TW201415519A - 用以控制電漿處理系統中之電漿的方法及設備 - Google Patents

用以控制電漿處理系統中之電漿的方法及設備 Download PDF

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Abstract

本發明揭露用以處理在多頻率電漿處理腔室中之基板的方法及設備。基礎射頻信號脈衝地產生於高功率位準與低功率位準之間。回應控制信號，當基礎射頻信號脈衝地產生時，非基礎射頻產生器之每一者主動於第一預定的功率位準和第二預定的功率位準之間切換。可替換地或可附加地，回應控制信號，當基礎射頻信號脈衝地產生時，非基礎射頻產生器之每一者主動於第一預定的射頻頻率和第二預定的射頻頻率之間切換。本發明揭露了用以在製造時間前確定非基礎射頻信號用之第一和第二預定之功率位準及/或第一和第二預定之射頻頻率。

Description

用以控制電漿處理系統中之電漿的方法及設備 【相關申請案的交互參照】
本申請案係與於2012年2月22日提出申請之名為「多頻率射頻脈衝用之頻率增強阻抗相關功率控制」、代理人案號P2301P/LMRX-P222P1、申請序號61/602,040之共同轉讓的專利申請案相關，以及與於2012年2月22日提出申請之名為「用以同步電漿處理系統中之射頻脈衝的方法及設備」、代理人案號P2296P/LMRX-P221P1、申請序號61/602,401之共同轉讓的專利申請案相關，其係全數併入於此作為參考。
本發明關於用以控制電漿處理系統中之電漿的方法及設備。
電漿處理長久以來已被用於處理基板(例如，晶圓或平板或其他基板)以製造電子元件(例如，積體電路或平板顯示器)。在電漿處理中，基板係置於電漿處理腔室中，該電漿處理腔室使用一或更多電極以激發來源氣體(其可為蝕刻來源氣體或沉積來源氣體)以形成用以處理基板之電漿。電極可由射頻信號所激發，射頻信號係由例如射頻產生器所輸送。
在一些電漿處理系統中，數個射頻信號，其一部份可具有相同的或不同的射頻頻率，可提供至承載基板之電極(以下亦稱為下部電極或夾盤)，以當上部電極接地時產生電漿。例如，在電容耦合式電漿處理系統中，當頂部電極接地時，一或更多射頻信號可提供至底部電極。
在一些應用中，可脈衝地產生該複數射頻信號。對於任何既 定之射頻信號，射頻脈衝牽涉到在一脈衝頻率下打開和關閉射頻信號(或是在高功率位準與低功率位準之間交替，因為脈衝並不總是需要關閉電源)，該脈衝頻率可能不同於(且通常慢於)該射頻頻率。一般來說，在過去執行射頻脈衝是為了改善特定的處理結果(例如改善均勻性或減少與蝕刻有關的損害)。
各種射頻信號之脈衝可為不同步或同步。例如同步脈衝之情形，若兩個信號RF1和RF2係同步，則對於信號RF2之每一主動脈衝，皆有信號RF1之主動脈衝。該兩個射頻信號之脈衝可為同相，或是一射頻脈衝之前緣可落後於另一射頻脈衝之前緣，或是一個射頻脈衝之後緣可落後於另一射頻脈衝之後緣，或是該等射頻脈衝可為不同相。
各種射頻信號之脈衝若未受妥善控制，則會有射頻功率不穩定性導致電漿擾動的風險，此發生在該等射頻信號之一或更多者由低至高(或反向)之轉變期間。這是因為在此由射頻信號之一或更多者的轉變期間，處理腔室中的電漿狀態改變所致。此改變可由匹配網路及/或其他射頻產生器所偵測，匹配網路及/或其他射頻產生器可能試圖補償所偵測到之電漿狀態的改變。此補償之反應性本質意味著，在偵測電漿狀態改變及成功的補償之間之一段期間，存在著導致電漿不穩定性的射頻功率擾動。
圖1呈現此射頻功率擾動之範例，此射頻功率擾動可導致在此等脈衝射頻信號之其中一者的轉變期間之電漿不穩定性。在圖1之範例中，2MHz之射頻信號在100Hz脈衝，並具有介於2,500W和0W之間之50%的工作週期。為便於說明，假設60MHz之射頻信號係在無脈衝之情況下於連續波(CW)模式下操作。隨著2MHz之射頻信號從低狀態102轉變至高狀態104，腔室內的電漿狀態係回應變化之供電而改變。當偵測到此電漿狀態之變化時，60MHz之射頻信號係顯示為補償(亦經由在60MHz之電源供應器中或在匹配網路中的補償電路)所偵測到的電漿狀態改變。
然而，這是一種反應性的回應，並取決於首先偵測由該2MHz之脈衝射頻信號(其如前所述地在為100Hz之脈衝頻率脈衝)由低至高的轉變所致之電漿狀態變化。延遲和隨後的回應導致由參考號碼106所示出之射頻功率位準擾動，射頻功率位準擾動顯示在2MHz的射頻信號由 低至高之轉變後，60MHz之射頻信號的功率位準暫時下降。另一個由於60MHz射頻信號之延遲回應所造成之60MHz之射頻信號的射頻功率位準擾動的情形，係顯示於參考號碼108中，此發生於2MHz之射頻信號由高(110)至低(112)之轉移後。其他射頻功率擾動係由例如參考數字114和116顯示於圖1中。如圖1中可看出，這些射頻功率擾動可在正方向或負方向，並可具有不同的強度。此等擾動導致不穩定及/或控制不佳的電漿事件，進而影響處理結果及/或元件良率。
此外，現今的電漿處理在高密度、高性能元件之製造上，對於處理結果施加嚴格的要求。利用傳統的恆定波形射頻信號或利用傳統的射頻脈衝方法，一些製程容許度(process window)係無法到達或相當狹窄。
操縱和進一步控制各種射頻信號之脈衝，以改善電漿穩定性及/或提供額外的處理控制旋鈕，係為本發明之實施例的諸多目標之一。
在一實施例中，本發明關於一種用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法。該電漿處理腔室具有複數射頻電源供應器，該等射頻電源供應源係耦接以提供複數射頻信號至該電極。本方法包含以第一脈衝頻率將基礎射頻脈衝信號脈衝地產生於高功率位準與低功率位準之間，該基礎射頻脈衝信號代表該複數射頻信號之第一射頻信號，該第一射頻信號具有在該複數射頻信號之脈衝頻率之間最低的脈衝頻率，該第一脈衝頻率係不同於於該基礎射頻脈衝信號之射頻頻率。
本方法亦包含發送控制信號至少至該複數射頻電源供應器之一子集，其中該控制信號係以主動方式產生，使在處理該基板的同時，不需要感測由於該基礎脈衝信號之該脈衝所導致之一或更多腔室參數的改變。
本方法包含回應該控制信號，將複數射頻電源供應器之每一子集脈衝地產生於第一預定之射頻電源供應器特有的功率位準以及第二預定之射頻電源供應器特有的功率位準之間，該第二預定之射頻電源供應器特有的功率位準係不同於該第一預定之射頻電源供應器特有的功率位準。
本發明之這些及其它特徵將於以下的本發明之詳細說明並結合下列圖式予以詳細描述。
102‧‧‧低狀態
104‧‧‧高狀態
106‧‧‧射頻功率位準擾動
108‧‧‧射頻功率位準擾動
110‧‧‧高狀態
112‧‧‧低狀態
114‧‧‧其他的射頻功率擾動
116‧‧‧其他的射頻功率擾動
202‧‧‧電漿處理系統
204‧‧‧電漿處理腔室
206‧‧‧上部電極
208‧‧‧下部電極
220‧‧‧射頻電源供應器
222‧‧‧射頻電源供應器
224‧‧‧射頻電源供應器
230‧‧‧匹配網路
232‧‧‧導管
234‧‧‧導管
250‧‧‧控制電路
302‧‧‧2MHz之射頻信號
304‧‧‧60MHz之射頻信號
320‧‧‧功率擾動
322‧‧‧功率擾動
324‧‧‧功率擾動
328‧‧‧功率擾動
402‧‧‧2MHz之射頻信號
404‧‧‧60MHz之射頻信號
502‧‧‧射頻信號
504‧‧‧射頻信號
602‧‧‧射頻信號
604‧‧‧射頻信號
606‧‧‧射頻信號
700‧‧‧點
702‧‧‧射頻功率線
704‧‧‧點
706‧‧‧點
708‧‧‧點
710‧‧‧點
712‧‧‧點
714‧‧‧點
730‧‧‧線
802‧‧‧步驟
804‧‧‧步驟
806‧‧‧步驟
902‧‧‧步驟
904‧‧‧步驟
906‧‧‧步驟
本發明係藉由例示而非限制之方式顯示於隨附圖式中之圖形，且其中相似的參考數字表示相似的元件，且其中：圖1顯示此射頻功率擾動之範例，此射頻功率擾動可導致在該等脈衝射頻信號之其中一者的轉變期間的電漿不穩定性。
圖2顯示根據本發明之一實施例之簡化的電容耦合式電漿處理系統，該系統具有電漿處理腔室並用以進行各種射頻信號脈衝狀態之功率位準的控制。
圖3為一曲線圖，顯示對於兩個射頻信號之所輸出功率與時間的關係，以說明主動同步各種射頻信號之間之脈衝的影響。
圖4顯示根據本發明之一實施例中，該60MHz之射頻信號使其功率位準配合該2MHz之射頻信號的脈衝狀態的情形。
圖5顯示根據本發明之另一實施例中，該60MHz之射頻信號使其功率位準配合該2MHz之射頻信號的脈衝狀態的情形。
圖6顯示根據本發明之另一實施例中，27MHz之射頻信號以及60MHz之射頻信號使其功率位準配合該2MHz之射頻信號的脈衝狀態的情形。
圖7顯示一概念驗證曲線圖，顯示在某些條件下，非基礎射頻產生器無法在期望之功率設定點提供射頻功率。
圖8顯示根據本發明之一實施例中，一種用於得知當基礎射頻產生器產生脈衝時，對於非基礎射頻產生器之最佳調諧射頻頻率的方法。
圖9顯示根據本發明之一實施例中，一種用以當電漿腔室設置脈衝基礎射頻信號和至少一非基礎射頻信號時，將最佳射頻功率傳送至電漿腔室中之電漿負載的方法。
本發明現將參照如隨附圖式中呈現之其若干較佳實施方式加以詳述。在以下敘述中，提出許多具體細節以提供對本發明之深入了解。然而對熟悉本技藝者將顯而易見，本發明可在缺少這些具體細節的部份或所有者的情況下實施。在其它情況下，已為人所熟知之程序步驟以及/或是結構將不再詳述，以不非必要地使本發明失焦。
各種實施例係描述於下，包含方法和技術。吾人應謹記本發明亦可涵蓋包含電腦可讀取媒體之製品，該電腦可讀取媒體之製品儲存了實施本發明技術之實施例的電腦可讀取指令。電腦可讀取媒體可包含例如半導體、磁性、光磁、光學、或其他形式之用以儲存電腦可讀取碼的電腦可讀取媒體。再者，本發明亦可涵蓋用以實施本發明實施例的設備。此等設備可包含專用及/或可程式化之電路，以實施與本發明之實施例相關的任務。此設備之範例包含適當程式化之通用電腦，且可包含電腦/計算裝置及專用/可程式化之電路之組合，此組合係適用於和本發明之實施例的各種任務。
本發明之實施例關於用以控制電漿處理的方法及設備，此係藉由主動設定一或更多更高頻率之射頻信號的射頻功率位準、以及主動控制脈衝將在處理期間之射頻功率擾動最小化而為之。更高頻率之射頻信號的功率位準係回應該基礎脈衝射頻信號的脈衝狀態決定並接著分開設定。換言之，更高頻率之射頻信號的功率位準係針對基礎脈衝射頻信號之高脈衝以及基礎脈衝射頻信號之低脈衝決定並接著分開設定。
如本文所用之用語，基礎脈衝射頻信號表示脈衝地產生的最低頻率射頻信號。例如，若下部電極設置三個射頻信號(2MHz、27MHz、及60MHz)且該2MHz之射頻信號係脈衝地產生，則該2MHz之射頻信號代表基礎脈衝射頻信號，因為它是脈衝式產生之最低頻率射頻信號。作為另一個例子，若電漿處理腔室設置三個射頻信號至其下部電極(2MHz、27MHz、及60MHz)且該2MHz之射頻信號係以連續波形(即非脈衝模式)操作，且該27MHz之射頻信號和該60MHz之射頻信號係脈衝地產生，則該27MHz之射頻信號代表基礎脈衝射頻信號。
為了使用語更清楚，基礎脈衝射頻信號可同於或不同於主要 射頻信號，主要射頻信號代表獨立的脈衝射頻信號。當數個射頻電源供應器脈衝時，此等射頻電源供應器之其中一者可被指定為主要射頻電源供應器並獨立地以脈衝式產生其主要射頻信號。主要射頻電源供應器可發出控制信號至其他射頻電源供應器以同步化脈衝。並未規定主要射頻信號需為最低頻率的射頻信號。因此，27MHz的脈衝射頻信號可作為2MHz之脈衝射頻信號的主信號，且反之亦然。然而，如該用語於本文中所用，基礎脈衝射頻信號係為脈衝式產生之最低頻率的射頻信號。此時吾人應注意，使用主要射頻電源供應器以同步化射頻電源供應器之間的脈衝僅為同步化脈衝的一個方法。例如，亦可採用外部電路以同步化所有射頻電源供應器之間的脈衝。
在一或更多實施例中，當基礎射頻信號係脈衝地產生時，其它脈衝射頻信號之每一者與該基礎脈衝射頻信號的脈衝狀態同步，在其第一預設功率位準以及其第二預設功率位準之間主動交替。第一預設功率位準代表為基礎射頻信號之高脈衝所建立之其它脈衝射頻信號的功率位準。第二預設功率位準代表為基礎射頻信號之低脈衝所建立之其它脈衝射頻信號的功率位準。
例如，假設電漿處理腔室設置三個射頻信號至其下部電極(2MHz、27MHz、及60MHz)，且2MHz和27MHz之射頻信號兩者皆以100Hz脈衝地產生。2MHz之基礎脈衝射頻信號將以100Hz，於2MHz的高功率位準和2MHz的低功率位準之間脈衝地產生。27MHz之射頻信號係回應來自主要射頻電源供應器或外部同步控制電路之控制信號，主動於第一預設的功率位準(此係回應該2MHz的高功率位準而產生)和第二預設功率(此係回應該2MHz低功率位準而產生)之間交替。
非基礎脈衝射頻信號(例如在前例中之27MHz的射頻信號)之預設功率位準係確認及/或建立以達到某些期望之處理結果。另外，非基礎脈衝射頻信號的第一預設功率位準與第二預設功率位準之每一者係獨立地針對該基礎脈衝射頻信號之每個脈衝狀態所建立。因此，它們係針對在基礎射頻信號之高狀態(如在前面的例子中之2MHz之射頻信號)及基礎射頻信號之低狀態期間存在之電漿狀態獨立地確認及/或建立。一旦建 立此等針對非基礎射頻信號(例如，在配方形成期間)之預設功率位準，非基礎射頻信號會回應來自主要射頻電源供應器或來自外部同步控制電路之控制信號，主動在製造期間(例如，在基板處理期間)，當基礎脈衝射頻信號於其高狀態及其低狀態之間脈衝地產生時，於第一預設功率位準和第二預設功率位準(此係回應該2MHz低功率位準而產生)之間交替。另一種說明這一點的方式是，非基礎脈衝射頻信號之回應係不僅取決於基礎射頻信號係脈衝地產生，亦取決於該基礎射頻信號之狀態(高或低)。
在一或更多實施例中，主動回應係用以在脈衝期間使射頻功率的不穩定性最佳化。如該用語於本文中所用，主動或主動之反應係指射頻信號的補償及/或脈衝係主動地執行，而不是反應式地。如前所討論的，反應式回應發生於當匹配網路或當與射頻信號相關之射頻電源供應器偵測到由於其它射頻信號之其中一者的脈衝，而造成腔室中的電漿狀態(例如電漿阻抗)改變。在反應式回應模式中，發生此偵測後，匹配網路或射頻電源供應器回應以補償所偵測到的電漿狀態改變。為了詳細說明，在反應式回應模式中，匹配網路或射頻電源供應器只在作出偵測後進行回應。
相反地，在主動式回應模式中，其它射頻信號之匹配網路或射頻電源供應器之回應係由控制信號主動發起，而無需等待偵測。例如，外部控制電路及/或處理器及/或電腦可主動發送控制信號以指示匹配網路或射頻電源供應器根據其對於其它射頻信號之一或更多者的脈衝行為/時序之了解進行回應。此控制信號和回應無需等待偵測到與脈衝相關之電漿狀態改變即可發生。作為另一個例子，脈衝射頻信號之其中一者用的射頻產生器可與其它射頻產生器溝通，以提供控制信號以啟動由其他射頻產生器之回應。在此情況下，發出控制信號的射頻產生器將作為主要射頻產生器，且其他射頻產生器作為從屬射頻產生器。主要射頻產生器主動發出控制信號至其從屬射頻產生器，而不是回應對於電漿狀態改變之偵測。
藉由主動控制匹配網路之回應及/或其他射頻產生器之回應，由脈衝所導致之射頻功率不穩定性及/或電漿擾動在持續時間及/或強度上降低。以此方式，功率擾動降低且電漿穩定度提高。
本發明實施例之特點及優點可參照以下之圖式及討論加以 深入理解。
圖2顯示根據本發明之一實施例中，具有電漿處理腔室204之簡化的電容耦合式電漿處理系統202。儘管典型的電漿處理系統可具有數個腔室，但僅顯示一個腔室以供說明。還省略了其他熟悉本技藝者所周知的細節，例如機器人輸送臂、儲存匣、氣體供應器等等。
在圖2之範例中，上部電極206係接地而代表基板支架或夾盤之下部電極208係配有3個射頻信號(2MHz、27MHz、及60MHz)，此等信號係經由匹配網路230，分別來自三個射頻電源供應器220、222、和224。雖然顯示出三個射頻信號和三個射頻電源供應器，但下部電極208可依期望配有少如一個或多如許多個射頻信號。另外，雖然為了說明選擇2MHz、27MHz、及60MHz的射頻頻率，但若期望，可使用不同的射頻頻率。如圖所示，電漿處理腔室204係用以進行介電質蝕刻。
正如熟悉本領域者所了解，匹配網路230將射頻電源供應器220、222、和224之阻抗與電漿處理腔室中的電漿負載之阻抗相匹配，以使反射功率最小化，並將功率輸送最大化。在根據本發明之一實施例中，射頻電源供應器220、222、和224係相連，俾使若射頻電源供應器之其中一者作為射頻主脈衝，則該射頻電源供應器可主動發送控制信號至其它射頻信號，以主動引起其它射頻信號的脈衝。
例如，射頻電源供應器220(2MHz的射頻電源供應器)可作為主脈衝並經由導管230和232將數位或類比控制信號(其可為例如電子或學光信號)分別傳送至射頻電源供應器222及224，以指示射頻電源供應器222和224，以將其脈衝與主脈衝2MHz之射頻信號之脈衝同步化，(例如，在2MHz射頻脈衝週期之前緣、後緣、或任何預定的時間)，而無需等待偵測到電漿處理腔室204中之電漿狀態的改變。
作為另一個例子，射頻電源供應器222(27MHz的射頻電源供應器)可作為主脈衝並經由導管234和232將數位或類比控制信號(其可為例如電子或光學信號)分別傳送至射頻電源供應器220及224，以指示射頻電源供應器222和224，以將其脈衝與主脈衝27MHz之射頻信號之脈衝同步化，(例如，在27MHz射頻脈衝週期之前緣、後緣、或任何預定的 時間)，而無需等待偵測到電漿處理腔室204中之電漿狀態的改變。
可替代地，控制電路250可用以提供控制信號給射頻電源供應器220、222、和224三者，如圖所示。在此情況下，此等射頻電源供應器沒有任何一者需要作為主脈衝，且三者皆可從控制電路250接收控制信號，此等控制信號主動指示射頻電源供應器產生脈衝。藉由主動控制各種射頻信號之脈衝，可將射頻功率擾動最小化，此將顯示於下方之圖3。
圖3顯示兩個射頻信號之已輸出功率與時間變化的曲線圖：2MHz之射頻信號302和60MHz之射頻信號304。2MHz之射頻信號以100Hz脈衝地產生，並具有介於2,500W和0W之間之50%的工作週期。為求說明清楚，在圖3之範例中，60MHz之射頻信號304脈衝時，其針對2MHz之射頻信號之高脈衝期間的第一預設功率位準為900W，且其針對2MHz之射頻信號之低脈衝期間的第二預設功率位準亦為900W。在圖3之範例中，產生這些脈衝射頻信號之2MHz和60MHz的射頻電源供應器兩者，從共同的控制電路(例如圖2之控制電路250)接收控制信號，且因此同時主動地產生脈衝，而無需等待偵測電漿狀態之改變。可替代地，此等射頻電源供應器之其中一者(例如，2MHz之射頻電源供應器或27MHz之射頻電源供應器)可作為另一射頻電源供應器之主脈衝，並可主動發出控制信號，以指示另一射頻電源供應器實質上同時產生脈衝，而無需等待偵測電漿狀態之改變。
如圖3中可看出，對於2MHz基礎脈衝射頻信號302之每個高至低或低至高的轉變，在60MHz之射頻信號304中之功率擾動係實質上維持較低(在圖3的情況下低於3%)。這些係由參考號碼320、322、324、和328所示。與圖2之情況相比，圖3之情況實質上具有較少射頻功率擾動，在圖2之情況中，60MHz的射頻電源供應器在反應模式下操作(即，回應電漿狀態改變之偵測而進行補償)。這是因為一旦決定非基礎脈衝射頻信號之功率位準設定點，非基礎脈衝射頻信號可在接收到控制信號時，在無延遲之情況下於其兩個功率設定點之間脈衝地產生，從而有助於更穩定的射頻功率輸送。
在一或更多實施例中，非基礎脈衝射頻信號(即，較高的射 頻頻率脈衝信號)之第一功率位準和第二功率位準每一者可從一或更多可測量的電漿處理腔室參數(例如夾盤偏壓或例如返回的射頻電流)動態地確定。所謂「動態」，吾人應理解這種對於功率位準之確認，可以在例如配方形成或機器校正期間以演算法進行，或在處理期間以即時運算模式進行。非基礎脈衝射頻信號的第一功率位準(當基礎脈衝射頻信號係在其高狀態時，對應於非基礎脈衝射頻信號之功率位準)可自動從一或更多電漿處理腔室參數之感應器測量值加以運算地確認，並計算以用於基礎脈衝射頻信號的高狀態。同樣地，非基礎脈衝射頻信號的第二功率位準(當基礎脈衝射頻信號係在其低狀態時，對應於非基礎脈衝射頻信號之功率位準)可自動從一或更多電漿處理腔室參數之感應器測量值加以運算地確認，並計算以用於基礎脈衝射頻信號的低狀態。
在此情況下，根據在基礎射頻脈衝信號之高狀態和低狀態期間之一或更多電漿處理腔室參數的感應器測量值，使用例如程式化的電腦，動態地決定並設定非基礎脈衝射頻信號(即，較高頻率的脈衝射頻信號)之功率位準的能力以達到期望的處理參數，代表一項優勢，因為在基礎脈衝射頻信號的高狀態期間以及在基礎脈衝射頻信號的低狀態期間，較高頻率之脈衝射頻功率信號的功率位準現在是獨立之處理控制旋鈕。其後，非基礎脈衝射頻信號在接收到來自主要射頻電源供應器或來自外部控制器(例如，圖2之控制器電路250)之控制信號後，從第一預定功率位準轉變到第二預定功率位準(反之亦然)。
需注意第一預定功率位準和第二預定功率位準係為每個射頻電源供應器特有的。換言之，27MHz的電源供應器可具有其自己的第一預定之射頻電源供應器特有的功率位準，以及第二預定之射頻電源供應器特有的功率位準，而60MHz的射頻電源供應器可具有其自己的第一預定之射頻電源供應器特有的功率位準，以及第二預定之射頻電源供應器特有的功率位準，此等功率位準不同於27MHz的射頻電源供應器之功率位準。
在一或更多實施例中，基礎脈衝射頻信號的功率位準(即高脈衝功率位準及低脈衝功率位準)亦可動態地確定，例如使用程式化之電腦，根據一或更多電漿處理腔室參數(如夾盤偏壓)之感應器測量值，以 獲得期望之處理參數(如沉積率)。根據一或更多電漿處理腔室參數的感應器測量值，例如使用程式化的電腦，動態地決定基礎脈衝射頻信號之功率位準的能力以達到期望的處理參數，代表一項優勢，因為基礎脈衝射頻功率信號的功率位準現在是獨立之處理控制旋鈕。
圖4顯示根據本發明之一實施例之情形，其中2MHz之射頻信號402以100Hz脈衝地產生，並具有介於2,500W和0W之間之50%的工作週期。60MHz之射頻信號404係以主動的方式同步，俾使針對2MHz之射頻信號之高狀態，60MHz之射頻信號的功率位準係在900W，且在2MHz之射頻信號之低狀態期間，60MHz之射頻信號的功率位準為450W。需注意60MHz之射頻信號之此兩個功率位準的每一者係根據基礎射頻脈衝信號(例如，2MHz之射頻信號)之特有狀態(高或低)各別確定並設定，以獲得期望之處理結果(如低聚合物沉積、晶圓偏壓降低等)。此外，圖4之兩個射頻信號的脈衝係主動地發生，即無需等待偵測到電漿狀態之改變，或偵測到一或更多腔室參數之改變，此等腔室參數之改變反映由於基礎射頻信號脈衝所致之電漿狀態改變。因此，射頻功率擾動與射頻電漿不穩定性可大幅降低。
圖5顯示根據本發明之另一實施例的情形，其中2MHz之射頻信號502以100Hz脈衝地產生，並具有介於2,500W和0W之間之50%的工作週期。60MHz之射頻信號504係以主動的方式同步，俾使針對2MHz之射頻信號之高狀態，60MHz之射頻信號的功率位準係在900W。在2MHz之射頻信號之低狀態期間，60MHz之射頻信號的功率位準係增加至1125W。圖4圖5顯示非基礎射頻信號(即，較高頻率之脈衝射頻信號)的功率位準，在基礎脈衝射頻信號由高狀態轉變至低狀態後，可能會更高或更低。再次注意60MHz之射頻信號之此兩個功率位準的每一者係根據基礎射頻脈衝信號(例如，2MHz之射頻信號)之特有狀態(高或低)確定並設定，並確定和設定以獲得期望之處理結果(如低聚合物沉積、晶圓偏壓降低等)。此外，圖4之兩個射頻信號的脈衝係主動地發生，即無需等待偵測電漿狀態之改變。因此，射頻功率擾動與射頻電漿不穩定性可大幅降低。
圖6顯示根據本發明之另一實施例的情形，其中2MHz之射頻信號602以100Hz脈衝地產生，並具有介於2,500W和0W之間之50%的工作週期。60MHz之射頻信號604係以主動的方式同步，俾使針對2MHz之射頻信號之高狀態，60MHz之射頻信號的功率位準係在500W。在2MHz之射頻信號的低狀態期間，60MHz之射頻信號之功率位準係增加至625W。27MHz之射頻信號606係以主動的方式同步，俾使針對2MHz之射頻信號之高狀態，27MHz之射頻信號的功率位準係在1000W。在2MHz之射頻信號的低狀態期間，27MHz之射頻信號的功率位準係降低到250W。需注意60MHz之射頻信號以及27MHz之射頻信號之此兩個功率位準的每一者係根據基礎射頻脈衝信號(例如，2MHz之射頻信號)之特有狀態(高或低)確定並設定，並確定和設定以獲得期望之處理結果(如低聚合物沉積、晶圓偏壓降低等)。
在圖6的情況下，射頻電源供應器(如2MHz的射頻電源供應器、27MHz的射頻電源供應器、或60MHz的射頻電源供應器)之其中一者可作為主脈衝，並發送控制信號到其它射頻電源供應器以主動地同步化脈衝。可替代地，外部控制電路可作為主脈衝，並可發送控制信號至三個射頻電源供應器以主動地同步化脈衝。
如前所述，各種射頻信號之射頻功率位準可在基礎脈衝射頻信號的高狀態期間以及基礎脈衝射頻信號的低狀態期間分別調諧，以獲得期望之處理結果。作為一個例子，離子能量被認為可以藉由增加2MHz之射頻信號的射頻功率位準而增加。雖然增加離子能量是有利的，但在某些情況下，亦可導致不必要的過量聚合物沉積。在2MHz射頻信號之最佳脈衝頻率以及最佳之高和低射頻功率位準下使其脈衝地產生，可使離子能量增加，而不會造成不必要的聚合物沉積。
一旦基礎脈衝射頻信號之最佳射頻功率位準係確定及/或設定，非基礎脈衝射頻信號之射頻功率位準(即較高頻率的脈衝射頻信號)可針對基礎脈衝射頻信號的高狀態和基礎脈衝射頻信號的低狀態單獨確定並設定，以進一步調諧該處理(如調諧電漿密度，因為更高頻率射頻信號之功率位準往往更會影響電漿密度)。因此，這些不同的射頻脈衝信號之不 同的射頻功率位準可用以做為單獨的處理用之控制旋鈕。
如前所述，由於各種脈衝射頻信號係主動地同步，因此射頻功率擾動係降至最低。即使射頻信號(例如60MHz之射頻信號)受配方指定在連續的波形(CW)模式下操作，在一實施例中，期望的作法可為將此射頻信號設定為主動地在基礎脈衝射頻信號(如2MHz之射頻信號)之兩個高狀態期間，以相同的功率位準(如900W)脈衝地產生，因為如圖3所示，在相同功率位準之此脈衝相較於反應式補償方法，可降低射頻功率擾動。
在一或更多實施例中，基礎脈衝射頻信號和非基礎射頻信號之射頻功率位準係設定俾使電漿在脈衝期間可持續。換句話說，電漿在基礎脈衝射頻信號的低狀態期間及/或非基礎脈衝射頻信號的低狀態期間並未熄滅。使電漿保持點燃使得由單獨的射頻功率位準(如前所述)之處理旋鈕施加之處理控制更有效率，且亦減少電漿的干擾，因為電漿點燃及/或點火(如果允許電漿熄滅，這將是必要的)不像連續的電漿為妥善控制的處理。因此，重複性和均勻性得以增強。
在一或更多實施例中，揭露雙模自動頻率調諧技術及其設備。在雙模自動頻率調諧方法中，當基礎射頻信號之脈衝從一個狀態到另一個狀態時，非基礎射頻信號之調諧頻率係主動轉變，以確保基礎射頻信號之每一狀態的高效且穩定的功率輸送。
為詳細說明，現今的射頻電源供應器能夠調諧其輸送之射頻頻率，以提高功率輸送(例如藉由改變傳送到負載的射頻頻率)。作為一個範例，60MHz之射頻產生器或許可改變其調諧射頻頻率的例如，5至10%(即改變輸送至負載的射頻頻率60MHz+/-5%至10%)。
然而，到目前為止，此頻率變化之執行係作為當射頻產生器之感應器偵測到輸送至負載之射頻功率量改變時，對射頻產生器之事後回應。此種偵測往往取決於，例如，反射功率對於正向功率(也被稱為伽瑪)之比例的測量值。當射頻產生器偵測到象徵功率輸送不足之狀態(例如根據一些預設的伽瑪門檻)時，射頻產生器將以頻率調諧方法改變其調諧之射頻頻率，以更有效地將功率輸送至負載。
然而，現今的頻率調諧方法之事後的本質，往往意味著當電漿阻抗或電漿負載發生變化時，回應出現延遲。在此延遲時間期間，在某些狀態下，例如當基礎射頻信號之脈衝從一個狀態到另一個狀態時，非基礎射頻產生器可能效率低落或可能無法以所需之功率設定點(由配方所指定)輸送功率，直到非基礎射頻產生器改變其調諧頻率而足以適應改變之電漿負載。
根據本發明之一或更多實施例，非基礎射頻信號之調諧頻率係針對基礎射頻信號的每個脈衝狀態(例如，高或低)預先確定。有鑑於此情況，例如，當2MHz之基礎射頻信號以約1kHz脈衝地產生，並具有50%的工作週期。例如，在學習階段中，可確定當2MHz之基礎射頻信號在其低脈衝狀態(即在脈衝至低點後)時，60MHz之射頻產生器的功率輸送在當60MHz射頻產生器實際使用61MHz的調諧頻率輸送其射頻功率時，十分有效率。此外，在另一實施例中，亦可以確定在學習階段中，當2MHz之射頻信號在其高脈衝狀態(即在脈衝至高點後),60MHz之射頻產生器在當60MHz射頻產生器實際使用59MHz的調諧頻率輸送其射頻功率時，十分有效率。
在一或更多實施例中，在產生期間，60MHz之射頻產生器(即本範例中之非基礎射頻產生器)會在當基礎射頻信號之脈衝從一個狀態至另一狀態之同時，主動地改變其調諧頻率。頻率的改變被視為主動，是因為由非基礎射頻產生器所致之調諧頻率之改變，並非根據由於基礎射頻信號的脈衝，由60MHz之射頻產生器發現之電漿狀態改變或阻抗改變的事後偵測所引起。
相反地，由非基礎射頻產生器所致之調諧射頻頻率之改變係同步化，俾使此改變發生在最佳的時間，以確保當基礎射頻信號之脈衝從一狀態至另一狀態時之足夠及/或有效的功率輸送。例如，60MHz之射頻產生器可根據協調信號(其可由2MHz之射頻產生器或該等射頻產生器之任何一者發出，或由協調射頻產生器之獨立的控制電路所發出)主動改變其射頻調諧頻率，而不是等待由於基礎射頻信號的脈衝，由60MHz之射頻產生器發現之電漿狀態改變或阻抗改變的偵測。一般來說，非基礎射頻產 生器可在基礎射頻信號之脈衝從一個脈衝狀態到另一脈衝狀態之同時或之前改變其調諧頻率。
圖7為一概念驗證之曲線圖，顯示在某些條件下，非基礎射頻產生器無法在期望之功率設定點輸送射頻功率。這是例如在先前技術中之情況。在圖7之範例中，基礎2MHz之射頻產生器具有9kW之功率設定點(在圖7中未示出)，且60MHz之射頻產生器具有為750W的功率設定點。這是各自射頻產生器之理想功率位準。另外，在圖7之範例中，基礎2MHz之射頻信號從高狀態到低狀態變化了5秒鐘(從2.2秒至7.2秒)。
在圖7中，左邊的垂直軸表示由60MHz之射頻產生器所輸送之功率量，而右邊的垂直軸表示60MHz之射頻產生器的調諧頻率。兩個垂直軸係相對於水平時間軸繪製。線702代表所輸送之射頻功率量。線730代表60MHz之射頻產生器的調諧頻率。
在點700處，2MHz之射頻產生器係位於高脈衝狀態。在此點上，60MHz之射頻產生器以約為61MHz(線730在時間t=2秒處)之調諧射頻頻率有效率地輸送其功率。
在時間2.2秒處，2MHz之基礎射頻信號開始朝向低處，在7.2秒內達到低狀態。由射頻功率線702可看出，60MHz之射頻產生器感應到電漿負載中之改變，並試圖維持其750W之功率設定點。在某個時間點，始於約5秒(點704處)，60MHz之射頻產生器開始向下改變其調諧頻率，以回應於偵測到之在電漿負載中的變化(由朝向低狀態之2MHz之基礎信號造成)，以增加射頻功率傳輸效率。
在時間為7.2秒處(水平時間軸上之參考數字706)，2MHz之基礎射頻信號係處於其低狀態。如圖7中可看出，由60MHz之射頻產生器所輸送之射頻功率量從點708處暫時下降到點710處之約220W。此由60MHz之射頻產生器輸送之射頻功率量係實質上低於60MHz之射頻產生器之750W的功率設定點。此為不理想的情況。
從點706到點712處，60MHz之射頻產生器搜尋調諧射頻頻率，此調諧射頻頻率能夠使60MHz的射頻功率在所要求之750W的功率設定點輸送，且2MHz之射頻信號係位於其低脈衝狀態。在點714處，60MHz 之射頻產生器落於約為59.75MHz之調諧射頻頻率。在此較低之調諧射頻頻率處，60MHz之產生器能夠在其750W之設定點輸送射頻功率。
圖7之概念驗證曲線圖顯示針對2MHz之基礎射頻信號的每個脈衝狀態，60MHz之射頻產生器皆有理想之諧射頻頻率。再者，若60MHz之產生器以事後之方式(即如圖7所示，偵測到由於2MHz之基礎射頻信號的脈衝所致之電漿負載的改變後)改變其調諧射頻頻率，則可能出現功率設定點和射頻頻率使得60MHz之射頻產生器無法達到其要求之功率設定點之情形。此係顯示於圖7中，介於點706和點712之間處。
圖8顯示根據本發明之一實施例之用以得知當基礎射頻產生器產生脈衝時，對於非基礎射頻產生器之最佳調諧射頻頻率的方法。在步驟802中，電漿腔室係由脈衝基礎射頻信號以及至少一非基礎射頻信號所供電。在步驟804中，(複數)非基礎射頻產生器係以自動調諧模式操作，以使非基礎射頻產生器分別針對基礎射頻信號之高狀態和低狀態尋求其最佳的射頻頻率(f1和f2)。在此自動調諧模式下，非基礎射頻產生器得以在基礎射頻信號的每一狀態期間，尋求其自己的調諧射頻頻率。對於基礎射頻信號之狀態的每一者之最佳射頻頻率(對於非基礎射頻信號)係作為預定之射頻頻率，且當基礎射頻信號脈衝地產生時，非基礎射頻產生器主動從一預定之射頻頻率切換至另一預定之射頻頻率。
如該用語於本文中所用，非基礎射頻產生器之最佳射頻頻率係指非基礎射頻產生器能以可接受或有效率的方式輸送其功率(根據一些預定之指標)及/或可滿足其功率輸送設定點之射頻頻率。如本文所討論，有至少兩個非基礎產生器用之最佳射頻頻率。此兩個最佳射頻頻率對應於基礎射頻信號之兩個切換的狀態。
需注意，在產生期間所採用之第一預定的射頻頻率和第二預定的射頻頻率係為每個射頻電源供應器所特有。換言之，27MHz之電源供應器可具有其自己的第一預定之射頻電源供應器特有的射頻頻率，以及其自己的第二預定之射頻電源供應器特有的射頻頻率，而60MHz之射頻電源供應器可具有其自己的第一預定之射頻電源供應器特有的射頻頻率，以及其自己的第二預定之射頻電源供應器特有的射頻頻率，此等射頻頻率皆不 同於27MHz之射頻電源供應器之射頻頻率。
在一或更多實施例中，腔室之所有其他條件係較佳地配置，俾使其盡可能地密切模仿製造之條件。在另一實施例中，非基礎射頻產生器之頻率可手動更改，以確定(例如，藉由測量伽瑪)用於基礎射頻信號之高狀態和低狀態之各自的最佳頻率f1和f2。
在步驟806中，此等對於基礎射頻信號之高狀態和低狀態之最佳非基礎射頻產生器頻率被記錄及/或儲存，以供製造期間使用(即在學習階段中已得知最佳非基礎射頻產生器頻率後之基板的製造期間)。在製造期間，當基礎射頻信號脈衝地產生時，非基礎射頻產生器主動地在最佳射頻頻率f1和最佳射頻頻率f2之間切換，而不是等待偵測到電漿阻抗或伽馬之改變。
圖9顯示根據本發明之一實施例中，用以當電漿腔室設置脈衝基礎射頻信號以及至少一非基礎射頻信號時，輸送最佳射頻功率至電漿腔室中的電漿負載的方法。在步驟902中，電漿腔室係由脈衝基礎射頻信號以及至少一非基礎射頻信號所供電。在步驟904中，(複數)非基礎射頻產生器係在非自動調諧模式下操作。在步驟906中，非基礎射頻信號的頻率切換係主動與基礎射頻產生器之脈衝同步。當基礎射頻信號在其高狀態和低狀態之間脈衝地產生時，此主動之同步使非基礎射頻產生器可在先前得知之最佳調諧頻率f1和先前得知之最佳調諧頻率f2之間切換其調諧頻率。非基礎射頻產生器之調諧頻率的切換在製造期間係被視為主動，此係因為該切換係回應一同步信號而執行，且與改變的電漿負載狀態之偵測無關(即，與腔室參數的改變之偵測無關，而腔室參數的改變反映出由於基礎射頻信號之脈衝所導致之改變的電漿負載狀態)。
同步信號可能由，基礎射頻產生器、數個射頻產生器之任何的射頻產生器、或由例如外部同步電路或電腦所發出。在一實施例中，當基礎射頻信號從一個狀態切換到另一個狀態的同時，非基礎射頻產生器主動地從先前得知的最佳射頻頻率f1切換至另一先前得知的最佳射頻頻率f2。
例如，若用於非基礎射頻產生器之先前得知的最佳射頻頻率 f1係被確認為對於基礎射頻信號之高狀態而言有效率，且用於非基礎射頻產生器之先前得知的最佳射頻頻率f2係被確認為對於基礎射頻信號之低狀態有效率，則當基礎射頻產生器脈衝至高狀態時，非基礎射頻產生器可回應於同步信號，切換至先前得知之最佳射頻頻率f1。另外，當基礎射頻產生器脈衝至低狀態時，非基礎射頻產生器可回應於同步信號，切換至先前得知之最佳射頻頻率f2。
在另一實施例中，非基礎射頻產生器甚至可稍微在基礎射頻信號從一個狀態切換至另一個狀態之前，主動地從先前得知的最佳射頻頻率f1切換至另一個先前得知的最佳射頻頻率f2。
在另一實施例中，非基礎射頻產生器甚至可稍微在基礎射頻信號從一個狀態切換至另一個狀態之後，主動地從先前得知的最佳射頻頻率f1切換至另一個先前得知的最佳射頻頻率f2。
在一或更多實施例中，非基礎射頻產生器之主動的非基礎射頻信號頻率切換(例如，介於先前得知的射頻頻率f1和先前得知的射頻頻率f2之間)可與非基礎射頻產生器之主動功率位準設定結合，以在當基礎射頻信號脈衝地產生時，改善射頻功率傳輸的效率和穩定性。在一或更多實施例中，非基礎射頻信號之主動的頻率切換及/或非基礎射頻產生器的主動功率位準切換，可與基礎射頻信號之脈衝同步。若涉及數個非基礎射頻信號，當基礎射頻信號脈衝地產生時，此等非基礎射頻信號之頻率及/或功率位準可主動地切換，此係使用於單一非基礎射頻信號的情況中所討論之相似的配置。
從前述內容可理解，本發明之實施例在當基礎射頻信號在其高狀態和低狀態之間脈衝地產生時，改善射頻功率傳送的穩定性和效率。藉由主動地改變非基礎射頻產生器或數個非基礎射頻產生器(若涉及數個非基礎射頻產生器時)之射頻功率位準，當基礎射頻信號在其高狀態和低狀態之間脈衝地產生時，功率輸送之穩定度係可提升。藉由主動地在用於非基礎射頻產生器或數個非基礎射頻產生器(若涉及數個非基礎射頻產生器時)之先前得知的最佳射頻頻率之間切換，功率輸送之效率係得到改善，或可達成用於基礎射頻信號之每一脈衝狀態的功率輸送、以及用於基礎射 頻之高至低及低至高轉變時之持續時間的功率輸送。
藉由提供這些額外的控制旋鈕，可打開製程配方容許度以適應更嚴格的處理要求，從而提高處理和高密度/高性能元件之產率。
本發明雖已透過數個較佳實施例加以說明，但仍有許多落於本發明範疇內之替換、修改及各種置換均等物。亦應注意有許多實施本發明之方法及裝置的替代性方式。雖然在此提供各種範例，但關於本發明之此等範例應為說明性而非限制性。
202‧‧‧電漿處理系統
204‧‧‧電漿處理腔室
206‧‧‧上部電極
208‧‧‧下部電極
220‧‧‧射頻電源供應器
222‧‧‧射頻電源供應器
224‧‧‧射頻電源供應器
230‧‧‧匹配網路
232‧‧‧導管
234‧‧‧導管
250‧‧‧控制電路

Claims (23)

  1. 一種用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，該電漿處理腔室具有複數射頻電源供應器，該等射頻電源供應器係耦接以提供複數射頻信號至該電極，本方法包含：以第一脈衝頻率將基礎射頻脈衝信號脈衝地產生於高功率位準與低功率位準之間，該基礎射頻脈衝信號代表該複數射頻信號之第一射頻信號，該第一射頻信號具有在該複數射頻信號之脈衝頻率之間最低的脈衝頻率，該第一脈衝頻率不同於該基礎射頻脈衝信號之射頻頻率；發送控制信號至少至該複數射頻電源供應器之一子集，其中該控制信號係以主動方式產生，使在處理該基板的同時，不需要感測由於該基礎脈衝信號之該脈衝所導致之一或更多腔室參數的改變；以及回應該控制信號，將該複數射頻電源供應器之該子集之每一者脈衝地產生於第一預定之射頻電源供應器特有的功率位準以及第二預定之射頻電源供應器特有的功率位準之間，該第二預定之射頻電源供應器特有的功率位準係不同於該第一預定之射頻電源供應器特有的功率位準。
  2. 如申請專利範圍第1項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該控制信號係從該複數射頻電源供應器之其中一者所傳輸。
  3. 如申請專利範圍第1項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該控制信號係從主控制電路所傳輸，該主控制電路係位於該複數射頻電源供應器之外部。
  4. 如申請專利範圍第1項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該複數射頻電源供應器之該子集不包含脈衝地產生該基礎射頻脈衝信號的射頻電源供應器。
  5. 如申請專利範圍第1項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該複數射頻電源供應器之該子集中的射頻電源供應器產生具有不同射頻頻率之不同的射頻信號。
  6. 如申請專利範圍第1項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該第一預定之射頻電源供應器特有的功率位準係產生於該基礎射頻脈衝信號之該高功率位準期間。
  7. 如申請專利範圍第1項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該第二預定之射頻電源供應器特有的功率位準係產生於該基礎射頻脈衝信號之該低功率位準期間。
  8. 如申請專利範圍第1項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該射頻脈衝信號之該低功率位準代表零功率。
  9. 如申請專利範圍第1項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該第二預定之射頻電源供應器特有的功率位準代表零功率。
  10. 如申請專利範圍第1項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該射頻脈衝信號之該低功率位準代表零功率以外的功率。
  11. 如申請專利範圍第1項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該第二預定之射頻電源供應器特有的功率位準代表零功率以外的功率。
  12. 一種用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，該電漿處理腔室具有複數射頻電源供應器，該等射頻電源供應器係耦接以提供 複數射頻信號至該電極，本方法包含：以第一脈衝頻率將基礎射頻脈衝信號脈衝地產生於高功率位準與低功率位準之間，該基礎射頻脈衝信號代表該複數射頻信號之第一射頻信號，該第一射頻信號具有在該複數射頻信號之脈衝頻率之間最低的脈衝頻率，該第一脈衝頻率不同於該基礎射頻脈衝信號之射頻頻率；發送控制信號至少至該複數射頻電源供應器之一子集，其中該控制信號係以主動方式產生，使在處理該基板的同時，不需要感測由於該基礎脈衝信號之該脈衝所導致之一或更多腔室參數的改變；以及回應於該控制信號，將該複數射頻電源供應器之該子集之每一者所輸出之射頻信號之射頻頻率切換於第一預定之射頻電源供應器特有的射頻頻率和第二預定之射頻電源供應器特有的射頻頻率之間，該第二預定之射頻電源供應器特有的射頻頻率係不同於該第一預定之射頻電源供應器特有的射頻頻率。
  13. 如申請專利範圍第12項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該控制信號係從該複數射頻電源供應器之其中一者所傳輸。
  14. 如申請專利範圍第12項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該控制信號係從主控制電路所傳輸，該主控制電路係位於該複數射頻電源供應器之外部。
  15. 如申請專利範圍第12項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該複數射頻電源供應器之該子集不包含脈衝地產生該基礎射頻脈衝信號的射頻電源供應器。
  16. 如申請專利範圍第12項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該複數射頻電源供應器之該子集中的射頻電源供應器產生具有不同射頻頻率之不同的射頻信號。
  17. 如申請專利範圍第12項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該第一預定之射頻電源供應器特有的功率位準係產生於該基礎射頻脈衝信號之該高功率位準期間。
  18. 如申請專利範圍第12項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該第二預定之射頻電源供應器特有的功率位準係產生於該基礎射頻脈衝信號之該低功率位準期間。
  19. 如申請專利範圍第12項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該射頻脈衝信號之該低功率位準代表零功率。
  20. 如申請專利範圍第12項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該第二預定之射頻電源供應器特有的功率位準代表零功率。
  21. 如申請專利範圍第12項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該射頻脈衝信號之該低功率位準代表零功率以外的功率。
  22. 如申請專利範圍第12項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中該第二預定之射頻電源供應器特有的功率位準代表零功率以外的功率。
  23. 如申請專利範圍第12項之用以處理在具有至少一電極之電漿處理腔室中之基板的方法，其中在該處理期間，該複數射頻電源供應器之該子集中的射頻電源供應器以非自動調諧模式操作。
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