TW201412195A

TW201412195A - 感應加熱調理器

Info

Publication number: TW201412195A
Application number: TW102104365A
Authority: TW
Inventors: Nobuaki Arakane; Yoshihiro Oota; Ryohei Matsuo; Akira Takahashi
Original assignee: Hitachi Appliances Inc
Priority date: 2012-09-10
Filing date: 2013-02-05
Publication date: 2014-03-16
Also published as: CN103687120B; JP2014053221A; CN103687120A; JP5891151B2

Abstract

為了提供一種感應加熱調理器，縱使調理中的機體內溫度改變，仍能穩定且精度良好地檢測鍋溫度，能使安全性、操作性提高。本發明之感應加熱調理器，係具備紅外線檢測手段、溫度檢測手段以及反射感測器之感應加熱調理器；該紅外線檢測手段，設置在加熱線圈的下方，用來檢測被加熱物所放射的紅外線；該溫度檢測手段，是根據紅外線檢測手段的輸出來檢測被加熱物的溫度；該反射感測器包含紅外線發光手段及紅外線受光手段，該紅外線發光手段是對面板投射紅外線，該紅外線受光手段，是接收紅外線發光手段所投射而經由被加熱物反射後的紅外線；反射感測器具備有溫度補償電路，該溫度補償電路，是根據其電阻對應於周圍溫度而改變之周圍溫度檢測手段的輸出，來讓施加於紅外線受光手段的電壓改變；溫度檢測手段，是將紅外線檢測手段的輸出根據反射感測器的輸出施以校正後再檢測被加熱物的溫度。

Description

感應加熱調理器

本發明係關於具備紅外線感測器作為鍋溫度檢測手段之感應加熱調理器。

感應加熱調理器，是在結晶化玻璃等所構成的面板下設置同心圓狀的感應加熱線圈(以下簡稱「加熱線圈」)，讓高頻電流流過，利用所產生的磁場在面板上所載置之作為調理容器的鍋底誘發渦電流，利用其焦耳熱將作為調理容器的鍋實施直接加熱。

作為感應加熱調理器之鍋溫度檢測手段，現在大多採用：將從鍋底放射出之紅外線隔著面板藉由紅外線感測器觀測而檢測溫度者。將該紅外線感測器配置於加熱線圈中心空隙附近的下方，將從鍋底放射出的紅外線隔著面板藉由紅外線感測器進行檢測，對應於其輸出而控制用來驅動加熱線圈之換流器電路輸出，藉此將調理溫度予以調整。

利用紅外線感測器進行溫度檢測的情況之問題在於，會受到被測定物(調理鍋)之紅外線放射率的影響。鍋底的紅外線放射率，取決於鍋底的材質、顏色、加工狀態(鍋底的塗裝、刻印、髮紋加工、環狀加工、打入加工、凹凸等)。此外，縱使是相同的鍋，依照附著於鍋底之調理油等的污垢，紅外線放射率會有差異。亦即，縱使是同一溫度、同一材質的鍋底，當色、加工或污垢狀態、凹凸不同時，所放射的紅外線能量會有差異，因此紅外線感測器所接收的紅外線能量也會有差異，而檢測出不同的溫度。因此，必須採用校正手段，以校正因鍋底差異所造成之紅外線感測器所進行的溫度檢測之差異。

作為此問題的解決手段，可列舉專利文獻1、2、3、4。例如，專利文獻1的技術，係具備對面板上所載置的被加熱物(鍋)進行投光之光源、以及接收來自被加熱物的反射光之受光感測器；利用根據受光感測器的輸出所換算之被加熱物的放射率，來校正紅外線感測器的輸出以進行溫度檢測。藉此，能不受被加熱物(鍋)之放射率的影響而進行正確的鍋溫度檢測。

此外，專利文獻2，是在專利文獻1的構造以外，將相對向的發光手段和受光手段配置成，與載置鍋的面板形成角度a。專利文獻3揭示一種溫度檢測手段，除了前述構造以外，是具備複數個配置在受光手段的周圍之發光手段。讓複數個發光手段依序發光，使該發光的光線經由鍋的反射光，與發光同步地利用受光手段接收，依據該輸出獲得鍋底面的複數部位之反射率而換算成放射率，利用該放射率校正紅外線感測器的輸出。此外，專利文獻 4揭示一種溫度檢測手段，係具備：從面板的端面射入近紅外線之發光手段、以及設置於與前述發光手段相對向的端面而用來檢測來自鍋的底面之反射光強度之反射感測器；根據反射感測器的輸出獲得鍋底面的放射率，利用該放射率來校正紅外線感測器的輸出。

〔專利文獻1〕日本特開平11-225881號公報

〔專利文獻2〕日本特開2004-241220號公報

〔專利文獻3〕日本特開2006-221950號公報

〔專利文獻4〕日本特開2006-260940號公報

在專利文獻1，作為具體的發光手段是使用單一的紅外線LED或雷射等的光源，作為受光手段是使用單一的紅外線光電晶體，而且揭示該等手段的使用波長、使用光學帶通過濾器之分光手段。然而，如後述般，在使用單一的紅外線LED及單一的紅外線光電晶體的情況，難以正確地檢測鍋的反射率、即放射率。此外，也沒有提到紅外線LED或紅外線光電晶體的溫度特性及反射率檢測之溫度特性。因此，當周圍環境溫度變化時反射率檢測值會改變，紅外線感測器的輸出校正也會改變。因此，縱使利用該反射率(放射率=1-反射率)來校正紅外線感測器的輸出而進行鍋溫度的檢測，仍無法檢測正確的溫度。

關於專利文獻2~4也是，並未提到紅外線LED或紅外線光電晶體的溫度特性及反射率檢測的溫度特性，因此當周圍環境溫度變化時，鍋溫度的檢測精度會降低。

本發明的目的是為了提供一種感應加熱調理器，作為紅外線感測器是使用熱電堆之鍋溫度檢測手段，不管面板上所載置之鍋底的狀態、即凹凸、彎曲、污垢甚至材質、類色、加工狀態如何，又縱使調理中的機體內溫度改變，仍能穩定且精度良好地檢測鍋溫度，能使安全性、操作性提高。

為了解決上述問題，請求項1的感應加熱調理器，係具備面板、加熱線圈、高頻電力供應手段、電力控制手段、紅外線檢測手段、溫度檢測手段以及反射感測器之感應加熱調理器；該面板，用來載置被加熱物；該加熱線圈，設置於該面板的下方，用來將前述被加熱物加熱；該高頻電力供應手段，用來對該加熱線圈供應高頻電力；該電力控制手段，用來控制該高頻電力供應手段的輸出電力；該紅外線檢測手段，設置於前述加熱線圈的下方，用來檢測前述被加熱物所放射的紅外線；該溫度檢測手段，根據該紅外線檢測手段的輸出來檢測前述被加熱物的溫度；該反射感測器包含紅外線發光手段及紅外線受光手段，該紅外線發光手段是對前述面板投射紅外線，該紅外線受光手段，是接收該紅外線發光手段所投射而經由前述被加熱物反射後的紅外線；其特徵在於，前述反射感測器具備有溫度補償電路，該溫度補償電路，是根據其電阻對應於周圍溫度而改變之周圍溫度檢測手段的輸出，來讓施加於前述紅外線受光手段的電壓改變；前述溫度檢測手段，是將前述紅外線檢測手段的輸出根據前述反射感測器的輸出施以校正後再檢測前述被加熱物的溫度。

此外，請求項3之感應加熱調理器，係具備面板、加熱線圈、高頻電力供應手段、電力控制手段、紅外線檢測手段、溫度檢測手段以及反射感測器之感應加熱調理器；該面板，用來載置被加熱物；該加熱線圈，設置於該面板的下方，用來將前述被加熱物加熱；該高頻電力供應手段，用來對該加熱線圈供應高頻電力；該電力控制手段，用來控制該高頻電力供應手段的輸出電力；該紅外線檢測手段，設置於前述加熱線圈的下方，用來檢測前述被加熱物所放射的紅外線；該溫度檢測手段，根據該紅外線檢測手段的輸出來檢測前述被加熱物的溫度；該反射感測器包含紅外線發光手段及紅外線受光手段，該紅外線發光手段是對前述面板投射紅外線，該紅外線受光手段，是接收該紅外線發光手段所投射而經由前述被加熱物反射後的紅外線；其特徵在於，前述反射感測器具備有溫度補償電路，該溫度補償電路，是根據其電阻對應於周圍溫度而改變之周圍溫度檢測手段的輸出，來讓施加於前述紅外線發光手段的電壓改變；前述溫度檢測手段，是將前述紅外線檢測手段的輸出根據前述反射感測器的輸出施以校正後再檢測前述被加熱物的溫度。

再者，請求項5之感應加熱調理器，係具備面板、加熱線圈、高頻電力供應手段、電力控制手段、紅外線檢測手段、溫度檢測手段、反射感測器、電晶體以及負載比可變電路之感應加熱調理器；該面板，用來載置被加熱物；該加熱線圈，設置於該面板的下方，用來將前述被加熱物加熱；該高頻電力供應手段，用來對該加熱線圈供應高頻電力；該電力控制手段，用來控制該高頻電力供應手段的輸出電力；該紅外線檢測手段，設置於前述加熱線圈的下方，用來檢測前述被加熱物所放射的紅外線；該溫度檢測手段，根據該紅外線檢測手段的輸出來檢測前述被加熱物的溫度；該反射感測器包含紅外線發光手段及紅外線受光手段，該紅外線發光手段是對前述面板投射紅外線，該紅外線受光手段，是接收該紅外線發光手段所投射而經由前述被加熱物反射後的紅外線；該電晶體，用來驅動前述紅外線發光手段；該負載比可變電路，用來控制驅動前述電晶體之負載比；其特徵在於，前述負載比可變電路，是根據其電阻對應於周圍溫度而改變之周圍溫度檢測手段的輸出，來讓施加於前述電晶體之電壓的負載比改變；前述溫度檢測手段，是將前述紅外線檢測手段的輸出根據前述反射感測器的輸出施以校正後再檢測前述被加熱物的溫度。

依據本發明，可利用反射感測器來檢測鍋底的反射率(=1-放射率)；該反射感測器，是利用紅外線投光手段對鍋底投射紅外光，將其反射光利用紅外線反射受光手段接收。而且，將該反射率利用溫度補償手段進行溫度補償，縱使在調理中藉由感應加熱線圈或高頻電力供應手段等而使機體內的溫度改變，只要調理容器不改變，能使前述反射感測器的輸出成為一定。因此檢測出的反射率(=1-放射率)，不容易受機體內溫度變化的影響。

此外，由於將反射感測器和紅外線檢測手段橫向並列配置，能使鍋所放射的紅外線檢測範圍(紅外線檢測手段的視野)和藉由反射感測器檢測之鍋的反射率檢測範圍(投光面和反射受光手段的視野)重複。結果，不受機體內溫度變化的影響，在大致鍋底的同一面，能獲得與所檢測的反射率、即放射率成比例之紅外線檢測輸出，只要進行反射率校正，就能檢測出正確的放射溫度。

利用該溫度補償後的反射率來校正紅外線檢測手段的輸出，縱使機體內的溫度改變，不管鍋底的材質、顏色、加工狀態或污垢的狀態如何都能檢測出正確的鍋底溫度，使用正確檢測的鍋底溫度進行加熱控制，能進行高明的調理。亦即，可提供一種鍋溫度檢測手段，不管是什麼鍋、不管機體內的溫度狀態如何，都能穩定且正確地檢測加熱鍋底的溫度。而且可提供一種感應加熱調理器，利用正確檢測出的鍋溫度適切地控制供應加熱線圈的高頻電力，能進行安全且最佳的調理。

1‧‧‧本體

2‧‧‧面板

5‧‧‧紅外線透過窗

6‧‧‧調理鍋

7、7L、7R‧‧‧加熱線圈

8、8L、8R‧‧‧換流器電路

10‧‧‧線圈座

15‧‧‧線圈冷卻風路

18‧‧‧鍋溫度檢測裝置

19‧‧‧感測器視野筒

20、37、38、39‧‧‧熱敏電阻

25‧‧‧熱電堆

26‧‧‧散熱器

27‧‧‧反射型光斷續器

28‧‧‧電子電路基板

29‧‧‧紅外線感測器盒

30‧‧‧盒窗

31‧‧‧結晶化玻璃光學過濾器

32‧‧‧金屬盒

33‧‧‧外側紅外線感測器盒

35‧‧‧紅外線LED

36‧‧‧紅外線光電晶體

40‧‧‧負載比可變電路

60‧‧‧微電腦

61、61L、61R‧‧‧頻率控制電路

62、62L、62R‧‧‧電力控制電路

70‧‧‧蜂鳴器

72‧‧‧熱電堆溫度檢測電路

73‧‧‧反射率檢測電路

75‧‧‧熱敏電阻溫度檢測電路

圖1係顯示實施例1的感應加熱調理器的構造之立體圖。

圖2係顯示實施例1的感應加熱調理器的構造之剖面圖。

圖3係顯示實施例1的加熱線圈周邊的詳細構造之剖面圖。

圖4係顯示實施例1的加熱線圈及鍋溫度檢測裝置的配置之俯視圖。

圖5係顯示實施例1的加熱線圈的背面之俯視圖。

圖6(a)(b)係實施例1的鍋溫度檢測裝置的俯視及剖面圖。

圖7係顯示實施例1的反射型光斷續器。

圖8係顯示實施例1的分光放射能量和光學過濾器的光學特性。

圖9(a)~(c)係顯示實施例1的熱電堆的詳細構造之俯視及剖面圖。

圖10係實施例1的感應加熱調理器的控制方塊圖。

圖11係顯示實施例1的各種鍋的鍋底溫度和鍋溫度檢測電路輸出的關係。

圖12係顯示實施例1的反射率檢測電路的詳細構造。

圖13係顯示實施例1的紅外線光電晶體對於周圍溫度的相對輸出。

圖14係顯示實施例1的反射率檢測電路73對於周圍溫度變化之相對輸出。

圖15係顯示實施例2的反射率檢測電路的詳細構造。

圖16係顯示實施例3的反射率檢測電路的詳細構造。

圖17係顯示實施例3的紅外線LED對於周圍溫度變化之相對輸出。

圖18係顯示實施例4的反射率檢測電路的詳細構造。

本發明的實施例，根據圖式作說明。

〔實施例1〕

以下，針對實施例1，參照圖1~圖9作說明。

圖1係實施例1的感應加熱調理器之主體1的立體圖，圖2是在圖1中之一點鏈線A-A'所示的部分載置調理鍋6時的概略縱剖面圖。以下所說明的例子，可感應加熱之置鍋場所設有左右2口，能利用輻射加熱器、鹵素加熱器等的加熱器(加熱源)之放射熱進行加熱之置鍋場所設有1口，亦是屬於3口的感應加熱調理器，但本發明的適用對象並不限定於此，例如也能是可感應加熱的置鍋場所設有3口之感應加熱調理器。又調理鍋6可為適用於感應加熱之磁性體的鐵鍋，或是非磁性體的鋁鍋、銅鍋。

如圖1及圖2所示般，在主體1的上面，裝設有結晶化玻璃等的非磁性體所形成之面板2。此外，在面板2的前方裝設操作顯示部3，在該操作顯示部3配置有：指示各口及燒烤器的加熱開始、或加熱過程之開關、顯示各口的加熱狀態(溫度等)之顯示器。

在面板2的上面印刷：具有與配置於其下方的加熱線圈7(7L、7R)或輻射加熱器之最大半徑大致一致的半徑之圓4(4L、4R)，其表示可加熱的置鍋場所。此外，由於面板2一般而言對可見光是呈透明的，在上面印刷有於玻璃料混入耐熱塗料之耐熱耐久性的裝飾，在下面實施耐熱面塗裝，而使機器內部無法被看見。

在可感應加熱之置鍋場所、即2口的圓4的內部設置：用來實施後述鍋溫度檢測而未進行印刷、塗裝之紅外線透過窗5(5L、5R)。該紅外線透過窗5是用來讓紅外光透過，僅該部分將對於紅外光呈透明的可見光截斷構件(耐熱薄膜或玻璃)裝設於下面亦可。

在面板2的上面之各口(圓4)，載置調理鍋6而進行加熱調理。如圖2所示般，若對加熱線圈7供應來自換流器電路8(8L、8R)之高頻電流，隔著線圈間隙7c而被分割成外周側線圈7a和內周側線圈7b之加熱線圈7會產生高頻磁場9(圖中虛線所示)，該高頻磁場9與鍋6交會而產生渦電流，利用其焦耳熱使調理鍋6本身被感應加熱而發熱。因此，調理鍋6內的調理物，利用調理鍋6本身的發熱而被實施加熱調理。這時，調理鍋6下方的面板2也藉由發熱後的調理鍋6之傳熱或放射熱而變得高溫。

圖3詳細顯示加熱線圈7周邊的剖面。如圖3所示般，在面板2下面，於耐熱塑膠所構成之線圈座10內呈同心圓狀(漩渦狀)地捲繞配置加熱線圈7，該加熱線圈7被分割成在外周側線圈7a和內周側線圈7b之間具備線圈間隙7c。在加熱線圈7的下側，將ㄈ字狀的肥粒鐵11以兩端的凸部朝上的方式呈放射狀配置於線圈座構件內部。該肥粒鐵11配置成，使加熱線圈7所產生的磁通能高效率地導至面板2上之作為調理容器的調理鍋6。此外還能防止磁通漏到線圈座10下部。由於肥粒鐵11的導磁率高，磁通大部分能通過肥粒鐵11內。

在線圈座10下設置：用來冷卻加熱線圈7之線圈冷卻風路15。線圈冷卻風路15分成二個，一個是連接於外周側線圈7a的內周側而用來冷卻內周側線圈7b及外周側線圈7a的上面之線圈上面冷卻風路15a；另一個是用來冷卻外周側線圈7a的下面之線圈下面冷卻風路15b。在位於線圈座10中心部分下方之線圈上面冷卻風路 15a的上面，開設有圓形的線圈上面冷卻風送出孔15c。

線圈座10的中心部成為圓筒狀的內空洞14a，外周側線圈7a的內周側成為圓筒狀的外空洞壁14b，該外空洞壁14b是與內藏肥粒鐵11之放射狀樑相連。在該外空洞壁14b的下部連接線圈上面冷卻風路15a之線圈上面冷卻風送出孔15c。在線圈上面冷卻風送出孔15c的周圍設有玻璃棉等的密封材16，而與前述外空洞壁14b連接。

在冷卻風路15下，將內藏換流器電路8等的電路基板之電路冷卻風路17a、17b設置成重疊2層，在電路冷卻風路17a、17b分別內藏有左右的加熱線圈7L、7R之換流器電路8L、8R等。該等冷卻風路固定於主體1。

從固定於線圈下面冷卻風路15b或電路冷卻風路17a之三個線圈座支承具12藉由彈簧13按壓線圈座10，藉此將其緊壓於面板2的下面。

在線圈冷卻風送出孔15c下的線圈上面冷卻風路15a中配置鍋溫度檢測裝置18。鍋溫度檢測裝置18，是利用透過面板2的紅外線透過窗5之紅外線來檢測被感應加熱後的調理鍋6之底面溫度。此外，也內藏有後述的反射感測器(紅外線投光手段及紅外線反射受光手段)，藉此檢測調理鍋6底面的反射率。此外，在鍋溫度檢測裝置18的上方設有後述的感測器視野筒19，在面板2的下面設有後述的熱敏電阻20。

在加熱調理中，從內藏於主體1之風扇(未圖示)將外部空氣導入線圈上面冷卻風路15a、線圈下面冷卻風路15b、電路冷卻風路17a、17b。流經線圈上面冷卻風路15a內的冷卻風，一邊將鍋溫度檢測裝置18冷卻、一邊從線圈上面冷卻風送出孔15c沿著圓筒狀的外空洞壁14b內之線圈間隙7c及內空洞14a上昇，從線圈間隙7c及內空洞14a上部，被面板2阻擋而朝線圈徑向外側流過面板2和加熱線圈7之間，藉此將加熱線圈7的上面及面板2下面予以冷卻。在線圈下面冷卻風路15b之與外周側線圈7a下面接觸的部分開設有複數個小孔，流經線圈下面冷卻風路15b內的冷卻風從該小孔朝向外周側線圈7a下面噴流而進行冷卻。

圖4詳細顯示，除了面板2以外之圖3的俯視圖，是加熱線圈7、線圈座10、線圈上面冷卻風路15a的詳細構造圖。顯示加熱線圈7及內空洞14a與鍋溫度檢測裝置18在水平面的位置關係。

加熱線圈7，是將藉由鐵氟龍(註冊商標)等實施絕緣被覆之李茲線(Litz wire)呈同心圓狀朝同一方向捲繞，被分割成外周側線圈7a和內周側線圈7b。其間隙7c成為寬度約15mm之同心帶狀，外周側線圈7a的捲繞終端是透過間隙7c橋接而成為內周側線圈7b的捲繞起端，利用外周側線圈7a和橋接線7d和內周側線圈7b來構成加熱線圈7。在線圈座10，於外周側線圈7a的內周側設有圓筒狀的外空洞壁14b，其內側成為線圈間隙部 7c。此外，在內周側線圈7b的內周側設置內空洞14a。再者，在線圈間隙部7c的一部分、即呈放射狀配置之二個肥粒鐵11間設置橢圓筒狀的感測器視野筒19，在該感測器視野筒19下設置鍋溫度檢測裝置18。此外，在感測器視野筒19的上部旁側，以與面板2之紅外線透過窗5的旁側下面接觸的方式設置熱敏電阻20。

圖5是從圖4的背面觀察的圖。在線圈座10設有二個線圈端子21a、21b，在低電壓端子21a連接外周側線圈7a之捲繞起端，在高電壓端子21b連接第2線圈之捲繞終端。藉由螺釘將換流器電路8的輸出線22a、22b固定於該端子。在銅、鋁等製的非磁性體鍋，輸出4~5kV的高電壓之高電壓輸出線22b連接於高電壓端子21b。

如圖4、圖5所說明般，鍋溫度檢測裝置18，是避開橋接線7d的附近，且在偏離高電壓輸出線22b所連接的高電壓端子21b的位置之線圈間隙部7c所設置的感測器視野筒19下設置其盒窗30。

將加熱線圈7分割成二個部分，在其間隙7c設置感測器視野筒19，在其下方設置鍋溫度檢測裝置18，其理由在於，加熱線圈7之徑向寬度中間部的磁通最強，其上方的鍋底被加熱至最高溫，將此部分的溫度予以正確地檢測有助於防止異常過熱。

圖6詳細顯示鍋溫度檢測裝置18。來自被感應加熱後之鍋底面的紅外線，透過面板2的紅外線透過窗 5，從感測器視野筒19射入收藏於鍋溫度檢測裝置18內之熱電堆25。此外，收藏於反射型光斷續器27內之紅外線LED35所投射的紅外線，通過視野筒19、紅外線透過窗5而被鍋6底反射後，由紅外線光電晶體36接收。

圖6(a)顯示鍋溫度檢測裝置18的俯視圖。鍋溫度檢測裝置18的中心構造包含：被散熱器26覆蓋之紅外線檢測感測器(熱電堆25)、以及反射型光斷續器27，該反射型光斷續器27是由作為紅外線投光手段之紅外線LED35和作為紅外線反射受光手段之紅外線光電晶體36所組合成。

熱電堆25和反射型光斷續器27配置於電子電路基板28上，在該電子電路基板28組裝有：用來將熱電堆25的輸出信號放大之熱電堆溫度檢測電路72、及反射率檢測電路73(隨後詳細說明)。該熱電堆25和反射型光斷續器27及電子電路基板28全體，被密封在塑膠構件之紅外線感測器盒29(一點鏈線所示)內。在該紅外線感測器盒29，為了讓紅外線透過而開設有盒窗30，在該盒窗30嵌入結晶化玻璃光學過濾器31。該結晶化玻璃光學過濾器31是將結晶化玻璃薄切成正方形而構成，該結晶化玻璃具有與構成面板2的結晶化玻璃大致相同的光學特性。

而且，在結晶化玻璃光學過濾器31下，將被散熱器26覆蓋之熱電堆25和反射型光斷續器27組裝在電子電路基板28上。該紅外線感測器盒29的周圍，藉由鋁等之導磁率約1的金屬盒32(2點鏈線所示)包覆。當然在前述盒窗30處形成有開口。而且，進一步將鋁金屬盒32的周圍藉由塑膠構件的外側紅外線感測器盒33包覆。當然在前述盒窗30處形成有開口。亦即，熱電堆25成為被3層盒子包覆的狀態。

而且，鍋溫度檢測裝置18以其盒窗30面對線圈座10之感測器視野筒19內的方式設置在線圈上面冷卻風路15a內。

圖6(b)顯示沿著圖6(a)中的A-A'線之剖面圖。在該剖面圖顯示出，設置於紅外線感測器盒29內之電子電路基板28上所組裝之熱電堆25及反射型光斷續器27、和紅外線感測器盒29的盒窗30、結晶化玻璃光學過濾器31的位置關係。

圖7詳細顯示反射型光斷續器27。反射型光斷續器27，是將作為紅外線發光元件之紅外線LED35和作為紅外線受光元件之紅外線光電晶體36並列於同一塑膠構件而模製成者。在紅外線LED35的發光面上由塑膠構成透鏡，將紅外光朝上方照射。在紅外線光電晶體36的受光面上由可阻止可見光的塑膠構成透鏡，將照射紅外光的物體(鍋底面)之反射紅外光予以接收，輸出與其接收光量成比例的電流。該反射型光斷續器27，是由成對之紅外線發光元件和受光元件所構成，因此能計測面板2上所載置的調理鍋6底面之反射率。

將反射光斷續器27前面的發光部、受光部配置於結晶化玻璃光學過濾器31的下面之正下方。這是為了防止紅外線發光被正上方的結晶化玻璃光學過濾器31反射、接收。

圖8顯示面板2及結晶化玻璃光學過濾器31之光學特性(各波長的透過率)。圖中顯示紅外線波長和紅外線透過率、紅外線波長和黑體溫度的放射能量的關係。黑體溫度的分光放射能量，是根據蒲朗克分布定律所算出。

在波長約0.6~2.6μm的帶域透過率超過80%，在約2.7~4μm的波長域透過率為30%以上，在其他波長域透過率未達30%。100℃的黑體之熱放射能量，在約2μm取最小值，在約7μm取最大值，300℃的黑體之熱放射能量，在約1.2μm取最小值，在約5μm取最大值，100~300℃的黑體所放射的紅外線，是位於結晶化玻璃的透過率超過80%的帶域，因此100~300℃的鍋所放射之波長的紅外線，可透過結晶化玻璃製的面板2、結晶化玻璃光學過濾器31而被熱電堆25接收。另一方面，鍋所放射的紅外線當中，昇溫效果高之波長4μm以上的大部分都被截斷，因此可防止本體1內部被昇溫效果高的紅外線加熱。

圖9詳細顯示熱電堆25。圖9(a)顯示散熱器26和熱電堆25之立體圖。圖9(b)顯示，散熱器26除外之圖9(a)中B-B'線之熱電堆25的剖面圖，圖9(c)是圖9(b)中C-C'線的剖面之俯視圖。又為了看到熱電偶，省略紅外線吸收膜25-9的圖示。

熱電堆25是將多數個熱電偶(熱偶)予以縱列連接(堆疊)而構成，被收容於鍍鎳鋼板等的金屬罐25-1和金屬座25-2所構成的金屬盒內。在約300μm厚的矽基材25-4表面上，為了電及熱絕緣而形成矽氧化膜25-5，在其上方使用多晶矽、鋁依序進行圖案蒸鍍而形成多晶矽蒸鍍膜25-6、鋁蒸鍍膜25-7，藉此作成多數個熱電偶並將其等予以縱列連接。在設有多晶矽、鋁接合點(測溫接點)之矽基材25-4中央部，形成接近黑體之氧化銣膜或聚醯亞胺膜等的紅外線吸收膜25-9。多晶矽及鋁蒸鍍膜的一端成為冷接點部25-10，將其配置於矽基材25-4周圍之矽氧化膜25-5上。將矽基材25-4的背面以保留周圍(冷接點部)的方式蝕刻290μm，使設有測溫接點部分之矽基材厚度成為10μm。藉由使熱傳導良好的矽變薄，減少測溫接點部25-8和冷接點部25-10之熱傳導而使測溫接點部和冷接點部形成熱絕緣。

將矽基材25-4藉由黏結劑等的黏著材固定於金屬座25-2。同時在金屬座25-2配置NTC熱敏電阻25-11，該NTC熱敏電阻25-11是在陶瓷上形成膜而構成。這是為了檢測設於金屬盒32內之熱電偶的雰圍溫度而校正熱電偶的熱電動勢，其詳細隨後說明。在金屬座25-2貫穿配置被實施絕緣密封之四根金屬銷25-12，將熱電偶的輸出和NTC熱敏電阻25-11透過導線連接於該金屬銷。於氮等的惰性氣體中，將筒狀的金屬罐25-1被覆熔接於金屬座25-2。在該金屬罐25-1的上面開設小孔狀的窗25-13，在此從內側裝設玻璃凸透鏡25-14。以前述測溫接點部25-8(位於紅外線吸收膜25-9下)位於該小孔之垂直下方的方式固定矽基材25-4。該玻璃凸透鏡25-14設計成使紅外線透過窗5的視野範圍成像於紅外線吸收膜25-9。

熱電堆25內的熱電偶測溫接點部25-8(位於紅外線吸收膜25-9下)，被通過該小孔狀的窗25-13而在玻璃凸透鏡25-14聚光後的紅外線加熱，其加熱溫度上昇與所通過的紅外線能量成比例，而使與熱電偶之冷接點部25-10和測溫接點部25-8之溫度差成比例的電壓朝熱電偶輸出的金屬銷25-12輸出。前述般的熱電堆25，金屬盒25-3在熱性上等同於熱電偶的冷接點，其溫度變動成為熱電堆25的輸出變動。因此，裝設散熱器26作為熱緩衝器(將熱容量加大)，可減少對於周圍溫度變化之輸出變動。

圖10顯示本實施例的感應加熱調理器之控制方塊圖。利用微電腦60控制感應加熱調理器的動作。以下符號R表示與位於圖1右方的感應加熱口有關的方塊，符號L表示與位於圖1左方的感應加熱口有關的方塊。二個換流器電路8R及8L對加熱線圈7R及7L供應高頻電流。該換流器電路8R、8L之動作頻率及對線圈的供應電力，是利用頻率控制電路61R、61L及電力控制電路62R、62L進行調整。讓動作頻率改變，是因為依鍋的金屬種類，高頻電流的頻率之感應加熱效率會改變。一般而言，鐵是使用20kHz的頻率，電阻率更低的銅、鋁則是使用70kHz以上的頻率。頻率的切換，是根據未圖示的鍋種類判別手段的判斷而由微電腦60進行頻率控制電路61的控制。

從整流電路63對各換流器電路8R、8L供應直流電壓。該整流電路63是透過電源開關64連接於3端子200V的商用電源65。商用電源65的接地端子是透過接地線連接於主體1的金屬部。輻射加熱器66是透過輻射加熱器電路67連接於商用電源65，利用輻射加熱器電路67控制供應給輻射加熱器66的電力。

微電腦60與顯示操作部的操作開關68、顯示電路69連接，接收使用者的操作指示而進行機器的動作狀態顯示。此外，與蜂鳴器70連接，而報知使用者之操作鍵按壓、或錯誤等的警告等。微電腦60根據使用者的指示，控制頻率控制電路61R、61L、電力控制電路62R、62L及輻射加熱器電路67，以將面板2上的調理鍋6實施加熱。

熱電堆25連接於熱電堆溫度檢測電路72，其輸出被放大而輸入微電腦60的AD端子。紅外線LED35及紅外線光電晶體36連接於反射率檢測電路73，利用微電腦60的埠輸出來控制紅外線LED35的發光，調理鍋6所反射的紅外光被紅外線光電晶體36接收，其輸出信號被放大而輸入微電腦60的AD端子。此外，熱敏電阻20 連接於熱敏電阻溫度檢測電路75，其輸出被放大而輸入微電腦60的AD端子。

反射率校正，是利用微電腦60的軟體來進行。微電腦60，根據反射率檢測電路73的輸出得知調理鍋的紅外線反射率，利用反射率進行校正而檢測調理鍋的溫度。此處理也是利用微電腦60的軟體進行。而且，透過電力控制電路62來控制調理鍋6的加熱。

在此說明，根據來自熱電堆溫度檢測電路72、反射率檢測電路73的輸出而換算成鍋溫度的方法。

熱電堆25，是與所接收的紅外線能量成比例而輸出電壓。因此，當鍋溫度上昇時，來自鍋底的紅外線放射強度變強，熱電堆所接收的紅外線能量增多，熱電堆的輸出信號電壓變高。一般而言，物體所放射的紅外線能量與該物體的絕對溫度之四次方成比例、即所謂史提芬-波茲曼定律(式1)，溫度越高會放射出加速度越大的紅外線能量。亦即，只要能使用熱電堆25得知每單位面積的放射量E，就能依據式1算出放射物體的絕對溫度。

E=(2π⁵κ⁴/15c²h³)×T⁴=σT⁴ (式1)

E：每單位面積的放射量(W/cm²．μm)

κ：波茲曼常數=1.3807×10^-23(W．s/K)

c：光速度=2.9979×10¹⁰(cm/s)

h：蒲朗克常數=6.6261×10^-34(W．s²)

σ：史提芬-波茲曼常數=5.6706×10^-12(W/cm²．K⁴)

T：放射物體的絕對溫度(K)

圖11顯示，關於載置於面板2之數種鍋，從鍋溫度檢測裝置18的輸出(熱電堆溫度檢測電路72的輸出V)減去偏電壓Vo後的值Vt(鍋溫度檢測電壓)和鍋底面溫度T的關係之一例。圖中也顯示各鍋底面的放射率。依圖11可知，鍋溫度檢測裝置18的輸出和鍋底溫度的關係會因放射率而異。圖11(a)所示的鍋，放射率為0.9而接近黑體。圖11(b)的放射率為0.57，(c)為0.43，(d)為0.24。將(b)、(c)、(d)的電壓值除以放射率時，如圖中虛線所示般，可彙集成大致1根曲線。各輸出Vt與各鍋的全放射能量(E'=εσT⁴)成比例，將其除以放射率，如前述般表示換算成黑體的全放射能量(E=σT⁴)。而且表示，只要知道各鍋的放射率就能將各鍋的鍋溫度還原成黑體的放射溫度。

各鍋的放射率，是根據從反射率檢測電路73所獲得的計測資料而導出。如前述般，紅外線LED35所發射的紅外線，通過感測器視野筒19被鍋底面反射後返回紅外線光電晶體36。紅外線受光元件產生與紅外線量成比例的電壓，根據電壓值可得知紅外線量。亦即，反射率檢測電路73可根據紅外線發光量和紅外線接收光量的比來檢測鍋的反射率ρ。在此說明，根據反射率檢測電路73所求出的反射率來算出放射率的方法。從溫度T的金屬物質表面所放射之紅外線能量(E=εσT⁴)之放射率ε和表面的反射率ρ之間，可成立基爾霍夫熱輻射定律(式2)(其中，透過率α=0)。亦即，只要知道鍋的反射率，根據將(式2)變形後的(式3)，即可算出鍋的放射率ε。

ε+ρ=1 (式2)

ε=1-ρ (式3)

放射率ε不同的情況，縱使是相同的溫度，如圖11所示般所放射的紅外線能量會有差異，對於熱電堆溫度檢測電路72所獲得之紅外線能量，使用根據反射率檢測電路73的輸出結果而由微電腦60算出之放射率ε進行校正，如此，縱使是使用反射率ρ不同的鍋時仍能檢測出鍋底溫度。

接下來，使用圖12~14來詳細說明本實施例。

圖12詳細顯示反射率檢測電路73。反射型光斷續器27的發光元件、即紅外線LED35被電晶體73-1驅動。該驅動是被從微電腦60的輸出埠輸入驅動信號端子73-2的信號所控制。若將負載比(duty)50%的矩形波信號輸入驅動信號端子73-2，紅外線LED35在信號為5V時會發光，信號為0V時會熄滅。其發光強度與流經紅外線LED35的電流成比例，該電流取決於電阻R11值。在本實施例，電阻值是固定的，因此發光強度是一定的。該紅外光被面板2及調理鍋6的底面反射後，藉由受光元件之紅外線光電晶體36接收時，利用光電流使電阻R12產生電壓。與電阻R12並列地設有由熱敏電阻37和電阻R13所組合成之反射溫度補償電路73-3，對應於反射率檢測電路73的周圍溫度變化而使熱敏電阻37的電阻值改變。藉此，當紅外線光電晶體36接收光而產生受光電壓時，在處於並列關係之電阻R12和反射溫度補償電路73-3，會產生對應於周圍溫度之電壓。

本實施例的反射率檢測電路73，反射越大(接收光量越多)則電壓成比例地變大。此外，當周圍溫度上昇的情況，熱敏電阻37的電阻值降低，而獲得使電壓減少的效果。該信號電壓，經由電容器C1將直流部分截止，以交流信號的方式輸入由OP放大器73-4構成之正相直流放大器。在OP放大器73-4，僅交流信號的正側成分被放大。被放大之負載比50%的信號，利用充放電電路(電阻R14和電容器C2所構成)73-5轉換成直流的平均值電壓，從輸出端子73-6輸出。該輸出被輸入微電腦60的AD端子。

將紅外發光實施載波調變而在受光路徑將直流成分截止，是為了防止自然光或白熾燈、螢光燈等的照明機器所含之一定的紅外光影響鍋的反射率檢測(可見光，藉由受光元件之光學過濾器截止)。此外，也能防止紅外線光電晶體36之暗電流的影響。

如此般，反射率檢測電路73，將發光強度一定之經載波調變後的紅外光朝鍋底面放射，接收被鍋反射的紅外光，以其平均值電壓作為反射電壓，藉此檢測出相當於反射率的值。反射率檢測電路73的反射輸出是依據(式4)來算出。

Vout 發光光量×接收光光量×R12 (式4)

Vout：從輸出端子73-6輸出的電壓

發光光量：紅外線LED35的發光電壓

接收光量：紅外線光電晶體36的受光電壓

R12：紅外線光電晶體36所產生之受光電壓

當未載置調理鍋6的情況，成為只有面板2的反射而顯示一定的值。從該一定值起算的增加分量為來自鍋的反射量，該量相當於鍋的反射率。

圖13顯示紅外線光電晶體36對於周圍溫度之相對輸出的溫度特性。其具有：周圍溫度上昇時相對輸出也會增加的特性。這表示，當周圍溫度上昇時，紅外線光電晶體36的受光電壓會上昇。

在此說明，周圍溫度上昇時之反射率檢測電路73的輸出電壓。將調理鍋6實施感應加熱的情況，起因於加熱線圈7、換流器電路8等的發熱，鍋溫度檢測裝置18也會因冷卻風溫度的上昇、傳熱等而被加熱，反射率檢測電路73的溫度也會上昇。溫度上昇值依調理條件會有差異，鍋溫度檢測裝置18的周圍溫度會上昇10~20℃左右。如此，正在測定調理鍋6的反射率之紅外線光電晶體36的受光電壓，比起周圍溫度上昇前會昇高。另一方面，當周圍溫度上昇時，反射溫度補償電路73-3之熱敏電阻37的電阻值降低，R12的受光電壓獲得：讓相當於接收光量的上昇分量之電壓下降的作用。

針對獲得此作用的理由作詳細地說明。紅外線光電晶體36接收反射光而產生受光電壓時，處於並列關係之電阻R12和反射溫度補償電路73-3被施加相同的電壓，讓與各自的電阻對應之電流流過。當周圍溫度上昇時，由於熱敏電阻37的電阻值降低，往反射溫度補償電路73-3側流的電流增加，而使流過電阻R12的電流減少。結果，當周圍溫度上昇時，在電阻R12側，由於電阻R為一定但電流I減少，依E=IR公式可知電壓E會降低。因此，在本實施例，將紅外線光電晶體36之接收光量的電壓上昇分量，利用R12的電壓降低分量予以抵消，可減輕周圍溫度對於輸出端子73-6之輸出Vout的影響。亦即，在本實施例，在溫度上昇前後，能使反射率檢測電路73之輸出Vout的變動變得非常小。

接下來，使用圖14來說明反射溫度補償電路73-3的效果。圖14中，實線為具有反射溫度補償電路73-3之本實施例的反射率檢測電路73的資料，虛線為不具備反射溫度補償電路73-3之反射率檢測電路的資料。又圖14的縱軸之相對輸出表示，周圍溫度變化時的輸出電壓對於周圍溫度25℃的輸出電壓之比，相對輸出越接近1表示溫度變化的影響越小。

在不具備反射溫度補償電路73-3之反射率檢測電路的情況，由於無法獲得上述溫度補償作用，當周圍溫度上昇時，紅外線光電晶體36的受光電壓上昇，而使輸出Vout也上昇。因此，如虛線所示般，隨著電子電路基板溫度上昇而使相對輸出變大，反射率的檢測精度變惡化。例如，溫度50℃時的相對輸出成為約1.15，若根據此輸出來求取反射率，會產生很大的誤差。

另一方面，具有反射溫度補償電路73-3之本實施例的反射率檢測電路73的情況，利用反射溫度補償電路73-3的作用，在從25℃至50℃的任何溫度下，都能將相對輸出維持在1±0.02的範圍。因此，藉由使用本實施例的反射率檢測電路73，在從25℃至50℃的任何溫度下，都能觀測到適切的反射率。

如此般，藉由使用本實施例的反射率檢測電路73，能不受本體1內部的溫度變化的影響而以一定值檢測調理鍋的反射率，因此與本體1的調理狀態、環境溫度變化無關，而能利用鍋溫度檢測電路18正確地測定調理鍋6的底面溫度。

〔實施例2〕

針對實施例2，使用圖15作說明。又與實施例1共通的點，則省略其說明。

圖15詳細顯示實施例2的反射率檢測電路73。與實施例1之不同點在於，省略實施例1之反射溫度補償電路73-3，在紅外線光電晶體36和信號電壓Vcc之間設置電阻R15，與電阻R15並列地設置電阻R16和熱敏電阻38之串列電路，使用其等作為反射溫度校正電路73-7。在本實施例的情況也是，對應於周圍溫度的變動，雖然紅外線光電晶體36之受光電壓會變動，利用反射溫度校正電路73-7使信號電壓5V降低，能將紅外線光電晶體36的受光電壓因周圍溫度而改變的分量予以抵消。

當紅外線光電晶體36接收光時，利用光電流在電阻R12產生電壓。該信號電壓，經由電容器C1將直流部分截止，以交流信號的方式輸入由OP放大器73-4構成之正相直流放大器。在OP放大器73-4，僅交流信號的正側成分被放大。被放大之負載比50%的信號，利用充放電電路(電阻R14和電容器C2所構成)73-5轉換成直流的平均值電壓，從輸出端子73-6輸出。該輸出被輸入微電腦60的AD端子。

〔實施例3〕

針對實施例3，使用圖16、圖17來作說明。又與實施例1共通的點，則省略其說明。

圖16詳細顯示實施例3的反射率檢測電路73。與實施例1的不同點在於，在電阻R11和紅外線LED35之間設置熱敏電阻39，使用電阻R11及熱敏電阻39作為發光光量溫度補償電路73-8，無論周圍溫度如何都能將紅外線LED的發光量保持大致一定。

在本實施例也是，紅外線LED35被電晶體73-1驅動。該驅動是被從微電腦60的輸出埠輸入驅動信號端子73-2的信號所控制。若將負載比50%的矩形波信號輸入驅動信號端子73-2，紅外線LED35在信號為5V時會發光，信號為0V時會熄滅。其發光強度與流經紅外線LED35的電流成比例，該電流取決於由電阻R11和熱敏電阻39所組合成之發光光量溫度補償電路73-8的值。藉由配置熱敏電阻39，當周圍溫度上昇時，紅外線LED35的發光電壓會上昇而使發光光量增加。

圖17顯示，紅外線LED35對於周圍溫度之相對輸出的溫度特性。其具有：當周圍溫度上昇時，相對輸出減少的特性。這表示，當周圍溫度上昇時，紅外線LED35的發光光量會降低。

在周圍溫度上昇的情況，紅外線LED35的輸出雖會降低，利用發光光量溫度補償電路能將溫度上昇造成的電壓降低予以抵消。因此，依據本實施例的反射率檢測電路73，能不受周圍溫度變化的影響而使紅外線LED35的發光光量穩定地輸出。

此外，該紅外光被面板2及調理鍋6的底面反射後，藉由受光元件之紅外線光電晶體36接收，再從輸出端子73-6輸出，此受光元件側的電路雖是例示實施例1的電路，但受光元件側的電路也能使用實施例2。如此般，藉由使用本實施例的反射率檢測電路73，能不受本體1內部的溫度變化的影響，而以一定值檢測調理鍋6 的反射率，因此與本體1的調理狀態、環境溫度變化無關，能利用鍋溫度檢測電路18正確地測定調理鍋6的底面溫度。

〔實施例4〕

針對實施例4，使用圖18作說明。又與實施例1共通的點，則省略其說明。

圖18詳細顯示採用實施例4的反射率檢測電路73。與實施例1的不同點在於，在驅動信號端子73-2和電晶體73-1之基極之間設置負載比可變電路40。

在本實施例，紅外線LED35被電晶體73-1驅動，且是透過負載比可變電路40來控制該電晶體73-1。藉由使用負載比可變電路40來改變LED脈衝驅動，使紅外LED35的發光光量成為可變。

如實施例3所說明般，紅外線LED35具有圖17所示的溫度特性，當周圍溫度上昇時，只要負載比一定則紅外線LED35的發光量會降低。於是，本實施例的負載比可變電路40，以將紅外線LED35的發光量維持大致一定的方式讓負載比上昇，藉此將溫度上昇造成的電壓變動予以抵消。因此，依據本實施例的反射率檢測電路73，能不受周圍溫度變化的影響，使紅外線LED35的發光光量穩定地輸出。

在圖18，被受光元件之紅外線光電晶體36接收，而從輸出端子73-6輸出之受光元件側的電路，雖是例示實施例1的電路，但受光元件側的電路也能使用實施例2。如此般，藉由使用本實施例的反射率檢測電路73，能不受本體1內部的溫度變化的影響而以一定值檢測調理鍋6的反射率，因此與本體1的調理狀態、環境溫度變化無關，能藉由鍋溫度檢測電路18正確地測定調理鍋6的底面溫度。

35‧‧‧紅外線LED

36‧‧‧紅外線光電晶體

37‧‧‧熱敏電阻

73‧‧‧反射率檢測電路

73-1‧‧‧電晶體

73-2‧‧‧驅動信號端子

73-3‧‧‧反射溫度補償電路

73-4‧‧‧OP放大器

73-5‧‧‧充放電電路

73-6‧‧‧輸出端子

C1、C2‧‧‧電容器

R11、R12、R13、R14‧‧‧電阻

Claims

一種感應加熱調理器，係具備面板、加熱線圈、高頻電力供應手段、電力控制手段、紅外線檢測手段、溫度檢測手段以及反射感測器之感應加熱調理器；該面板，用來載置被加熱物；該加熱線圈，設置於該面板的下方，用來將前述被加熱物加熱；該高頻電力供應手段，用來對該加熱線圈供應高頻電力；該電力控制手段，用來控制該高頻電力供應手段的輸出電力；該紅外線檢測手段，設置於前述加熱線圈的下方，用來檢測前述被加熱物所放射的紅外線；該溫度檢測手段，根據該紅外線檢測手段的輸出來檢測前述被加熱物的溫度；該反射感測器包含紅外線發光手段及紅外線受光手段，該紅外線發光手段是對前述面板投射紅外線，該紅外線受光手段，是接收該紅外線發光手段所投射而經由前述被加熱物反射後的紅外線；其特徵在於，前述反射感測器具備有溫度補償電路，該溫度補償電路，是根據其電阻對應於周圍溫度而改變之周圍溫度檢測手段的輸出，來讓施加於前述紅外線受光手段的電壓改變；前述溫度檢測手段，是將前述紅外線檢測手段的輸出根據前述反射感測器的輸出施以校正後再檢測前述被加熱物的溫度。
如申請專利範圍第1項之感應加熱調理器，其中，當前述周圍溫度上昇時，前述周圍溫度檢測手段的電阻上昇，且使施加於前述紅外線受光手段之電壓降低。
一種感應加熱調理器，係具備面板、加熱線圈、高頻電力供應手段、電力控制手段、紅外線檢測手段、溫度檢測手段以及反射感測器之感應加熱調理器；該面板，用來載置被加熱物；該加熱線圈，設置於該面板的下方，用來將前述被加熱物加熱；該高頻電力供應手段，用來對該加熱線圈供應高頻電力；該電力控制手段，用來控制該高頻電力供應手段的輸出電力；該紅外線檢測手段，設置於前述加熱線圈的下方，用來檢測前述被加熱物所放射的紅外線；該溫度檢測手段，根據該紅外線檢測手段的輸出來檢測前述被加熱物的溫度；該反射感測器包含紅外線發光手段及紅外線受光手段，該紅外線發光手段是對前述面板投射紅外線，該紅外線受光手段，是接收該紅外線發光手段所投射而經由前述被加熱物反射後的紅外線；其特徵在於，前述反射感測器具備有溫度補償電路，該溫度補償電路，是根據其電阻對應於周圍溫度而改變之周圍溫度檢測手段的輸出，來讓施加於前述紅外線發光手段的電壓改變；前述溫度檢測手段，是將前述紅外線檢測手段的輸出根據前述反射感測器的輸出施以校正後再檢測前述被加熱物的溫度。
如申請專利範圍第3項之感應加熱調理器，其中，當前述周圍溫度上昇時，前述周圍溫度檢測手段的電阻上昇，且使施加於前述紅外線發光手段之電壓上昇。
一種感應加熱調理器，係具備面板、加熱線圈、高頻電力供應手段、電力控制手段、紅外線檢測手段、溫度檢測手段、反射感測器、電晶體以及負載比可變電路之感應加熱調理器；該面板，用來載置被加熱物；該加熱線圈，設置於該面板的下方，用來將前述被加熱物加熱；該高頻電力供應手段，用來對該加熱線圈供應高頻電力；該電力控制手段，用來控制該高頻電力供應手段的輸出電力；該紅外線檢測手段，設置於前述加熱線圈的下方，用來檢測前述被加熱物所放射的紅外線；該溫度檢測手段，根據該紅外線檢測手段的輸出來檢測前述被加熱物的溫度；該反射感測器包含紅外線發光手段及紅外線受光手段，該紅外線發光手段是對前述面板投射紅外線，該紅外線受光手段，是接收該紅外線發光手段所投射而經由前述被加熱物反射後的紅外線；該電晶體，用來驅動前述紅外線發光手段；該負載比可變電路，用來控制驅動前述電晶體之負載比；其特徵在於，前述負載比可變電路，是根據其電阻對應於周圍溫度而改變之周圍溫度檢測手段的輸出，來讓施加於前述電晶體之電壓的負載比改變；前述溫度檢測手段，是將前述紅外線檢測手段的輸出根據前述反射感測器的輸出施以校正後再檢測前述被加熱物的溫度。
如申請專利範圍第5項之感應加熱調理器，其中，當前述周圍溫度上昇時，前述周圍溫度檢測手段的電阻上昇，且使施加於前述紅外線受光手段之電壓的負載比上昇。