TW201407327A - 電子裝置 - Google Patents

Abstract

一種電子裝置，包括一本體與一形狀記憶合金元件，其中本體形成有一表面與設置於表面上的一散熱開口，形狀記憶合金元件設置於散熱開口上。當形狀記憶合金元件的溫度低於一臨界溫度時，形狀記憶合金元件呈現一第一形狀，並遮蔽散熱開口；當形狀記憶合金元件受熱使溫度上升並超越臨界溫度時，形狀記憶合金元件產生形變並凸出於表面，此時形狀記憶合金元件呈現一第二形狀，並與本體之間形成一通道。

Description

電子裝置

本發明係有關於一種電子裝置，特別係有關於一種具有形狀記憶合金元件之電子裝置。

散熱問題長久以來一直是筆記型電腦、平板電腦等可攜式電子裝置在機構設計上的一大難題，常見的電子裝置通常係利用風扇搭配散熱孔的設計來進行散熱，但由於目前電子裝置的機體設計日趨輕薄，其內部可利用的散熱空間相對減少，使整體的散熱效率並不理想，無法滿足目前高運算速度之電子裝置的散熱需求。有鑑於此，如何突破既有的散熱限制，始成為一重要之課題。

本發明之一實施例提供一種電子裝置，包括一本體以及一形狀記憶合金元件，其中本體形成有一表面與一散熱開口，其中散熱開口設置於表面上，形狀記憶合金元件設置於散熱開口上，當形狀記憶合金元件的溫度低於一臨界溫度時，形狀記憶合金元件呈現一第一形狀，並遮蔽散熱開口；當形狀記憶合金元件受熱使溫度上升並超越臨界溫度時，形狀記憶合金元件產生形變並凸出於表面，此時形狀記憶合金元件呈現一第二形狀，並與本體之間形成一通道。

於一實施例中，當前述形狀記憶合金元件冷卻並使溫 度降低至臨界溫度以下時，形狀記憶合金元件由第二形狀回復至第一形狀，並遮蔽散熱開口。

於一實施例中，前述臨界溫度介於40℃至65℃。

於一實施例中，前述形狀記憶合金元件具有雙程記憶效應。

於一實施例中，前述形狀記憶合金元件之材質包括鐵基合金、鎳-鈦合金或銅基合金。

於一實施例中，當前述形狀記憶合金元件受熱使溫度上升並超越臨界溫度時，至少一部分之形狀記憶合金元件由麻田散體狀態轉換成沃斯田體狀態。

於一實施例中，前述形狀記憶合金元件形成有複數個狹縫，當形狀記憶合金元件的溫度低於臨界溫度時，狹縫呈現一閉合狀態；當形狀記憶合金元件受熱使溫度上升並超越臨界溫度時，形狀記憶合金元件產生形變，並使狹縫擴張至一開啟狀態。

於一實施例中，前述狹縫為間隔排列。

於一實施例中，前述本體包括一滑槽，形狀記憶合金元件容置於滑槽內。

於一實施例中，當前述形狀記憶合金元件產生形變時，形狀記憶合金元件於滑槽內移動。

首先請一併參閱第1、2圖，本發明一實施例之電子裝置E，例如為筆記型電腦或平板電腦，主要包括一本體1以及一形狀記憶合金元件2，其中本體1形成有一表面S1 以及設置於表面S1上的一散熱開口11，在本實施例中，散熱開口11例如為一矩形開口。前述形狀記憶合金元件2大致為一矩形結構並設置於散熱開口11上，其中形狀記憶合金元件2形成有複數個狹縫21，且狹縫21均朝同一方向延伸並間隔排列。如第2圖所示，形狀記憶合金元件2可在其溫度高於一臨界溫度時產生形變，並與本體1之間形成一通道P，藉以提高電子裝置E的散熱效率。

需特別說明的是，前述形狀記憶合金元件2的材質為具有雙程記憶效應(two-way shape memory effect)之合金，例如可為鐵基合金、鎳-鈦合金或銅基合金。

在第1圖中，當電子裝置E尚未開始運作或溫度較低時，由於形狀記憶合金元件2的溫度係低於一臨界溫度，因此呈現大致為平坦的板狀(第一形狀)，其中臨界溫度可介於40℃至65℃，且此時形狀記憶合金元件2係完全遮蔽散熱開口11。由於狹縫21在此時係為閉合狀態，故可防止灰塵等異物經由狹縫21或散熱開口11進入電子裝置E而造成損壞。

接著請參閱第2圖，當電子裝置E開始運作且其內部的電子元件產生大量的熱能時，部分熱能會傳遞至形狀記憶合金元件2並使其受熱。當形狀記憶合金元件2的溫度上升並超越臨界溫度時，至少一部分形狀記憶合金元件2之合金材料會由麻田散體狀態轉換成沃斯田體狀態，使形狀記憶合金元件2開始產生形變，此時形狀記憶合金元件2會凸出於表面S1並形成弧狀(第二形狀)，同時與本體1之間形成兩個通道P，使熱能可藉由通道P散出，進而提 高電子裝置E的散熱效率，並延長其內部元件的使用壽命。

特別地是，當形狀記憶合金元件2受熱而使其溫度上升並超越臨界溫度時，形狀記憶合金元件2會變形成弧狀，並使其上的狹縫21擴張至開啟狀態(如第2圖所示)。因此，熱能亦可同時經由擴張的狹縫21迅速離開電子裝置E，進一步達到散熱的功效。

相對地，當形狀記憶合金元件2冷卻並使溫度降低至臨界溫度以下時，形狀記憶合金元件2會由弧狀(第二形狀)回復至平坦的板狀(第一形狀)，並再次遮蔽散熱開口11，此時狹縫21則會由開啟狀態回復至閉合狀態。

接著請一併參閱第3、4圖，其中第4圖表示沿第3圖中A-A’方向之剖視圖。本發明另一實施例之電子裝置E更包括複數個散熱孔12(第3圖)與複數個滑槽13(第4圖)，前述形狀記憶合金元件2係鄰近散熱孔12。當形狀記憶合金元件2的溫度低於臨界溫度時，形狀記憶合金元件2呈現平坦的板狀(第一形狀)並遮蔽散熱開口11，此時電子裝置E僅藉由散熱孔12進行散熱。如第4圖所示，滑槽13設置於散熱開口11的兩側邊，形狀記憶合金元件2的兩側邊緣則容置於滑槽13內。

再請一併參閱第5、6圖，其中第6圖表示沿第5圖中B-B’方向之剖視圖。當形狀記憶合金元件2的溫度上升並超越臨界溫度時，形狀記憶合金元件2會開始產生形變而形成弧狀(第二形狀)，同時與本體1之間形成一個通道P，其中通道P鄰近於散熱孔12，此時熱能可同時藉由通道P以及散熱孔12離開電子裝置E，進而使電子裝置E更有效 率地散熱。

如第6圖所示，當形狀記憶合金元件2產生形變時，形狀記憶合金元件2的邊緣部分可於滑槽13內滑移，此時形狀記憶合金元件2的中央部分會向上凸出，並與本體1之間形成通道P。

綜上所述，本發明提供一種電子裝置，主要包括一本體以及一形狀記憶合金元件，其中本體形成有一表面與設置於表面上的一散熱開口，形狀記憶合金元件設置於散熱開口上。當形狀記憶合金元件的溫度低於一臨界溫度時，形狀記憶合金元件呈現一第一形狀，並遮蔽散熱開口；當形狀記憶合金元件受熱使溫度上升並超越臨界溫度時，形狀記憶合金元件產生形變並凸出於表面，此時形狀記憶合金元件呈現一第二形狀，並與本體之間形成一通道，使熱能可藉由通道離開電子裝置，進而能提高電子裝置的散熱效率，並延長其內部元件的使用壽命。

雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許之更動與潤飾。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1‧‧‧本體

2‧‧‧形狀記憶合金元件

11‧‧‧散熱開口

12‧‧‧散熱孔

13‧‧‧滑槽

21‧‧‧狹縫

E‧‧‧電子裝置

P‧‧‧通道

S1‧‧‧表面

第1圖表示本發明一實施例之形狀記憶合金元件呈現第一形狀時之示意圖；第2圖表示本發明一實施例之形狀記憶合金元件呈現第二形狀時之示意圖；第3圖表示本發明另一實施例之形狀記憶合金元件呈現第一形狀時之示意圖；第4圖表示沿第3圖中A-A’方向之剖視圖。

第5圖表示本發明另一實施例之形狀記憶合金元件呈現第二形狀時之示意圖；以及第6圖表示沿第5圖中B-B’方向之剖視圖。

1‧‧‧本體

2‧‧‧形狀記憶合金元件

11‧‧‧散熱開口

21‧‧‧狹縫

E‧‧‧電子裝置

P‧‧‧通道

S1‧‧‧表面

Claims (10)

1. 一種電子裝置，包括：一本體，形成有一表面與一散熱開口，其中該散熱開口設置於該表面上；以及一形狀記憶合金元件，設置於該散熱開口上；其中，當該形狀記憶合金元件的溫度低於一臨界溫度時，該形狀記憶合金元件呈現一第一形狀，並遮蔽該散熱開口；當該形狀記憶合金元件受熱使溫度上升並超越該臨界溫度時，該形狀記憶合金元件產生形變，此時該形狀記憶合金元件呈現一第二形狀，並與該本體之間形成一通道。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中當該形狀記憶合金元件冷卻並使溫度降低至該臨界溫度以下時，該形狀記憶合金元件由該第二形狀回復至該第一形狀，並遮蔽該散熱開口。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該臨界溫度介於40℃至65℃。
4. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該形狀記憶合金元件具有雙程記憶效應。
5. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該形狀記憶合金元件之材質包括鐵基合金、鎳-鈦合金或銅基合金。
6. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中當該形狀記憶合金元件受熱使溫度上升並超越該臨界溫度時，至少一部分之該形狀記憶合金元件由麻田散體狀態轉換成沃斯田體狀態。
7. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該形狀記憶合金元件形成有複數個狹縫，當該形狀記憶合金元件的溫度低於該臨界溫度時，該些狹縫呈現一閉合狀態；當該形狀記憶合金元件受熱使溫度上升並超越該臨界溫度時，該形狀記憶合金元件產生形變，並使該些狹縫擴張至一開啟狀態。
8. 如申請專利範圍第7項所述之電子裝置，其中該些狹縫為間隔排列。
9. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該本體包括一滑槽，該形狀記憶合金元件容置於該滑槽內。
10. 如申請專利範圍第9項所述之電子裝置，其中當該形狀記憶合金元件產生形變時，該形狀記憶合金元件於該滑槽內移動。