TW201411907A - 有機電致發光裝置 - Google Patents

有機電致發光裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201411907A
TW201411907A TW102119474A TW102119474A TW201411907A TW 201411907 A TW201411907 A TW 201411907A TW 102119474 A TW102119474 A TW 102119474A TW 102119474 A TW102119474 A TW 102119474A TW 201411907 A TW201411907 A TW 201411907A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
organic material
material layer
layer
cathode
type organic
Prior art date
Application number
TW102119474A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI599083B (zh
Inventor
Mun-Kyu Joo
Min-Soo Kang
Jea-Min Moon
Yun-Hye Hahm
Seong-Su Jang
Ji-Na You
Ja-Ein Lee
Original Assignee
Lg Chemical Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lg Chemical Ltd filed Critical Lg Chemical Ltd
Publication of TW201411907A publication Critical patent/TW201411907A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI599083B publication Critical patent/TWI599083B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本發明揭露一種有機電致發光裝置，包括：一陽極；一陰極；一發光層，設於該陰極及該陽極之間；一第一p型有機材料層，設於該陰極及該發光層之間；以及一第一n型有機材料層，設於該第一p型有機材料層及該發光層之間。

Description

有機電致發光裝置
本發明係關於一種有機電致發光裝置。
本申請案優先權追溯至於2012年05月31日向韓國專利局提出之韓國專利第10-2012-0058941、10-2012-0058938、及10-2012-0058945號申請案，其所揭露之內容全部併入本案參考。
一有機電致發光裝置透過從兩電極注入電子及電洞至一有機材料層而轉換電流為可見光。該有機電致發光裝置為一種可包含兩層以上有機材料層之多層結構。舉例而言，如有所需，除了一發光層之外，該有機電致發光裝置可更包括一電子或電洞注入層、一電子或電洞阻障層、或一電子或電洞傳輸層。
進來，隨著有機電致發光裝置多樣化的用途，目前已積極地研究改善有機電致發光裝置性能的材料。
本發明說明書描述一種具有新穎結構之有機 發電致發光裝置。
依據本發明第一示例型實施例之有機電致發光裝置，其包括：一陽極；一陰極；一發光層，設置於該陽極與該陰極之間；一第一電荷傳輸通道，設置於該發光層與該陰極之間；以及一第二電荷傳輸通道，設置於該發光層與該陽極之間。於此，該第一電荷傳輸通道包括：一第一p型有機材料層，其與該陰極連接且為無摻雜；以及一第一n型有機材料層，設置於該第一p型有機材料層與該發光層之間。
根據本發明一示例型實施例，於該第一示例型實施例中，該陰極之一功函數為該第一p型有機材料層之一HOMO能階或以下。
根據本發明一示例型實施例，於該第一示例型實施例中，該第一p型有機材料層之HOMO能階與該第一n型有機材料層之LUMO能階間之差為2eV以下。
根據本發明一示例型實施例，於該第一示例型實施例中，該陰極接觸該第一p型有機材料層。
根據本發明一示例型實施例，於該第一示例型實施例中，該第一n型有機材料層及該第一p型有機材料層係形成一NP接面。
根據本發明一示例型實施例，於該第一示例型實施例中，控制從該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層之間的一邊界至該發光層之一距離以及從該陽極 至該發光層之一距離，以使得該發光層中的電洞含量與其中的電子含量平衡。
根據本發明一示例型實施例，於該第一示例型實施例中，從該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層之間的該邊界至該發光層之距離小於從該陽極至該發光層之該距離。
根據本發明一示例型實施例，於該第一示例型實施例中，從該陰極至該發光層之該距離係大於從該陽極至該發光層之該距離。
依據本發明第二示例型實施例之有機電致發光裝置，其包括：一陽極；一陰極；一發光層，設置於該陽極與該陰極之間；一第一有機材料層，設置於該發光層與該陰極之間；以及一第二有機材料層，設置於該發光層與該第一有機材料層之間。於此，該第一有機材料層將電荷傳輸至該最高佔據分子軌域(highest occupied molecular orbital，HOMO)能階，且為無摻雜。該第二有機材料層傳輸電荷至該最低佔據分子軌域(lowest unoccupied molecular orbital，LUMO)能階。
根據本發明一示例型實施例，於該第二示例型實施例中，該陰極之一功函數為該第一有機材料層之一HOMO能階或以下。
根據本發明一示例型實施例，於該第二示例型實施例中，該第一有機材料層之HOMO能階與該第二有機材料層之LUMO能階間之差為2eV以下。
根據本發明一示例型實施例，於該第二示例型實施例中，該陰極接觸該第一有機材料層。
根據本發明一示例型實施例，於該第二示例型實施例中，該第二有機材料層及該第一有機材料層形成一NP接面。
根據本發明一示例型實施例，於該第二示例型實施例中，控制從該第一有機材料層與該第二有機材料層之間的一邊界至該發光層之一距離以及從該陽極至該發光層之一距離，以使得該發光層中的電洞含量與其中的電子含量平衡。
根據本發明一示例型實施例，於該第二示例型實施例中，從該第一有機材料層與該第二有機材料層之間的該邊界至該發光層之該距離小於從該陽極至該發光層之該距離。
根據本發明一示例型實施例，於該第二示例型實施例中，從該陰極至該發光層之該距離大於從該陽極至該發光層之該距離。
依據本發明第三示例型實施例之有機電致發光裝置，其包括：一陽極；一陰極；一發光層，設置於該陽極與該陰極之間；以及一緩衝層，設置於該發光層與該陰極之間。於此，該緩衝層包括：一第一有機材料層，其設置得比該發光層更靠近該陰極，該第一有機材料層將電荷傳輸至該HOMO能階且為無摻雜；一第二有機材料層，其設置得比該陰極更靠近該發光層並且將電荷傳輸至該 LUMO能階。
根據本發明一示例型實施例，於該第三示例型實施例中，該陰極之一功函數為該第一有機材料層之一HOMO能階或以下。
根據本發明一示例型實施例，於該第三示例型實施例中，該第一有機材料層之HOMO能階與該第二有機材料層之LUMO能階間之差為2eV以下。
根據本發明一示例型實施例，於該第三示例型實施例中，該陰極接觸該第一有機材料層。
根據本發明一示例型實施例，於該第三示例型實施例中，該第二有機材料層及該第一有機材料層形成一NP接面。
根據本發明一示例型實施例，於該第三示例型實施例中，控制從該第一有機材料層與該第二有機材料層之間的一邊界至該發光層之一距離，以及控制從該陽極至該發光層之一距離，得以使該發光層中的電洞含量與其中的電子含量平衡。
根據本發明一示例型實施例，於該第三示例型實施例中，從該第一有機材料層與該第二有機材料層之間的該邊界至該發光層之該距離小於從該陽極至該發光層之該距離。
根據本發明一示例型實施例，於該第三示例型實施例中，從該陰極至該發光層之該距離大於從該陽極至該發光層之該距離。
依據本發明第四示例型實施例之有機電致發光裝置，其包括：一陽極；一陰極；一發光層，設置於該陽極與該陰極之間；以及一緩衝層，設置於該發光層與該陰極之間。於此，該緩衝層包括：一第一p型有機材料層，其連接該陰極且為無摻雜；以及一第一n型有機材料層，設置於該第一p型有機材料層與該發光層之間。
根據本發明一示例型實施例，於該第四示例型實施例中，該陰極之一功函數為該第一p型有機材料層之一HOMO能階或以下。
根據本發明一示例型實施例，於該第四示例型實施例中，該第一p型有機材料層之HOMO能階與該第一n型有機材料層之LUMO能階間之差為2eV以下。
根據本發明一示例型實施例，於該第四示例型實施例中，該陰極接觸該第一p型有機材料層。
根據本發明一示例型實施例，於該第四示例型實施例中，該第一n型有機材料層及該第一p型有機材料層係形成一NP接面。
根據本發明一示例型實施例，於該第四示例型實施例中，控制從該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層之間的一邊界至該發光層之一距離，以及控制從該陽極至該發光層之一距離，得以使該發光層中的電洞含量與其中的電子含量平衡。
根據本發明一示例型實施例，於該第四示例型實施例中，從該第一p型有機材料層與該第一n型有機材 料層之間的該邊界至該發光層之該距離小於從該陽極至該發光層之該距離。
根據本發明一示例型實施例，於該第四示例型實施例中，從該陰極至該發光層之該距離係大於從該陽極至該發光層之該距離。
依據本發明第五示例型實施例之有機電致發光裝置，其包括：一陽極；一陰極；以及一層以上之有機材料層，係設置於該陽極與該陰極之間；其中，該陰極之一功函數係為與其連接之該有機材料層之一HOMO能階以下。
根據本發明一示例型實施例，於該第五示例型實施例中，伴隨該陰極之該有機材料層為一第一p型有機材料層。
根據本發明一示例型實施例，於該第五示例型實施例中，該第一p型有機材料層未經摻雜。
根據本發明一示例型實施例，於該第五示例型實施例中，該有機電致發光裝置可更包括：一第一n型有機材料層，其與該第一p型有機材料層形成一NP接面。
根據本發明一示例型實施例，於該第五示例型實施例中，該第一p型有機材料層之HOMO能階與該第一n型有機材料層之LUMO能階間之差為2eV以下。
根據本發明之示例型實施例可提供一有機電致發光裝置，藉由包含界於一陰極與一發光層間之p型有 機材料層以及提供界於該p型有機材料層與該發光層間之n型有機材料層，該有機電致發光裝置可具有低驅動電壓、高亮度、及優異的發光效率。再者，透過前述配置，只要材料的功函數為與該陰極連接之有機材料層之HOMO能階或以下，任何材料皆可使用作為一用於該陰極之材料而無特別限制，因此，可使用各種陰極材料。據此，也可製造一具有低電壓高亮度之裝置。
圖1係依據本發明第一示例型實施例之有機電致發光裝置之有機材料層之堆疊結構。
圖2係依據相關技術領域之有機電致發光裝置之有機材料層之堆疊結構。
圖3係圖1有機電致發光裝置的第一p型有機材料層及陰極間之電荷遷移。
圖4係圖2有機電致發光裝置的n型有機材料層及陰極間之電荷遷移。
圖5係圖1有機電致發光裝置的發光層、第一n型有機材料、第一p型有機材料層、及陰極間之電荷遷移。
圖6係圖2有機電致發光裝置的發光層、n型有機材料、及陰極間之電荷遷移。
圖7至圖9係分別為依據本發明第二至第四示例型實施例之有機電致發光裝置之有機材料層之堆疊結構。
圖10係依據另一本發明示例型實施例之有機電致發光 裝置的發光層、第二n型有機材料、第一n型有機材料、第一p型有機材料層、及陰極間之電荷遷移。
圖11係依據又一本發明示例型實施例之有機電致發光裝置的發光層、第三n型有機材料、第二n型有機材料、第一n型有機材料、第一p型有機材料層、及陰極間之電荷遷移。
圖12係依據再一本發明示例型實施例之有機電致發光裝置的陽極、第二p型有機材料層、發光層、第三n型有機材料、第二n型有機材料、第一n型有機材料、第一p型有機材料層、及陰極間之電荷遷移。
圖13係依據又再一本發明示例型實施例之有機電致發光裝置的陽極、第四n型有機材料、第二p型有機材料層、發光層、第三n型有機材料、第二n型有機材料、第一n型有機材料、第一p型有機材料層、及陰極間之電荷遷移。
圖14係一結果圖，顯示根據從一發光層至一陰極之距離之一表面電漿+金屬損失、波導模式、玻璃模式、及輸出耦合模式。
以下，將詳細描述例示於本發明說明書中的示例型實施例。
依據本發明第一示例型實施例之有機電致發光裝置，其包括：一陽極；一陰極；一發光層，設置於該陽極與該陰極之間；一第一電荷傳輸通道，設置於該發光 層與該陰極之間；以及一第二電荷傳輸通道，設置於該發光層與該陽極之間。於此，該第一電荷傳輸通道包括：一第一p型有機材料層，其與該陰極連接且為無摻雜；以及一第一n型有機材料層，設置於該第一p型有機材料層與該發光層之間。
於本發明中，n型意指為n型半導體特性。換言之，n型有機材料層為一有機材料，其具有將電子注入或傳輸於LUMO能階之特性，且為一有機材料，具有電子遷移率大於電洞遷移率之材料特性。反之，p型意指p型半導體特性。換言之，P型有機材料為一有機材料，具有將電洞注入或傳輸於最高佔據分子軌域(HOMO)能階之特性，且為一有機材料，具有電洞遷移率大於電子遷移率之材料特性。於本發明中，「一有機材料，其傳輸電荷於HOMO能階」且該p型有機材料層具有相同意義。再者，「一有機材料，其傳輸電荷於LUMO能階」及該n型有機材料可具有相同意義。
於本發明中，能階意指能量大小。據此，即便當從一真空水平表示為負(-)向能階，該能階則解釋為其所對應之能量值之絕對值。舉例而言，該HOMO能階意指從該真空水平至最高佔據分子軌域之距離。此外，該LUMO能階意指從該真空水平至最低佔據分子軌域之距離。
於本發明中，電荷意指電子或電洞。
於本發明中，「電荷傳輸通道」意指電子或電洞傳輸通過之通道。該通道可形成於中間層之界面，且可 透過一額外的層形成。舉例而言，於第一示例型實施例中的該第一電荷傳輸通道包括無摻雜的第一p型有機材料層以及該第一n型有機材料層。
再者，於該第一示例型實施例中，該第二電荷傳輸通道可僅包括一界於該陽極與該發光層之間的界面，且可包括一額外設置於該陽極與該發光層之間的層。
於本發明中，「無摻雜」意指組成有機材料層之有機材料不以具有其他性質之材料摻雜。舉例而言，當「無摻雜」有機材料層為一p型材料，該「無摻雜」可意指該有機材料層不摻雜n型材料。再者，該「無摻雜」可意指沒有被有機材料以外的無機材料摻雜的p型有機材料。由於具有相同性質的有機材料，例如在性質方面p型特性是彼此相似的，可混合其兩者以上並使用。該無摻雜有機材料層意指該層僅以其具有相同特性之材料組成。
圖1係為依據本發明第一示例型實施例之有機電致發光裝置之有機材料層之堆疊結構。根據圖1，該陽極、該發光層、該第一n型有機材料層、該無摻雜第一p型有機材料層、及該陰極係依序堆疊於一基板上。圖1例子中，該陽極係設置於一基板上，但形成於基板的陰極涵蓋第一示例型實施例的範圍。舉例而言，根據本發明第一示例型實施例之有機電致發光裝置可具有一結構，其中，該陰極、該無摻雜第一p型有機材料層、該第一n型有機材料層、該發光層、及該陽極係依序堆疊於該基板上。
圖1顯示一結構，其中，該發光層係直接接觸 該陽極。然而，一有機材料層可額外設置於該發光層及該陽極之間。該設置於該發光層及該陽極間之有機材料層可為一p型有機材料層。界於該發光層及該陽極間之p型有機材料層的例子包括一電洞注入層、一電洞傳輸層等。
於該第一示例型實施例中，該第一p型有機材料層係與該陰極連接之有機材料層，該第一n型有機材料層係設置為提供界於該第一p型有機材料層與該發光層之間的有機材料層。於本發明中，「與該陰極連接之有機材料層」意指以該發光層為準，有機材料層係設置得比該陽極更靠近該陰極。於此，伴隨該陰極之有機材料層可包括一有機材料層，其係物理接觸該陰極。然而，於第一示例型實施例中，不能完全被排除與該陰極連結之有機材料層與該陰極間提供一額外的層的情況。
相較於圖1，圖2係為依據相關技術領域之有機電致發光裝置之有機材料層之堆疊結構。圖2顯示之結構僅設置一n型有機材料層於一陰極與一發光層之間。
一般而言，在有機電致發光裝置中，電子從一陰極注入並傳輸至一發光層，電洞從一陽極注入並傳輸至該發光層。是以，在相關技術領域之有機電致發光裝置中，注入電子或透過LUMO能階而傳輸電子之n型有機材料層係設置於該陰極與該發光層之間。
在有機電致發光裝置領域中，將p型有機材料層設置與該陰極連結被認為是相反的技術。然而，於本發明第一示例型實施例中，該第一p型有機材料層係設置作 為伴隨該陰極之有機材料層。此外，於該第一示例型實施例中，該第一n型有機材料層係設置於該第一p型有機材料層與該發光層之間。於此，電荷可產生於該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層之間。在該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層之間所產生的電荷中，電洞透過該第一p型有機材料層之HOMO能階朝向該陰極移動。該透過該第一p型有機材料層之HOMO能階移動之電洞往該陰極方向上脫離。再者，在該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層之間所產生的電荷中，電子透過該第一n型有機材料層之LUMO能階朝向該陽極移動。
注入界於該陰極與該陰極連結之有機材料層間的電子的方法將如下詳細描述。
該如圖2所示之相關技術領域之有機電致發光裝置，其包括與該陰極連接之有機材料層之該n型有機材料層。是以，注入來自陰極之電子之能障係該陰極功函數與該n型有機材料層之LUMO能階之間的差。圖4係為在相關技術領域之有機電致發光裝置的n型有機材料層及陰極間之電荷遷移。根據圖4，電子需克服對應陰極功函數與n型有機材料層LUMO能階之間的差的電子注入能障，以從該陰極功函數移動至該n型有機材料層LUMO能階。據此，在相關技術領域之有機電致發光裝置之結構中，為了降低電子注入能障，故導入如LiF層之電子注入層，一電子傳輸層係摻雜一鹼金屬或一鹼土金屬、或一具有低功函數之金屬可用來作為一陰極材料。
然而，如上所述，根據本發明第一示例型實施例，電荷係產生於該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層之間，在所產生的電荷中的電洞透過該第一p型有機材料層HOMO能階朝向該陰極移動。圖3顯示在根據本發明第一示例型實施例之有機電致發光裝置(如圖1所示之有機電致發光裝置)中，電荷在該陰極與該第一p型有機材料層之間的移動。根據圖3，傳輸至該第一p型有機材料層之HOMO能階之電洞將遇到該陰極之電子並且相消。是以，該電子注入能障不存在於該陰極與該第一p型有機材料層之間。因此，於本發明第一示例型實施例中，不需要致力於降低從該陰極致該有機材料層之間的電子注入能障。
據此，於本發明第一示例型實施例中，可從具有各種功函數的材料中選擇作為陰極材料。再者，不需要導入電子注入層或摻雜與陰極連接之有機材料層，以降低該電子注入能障。
同時，該有機電致發光裝置中的發光特性係該裝置之一重要特性。為了在該有機電致發光裝置中有效地發射光線，在發光區域中達到電荷平衡是重要的。為此目的，從該陰極傳輸之電子與從該陽極傳輸是電洞需要達成定量平衡，且在電子與電洞相遇形成激子(exitons)的點需要在該發光區域內。
同時，在該有機電致發光裝置中，根據發光顏色，可使用控制該裝置之共振腔體(cavity)之方法作為提高 發光效率之方法之一。透過控制該裝置之共振腔體以適合一發光顏色波長，可更提高該發光效率。於此，該裝置之共振腔體意指光線可在該裝置中共振之長度。在一例中，當一上電極為一透明電極且一下電極為一反射電極，該裝置之共振腔體可意指一從該上電極頂部致該下電極頂部之長度。
此外，於該有機電致發光裝置中，該層發光層至該陰極之距離也可透過表面電漿、金屬、波導模式、基板模式、外部偶合模式等影響光損失。據此，其可能需要校正從該發光層至該陰極之距離。
作為一例，圖14顯示模擬結果，說明該發光層至該陰極的距離，吸收、表面電漿+金屬損失、波導模式、玻璃模式、及輸出耦合模式。於圖14中，該吸收可定義為裝置中可發生光吸收的一部分，且可為在一有機材料及一基板中發生光吸收的部分。當該陰極為由一金屬材料所形成時，該表面電漿+金屬損失為藉由包含一損失而產生，該損失係由在提供做為反射板及該有機電致發光裝置所產生的光線的波長干涉的金屬界面的金屬表面電子振盪以及該金屬之吸收所致。該波導模式定義一部分，其中，由於使用於該有機電致發光裝置中的各個有機材料層(折射係數約1.7至1.9)、金屬氧化物(折射係數約1.8至1.9)、及玻璃(折射係數約1.5)折射係數之間的差異而於裝置中所產生的光線，不會射出裝置外而被限制於其內部。該玻璃模式定義一部分，其中，由於空氣(折射係數約1)及玻璃(折射係數約 1.5)之間的折射係數差異，於一有機材料中所產生的光線在光線到達玻璃(折射係數約1.5)時，被限制於玻璃內部。該輸出耦合模式係指最終可穿過玻璃逃脫至一外部空氣層的光線量。
當表面電漿+金屬損失減少時，可製造具有高效率的有機電致發光裝置。如圖14模擬所示，當發光層至陰極反射板(金屬層)的距離增加，則表面電漿+金屬損失減少，因此可製造具有高效率之裝置。於圖14中，縱軸為對應每一模式功率之相對比率，其中每一模式的總和為1。橫軸表示電子傳輸層的厚度，意即，從該發光層至該反射板的距離。
在相關技術領域中的有機電致發光裝置的結構中，如上所述，為了控制從該裝置的共振腔體或發光層到其之陰極的距離，當伴隨該陰極的n型有機材料層(如該電子傳輸層)的厚度增加時，可能導致電荷不平衡。然而，於根據本發明第一示例型實施例之有機電致發光裝置中，其可能控制與該陰極連結之第一p型有機材料層的厚度。也就是說，控制該第一p型有機材料層厚度可用以控制該裝置之共振腔體或發光裝置與其之陰極間的距離。於本發明第一示例型實施例中，到達發光層的電子不會傳輸至該陰極，且產生於該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層之間。據此，該第一p型有機材料層厚度的控制不會影響在發光層中的電荷平衡。再者，於本發明第一示例型實施例中，當該第一p型有機材料層的厚度受到控制， 可使問題最小化，其係為在相關技術領域中的結構中，根據該電子傳輸層(其係為一n型有機材料層)厚度的增加而增加驅動電壓。
圖6顯示圖2所示在相關技術領域之有機電致發光裝置之陰極至發光層之結構。於該相關技術領域之結構中，當控制該陰極至該發光層的距離(D)時，該發光層中的電荷平衡可能會受到影響。理由是因為當n型有機材料層(如電子注入層或電子傳輸層)的厚度受到控制時，抵達該發光層的電子含量係隨之變化。圖5為如圖1本發明第一示例型實施例之有機電致發光裝置結構中的陰極至發光層之結構。在本發明第一示例型實施例的結構中，當與陰極連結的第一p型有機材料層的厚度Dh受到控制時，可影響從該發光層的一發光點至該陰極的距離D(如相對於該裝置共振腔體之距離)的控制，但因相對於電子含量的長度De不受影響而不影響該電荷平衡。於此，在該發光層中的發光點意指依據電子與電洞平衡而發出光線的點。該發光點可隨著發光層的材料而變化。在本發明涉及的技術領域中，該發光層的中心點或該發光層與其他層之間的界面可設定做為該發光點。
舉例而言，當該陰極作為一反射板時，從該發光層中的發光點到該陰極的距離D可控制為[該有機材料層折射率* λ/4]的整數倍。於此，λ為該發光層發射的框限之波長。由於具有不同顏色的光線具有不同波長，可能隨著該發光層發射光線的顏色不同而控制從該發光層中的發光 點至該陰極的距離D。再者，可能隨著該有機材料層的折射率不同而控制從該發光層中的發光點至該陰極的距離D。於此，當該有機材料層為由兩層以上組成時，可透過獲得每層的折射率然後獲得其總和而計算之該有機材料層的折射率。
此外，朝向陰極發射的光線抵達該陰極表面並反射，光線穿透的深度係隨著陰極材料類型而變化。據此，該陰極材料的類型導致在從該陰極表面反射的光線的相位變化。於此，在考量變化的相位差下，需控制從發光層中的發光點到該陰極的距離D。據此，陰極的材料也可能影響從該發光層到該陰極的距離。
當從發光層發射至該陰極的光線與從該陰極反射的光線發生相位相符，則產生一建設性干涉，從而其可能實現亮光，反之，當光線間發生相位不相符，則產生一破壞性干涉，從而部分光線被抵銷。根據如上述之相位相符與相位不相符的現象，發射光線的亮度係隨著從該發光層至該陰極的距離呈現一正弦曲線的形式。
根據本發明一示例型實施例，根據裝置中發光層至陰極距離的所發射的光線的亮度所對應的正弦曲線中，於光線亮度最高的X軸上的一點的值可設為從該發光層至該陰極之距離。
根據本發明一示例型實施例，從該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層之邊界到該發光層的一距離以及從該陽極至該發光層的一距離可受到控制，從而 該發光層中的電洞含量可與其中的電子含量平衡。於此，該電洞含量與該電子含量間的平衡意指注入該發光層之電洞與電子係於發光層中彼此再結合，從而有效地形成用於發散光線的激子，且使激子形成之電洞與電子之損失係最小化。舉例而言，當裝置中的電洞含量大於其中的電子含量，由於過量的電洞，除了參與激子的電洞之外，係產生不發射光線並湮滅的電洞，從而導致裝置中的量子效率的損失。反之，當電子含量大於電洞含量，可能導致電子的損失。據此，透過達成一注入電洞與電子之定量平衡，已嘗試減少被相消而不貢獻光線發射的電洞與電子的含量。
舉例而言，為達成在發光層中的電洞與電子間的定量平衡的手段，控制電洞與電子的移動速率也是很重要的。當電洞過量地出現於該發光層中，透過提高電子的注入速度可達成在該發光層中的電洞與電子間的平衡。一般而言，形成於陽極與發光層間的材料的電洞遷移率(亦即，在一第二電和傳輸通道中並傳輸電洞)係快於形成在陰極與發光層間的一材料的電子遷移率(亦即，在第一電荷傳輸通道中並傳輸電子)。舉例而言，NPB的電洞遷移率為8.8 X 10-4cm2/Vs，而Alq3的電子遷移率為6.7 X 10-5cm2/Vs。
據此，在提高裝置的發光效率中，增強電子遷移率是重要的，且在增加並使用從陰極到發光層的距離中，亦可有效地增加第一p型有機材料層的厚度，而非增加第一n型有機材料層的厚度。
因此，根據一例，從界於該第一p型有機材料 層與該第一n型有機材料層的邊界到該發光層的一距離可配置為小於從該陽極至該發光層的一距離。作為一具體例，從界於該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層的邊界至該發光層的距離可為100Å至500Å。於另一具體例中，從該陽極至該光層的距離可為500Å至5,000Å。然而，根據發光層特性或使用者，該特定值可不同。
根據本發明一示例型實施例，可控制該第一p型有機材料層的厚度以控制裝置的穩定性。當該第一p型有機材料層的厚度受控制而增加時，裝置的穩定性可更進一步增加而不影響裝置中的電荷平衡或電壓的增加。
於此，裝置的穩定性意指可防止因陽極與陰極接觸的短路現象的程度，當裝置薄型化時可能發生該現象。一般而言，當設置於該陰極與該發光層之間的該n型有機材料層的厚度受到控制而增加時，可改善裝置的穩定性，但其驅動電壓會快速的增加，從而減少其功率效率。為了解決在相關技術領域中的問題，已嘗試控制設置於該陰極與該發光層間的該n型有機材料層的厚度以提高，並以金屬摻雜該有機材料層，但在光吸收效率的增加及使用壽命的降低上發生問題，且其製程變得複雜。
然而，根據本發明所述，可透過控制該第一p型有機材料層以增加界於該發光層及該陰極間的距離取代控制設置於陰極與發光層之間的該n型有機材料的厚度，且不會影響電荷平衡或電壓增加。據此，可改善裝置的穩定性，從而提高功率效率。
根據一實施例，在裝置穩定性的考量下，從該陰極至該發光層的距離可大於從陽極至該發光層的距離。不同於相關技術領域中，即便在這樣的配置，電荷平衡或在電壓上的增加不會受影響。在一具體實施例中，該第一p型有機材料層的厚度可控制為5奈米以上，且當該第一p型有機材料層變厚，該裝置的穩定性可被改善。該第一p型有機材料層厚度的上限並不特別受限，且可為本領域技術人員決定。舉例而言，在製程便利性的考量下，該第一p型有機材料層的厚度可從500奈米以下選擇。
根據本發明另一具體實施例，該第一p型有機材料層的厚度可被受控制，從而該有機電致發光裝置之共振腔體長度為從該發光層發射的光線的波長的整數倍。如上所述，透過控制該有機電致發光裝置共振腔體長度為光線波長整數倍，藉由光線的建設性干涉改善發光效率是可能的。
根據本發明又一具體實施例，可控制從界於該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層之間的邊界到該發光層的距離與從該陽極到該發光層的距離，使得該發光層中的電洞含量與其中的電子含量平衡，並且控制該第一p型有機材料層的厚度，使得該有機電致發光裝置的共振腔體長度為從該發光層發射光線波長的整數倍。
根據本發明再一具體實施例，可控制電子從界於該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層之間的邊界到該發光層的移動時間以及電洞從該陽極到該發光層 的移動時間，使得該裝置的電洞與電子在該發光層中達到定量平衡，並且控制該第一p型有機材料層厚度，使得該有機電致發光裝置的共振腔體長度為該發光層發射光線波長的整數倍。
具體而言，根據本發明，該第一p型有機材料層的HOMO能階及該第一n型有機材料層的LUMO能階之間的差異為2eV以下。根據本發明一示例型實施例，該第一p型有機材料層的HOMO能階及該第一n型有機材料層的LUMO能階之間的差異可大於0eV至2eV以下，或為大於0eV至0.5eV以下。根據本發明另一示例型實施例，可選擇用於該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層的材料，使得該第一p型有機材料層的HOMO能階及該第一n型有機材料層的LUMO能階之間的差異可為0.01eV至2eV。
在該第一p型有機材料層的HOMO能階及該第一n型有機材料層的LUMO能階之間的差異為2eV以下的情況中，當該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層彼此接觸，則一NP接面可輕易產生於其間。在此情況下，可降低用於注入電子的驅動電壓。
該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層可彼此接觸。在此請況下，形成於該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層間的NP接面。當該NP接面形成，該第一p型有機材料層的HOMO能階及該第一n型有機材料層的LUMO能階之間的差異係減少。據此，當施加 一外部電壓時，電洞與電子將容易於該NP接面形成。
再者，描述於本發明中的該第一p型有機材料層係為「無摻雜」。當一材料透過摻雜而呈現p型特性以使用作為該第一p型有機材料層時，發光效率可依據材料類型而降低。特別是，當進行一p型摻雜而形成一電荷轉移複合物時，該複合物可具有不同於每一材料摻雜前的光吸收峰，且其可見光吸收度可不同於每一摻雜前之材料。當該複合物透過該p型摻雜有機材料層吸收可見光，透過吸收來自該有機電致裝置發光層發射的光線的發光效率係降低。再者，由於其並無法經常確定p型摻雜劑的已知材料是透過HOMO能階或透過LUMO能階傳輸電荷，故選擇適合的材料並預期裝置效率是困難的。然而，依據本發明一示例型實施例，透過使用無摻雜的第一p型有機材料層，將不需擔心上述問題可能發生。
根據本發明一示例型實施例，該陰極功函數可為一等於或小於該第一p型有機材料層之HOMO能階之值。
當該陰極功函數可等於或小於該第一p型有機材料層之HOMO能階之值，當從該陰極注入電子至該第一p型有機材料層之HOMO能階，則不呈現一能障。
根據本發明一示例型實施例，該陰極與該第一p型有機材料層可彼此接觸。當該陰極與該第一p型有機材料層彼此接觸且該陰極功函數等於或大於該第一p型有機材料層之HOMO能階，即便該陰極功函數與該第一p型有 機材料層HOMO能階間的差異大，電子容易從該陰極被注入至該第一p型有機材料層之HOMO能階。這是因為由該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層間的NP接面產生的電洞係沿著該第一p型有機材料層朝向該陰極移動。一般而言，當電子從低能階往高能階移動，沒有能障。再者，當電洞從高能階往低能階移動時，將不會產生能障。據此，電子可從該陰極往該第一p型有機材料層HOMO能階移動而無能障。
附加層可額外地設置於該陰極與該第一p型有機材料層之間。在此情況下，該附加層的HOMO能階可等於該陰極的功函數或該第一p型有機材料層的HOMO能階，或可為界於該陰極的功函數或該第一p型有機材料層的HOMO能階之間。
該第一p型有機材料層及該第一n型有機材料層可彼此接觸。在此情況下，可於該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層之間形成一NP接面。當NP接面形成時，可降低界第一p型有機材料層HOMO能階與第一n型有機材料層LUMO能階之間的差。據此，當施加一外部電壓時，電洞與電子可輕易地從該NP接面形成。
該第一p型有機材料層之材料可為p型半導體特性的有機材料。舉例而言，可為芳胺化合物。該芳胺化合物的例子如下式1之化合物所示。
[式1]
於式1中，Ar1、Ar2、及Ar3各自獨立為氫或烴基。於此，Ar1、Ar2、及Ar3之至少一者可包括一芳香族烴基取代基，且取代基可為彼此相同，且可由不同的取代基組成。那些不為芳香族烴基的Ar1、Ar2、及Ar3可為氫；直鏈、分枝、或環狀芳香族烴基；以及一含有N、O、S、或Se的雜環基。
式1的具體例子包括下列化學式，但不應以描述於本發明之示例型實施例之範圍為限。
該第一p型有機材料係透過一p型摻雜劑摻雜習知有機材料，而具有p型半導體特性。該第一p型有機材料層藉由該p型摻雜劑不呈現p型半導體特性，但包含一具有p型半導體特性之有機材料。在該具有p型半導體特性的有機材料的情況下，於該第一p型有機材料層中，也可包括兩種以上有機材料。
該第一n型有機材料層並不限於以單一材料組成，且可以一種或兩種以上具有n型半導體特性之化合物組成。此外，該第一n型有機材料層可由單一層組成，但也可包含二層或三層以上。同時，該二或三以上之層可由相同材料組成，但可為不同材料所組成。如有所需，組成該第一n型有機材料層之至少一層可經一n型摻雜劑摻雜。
如上所述，該第一n型有機材料層並不特別受限，只要該有機材料層為由一材料組成，該材料可透過該第一P型有機材料層及該發光層間之LUMO能階移動電荷。舉例而言，可使用如下式2之化合物。
於式2中，R1b至R6b可各自為氫、鹵素、腈基(nitrile，-CN)、硝基(nitro，-NO2)、磺醯基(sulfonyl，-SO2R)、亞碸基(sulfoxide，-SOR)、磺胺基(sulfonamide，-SO2NR)、磺酸基(sulfonate，-SO3R)、三氟甲基(trifluoromethyl，-CF3)、酯基(ester，-COOR)、醯基(amide，-CONHR或-CONRR')、一經取代或未經取代之直鏈或分枝之C1至C12烷氧基、一經取 代或未經取代之直鏈或分枝之C1至C12烷基、一經取代或未經取代之直鏈或分枝之C2至C12烯基、一經取代或未經取代之芳香族或非芳香族之雜環、一經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之單芳基胺或二芳基胺、或一經取代或未經取代之芳烷基胺，R及R'各自為一經取代或未經取代之C1至C60烷基、一經取代或未經取代之芳基、或一經取代或未經取代之5至7員雜環。
於本說明書中，該「經取代或未經取代」意指未經取代或經鹵素、腈基(nitrile，-CN)、硝基(nitro，-NO2)、磺醯基(sulfonyl，-SO2R)、亞碸基(sulfoxide，-SOR)、磺胺基(sulfonamide，-SO2NR)、磺酸基(sulfonate，-SO3R)、三氟甲基(trifluoromethyl，-CF3)、酯基(ester，-COOR)、醯基(amide，-CONHR或-CONRR')、直鏈或分枝之C1至C12烷氧基、直鏈或分枝之C1至C12烷基、直鏈或分枝之C2至C12烯基、芳香族或非芳香族之雜環、芳基、單芳基胺或二芳基胺、或芳烷基胺取代，其中，R及R'各自為一經取代或未經取代之C1至C60烷基、芳基、或5至7員雜環。
式2化合物可為如下式2-1至2-6之化合物。
[式2-1]
[式2-4]
[式2-6]
式2其他例子、或合成方法及各種特性係描述於美國專利申請號第2002-0158242號及專利號第6,436,559與4,780,536號，且其內容全部併入本發明說明。
再者，該第一n型有機材料層可包括一種以上選自由2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基對苯二醌二甲烷(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane，F4TCNQ)；經氟取代之3,4,9,10-苝四羧酸二酐(fluoro-substituted 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride，PTCDA)；經氰基取代之3,4,9,10-苝四羧酸二酐(cyano-substituted 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride，PTCDA)；萘四甲酸二酐(naphthalene tetracaboxylic dianhydride，NTCDA)；經氟取代之萘四甲酸二酐(fluoro-substituted naphthalene tetracaboxylic dianhydride，NTCDA)；以及經氰基取代之萘四甲酸二酐(cyano-substituted naphthalene tetracaboxylic dianhydride，NTCDA)之化合物。
此外，第一n型有機材料層之材料可使用一有機材料，其為本領域習知之電子注入或傳輸材料且具有n 型半導體特性。特別是，可使用下列材料，但本發明並不以此為限，舉例而言，該第一n型有機材料層之材料例子可選自具有咪唑基(imidazole group)、噁唑基(oxazole group)、噻唑基(thiazole group)、喹啉基(quinoline group)、及菲咯啉基(phenanthroline group)之官能基之化合物。
具有選自由咪唑基、噁唑基、及噻唑基之官能基之化合物之具體例子包括下式3及式4之化合物。
於式3中，R1至R4可為彼此相同或不同，且各自獨立為：氫原子；C1至C30烷基，其係為未經取代或經一種以上選自由鹵素原子、胺基、腈基、硝基、C1至C30烷基、C2至C30烯基、C1至C30烷氧基、C3至C30環烷基、C3至C30雜環烷基、C5至C30芳基、及C2至C30雜芳基所組成群組之基團取代；C3至C30環烷基，其係為未經取代或經一種以上選自由鹵素原子、胺基、腈基、硝基、C1至C30烷基、C2至C30烯基、C1至C30烷氧基、C3至C30環烷基、C3至C30雜環烷基、C5至C30芳基、及C2至C30雜芳基所組成群組之基團取代；C5至C30芳基，其係為未經取代或經一種以上選自由鹵素原子、胺基、腈基、硝基、C1至C30烷基、C2至C30烯基、C1至C30烷氧基、C3至C30環烷基、C3至C30雜環 烷基、C5至C30芳基、及C2至C30雜芳基所組成群組之基團取代；或C2至C30雜芳基，其係為未經取代或經一種以上選自由鹵素原子、胺基、腈基、硝基、C1至C30烷基、C2至C30烯基、C1至C30烷氧基、C3至C30環烷基、C3至C30雜環烷基、C5至C30芳基、及C2至C30雜芳基所組成群組之基團取代；且可與相鄰基團一起形成脂肪族(aliphatic)、芳香族(aromatic)、雜脂族縮合環(aliphatic hetero condensation ring)或雜芳香族縮合環(aromatic hetero condensation ring)或螺鍵(spiro bond)；Ar1為氫原子、一經取代或未經取代之芳香基、或一經取代或未經取代之芳香雜環；X為O、S或NRa；Ra可為氫、C1至C7芳族烴、芳香環、或芳香雜環。
於式4中，X為O、S、NRb、或C1至C7二價烴基(divalent hydrocarbon group)；A、D、及Rb各自獨立為氫、腈基(nitrile，-CN)、硝基(nitro，-NO2)、C1至C24烷基、一含有C5至C20芳香環或一雜原子之經取代芳香環、一鹵素、或一亞烷基(alkylene)或含有可與相鄰環共同形成融合環之雜原子之亞烷基；A及D可彼此連接以形成一芳族環或一雜芳環；B為一經取代或未經取代之亞烷基，或者當n為2以上時，B為共軛或非共軛連接多雜環作為連接單元之亞烷 基，且當n為1時，為一經取代或未經取代之烷基或芳基；以及n為1至8之整數。
式4化合物的例子包括韓國專利第2003-006773號揭露之化合物，並且式4化合物的例子描述於美國專利第5,645,948號以及第WO05/097756號。該些文件內容係全部併入本發明說明中。
具體而言，式3化合物也包括式5化合物。
於式5中，R5至R7彼此為相同或不同，且各自獨立為氫原子、一C1至C20脂族烴、一芳香環、一芳香雜環、或一脂族或芳香族融合環；Ar為一直接鍵結、一芳香環或一芳香雜環；X為O、S或NRa；Ra可為氫、C1至C7脂族烴、芳香環、或芳香雜環；並且排除R5及R6同時為氫的情況。
再者，式4化合物也包括下式6化合物。
於式6中，Z為O、S、或NRb；R8及Rb為氫原子、C1至C24烷基、一含有C5至C20芳香環或一雜原子之 經取代芳香環、或一鹵素、或一亞烷基(alkylene)或一含有一可與苯並唑環一起形成融合環之雜原子之亞烷基；B為亞烷基、亞芳基、一經取代之亞烷基、或一經取代之亞芳基，當n為2以上時，B其共軛或非共軛連接多苯並唑環作為連接單元，且當n為1時，其為一經取代或未經取代之烷基或芳基；以及n為1至8之整數。
舉例而言，可使用具有下列結構之咪唑化合物：
喹啉基的例子包括下列式7至式13之化合物。
[式10]
於式7至式13中，n為0至9之整數，m為2以上之整數；R9為具有選自由下列基團之環結構：氫、一烷基(如甲基(methyl group)及乙基(ethyl group))、一環烷基(cycloalkyl group，如環己基(cyclohexyl)及降冰片基(norbornyl))、一芳烷基(aralkyl group，如苄基(benzyl group))、一烯基(alkenyl group，如乙烯基(vinyl group)及烯丙基(allyl group)、一環烯基(cycloalkenyl group，如環戊二烯基(cyclopentadienyl group)及環己烯基(cyclohexenyl group))、一烷氧基(alkoxy group，如甲氧烷基(methoxy group))、一硫基 (alkylthio group，其中，烷氧基之醚鍵之氧原子被硫原子取代)、一芳醚基(an aryl ether group，如苯氧基(phenoxy group))、一芳硫醚基(aryl thioether group，其中芳醚基之醚鍵之氧原子被硫原子取代)、一芳基(aryl group，如苯基(phenyl group)、萘基(naphthyl group)、及聯苯基(biphenyl group))、一雜環基(heterocyclic group，如呋喃基(furyl group)、噻吩基(thienyl group)、噁唑基(oxazolyl group)、吡啶基(pryridyl group)、喹啉基(quinolyl group)、及咔唑基(carbazolyl group))、一鹵素、一氰基、一醛基、一羰基、一羧基、一酯基、一氨甲醯基(carbamoyl group)、一胺基(amino group)、一硝基、一矽烷基(silyl group，如三甲基矽烷基(trimethylsilyl group)、一矽氧烷基(siloxanyl group，其係為具有通過醚鍵之矽之基團)、以及一相鄰取代基；且該些取代基可為未經取代或經取代，且當n為2以上時，其可為彼此相同或不同；以及Y為一R9基團之二價基團。
式7至式13化合物係描述於韓國專利第2007-0118711號，且該文件所有內容合併於本發明說明中做為參考。
具有鄰二氮菲(phenanthroline)基之化合物的例子包括下列式14至式24之化合物，但不僅限於此。
於式14至式17中，m為1以上之整數，n及p為整數且n+p為8以下；當m為1，R10及R11為具有選自由下列基團之環結構：氫、一烷基(如甲基(methyl group)及乙基(ethyl group))、一環烷基(cycloalkyl group，如環己基(cyclohexyl)及降冰片基(norbornyl))、一芳烷基(aralkyl group，如苄基(benzyl group))、一烯基(alkenyl group，如乙烯基(vinyl group)及烯丙基(allyl group)、一環烯基(cycloalkenyl group，如環戊二烯基(cyclopentadienyl group)及環己烯基(cyclohexenyl group))、一烷氧基(alkoxy group，如甲氧烷基(methoxy group))、一硫基(alkylthio group，其中，烷氧基之醚鍵之氧原子被硫原子取代)、一芳醚基(an aryl ether group，如苯氧基(phenoxy group))、一芳硫醚基(aryl thioether group，其中芳醚基之醚鍵之氧原子被硫原子取代)、一芳基(aryl group，如苯基(phenyl group)、萘基(naphthyl group)、及聯苯基(biphenyl group))、一雜環基(heterocyclic group，如呋喃基(furyl group)、噻吩基(thienyl group)、噁唑基(oxazolyl group)、吡啶基(pryridyl group)、喹啉基(quinolyl group)、及咔唑基(carbazolyl group))、一鹵素、一氰基、一醛基、一羰基、一羧基、一酯基、一氨甲醯基(carbamoyl group)、一胺基(amino group)、一硝基、一矽烷基(silyl group，如三甲基矽烷基(trimethylsilyl group)、一矽氧烷基(siloxanyl group，其係為具有通過醚鍵之矽之基團)、以及一相鄰取代基；當m為2以上時，R10為一直接鍵結或一上述基團之二價以上基團，且R11則與m為1的情況相同；該些取代基可為未經取代或經取代，且當n或p為2以上，該些取代基可為彼此相同或不同。
式14至式17化合物係描述於韓國專利第2007-0052764及2007-0118711號，且該文件所有內容合併於本發明說明中做為參考。
於式18至式21中，R1a至R8a及R1b至R10b各自為氫原子、一經取代或未經取代具有5至60個環原子(nucleus atoms)之芳基(aryl group)、一經取代或未經取代之吡啶基(pyridyl group)、一經取代或未經取代之喹啉(quinolyl group)、一經取代或未經取代具有1至50個碳原子之烷基、一經取代或未經取代具有3至50個碳原子之環烷基、一經取代或未經取代具有6至50個環原子之芳烷基(aralkyl group)、一經取代或未經取代具有1至50個碳原子之烷氧基、一經取代或未經取代具有5至50個環原子之芳氧基 (aryloxy group)、一經取代或未經取代具有5至50個環原子之芳硫基(arylthio group)、一經取代或未經取代具有1至50個碳原子之烷氧基羰基(alkoxycarbonyl group)、一經具有5至50個環原子之經取代或未經取代芳基取代之胺基、一鹵素原子、一氰基、一硝基、一羥基、或一羧基，且其可彼此鍵結以形成一芳香環；以及L為一經取代或未經取代具有6至60個碳原子之亞芳基(arylene group、一經取代或未經取代之亞吡啶基(pyridinylene group)、一經取代或未經取代之亞喹啉基(quinolynylene group)、或一經取代或未經取代之亞芴基(fluorenylene group)。式18至式21化合物係描述於日本專利申請號第2007-39405號中，且該文件內容係全部併入本發明中做為參考。
於式22及式23中，d1、d3至d10、及g1各自獨立為氫、或一芳香族或脂族烴基，m及n為0至2之整數， 以及p為0至3之整數。式22及式23化合物係描述於美國專利公開號第2007/0122656號中，且該文件內容係全部併入本發明中做為參考。
於式24中，R1c至R6c各自為氫原子、一經取代或未經取代之烷基、一經取代或未經取代之芳烷基、一經取代或未經取代之芳基、一經取代或未經取代之雜環基、或一鹵素原子，且Ar1c及Ar2c各自為選自由下列結構式。
於該些結構式中，R17至R23各自為氫原子、一經取代或未經取代烷基、一經取代或未經取代之芳烷基、一經取代或未經取代之芳基、一經取代或未經取代之雜環基、或一鹵素原子。式24化合物係描述於日本專利公開號第2004-107263中，且該文件內容係全部併入本發明中做為參考。
至少一有機材料層可更包括於該第一n型有機材料層及該發光層之間。具有一或二以上之層之一電子傳輸層、一電洞阻障層、及類似者可設於該第一n型有機材 料層及該發光層之間。
以下，將詳細描述根據本發明第一示例型實施例之組成該有機電致發光裝置之每一層。描述於下之每一層之材料可為單一材料或兩種以上材料之混合物。
陽極
陽極包括一金屬、一金屬氧化物、或一導電高分子。該導電高分子可包括一電性導電高分子。舉例而言，該陽極可具有約3.5eV至5.5eV之功函數。示例型導電材料的例子包括碳、鋁(aluminum)、釩(vanadium)、鉻(chromium)、銅(copper)、鋅(zinc)、銀(silver)、金(gold)、或其他金屬、及其合金；氧化鋅(zinc oxide)、氧化銦(indium oxide)、氧化錫(tin oxide)、氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide)、及其他類似物的金屬氧化物；一氧化物與金屬的混合物，例如ZnO：Al及SnO2：Sb及其類似物。作為用於該陽極的材料，可使用一透明材料或一不透明材料。在光線發射於該陽極方向的結構的情況中，該陽極可透明化。於此，只要從該有機材料層發射的光線可穿透，透明度便足夠，並且其透光度並不特別限制。
舉例而言，當根據本發明之有機電致發光裝置為一頂部發射類型，且於形成該有機材料層及該陰極之前形成該陽極於該基板上，除了透明材料之外，也可使用具有優異光學反射性之不透明材料作為陽極材料。舉例而言，當本發明之有機電致發光裝置為一底部發射類型，且於形成該有機材料層及該陰極之前形成該陽極於該基板上時， 該陽極之材料可為透明材料，或需呈薄膜態以達到透明化之不透明材料。
電洞注入或傳輸層
於根據本發明第一示例型實施例之有機電致發光裝置中，一第二p型有機材料層可包含於該發光層及該陽極之間，其間係形成該第二電荷傳輸通道。圖12示出當設置該第二p型有機材料層時的一能量流(energy flow)。該第二p型有機材料層可為一電洞注入層或一電洞傳輸層。該第二p型有機材料層之材料可為上述材料作為用於該第二p型有機材料層之材料。
第四n型有機材料層可設於該第二p型有機材料層與該陽極之間。於此，該第二p型有機材料層之HOMO能階與該第四n型有機材料層之LUMO能階之能階差可為2eV以下，或1eV以下，例如為0.5eV。該第二p型有機材料層及該第四n型有機材料層可彼此接觸。據此，該第二p型有機材料層及該第四n型有機材料層可形成一NP接面。圖13示出當設置該第四n型有機材料層時的一能量流(energy flow)。
該第四n型有機材料層可具有約4eV至約7eV之LUMO能階，以及約10-8cm2/Vs至約1cm2/Vs，或約10-6cm2/Vs至約10-2cm2/Vs之電子遷移率。具有該範圍內的電子遷移率之該第四n型有機材料層係利於有效的電洞注入。
該第四n型有機材料層也可透過真空沉積或可 透過溶液製程成型一薄膜而形成。該第四n型有機材料的具體例子包括2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基對苯二醌二甲烷(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane，F4TCNQ)、經氟取代之3,4,9,10-苝四羧酸二酐(fluoro-substituted 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride，PTCDA)、經氰基取代之PTCDA(cyano-substituted PTCDA)、萘四甲酸二酐(naphthalene tetracaboxylic dianhydride，NTCDA)、經氟取代之NTCDA(fluoro-substituted NTCDA)、經氰基取代之NTCDA(cyano-substituted NTCDA)、或六腈六氮雜苯並菲(hexanitrile hexaazatriphenylene，HAT)，但並不僅限於此。
當該第四n型有機材料層及該第二p型有機材料層形成一NP接面時，從該NP接面形成之電洞係透過該第二p型有機材料層而傳輸至該發光層。
該第二p型有機材料層可包括一芳胺化合物、一導電高分子、或一具有共軛部分及非共軛部分兩者之嵌段共聚物、及其類似物，但並不僅限於此。
發光層(Light Emitting Layer，EML)
於該發光層中電洞傳輸及電子傳輸係同時發生，從而該發光層可具有n型及p型兩種特性。為了方便起見，當電子傳輸快於電洞傳輸，該發光層可定義為一n型發光層；當電洞傳輸快於電子傳輸，該發光層可定義為一p型發光層。
該n型發光層包括鋁三(8-羥基喹啉)(aluminum tris(8-hydroxy quinoline)，Alq3)、8-羥基喹啉鈹(8-hydroxy quinoline beryllium，BAlq)、苯並噁唑(benzoxazole)類化合物、苯並噻唑(benzthiazole)類化合物或苯並咪唑(benzimidazole)類化合物、聚芴(polyfluorene)系化合物、矽雜環戊二烯(噻咯)系化合物(sila cyclopentadiene(silole)-based compound)等，但並不限於此。
該p型發光層包括咔唑(carbazole)系化合物、蒽(anthracene)系化合物、一個聚亞苯基亞乙烯基(polyphenylenevinylene，PPV)類聚合物、或螺環(spiro)化合物等，但並不限於此。
電子傳輸層(Electron Transporting Layer，ETL)
於本發明中，該第一n型有機材料層也可形成作為一電子傳輸層，並且附加的第二n型有機材料層也可設於該第一n型有機材料層及該發光層之間。圖10示出設置該第二n型有機材料層時的能量流。該第二n型有機材料層可做為一電子傳輸層或一電洞阻障層。較佳地，該第二n型有機材料層之材料為具有大的電子遷移率之材料，以利傳輸電子。一第三n型有機材料層也可設於該第二n型有機材料層及該發光層之間。該第三n型有機材料層也可做為一電子傳輸層或一電洞阻擋層。圖11示出設置該第三n型有機材料層時的能量流。
如上所述，較佳地，該第一n型有機材料層由具有2eV以下之LUMO能階之材料組成，且該第一p型有機材料由一具有2eV以下之HOMO能階之材料組成。根據 一例，該第一n型有機材料層可具有5eV至7eV之LUMO能階。
較佳地，該第二n型有機材料層之LUMO能階小於該第一n型有機材料層之LUMO能階。根據一例，該第二n型有機材料層可具有2eV至3eV之LUMO能階。根據一例，該第二n型有機材料層可具有5eV至6eV之LUMO能階，更具體為5.8eV至6eV。
該第二或第三n型有機材料層包括：鋁三(8-羥基喹啉)(aluminum tris(8-hydroxy quinoline)，Alq3)；一包括Alq3結構之有機化合物；一羥基黃酮金屬複合物(hydroxyflavone-metal complex)或戒環戊二烯基系化合物(噻咯)(sila cyclopentadiene(silole)-based compound)等，但不以此為限。該第二或第三n型有機材料層之材料也可使用前述用於該第一n型有機材料層之材料。該第二或第三n型有機材料層可經n型摻雜劑摻雜。根據一示例型實施例，當該第二n型有機材料層或第三n型有機材料層之任一者經n型摻雜劑摻雜，該摻雜層之主體材料與一未摻雜層之材料可彼此相同。
該n型摻雜劑可為一有機材料或一無機材料。當該n型摻雜劑為一無機材料，該n型摻雜劑可包括：一鹼金屬，例如Li、Na、K、Rb、Cs、或Fr；一鹼土金屬，例如Be、Mg、Ca、Sr、Ba、或Ra；一稀土金屬，例如La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Th、Dy、Ho、Er、Em、Gd、Yb、Lu、Y、或Mn；或是一包含一種以上該些金屬之金屬 化合物。反之，該n型摻雜劑也可為一包含環戊二烯(cyclopentadiene)、環庚三烯(cycloheptatriene)、六員雜環、或包括這些環的的縮合環之材料。於此，摻雜濃度可為0.01重量百分比至50重量百分比，或為1重量百分比至10重量百分比。
一具體例中，該有機電致發光裝置包括第一至第三n型有機材料層，其中該第一n型有機材料層可包括如式1之化合物，並且該第二n型有機材料層可經n型摻雜劑摻雜。於此，該第二n型有機材料層及該第三n型有機材料層可包括作為主體材料之式5化合物。
陰極
如上所述，於本發明中，一陰極材料可選自透過包含上述第一p型有機材料及第一n型有機材料而具有各種功函數之材料。較佳地，該陰極材料通常為一具有小功函數之材料，以促進電子注入。然而，於本發明中，也可採用具有大的功函數之材料。具體地，於本發明中，可使用一功函數等於或大於該第一p型有機材料層HOMO能階之材料作為該陰極材料。舉例而言，於本發明中，功函數為2eV至5Ev之材料可用來作為該陰極材料。該陰極可包括：一金屬，例如鎂(magnesium)、鈣(calcium)、鈉(sodium)、鉀(potassium)、鈦(titanium)、銦(indium)、釔(yttrium)、鋰(1ithium)、釓(gadolinium)、鋁(aluminum)、銀(silver)、錫(tin)、及鉛(lead)，或其合金；一多層構成之材料，例如LiF/Al或LiO2/Al，及其類似物。
當使用Al作為該陰極材料時，其可透過單獨使用Al或與LiF或Liq共用而使裝置有效率地操作。具體而言，當使用Ag作為該陰極材料，單獨使用Ag或與LiF或Liq共用將無法有效地操作所屬相關技術領域之裝置，因此，當一有機材料層結合該陰極時，需使用由一金屬(如鹼金屬或鹼土金屬)組成之層或一經金屬摻雜之有機材料層。然而，於本發明所述之示例型實施例中，具有大功函數之材料，如Ag，用來作為陰極材料而無需如上述之金屬層或經金屬摻雜之有機層。此外，於本發明所述之示例型實施例中，具有高功函數之透明導電氧化物，如IZO(功函數為4.8eV至5.2eV)也可用來作為該陰極材料。
根據本發明示例型實施例，該陰極可與該有機材料層物理性接觸。與該陰極接觸之該有機材料層可為上述第一p型有機材料層，並且可為一附加的有機材料層。於此，與該陰極接觸之該有機材料層為無摻雜。
於相關技術領域之有機電致發光裝置中，當使用具有大功函數(如Al或Ag)之材料之陰極時，其需摻雜一無機材料層(如LiF層)於一有機材料層及該陰極之間，或以一金屬摻雜該有機材料層。於相關技術領域中，當該陰極與該有機材料層接觸而無使用如上述之該無機材料層或該經金屬摻雜之有機材料層時，僅可使用2eV以上且低於3.5eV功函數之材料作為該陰極材料。然而，於根據本發明之有機電致發光裝置中，即便當該陰極接觸該有機材料層，陰極可藉由該第一p型有機材料層及該第一n型有機材料 層而使用一具有3.5eV以上功函數之材料。
根據本發明示例型實施例，該陰極可與該有機材料層物理性接觸，並且該陰極係由具有3.5eV以上功函數之材料所組成。
根據本發明示例型實施例，該陰極可與該有機材料層物理性接觸，並且該陰極係由具有4eV以上功函數之材料所組成。
根據本發明示例型實施例，該陰極可設置與該有機材料層物理性接觸，並且該陰極係由具有4.5eV以上功函數之材料所組成。
組成該陰極之材料之功函數之上限並無具體限制，但從材料選擇的觀點考慮，其可為具有5.5eV以下功函數之材料。
該陰極材料可同於該陽極之材料。在此情況下，該陰極可由前述陽極之材料而形成。此外，該陰極或該陽極可包括一透明材料。
描述於本發明之有機材料層(例如該第一及第二p型有機材料層、該第一至第四n型有機材料層、該陰極、及該陽極)之厚度或形狀或圖案類型為所屬技術領域具有通常知識者依據材料類型或依裝置所需而選擇。
一根據本發明第二示例型實施例之有機電致發光裝置包括：一陽極；一陰極；一發光層，設於該陽極及該陰極之間；一第一有機材料層，設於該發光層與該陰極之間；以及一第二有機材料層，設於該發光層及該第一 有機材料層之間。於此，該第一有機材料層傳輸電荷至該HOMO能階，且為無摻雜。該第二有機材料層傳輸電荷至LUMO能階。圖7示出根據該第二示例型實施例之有機電致發光裝置之堆疊結構。根據圖7，該陽極、該發光層、該第二有機材料層、該無摻雜之第一有機材料層、及該陰極依序堆疊於一基板上。然而，根據該第二示例型實施例之該有機電致發光裝置中，該陰極、該無摻雜之第一有機材料層、該第二有機材料層、該發光層、及該陽極依序堆疊於該基板上。
圖7係該發光層係直接接觸該陽極之結構。然而，一有機材料層可額外設於該發光層及該陽極之間。該有機材料層，其可設於該發光層及該陽極之間，可為一p型有機材料層。界於該發光層及該陽極間之該p型有機材料層的例子包括一電洞注入層、一電洞傳輸層、及其類似物。
於該第二示例型實施例中，該第一示例型實施例所述該第一p型有機材料層之相關內容可採用於該無摻雜第一有機材料層。再者，該第一示例型實施例所述該第一n型有機材料層之相關內容可採用於該第二有機材料層。此外，該第一示例型實施例所述該第二p型有機材料層之相關內容可採用設於該發光層及該陽極間之p型有機材料層之相關內容。再者，關於該第一示例型實施例之該電極及該有機材料層之敘述也可採用至該第二示例型實施例。
根據本發明第三示例型實施例之有機電致發 光裝置，其包括：一陽極；一陰極；一發光層，設於該陽極及該陰極之間；以及一緩衝層，設於該發光層及該陰極之間。於此，該緩衝層包括：一第一有機材料層，其係設置得比該發光層更靠近該陰極，該第一有機材料層傳輸電荷至該HOMO能階且為無摻雜；以及一第二有機材料層，其設置得比該陰極更靠近該發光層並且傳輸電荷至該LUMO能階。
圖8顯示根據該第三示例型實施例之有機電致發光裝置之堆疊結構。根據圖8，該陽極、該發光層、該緩衝層、以及該陰極依序堆疊於一基板上。於此，該緩衝層包括該第二有機材料層及該無摻雜之第一有機材料層，且該無摻雜之第一有機材料層係設置於該第二有機材料層及該陰極之間。然而，該根據該第三示例型實施例之有機電致發光裝置中，該陰極、該緩衝層、該發光層、及該陽極依序堆疊於該基板上。
圖8示出一結構，其中該發光層係直接接觸該陽極。然而，一有機材料層可額外設於該發光層及該陽極之間。該有機材料層，其可設於該發光層及該陽極之間，可為一p型有機材料層。界於該發光層及該陽極間之該p型有機材料層的例子包括一電洞注入層、一電洞傳輸層、及其類似物。
於該第三示例型實施例中，該第一示例型實施例所述該第一p型有機材料層之相關內容可採用於該無摻雜第一有機材料層。再者，該第一示例型實施例所述該第 一n型有機材料層之相關內容可採用於該第二有機材料層。此外，該第一示例型實施例所述該第二p型有機材料層之相關內容可採用於形成於該發光層及該陽極間之p型有機材料層之相關內容。再者，關於該第一示例型實施例之該電極及該有機材料層之敘述也可採用至該第三示例型實施例。
根據本發明第四示例型實施例之有機電致發光裝置，其包括：一陽極；一陰極；一發光層，設於該陽極及該陰極之間；以及一緩衝層，設於該發光層及該陰極之間。於此，該緩衝層包括：一第一p型有機材料層，其與該陰極連接且為無摻雜；以及一第一n型有機材料層，設於該第一p型有機材料層及該發光層之間。
圖9係第四示例型實施例之有機電致發光裝置之堆疊結構。根據圖9，該陽極、該發光層、該緩衝層、以及該陰極係依序堆疊於一基板上。於此，該緩衝層包括一第一n型有機材料層及一無摻雜之第一p型有機材料層，且該無摻雜之第一p型有機材料層係設置於該第一n型有機材料層及該陰極之間。然而，第四示例型實施例之有機電致發光裝置的結構中該陰極、該緩衝層、該發光層、及該陽極可依序堆疊於該基板上。
圖9示出一結構，其中該發光層係直接接觸該陽極。然而，一有機材料層可額外設於該發光層及該陽極之間。該有機材料層，其可設於該發光層及該陽極之間，可為一p型有機材料層。界於該發光層及該陽極間之該p 型有機材料層的例子包括一電洞注入層、一電洞傳輸層、及其類似物。
於該第四示例型實施例中，該第一示例型實施例所述該第一p型有機材料層之相關內容可採用於該無摻雜p型有機材料層。再者，該第一示例型實施例所述該第一n型有機材料層之相關內容可採用於該n型有機材料層。此外，該第一示例型實施例所述該第二p型有機材料層之相關內容可採用於該可設於該發光層及該陽極間之p型有機材料層之相關內容。
根據本發明第五示例型實施例之有機電致發光裝置，其包括：一陽極；一陰極；以及一層以上之有機材料層，設置於該陽極與該陰極之間；其中，該陰極之一功函數為與其連接之該有機材料層之一HOMO能階以下。於根據本示例型實施例之有機電致發光裝置中，圖3示出一電荷於該陰極及該第一p型有機材料層間之移動之示意圖。如圖3所示，只要該陰極功函數為其連接之有機材料層之HOMO能階以下，該陰極與該有機材料層之間係不呈現一電子注入能障，因此不需致力於降低該陰極至該有機材料層之電子注入能障。據此，根據本發明所述，可從具有各種功函數之材料中選擇陰極材料。再者，不需要導入與陰極連接之一電子注入層或以一金屬材料摻雜之有機材料層，以降低電子注入能障。
根據本發明另一示例型實施例，該第一p型有機材料層為無摻雜。當該第一p型有機材料層為無摻雜時， 可能防止光吸收的增加、使用壽命的減少、或根據摻雜之製程效率低下。
於本發明又一示例型實施例中，該伴隨該第一p型有機材料層之有機材料層為一第一n型有機材料層。在此情況下，於上述第一p型有機材料層及該第一n型有機材料層間產生電荷，並且所產生之電洞將通過該第一p型有機材料層之HOMO能階而朝該陰極移動。透過該第一p型有機材料層之HOMO能階移動之電洞將朝陰極之方向上移動。再者，於該第一p型有機材料層及該第一n型有機材料層間所產生之電荷中，電子可通過該第一n型有機材料層之LUMO能階而朝該發光層移動。圖5示出關於該發光層、該第一n型有機材料層、該第一p型有機材料層及、及該陰極之電荷遷移。
於本發明又再一示例型實施例中，該有機材料層包括：一發光層；該第一p型有機材料層，設於該陰極及該發光層之間；以及該第一n型有機材料層，設於該p型材料曾及該發光層之間。本示例型實施例之有機電致發光裝置可包括，例如與圖1裝置相同之結構。根據圖3，一陽極、一發光層、一第一n型有機材料層、一無摻雜第一p型有機材料層、及一陰極依序堆疊於一基板上。特別是，根據圖1，該第一p型有機材料層伴隨該陰極，且該第一n型有機材料層設置為形成於該第一p型有機材料層及該發光層之間的該有機材料層。
關於有機電致發光裝置之配置，例如第一示例 型實施例中的第一及第二p型有機材料層、第一至第四n型有機材料層等及其描述內容也可應用至該第五示例型實施例中。
根據本發明示例型實施例之有機電致發光裝置可為一包括光萃取結構之裝置。
於本發明示例型實施例中，該有機電致發光裝置更包括：一基板，設於一表面上，該表面係面對形成有該陽極或該陰極之有機材料層之表面；以及一光萃取層，設於該基板及該陽極或該陰極之間，或設於一表面上，該表面係面對設有該基板之陽極或陰極之一表面。
換言之，該有機電致發光裝置更包括一內部光萃取層，其界於該基板及該陽極或該陰極之間，其設於一表面上，該表面面對設有該陽極或該陰極之該有機材料層之一表面。於另一示例型實施例中，一外部光萃取層可額外設置於該陽極或該陰極設置於該基板之一表面之反側表面上。
於本發明中，該內部光萃取層或該外部光萃取層並不特別受限，只要該層具有可誘導光線散射之結構，從而改善裝置之光萃取效率即可。於一示例型實施例中，該光萃取層可藉由使用一具有散射顆粒分散於黏結劑中之結構之膜而形成，或為不平坦的膜。
此外，該光萃取層可藉由如旋塗法、棒塗法、狹縫塗佈法等方法直接形成於該基板上，或可藉由製造薄膜型態的層並貼附該層之方法而形成。
於本發明一示例型實施例中，該有機電致發光裝置為一可撓性有機電致發光裝置。在此情況下，該基板包括一可撓性材料。舉例而言，其可能使用具有可撓性薄膜型態之玻璃、塑膠、或具有薄膜型態之一基板。
該塑膠基板的材料並不特別設限，但一般而言，PET、PEN、PI等之薄膜可使用於單層或複數層之形式。
於本發明一示例型實施例中，提供一包含該有機電致發光裝置之顯示器設備。
於本發明一示例型實施例中，提供一包含該有機電致發光裝置之照明設備。在該第一示例型實施例中，上述配置，其可被增加或修飾，也可採用致第二至第四示例型實施例中。
以下，將描述上述示例型實施例之具體例子。然而，下列例子僅為說明目的，不意圖限制該示例型實施例之範疇。
<實施例1>
厚度為1,000Å之陽極係使用IZO透過一濺鍍法而形成於一基板上，並且厚度為500Å之p型電洞注入層係透過熱真空沉積將下式之m-MTDATA形成於其上。接著，厚度為400Å之p型電洞傳輸層係透過真空沉積將下式之NPB形成於其上。
接著，厚度為300Å之發光層係透過摻雜10重量百分比如下式之Ir(ppy)3於下式之CBP而形成。厚度為50Å之電洞阻障層係將下式BCP形成於其上而製成。
厚度為100Å之有機材料層係使用如下式之電子傳輸材料而形成於其上，並且厚度為50Å之電子傳輸層係藉由摻雜10重量百分比之Ca於下式電子傳輸材料而形成於其上。
厚度為300Å之第一n型有機材料層(LUMO能階：5.7eV)係將下式為一n型有機材料之HAT形成於其上而製成，並且厚度為2,000Å之第一p型有機材料層(HOMO能階：5.4eV)係使用NPB作為該p型有機材料而形成。於此，該第一n型有機材料層能階與該第一p型有機材料層能階之間的差異約為0.3eV。
最後，藉由形成厚度為2,000Å之Ag陰極，以製成一有機電致發光裝置。
於製程中，該有機材料之沉積速率係維持在0.5Å/sec至1Å/sec，並且於沉積期間的真空度係維持在2 x 10-7torr至2 x 10-8torr。
<實施例2>
除了以HAT於IZO陽極上形成一n型電洞注入層，以取代該p型電洞注入層之外，一有機電致發光裝置係以如實施例1之相同方法製造。
<比較例1>
除了使用上述化學式之電子傳輸材料層形成厚度為2,400Å之電子傳輸層於該電洞阻障層上，以將由該發光層至該陰極之距離設為與實施例1相同外，藉由摻雜10重量百分比之Ca於上式電子傳輸材料，而於其上形成厚度為50Å之有機材料層，然後不形成該第一p型有機材料層之外，以同於實施例1之方法製藥一有機電致發光裝置係以如實施例1之相同方法製造。
<比較例2>
除了將該HAT於該IZO陽極上形成一n型電洞注入層以取代該p型電洞注入層之外，一有機電致發光裝置係以如比較例1之相同方法製造。
<實施例3>
除了該第一p型有機材料層形成具有50Å之厚度外，一有機電致發光裝置係以如實施例2之相同方法製造。
<比較例3>
除了不摻雜Ca該電子傳輸材料，使用HAT層形成具有350Å厚度之第一n型有機材料層，以及不形成該第一p型有機材料層之外，一有機電致發光裝置係以如實施例3之相同方法製造。比較例3之裝置無法被驅動。
<實施例4>
除了使用Al(功函數4.2eV)形成具有1,000Å厚度之陰極外，一有機電致發光裝置係以如實施例3之相同方法製造。
<比較例4>
除了不摻雜Ca該電子傳輸材料，使用HAT層形成具有350Å厚度之第一n型有機材料層，以及不形成該第一p型有機材料層之外，一有機電致發光裝置係以如實施例4之相同方法製造。比較例4之裝置無法被驅動。
<實施例5>
除了形成具有50Å厚度之第一p型有機材料層以及使用Al(功函數4.2eV)作為該陰極之材料外，一有機電致發光裝置係以如實施例1之相同方法製造。
<實施例6>
除了以Ag(功函數為4.7eV)取代Al作為該陰極材料以形成具有2,000Å厚度之陰極外，一有機電致發光 裝置係以如實施例6之相同方法製造。
<實施例7>
除了以Ca(功函數為2.7eV至2.9eV)取代Al作為該陰極材料以形成具有2,000Å厚度之陰極外，一有機電致發光裝置係以如實施例6之相同方法製造。
<實施例8>
除了以IZO(功函數為5.0eV)取代Al作為該陰極材料以形成具有2,000Å厚度之陰極外，一有機電致發光裝置係以如實施例6之相同方法製造。
如上述實施例所示，其可觀察到當採用根據本發明之結構時，不論陰極材料的種類為何，實施例中的驅動電壓具有類似的值。此顯示不論具有各種功函數之陰極材料種類為何，該有機電致發光裝置優異地驅動。實施例中外部量子效率值之差異的主要原是根據每個陰極的種類反射程度及吸收透光性而變化。
<實施例9>
除了以上式電子傳輸材料(LUMO能階：2.8eV)形成該第一n型有機材料層，並以NPB(HOMO能階：5.4eV)形成該第一p型有機材料層之外，一有機電致發光裝置係以如實施例1之相同方法製造。
於此，該第一n型有機材料層能階與該第一p型有機材料層能階之間的差異為約2.6eV之程度。於根據本比較例之裝置中，觀察到電流，因此呈現二極體特性作為一有機半導體，但並未觀察到光線發射。

Claims (48)

  1. 一種有機電致發光裝置，包括：一陽極；一陰極；一發光層，係設置於該陽極與該陰極之間；一第一電荷傳輸通道，係設置於該發光層與該陰極之間；以及一第二電荷傳輸通道，係設置於該發光層與該陽極之間；其中，該第一電荷傳輸通道包括：一第一p型有機材料層，其與著該陰極連接且無摻雜；以及一第一n型有機材料層，係設置於該第一p型有機材料層與該發光層之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置，其中，該陰極之一功函數係為該第一p型有機材料層之一HOMO能階或以下。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置，其中，該第一p型有機材料層之HOMO能階與該第一n型有機材料層之LUMO能階間之差為2eV以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置，更包括：一第二n型有機材料層，係設置於該第一n型有機材料層與該發光層之間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之有機電致發光裝置，其中，該第二n型有機材料層包括一n型摻雜劑。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之有機電致發光裝置，更包括：一第三n型有機材料層，係設置於該第二n型有機材料層與該發光層之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置，其中，該陰極係接觸該第一p型有機材料層。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置，其中，該第一n型有機材料層及該第一p型有機材料層係形成一NP接面。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置，其中，該第二電荷傳輸通道包括一第二p型有機材料層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機電致發光裝置，更包括：一第四n型有機材料層，係設置於該第二p型有機材料層與該陽極之間。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置，其中，控制該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層之間的一邊界至該發光層之一距離以及控制該陽極至該發光層之一距離，以使得該發光層中的電洞含量與其中的電子含量平衡。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置，其中，該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層之間的該邊界至該發光層之該距離係小於該陽極至該發光層之該距離。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置，其中，該第一p型有機材料層與該第一n型有機材料層之間的該邊界至該發光層之該距離係為100Å至500Å。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置，其中，從該陽極至該發光層之該距離係為500Å至5,000Å。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置，其中，包含於該第二電荷傳輸通道之一電洞傳輸材料之電洞遷移率係快於包含於該第一電荷傳輸通道之一電子傳輸材料之電子遷移率。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置，其中，該陰極至該發光層之該距離係大於該陽極至該發光層之該距離。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置，其中，該第一p型有機材料層之厚度為5nm以下。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置，其中，控制該第一p型有機材料層之厚度以使該有機電致發光裝置之一共振腔長度為由該發光層發射之光線波長的整數倍。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置，其中，該第一n型有機材料層包括一種以上選自由下列所示化合物：一如式2所示之化合物；2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基對苯二醌二甲烷(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane，F4TCNQ)；經氟取代之3,4,9,10-苝四羧酸二酐 (fluoro-substituted 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride，PTCDA)；經氰基取代之3,4,9,10-苝四羧酸二酐(cyano-substituted 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride，PTCDA)；萘四甲酸二酐(naphthalene tetracaboxylic dianhydride，NTCDA)；經氟取代之萘四甲酸二酐(fluoro-substituted naphthalene tetracaboxylic dianhydride，NTCDA)；以及經氰基取代之萘四甲酸二酐(cyano-substituted naphthalene tetracaboxylic dianhydride，NTCDA)： 於式2中，R1b至R6b係各自為氫、鹵素、腈基(nitrile，-CN)、硝基(nitro，-NO2)、磺醯基(sulfonyl，-SO2R)、亞碸基(sulfoxide，-SOR)、磺胺基(sulfonamide，-SO2NR)、磺酸基(sulfonate，-SO3R)、三氟甲基(trifluoromethyl，-CF3)、酯基(ester，-COOR)、醯基(amide，-CONHR或-CONRR')、一經取代或未經取代之直鏈或分枝之C1至C12烷氧基、一經取代或未經取代之直鏈或分枝之C1至C12烷基、一經取代或未經取代之直鏈或分枝之C2至C12烯基、一經取代或未經取代之芳香族或非芳香族之雜環、一經取代或未經取代之芳基、一經取代或未經取 代之單芳基胺或二芳基胺、或一經取代或未經取代之芳烷基胺，R及R'係各自為一經取代或未經取代之C1至C60烷基、一經取代或未經取代之芳基、或一經取代或未經取代之5至7員雜環。
  20. 一種有機電致發光裝置，包括：一陽極；一陰極；一發光層，係設置於該陽極與該陰極之間；一第一有機材料層，係設置於該發光層與該陰極之間，該第一有機材料層係傳輸電荷至該第一有機材料層之一HOMO能階且為無摻雜；以及一第二有機材料層，係設置於該發光層與該第一有機材料層之間，該第二有機材料層係傳輸電荷至該第二有機材料層之一LUMO能階。
  21. 一種有機電致發光裝置，包括：一陽極；一陰極；一發光層，係設置於該陽極與該陰極之間；以及一緩衝層，係設置於該發光層與該陰極之間；其中，該緩衝層包括：一第一有機材料層，相較於該發光層，其設置係靠近於該陰極，該第一有機材料層係傳輸電荷至該HOMO能階且為無摻雜；以及 一第二有機材料層，相較於該陰極，其設置係靠近於該發光層並且係傳輸電荷至該LUMO能階。
  22. 如申請專利範圍第20或21項所述之有機電致發光裝置，其中，該陰極之一功函數係為該第一有機材料層之一HOMO能階或以下。
  23. 如申請專利範圍第20或21項所述之有機電致發光裝置，其中，該第一有機材料層之HOMO能階與該第二有機材料層之LUMO能階間之差為2eV以下。
  24. 如申請專利範圍第20或21項所述之有機電致發光裝置，更包括：一附加n型有機材料層，係設置於該第二有機材料層與該發光層之間。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之有機電致發光裝置，其中，該附加n型有機材料層包括一n型摻雜劑。
  26. 如申請專利範圍第20或21項所述之有機電致發光裝置，其中，該陰極係接觸該第一有機材料層。
  27. 如申請專利範圍第20或21項所述之有機電致發光裝置，其中，該第二有機材料層及該第一有機材料層係形成一NP接面。
  28. 如申請專利範圍第20或21項所述之有機電致發光裝置，更包括：一附加p型有機材料層，係設置於該發光層與該陽極之間。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之有機電致發光裝置，更包括：一附加n型有機材料層，係設置於該附加n型有機材料層與該陽極之間。
  30. 如申請專利範圍第20或21項所述之有機電致發光裝置，其中，控制該第一有機材料層與該第二有機材料層之間的一邊界至該發光層之一距離以及控制該陽極至該發光層之一距離，以使該發光層中的電洞含量與其中的電子含量平衡。
  31. 如申請專利範圍第20或21項所述之有機電致發光裝置，其中，該第一有機材料層與該第二有機材料層之間的該邊界至該發光層之該距離係小於該陽極至該發光層之該距離。
  32. 如申請專利範圍第20或21項所述之有機電致發光裝置，其中，該陰極至該發光層之該距離係大於該陽極至該發光層之該距離。
  33. 如申請專利範圍第20或21項所述之有機電致發光裝置，其中，控制該第一有機材料層之厚度以使該有機電致發光裝置之一共振腔長度為一由該發光層發射之光線波長的整數倍。
  34. 如申請專利範圍第20或21項所述之有機電致發光裝置，其中，該第二有機材料層包括一種以上選自由下列所示化合物：一如式2所示之化合物；2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基對苯二醌二甲烷(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane，F4TCNQ)；經氟取代之3,4,9,10-苝四羧酸二酐(fluoro-substituted 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride，PTCDA)；經氰基取代之3,4,9,10-苝四羧酸二酐 (cyano-substituted 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride，PTCDA)；萘四甲酸二酐(naphthalene tetracaboxylic dianhydride，NTCDA)；經氟取代之萘四甲酸二酐(fluoro-substituted naphthalene tetracaboxylic dianhydride，NTCDA)；以及經氰基取代之萘四甲酸二酐(cyano-substituted naphthalene tetracaboxylic dianhydride，NTCDA)： 於式2中，R1b至R6b係各自為氫、鹵素、腈基(nitrile，-CN)、硝基(nitro，-NO2)、磺醯基(sulfonyl，-SO2R)、亞碸基(sulfoxide，-SOR)、磺胺基(sulfonamide，-SO2NR)、磺酸基(sulfonate，-SO3R)、三氟甲基(trifluoromethyl，-CF3)、酯基(ester，-COOR)、醯基(amide，-CONHR或-CONRR')、一經取代或未經取代之直鏈或分枝之C1至C12烷氧基、一經取代或未經取代之直鏈或分枝之C1至C12烷基、一經取代或未經取代之直鏈或分枝之C2至C12烯基、一經取代或未經取代之芳香族或非芳香族之雜環、一經取代或未經取代之芳基、一經取代或未經取代之單芳基胺或二芳基胺、或一經取代或未經取代之芳烷基胺，R及R'係各自為一經取代或未經取代之C1至C60烷基、 一經取代或未經取代之芳基、或一經取代或未經取代之5至7員雜環。
  35. 一種有機電致發光裝置，包括：一陽極；一陰極；以及一層以上之有機材料層，係設置於該陽極與該陰極之間；其中，該陰極之一功函數係為與其連接之該有機材料層之一HOMO能階以下。
  36. 如申請專利範圍第35項所述之有機電致發光裝置，其中，與該陰極連接之該有機材料層係為一第一p型有機材料層。
  37. 如申請專利範圍第36項所述之有機電致發光裝置，其中，該第一p型有機材料層係無摻雜。
  38. 如申請專利範圍第36項所述之有機電致發光裝置，更包括：一第一n型有機材料層，其係與該第一p型有機材料層形成一NP接面。
  39. 如申請專利範圍第38項所述之有機電致發光裝置，其中，該第一p型有機材料層之HOMO能階與該第一n型有機材料層之LUMO能階間之差為2eV以下。
  40. 如申請專利範圍第38項所述之有機電致發光裝置，更包括：一第二n型有機材料層，係設置於該第一n型有機材料層與該發光層之間。
  41. 如申請專利範圍第40項所述之有機電致發光裝置，其中，該第二n型有機材料層包括一n型摻雜劑。
  42. 如申請專利範圍第35項所述之有機電致發光裝置，更包括：一第二p型有機材料層，係設置於該發光層與該陽極之間。
  43. 申請專利範圍第42項所述之有機電致發光裝置，更包括：一第四n型有機材料層，係設置於該陽極與該第二p型有機材料層之間。
  44. 如申請專利範圍第43項所述之有機電致發光裝置，其中，該第二p型有機材料層及該第四n型有機材料層形成一NP接面。
  45. 如申請專利範圍第1至21項任一項所述之有機電致發光裝置，更包括：一基板，係設置於一表面上，該表面係面對形成有該陰極或該陽極之該有機材料層之一表面；以及一光萃取層，係設置於該陽極或陰極與該基板之間，或是設置於一表面上，該表面係該基板上形成該陰極或該陽極之表面之反側表面。
  46. 如申請專利範圍第1至21項任一項所述之有機電致發光裝置，該有機電致發光裝置係為一可撓性有機電致發光裝置。
  47. 一種顯示器，包括：如申請專利範圍第1至21項任一項所述之有機電致發光裝置。
  48. 一種照明裝置，包括：如申請專利範圍第1至21項任一項所述之有機電致發光裝置。
TW102119474A 2012-05-31 2013-05-31 有機電致發光裝置 TWI599083B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20120058938 2012-05-31
KR20120058945 2012-05-31
KR20120058941 2012-05-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201411907A true TW201411907A (zh) 2014-03-16
TWI599083B TWI599083B (zh) 2017-09-11

Family

ID=49673659

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102119474A TWI599083B (zh) 2012-05-31 2013-05-31 有機電致發光裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9508950B2 (zh)
EP (1) EP2752904B1 (zh)
CN (1) CN104350626B (zh)
TW (1) TWI599083B (zh)
WO (1) WO2013180543A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI790280B (zh) * 2017-09-13 2023-01-21 日商保土谷化學工業股份有限公司 有機電致發光元件

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102323243B1 (ko) * 2015-07-22 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR20180004866A (ko) 2016-07-04 2018-01-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2021107699A1 (ko) * 2019-11-29 2021-06-03 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
CN113964279A (zh) * 2020-07-20 2022-01-21 咸阳彩虹光电科技有限公司 顶发射有机电致发光元件和顶发射有机电致发光器件

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4780536A (en) 1986-09-05 1988-10-25 The Ohio State University Research Foundation Hexaazatriphenylene hexanitrile and its derivatives and their preparations
US5645948A (en) 1996-08-20 1997-07-08 Eastman Kodak Company Blue organic electroluminescent devices
JP3571977B2 (ja) 1999-11-12 2004-09-29 キヤノン株式会社 有機発光素子
KR100377321B1 (ko) 1999-12-31 2003-03-26 주식회사 엘지화학 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자
WO2002043449A1 (fr) 2000-11-24 2002-05-30 Toray Industries, Inc. Materiau luminescent et element luminescent contenant celui-ci
KR100691543B1 (ko) 2002-01-18 2007-03-09 주식회사 엘지화학 새로운 전자 수송용 물질 및 이를 이용한 유기 발광 소자
DE602005017478D1 (de) 2004-04-07 2009-12-17 Idemitsu Kosan Co Stickstoffhaltiges heterocyclusderivat und organisches elektrolumineszentes element, bei dem dieses verwendung findet
JP4785386B2 (ja) 2005-01-31 2011-10-05 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
US20060289882A1 (en) 2004-07-30 2006-12-28 Kazuki Nishimura Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device
EP1624502B1 (en) * 2004-08-04 2015-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, and electronic appliance
WO2006021982A1 (ja) 2004-08-23 2006-03-02 Toray Industries, Inc. 発光素子用材料および発光素子
US7737626B2 (en) * 2004-09-30 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element
JP5317386B2 (ja) 2005-08-05 2013-10-16 出光興産株式会社 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US7553558B2 (en) 2005-11-30 2009-06-30 Eastman Kodak Company Electroluminescent device containing an anthracene derivative
EP1808909A1 (de) 2006-01-11 2007-07-18 Novaled AG Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung
WO2008077615A1 (de) 2006-12-22 2008-07-03 Novaled Ag Elektronisches bauelement mit mindestens einer organischen schichtanordnung
US20080012471A1 (en) * 2006-06-29 2008-01-17 Eastman Kodak Company Oled device having improved light output
KR20090013388A (ko) 2007-08-01 2009-02-05 삼성모바일디스플레이주식회사 유기발광소자
CN104752616A (zh) 2008-01-18 2015-07-01 Lg化学株式会社 有机发光器件及其制备方法
KR101092005B1 (ko) 2008-02-11 2011-12-09 에스에프씨 주식회사 유기전계발광소자 및 이에 사용되는 화합물
US8637854B2 (en) * 2008-05-16 2014-01-28 Lg Chem, Ltd. Stacked organic light emitting diode
CN102172103B (zh) 2008-10-01 2015-09-02 Lg化学株式会社 有机发光二极管及其制备方法
JP5759669B2 (ja) 2008-12-01 2015-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
WO2010107249A2 (ko) 2009-03-17 2010-09-23 주식회사 엘지화학 유기발광소자 및 이의 제조방법
JPWO2011046166A1 (ja) 2009-10-14 2013-03-07 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびこれを用いた照明装置
JP6062636B2 (ja) * 2011-03-10 2017-01-18 ローム株式会社 有機ｅｌ装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI790280B (zh) * 2017-09-13 2023-01-21 日商保土谷化學工業股份有限公司 有機電致發光元件
US11578065B2 (en) 2017-09-13 2023-02-14 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Organic electroluminescence device

Also Published As

Publication number Publication date
CN104350626B (zh) 2017-05-03
US9508950B2 (en) 2016-11-29
EP2752904A1 (en) 2014-07-09
EP2752904B1 (en) 2020-07-01
EP2752904A4 (en) 2015-05-27
US20150097164A1 (en) 2015-04-09
TWI599083B (zh) 2017-09-11
CN104350626A (zh) 2015-02-11
WO2013180543A1 (ko) 2013-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI494305B (zh) 有機電致發光裝置
TWI599086B (zh) 有機電致發光裝置
TWI668893B (zh) 有機電發光裝置
TWI599083B (zh) 有機電致發光裝置
TWI495708B (zh) 堆疊型有機發光裝置
TW201526326A (zh) 有機發光裝置
KR101677918B1 (ko) 유기전계발광소자
KR101649473B1 (ko) 유기전계발광소자
KR101689680B1 (ko) 유기전계발광소자