TW201419958A - 覆晶式發光二極體封裝模組及其製法 - Google Patents

覆晶式發光二極體封裝模組及其製法 Download PDF

Info

Publication number
TW201419958A
TW201419958A TW101140953A TW101140953A TW201419958A TW 201419958 A TW201419958 A TW 201419958A TW 101140953 A TW101140953 A TW 101140953A TW 101140953 A TW101140953 A TW 101140953A TW 201419958 A TW201419958 A TW 201419958A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
flip
semiconductor epitaxial
emitting diode
chip
Prior art date
Application number
TW101140953A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI455665B (zh
Inventor
Ming-Chi Kan
Shih-Yao Huang
Chien-Min Sung
Original Assignee
Ritedia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ritedia Corp filed Critical Ritedia Corp
Priority to TW101140953A priority Critical patent/TWI455665B/zh
Priority to CN201210586740.9A priority patent/CN103811631A/zh
Publication of TW201419958A publication Critical patent/TW201419958A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI455665B publication Critical patent/TWI455665B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Abstract

本發明係有關於一種覆晶式發光二極體封裝模組(Flip chip on board LED，FCOB LED)之製造方法，包括：提供一電路載板，係包括至少一電性連接墊；將一焊料合金層設置於該電性連接墊上，其中，該焊料合金層係至少一選自由錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)，或其合金所組成；提供一覆晶式發光二極體，其係包括一第一金屬焊接層以及一第二金屬焊接層，且該第一金屬焊接層以及該第二金屬焊接層係由金(Au)所組成；以及將該覆晶式發光二極體經由該第一金屬焊接層以及該第二金屬焊接層焊接於該焊料合金層及該電性連接墊，進而封裝於該電路載板。本發明亦關於上述覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法所製造之覆晶式發光二極體封裝模組。

Description

覆晶式發光二極體封裝模組及其製法
本發明係關於一種覆晶式發光二極體封裝模組及其製法，尤指一種結合特定焊料合金層及金屬焊接層之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法。
西元1962年，通用電氣公司的尼克．何倫亞克(Nick Holonyak Jr.)開發出第一種實際應用的可見光發光二極體(Light Emitting Diode，LED)，而隨著科技日益更新，各種色彩發光二極體開發也應蘊而生。而對於現今人類所追求永續發展為前提的情形下，發光二極體的低耗電量以及長效性的發光等優勢下，已逐漸取代日常生活中用來照明或各種電器設備的指示燈或光源等用途。更有甚者，發光二極體朝向多色彩及高亮度的發展，已應用在大型戶外顯示看板或交通號誌。
21世紀起，電子產業的蓬勃發展，電子產品在生活上已經成為不可或缺的一部分，因此企業對於電子產品開發方向以多功能及高效能發展等為主，也開始將發光二極體晶片應用於各種電子產品。其中尤其是可攜式電子產品種類日漸眾多，電子產品的體積與重量越來越小，所需的電路載板體積亦隨之變小，因此，電路載板的散熱效果成為值得重視的問題之一。
以現今經常使用之發光二極體晶片而言，由於發光亮度夠高，因此可廣泛應用於顯示器背光源、小型投影機以及照明等各種電子裝置中。然而，目前LED的輸入功率中，將近80%的能量會轉換成熱能，倘若承載LED元件之載板無法有效地散熱時，便會使得發光二極體晶片界面溫度升高，除了影響發光強度之外，亦可能因熱度在發光二極體晶片中累積而造成各層材料受熱膨脹，促使結構中受到損傷而對產品壽命產生不良影響此外，由於發光二極體內所激發的光線係以一放射方式擴散，並非所有光線都會經由發光二極體表面而散射出，故造成出光率不佳，且無法達到最有效之出光率。
據此，若能進一步改善發光二極體的散熱效率以及緩和或去除發光二極體受熱膨脹的不良影響，且尋求一結構整體上的設計來提升出光率，將更可促使整體電子產業的發展。
本發明之主要目的係在提供一種覆晶式發光二極體封裝模組(Flip chip on board LED，FCOB LED)之製造方法，其使用成本較低之金屬作為焊接材料以達到降低製造成本之目的，而所使用之覆晶式發光二極體封裝模組具有緩衝熱膨脹係數差異及提升輸出光率的結構設計，可在發光二極體運作產生熱量的過程中持續使熱量散失。即使有部分熱量沒有自發光二極體中散失而促使整體結構產生熱膨 脹，其中設置的類鑽碳/導電材料多層複合結構亦可緩衝對應的熱應力，而保護不受損傷，並且能藉由絕緣保護層匯聚光束而提升輸出光率。
為達成上述目的，本發明之一態樣係提供一種覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，包括：提供一電路載板，係包括至少一電性連接墊；將一焊料合金層設置於該電性連接墊上，其中，該焊料合金層可至少一選自由錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉍(Bi)，或其合金所組成；提供一覆晶式發光二極體，其可包括一第一金屬焊接層以及一第二金屬焊接層，且該第一金屬焊接層以及該第二金屬焊接層係由金(Au)、錫(Sn)、銀(Ag)，銅(Cu)所組成；以及將該覆晶式發光二極體經由該第一金屬焊接層以及該第二金屬焊接層焊接於該焊料合金層及該電性連接墊，進而封裝於該電路載板。具體來說，於本發明之一態樣中，該焊料合金層可為至少一選自錫銀合金(Sn-Ag)、錫銅合金(Sn-Cu)、錫鉍合金(Sn-Bi)、銀銅合金(Ag-Cu)、銀鉍合金(Ag-Bi)、錫銀銅合金(Sn-Ag-Cu)、錫銀鉍合金(Sn-Ag-Bi)、錫銅鉍合金(Sn-Cu-Bi)、銀銅鉍合金(Ag-Cu-Bi)，或錫銀銅鉍合金(Sn-Ag-Cu-Bi)。
本發明上述覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法中，該電路載板可以包含一絕緣層、以及一電路基板，其中，該絕緣層之材質可為絕緣性類鑽碳、氧化鋁、陶瓷、含鑽石之環氧樹脂、或其組成物，或者為表面覆有上述絕緣層之金屬材料，而該電路基板可為一金屬板、一陶瓷板 或一矽基板。此外，該電路載板表面也可以選擇性更包含一類鑽碳層，以增加散熱效果。
於本發明覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法中，所提供之覆晶式發光二極體，包括：一基板，具有一第一表面以及一相對於該第一表面之第二表面；一半導體磊晶多層複合結構，其位於該基板之該第二表面上方且包含一第一半導體磊晶層、一第二半導體磊晶層以及一盲孔，其中，該第一半導體磊晶層與該第二半導體磊晶層係層疊設置，且該盲孔貫穿該第二半導體磊晶層；一第一電極，位於該半導體磊晶多層複合結構之該第一半導體磊晶層上方；一第一類鑽碳/導電材料多層複合結構，係填充於該半導體磊晶多層複合結構之該盲孔中，並覆蓋於該第一電極上方，且電性連接該半導體磊晶多層複合結構之該第一半導體磊晶層；一第二電極，位於該半導體磊晶多層複合結構之該第二半導體磊晶層上方；一第二類鑽碳/導電材料多層複合結構，位於該半導體磊晶多層複合結構之該第二電極上方，並電性連接該半導體磊晶多層複合結構之該第二半導體磊晶層；以及一絕緣保護層，覆蓋該半導體磊晶多層複合結構之該第一半導體磊晶層之側壁以及該第二半導體磊晶層之側壁，以及該盲孔之內壁表面，以隔絕該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構與該第二半導體磊晶層之間的接觸。
本發明上述覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法中，將電性連接至半導體磊晶多層複合結構中N型半導體磊 晶層與P型半導體磊晶層之對應電極，並且在其對應電極上皆設計成濺鍍成類鑽碳/導電材料多層複合結構。換言之，設置於N型半導體磊晶層表面之對應N型電極，可先行沉積一般作為N型電極之金屬，再沉積類鑽碳，並且可以選擇性重複沉積適用的導電材料層與類鑽碳層，據此形成類鑽碳/導電材料多層複合結構，以做為對應N型電極的N型之複合結構。同樣，對於P型半導體磊晶層，亦可先行沉積一般作為P型電極之金屬，再沉積類鑽碳，並且可以選擇性重複沉積適用的導電材料層與類鑽碳層，據此形成類鑽碳/導電材料多層複合結構，以做為對應P型電極的P型之複合結構。
上述絕緣保護層係為一具有不同折射率材料之堆疊結構，當發光二極體通入電流後，可使電子激發形成光線，並使光線向發光二極體之表面及側面進行擴散，此時，即可藉由絕緣保護層將擴散至側面光線反射至覆晶式發光二極體之出光面，進而提升出光率。
上述類鑽碳/導電材料多層複合結構可以讓本發明之覆晶式發光二極體，對於熱膨脹係數差異所造成應力，具有緩衝能力。換言之，上述類鑽碳/導電材料多層複合結構，可在發光二極體運作產生熱量的過程中加速熱量散失，即使部分熱量沒有自發光二極體中散失而累積造成整體結構發生熱膨脹，類鑽碳/導電材料多層複合結構亦可緩衝對應的熱應力，而可保護覆晶式發光二極體中其餘構件不受損傷。
綜上所述，本發明所使用之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法可提升覆晶式發光二極體整體輸出光率，並避免元件光電特性變差，進而提高其可靠度與壽命。
本發明上述覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法中，該絕緣保護層係由兩種或以上之不同折射率材料堆疊設置；其中，上述該不同折射率材料可至少一選自由類鑽碳(DLC)、氧化鈦(TixOy)、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiN)、砷化鎵(GaAs)、砷化鋁(AlAs)所組成之群組，其中，氧化鈦(TixOy)可使用如氧化鈦(TiO)、二氧化鈦(TiO2)或三氧化二鈦(Ti2O3)等；在本發明中，絕緣保護層內的不同折射率材料可以依序週期性堆疊設置而具有布拉格反射鏡(Distribute Bragg Reflector,DBR)之特性，且使得發光二極體中發射至側面之光線可藉由絕緣保護層反射至覆晶式發光二極體之出光面，進而提升輸出光率；此外，在本發明中，更可以在絕緣保護層之外側設置一金屬保護層，該金屬保護層可至少一選自由鋁(Al)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、或其合金所組成之群組，因此，藉由該金屬保護層，更能增加發光二極體發射至側面之光線反射至覆晶式發光二極體之出光面之反射率，進而更加提升輸出光率。
較佳而言，在第二表面可藉由蝕刻或顯影處理，使第二表面形成一圖形化表面，並可有效提升發光二極體的出光率，且可以控制其偏極以及光場分佈。
此外，在第一表面可藉由蝕刻或顯影處理，使第一表面形成一圖形化表面或一粗糙化表面，並可有效提升發光二極體的出光率。
本發明上述覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法中，該半導體磊晶多層複合結構更可以包括一無摻雜半導體磊晶層，該無摻雜半導體磊晶層係夾置於該第一半導體磊晶層與該基板之該第二表面之間；因此，該無摻雜半導體磊晶層當作該第一半導體磊晶層與該基板之間的一緩衝層，避免該第一半導體磊晶層與該基板之間晶格不匹配程度過大，並防止成長該第一半導體磊晶層時，其磊晶缺陷密度過高之情形出現，並且可避免上述覆晶式發光二極體有靜電放電及電流漏電之情形。
本發明上述覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法中，該半導體磊晶多層複合結構可以選擇性更包括一活性中間層，該活性中間層係夾置於該第一半導體磊晶層與該第二半導體磊晶層之間。除此之外，本發明上述覆晶式發光二極體結構中設有該盲孔，而該盲孔貫穿該活性中間層。於本發明中，該活性中間層可為多量子井層(multiple quantum well layer)，用以提升發光二極體中電能轉換成光能的效率。
較佳而言，該第一半導體磊晶層、該第一電極以及該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構係N型，該第二半導體磊晶層、該第二電極以及該第二類鑽碳/導電材料多層複合結構係P型。其中，該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構、 以及該第二類鑽碳/導電材料多層複合結構可選自由導電材料層與導電類碳鑽層堆疊結構、導電材料與類鑽碳混合物多層結構、以及導電材料與導電性類鑽碳混合物多層結構所組群組之至少一者。
上述該導電材料層或該導電材料之材質可以選自由銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide，AZO)、氧化鋅(ZnO)、石墨烯(graphene)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鉬(Mo)、鎢(W)、銀(Ag)、鉑(Pt)、以及金(Au)所組群組之至少一者。換言之，該導電材料層或該金屬可使用上述材質之合金或金屬混合物構成。由於類鑽碳具有較佳的熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion，CTE)，因此做為電極之類鑽碳/導電材料多層複合結構便可以在整體發光二極體受熱膨脹時，緩衝熱膨脹所產生的應力，因此發光二極體整體結構則不易受影響，同時亦可以加速發光二極體運作時熱量散失，降低發光二極體整體結構因熱受損的可能性。舉例而言，可以使用鋁(Al)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、以及金(Au)做為導電材料層，並與導電性類鑽碳層相互層疊，即可構成本發明所述之類鑽碳/導電材料多層複合結構。
本發明覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法中，該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構之表面與該第二類鑽碳/導電材料多層複合結構之表面可形成一共平面；或者，該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構之導電類鑽碳層表 面與該第二類鑽碳/導電材料多層複合結構之導電類鑽碳層表面可形成一共平面；亦或，該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構之表面與該第二類鑽碳/導電材料多層複合結構之表面可形成一共平面。
本發明覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法中，更可選擇性包括：一第一金屬焊接層，位於該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構上；以及一第二金屬焊接層，位於該第二類鑽碳/導電材料多層複合結構上，其中，該第二金屬焊接層之表面與該第一金屬焊接層之表面係形成一共平面。上述本發明覆晶式發光二極體，顧名思義即以覆晶方式與另一電路載板接合(bonding)，因此最後發光二極體之P型電極與N型電極表面上用於接合金屬焊接層通常會相互形成共平面。
本發明上述覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法中可以選擇性更包含一反射層，夾置於該半導體磊晶多層複合結構與該第二電極之間，該反射層之材質可為銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide，AZO)、氧化鋅(ZnO)、石墨烯(graphene)、鋁、銀、鎳(Ni)、鈷(Co)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、金(Au)、鋅(Zn)、錫(Sn)、銻(Sb)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銅銀(CuAg)、鎳銀(NiAg)、其合金、或其金屬混合物。上述銅銀(CuAg)與鎳銀(NiAg)等係指共晶金屬(eutectic metal)。換言之其亦可為多層金屬結構，除了用於達到反 射效果之外，也可以達到形成歐姆接觸(ohmic contact)的效用。
再者，於製造該覆晶式發光二極體封裝模組時，為了避免於焊接該覆晶式發光二極體時，因該覆晶式發光二極體偏移而發生封裝缺陷之結果，本發明上述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，於提供覆晶式發光二極體之前，更包括：設置一助焊劑於該焊料合金層上。於本發明之一態樣中，該助焊劑可為一有機化合物助焊劑，促進所使用之焊料合金對該第一金屬焊接層及第二金屬焊接層之潤濕效果；而於另一態樣中，該助焊劑可為黏著性較高的樹脂助焊劑，以暫時性的將覆晶式發光二極體固著在焊料合金層上。
於本發明覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法中，電性連接的方法並無特別限制，只要其可穩固地將覆晶式發光二極體電性連接至電路載板即可。於本發明之一具體態樣中，覆晶式發光二極體可藉由使該第一金屬焊接層以及該第二金屬焊接層各自獨立與該焊料合金層經一迴焊處理而融熔形成一連接合金層，從而使覆晶式發光二極體穩固地電性連接至電路載板。
此外，本發明之另一態樣更提供一種覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法所製造之覆晶式發光二極體封裝模組，包括：一電路載板，其係包括至少一電性連接墊；一覆晶式發光二極體，其係包括一第一金屬焊接層及一第二金屬焊接層，且該覆晶式發光二極體係藉由一焊料合金層 及一助焊劑電性連接於該電性連接墊上，而封裝於該電路載板，其中，該第一金屬焊接層以及該第二金屬焊接層可各自獨立與該焊料合金層融熔形成一連接合金層。
據此，以本發明所述之覆晶式發光二極體封裝模組及其製造方法，其使用成本較低之金屬製造金屬焊接層以達到降低製造成本之目的，且所使用之覆晶式發光二極體具有緩衝熱膨脹係數差異及提升輸出光率的結構設計，可在發光二極體運作產生熱量的過程中持續使熱量散失。即使有部分熱量沒有自發光二極體中散失而促使整體結構產生熱膨脹，其中設置的類鑽碳/導電材料多層複合結構亦可緩衝對應的熱應力，而保護不受損傷，並且能藉由絕緣保護層匯聚光束而提升輸出光率。
以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地了解本發明之其他優點與功效。本發明亦可藉由其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明之精神下進行各種修飾與變更。
本發明之實施例中該等圖式均為簡化之示意圖。惟該等圖示僅顯示與本發明有關之元件，其所顯示之元件非為實際實施時之態樣，其實際實施時之元件數目、形狀等比例為一選擇性之設計，且其元件佈局型態可能更複雜。
實施例一
首先，請參考圖1A至圖1H係本發明實施例一之覆晶式發光二極體之製備方法的流程結構示意圖。首先，如圖1A所示，提供一基板20，具有一第一表面201以及一相對於該第一表面201之第二表面202。接著，如圖1B所示，於該基板20之該第二表面202上方形成一半導體磊晶多層複合結構21，其中，該半導體磊晶多層複合結構21包含一無摻雜半導體磊晶層211、一第一半導體磊晶層212、一活性中間層213、以及一第二半導體磊晶層214，其中，該無摻雜半導體磊晶層211、該第一半導體磊晶層212、該活性中間層213與該第二半導體磊晶層214係層疊設置，該無摻雜半導體磊晶層211係夾置於該第一半導體磊晶層212與該基板20之間，而該活性中間層213係夾置於該第一半導體磊晶層212與該第二半導體磊晶層214之間。於本實施例中，該半導體磊晶多層複合結構21之材質為氮化鎵(GaN)，且該第一半導體磊晶層212係N型，該第二半導體磊晶層214係P型，而該無摻雜半導體磊晶層211則當作該第一半導體磊晶層212與該基板20之間的一緩衝層，避免該第一半導體磊晶層212與該基板20之間晶格不匹配程度過大，並防止成長該第一半導體磊晶層212時，其磊晶缺陷密度過高之情形出現，並且可避免本實施例之覆晶式發光二極體有靜電放電及電流漏電之情形。不過，本發明半導體磊晶多層複合結構適用的材質不限於此，亦可以使用選用其他本領域中常用材質。此外，可以依需求選擇是否設置該活性中間層， 而於本實施例中，該活性中間層213為多量子井層，用以提升發光二極體中電能轉換成光能的效率。
請繼續參閱圖1B，於該半導體磊晶多層複合結構21之該第二半導體磊晶層214表面上，形成一反射層22。於本實施例中，該反射層22可以選用銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide，AZO)、氧化鋅(ZnO)、石墨烯(graphene)、鋁、銀、鎳(Ni)、鈷(Co)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、金(Au)、鋅(Zn)、錫(Sn)、銻(Sb)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銅銀(CuAg)、及鎳銀(NiAg)所組群組之至少一者，換言之其亦可為多層金屬結構，除了用於達到反射效果之外，也可以達到形成歐姆接觸(ohmic contact)的效用。此形成反射層的步驟，本發明所屬技術領域之通常知識者可依需要選擇性執行，換言之若不打算設置反射層，則可跳過形成反射層22之步驟而無需進行。
然後，請參閱圖1C，於該半導體磊晶多層複合結構21開設一盲孔23，其中，該盲孔23貫穿該第二半導體磊晶層214，且該盲孔23抵止於該第一半導體磊晶層212上。接著，請參閱1D，於該第二半導體磊晶層214上方形成一第二電極241。再來，請參閱圖1E，該盲孔23中形成一第一電極251，且該一第一電極251位於該半導體磊晶多層複合結構21之該第一半導體磊晶層212上。於本實施例中，該第二電極241及該第一電極251之材料係為鉻/金/鉑合金，而該第二電極241係為P型，以及該第一電極251係為N型。
接著，請參閱圖1F，形成一絕緣保護層26，其覆蓋該反射層22之側壁，該第二電極241之側壁並暴露部分該第二電極241表面，以及覆蓋該半導體磊晶多層複合結構21之該第一半導體磊晶層212之側壁、該活性中間層213之側壁、該第二半導體磊晶層214之側壁，以及該盲孔23之內壁表面並顯露由該盲孔23暴露的該第一電極251表面。該絕緣保護層26係為具有不同反射性材料之堆疊結構(於圖2A說明)，係用於保護其所覆蓋的該第一半導體磊晶層212、該第二半導體磊晶層214、以及該活性中間層213之側壁，並隔絕該第一電極251、該第二半導體磊晶層214、以及該活性中間層213直接與另一後續形成的構件接觸。
再者，如圖1G所示，於該第一電極251以及該第二電極241上，分別形成一第一類鑽碳/導電材料多層複合結構252以及一第二類鑽碳/導電材料多層複合結構242，且該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構252填充於內壁表面覆蓋有該絕緣保護層26之該盲孔23中，並接觸該第一電極251，使得該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構252與該第二類鑽碳/導電材料多層複合結構242形成一共平面。該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構252與該第二類鑽碳/導電材料多層複合結構242可選自由導電材料層與導電類碳鑽層堆疊結構、導電材料與類鑽碳混合物、以及導電材料與導電性類鑽碳混合物所組群組之至少一者，其中，該導電材料層或該導電材料之材質係選自由銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide，AZO)、 氧化鋅(ZnO)、石墨烯(graphene)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鉬(Mo)、鎢(W)、銀(Ag)、鉑(Pt)、以及金(Au)所組群組之至少一者。於本實施例中，該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構252係鈦導電材料層、鋁導電材料層與類鑽碳層重複層疊結構，該第二類鑽碳/導電材料多層複合結構242係鈦導電材料層與類鑽碳層重複層疊結構。
最後，如圖1H所示，於該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構252表面與該第二類鑽碳/導電材料多層複合結構242表面上，分別形成一第一金屬焊接層29以及第二金屬焊接層28，其中，該第一金屬焊接層29之表面與該第二金屬焊接層28之表面係形成一共平面。於本實施例中，該第一金屬焊接層29與該第二金屬焊接層28係由金(Au)所構成。
據此，如圖1A至圖1H所示，上述製得覆晶式發光二極體，其包括：一基板20，具有一第一表面201以及一相對於該第一表面201之第二表面202；一半導體磊晶多層複合結構21，其位於該基板20之第二表面202上且該半導體磊晶多層複合結構21包含一無摻雜半導體磊晶層211、一第一半導體磊晶層212、一活性中間層213、以及一第二半導體磊晶層214，其中，該無摻雜半導體磊晶層211、該第一半導體磊晶層212、該活性中間層213、以及該第二半導體磊晶層214係為層疊設置，而該無摻雜半導體磊晶層211係夾置於該第一半導體磊晶層212與該基板20之間，且該活性中間層213係夾置於該第一半導體磊晶層212與該第二半導體磊晶 層214之間；一反射層22，位於該半導體磊晶多層複合結構21之該第二半導體磊晶層214表面；一盲孔23，設於該半導體磊晶多層複合結構21中，並貫穿該反射層22、該第二半導體磊晶層214以及該活性中間層213，而該盲孔23抵止於該第一半導體磊晶層212上；一第一電極251，該第一電極251係設置於該半導體磊晶多層複合結構21之該盲孔23上，且其位於該半導體磊晶多層複合結構21之該第一半導體磊晶層212上方；一第一類鑽碳/導電材料多層複合結構252，係填充於該半導體磊晶多層複合結構21之該盲孔23中，並覆蓋於該第一電極251上方，且電性連接該半導體磊晶多層複合結構21之該第一半導體磊晶層212；一第一金屬焊接層29，位於該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構252上；一第二電極241，位於該半導體磊晶多層複合結構21之該第二半導體磊晶層214上方，並經由該反射層22電性連接該半導體磊晶多層複合結構21之該第二半導體磊晶層214；一第二類鑽碳/導電材料多層複合結構242，係位於該半導體磊晶多層複合結構21之該第二電極241上方，並電性連接該半導體磊晶多層複合結構21之該第二半導體磊晶層214；一第二金屬焊接層28，位於該第二類鑽碳/導電材料多層複合結構242上；其中，該第二類鑽碳/導電材料多層複合結構242之表面與第一類鑽碳/導電材料多層複合結構252之表面係形成一共平面，且該第二金屬焊接層28之表面與該第一金屬焊接層29之表面亦形成一共平面；以及一絕緣保護層26，其隔絕所覆蓋之該第一電極251、該第二電極 241、該反射層22、該第一半導體磊晶層212以及該第二半導體磊晶層214之側壁，以及該盲孔23之內壁表面，並隔絕該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構252與該第二半導體磊晶層214之間的直接接觸。
圖2A及圖2B係本發明實施例一之覆晶式發光二極體之側面結構示意圖。請參閱圖2A係本實施例之側面結構示意圖，其擷取於圖1H虛線所圈取之A部分，該絕緣保護層26係設置於該半導體磊晶多層複合結構21之外側，其包含一第一絕緣層261及一第二絕緣層262，該第一絕緣層261與該第二絕緣層262係堆疊設置；其中，上述該第一絕緣層261及該第二絕緣層262之材質分別為具有不同之折射率之材料所製成，而不同折射率材料可至少一選自由類鑽碳(DLC)、氧化鈦(TixOy)、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiN)、砷化鎵(GaAs)、砷化鋁(AlAs)所組成之群組；該第一絕緣層261與該第二絕緣層262依序週期性堆疊設置而具有布拉格反射鏡(Distribute Bragg reflector)之特性，且使得本實施例之覆晶發光二極體中發射至側面之光線可藉由絕緣保護層26反射至覆晶式發光二極體之出光面，進而提升輸出光率。在本實施例中，該第一絕緣層261之材料為二氧化矽(SiO2，折射率：1.55)、該第二絕緣層262之材料為二氧化鈦(TiO2，折射率：2.51)，且該第一絕緣層261及該第二絕緣層262為交替形成14層堆疊結構。
再者，請參閱圖2B係本實施例另一側面結構示意圖，除了該絕緣保護層26係設置於該半導體磊晶多層複合結構 21之外側，且包含一第一絕緣層261及一第二絕緣層262之外，於該絕緣保護層26之最外側設置一金屬保護層27，該金屬保護層27可至少一選自由鋁(Al)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、或其合金所組成之群組，因此，藉由該金屬保護層27，更能增加本實施例之覆晶式發光二極體發射至側面之光線反射至覆晶式發光二極體之出光面之反射率，進而更加提升輸出光率。在本實施例中，該金屬保護層27由銀(Ag，折射率：0.329)所構成。
實施例二
請參考圖3，其本發明實施例二之覆晶式發光二極體之結構示意圖。如圖3所示，本實施例與前述實施例一之覆晶式發光二極體之結構大致相同，其包括：一基板40，具有一第一表面401以及一相對於該第一表面401之第二表面402；一半導體磊晶多層複合結構41，其位於該基板40之第二表面402上且該半導體磊晶多層複合結構41包含一無摻雜半導體磊晶層411、一第一半導體磊晶層412、一活性中間層413、以及一第二半導體磊晶層414，其中，該無摻雜半導體磊晶層411、該第一半導體磊晶層412、該活性中間層413、以及該第二半導體磊晶層414係為層疊設置，而該無摻雜半導體磊晶層411係夾置於該第一半導體磊晶層412與該基板40之間，且該活性中間層413係夾置於該第一半導體磊晶層412與該第二半導體磊晶層414之間；一反射層42，位於該半導體磊晶多層複合結構41之該第二半導體磊晶層414表面；一盲孔43，設於該半導體磊晶多層複合結構 41中，並貫穿該反射層42、該第二半導體磊晶層414以及該活性中間層413，而該盲孔43抵止於該第一半導體磊晶層412上；一第一電極451，該第一電極451係設置於該半導體磊晶多層複合結構41之該盲孔43上，且其位於該半導體磊晶多層複合結構41之該第一半導體磊晶層412上方；一第一類鑽碳/導電材料多層複合結構452，係填充於該半導體磊晶多層複合結構41之該盲孔43中，並覆蓋於該第一電極451上方，且電性連接該半導體磊晶多層複合結構41之該第一半導體磊晶層412；一第一金屬焊接層49，位於該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構452上；一第二電極441，位於該半導體磊晶多層複合結構41之該第二半導體磊晶層414上方，並經由該反射層42電性連接該半導體磊晶多層複合結構41之該第二半導體磊晶層414；一第二類鑽碳/導電材料多層複合結構442，係位於該半導體磊晶多層複合結構41之該第二電極441上方，並電性連接該半導體磊晶多層複合結構41之該第二半導體磊晶層414；一第二金屬焊接層48，位於該第二類鑽碳/導電材料多層複合結構442上；其中，該第二類鑽碳/導電材料多層複合結構442之表面與第一類鑽碳/導電材料多層複合結構452之表面係形成一共平面，且該第二金屬焊接層48之表面與該第一金屬焊接層49之表面亦形成一共平面；以及一絕緣保護層46，其隔絕所覆蓋之該第一電極451、該第二電極441、該反射層42、該第一半導體磊晶層412以及該第二半導體磊晶層414之側壁，以及該盲孔43之內壁表面，並隔絕該第一類鑽碳/導電材料多層 複合結構452與該第二半導體磊晶層414之間的直接接觸；然而，不同於前述實施例一之結構，在本實施例中，該基板40之第一表面401可藉由一蝕刻處理而形成一粗糙化表面，另一方面，該基板40之第二表面402可藉由一微影處裡而形成一圖形化表面，進而有效提升本發明覆晶式發光二極體之出光率，並且可以控制本實施例之覆晶式發光二極體偏極以及光場分佈。
實施例三
參考圖4，其係本發明實施例三之覆晶式發光二極體封裝模組之結構示意圖。如圖4所示，覆晶式發光二極體封裝模組包括：一電路載板6；以及上述實施例一所製得之覆晶式發光二極體2，其係經由該第一金屬焊接層29以及該第二金屬焊接層28電性連接該電路載板6，其中，電路載板6包含一絕緣層61、一電路基板60、以及電性連接墊63，該絕緣層61之材質可選自由類鑽碳、氧化鋁、陶瓷、含鑽石之環氧樹脂、或者上述材質的混合物，該電路基板60係一金屬板、一陶瓷板或一矽基板。
於該覆晶式發光二極體封裝模組中，可利用設置於電性連接墊63表面作為焊料合金層62之錫銀合金(Sn-Ag)，透過覆晶方式，經由迴焊爐處理，使該第一金屬焊接層29以及該第二金屬焊接層28各自獨立與焊料合金層62之錫銀合金(Sn-Ag)融熔形成一形成一連接合金層(圖未顯示)，以提高其熔點，進而使該覆晶式發光二極體穩固地電性連接至該電路載板6之電性連接墊63。於本實施例中，該覆晶式發 光二極體2於覆晶方式處理前，更包括於該焊料合金層62上設置一作為樹脂助焊劑(圖未顯示)之松香助焊劑，以使該覆晶式發光二極體2可固著於電性連接墊63上而不致於滑動脫落。
實施例四
參考圖5，其係本發明實施例四之覆晶式發光二極體封裝模組之結構示意圖。如圖5所示，覆晶式發光二極體封裝模組包括：一電路載板6；以及上述實施例二所製得之覆晶式發光二極體4，其係經由該第一金屬焊接層49以及該第二金屬焊接層48電性連接該電路載板6，其中，電路載板6包含一絕緣層61、一電路基板60、以及電性連接墊63，該絕緣層61之材質可選自由類鑽碳、氧化鋁、陶瓷、含鑽石之環氧樹脂、或者上述材質的混合物，該電路基板60係一金屬板、一陶瓷板或一矽基板。
於該覆晶式發光二極體封裝模組中，可利用設置於電性連接墊63表面作為焊料合金層62之錫銀銅合金(Sn-Ag-Cu)，透過覆晶方式，經由迴焊爐處理，使該第一金屬焊接層49以及該第二金屬焊接層48各自獨立與焊料合金層62之錫銀銅合金(Sn-Ag-Cu)融熔形成一形成一連接合金層(圖未顯示)，以提高其熔點，進而使該覆晶式發光二極體穩固地電性連接至與該電路載板6之電性連接墊63。於本實施例中，該覆晶式發光二極體4於覆晶方式處理前，更包括於該焊料和金層62上設置一作為有機化合物助焊劑(圖未顯示)之K-103(選購自台灣固品公司)，促進所使用之錫銀 銅合金對該第一金屬焊接層及第二金屬焊階層之潤濕效果。
綜上所述，本發明之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其透過成本較低於金錫合金之金作為金屬焊接層，搭配由錫、銀、銅中之至少二者所組成之合金，使本發明之覆晶式發光二極體可穩固地與電性連接墊電性連接，並封裝於電路載板。此外，本發明之覆晶式發光二極體，其具有緩衝熱膨脹係數差異(coefficient thermal expansion mismatch)及集中出光的結構設計，可在發光二極體運作產生熱量的過程中持續使熱量散失。即使有部分熱量沒有自發光二極體中散失而促使整體結構產生熱膨脹，其中設置的類鑽碳/導電材料多層複合結構亦可緩衝對應的熱應力，而保護不受損傷，並且能匯聚光束於出光面而提升出光率。
據此，以本發明之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法所製造之覆晶式發光二極體封裝模組，不僅成本低廉，且具有上述散熱效果極佳之覆晶式發光二極體。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。
2、4‧‧‧覆晶式發光二極體
20、40‧‧‧基板
201、401‧‧‧第一表面
202、402‧‧‧第二表面
21、41‧‧‧半導體磊晶多層複合結構
211、411‧‧‧無摻雜半導體磊晶層
212、412‧‧‧第一半導體磊晶層
213、413‧‧‧活性中間層
214、414‧‧‧第二半導體磊晶層
22、42‧‧‧反射層
23、43‧‧‧盲孔
241、441‧‧‧第二電極
242、442‧‧‧第二類鑽碳/導電材料多層複合結構
251、451‧‧‧第一電極
252、452‧‧‧第一類鑽碳/導電材料多層複合結構
26、46‧‧‧絕緣保護層
261‧‧‧第一絕緣層
262‧‧‧第二絕緣層
27‧‧‧金屬保護層
28、48‧‧‧第二金屬焊接層
29、49‧‧‧第一金屬焊接層
6‧‧‧電路載板
60‧‧‧電路基板
61‧‧‧絕緣層
62‧‧‧焊料合金層
63‧‧‧電性連接墊
圖1A至圖1H係本發明實施例一之覆晶式發光二極體之製備方法的流程結構示意圖。
圖2A及圖2B係本發明實施例一之覆晶式發光二極體之側面結構示意圖。
圖3係本發明實施例二之覆晶式發光二極體之結構示意圖。
圖4係本發明實施例三之覆晶式發光二極體封裝模組之結構示意圖。
圖5係本發明實施例四之覆晶式發光二極體封裝模組之結構示意圖。
2‧‧‧覆晶式發光二極體
28‧‧‧第二金屬焊接層
29‧‧‧第一金屬焊接層
6‧‧‧電路載板
60‧‧‧電路基板
61‧‧‧絕緣層
62‧‧‧焊料合金層
63‧‧‧電性連接墊

Claims (24)

  1. 一種覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，包括：提供一電路載板，係包括至少一電性連接墊；將一焊料合金層設置於該電性連接墊上，其中，該焊料合金層係至少一選自由錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉍(Bi)，或其合金所組成；提供一覆晶式發光二極體，其係包括一第一金屬焊接層以及一第二金屬焊接層；以及將該覆晶式發光二極體經由該第一金屬焊接層以及該第二金屬焊接層焊接於該電性連接墊，進而封裝於該電路載板；其中，該第一金屬焊接層以及該第二金屬焊接層係由金(Au)、錫(Sn)、銀(Ag)，銅(Cu)所組成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該電路載板包含一絕緣層、以及一電路基板，該絕緣層之材質係至少一選自由類鑽碳、氧化鋁、陶瓷、以及含鑽石之環氧樹脂所組群組。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該電路基板係一金屬板、一陶瓷板或一矽基板。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該焊料合金係至少一選自錫銀合金(Sn-Ag)、錫銅合金(Sn-Cu)、錫鉍合金(Sn-Bi)、銀銅合金(Ag-Cu)、銀鉍合金(Ag-Bi)、錫銀銅合金(Sn-Ag-Cu)、錫 銀鉍合金(Sn-Ag-Bi)、錫銅鉍合金(Sn-Cu-Bi)、銀銅鉍合金(Ag-Cu-Bi)，或錫銀銅鉍合金(Sn-Ag-Cu-Bi)。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該覆晶式發光二極體，包括：一基板，具有一第一表面以及一相對於該第一表面之第二表面；一半導體磊晶多層複合結構，其位於該基板之該第二表面上方且包含一第一半導體磊晶層、一第二半導體磊晶層以及一盲孔，其中，該第一半導體磊晶層與該第二半導體磊晶層係層疊設置，且該盲孔貫穿該第二半導體磊晶層；一第一電極，位於該半導體磊晶多層複合結構之該第一半導體磊晶層上方；一第一類鑽碳/導電材料多層複合結構，係填充於該半導體磊晶多層複合結構之該盲孔中，並覆蓋於該第一電極上方，且電性連接該半導體磊晶多層複合結構之該第一半導體磊晶層；一第二電極，位於該半導體磊晶多層複合結構之該第二半導體磊晶層上方；以及一第二類鑽碳/導電材料多層複合結構，位於該半導體磊晶多層複合結構之該第二電極上方，並電性連接該半導體磊晶多層複合結構之該第二半導體磊晶層。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該覆晶式發光二極體更包括一絕緣保護層，覆蓋該半導體磊晶多層複合結構之該第一半導體磊晶層之側壁以及該第二半導體磊晶層之側壁，以及該盲孔之內壁表面，以隔絕及該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構與該第二半導體磊晶層之間的接觸。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該絕緣保護層係由兩種或以上之不同折射率材料堆疊設置。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該不同折射率材料係至少一選自由絕緣類鑽碳(Isolated DLC)、氧化鈦(TixOy)、二氧化矽(SiO2)、砷化鎵(GaAs)、以及砷化鋁(AlAs)所組成之群組。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該覆晶式發光二極體更包括在該絕緣保護層之外側設置一金屬保護層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該金屬保護層係至少一選自由鋁(Al)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、或其合金所組成之群組。
  11. 如申請專利範圍第5項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該第二表面係為一圖形化表面。
  12. 如申請專利範圍第5項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該第一表面係為一圖形化表面或一粗糙化表面。
  13. 如申請專利範圍第5項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該半導體磊晶多層複合結構更包括一無摻雜半導體磊晶層，該無摻雜半導體磊晶層係夾置於該第一半導體磊晶層與該基板之該第二表面之間。
  14. 如申請專利範圍第5項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，該半導體磊晶多層複合結構更包括一活性中間層，該活性中間層係夾置於該第一半導體磊晶層與該第二半導體磊晶層之間。
  15. 如申請專利範圍第5項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構、以及該第二類鑽碳/導電材料多層複合結構係選自由導電材料層與導電類碳鑽層堆疊結構、導電材料與類鑽碳混合物多層結構、以及導電材料與導電性類鑽碳混合物多層結構所組群組之至少一者。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該導電材料層或該導電材料之材質係選自由銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide，AZO)、氧化鋅(ZnO)、石墨烯(graphene)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鉬(Mo)、鎢(W)、銀(Ag)、鉑(Pt)、以及金(Au)所組群組之至少一者。
  17. 如申請專利範圍第5項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構之表面與該第二類鑽碳/導電材料多層複合結構之表面係形成一共平面。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該第一金屬焊接層係設置於該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構上；以及該第二金屬 焊接層係設置於該第二類鑽碳/導電材料多層複合結構上，且該第二金屬焊接層之表面與該第一金屬焊接層之表面係形成一共平面。
  19. 如申請專利範圍第5項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，更包含一反射層，夾置於該半導體磊晶多層複合結構與該第二電極之間。
  20. 如申請專利範圍第5項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該第一半導體磊晶層、該第一電極以及該第一類鑽碳/導電材料多層複合結構係N型，該第二半導體磊晶層、該第二電極以及該第二類鑽碳/導電材料多層複合結構係P型。
  21. 如申請專利範圍第1項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，於提供一覆晶式發光二極體之前，更包括：設置一助焊劑於該焊料合金層上。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該助焊劑係為一有機化合物助焊劑或一樹脂助焊劑。
  23. 如申請專利範圍第1項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法，其中，該第一金屬焊接層以及該第二金屬焊接層係各自獨立與該焊料合金層經一迴焊處理而融熔形成一連接合金層。
  24. 一種如申請專利範圍第1至23項所述之覆晶式發光二極體封裝模組之製造方法所製造之覆晶式發光二極體封裝模組，包括： 一電路載板，其係包括至少一電性連接墊；一覆晶式發光二極體，其係包括一第一金屬焊接層及一第二金屬焊接層，且該覆晶式發光二極體係藉由一焊料合金層及一助焊劑電性連接於該電性連接墊上，而封裝於該電路載板，其中，該第一金屬焊接層以及該第二金屬焊接層係各自獨立與該焊料合金層融熔形成一連接合金層。
TW101140953A 2012-11-05 2012-11-05 覆晶式發光二極體封裝模組及其製法 TWI455665B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101140953A TWI455665B (zh) 2012-11-05 2012-11-05 覆晶式發光二極體封裝模組及其製法
CN201210586740.9A CN103811631A (zh) 2012-11-05 2012-12-28 芯片倒装式发光二极管封装模块及其制法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101140953A TWI455665B (zh) 2012-11-05 2012-11-05 覆晶式發光二極體封裝模組及其製法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201419958A true TW201419958A (zh) 2014-05-16
TWI455665B TWI455665B (zh) 2014-10-01

Family

ID=50708106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101140953A TWI455665B (zh) 2012-11-05 2012-11-05 覆晶式發光二極體封裝模組及其製法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN103811631A (zh)
TW (1) TWI455665B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI678003B (zh) * 2018-01-25 2019-11-21 致伸科技股份有限公司 光源模組
WO2020038723A1 (de) * 2018-08-22 2020-02-27 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
TWI782840B (zh) * 2021-12-30 2022-11-01 友達光電股份有限公司 發光元件、包含其之發光組件及顯示裝置、及顯示裝置之製造方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160064630A1 (en) * 2014-08-26 2016-03-03 Texas Instruments Incorporated Flip chip led package
CN105428510B (zh) * 2014-09-03 2018-01-30 展晶科技(深圳)有限公司 覆晶式发光二极管封装结构
KR101719628B1 (ko) * 2014-10-27 2017-03-24 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
CN105047788B (zh) * 2015-07-23 2017-12-01 北京大学 一种基于银基金属键合的薄膜结构led芯片及其制备方法
WO2019031183A1 (ja) * 2017-08-10 2019-02-14 シャープ株式会社 半導体モジュール、表示装置、及び半導体モジュールの製造方法
CN108933188A (zh) * 2018-09-06 2018-12-04 武汉华星光电技术有限公司 发光二极管及使用所述发光二极管的背光模组
CN109638124A (zh) * 2018-12-11 2019-04-16 合肥彩虹蓝光科技有限公司 倒装式发光二极管芯片及其制备方法
CN111916550B (zh) * 2019-05-09 2023-02-03 群创光电股份有限公司 电子装置
CN110993756B (zh) * 2019-12-18 2022-12-06 东莞市中晶半导体科技有限公司 Led芯片及其制作方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4123828B2 (ja) * 2002-05-27 2008-07-23 豊田合成株式会社 半導体発光素子
KR101025844B1 (ko) * 2003-10-01 2011-03-30 삼성전자주식회사 ＳｎＡｇＡｕ 솔더범프, 이의 제조 방법 및 이 방법을이용한 발광소자 본딩 방법
US7348212B2 (en) * 2005-09-13 2008-03-25 Philips Lumileds Lighting Company Llc Interconnects for semiconductor light emitting devices
JP2008263126A (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Oki Data Corp 半導体装置、該半導体装置の製造方法、ｌｅｄヘッド、及び画像形成装置
TWI373153B (en) * 2008-09-22 2012-09-21 Ind Tech Res Inst Light emitting diode, and package structure and manufacturing method therefor
US9070851B2 (en) * 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US8592847B2 (en) * 2011-04-15 2013-11-26 Epistar Corporation Light-emitting device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI678003B (zh) * 2018-01-25 2019-11-21 致伸科技股份有限公司 光源模組
WO2020038723A1 (de) * 2018-08-22 2020-02-27 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
TWI782840B (zh) * 2021-12-30 2022-11-01 友達光電股份有限公司 發光元件、包含其之發光組件及顯示裝置、及顯示裝置之製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI455665B (zh) 2014-10-01
CN103811631A (zh) 2014-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI455665B (zh) 覆晶式發光二極體封裝模組及其製法
TWI466328B (zh) 覆晶式發光二極體及其製法與應用
TWI520378B (zh) 覆晶式發光二極體及其應用
US10608144B2 (en) Electrode pad structure of a light emitting diode
TW554549B (en) Highly reflective ohmic contacts to AlGaInN flip-chip LEDs
JP5702711B2 (ja) 増加発光能力を持つｉｉｉ族窒化物ｌｅｄの製造方法
US20070262341A1 (en) Vertical led with eutectic layer
US20050023548A1 (en) Mount for semiconductor light emitting device
JP2011129920A (ja) 発光素子及びその製造方法
WO2004082036A1 (ja) 固体素子デバイスおよびその製造方法
KR20110107869A (ko) 발광 다이오드, 발광 다이오드 램프 및 발광 다이오드의 제조 방법
TWI495160B (zh) 覆晶式發光二極體及其製法與應用
TWI473299B (zh) 覆晶式發光二極體及其製法與應用
US20110261847A1 (en) Light emitting devices
JP6776347B2 (ja) 発光素子、発光素子の製造方法及び発光モジュール
KR20150066405A (ko) 다층 본딩패드를 가진 발광 다이오드
JP6257203B2 (ja) 発光素子
TWI483428B (zh) 垂直式發光二極體及其製法與應用
TW201424057A (zh) 晶片板上封裝結構及其製備方法
JP2018037690A (ja) 発光素子
US20230011141A1 (en) Semiconductor light emitting device package
TWI605615B (zh) 發光元件
TWI447933B (zh) 具有共熔層之立式發光二極體
TWI478371B (zh) 發光元件
TWI644451B (zh) 發光元件