TW201400564A - 塗敷膜及包含該塗敷膜的建築材料 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種塗敷膜與應用該塗敷膜的建築材料，上述塗敷膜包括基材及塗敷層，上述塗敷層是從上述基材起依次包括低輻射導電層、電介質層及吸光金屬層的多層結構。

Description

塗敷膜及包含該塗敷膜的建築材料
本發明涉及一種低輻射塗敷膜及包含該低輻射塗敷膜的建築材料。
低輻射玻璃(Low-Emissivity glass)是包含如銀(Ag)一樣在紅外線範圍中的反射率高的金屬的低輻射層蒸鍍成薄膜的玻璃。如上所述的低輻射玻璃在夏天反射太陽輻射熱，並在冬天保存室內供暖器中所產生的紅外線，以此用作帶來建築物的節能效果的功能性原材料。
一般，使用於低輻射層的銀(Ag)暴露於空氣中的情況下進行氧化，在上述低輻射層的上部及上述低輻射層的下部將電介質層蒸鍍成抗氧化膜。如上所述的電介質層還起到增加可見光透射率的作用。
本發明的一實例提供一種不僅確保絕熱性能，而且提高耐熱性，由此可執行熱處理加工的(temperable)的低輻射塗敷膜。
本發明的再一實例提供一種包括上述低輻射塗敷膜的建築材 料。
本發明的一實例中提供一種包括基材及塗敷層的低輻射塗敷膜。上述塗敷層是從上述基材起依次包括低輻射層、低輻射保護金屬層、矽氮化物層及電介質層的多層結構形成。
上述低輻射的輻射率可以為約0.01至約0.3。
上述低輻射層可包含選自包含銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鋁(Al)、鉑(Pt)、離子摻雜金屬氧化物及它們的組合的組中的至少一種。
上述低輻射層的厚度可以為約10nm至約25nm。
上述低輻射保護金屬層的可見光範圍的消光係數可以為約1.5至約3.5。
上述吸光金屬層可包含選自包含鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎳(Ni)與鉻(Cr)的合金、鈦(Ti)及它們的組合的組中的至少一種。
上述低輻射保護金屬層的厚度可以為約1nm至約5nm。
上述矽氮化物層可包含：SiNx(其中，1x1.5)；或者(Si1-yMy)Nz(其中，M是選自包含鋁(Al)、鈦(Ti)、鈷(Co)及它們的組合的組中的一種，0.01y0.2，1z1.5)。
上述矽氮化物層的厚度可以為約5nm至約20nm。
上述電介質層可包含選自包含金屬氧化物、金屬氮化物及它們的組合的組中的至少一種化合物，或者在上述至少一種化合物可摻雜選自包含鉍(Bi)、硼(B)、鋁(Al)、矽(Si)、鎂(Mg)、銻(Sb)、鈹(Be)及它們的組合的組中的至少一種元素。
上述電介質層的厚度可以為約5nm至約60nm。
上述基材可以是具有約90%至約100%的可見光透射率的透明 基材。
上述基材可以是玻璃或透明塑膠基板。
上述塗敷層是在上述低輻射層的雙面依次層壓低輻射保護金屬層及電介質層的對稱的結構，上述矽氮化物層可介於上述低輻射保護金屬層及上述電介質層的至少一個層之間。
上述塗敷層在最外廓的雙面還可包括至少一個矽氮化物層。
本發明的再一實例中，提供一種包括上述低輻射塗敷膜的建築材料。
上述低輻射塗敷膜不僅確保絕熱性能，而且提高耐熱性，從而能夠執行熱處理加工。
100、200‧‧‧低輻射塗敷膜
110、210‧‧‧基材
120、220‧‧‧低輻射層
130、230、260‧‧‧低輻射保護金屬層
140、240、270‧‧‧矽氮化物層
150、250、280‧‧‧電介質層
190、290‧‧‧塗敷層
第1圖為本發明一實施例的塗敷膜剖視圖。
第2圖為本發明另一實施例的塗敷膜的剖視圖。
下面，參照附圖對本發明的實施例進行詳細說明，以使本發明所屬技術領域的普通技術人員能夠容易實施。本發明能夠以多種不同的形態來體現，並不局限於在此所說明的實施例。本發明中省略了與說明無關的部分，以明確說明本發明，在說明書全文中，相同的附圖標記表示相同的結構部件。
附圖中擴大了厚度，以明確地表現出多個層及範圍。並且，附圖中放大表示一部分層及範圍的厚度，以便於說明。
下面，在基材的“上部(或下部)”或者基材的“上(或下)” 形成任一的結構，這將表示任一的結構為與上述基材的上表面(或下表面)相接而形成，並且，不局限於在形成於上述基材和基材上(或下)的任一的結構之間不包括其他結構。
下面，參照第1圖對本發明的一實例的低輻射塗敷膜進行說明。
第1圖是本發明一實例的包括基材110及塗敷層190的低輻射塗敷膜100的剖視圖。上述塗敷層190是從上述基材110起依次包括低輻射層120、低輻射保護金屬層130、矽氮化物層140及電介質層150的多層結構。
上述低輻射塗敷膜100包括上述矽氮化物層140，從而賦予耐久性、耐化學性及耐熱性等，可利用需要耐熱性的熱處理(temperable)來進行加工，並且，在上述矽氮化物層140的上部包括電介質層150，來減少對矽氮化物層140進行長時間工序時容易產生的污染問題，從而能夠防止因這種污染而產生的問題，並且，能夠擴大可設計低輻射(Low-e，low Emissivity)玻璃的光學性能的範圍。
上述塗敷層190作為基於在太陽光中選擇性地反射遠紅外線的低輻射層120的多層薄膜結構，通過降低輻射率來向上述低輻射塗敷膜100賦予基於低輻射效果的絕熱性能。上述低輻射塗敷膜100形成如上所述的結構，在夏天反射太陽輻射熱，並在冬天保存室內供暖器中所產生的紅外線，以此用作帶來建築物的節能效果的功能性原材料。
“輻射率(Emissivity)”是指物體吸收、透射及反射具有任一特定波長的能量的比率。即，本說明書中，輻射率是指在紅外線波長範圍的紅外線能量的吸收程度，具體地，在施加相當於呈現較強的熱作用的約5μm至約50μm的波長範圍的遠紅外線時，相對於所施加的紅外線能量而所吸收的紅外線能量的比率。
根據基爾霍夫的規律，被物質所吸收的紅外線能量與再次輻 射而釋放的能量相同，因而，吸收率與輻射率相同。
並且，由於未吸收的紅外線能量在物質的表面反射，因而，紅外線能量反射越高則輻射率的值越低。如果將其以數值形態表示，則具有(輻射率=1-紅外線反射率)的關係。
如上所述的輻射率可通過在該領域中通常公知的多種方法來測定而得，則不受特別的限制，例如，根據KSL2514標準，可利用傅立葉紅外分析儀(FT-IR)等的設備進行測定。
對於呈現如上所述的較強的熱作用的遠紅外線的吸收率即輻射率，在測定絕熱性能的程度的方面，具有非常重要的意義。
上述低輻射塗敷膜100在如玻璃等的透明的基材110上形成如上所述的塗敷層190，以此能夠用作節能型功能性建築材料，該節能型功能性建築材料在可視光範圍中維持規定的透射特性，並降低輻射率，可提供優秀的絕熱效果。
上述低輻射層120作為可具有低輻射率的導電性材料，例如是由金屬形成的層，即，具有低表面電阻，據此具有低輻射率。例如，上述低輻射層120的輻射率為約0.01至約0.3，具體地，可以為約0.01至約0.2，更加具體地，可以為約0.01至約0.1，進而具體地，可以為約0.01至約0.08。在上述低輻射層120具有上述範圍的輻射率的情況下，由於同時考慮到低輻射塗敷膜100的絕熱效果及可見光透射率方面，因而這將是適當的。具有如上所述的輻射率的上述低輻射層120的由薄膜形成的材料的表面電阻可以為約0.78Ω/sq至約6.42Ω/sq。
上述低輻射層120執行選擇性地透射及反射太陽輻射的功能。上述低輻射層120可包含選自包含銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鋁(Al)、鉑(Pt)、離子摻雜金屬氧化物及它們的組合的組中的至少一種，但不局限 於此。例如，上述離子摻雜金屬氧化物包含銦錫氧化物(ITO)、經過氟摻雜的錫氧化物(FTO)、鋁(Al)、經過摻雜的鋅氧化物(AZO)及鎵鋅氧化物(GZO)等。在一實例中，上述低輻射層120可以是銀(Ag)，由此，上述低輻射塗敷膜100能夠實現高導電度、可視光範圍中的低吸收率以及優秀的耐久性等。
例如，上述低輻射層120的厚度為約10nm至約25nm。具有上述範圍的厚度的低輻射層120適合同時實現低輻射率及高可見光透射率。
上述低輻射保護金屬層130由吸光性能優秀的金屬形成，來起到用於調節太陽光的功能，並通過調節上述低輻射保護金屬層130的材料、厚度等來可調節用於體現出上述低輻射塗敷膜100的顏色。
在一實例中，上述低輻射保護金屬層130在可視光範圍中的消光係數(exTincTion Coefficient)可以為約1.5至約3.5。上述消光係數是由作為從原材料的物質固有的特性而具有的光學常數匯出的值，上述光學常數的公式由n-ik表示。此時，實數部分n為折射率，虛數部分k為消光係數(也可命名為吸收係數、吸光係數及消光係數等)。消光係數為波長(λ)的函數，一般，金屬的消光係數大於0。消光係數k與吸收係數α具有如下關係，α=(4πk)/λ，在使光通過的介質的厚度為d時，吸收係數α根據I=I0exp(-αd)的關係，因基於介質的光的吸收，已通過的光的強度(I)比入射的光的強度(I0)減少。
上述低輻射保護金屬層130使用具有上述範圍的可視光範圍的消光係數的金屬，來吸收可見光的規定的部分，以使上述低輻射塗敷膜100具有預定的顏色。
例如，上述低輻射保護金屬層130可包含選自包含鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎳(Ni)與鉻(Cr)的合金、鈦(Ti)以及它們的組合的組中的 一種以上，但不局限於此。
例如，上述低輻射保護金屬層130的厚度可以為約1nm至約5nm。上述低輻射塗敷膜100包括上述厚度範圍的低輻射保護金屬層130，來執行作為低輻射保護的作用，並且能夠以具有預定的透射率及反射率的方式進行調節。
上述矽氮化物層140介於上述低輻射保護金屬層130及上述電介質層150之間，來用作保護上述低輻射保護金屬層130及上述低輻射層120的保護膜，以免受到包含在上述電介質層150的氧化物的氧的影響，從而起到使金屬與電介質層150之間的介面穩定化的作用。
並且，上述低輻射塗敷膜100包括上述矽氮化物層140，能夠提高上述塗敷層190的整體的耐熱性。由此，具有能夠進行需要高耐熱性的加工處理的優點。例如，為了滿足高樓所需要的耐風壓性能，上述低輻射塗敷膜100可具有適合執行必要的熱處理過程的耐熱性。
上述矽氮化物層140可包含矽氮化物，例如，如SiNx(其中，1x1.5)或(Si1-yMy)Nz(其中，M是選自包含鋁(Al)、鈦(Ti)、鈷(Co)及它們的組合的組中的一個，0.01y0.2，1z1.5)一樣，部分矽(Si)置換成金屬的矽氮化物化合物等。上述置換成金屬的矽氮化物化合物根據金屬，能夠提高耐久性、耐刮性及耐熱性等。上述矽氮化物層140可包含適當的種類的矽氮化物化合物，以符合於所需的用途。
例如，上述矽氮化物層140的厚度可以為約5nm至約20nm。上述矽氮化物層140的厚度可根據形成的位置及物質進行多種調節，以能夠將整個塗敷層190的光學性能(透射率、反射率及顯色指數)達到目標性能的標準，並且在包括具有上述厚度範圍的上述矽氮化物層140來層壓上述電介質層150時，可使工序中有可能發生的污染問題最小化，通過調節上述電介 質層150的厚度比等來能夠實現多種組合，從而，能夠設計多種低輻射玻璃的光學性能。
在上述塗敷層190中，上述電介質層150接著上述矽氮化物層140而層壓，由此隔著上述矽氮化物層140與上述低輻射保護金屬層130隔開。如上所述，由於上述電介質層150隔著上述矽氮化物層140與上述低輻射保護金屬層130及上述低輻射層120隔開，因而，能夠顯著地減少由上述電介質層150內的氧化物引起的氧的影響。
上述電介質層150可由折射率為約1.5至約2.3的電介質物質形成，並且可根據折射率的值來調節電介質層150的厚度，以將透射率、反射率、透射顏色及反射顏色體現為所需的目標水準。
例如，上述電介質層150的厚度可以為約5nm至約60nm。電介質層150的厚度可根據所要形成的位置及物質進行多種調節，以能夠將整個多層薄膜的光學性能(透射率、反射率及顯色指數)達到目標性能的標準，包括具有上述厚度範圍的上述電介質層150並根據電介質層150有效控制光學性能，並且，還可在生產速度方面優選採用。並且，如上所述，通過調節上述電介質層150與上述矽氮化物層140的相對厚度比等來能夠實現多種組合，從而能夠擴大低輻射玻璃的光學設計視窗。
並且，上述電介質層150可由消光係數接近於0的物質形成，消光係數大於0的物質表示在入射光到達吸光金屬層之前被電介質層150吸收的物質，這將成為阻礙確保清楚的視野的原因，而不優選。因而，電介質層150的消光係數可在可視光範圍(在約380nm至約780nm波長的範圍)中約小於0.1。
一般，由於使用於低輻射層120的金屬容易進行氧化，因而，上述電介質層150能夠起到上述低輻射層120的抗氧化膜的作用，並且，這 種電介質層150還起到提高可見光透射率的作用。
上述電介質層150可包含多種的金屬氧化物、金屬氮化物等，例如，可包含選自包含鈦氧化物、錫鋅氧化物、鋅氧化物、鋅鋁氧化物、錫氧化物、鉍氧化物、矽氮化物、矽鋁氮化物及它們的組合的組中的至少一種，但並不局限於此。在這種金屬氧化物和/或金屬氮化物中可摻雜選自包含鉍(Bi)、硼(B)、鋁(Al)、矽(Si)、鎂(Mg)、銻(Sb)、鈹(Be)及它們的組合的組中的至少一種元素。
通過適當地調節上述電介質層150的材料和物理性質來能夠調節上述低輻射塗敷膜100的光學性能。並且，上述電介質層150還可以由兩層以上的多層構成。
上述基材110可以是可見光透射率高的透明基材，例如，可使用具有約90%至約100%的可見光透射率的玻璃或透明塑膠基板。例如，上述基材110可無限制地使用於建築用玻璃，根據使用目的，例如，上述玻璃的厚度可以為約2mm至約12mm。
為了體現出適合於使用目的的光譜，上述低輻射塗敷膜100通過調節用於形成上述塗敷層190的各層的材料及厚度，從而可控制隨著波段而改變的透射率和反射率。例如，對於上述低輻射塗敷膜100來說，由於可見光透射率高而能夠確保舒適的視野，並提高反射率來能夠防止因外部視線而導致侵犯個人私生活的問題。
上述低輻射塗敷膜100可通過調節形成上述塗敷層190的各層的材料及厚度，由此可對從外部可視的上述低輻射塗敷膜100的高反射面的顏色、反射率及透射率等的光學性能進行微細的控制。
如上所述，上述塗敷層190以介入方式還可包括除了如上所述的結構以外的其他追加的層，以體現出預定的光學性能。一實例中，上述 塗敷層190在上述塗敷層190的最外廓的單面或雙面還可包括至少一個電介質層。
對於上述還可包括的電介質層的詳細的說明如上述電介質層150的說明。
本發明的再一個實例中，提供一種低輻射塗敷膜，該低輻射塗敷膜是從上述低輻射層的雙面依次層壓低輻射保護金屬層及電介質層的對稱的結構，並包括將上述矽氮化物層介於上述低輻射保護金屬層及上述電介質層的至少一個之間的塗敷層。
第2圖是簡要表示一實例的包括基材210及塗敷層290的低輻射塗敷膜200的剖視圖。上述塗敷層290是在上述基材210的上部依次包括第一電介質層280、第一矽氮化物層270、第一低輻射保護金屬層260、低輻射層220、第二低輻射保護金屬層230、第二矽氮化物層240及第二電介質層250的多層結構。在上述塗敷膜200中，上述塗敷層290是以上述低輻射層220為中心，在雙面依次層壓第二低輻射保護金屬層230、第一低輻射保護金屬層260、第二矽氮化物層240、第一矽氮化物層270以及第二電介質層250、第一電介質層280而形成的結構。
一實例中，上述塗敷層290在最外廓的雙面還可包括至少一個矽氮化物層。例如，能夠以在上述第二電介質層250的最外廓一側還層壓矽氮化物層(未圖示)的方式包括矽氮化物層，或者能夠以在上述第一電介質層280與上述基材210之間還層壓矽氮化物層(未圖示)的方式包括矽氮化物層。
本發明的另一實例中提供一種包括上述低輻射塗敷膜的建築材料。上述建築材料應用上述低輻射塗敷膜，從而確保基於低輻射效果的絕熱性能，如上所述，由於上述低輻射塗敷膜的耐熱性得到提高，因而上 述建築材料可視為根據追加的熱處理工序來加工而得。例如，上述建築材料可以是通過用於提高耐風壓性能的熱處理加工而得的材料，可用作高樓建築材料。
上述低輻射塗敷膜的各層可根據公知的方法進行層壓來製備而得。例如，上述各層的層壓可根據蒸鍍方法執行，並可根據公知的方法執行，上述蒸鍍方法不受特別的限制。
例如，上述電介質層的層壓可根據蒸鍍方法執行，也可根據公知的方法執行，並不受特別的限制，例如可利用磁控濺射蒸鍍機進行蒸鍍。
下面，對本發明的實施例及比較例進行說明。但是，下面的實施例只是本發明的一實施例，而本發明並不局限於以下實施例。
實施例1
使用磁控(C-Mag)濺射蒸鍍機(Selcos，Cetus-S)來製備出具有多層結構的低輻射塗敷膜，該多層結構具有如表1所示的組成及厚度。
首先，在氧/氬(氧的體積為50%，氬的體積為50%)的氣氛下，在厚度為6mm的透明玻璃基材上將SnZnOx層蒸鍍成19nm的厚度。接著，在氮/氬(氮的體積為20%，氬的體積為80%)的氣氛下，將SiNx層蒸鍍成5nm的厚度。在氬的體積為100%的氣氛下，將鎳鉻(NiCr)層、銀(Ag)層及鎳鉻(NiCr)層依次分別蒸鍍成1.5nm的厚度、11nm的厚度及1.5nm的厚度之後，在與上述SiNx層的蒸鍍條件同樣的條件下，再次將SiNx層蒸鍍成5nm的厚度。最後，在與上述SnZnOx層的蒸鍍條件同樣的條件下，將SnZnOx層蒸鍍成43nm的厚度來製備出低輻射塗敷膜。
實施例2
實施例1中，除了在最上部還層壓5nm厚度的SiNx層之外，在 與實施例1相同的條件下製備了低輻射塗敷膜。
實施例3至實施例5
除了將厚度為5nm的SiNx層的數目及應用位置如表1所示變更之外，在與實施例1相同的條件下製備了低輻射塗敷膜。
比較例1
除了在與實施例1相同的多層結構的膜中排除SiNx層之外，在與實施例1相同的條件下製備了低輻射塗敷膜。
比較例2
除了在與實施例1相同的多層結構的膜中，在氮/氬(氮的體積為50%，氬的體積為50%)的氣氛下，以5nm的厚度蒸鍍SnZnNx層來代替SiNx層之外，在與實施例1相同的條件下製備了低輻射塗敷膜。
比較例3
除了將厚度為5nm的SiNx層的數目及應用位置如表1所示變更之外，在與實施例1相同的條件下製備了低輻射塗敷膜。
評價
利用如下所述的方法對在實施例1至實施例5及比較例1至比較例3中製備的低輻射塗敷膜進行了熱處理。
在如下的條件下進行了熱處理：使用實驗室用快速熱退火系統(RTS，rapid thermal annealing system)，放入上述樣本，並在5分鐘內將快速熱退火系統(RTS，rapid thermal annealing system)的內部的溫度提升到約670℃，維持5分鐘之後，將溫度降到常溫。
熱處理之前和熱處理之後分別利用霧度儀(haze-gardner plus)來測定了可見光透射率和霧度(Haze)，並利用輻射率測定器(太陽能儀器：Emissiometer MK3)來測定了輻射率。並且，利用分光光度計(spectrophotometer，KS L 2514標準)來觀察熱處理之前及熱處理之後的上述分光特性變化，見以下表2。
如表2所示，對實施例1至實施例5與比較例1的有關熱處理之前和熱處理之後的輻射率變化進行比較，可見，當應用SiNX層時，熱處理之前和熱處理之後的輻射率沒有發生變化，可見光透射率及霧度的變化量也顯著地減少。由此可知，如果應用SiNX層，則在熱處理之後能夠保護低輻射層及低輻射保護金屬層。
對在金屬層與氧化物電介質層之間的上部及下部均應用SiNX層的情況(實施例1)和在SiNX層的位置應用SnZnNX層的情況(比較例2)進行比較，可知，當應用SiNX層時，可見光透射率及霧度的變化量較少。由此可知，應用SiNX層時，相比應用SnZnNX層能夠更加提高耐熱性能。
對在低輻射保護金屬層與電介質層之間的上部及下部均應用SiNX層的情況(實施例1)和在塗敷層的最上部及最下部均應用SiNX層的情況(比較例3)進行比較，可見，實施例1中，熱處理之前和熱處理之後的可見光透射率變化較少。並且，可知，在低輻射保護金屬層與氧化物電介質層之間的位置中，僅在上部(或下部)中的一部分應用SiNX層的情況(實施例3及實施例4)，相比比較例3的情況，可見光透射率變化較少。由此可知，SiNX層應用於低輻射保護金屬層與氧化物電介質層之間時，相比將SiNX層應用於最上部及最下部，能夠更加提高耐熱性能。
實施例5中，由於總共應用4層的SiNX層而使厚度變厚，因而，獲得非常優秀的耐熱性能結果。
100‧‧‧低輻射塗敷膜
110‧‧‧基材
120‧‧‧低輻射層
130‧‧‧低輻射保護金屬層
140‧‧‧矽氮化物層
150‧‧‧電介質層
190‧‧‧塗敷層

Claims (17)

  1. 一種塗敷膜，包括：基材；以及塗敷層；其中，該塗敷層是從該基材起依次包括低輻射層、低輻射保護金屬層、矽氮化物層及電介質層的多層結構。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的塗敷膜，其中，該低輻射層的輻射率為0.01至0.3。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述的塗敷膜，其中，該低輻射層包含選自包含銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鋁(Al)、鉑(Pt)、離子摻雜金屬氧化物及它們的組合的組中的至少一種。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述的塗敷膜，其中，該低輻射層的厚度為10nm至25nm。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述的塗敷膜，其中，該低輻射保護金屬層的可視光範圍的消光係數為1.5至3.5。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述的塗敷膜，其中，該低輻射保護金屬層包含選自包含鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎳(Ni)與鉻(Cr)的合金、鈦(Ti)及它們的組合的組中的至少一種。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述的塗敷膜，其中，該低輻射保護金屬層的厚度為1nm至5nm。
  8. 根據申請專利範圍第1項所述的塗敷膜，其中，該矽氮化物層包含SiNx(其中，1x1.5)或者(Si1-yMy)Nz(其中，M是選自包含鋁(Al)、鈦 (Ti)、鈷(Co)及它們的組合的組中的一種，0.01y0.2，1z1.5)。
  9. 根據申請專利範圍第1項所述的塗敷膜，其中，該矽氮化物層的厚度為5nm至20。
  10. 根據申請專利範圍第1項所述的塗敷膜，其中，該電介質層包含選自包含金屬氧化物、金屬氮化物及它們的組合的組中的至少一種化合物，或在上述至少一種化合物中摻雜有選自包含鉍(Bi)、硼(B)、鋁(Al)、矽(Si)、鎂(Mg)、銻(Sb)、鈹(Be)及它們的組合的組中的至少一種元素。
  11. 根據申請專利範圍第1項所述的塗敷膜，其中，該電介質層包含選自包含鈦氧化物、錫鋅氧化物、鋅氧化物、鋅鋁氧化物、錫氧化物、鉍氧化物、矽氮化物、矽鋁氮化物及它們的組合的組中的至少一種。
  12. 根據申請專利範圍第1項所述的塗敷膜，其中，該電介質層的厚度為5nm至60nm。
  13. 根據申請專利範圍第1項所述的塗敷膜，其中，該基材是具有90%至100%的可見光透射率的透明基材。
  14. 根據申請專利範圍第1項所述的塗敷膜，其中，該基材是玻璃或透明塑膠基板。
  15. 根據申請專利範圍第1項所述的塗敷膜，其中，該塗敷層是在該低輻射層的雙面依次層壓低輻射保護金屬層及電介質層的對稱的結構，且該矽氮化物層介於該低輻射保護金屬層及該電介質層的至少一個層之間。
  16. 根據申請專利範圍第1項所述的塗敷膜，其中，該塗敷層在最外廓的雙面還包括至少一個矽氮化物層。
  17. 一種建築材料，包括根據申請專利範圍第1項至第16項中的任一項所 述的塗敷膜。
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