TW201404900A - 遮罩組件及使用其之有機氣相沉積裝置與熱蒸鍍裝置 - Google Patents

遮罩組件及使用其之有機氣相沉積裝置與熱蒸鍍裝置 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種遮罩組件及使用其之有機氣相沉積裝置與熱蒸鍍裝置。遮罩組件設置在一氣體出口與一待鍍基板之間。遮罩組件包含有一畫素遮罩與一阻熱遮罩。畫素遮罩設置在氣體出口與待鍍基板之間，且具有複數個第一開口。阻熱遮罩設置在氣體出口與畫素遮罩之間，且具有複數個第二開口，其中各第二開口對應至少一第一開口設置。

Description

遮罩組件及使用其之有機氣相沉積裝置與熱蒸鍍裝置
本發明關於一種遮罩組件及使用其之有機氣相沉積裝置與熱蒸鍍裝置，尤指一種具有阻熱遮罩之遮罩組件及使用其之有機氣相沉積裝置與熱蒸鍍裝置。
在習知製作有機發光二極體顯示器之方法中，用以產生光線之有機發光層一般是利用熱蒸鍍或有機氣相沉積法來形成，且在蒸鍍源或有機氣相沉積裝置之氣體噴頭與待鍍基板之間設置一畫素遮罩。並且，有機氣相沉積裝置利用通入惰性氣體來搭載有機材料，且惰性氣體經由管路被傳送到氣體噴頭，而從氣體噴頭噴出。由於所欲形成之畫素結構的佈局圖案與畫素遮罩的預定開口圖案相同，因此所噴出之有機材料可依照畫素遮罩的預定開口圖案沉積在待鍍基板上，且所沉積之有機材料係形成有機發光層。
然而，在傳送惰性氣體與所搭載之有機材料到氣體噴頭時，惰性氣體與所搭載之有機材料需維持在大約200到300度，以避免用以噴出有機材料的氣體噴頭產生堵塞。為了避免氣體噴頭產生堵塞，有機氣相沉積裝置甚至會在氣體噴頭處對惰性氣體與所搭載之有機材料加熱，以提升約10度之溫度。由於惰性氣體與所搭載之有機材 料具有高溫，因此傳遞到畫素遮罩時仍具有約60到70度以上。如此一來，畫素遮罩會受到惰性氣體與所搭載之有機材料之溫度影響而產生熱膨脹。並且，畫素遮罩是由金屬所構成，而具有較高的膨脹係數，因此畫素遮罩之預定開口圖案之大小更容易受到熱膨脹的影響而改變，進而造成畫素遮罩之預定開口圖案與待鍍基板之對位發生偏移。所以，所形成之畫素結構的佈局圖案亦會隨著預定開口圖案之大小之變化而有所不同，進而影響產品良率與品質。此外，為了提升材料利用率，有機氣相沉積裝置另會縮減輸出惰性氣體與所搭載之有機材料之氣體出口與待鍍基板之間的距離，因此畫素遮罩更容易受到惰性氣體與所搭載之有機材料之溫度的影響。同樣的，熱蒸鍍裝置也有此一問題。
有鑑於此，降低惰性氣體與所搭載之有機材料之溫度對畫素遮罩的影響，以提升畫素遮罩與待鍍基板之對位精準度實為業界努力之目標。
本發明之主要目的在於提供一種遮罩組件及使用其之有機氣相沉積裝置與熱蒸鍍裝置，以降低氣體溫度對畫素遮罩的影響，進而提升畫素遮罩與待鍍基板之對位精準度。
為達上述之目的，本發明提供一種遮罩組件，設置在一氣體出口與一待鍍基板之間。遮罩組件包含有一畫素遮罩與一阻熱遮罩。畫 素遮罩設置在氣體出口與待鍍基板之間，且具有複數個第一開口。阻熱遮罩設置在氣體出口與畫素遮罩之間，且具有複數個第二開口，其中各第二開口對應至少一第一開口設置。
為達上述之目的，本發明提供一種有機氣相沉積裝置，用以沉積一有機材料於一待鍍基板上。有機氣相沉積裝置包括一氣體源、一控制閥、一氣體噴頭、一管線以及一遮罩組件。氣體源用以提供一待鍍氣體。控制閥連接於氣體源之出口，用以控制氣體源之氣體之流量與開關。氣體噴頭(Shower Head)對準待鍍基板。管線一端連接於控制閥，另一端連接於氣體噴頭，用以將待鍍氣體傳遞至氣體噴頭。遮罩組件設置在氣體噴頭與待鍍基板之間，且遮罩組件包括依畫素遮罩以及一阻熱遮罩。畫素遮罩設置在氣體噴頭與待鍍基板之間，且具有複數個第一開口。阻熱遮罩設置在氣體噴頭與畫素遮罩之間，且具有複數個第二開口，其中各第二開口對應至少一第一開口設置。
為達上述之目的，本發明提供一種熱蒸鍍裝置，用以蒸鍍一有機材料至一待鍍基板上。熱蒸鍍裝置包括一蒸鍍源以及一遮罩組件。蒸鍍源用以蒸發有機材料。遮罩組件設置在蒸鍍源與待鍍基板之間，且遮罩組件包括一畫素遮罩以及一阻熱遮罩。畫素遮罩設置在蒸鍍源與待鍍基板之間，且具有複數個第一開口。阻熱遮罩設置在蒸鍍源與畫素遮罩之間，且具有複數個第二開口，其中各第二開口對應至少一第一開口設置。
本發明的遮罩組件將阻熱遮罩設置在氣體出口與畫素遮罩之間，使阻熱遮罩可用於阻隔一部分具有一定溫度以上之氣體與畫素遮罩接觸，以降低氣體傳導到畫素遮罩之熱量，且避免畫素遮罩因直接受到氣體接觸而產生超出精度範圍之熱膨脹。藉此，畫素遮罩與待鍍基板之對位精準度可被提升。
請參考第1圖與第2圖，第1圖為本發明一第一較佳實施例之遮罩組件之剖面示意圖，且第2圖為本發明第一較佳實施例之遮罩組件之上視示意圖。如第1圖與第2圖所示，遮罩組件100設置在一氣體出口102與一待鍍基板104之間。在本實施例中，氣體出口102可為有機氣相沉積裝置之氣體噴頭或熱蒸鍍裝置之蒸鍍源，用以提供包含有欲鍍有機材料之待鍍氣體102a，並以一定速率噴出。本發明之氣體出口並不限於此，可隨著有機氣相沉積裝置之不同而有所不同。並且，本實施例之待鍍氣體102a可包含有惰性氣體與有機材料，以利用惰性氣體來搭載有機材料，但本發明不限於此。本發明之待鍍氣體可依據所使用的有機氣相沉積方法來決定，且主要包含有有機材料。本實施例之待鍍基板104可為已製作有陣列電路之陣列基板，但不限於此，本發明之待鍍基板可依據實際欲鍍有機材料的基材來決定。
此外，本實施例之遮罩組件100包含有一畫素遮罩106、一阻熱遮罩108、一第一框架110以及一第二框架112。畫素遮罩106設置 在氣體出口102與待鍍基板104之間，用以作為形成有機材料層(圖未示)之遮罩。阻熱遮罩108設置在氣體出口102與畫素遮罩106之間，且阻熱遮罩108與畫素遮罩106之間具有一間距G。在本實施例中，畫素遮罩106為一金屬網狀結構，而具有複數個第一開口106a，約略與陣列基板之畫素結構大小相同，使穿過第一開口106a之待鍍氣體102a而沉積在待鍍基板104上之有機材料層可與畫素結構之開口區大小相同，以作為各畫素結構之發光層。本發明之有機材料層並不限作為畫素結構之發光層。畫素遮罩106可包含有純金屬或金屬合金，因此畫素遮罩106得以形成有與畫素結構之開口區約略相同大小之第一開口106a，但不限於此。另外，阻熱遮罩108具有複數個第二開口108a，且各第二開口108a對應於至少一第一開口106a設置。並且，阻熱遮罩108可包含有金屬或玻璃，且以包含有具有較低熱膨脹係數之材料為較佳。在本實施例中，各第二開口108a是對應於各第一開口106a，且各第二開口108a大於各第一開口106a，使各第一開口106a在沿著垂直阻熱遮罩108的投影方向上是位在各第二開口108a內。由此可知，當待鍍氣體102a沿著垂直遮罩組件100之方向朝遮罩組件100移動時，待鍍氣體102a是以遮罩組件100為遮罩穿越遮罩組件100，而在待鍍基板104上形成有機材料層。進一步來說，一部分之待鍍氣體102a會先遇到阻熱遮罩108而被阻擋，且剩餘部分之待鍍氣體102會穿越第二開口108a。然後，由於各第二開口108a沿著垂直阻熱遮罩108的投影方向上是大於各第一開口106a，因此穿越第二開口108a之待鍍氣體102a的一部分會遇到畫素遮罩106而被阻擋，且穿越第二開口108a 之待鍍氣體102a的剩餘部分穿越第一開口106a而沉積在待鍍基板104上。藉此，阻熱遮罩108可在不影響所沉積之有機材料層之大小的情況下阻隔一部分具有一定溫度以上之待鍍氣體與畫素遮罩106接觸，以避免畫素遮罩106因直接受到待鍍氣體接觸而造成溫度上升以及超出精度範圍之熱膨脹。
在本實施例中，第一框架110設置在阻熱遮罩108與氣體出口102之間，且第二框架112設置在畫素遮罩106與阻熱遮罩108之間。並且，阻熱遮罩108固定在第一框架110上，且畫素遮罩106固定在第二框架112上，藉此可透過調整第一框架110之位置與第二框架112之位置來控制阻熱遮罩108與畫素遮罩106之間的間距G。此外，本實施例之第一框架110與第二框架112係為環形，而分別具有一開口，大於第一開口106a與第二開口108a之分布範圍，以避免遮蔽穿越第一開口106a之待鍍氣體102a，且第一框架110與第二框架112分別與阻熱遮罩108以及畫素遮罩106之邊緣部分固定在一起，使通過第一開口106a之待鍍氣體102a不會受到第一框架110阻擋。本發明之第一框架與第二框架並不限於此。在本發明之其他實施例中，第一框架或第二框架也可以是例如條狀等其他幾何形狀的框架，但不限於此。
此外，遮罩組件100可選擇性另包含有一第一隔熱膠層114以及一第二隔熱膠層116，以助於降低氣體之熱量透過阻熱遮罩108、第一框架110與第二框架112傳導至畫素遮罩106。在本實施例中， 第一隔熱膠層114設置在阻熱遮罩108與第一框架110之間，用以降低第一框架110之熱量傳導到阻熱遮罩108。第二隔熱膠層116設置在畫素遮罩106與第二框架112之間，用以降低第二框架112之熱傳導到畫素遮罩106。此外，遮罩組件可以利用點焊、螺絲或其他卡榫裝置等已知張網方式將阻熱遮罩與畫素遮罩分別固定在第一框架與第二框架上。
另外，遮罩組件100也可以選擇性另包含有一隔熱層118，設置在阻熱遮罩108面對氣體出口102之表面上，以用於阻隔待鍍氣體102a的熱量傳導到阻熱遮罩108上。於本發明之其他實施例中，遮罩組件也可以在畫素遮罩面對阻熱遮罩之表面上選擇性設置另一隔熱層，以進一步降低傳導到畫素遮罩的熱量。
值得注意的是，本實施例的遮罩組件100將阻熱遮罩108設置在氣體出口102與畫素遮罩106之間，使阻熱遮罩108可用於阻隔一部分具有一定溫度以上之待鍍氣體102a與畫素遮罩106接觸，以降低待鍍氣體102a傳導到畫素遮罩106之熱量，且避免包含有金屬材料之畫素遮罩106因直接受到待鍍氣體102a接觸而產生超出精度範圍之熱膨脹。藉此，畫素遮罩106與待鍍基板104之對位精準度可被提升，以避免所形成之有機材料層與陣列基板有對位上之誤差，並提升所欲製作之有機顯示面板之良率。
本發明之遮罩組件並不以上述實施例為限。下文將繼續揭示本發 明之其它實施例或變化形，然為了簡化說明並突顯各實施例或變化形之間的差異，下文中使用相同標號標注相同元件，並不再對重覆部分作贅述。
請參考第3圖，第3圖為本發明一第二較佳實施例之遮罩組件之剖面示意圖。如第3圖所示，相較於第一實施例，本實施例之遮罩組件200的第二框架112是設置在畫素遮罩106與待鍍基板104之間，且畫素遮罩106固定在第二框架112上。並且，本實施例之遮罩組件200可選擇性另包括二間隙物202，設置在阻熱遮罩108與畫素遮罩106之間，且未與第一開口106a以及第二開口108a重疊，以避免阻擋穿越第一開口106a之待鍍氣體102a。值得注意的是，第一框架110與第二框架112可調整到阻熱遮罩108與畫素遮罩106皆與間隙物202相接觸，藉此畫素遮罩106與阻熱遮罩108之間的間距G可被固定在與間隙物202之高度相同的大小。因此，本實施例之遮罩組件200可透過控制間隙物202的大小來調整畫素遮罩106與阻熱遮罩108之間的間距G，以避免將畫素遮罩106與阻熱遮罩108之間的間距G限制在第二框架112的厚度。本發明之間隙物之數量並不限於上述，且本發明之遮罩組件亦可包含有單一個間隙物或三個以上之間隙物。在本發明之其他實施例中，遮罩組件亦可另包含有一設置在阻熱遮罩與第一框架之間之第一隔熱膠層、一設置在畫素遮罩與第二框架之間之第二隔熱膠層以及一設置在阻熱遮罩面對氣體出口之表面上之隔熱層，但不限於此。
請參考第4圖，第4圖為本發明一第三較佳實施例之遮罩組件之剖面示意圖。如第4圖所示，相較於第一實施例，本實施例之遮罩組件300僅具有第一框架110，而未具有第二框架與第二隔熱膠層。並且，第一框架110設置在阻熱遮罩108與畫素遮罩106之間，且畫素遮罩106也固定在第一框架110上，使阻熱遮罩108與畫素遮罩106分別固定在第一框架110的上表面與下表面上。藉此，畫素遮罩106與阻熱遮罩108之間的間距G可被固定在與第一框架110之高度相同的大小，且可透過控制第一框架110的大小來調整畫素遮罩106與阻熱遮罩108之間的間距G。此外，本實施例之遮罩組件300也可以選擇性另包含有一第三隔熱膠層302，設置在畫素遮罩106與第一框架110之間，用以降低畫素遮罩106與第一框架110之間的熱量傳導。在本發明之其他實施例中，遮罩組件亦可另包含有一設置在阻熱遮罩與第一框架之間之第一隔熱膠層以及一設置在阻熱遮罩面對氣體出口之表面上之隔熱層，但不限於此。
請參考第5圖，第5圖為本發明一第四較佳實施例之遮罩組件之剖面示意圖。如第5圖所示，相較於第三實施例，本實施例之遮罩組件400的阻熱遮罩與第一框架為一體成型。換句話說，遮罩組件400並未具有第一框架與第一隔熱膠層，且阻熱遮罩108包含有一遮罩部402以及一框架部404。並且，框架部404之厚度大於遮罩部402之厚度，且遮罩部402具有複數個第二開口108a，對應至少一第一開口106a。畫素遮罩106是固定在框架部404上。在本發明之其他實施例中，遮罩組件亦可另包含有一設置在畫素遮罩與框架 部之間之第三隔熱膠層以及一設置在阻熱遮罩面對氣體出口之表面上之隔熱層，但不限於此。
請參考第6圖，第6圖為本發明一第五較佳實施例之遮罩組件之示意圖。如第6圖所示，相較於第一實施例，本實施例之遮罩組件500另包含有一冷卻迴路502，設置在第一框架110中，用以傳輸一冷卻物質。藉此，本實施例之遮罩組件500可利用在冷卻迴路502中傳輸冷卻物質將第一框架110之熱量傳導到冷卻物質，以進一步冷卻第一框架110。本實施例之遮罩組件500可另包含有一冷卻物質輸入口504以及一冷卻物質輸出口506。冷卻物質輸入口504可用於將未與第一框架110產生熱交換之冷卻物質輸入到冷卻迴路502中，且冷卻物質輸出口506可用於將已接收到第一框架110之熱量之冷卻物質排出，以進一步冷卻第一框架110。在本發明之其他實施例中，遮罩組件亦可另包含有一設置在阻熱遮罩與第一框架之間之第一隔熱膠層、一設置在畫素遮罩與第二框架之間之第二隔熱膠層以及一設置在阻熱遮罩面對氣體出口之表面上之隔熱層，但不限於此。當然，於其他實施例中，冷卻迴路亦可設置在第二框架112中，或是同時設置在第一框架110與第二框架112中。
請參考第7圖，第7圖為本發明一第六較佳實施例之遮罩組件之上視示意圖。如第7圖所示，相較於第一實施例，本實施例的遮罩組件600的阻熱遮罩602為一共同遮罩(common mask)，且共同遮罩是用於定義畫素以外之材料層(例如共用電極)的遮罩，使阻熱遮罩 602的各第二開口602a是對應複數個第一開口108a設置。藉此，本實施例的遮罩組件可節省額外製作阻熱遮罩602之成本。
請參考第8圖，第8圖為本發明一第七較佳實施例之遮罩組件之上視示意圖。如第8圖所示，相較於第一實施例，本實施例之遮罩組件700之第一框架110與第二框架112分別設置在阻熱遮罩108與畫素遮罩106之下表面上。換句話說，本實施例之第一框架110設置在阻熱遮罩108與畫素遮罩106之間，且第二框架112設置在畫素遮罩106與待鍍基板104之間。在本發明之其他實施例中，遮罩組件亦可另包含有一設置在阻熱遮罩與第一框架之間之第一隔熱膠層、一設置在畫素遮罩與第二框架之間之第二隔熱膠層以及一設置在阻熱遮罩面對氣體出口之表面上之隔熱層，但不限於此。
根據上述實施例的遮罩組件，本發明另提供一種有機氣相沉積裝置。請參考第9圖，第9圖為本發明一較佳實施例之有機氣相沉積裝置之示意圖。如第9圖所示，本實施例之有機氣相沉積裝置800用以沉積一有機材料於待鍍基板104上，且有機氣相沉積裝置800包含有氣體源802、控制閥804、管線806、氣體噴頭(Shower Head)808以及遮罩組件810。氣體源802用以提供一待鍍氣體，例如：有機材料，且控制閥804連接於氣體源802之出口，用以控制氣體源802之氣體之流量與開關。並且，管線806之一端連接於控制閥804，且管線806之另一端連接於氣體噴頭808，用以將待鍍氣體傳遞置氣體噴頭808。氣體噴頭808對準待鍍基板104，且遮罩組件810 設置在氣體噴頭808與待鍍基板104之間。藉此，從氣體噴頭808噴出之氣體可透過遮罩組件810之部分遮蔽，而形成在待鍍基板104上。本實施例之遮罩組件可為上述實施例或其中任二者之組合之遮罩組件，因此在此不再贅述。
請參考第10圖，第10圖為本發明另一較佳實施例之熱蒸鍍裝置之示意圖。如第10圖所示，本實施例之熱蒸鍍裝置900用以蒸鍍一有機材料至一待鍍基板104上，且包含有一蒸鍍源902、一遮罩組件904以及一反應室906。蒸鍍源902、遮罩組件904以及待鍍基板104設置在反應室906中，且遮罩組件904設置在蒸鍍源902與待鍍基板104之間。本實施例之蒸鍍源902係用以蒸發有機材料，使含有有機材料之待鍍氣體透過遮罩組件904形成在待鍍基板104上。本實施例之遮罩組件可為上述實施例或其中任二者之組合之遮罩組件，因此在此不再贅述。
綜上所述，本發明的遮罩組件將阻熱遮罩設置在氣體出口與畫素遮罩之間，使阻熱遮罩可用於阻隔一部分具有一定溫度以上之待鍍氣體與畫素遮罩接觸，以降低待鍍氣體傳導到畫素遮罩之熱量，且避免畫素遮罩因直接受到待鍍氣體接觸而產生超出精度範圍之熱膨脹。藉此，畫素遮罩與待鍍基板之對位精準度可被提升。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100‧‧‧遮罩組件
102‧‧‧氣體出口
102a‧‧‧待鍍氣體
104‧‧‧待鍍基板
106‧‧‧畫素遮罩
106a‧‧‧第一開口
108‧‧‧阻熱遮罩
108a‧‧‧第二開口
110‧‧‧第一框架
112‧‧‧第二框架
114‧‧‧第一隔熱膠層
116‧‧‧第二隔熱膠層
118‧‧‧隔熱層
200‧‧‧遮罩組件
202‧‧‧間隙物
300‧‧‧遮罩組件
302‧‧‧第三隔熱膠層
400‧‧‧遮罩組件
402‧‧‧遮罩部
404‧‧‧框架部
500‧‧‧遮罩組件
502‧‧‧冷卻迴路
504‧‧‧冷卻物質輸入口
506‧‧‧冷卻物質輸出口
600‧‧‧遮罩組件
602‧‧‧阻熱遮罩
602a‧‧‧第二開口
700‧‧‧遮罩組件
800‧‧‧有機氣相沉積裝置
802‧‧‧氣體源
804‧‧‧控制閥
806‧‧‧管線
808‧‧‧氣體噴頭
810‧‧‧遮罩組件
900‧‧‧有機氣相沉積裝置
902‧‧‧蒸鍍源
904‧‧‧遮罩組件
906‧‧‧反應室
G‧‧‧間距
第1圖為本發明一第一較佳實施例之遮罩組件之剖面示意圖。
第2圖為本發明第一較佳實施例之遮罩組件之上視示意圖。
第3圖為本發明一第二較佳實施例之遮罩組件之剖面示意圖。
第4圖為本發明一第三較佳實施例之遮罩組件之剖面示意圖。
第5圖為本發明一第四較佳實施例之遮罩組件之剖面示意圖。
第6圖為本發明一第五較佳實施例之遮罩組件之示意圖。
第7圖為本發明一第六較佳實施例之遮罩組件之上視示意圖。
第8圖為本發明一第七較佳實施例之遮罩組件之上視示意圖。
第9圖為本發明一較佳實施例之有機氣相沉積裝置之示意圖。
第10圖為本發明另一較佳實施例之熱蒸鍍裝置之示意圖。
100‧‧‧遮罩組件
102‧‧‧氣體出口
102a‧‧‧待鍍氣體
104‧‧‧待鍍基板
106‧‧‧畫素遮罩
106a‧‧‧第一開口
108‧‧‧阻熱遮罩
108a‧‧‧第二開口
110‧‧‧第一框架
112‧‧‧第二框架
114‧‧‧第一隔熱膠層
116‧‧‧第二隔熱膠層
118‧‧‧隔熱層
G‧‧‧間距

Claims (19)

  1. 一種遮罩組件，設置在一氣體出口與一待鍍基板之間，包含有：一畫素遮罩，設置在該氣體出口與該待鍍基板之間，且具有複數個第一開口；以及一阻熱遮罩，設置在該氣體出口與該畫素遮罩之間，且具有複數個第二開口，其中各該第二開口對應至少一該第一開口設置。
  2. 如請求項1所述之遮罩組件，另包括一第一框架，且該阻熱遮罩固定在該第一框架上。
  3. 如請求項2所述之遮罩組件，另包括一第一隔熱膠層，設置於該阻熱遮罩與該第一框架之間。
  4. 如請求項2所述之遮罩組件，另包括一第二框架，且該畫素遮罩固定在該第二框架上。
  5. 如請求項4所述之遮罩組件，其中該第一框架設置在該阻熱遮罩與該氣體出口之間，且該第二框架設置在該畫素遮罩與該阻熱遮罩之間。
  6. 如請求項4所述之遮罩組件，其中該第一框架設置在該阻熱遮罩與該畫素遮罩之間，且該第二框架設置在該畫素遮罩與該待鍍基 板之間。
  7. 如請求項4所述之遮罩組件，另包括一第二隔熱膠層，設置於該畫素遮罩與該第二框架之間。
  8. 如請求項4所述之遮罩組件，其中該第一框架設置在該阻熱遮罩與該氣體出口之間，且該第二框架設置在該畫素遮罩與該待鍍基板之間。
  9. 如請求項8所述之遮罩組件，另包括至少一間隙物，設置在該阻熱遮罩與該畫素遮罩之間，並與該阻熱遮罩以及該畫素遮罩相接觸。
  10. 如請求項2所述之遮罩組件，其中該畫素遮罩固定在該第一框架上，且該第一框架設置在該阻熱遮罩與該畫素遮罩之間。
  11. 如請求項10所述之遮罩組件，另包括一第三隔熱膠層，設置於該畫素遮罩與該第一框架之間。
  12. 如請求項2所述之遮罩組件，另包括一冷卻迴路，設置在該第一框架中，用以傳輸一冷卻物質，以冷卻該第一框架。
  13. 如請求項1所述之遮罩組件，其中該阻熱遮罩包括一體成型之 一遮罩部以及一框架部，且該框架部之厚度大於該遮罩部之厚度。
  14. 如請求項13所述之遮罩組件，其中該畫素遮罩固定於該框架部上。
  15. 如請求項1所述之遮罩組件，另包括一隔熱層，設置在該阻熱遮罩面對該氣體出口之表面上。
  16. 如請求項1所述之遮罩組件，其中各該第二開口大於各該第一開口。
  17. 如請求項1所述之遮罩組件，其中該阻熱遮罩係為一共同遮罩(common mask)，且各該第二開口對應複數個該等第一開口設置。
  18. 一種有機氣相沉積裝置，用以沉積一有機材料於一待鍍基板上，該有機氣相沉積裝置包括：一氣體源，用以提供一待鍍氣體；一控制閥，連接於該氣體源之出口，用以控制該氣體源之氣體之流量與開關；一氣體噴頭(Shower Head)，對準該待鍍基板；一管線，一端連接於該控制閥，另一端連接於該氣體噴頭，用以將該待鍍氣體傳遞至該氣體噴頭；以及一遮罩組件，設置在該氣體噴頭與該待鍍基板之間，該遮罩組 件包括：一畫素遮罩，設置在該氣體噴頭與該待鍍基板之間，且具有複數個第一開口；以及一阻熱遮罩，設置在該氣體噴頭與該畫素遮罩之間，且具有複數個第二開口，其中各該第二開口對應至少一該第一開口設置。
  19. 一種熱蒸鍍裝置，用以蒸鍍一有機材料至一待鍍基板上，該熱蒸鍍裝置包括：一蒸鍍源，用以蒸發該有機材料；以及一遮罩組件，設置在該蒸鍍源與該待鍍基板之間，該遮罩組件包括：一畫素遮罩，設置在該蒸鍍源與該待鍍基板之間，且具有複數個第一開口；以及一阻熱遮罩，設置在該蒸鍍源與該畫素遮罩之間，且具有複數個第二開口，其中各該第二開口對應至少一該第一開口設置。
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