背面)設有將光傳送模組10構裝在電路基板時與電路基板之焊墊接觸之表面構裝用電極E1(圖3中未圖示)。
在構裝基板22之z軸方向之正方向側之面(以下，將「z軸方向之正方向側之面」稱為表面)，在位於x軸方向之負方向側之邊L1與位於y軸方向之負方向側之邊L2構成之角之附近設有設在構裝基板22內之接地導體之一部分露出之接地導體露出部E2。接地導體露出部E2，從z軸方向之正方向側俯視時，呈以x軸方向為長邊之長方形狀。
再者，在構裝基板22之表面，在位於x軸方向之負方向側之邊L1與位於y軸方向之正方向側之邊L3構成之角之附近設有設在構裝基板22內之接地導體之一部分露出之接地導體露出部E3。接地導體露出部E3，從z軸方向之正方向側俯視時，呈以x軸方向為長邊之長方形狀。
受光元件陣列50及發光元件陣列100係設在構裝基板22之表面之x軸方向之正方向側之部分。受光元件陣列50為包含將光訊號轉換成電氣訊號之複數個光二極體之元件。發光元件陣列100為包含將電氣訊 號轉換成光訊號之複數個二極體之元件。
又，驅動電路26，在構裝基板22表面之x軸方向之正方向側之部分，設在較受光元件陣列50及發光元件陣列100更靠x軸方向之正方向側。驅動電路26為用以驅動受光元件陣列50及發光元件陣列100之半導體電路元件。
又，驅動電路26，如圖3所示，從z軸方向俯視時，呈具有與y軸方向平行之長邊之矩形狀。驅動電路26與受光元件陣列50係透過引線U藉由引線接合連接。又，驅動電路26與發光元件陣列100係透過引線U藉由引線接合連接。藉此，來自驅動電路26之電氣訊號透過引線U傳送至發光元件陣列100，來自受光元件陣列50之電氣訊號透過引線U傳送至驅動電路26。
密封樹脂24，如圖3所示，具備密封部24a及腳部24b~24e，由環氧樹脂等透明樹脂構成。密封部24a呈大致長方體狀，設在構裝基板22表面之x軸方向之正方向側之部分。密封部24a覆蓋受光元件陣列50、發光元件陣列100及驅動電路26。
腳部24b,24c以從x軸方向之負方向側往正方向側依序排列之方式相隔間隔設置。腳部24b,24c為從密封部24a之y軸方向之負方向側之面朝向構裝基板22之邊L2突出之長方體狀之構件。又，在腳部24b與腳部24c之間設有後述金屬罩30之凸部C3嵌入之空間H1。
腳部24d,24e以從x軸方向之負方向側往正方向側依序排列之方式相隔間隔設置。腳部24d,24e為從密封部24a之y軸方向之正方向側之面朝向構裝基板22之邊L3突出之長方體狀之構件。又，在腳部24d與腳 部24e之間設有後述金屬罩30之凸部C6嵌入之空間H2。
(發光元件陣列之構成)
接著，參照圖式說明發光元件陣列100。圖4係從z軸方向之正方向側俯視本發明一實施形態之發光元件陣列100之圖。圖5係圖4記載之發光元件陣列100之A-A或B-B之剖面圖。此外，本實施形態中，雖僅記載二個VCSEL100A,100B，但構成本案發明之發光元件陣列100之VCSEL之個數並不限於此。
發光元件陣列100，如圖4所示，具備二個VCSEL100A, 100B。亦即，VCSEL100A,100B一體化而陣列化，VCSEL100A,100B分別獨立地驅動。又，從各VCSEL100A,100B朝向z軸方向之正方向側射出雷射束B1。二個VCSEL100A,100B，如圖5所示，設在共通之底基板128之表面。
底基板128由半絕緣性半導體構成，具體而言，由以GaAs為材料之基板構成。底基板128，較佳為，電阻率為1.0×107Ω‧cm以上。藉由使用由上述電阻率之半絕緣性半導體構成之底基板128，可更高地確保VCESL100A與VCSEL100B之間之隔離。
在底基板128之表面，如圖5所示，積層有N型半導體接觸層130。N型半導體接觸層130，在VCESL100A與VCSEL100B之各個分別設有一個。此外，VCESL100A之N型半導體接觸層130與VCESL100B之N型半導體接觸層130彼此絕緣。此外，N型半導體接觸層130由具有N型導電性之化合物半導體構成。
在N型半導體接觸層130之表面，如圖5所示，積層有N 型半導體多層膜反射層(以下稱為N型DBR層)132。又，在N型DBR層132設有從z軸方向之正方向側俯視時圓弧狀之槽W。槽W在VCESL100A,100B之各個之中央附近x軸方向之負方向側繞半圈。槽W之底部到達N型半導體接觸層130之表面。N型DBR層132由AlGaAs構成，將Al相對於Ga之組成比率不同之層積層複數層而構成。藉此，N型DBR層132作為用以產生既定頻率之雷射光之第1反射器而作用。此外，N型DBR層132兼作為N型半導體接觸層亦可。亦即，N型半導體接觸層並非必要。
在N型DBR層132之表面，如圖5所示，積層有N型半導 體包覆層134。N型半導體包覆層134，從z軸方向俯視時，設在VCESL100A,100B之中心，呈圓形。各N型半導體包覆層134彼此絕緣。N型半導體包覆層134由AlGaAs構成。
在N型半導體包覆層134之表面，如圖5所示，設有活性 層136。又，活性層136由GaAs及AlGaAs構成。又，GaAs層被AlGaAs層夾著而設置。此外，AlGaAs之能量禁止帶寬較GaAs大。又，GaAs之折射率較AlGaAs大。
在活性層136之表面，如圖5所示，設有P型半導體包覆層138。P型半導體包覆層138由AlGaAs構成。
在P型半導體包覆層138之表面，如圖5所示，設有氧化狹窄層150。從z軸方向俯視氧化狹窄層150時，在氧化狹窄層150之大致中央設有圓形之孔152。氧化狹窄層150由AlGaAs構成。
在氧化狹窄層150之表面，如圖5所示，設有P型半導體多層膜反射層(以下稱為P型DBR層)140。又，P型DBR層140之一部分亦設 在設於氧化狹窄層之孔152內，與P型半導體包覆層138相接。P型DBR層140由AlGaAs構成，將Al相對於Ga之組成比率不同之層積層複數層而構成。藉此，P型DBR層140作為用以產生既定頻率之雷射光之第2反射器而作用。此外，P型DBR層140之反射率較N型DBR層132低一些。此處，雖設有半導體包覆層以夾著活性層，但並不限於此構成。將使諧振產生之膜厚之層設置成活性層亦可。
在P型DBR層140之表面，如圖5所示，積層有P型半導 體接觸層142。P型半導體接觸層142由具有P型導電性之化合物半導體構成。此外，P型DBR層兼作為P型半導體接觸層亦可。亦即，P型半導體接觸層並非必要。
藉由上述N型半導體接觸層130、N型DBR層132、N型半 導體包覆層134、活性層136、P型半導體包覆層138、P型DBR層140、P型半導體接觸層142構成發光區域多層部160。
此外，各層之厚度及Al相對於Ga之組成比率係設定成在光 駐波分布之中心之腹之位置具有一個發光頻譜峰值波長且配置複數個量子井。藉此，發光區域多層部160作用為VCSEL100A,100B之發光部。再者，如圖5所示，藉由具備氧化狹窄層150，可將電流有效率地注入活性層136，實現低耗電之VCSEL100A,100B。
在P型半導體接觸層142之表面，如圖5所示，設有陽極用環電極921。陽極用環電極921，如圖4所示，從z軸方向俯視時，呈環狀。此外，陽極用電極並不一定要環狀，為例如環狀之一部分開啟之C字狀或長方形狀亦可。
在上述N型DBR層132之槽W，如圖4及圖5所示，設有 陰極用電極911。此外，陰極用電極911，如圖5所示，與N型半導體接觸層130相接。藉此，陰極用電極911與N型半導體接觸層130導通。此外，陰極用電極911，如圖4所示，從z軸方向俯視時，呈圓弧狀。又，此圓弧與環狀之陽極用環電極921之環大致同心。
絕緣膜162係以覆蓋設有陰極用電極911及陽極用環電極 921之部分以外之VCSEL100A,100B之發光區域多層部160之表面之方式設置。又，絕緣膜162之材料可舉出例如氮化矽。
在VCSEL100A,100B之x軸方向之正方向側之部分，如圖4 所示，設有絕緣層170。又，絕緣層170，如圖5所示，設在覆蓋N型DBR層132之絕緣膜162上。絕緣層170，如圖4所示，從z軸方向俯視時，呈在y軸方向具有長邊之矩形狀。此外，作為絕緣層170之材料，可舉出例如聚醯亞胺。
在絕緣層170表面之y軸方向之負方向側之部分，如圖4所 示，設有陰極用墊電極912。陰極用墊電極912透過陰極用配線電極913連接於陰極用電極911。
在絕緣層170表面之y軸方向之正方向側之部分，如圖4所 示，設有陽極用墊電極922。此外，陽極用墊電極922與陰極用墊電極912係分離既定距離設置。陽極用墊電極922透過陽極用配線電極923連接於陽極用環電極921。
又，發光元件陣列100，如圖4及圖5所示，設有用以分割VCSEL100A,100B之槽180。槽180，如圖4所示，為從z軸方向俯視時設 成與x軸方向及y軸方向平行之格子狀之槽。又，槽180，如圖5所示，在積層方向貫通絕緣膜162、N型DBR層132及N型半導體接觸層130。再者，槽180之底部，從底基板128之表面到達既定深度。藉此，可防止VCSEL100A,100B透過N型半導體接觸層130導通。
在以上述方式構成之發光元件陣列100之各VCSEL100A, 100B，藉由使電流(驅動訊號)從陽極用墊電極922朝向陰極用墊電極912流動，在活性層136引起感應放出。藉由感應放出從活性層放出之光，在N型DBR層132及P型DBR層140反射，往返於活性層。往返其間，光藉由感應放出而增幅，成為雷射束往z軸方向之正方向側放出。此外，由於VCSEL100A之N型半導體接觸層130與VCSEL100B之N型半導體接觸層130分離，因此可抑制在VCSEL100A之驅動訊號與VCSEL100B之驅動訊號之間產生串擾。
(定位構件之構成)
接著，參照圖式說明插座20。圖6係本發明一實施形態之插座20之外觀立體圖(金屬罩30未圖示)。圖7係本發明一實施形態之定位構件200之外觀立體圖。圖8係從z軸方向之負方向側俯視本發明一實施形態之定位構件200之圖。圖9係在圖7記載之定位構件200之C-C或D-D剖面追加本發明一實施形態之構裝基板22及插頭40之圖。
定位構件200，如圖6所示，以覆蓋構裝基板22表面及密封樹脂24之大致整體之方式橫跨設在構裝基板22及密封樹脂24。又，定位構件200具備發光元件用之定位構件220與受光元件用之定位構件240。定位構件220,240係以從y軸方向之負方向側朝向正方向側依序排列之方式 設置。此外，定位構件200係藉由例如環氧系或耐隆系之樹脂構成。
發光元件用之定位構件220，如圖7及圖8所示，從z軸方向俯視時，呈矩形狀。再者，定位構件220，具備插頭導引部222與光耦合部224。
插頭導引部222，如圖7所示，構成定位構件220之x軸方向之負方向側之部分。又，插頭導引部222，如圖8所示，為從z軸方向俯視時呈矩形狀之板狀構件。再者，插頭導引部222之x軸方向之正方向側之端面S1，如圖9所示，與密封樹脂24之x軸方向之負方向側之面對向。是以，插頭導引部222在構裝基板22上位於較密封樹脂24靠x軸方向之負方向側。
又，在插頭導引部222之表面之y軸方向之大致中央，如圖7所示，用以導引後述插頭40之槽G1與x軸大致平行地設置。此外，在插頭導引部222，將較槽G1靠y軸方向之負方向側之部分稱為平坦部F1，將較槽G1靠y軸方向之正方向側之部分稱為平坦部F2。槽G1在z軸方向離構裝基板22之高度h1，如圖9所示，較密封樹脂24之z軸方向之高度h2低。
光耦合部224，如圖7至圖9所示，構成定位構件220之x軸方向之正方向側之部分，載置於密封樹脂24上。
再者，光耦合部224，如圖7所示，具有本體226及抵接部228。本體226呈長方體狀。抵接部228從本體226之x軸方向之負方向側之端面S2沿著插頭導引部222之平坦部F1突出至平坦部F1之x軸方向之大致中央。藉此，光耦合部224從z軸方向俯視時呈L字型。此外，將抵 接部228之x軸方向之負方向側之端面稱為端面S3。又，在光耦合部224設有凹部D1及凸透鏡230。
凹部D1，如圖7所示，係設在光耦合部224之y軸方向之 正方向側之邊附近。又，凹部D1，從z軸方向俯視時，與發光元件陣列100重疊。再者，凹部D1，從x軸方向俯視時，與連接於後述插頭40之光纖60之光軸重疊。此外，光纖60之光軸與x軸平行。又，凹部D1，如圖7所示，從z軸方向俯視時呈矩形狀。再者，凹部D1，如圖9所示，從y軸方向俯視時呈V字型。
凹部D1之x軸方向之負方向側之內周面為全反射面R1。全 反射面R1，如圖9所示，與y軸平行。再者，全反射面R1，從y軸方向之負方向側俯視時相對於z軸逆時針傾斜45°。又，定位構件200之折射率充分地大於空氣。是以，從發光元件陣列100往z軸方向之正方向側射出之雷射束B1，射入光耦合部224，藉由全反射面R1往x軸方向之負方向側全反射，透過密封樹脂24往光纖60行進。此時，若從y軸方向俯視雷射束B1之光跡，則從發光元件陣列100射出之雷射束B1之光軸與全反射面R1之夾角為45°，朝向光纖60之雷射束B1之光軸與全反射面R1之夾角為45°。亦即，全反射面R1與光纖60之光軸構成之角度與全反射面R1與發光元件陣列100構成之角度相等。
凸透鏡230(第1凸透鏡)，如圖8及圖9所示，設在光耦合 部224之z軸方向之負方向側之面。又，凸透鏡230，從z軸方向俯視時與發光元件陣列100與各VCSEL重疊。藉此，凸透鏡230與發光元件陣列100對向，位於雷射束B1之光路上。又，凸透鏡230，從與z軸正交之方向俯 視時，呈朝向z軸之負方向側突出之半圓狀。是以，從發光元件陣列100射出之雷射束B1，藉由凸透鏡230聚光或準直，射向全反射面R1。
受光元件用之定位構件240，如圖7及圖8所示，從z軸方 向俯視時，呈矩形狀。再者，定位構件240，具備插頭導引部242與光耦合部244。
插頭導引部242，如圖7所示，構成定位構件240之x軸方 向之負方向側之部分。又，插頭導引部242，如圖8所示，為從z軸方向俯視時呈矩形狀之板狀構件。再者，插頭導引部242之x軸方向之正方向側之端面S4，如圖9所示，與密封樹脂24之x軸方向之負方向側之面對向。是以，插頭導引部242在構裝基板22上位於較密封樹脂24靠x軸方向之負方向側。
又，在插頭導引部242之表面之y軸方向之大致中央，如圖 7所示，用以導引後述插頭40之槽G2與x軸大致平行地設置。此外，在插頭導引部242，將較槽G2靠y軸方向之負方向側之部分稱為平坦部F3，將較槽G2靠y軸方向之正方向側之部分稱為平坦部F4。槽G2在z軸方向離構裝基板22之高度h3，如圖9所示，較密封樹脂24之z軸方向之高度h2低。
光耦合部244，如圖7至圖9所示，構成定位構件240之x軸方向之正方向側之部分，載置於密封樹脂24上。
再者，光耦合部244，如圖7所示，具有本體246及抵接部248。本體246呈長方體狀。抵接部248從本體246之x軸方向之負方向側之端面S5沿著插頭導引部242之平坦部F4突出至平坦部F4之x軸方向之 大致中央。藉此，光耦合部244從z軸方向俯視時呈L字型。此外，將抵接部248之x軸方向之負方向側之端面稱為端面S6。又，在光耦合部244設有凹部D2及凸透鏡250。
凹部D2，如圖7所示，係設在光耦合部244之y軸方向之 負方向側之邊附近。又，凹部D2，從z軸方向俯視時，與受光元件陣列50重疊。再者，凹部D2，從x軸方向俯視時，與連接於後述插頭40之光纖60之光軸重疊。此外，光纖60之光軸與x軸平行。又，凹部D2，如圖7所示，從z軸方向俯視時呈矩形狀。再者，凹部D2，如圖9所示，從y軸方向俯視時呈V字型。
凹部D2之x軸方向之負方向側之內周面為全反射面R2。全 反射面R2，如圖9所示，與y軸平行。再者，全反射面R2，從y軸方向之負方向側俯視時相對於z軸逆時針傾斜45°。又，定位構件200之折射率充分地大於空氣。是以，從光纖60往x軸方向之正方向側射出之雷射束B2，射入光耦合部244，藉由全反射面R2往z軸方向之負方向側全反射，透過插頭40往受光元件陣列50行進。此時，若從y軸方向俯視雷射束B2之光跡，則從光纖60射出之雷射束B2之光軸與全反射面R2之夾角為45°，朝向受光元件陣列50之雷射束B2之光軸與全反射面R2之夾角為45°。亦即，全反射面R2與光纖60之光軸構成之角度與全反射面R2與受光元件陣列50構成之角度相等。
凸透鏡250，如圖8及圖9所示，設在光耦合部244之背面。又，各凸透鏡250，從z軸方向俯視時與受光元件陣列50之各VCSEL重疊。藉此，凸透鏡250與受光元件陣列50對向，位於雷射束B2之光路上。又， 凸透鏡250，從與z軸正交之方向俯視時，呈朝向z軸之負方向側突出之半圓狀。是以，從光纖60射出之雷射束B2，被全反射面R2反射後，藉由凸透鏡250聚光或準直，射向受光元件陣列50。
(金屬罩之構成)
接著，參照圖式說明金屬罩30。圖10係本發明一實施形態之金屬罩30之外觀立體圖。
金屬罩30係一片金屬板(例如，SUS301)折曲成字型而製 作。又，金屬罩30，如圖1所示，從z軸方向之正方向側以及y軸方向之正方向側及y軸方向之負方向側覆蓋定位構件200。
金屬罩30，如圖10所示，包含上面32及側面34,36。上面 32為相對於z軸正交之面，呈矩形狀。側面34，係金屬罩30從上面32之y軸方向之負方向側之長邊往z軸方向之負方向側折曲而形成。側面36，係金屬罩30從上面32之y軸方向之正方向側之長邊往z軸方向之負方向側折曲而形成。
在上面32之x軸方向之負方向側之部分，如圖10所示，設 有用以將插頭40固定在插座20之卡合部32a,32b。卡合部32a,32b從y軸方向之負方向側朝向正方向側依序排列設置。
卡合部32a,32b係藉由在上面32切入字型缺口而形成。 更具體而言，卡合部32a,32b係藉由在上面32切入往x軸方向之正方向側開口之字型缺口且使字型缺口所包圍之部分往z軸方向之負方向側凹陷彎曲而形成。藉此，卡合部32a,32b，從y軸方向俯視時，呈往z軸方向之負方向側突出之V字型之形狀。
又，在上面32之x軸方向之負方向側之短邊，如圖10所示，設有用以將插頭40固定在插座20之卡合部32c,32d。卡合部32c,32d係從上面32往x軸方向之負方向側突出之金屬片。卡合部32c,32d，在卡合部32c,32d之x軸方向之大致中央之位置，往z軸方向之負方向側凹陷彎曲。藉此，卡合部32c,32d，從y軸方向俯視時，呈往z軸方向之負方向側突出之V字型之形狀。
在側面34之z軸方向之負方向側之長邊，如圖10所示，朝向z軸方向之負方向側突出之凸部C1~C3從x軸方向之負方向側朝向正方向側依序排列設置。凸部C1~C3分別藉由接著劑與構裝基板22固定。此外，凸部C1與構裝基板22之接地導體露出部E2連接。又，凸部C3嵌入設在密封樹脂24之腳部24b與腳部24c之間之空間H1。藉此，金屬罩30相對於構裝基板22定位。
在側面36之z軸方向之負方向側之長邊，如圖10所示，朝向z軸方向之負方向側突出之凸部C4~C6從x軸方向之負方向側朝向正方向側依序排列設置。凸部C4~C6分別藉由接著劑與構裝基板22固定。此外，凸部C4與構裝基板22之接地導體露出部E3連接。又，凸部C6嵌入設在密封樹脂24之腳部24d與腳部24e之間之空間H2。藉此，金屬罩30相對於構裝基板22定位。
又，金屬罩30，如圖1所示，從z軸方向之正方向側以及y軸方向之正方向側及y軸方向之負方向側覆蓋定位構件200。此外，在插座20之x軸方向之負方向側，如圖1所示，形成有後述插頭40插入之開口部A3。
(插頭之構成)
參照圖式說明本發明一實施形態之插頭40。圖11係本發明一實施形態之插頭之外觀立體圖。圖12係從z軸方向之負方向側俯視本發明一實施形態之插頭之圖。
插頭40，如圖11所示，設在光纖60之一端。插頭40具備 送訊側插頭42及收訊側插頭46。此外，插頭40由例如環氧系或耐隆系樹脂構成。
送訊側插頭42傳送來自光纖60之雷射束B1。送訊側插頭42，如圖11所示，具備光纖插入部42a及耳部42b。光纖插入部42a構成送訊側插頭42之y軸方向之正方向側之部分，呈往x軸方向延伸之長方體狀。在光纖插入部42a之x軸方向之負方向側之部分設有用以插入光纖60之開口部A1。
開口部A1，如圖11所示，係藉由切開光纖插入部42a之z軸方向之正方向側之上面S7及x軸方向之負方向側之端面S8而形成。又，在開口部A1之x軸方向之正方向側之內周面設有用以將插入之光纖60之芯線導至送訊側插頭42前端之孔H7。此外，孔H7與光纖60之條數對應，本實施形態中為二個。
再者，在光纖插入部42a之x軸方向之正方向側之部分，如圖11所示，設有用以注入光纖60固定用之接著劑之凹部D3。凹部D3從光纖插入部42a之表面朝向背面凹陷。在凹部D3之x軸方向之負方向側之內周面設有孔H7。孔H7與開口部A1之x軸方向之正方向側之內周面連接。是以，光纖60之芯線通過孔H7從開口部A1到達凹部D3。到達凹部D3 之光纖60之芯線抵接於凹部D3之x軸方向之正方向側之內周面(抵接面)S9。此外，藉由將透明樹脂所構成之接著劑、例如環氧系樹脂注入開口部A1及凹部D3，光纖60固定於送訊側插頭42。
在光纖插入部42a之x軸方向之正方向側之端面S10，如圖9及圖12所示，設有凸透鏡44(第3凸透鏡)。凸透鏡44，從與x軸方向正交之方向俯視時，呈往x軸方向之正方向側突出之半圓狀。藉此，從發光元件陣列100射出且被全反射面R1反射後之雷射束B1藉由凸透鏡44聚光或準直。
又，凸透鏡44，從x軸方向俯視時，與光纖之光軸重疊。是以，被凸透鏡44聚光或準直之雷射束B1，通過光纖插入部42a之樹脂。此外，雷射束B1傳送至抵接於抵接面S9之光纖60之芯線之芯部。
在光纖插入部42a之上面S7，如圖11所示，設有與金屬罩30之卡合部32a卡合之突起N1。突起N1在x軸方向設在開口部A1與凹部D3之間，往y軸方向延伸。又，突起N1，從y軸方向俯視時，呈往z軸方向之正方向側突出之三角形狀。
在光纖插入部42a之背面，如圖11及圖12所示，設有凸部C7。凸部C7與定位構件220之插頭導引部222之槽G1對應。凸部C7從端面S8朝向端面S10與x軸平行設置。
耳部42b，如圖11及圖12所示，從光纖插入部42a之x軸方向之負方向側之端部附近往y軸方向之負方向側突出。藉此，送訊側插頭42呈L字型。此外，耳部42b在送訊側插頭42之插拔作業時作用為把持部。又，在耳部42b之大致中央設有從z軸方向俯視時大致長方形狀之拔出 孔。
此外，送訊側插頭42與插座20之連接作業係藉由使凸部 C7沿著槽G1往x軸方向之正方向側壓入而進行。此時，耳部42b之x軸方向之正方向側之端面S11抵接於圖7所示之定位構件220之抵接部228之端面S3。
又，藉由送訊側插頭42與插座20之連接作業，如圖9所示， 送訊側插頭42載置於定位構件220上。再者，如上述，光纖60之光軸與x軸方向平行，將送訊側插頭42往插座20壓入之方向為x軸方向之正方向側。是以，光纖60之光軸與送訊側插頭42之插入方向平行。
又，送訊側插頭42與插座20連接時，金屬罩30之卡合部 32a與突起N1卡合，且卡合部32c與送訊側插頭42之上面S7與端面S8構成之角卡合，藉此送訊側插頭42固定於插座20。
收訊側插頭46傳送往受光元件陣列50之雷射束B2。收訊 側插頭46，如圖11所示，具備光纖插入部46a及耳部46b。光纖插入部46a構成收訊側插頭46之y軸方向之負方向側之部分，呈長方體狀。在光纖插入部46a之x軸方向之負方向側之部分設有用以插入光纖60之開口部A2。
開口部A2，如圖11所示，係藉由切開光纖插入部46a之z軸方向之正方向側之上面S12及x軸方向之負方向側之端面S13而形成。又，在開口部A2之x軸方向之正方向側之內周面設有用以將插入之光纖60之芯線導至收訊側插頭46前端之孔H8。此外，孔H8與光纖60之條數對應，本實施形態中為二個。
再者，在光纖插入部46a之x軸方向之正方向側之部分，如 圖11所示，設有用以注入光纖60固定用之接著劑之凹部D4。凹部D4從光纖插入部46a之表面朝向背面凹陷。在凹部D4之x軸方向之負方向側之內周面設有孔H8。孔H8與開口部A2之x軸方向之正方向側之內周面連接。是以，光纖60之芯線通過孔H8從開口部A2到達凹部D4。到達凹部D4之光纖60之芯線抵接於凹部D4之x軸方向之正方向側之內周面(抵接面)S14。此外，藉由將透明樹脂所構成之接著劑、例如環氧系樹脂注入開口部A2及凹部D4，光纖60固定於收訊側插頭46。
在光纖插入部46a之x軸方向之正方向側之端面S15，如圖9及圖12所示，設有凸透鏡48。凸透鏡48，從與x軸方向正交之方向俯視時，呈往x軸方向之正方向側突出之半圓狀。
又，凸透鏡48，從x軸方向俯視時，與光纖60之光軸重疊。是以，從光纖60射出之雷射束B2，藉由凸透鏡48聚光或準直，往全反射面R2行進。此外，雷射束B2被全反射面R2反射，往受光元件陣列50傳送。
在光纖插入部46a之上面S12，如圖11所示，設有與金屬罩30之卡合部32b卡合之突起N2。突起N2在x軸方向設在開口部A2與凹部D4之間，往y軸方向延伸。又，突起N2，從y軸方向俯視時，呈往z軸方向之正方向側突出之三角形狀。
在光纖插入部46a之背面，如圖11及圖12所示，設有凸部C8。凸部C8與定位構件240之插頭導引部242之槽G2對應。凸部C8從端面S13朝向端面S15與x軸平行設置。
耳部46b，如圖11及圖12所示，從光纖插入部46a之x軸 方向之負方向側之端部往y軸方向之正方向側突出。藉此，收訊側插頭46呈L字型。此外，耳部46b在收訊側插頭46之插拔作業時作用為把持部。又，在耳部46b之大致中央設有從z軸方向俯視時大致矩形狀之拔出孔。
此外，收訊側插頭46與插座20之連接作業係藉由使凸部C8沿著槽G2往x軸方向之正方向側壓入而進行。此時，耳部46b之x軸方向之正方向側之端面S16抵接於圖7所示之定位構件200之抵接部248之端面S6。
又，藉由收訊側插頭46與插座20之連接作業，如圖9所示，收訊側插頭46載置於定位構件240上。再者，如上述，光纖60之光軸與x軸方向平行，將收訊側插頭46往插座20壓入之方向為x軸方向之正方向側。是以，光纖60之光軸與收訊側插頭46之插入方向平行。
又，收訊側插頭46與插座20連接時，金屬罩30之卡合部32b與突起N2卡合，且卡合部32d與收訊側插頭46之上面S12與端面S13構成之角卡合，藉此收訊側插頭46固定於插座20。
在以上述方式構成之光傳送模組10，如圖9所示，從發光元件陣列100往z軸方向之正方向側射出之雷射束B1通過密封樹脂24及定位構件220。再者，雷射束B1被全反射面R1往x軸方向之負方向側反射，通過插頭40並往光纖60之芯部傳送。是以，定位構件220具有使光纖60之芯部與發光元件陣列100光學耦合之功能。
又，在光傳送模組10，如圖9所示，從光纖60往x軸方向之正方向側射出之雷射束B2通過定位構件240。再者，雷射束B2被全反射面R2往z軸方向之負方向側反射，通過密封樹脂24並往受光元件陣列50 傳送。是以，定位構件240具有使光纖60之芯部與受光元件陣列50光學耦合之功能。
(製造方法)
以下，以發光元件陣列100、插座20、插頭40及光傳送模組10之順序說明本發明一實施形態之光傳送模組10之製造方法。
(發光元件陣列之製造方法)
首先，在底基板128之表面，依序積層N型半導體接觸層130、N型DBR層132、N型半導體包覆層134、活性層136、P型半導體包覆層138、P型DBR層140、P型半導體接觸層142。
接著，除了構成各VCSEL100A,100B之發光區域多層部160之部分外，對P型半導體接觸層142、P型DBR層140、P型半導體包覆層138、活性層136、N型半導體包覆層134依序以既定圖案進行蝕刻。在此步驟，進行蝕刻至N型DBR層132之表面。藉此，除了N型半導體接觸層130、N型DBR層132外，VCSEL100A,100B之發光區域多層部160分離成離開既定距離。
藉由對在N型DBR層132表面露出之區域之接近發光區域多層部160之位置進行蝕刻，使N型半導體接觸層130露出。在此N型半導體接觸層130露出之區域形成陰極用電極911。
又，在未蝕刻之發光區域多層部160之P型半導體接觸層142之表面形成陽極用環電極921。
在底基板128之表面側，除了陰極用電極911、陽極用環電極921之表面外，形成絕緣膜162。
在絕緣膜162表面之接近發光區域多層部160之區域形成絕緣層170。
在絕緣層170表面形成陰極用墊電極912與陽極用墊電極922。
形成將陰極用電極911與陰極用墊電極912加以連接之陰極用配線電極913。形成將陽極用環電極921與陽極用墊電極922加以連接之陽極用配線電極923。
以將相鄰之VCSEL100A,100B之區域加以分割之方式，貫通絕緣膜162、N型DBR層132、N型半導體接觸層130，形成從底基板128之表面往內部至既定深度為止凹陷形狀之槽180。藉由上述步驟，形成發光元件陣列100。
(插座之製造方法)
接著，參照圖式說明插座20之製造方法。圖13係本發明一實施形態之插座之製程之圖。
首先，在構裝基板22之集合體即母基板122(本圖式中未圖示)之上面塗布焊料。更具體而言，在載置有金屬光罩之母基板122上使用刮漿板按壓糊狀焊料。接著，從母基板122移除金屬光罩，藉此將焊料印刷至母基板122。
接著，將電容器載置於母基板122之焊料上。之後，對母基板122進行加熱，焊接電容器。
焊接電容器後，在母基板122上之既定位置塗布Ag糊。在塗布之Ag上載置驅動電路26、受光元件陣列50及發光元件陣列100，進 行晶粒接合。再者，使用Au引線藉由引線接合將驅動電路26與受光元件陣列50加以連接，再者，藉由引線接合將驅動電路26與發光元件陣列100加以連接。
之後，對電容器、驅動電路26、受光元件陣列50及發光元 件陣列100進行樹脂鑄模。再者，使用切刀將母基板122裁切，藉此獲得複數個構裝基板22。
接著，將定位構件220載置於構裝基板22及密封樹脂24 上。更具體而言，在密封樹脂24a表面之x軸方向之負方向側之區域塗布UV硬化型之接著劑。塗布接著劑後，如圖13所示，以位置辨識用攝影機V1確認發光元件陣列100之發光部之中心T100之位置。
接著，用以將定位構件220載置於密封樹脂24上之搭載機 V2吸附提起定位構件220。接著，如圖13所示，在搭載機V2吸附定位構件220之狀態下，以位置辨識用攝影機V3確認定位構件220之凸透鏡230之透鏡中心T230之位置。
從以位置辨識用攝影機V1確認之發光元件陣列100之發光 部之中心T100之位置資料及以位置辨識用攝影機V3確認之定位構件220之凸透鏡230之透鏡中心T230之位置資料，算出發光元件陣列100之發光部與凸透鏡230之相對位置。根據算出之結果，決定搭載機V2之移動量。
接著，藉由搭載機V2，使定位構件220移動決定之移動量。藉此，凸透鏡230之透鏡中心T230與發光元件陣列100之光軸一致。
與定位構件220之載置作業並行地，進行將定位構件240載置於構裝基板22及密封樹脂24上之作業。更具體而言，在密封樹脂24a 表面之x軸方向之負方向側之區域塗布UV硬化型之接著劑後，如圖13所示，以位置辨識用攝影機V4確認受光元件陣列50之受光部之中心T50之位置。
接著，用以將定位構件240載置於密封樹脂24上之搭載機 V5吸附提起定位構件240。接著，如圖13所示，在搭載機V5吸附定位構件240之狀態下，以位置辨識用攝影機V6確認定位構件240之凸透鏡250之透鏡中心T250之位置。
從以位置辨識用攝影機V4確認之受光元件陣列50之受光 部之中心T50之位置資料及以位置辨識用攝影機V6確認之定位構件240之凸透鏡250之透鏡中心T250之位置資料，算出受光元件陣列50之發光部與凸透鏡250之相對位置。根據算出之結果，決定搭載機V5之移動量。
接著，藉由搭載機V5，使定位構件240移動決定之移動量。藉此，凸透鏡250之透鏡中心T250與受光元件陣列50之光軸一致。
對配置之定位構件220,240照射紫外線。此外，紫外線照射中，定位構件220,240為藉由搭載機V2,V5往構裝基板22及密封樹脂24按壓之狀態。藉此，位於定位構件220,240與密封樹脂24之間之UV型硬化劑硬化時，定位構件220,240不會引起位置偏移，固定在構裝基板22及密封樹脂24。
接著，對載置有定位構件200之構裝基板22安裝金屬罩30。更具體而言，在構裝基板22之表面之腳部24b與24c間之空間H1、腳部24d與24e間之空間H2、及金屬罩30之凸部C2,C5接觸之部分塗布環氧系等之熱硬化性接著劑。又，在構裝基板22之接地導體露出部E2,E3塗布 Ag等導電性糊。
塗布接著劑及導電性糊後，使金屬罩30之凸部C3嵌合於 構裝基板22上之密封樹脂24之腳部24b與腳部24c所夾之部分、亦即空間H1。再者，使凸部C6嵌合於密封樹脂24之腳部24d與腳部24e所夾之部分、亦即空間H2。藉此，決定金屬罩30相對於構裝基板22之位置。又，與金屬罩30之定位同時地，凸部C1~C6與構裝基板22上之接著劑或導電性糊接觸。
使金屬罩30嵌合後，對構裝基板22加熱，使接著劑及導 電性糊硬化。藉此，將金屬罩30固定於構裝基板22。此外，藉由將金屬罩30安裝在構裝基板22，金屬罩30之凸部C1,C4與構裝基板22之接地導體露出部E2,E3接觸。藉此，金屬罩30連接於構裝基板22內之接地導體，保持接地電位。藉由以上步驟完成插座20。
(插頭之製造方法)
首先，將插入插頭40之光纖60切斷成既定長度。
接著，使用光纖用剝除器除去光纖60之前端附近之被覆。除去前端附近之被覆後，為了使光纖60之芯線之劈開面露出，進行劈開。
接著，對圖11所示之插頭40之開口部A1,A2及凹部D3,D4注入用以固定光纖60之環氧樹脂等透明接著劑。再者，光纖60之芯線壓入至抵接於插頭40之面S9,S14。接著，藉由使透明接著劑硬化，光纖60固定在插頭40。
(光傳送模組之製造方法)
將插頭40連接於插座20。插頭40之連接，如上述，係藉由使插頭40 之凸部C7,C8沿著定位構件220,240之槽G1,G2從設在金屬罩30與插座20之間之開口部A3朝向x軸方向之正方向側壓入來進行。經由以上製程完成光傳送模組10。
(效果)
根據以上述方式構成之光傳送模組10及插座20，可在VCSEL100A,100B之間充分地取得隔離。更詳細而言，VCSEL100A,100B載置於一個基板即底基板128上。底基板128為半絕緣性之半導體基板。藉此，在VCSEL100A,100B，從陽極用環電極921流入之電流(驅動訊號)，依序通過P型半導體接觸層142、P型DBR層140、P型半導體包覆層138、活性層136、N型半導體包覆層134、N型DBR層132、N型半導體接觸層130及陰極用電極911，因此不會通過底基板128。是以，傳至VCSEL100A之驅動訊號不會透過底基板128傳至VCSEL100B，又，傳至VCSEL100B之驅動訊號不會透過底基板128傳至VCSEL100A。再者，VCSEL100A之N型半導體接觸層130與VCSEL100B之N型半導體接觸層130分離。是以，傳至VCSEL100A之驅動訊號不會透過N型半導體接觸層130傳至VCSEL100B，又，傳至VCSEL100B之驅動訊號不會透過N型半導體接觸層130傳至VCSEL100A。亦即，根據光傳送模組10及插座20，可在VCSEL100A,100B之間充分地取得隔離。
又，在光傳送模組10及插座20，如以下說明，可降低雷射束B1之光學損耗。更詳細而言，雷射束B1從相對折射率較大之樹脂往相對折射率較小之空氣射出時折射。因此，在空氣中行進之雷射束B1，較在樹脂中行進之雷射束B1更為擴散並同時傳遞。是以，在雷射束B1之光學 路徑，使樹脂之比例高、空氣之比例低，藉此可抑制雷射束B1之擴散。因此，在插座20，從發光元件陣列100發出之雷射束B1，通過由樹脂構成之定位構件200內。藉此，在雷射束B1之光學路徑，樹脂所佔之比例變高，空氣所佔之比例變低。其結果，可抑制雷射束B1之擴散。因此，射入光纖60之雷射束B1之強度變大，可降低雷射束B1之光學損耗。此外，根據相同理由，亦可降低雷射束B2之光學損耗。
又，在光傳送模組10及插座20，如以下說明，可進一步降 低雷射束B1之光學損耗。在插座20，從發光元件陣列100發出之雷射束B1，通過密封樹脂24內。藉此，在雷射束B1之光學路徑，樹脂所佔之比例變大，空氣所佔之比例變小。其結果，可抑制雷射束B1之擴散。因此，射入光纖60之雷射束B1之強度變大，可降低雷射束B1之光學損耗。此外，根據相同理由，亦可降低雷射束B2之光學損耗。
在光傳送模組10及插座20，如圖9所示，在雷射束B1之 光路上設有全反射面R1。又，全反射面R1與光纖60之光軸構成之角度為45°，全反射面R1與發光元件陣列100構成之角度為45°。亦即，全反射面R1與光纖60之光軸構成之角度和全反射面R1與發光元件陣列100構成之角度相等。藉此，在光傳送模組10及插座20，即使光纖60之光軸並非與來自發光元件陣列100之雷射束B1之出射方向相同之z軸方向，亦能使光纖60與發光元件陣列100光學耦合。
在光傳送模組10及插座20，如圖9所示，在雷射束B2之 光路上設有全反射面R2。又，全反射面R2與光纖60之光軸構成之角度為45°，全反射面R2與受光元件陣列50構成之角度為45°。亦即，全反射 面R2與光纖60之光軸構成之角度和全反射面R2與受光元件陣列50構成之角度相等。藉此，在光傳送模組10及插座20，即使光纖60之光軸並非與受光元件陣列50之受光方向相同之z軸方向，亦能使光纖60與受光元件陣列50光學耦合。
又，在光傳送模組10及插座20，如上述，藉由使光在樹脂 內傳遞，可抑制雷射束B1,B2相對於光軸之擴散。藉此，能使設在插座20之凸透鏡230,250及全反射面R1,R2變小。其結果，能使光傳送模組10及插座20小型化、低高度化。
又，如圖9所示，插頭40往插座20之插入方向，與光纖 60之光軸相同為x軸方向。藉此，即使插頭40對插座20之安裝不充分，只要從光纖60前端至受光元件陣列50或發光元件陣列100之距離變長，光纖60之光軸亦不會產生偏離。是以，根據光傳送模組10，可抑制伴隨著插頭40安裝不良之光纖60與受光元件陣列50或發光元件陣列100之光學損耗。
在光傳送模組10及插座20，在構裝基板22之背面設有表 面構裝用電極E1。藉此，光傳送模組10，不需在構裝光傳送模組10之電路基板設置連接用之連接器即可進行表面構裝。是以，可抑制在構裝光傳送模組10之電路基板上之光傳送模組10之實質佔有面積。
在光傳送模組10及插座20，如圖9所示，在定位構件220 之光耦合部224背面設有凸透鏡230。是以，來自發光元件陣列100之雷射束B1通過凸透鏡230。此時，即使是發光元件陣列100之位置相對於定位構件220產生位置偏移之情形，亦藉由凸透鏡230使雷射束B1聚光或準直 而往全反射面R1行進。是以，根據插座20及光傳送模組10，可抑制發光元件陣列100之位置偏移導致之光學損耗。
在光傳送模組10及插座20，如圖9所示，在定位構件200 之光耦合部244背面設有凸透鏡250。是以，從光纖60射出之雷射束B2通過凸透鏡250。此時，即使是被全反射面R2反射後之雷射束B2之光軸偏移之情形，亦藉由凸透鏡250使雷射束B2聚光或準直而往受光元件陣列50行進。是以，根據插座20及光傳送模組10，可抑制雷射束B2之光軸偏移導致之光學損耗。
在光傳送模組10，如圖9所示，在送訊側插頭42之端面 S10設有凸透鏡44。是以，被全反射面R1反射後之雷射束B1通過凸透鏡44。此時，雷射束B1藉由凸透鏡44聚光或準直而往光纖60行進。是以，根據光傳送模組10，可抑制雷射束B1之光軸偏移導致之光學損耗。
在光傳送模組10，如圖9所示，在收訊側插頭46之端面 S15設有凸透鏡48。是以，從光纖60射出之雷射束B2通過凸透鏡48。此時，即使是光纖60之位置相對於插頭40產生位置偏移之情形，亦藉由凸透鏡48使雷射束B2聚光或準直而往全反射面R2行進。是以，根據光傳送模組10，可抑制光纖60之位置偏移導致之光學損耗。
在光傳送模組10，可謀求插頭40強度之提升。圖14係習 知插座400及插頭41之剖面圖。更詳細而言，若如圖14所示之光傳送模組400般，將定位構件200整體設在密封樹脂25之表面，則插頭41之z軸方向之厚度變薄。因此，插頭41之強度降低。因此，在光傳送模組10，如圖9所示，定位構件200橫跨設在構裝基板22及密封樹脂24。又，插頭40位 於定位構件200之插頭導引部222,242上。再者，插頭導引部222,242之槽G1,G2之高度h1,h3較密封樹脂24之高度h2低。此外，光纖60之光軸位於較密封樹脂24更靠z軸方向之正方向側。藉此，在光傳送模組10，與圖14所示之光傳送模組400相較，能使插頭40在z軸方向變大。是以，在光傳送模組10，可謀求強度之提升。
又，在光傳送模組10，由於能使插頭40在z軸方向變大， 因此較光傳送模組400之插頭41更容易掌握。是以，在光傳送模組10，插頭40對插座20之連接作業容易。
又，在光傳送模組10之金屬罩30與插座20之間，如圖1 所示，設有開口部A3。插頭40之連接係藉由從開口部A3插入插頭40來進行。是以，在光傳送模組10，拆裝插頭40時，不需移除金屬罩30，插頭40之拆裝作業容易。
又，在金屬罩30設有用以固定插頭40之卡合部32a~32d。 藉此，可防止插頭40相對於定位構件200之位置偏移。其結果，可防止光纖60之光軸偏移。是以，根據光傳送模組10，可防止光纖60之光軸偏移，抑制光學損耗。
在光傳送模組10及插座20之製造方法，如以下說明，可 抑制在發光元件陣列100與凸透鏡230之間產生位置偏移。更詳細而言，定位構件200安裝在構裝基板22時，以往，使用圖15所示之設在構裝基板22之銷P1。藉由將設在構裝基板22之銷P1插入設在定位構件200之孔H9，定位構件200固定在構裝基板22。此情形，由於構裝基板22上之銷P1製造時之位置偏移或發光元件陣列100構裝時之位置偏移，在發光元件陣列 100與定位構件200之凸透鏡230之間產生位置偏移。
因此，在光傳送模組10及插座20之製造方法，將定位構 件200安裝在構裝基板22時，以位置確認用攝影機確認發光元件陣列100之發光部之中心T100與凸透鏡230之透鏡中心T230之位置關係，並同時將定位構件200載置於構裝基板22。藉此，發光元件陣列100與凸透鏡230不透過銷P1而直接地定位。其結果，在光傳送模組10及插座20之製造方法，不需考量在構裝基板22之銷P1之位置偏移或發光元件陣列100之位置偏移，可抑制在發光元件陣列100與凸透鏡230之間產生位置偏移。此外，根據相同理由，亦可抑制在受光元件陣列50與凸透鏡250之間產生位置偏移。
(變形例)
以下，說明變形例之光傳送模組10’之構成。圖16係變形例之光傳送模組10’及插座20’之剖面圖。關於外觀圖，援用圖1。
光傳送模組10與光傳送模組10’之不同點為在定位構件200進一步設有凸透鏡之點。關於其他點，在光傳送模組10與光傳送模組10’沒有不同，因此省略說明。此外，圖16中，對與光傳送模組10相同之構成賦予與光傳送模組10相同之符號。
如圖16所示，在定位構件220之全反射面R1設有凸透鏡232。藉此，從發光元件陣列100射出之雷射束B1藉由凸透鏡232聚光或準直，傳送至光纖60。是以，根據光傳送模組10’，與光傳送模組10相較，可進一步抑制光學損耗。
又，在定位構件220之與送訊側插頭42對向之面，如圖16 所示，設有凸透鏡234(第2凸透鏡)。藉此，被全反射面R1反射後之雷射束B1，藉由凸透鏡234聚光或準直，往光纖60傳送。是以，根據光傳送模組10’，與光傳送模組10相較，可進一步抑制光學損耗。
在定位構件240之全反射面R2設有凸透鏡252。藉此，從光纖60射出之雷射束B2藉由凸透鏡252聚光或準直，傳送至受光元件陣列50。是以，根據光傳送模組10’，與光傳送模組10相較，可進一步抑制光學損耗。
又，在定位構件240之與收訊側插頭46對向之面，如圖16所示，設有凸透鏡254。藉此，從光纖60射出之雷射束B2，藉由凸透鏡254聚光或準直，往全反射面R2傳送。是以，根據光傳送模組10’，與光傳送模組10相較，可進一步抑制光學損耗。
(其他實施形態)
本發明之光傳送模組及插座，並不限於上述實施形態之光傳送模組10,10’，在其要旨範圍內可進行變更。
如上述，本發明在光傳送模組及插座有用，尤其是在能確保各VCSEL間之隔離之點優異。
A3‧‧‧開口部
10‧‧‧光傳送模組
20‧‧‧插座
40‧‧‧插頭

Claims (8)

  1. 一種插座，係供連接設在光纖一端之插頭，其特徵在於，具備：發光元件陣列，由複數個垂直諧振器面發光雷射一體化而成；定位構件，使複數個該光纖之芯部與複數個該垂直諧振器面發光雷射分別光學耦合；以及構裝基板，供構裝該發光元件陣列；該發光元件陣列，具備：底基板；發光區域多層部，形成於該底基板之表面，且包含N型半導體多層膜反射層、具備量子井之活性層、及P型半導體多層膜反射層；陽極用電極，連接於該P型半導體多層膜反射層；以及陰極用電極，連接於該N型半導體多層膜反射層；該底基板之至少該發光區域多層部側之既定部分由半絕緣性半導體構成；該陰極用電極形成在該底基板之表面側；由該發光區域多層部、該陽極用電極及該陰極用電極構成之垂直諧振器面發光雷射之組，在該底基板係形成有複數個。
  2. 如申請專利範圍第1項之插座，其進一步具備覆蓋該發光元件陣列之密封樹脂；連結該光纖與該發光元件陣列之光路通過該密封樹脂。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之插座，其中，在該定位構件設有與該發光元件陣列對向且使從該發光元件陣列射出之雷射束聚光或準直之第1 凸透鏡。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之插座，其中，在該定位構件設有使從該發光元件陣列射出之雷射束聚光或準直之第2凸透鏡；該第2凸透鏡位於該定位構件之該光纖之光軸上，且與該插頭對向。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之插座，其中，在該基板之背面設有表面構裝用電極。
  6. 一種光傳送模組，具備：申請專利範圍第1至5項中任一項之插座；以及插頭，設在該光纖之一端；在該插頭設有位在該光纖之光軸上且與該定位構件對向之第3凸透鏡。
  7. 一種光傳送模組，具備：申請專利範圍第1至5項中任一項之插座；以及插頭，設在該光纖之一端；該光纖之光軸與該插頭之插入方向平行。
  8. 一種光傳送模組，具備：申請專利範圍第1至5項中任一項之插座；以及插頭，設在該光纖之前端；該插座進一步具備覆蓋該插頭、該定位構件、及該發光元件陣列之罩；在該插頭及該罩設有卡合手段。
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