TW201419615A - 薄膜電晶體陣列面板及包含其之有機發光二極體顯示器 - Google Patents

薄膜電晶體陣列面板及包含其之有機發光二極體顯示器 Download PDF

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Abstract

根據本發明之薄膜電晶體陣列面板包含：基板；置於基板上之薄膜電晶體；連結至薄膜電晶體之第一電極；以及置於基板與薄膜電晶體間之繞射層。繞射層置於薄膜電晶體之半導體之邊界線內。

Description

薄膜電晶體陣列面板及包含其之有機發光二極體顯示器 【0001】
本發明主要係關於一種薄膜電晶體陣列面板以及有機發光二極體顯示器。
 【0002】
有機發光二極體顯示器為自體發光顯示裝置，包含用以發光以顯示影像之有機發光二極體。與液晶顯示器不同的是，有機發光二極體顯示器不需分離光源，因此厚度及重量可相對減輕。此外，有機發光二極體顯示器具有低功耗、高亮度及高反應速度，因此被視為用於可攜式電子裝置之次世代顯示器。
【0003】
有機發光二極體顯示器根據驅動方式分類為被動陣列型與主動陣列型。主動陣列型有機發光二極體顯示器之每一像素包含有機發光二極體、薄膜電晶體及電容以獨立控制各像素。
【0004】
有機發光二極體顯示器之特性為發光效率低於其他顯示裝置，例如陰極射線管顯示器(CRT)、電漿顯示面板(PDP)及電漿發光顯示器(PED)。
【0005】
此問題之原因為有機發光二極體顯示器之部分發光因電極與基板之介面及基板與空氣間之介面產生全反射，因而降低光穿透率，以及有機發光二極體顯示器之部分發光受到電極、有機層及基板間之限制，因此光線無法向外發射而消散。
【0006】
上述揭露於先前技術部分之資訊係僅用於增加對於所述技術背景的了解，因此其可能包含不構成於本國之該發明所屬技術領域中具通常知識者所習知之先前技術的資訊。
 【0007】
本發明致力於提供一種具改進發光效率之優點之有機發光二極體顯示器。本發明一實施例提供一種薄膜電晶體陣列面板，其包含：基板；置於基板上之薄膜電晶體；連結至薄膜電晶體之第一電極；以及置於基板與薄膜電晶體間之繞射層。繞射層置於薄膜電晶體之半導體之邊界線內。
【0008】
薄膜電晶體陣列面板可進一步包含：閘極線路形成於基板上並連結至薄膜電晶體之閘極電極；以及資料線路與閘極線路交叉，並連結至薄膜電晶體之源極電極。繞射層與資料線路及閘極線路至少其中之一重疊。
【0009】
繞射層可包含以一反射材料構成之複數個線性圖案，該複數個線性圖案以一預定間隔排列。
【0010】
線性圖案間之間隔可為50奈米至5微米。
【0011】
反射材料可為反射率50%以上之金屬材料，且為包含鋁、銀、銅、鈀、金、鈦、鉬及上述元素之氧化物中至少一種材料。
【0012】
另一實施例提供一種有機發光二極體顯示器，包含：基板；以及置於基板上之複數個像素。每一個像素包含：置於基板上之繞射層；置於繞射層上之薄膜電晶體；連結至薄膜電晶體之第一電極；置於第一電極上之有機發光層；以及置於有機發光層上之第二電極。繞射層置於薄膜電晶體之半導體之邊界線內。
【0013】
薄膜電晶體可包含第一薄膜電晶體及第二薄膜電晶體，且第一電極連結至第一薄膜電晶體之源極電極。
【0014】
有機發光二極體顯示器可進一步包含：構成於基板上之閘極線路；以及資料線路及驅動電壓線路與閘極線路交叉並彼此分離。第二薄膜電晶體之閘極電極、源極電極及汲極電極各自連結至第一薄膜電晶體之閘極線路、資料線路及閘極電極，第一薄膜電晶體之源極電極連結驅動電壓線路。
【0015】
於繞射層中，由反射材料構成之複數個線性圖案可以一預定間隔排列。
【0016】
像素可包含紅色像素、綠色像素及藍色像素，且紅色像素、綠色像素及藍色像素在線性圖案間可具有不同之間隔。
【0017】
線性圖案間之間隔之大小順序可構成為藍色像素<綠色像素<紅色像素。
【0018】
反射材料為反射率50%以上之金屬材料，且可包含鋁、銀、銅、鈀、金、鈦、鉬及上述元素之氧化物中至少一種材料。
【0019】
根據例示性實施例，當構成反射圖案時，可增加有機發光二極體顯示器之發光效率。
3．．．線性圖案
70．．．有機發光二極體
80．．．電容
81、82．．．接觸孔
100、111．．．基板
120．．．下部層
121．．．閘極線路
122．．．中間層
124．．．上部層
135a．．．第一半導體
135b．．．第二半導體
138．．．第一電容電極
140．．．閘極絕緣層
155a．．．第一閘極電極
155b．．．第二閘極電極
158．．．第二電容電極
160．．．第一中間絕緣層
166．．．源極接觸孔
167．．．汲極接觸孔
171．．．資料線路
172．．．驅動電壓線路
176a．．．第一源極電極
176b．．．第二源極電極
177a．．．第一汲極電極
177b．．．第二汲極電極
180．．．第二中間絕緣層
190．．．像素定義層
195．．．開口
300．．．繞射層
710．．．第一電極
720．．．有機發光層
730．．．第二電極
1355a、1355b．．．通道區
1356a、1356b．．．源極區
1357a、1357b．．．汲極區
B．．．藍光
Cst．．．電容
D．．．間隔
d1．．．紅色像素之線性圖案間之間隔
d2．．．綠色像素之線性圖案間之間隔
d3．．．藍色像素之線性圖案間之間隔
G．．．綠光
ILD．．．電流
LD．．．有機發光二極體
PB．．．藍色像素
PG．．．綠色像素
PR．．．紅色像素
PX．．．像素
Qd．．．驅動薄膜電晶體
Qs．．．開關薄膜電晶體
R．．．紅光
Vdd．．．驅動電壓
Vss．．．共同電壓
III-III．．．線
θ．．．角度
【0020】
結合參考附圖的詳細描述，本發明之完整內容與隨之而來之優點將更清楚明顯，當中相似標號代表相同或相似元件，其中 ：
【0021】
第1圖為根據本發明之例示性實施例之有機發光二極體顯示器之像素電路之電路圖。
【0022】
第2圖為第1圖之有機發光二極體顯示器之佈局圖。
【0023】
第3圖為第2圖沿線III-III之橫截面圖。
【0024】
第4圖為根據本發明之例示性實施例之繞射層之上部平面圖。
【0025】
第5圖為根據本發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之橫截面圖。
【0026】
第6圖及第7圖為描述根據本發明之有機發光二極體顯示器之發光效率之圖式。
【0027】
第8圖為根據本發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之佈局圖。
 【0028】
以下，例示性實施例將參照附隨圖式更加充份地描述於本文中。該領域內具通常知識者將理解的是，在不背離發明精神及範圍之狀況下，所說明的實施例可以不同形式實現。
【0029】
圖中之層、薄膜、面板、區域等的厚度為了清楚描述而誇大之。文中相似標號是代表相似的元件。可被理解的是，當一元件如層、薄膜、區域或基板認定位於另一元件之 「 上 」 時，其可表示直接在另一元件上或兩者間可介入其他元件。另一方面，當一元件描述為「直接」位於另一元件之 「 上 」時，即表示兩者間無其他元件介入。
【0030】
此處根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器將參照附圖進行更詳細的說明。
【0031】
第1圖為根據本發明之例示性實施例之有機發光二極體顯示器之像素電路之電路圖。
【0032】
如第1圖所示，根據本發明之例示性實施例之有機發光二極體顯示器包含複數個信號線路121、171及172，以及複數個像素PX連結至信號線路121、171及172且大致排列為陣列形狀。
【0033】
信號線路包含複數個傳送閘極信號(或掃描信號)之閘極線路121，以及複數個驅動電壓線路172以傳送驅動電壓Vdd。閘極線路121大致沿著列的方向相互平行延伸，而部分沿垂直方向之資料線路171及驅動電壓線路172則大致沿著行的方向相互平行延伸。
【0034】
每一像素PX包含開關薄膜電晶體Qs、驅動薄膜電晶體Qd、儲存電容Cst及有機發光二極體(OLED)LD。
【0035】
開關薄膜電晶體Qs包含控制終端、輸入終端及輸出終端，且控制終端與閘極線路121連結，輸入終端與資料線路171連結，輸出終端與驅動薄膜電晶體Qd連結。開關薄膜電晶體Qs以資料線路171傳送資料訊號至驅動薄膜電晶體Qd以回應施加於閘極線路121之掃描信號。
【0036】
驅動薄膜電晶體Qd同樣包含控制終端、輸入終端及輸出終端，且控制終端與開關薄膜電晶體Qs連結，輸入終端與驅動電壓線路172連結，輸出終端與有機發光二極體LD連結。驅動薄膜電晶體Qd可輸出電流ILD，其電流大小根據作用於控制終端與輸出終端間之電壓而變化。
【0037】
儲存電容Cst連結於控制終端與驅動薄膜電晶體Qd之輸入終端間。儲存電容Cst施加作用於驅動薄膜電晶體Qd之控制終端之資料信號，並在開關薄膜電晶體Qs關閉後維持資料信號。
【0038】
有機發光二極體LD包含與驅動薄膜電晶體Qd之輸出終端連結之陽極以及與共同電壓Vss連結之陰極。有機發光二極體LD發光並根據驅動薄膜電晶體Qd之輸出電流ILD改變發光強度以顯示影像。
【0039】
此外，可改變薄膜電晶體Qd及Qs、電容Cst及有機發光二極體LD間之連結關係。
【0040】
以下，將參考第2圖及第3圖詳述根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器。
【0041】
第2圖為第1圖之有機發光二極體顯示器之佈局圖。第3圖為第2圖沿線III-III之橫截面圖。
【0042】
如第2圖及第3圖所示，緩衝層120、122、124係構成於基板111上。
【0043】
基板111可為玻璃、石英、陶瓷或塑膠等構成之透明絕緣基板，且基板111同樣可為以不鏽鋼構成之金屬基板。
【0044】
於第3圖之例示性實施例中，緩衝層可包含下部層120、置於繞射層300上之中間層122，以及構成於中間層122上之上部層124，但其僅根據構成中間層122之必要性而包含於其中。
【0045】
繞射層300構成於緩衝層之下部層120上。
【0046】
參考第4圖，繞射層300包含以反射材料製成之複數個線性圖案。線性圖案沿預定間隔D平行排列，而間隔D可為50奈米至5微米。
【0047】
反射材料為反射率50%以上之金屬材料，且為包含鋁、銀、銅、鈀、金、鈦、鉬及上述元素之氧化物之至少其中之一的單層或包含鋁、銀、銅、鈀、金、鈦、鉬及上述元素之氧化物之至少其中之一的多層堆疊。
【0048】
緩衝層之中間層122構成於緩衝層300上。
【0049】
緩衝層可由單層二氧化矽或矽氮化物構成，或二氧化矽及矽氮化物的多層堆疊。緩衝層之中間層122係用以填滿緩衝層300之空間以使表面平坦，避免非所需之成分如雜質或水氣滲入。緩衝層之中間層122可構成為厚度大於線性圖案，且大於等於100奈米或小於等於5微米。
【0050】
以多晶矽構成之第一半導體135a及第二半導體135b，以及第一電容電極138係構成於緩衝層上。
【0051】
第一半導體135a及第二半導體135b被劃分為通道區1355a及1355b，而源極區1356a及1356b，以及汲極區1357a及1357b分別形成於通道區1355a及1355b之對應側。第一半導體135a及第二半導體135之通道區1355a及1355b為未摻雜雜質之多晶矽，亦即純半導體。第一半導體135a及第二半導體135之源極區1356a及1356b以及汲極區1357a及1357b為摻雜導電雜質之多晶矽，亦即雜質半導體。
【0052】
源極區1356a及1356b以及汲極區1357a及1357b，以及第一電容電極138可為N型或P型雜質半導體任一種。
【0053】
繞射層300置於第一半導體135a及第二半導體135b旁之邊界線內以避免開口率因繞射層300而降低。
【0054】
閘極絕緣層140構成於第一半導體135a、第二半導體135b及第一電容電極138上。閘極絕緣層140可為包含矽酸乙酯(TEOS)、矽氮化物、以及矽氧化物的單層或多層。
【0055】
參考第2圖及第3圖，閘極線路121、第二閘極電極155b及第二電容電極係構成於閘極絕緣層140上。
【0056】
閘極線路121沿水平方向延伸以傳送閘極信號，並包含第一閘極電極155a由閘極線路121朝第一半導體135a突出。
【0057】
第一閘極電極155a及第二閘極電極155b各自與通道區1355a及1355b重疊，而第二電容電極158與第一電容電極138重疊。
【0058】
第二電容電極158、第一閘極電極155a及第二閘極電極155b可由單層或多層之鉬、鎢、鋁、銅或上述元素之合金構成。
【0059】
利用閘極絕緣層140作為介電層，使第一電容電極138與第二電容電極158構成電容80。
【0060】
第一中間絕緣層160構成於閘極線路121、第二閘極電極155b及第二電容電極158上。第一中間絕緣層160也可與閘極絕緣層140類似，由矽酸乙酯(TEOS)、矽氮化物或矽氧化物構成。
【0061】
第一中間絕緣層160與閘極絕緣層140包含穿過其之源極接觸孔166及汲極接觸孔167，使源極區1356a及1356b以及汲極區1357a及1357b各自外露。
【0062】
資料線路171包含第一源極電極176a，驅動電壓線路172包含第二源極電極176b，第一汲極電極177a以及第二汲極電極177b構成於第一中間絕緣層160上。
【0063】
資料線路171傳送資料信號並沿交叉閘極線路121之方向延伸。
【0064】
驅動電壓線路172傳送預定電壓並沿與資料線路171相同方向延伸，同時與資料線路171分隔。
【0065】
第一源極電極176a由資料線路171朝第一半導體135a突出，而第二源極電極176b由驅動電壓線路172朝第二半導體135b突出。第一源極電極176a及第二源極電極176b各自通過接觸孔166分別連結至源極區1356a及1356b。
【0066】
第一汲極電極177a面對第一源極電極176a且通過接觸孔167連結至汲極區1357a。
【0067】
第一汲極電極177a沿閘極線路121延伸，且透過接觸孔81與第二閘極電極155b電性連結。
【0068】
第二汲極電極177b通過接觸孔167連結至汲極區1357b。
【0069】
資料線路171、驅動電壓線路172、第一汲極電極177a及第二汲極電極177b可以低電阻材料如鋁、鈦、鉬、銅、鎳、上述元素之合金或高腐蝕性材料構成單層或多層。舉例而言，資料線路171、驅動電壓線路172、第一汲極電極177a及第二汲極電極177b可以鈦/銅/鈦或鈦/銀/鈦之三層結構構成。
【0070】
於例示性實施例中，電容係由第一電容電極138重疊第二電容電極158構成，但具金屬/介電質/金屬結構之電容可藉由形成電極於與資料線路或第一電極的同一層上。
【0071】
第二中間絕緣層180構成於資料線路171、驅動電壓線路172及第一汲極電極177a上。
【0072】
此外，第一電極710構成於第二中間絕緣層180上。第一電極710可為第1圖之有機發光裝置之陽極。第一電極710通過接觸孔82與第二汲極電極177b連結。
【0073】
於本例示性實施例中，第一電極710與第二汲極電極177b係通過設於其間之第二中間絕緣層180之接觸孔82相連結，但第一電極710與第二汲極電極177b也可為一體成形。
【0074】
像素定義層190構成於第一電極710上。
【0075】
像素定義層190包含開口195使第一電極710外露。像素定義層190可由樹脂如聚丙烯類樹脂或聚醯亞胺類樹脂及矽類無機材料構成。
【0076】
有機發光層720構成於像素定義層190之開口195中。
【0077】
有機發光層720可以低分子量有機材料或高分子量有機材料構成，如聚3,4-二氧乙基噻吩(PEDOT)。此外，有機發光層720可以多層構成，包含發光層、電洞注入層HIL、電洞傳輸層HTL、電子傳輸層ETL及電子注入層EIL中至少其中之一。當有機發光層720包含發光層、電洞注入層HIL、電洞傳輸層HTL、電子傳輸層ETL及電子注入層EIL全部時，電子注入層EIL係置於作為陽極之第一電極710上，依序堆疊電洞傳輸層HTL、發光層、電子傳輸層ETL、電子注入層EIL於電洞注入層HIL上。
【0078】
有機發光層720可包含至少一發出紅光之紅色有機發光層、發出綠光之綠色有機發光層及發出藍光之藍色有機發光層，而紅色有機發光層、綠色有機發光層及藍色有機發光層各自構成於紅色像素、綠色像素及藍色像素中，以產生彩色影像。
【0079】
此外，有機發光層720可藉由堆疊紅色像素、綠色像素及藍色像素中之藍色有機發光層，紅色有機發光層、綠色有機發光層及藍色有機發光層以發出白光，或構成發出白光之白色有機發光層於紅色發光層、綠色發光層及藍色發光層中。如第5圖所示，當複數個發光層構成於一像素中或構成白色有機發光層時，可藉由在每一像素中構成紅色濾光片220R、綠色濾光片220G及藍色濾光片220G以產生彩色影像。此狀況中，彩色濾光片間可構成黑色陣列240以避免透過彩色濾光片220R、220G及220G發出之色光互相混合或干擾。
【0080】
如第5圖所示，當透過堆疊紅色有機發光層、綠色有機發光層及藍色有機發光層或構成白色有機發光層並使用彩色濾光片而產生彩色影像時，則不需使用沉積遮罩以沉積紅色有機發光層、綠色有機發光層及藍色有機發光層於各別像素中，亦即各個紅色像素，綠色像素及藍色像素。
【0081】
如上所述，理所當然的是，白色有機發光層可構成一個有機發光層，而白色有機發光層包含堆疊複數個有機發光層以發出白光之配置。
【0082】
除了紅色有機發光層、綠色有機發光層及藍色有機發光層外，白色有機發光層也可包含結合至少一黃色有機發光層及至少一藍色有機發光層以發出白光之配置、結合至少一青色有機發光層及至少一紅色有機發光層以發出白光之配置以及結合至少一洋紅色有機發光層及至少一綠色有機發光層以發出白光之配置。
【0083】
參考第3圖，第二電極730構成於像素定義層190及有機發光層720上。
【0084】
第二電極730為有機發光二極體之陰極。因此，第一電極710、有機發光層720及第二電極730構成有機發光二極體70。
【0085】
有機發光二極體顯示器根據有機發光二極體70發光之方向，可具備頂部顯示型態、底部顯示型態及兩側顯示型態之任一結構。
【0086】
在根據例示性實施例之底部發光型態有機發光二極體顯示器中，第一電極710係形成為透明或半透明層，第二電極730係形成為反射層。反射層及半透明層由以下至少一種金屬如鎂、銀、金、鈣、鋰、鉻或鋁，或上述元素之合金構成。反射層及半透明層是由厚度所決定，而半透明層可形成為具有200奈米以下的厚度。隨著厚度減少，透光度便增加。然而若厚度過小，電阻便上升。
【0087】
透明層可由如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化铟(In2O3)等材料構成。
【0088】
當繞射層300如上述方式構成，發光效率即可增加。
【0089】
此將參照第6圖及第7圖進行描述。
【0090】
第6圖及第7圖為敘述根據本發明之有機發光二極體顯示器之圖式。
【0091】
參照第6圖，介於基板100及空氣間之反射光及介於基板100及電極間之反射光沿基板100移動並達到繞射層300，並由繞射層300之線性圖案3反射並折射至外部。亦即，沿基板100移動之光線為相關技術之像素顏色之混合，所以當光線沿基板移動時，光將會混合表現預定顏色之每一像素之顏色。
【0092】
然而。如例示性實施例構成繞射層300時，沿基板100移動之光線將由反射材料構成之線性圖案3反射，使折射率改變，並使光線不再沿基板100移動並可向外部發射。
【0093】
此外，當根據每一像素之顏色，改變繞射層300之線性圖案3間之間隔時，由繞射層300繞射之光線將發出與像素顏色相同之色光至外部。
【0094】
參考第7圖，當光線入射至繞射層300時，光線由線性圖案3繞射並以一角度θ發射。此狀況中，當線性圖案3間之間隔為d時，繞射光及發射光之波長可由下列式1求得。
【0095】
[式1]
dsinθ=λ/2 (2m)
(m = 0, 1, 2 …)
【0096】
據此，如第5圖所述，設於每一紅色像素、綠色像素及藍色像素之繞射層300之線性圖案3之間隔可根據像素顏色而形成為不同。
【0097】
當有機發光層是發出單色光，則像素顏色是根據有機發光層之發光顏色所決定，但是當有機發光層包含複數個顏色以構成白光，則像素顏色是根據濾光片顏色而改變。
【0098】
舉例而言，當有機發光二極體顯示器包含紅色像素PR、綠色像素PG及藍色像素PB，且紅色像素PR、綠色像素PG及藍色像素PB之線性圖案間之間隔各自為d1、d2及d3時，線性圖案間之間隔之關係為d1> d2> d3。
【0099】
d1可為0.32 ± 0.05 微米、0.40 ± 0.05 微米、0.60 ± 0.05 微米、 0.69 ± 0.05 微米及2.00 ± 0.05 微米，d2可為0.27 ± 0.05 微米、0.35 ± 0.05 微米、0.50 ± 0.05 微米、0.60 ± 0.05 微米及1.71 ± 0.05 微米，d3可為0.24 ± 0.05 微米、0.30 ± 0.05 微米、0.43 ± 0.05 微米、0.50 ± 0.05 微米及1.47 ± 0.05 微米。
【0100】
當沿基板100移動之光線入射至紅色像素時，即發射紅光而使綠光及藍光消散，當沿基板100移動之光線入射至綠色像素時，即發射綠光而使紅光及藍光消散，當沿基板100移動之光線入射至藍色像素時，即發射藍光而使綠光及紅光消散。
【0101】
如上所述，可透過使用散射層300將沿基板100移動之光線放出至外部以增加發光效率。
【0102】
第8圖為根據本發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之佈局圖。
【0103】
第8圖之例示性實施例除了散射層300之構成外，大致與第2圖及第3圖之例示性實施例相同，因此將省略重複之說明。
【0104】
如第8圖所示，本發明之有機發光二極體顯示器之散射層300與資料線路及閘極線路重疊。
【0105】
特別是，散射層300與閘極線路121、資料線路171、第一汲極電極177a、第二汲極電極177b及驅動電壓線路172重疊。
【0106】
此狀況中，當閘極線路121、資料線路171及驅動電壓線路172置於相鄰像素間時，繞射層300之線性圖案之間隔可構成以發出與連結至信號線路之像素相同之色光。
【0107】
本發明已連同目前被認為切實可行之例示性實施例進行說明，應了解的是本發明係不受所揭露之實施例所限制，且相反地，係旨在涵蓋包含於所附申請專利範圍之精神及範疇內之各種修改及等效配置。
81、82．．．接觸孔
121．．．閘極線路
135a．．．第一半導體
135b．．．第二半導體
138．．．第一電容電極
155a．．．第一閘極電極
155b．．．第二閘極電極
158．．．第二電容電極
166．．．源極接觸孔
167．．．汲極接觸孔
171．．．資料線路
172．．．驅動電壓線路
176a．．．第一源極電極
176b．．．第二源極電極
177a．．．第一汲極電極
177b．．．第二汲極電極
195．．．開口
300．．．繞射層
710．．．第一電極
720．．．有機發光層
III-III．．．線

Claims (10)

  1. 【第1項】
    一種薄膜電晶體陣列面板，其包含：
    一基板；
    一薄膜電晶體，置於該基板上；
    一第一電極，連結至該薄膜電晶體；以及
    一繞射層，置於該基板與該薄膜電晶體間；
    該繞射層置於該薄膜電晶體之半導體之邊界線內。
  2. 【第2項】
    如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列面板，其更包含：
    一閘極線路形成於該基板上並連結至該薄膜電晶體之一閘極電極；以及
    一資料線路與該閘極線路交叉，並連結至該薄膜電晶體之一源極電極；
    該繞射層與該資料線路及該閘極線路至少其中之一重疊。
  3. 【第3項】
    如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列面板，其中該繞射層包含以一反射材料構成之複數個線性圖案，該複數個線性圖案以一預定間隔排列。
  4. 【第4項】
    如申請專利範圍第3項所述之薄膜電晶體陣列面板，其中該複數個線性圖案間之間隔為50奈米至5微米。
  5. 【第5項】
    如申請專利範圍第3項所述之薄膜電晶體陣列面板，其中該反射材料為反射率50%以上之金屬材料，且為包含鋁、銀、銅、鈀、金、鈦、鉬及上述元素之氧化物中至少一種材料。
  6. 【第6項】
    一種有機發光二極體顯示器，其包含：
    一基板；以及
    複數個像素，置於該基板上；
    每一該複數個像素包含：
    一繞射層，置於該基板上；
    一薄膜電晶體，置於該繞射層上；
    一第一電極，連結至該薄膜電晶體；
    一有機發光層，置於該第一電極上；以及
    一第二電極，置於該有機發光層上；
    該繞射層置於該薄膜電晶體之半導體之邊界線內。
  7. 【第7項】
    如申請專利範圍第6項所述之有機發光二極體顯示器，其中以一反射材料構成之複數個線性圖案係於該繞射層中以一預定間隔排列。
  8. 【第8項】
    如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示器，其中該複數個像素包含一紅色像素、一綠色像素及一藍色像素，且該紅色像素、該綠色像素及該藍色像素在該複數個線性圖案間具有不同之間隔。
  9. 【第9項】
    如申請專利範圍第8項所述之有機發光二極體顯示器，其中該線性圖案間之該間隔之大小順序構成為藍色像素<綠色像素<紅色像素。
  10. 【第10項】
    如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示器，其中該反射材料為反射率50%以上之金屬材料，且為包含鋁、銀、銅、鈀、金、鈦、鉬及上述元素之氧化物中至少一種材料。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI690103B (zh) * 2015-01-28 2020-04-01 南韓商三星顯示器有限公司 有機發光二極體顯示器
TWI745991B (zh) * 2014-08-05 2021-11-11 南韓商三星顯示器有限公司 顯示設備

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101733151B1 (ko) * 2014-08-21 2017-05-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
CN108878537B (zh) 2017-05-12 2021-02-12 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、显示面板和显示装置
JP7086582B2 (ja) * 2017-12-11 2022-06-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20200103233A (ko) * 2019-02-22 2020-09-02 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그의 제조방법
US11024774B2 (en) * 2019-10-15 2021-06-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Display device reflector having improved reflectivity

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100085642A1 (en) 2000-07-18 2010-04-08 Optaglio Limited Diffractive device
JP4410244B2 (ja) 2003-02-05 2010-02-03 エーユー オプトロニクス コーポレイション 表示装置
WO2004086821A1 (ja) 2003-03-25 2004-10-07 Kyoto University 発光素子及び有機エレクトロルミネセンス発光素子
KR101005355B1 (ko) * 2003-12-29 2011-01-05 엘지디스플레이 주식회사 반사투과형 액정표시장치와 그 제조방법
US7859494B2 (en) * 2004-01-02 2010-12-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US7579775B2 (en) * 2004-12-11 2009-08-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electroluminescence display device with improved external light coupling efficiency and method of manufacturing the same
KR100683761B1 (ko) * 2005-02-19 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 전계발광 디스플레이 장치
KR100761081B1 (ko) 2005-12-28 2007-09-21 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
WO2009102731A2 (en) 2008-02-12 2009-08-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Devices and methods for enhancing brightness of displays using angle conversion layers
JP2012528361A (ja) 2009-05-29 2012-11-12 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 反射ディスプレイ用の照明デバイス
KR101274591B1 (ko) * 2009-12-18 2013-06-13 엘지디스플레이 주식회사 표면 플라즈몬을 이용한 컬러필터와 액정표시장치 및 그 제조방법
US8283853B2 (en) * 2010-03-31 2012-10-09 General Electric Company Light-emitting device and article
KR101640818B1 (ko) 2010-04-29 2016-07-19 엘지디스플레이 주식회사 표면 플라즈몬을 이용한 편광 컬러필터 및 이를 구비한 액정표시장치
KR20120067644A (ko) * 2010-12-16 2012-06-26 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI745991B (zh) * 2014-08-05 2021-11-11 南韓商三星顯示器有限公司 顯示設備
TWI690103B (zh) * 2015-01-28 2020-04-01 南韓商三星顯示器有限公司 有機發光二極體顯示器

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Publication number Publication date
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