TW201347247A - 加強導熱性的半導體封裝體以及相關方法 - Google Patents

加強導熱性的半導體封裝體以及相關方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201347247A
TW201347247A TW101127635A TW101127635A TW201347247A TW 201347247 A TW201347247 A TW 201347247A TW 101127635 A TW101127635 A TW 101127635A TW 101127635 A TW101127635 A TW 101127635A TW 201347247 A TW201347247 A TW 201347247A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
chip package
electrode
thermal pad
package
heat sink
Prior art date
Application number
TW101127635A
Other languages
English (en)
Inventor
Hsun-Wei Chan
Original Assignee
Advanced Semiconductor Eng
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Semiconductor Eng filed Critical Advanced Semiconductor Eng
Publication of TW201347247A publication Critical patent/TW201347247A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一種具有導線架及模部的晶片封裝體。導線架包括導熱墊及至少一電極。模部部分包覆所述至少一電極，使得電極在上表面暴露出來而不在下表面暴露出來。導熱墊的下表面被暴露出以直接地固定於外部散熱器。模部配置於所述至少一電極以及散熱器之間，藉此預防短路。

Description

加強導熱性的半導體封裝體以及相關方法
實施例是有關於半導體封裝體結構，且特別是有關於發光二極體(light-emitting diode，LED)封裝體結構。
由於發光二極體(LED)裝置提供了諸如低成本、低耗能及相關的環境益處等優點，因此LED裝置較佳用於許多照明用途。典型的LED裝置包括至少一個含有LED晶片的LED封裝體。LED裝置的效率不僅依據LED晶片的量子效率(quantum efficiency)，且依據封裝體設計。LED裝置在使用期間所產生的熱必須被消除。熱不僅引起LED裝置的無效率，且影響LED裝置的長期可靠度。因此，LED裝置典型地包括金屬散熱器(heat sink)以較佳地散熱。
一些LED封裝體包括預成型導線架(pre-molded lead frame)來代替傳統的陶瓷基板，藉此承載LED晶片。預成型導線架包括包覆導線架的預成型絕緣體，所述導線架具有多個電極以及導熱墊(thermal pad)。此電極以及導熱墊暴露在LED封裝體的底部。
然而，傳統的LED封裝體不能直接地表面安裝(surface-mounted)於金屬散熱器的導電表面，因為散熱器可能會使LED封裝體的暴露的電極短路。典型地，印刷電路板在傳統的LED封裝體及散熱器之間提供電絕緣的 緩衝器以克服此問題，但是此解決方法顯著地增加製造成本。此外，為了減少LED封裝體及散熱器之間的熱阻抗(thermal impedance)，通常提供具有導熱孔(thermal via)或延伸穿過電路板的金屬嵌入物的電路板。這些特徵更額外增加製造成本。
另一個LED封裝體設計稱為板上晶片(chip-on-board，COB)封裝體，其包括安裝在金屬核心電路板(metal-core printed circuit board，MCPCB)的LED晶片。MCPCB典型地包括具有絕緣層的鋁板(所述絕緣層塗佈於鋁板的前表面上)以及在絕緣層上提供電路佈線及電性連接的銅圖案。COB LED封裝體可直接地表面安裝於金屬散熱器的導電表面。然而，從LED晶片到散熱器的熱傳導(heat transmission)顯著地被銅圖案及鋁核心之間的絕緣層所阻礙，因此造成低散熱效率。
實施例之一包括晶片封裝體，其包括具有導熱墊的承載器(carrier)、多個電極以及部分包覆電極的絕緣體。電極暴露在承載器的上表面。壁部(wall portion)配置且圍繞於承載器的上表面之上而形成凹處(cavity)。至少一個晶片配置於凹處內的導熱墊上。晶片電性連接至暴露的電極。膠體(encapsulant)配置於凹處內且包覆此至少一個晶片。導熱墊的下表面是暴露出來的，但是電極的下表面沒有暴露出來，使得封裝體可在不使電極短路的情況下 直接地安裝於外部裝置。
另外一個實施例包括晶片封裝體，其包括導熱墊以及配置於導熱墊周圍的多個電極。絕緣的封裝體主體部分包覆電極。電極的上表面是暴露出來的。封裝體主體包括圍繞導熱墊及形成凹處的壁部。至少一個晶片配置於凹處內的導熱墊上。晶片電性連接至暴露的電極。導熱墊的下表面與封裝體主體的下表面為共平面，使得晶片封裝體可在電極與外部裝置隔開的情況下直接地安裝於外部裝置，藉此預防電極的短路。
另外一個實施例包括製造晶片封裝體的方法。此方法包括提供封裝體基板。基板包括具有導熱墊及電極的導線架。基板更包括耦接(couple)導線架的模部(molded portion)，使得導熱墊的下表面從模部暴露出來，電極的上表面從模部暴露出來以及電極的下表面與側面完全地被模部所覆蓋，模部更在基板的上表面形成凹處。此方法更包括將晶片配置於凹處內，且黏合至導熱墊的上表面，並電性連接至電極。此方法更包括將膠體配置於凹處內，並包覆晶片。
將共同的標號用於圖式各處以及實施方式以表示相同元件。本發明可藉由下列結合隨附圖式的實施方式而更清楚明瞭。
依據實施例之一的晶片封裝體100如圖1所示。晶片 封裝體100包括承載器110以及至少一個晶片120(例如發光二極體(LED)晶片)，所述晶片120藉由多條導線(wire)130而電性連接至承載器110。承載器110可為例如預成型的，但不一定需要。雖然此處的晶片120是LED晶片，但僅是為了方便而不是受限於此。實施例包括任何形態的具有一般表面安裝型引腳(lead)結構及實質上用以接觸散熱器的平坦下表面的半導體晶片封裝體。
承載器110具有至少二個電極112(例如正電極以及負電極)、絕緣體116以及晶片座(die pad)或導熱墊118，絕緣體116部分地包覆電極112以及形成封裝體主體。絕緣體116例如可為預成型的，但不一定需要。電極112暴露於承載器110的上表面110a且與導熱墊118隔開。於本實施例中，電極112的下表面112a被絕緣體116所覆蓋，所述絕緣體116與導熱墊118的下表面118a共平面，藉此提供承載器110一平坦的下表面110b。晶片封裝體100因此可在不使電極112短路的情況下直接地安裝於外部的金屬散熱器，如接下來所述。電極112與導熱墊118可整體地視為導線架。
電極112可為金屬，例如銅或鋁。電極112的表面能夠以高傳導的金屬塗層來電鍍，例如銀或金。絕緣體116可為封裝化合物(molding compound)，例如透明的聚合物或半透明的聚合物、軟膠(soft gel)、彈性體、樹脂、環氧樹脂、矽膠或環氧-矽膠混合樹脂(epoxy-silicone hybrid resin)。
導熱墊118承載晶片120。較優的是導熱墊118的平坦的下表面118a是暴露出來的，用以從晶片120直接地散熱至外部環境。此外，晶片封裝體100的導熱墊118可在不使電極112短路的情況下直接固定於外部的散熱器，因此更加強散熱效率，如下參照圖5所述。
承載器110包括垂直的壁部110c，所述壁部110c配置且圍繞於承載器110的上表面。壁部110c形成凹處117，且LED晶片120與導線130配置於凹處117中。壁部110c包括絕緣材料，且可與絕緣體116一體成形或者分開地形成。壁部110c可視為封裝體主體的一部分。
膠體140填充凹處117，且包覆LED晶片120與導線130。膠體140可由透明的聚合物或半透明的聚合物所製，例如軟膠、彈性體、樹脂、環氧樹脂、矽膠或環氧-矽膠混合樹脂。為了改善出自LED晶片120的發光的一致性，當光發射出時，光可被散射。因此，散射粒子(未繪示)可被添加至膠體140。散射粒子在光通過膠體140時可任意地折射光。
LED晶片120配置於導熱墊118的上表面118b上。導線130在LED晶片120及電極112上的電性接點(electrical contact)(例如正極與負極)之間延伸，藉此將LED晶片120電性連接至電極112。
在繪示的實施例中，光轉換層(light converting layer)150配置於膠體140及LED晶片120之間。光轉換層150實質上覆蓋LED晶片120的上表面，且亦可覆蓋每一條導 線130的一部分。光轉換層150包括光轉換物質的粒子，例如螢光粒子。從LED晶片120發射出的光(例如藍光)可被光轉換物質轉換成不同顏色(例如綠、黄以及紅)的光，且這些不同顏色接著可被混合而產生白光。在某些實施例中，可不提供光轉換層150。例如，單色的(monochromatic)LED封裝體可不需要光轉換層150。於另外一個本實施例中，光轉換層150可被省略，且可被膠體140裡的光轉換物質所取代。
圖2繪示出依據另外一個實施例的晶片封裝體200。晶片封裝體200與圖1的晶片封裝體100相類似。然而，晶片封裝體100的膠體140被省略，且被蓋子(lid)或覆蓋板240所取代。覆蓋板240配置於承載器110之上，用以密封凹處117。覆蓋板240可例如由玻璃、透明的聚合物或半透明的聚合物所製。為了改善出自LED晶片120的發光的一致性，當光發射出時，光可被散射。因此，散射粒子(未繪示)可被添加至覆蓋板240。散射粒子在光通過覆蓋板240時可任意地折射光。此外，光轉換層150可被省略，且可被覆蓋板240裡的光轉換物質所取代。
圖3繪示出依據另外一個實施例的晶片封裝體300。晶片封裝體300與圖1的晶片封裝體100相類似。然而，多個晶片120被安裝於承載器110的凹處117內的導熱墊118上。導線330在晶片120及電極112之間延伸，藉此將晶片120電性連接至電極112。晶片120可為低功率或中功率的LED晶片，所述LED晶片可提供較佳照度 (illumination)以用於高功率的照明用途。在一些實施例中，晶片封裝體300可包括二極體防護(diode-protective)晶片，例如齊納二極體(Zener diode)(未繪示)，藉此保護晶片120避免過載電流(excessive current)。齊納二極體能夠調整工作電壓(working voltage)及運行而使電流穩定。
圖4繪示出依據另外一個實施例的晶片封裝體400。晶片封裝體400與圖1的晶片封裝體100相類似。然而，承載器410不包括導熱墊。於此實施例中，LED晶片120配置於絕緣體116的上表面116a之上。外部的散熱器可黏合於晶片封裝體400的下表面410b。於此實施例中，絕緣體116較佳地可由高導熱性(thermal conductivity)及低水蒸氣滲透性(water vapor permeability)的一個或多個材料所製。於某些實施例中，絕緣體116可為含有熱傳導填充材料的封裝化合物，所述熱傳導填充材料例如為氧化鋁(alumina)、氧化鎂(magnesium oxide)、氧化鈹(beryllium oxide)、氮化鋁(aluminum nitride)、氮化硼(boron nitride)、碳化矽(silicon carbide)、碳化鉬(molybdenum carbide)或二硼化鈦(titanium diboride)。
圖5繪示出安裝於散熱器570的圖1的晶片封裝體100。較優的是由晶片120所產生的大部分的熱透過導熱墊118而直接地傳導至散熱器570，藉此提供優異的熱傳導性。主要的傳熱路徑從晶片120經導熱墊118而至散熱器570。沒有絕緣層位於此主要的傳熱路徑上，因此提供優異 的散熱效率。於某些實施例中，承載器110的下表面110b可經由導熱膏(thermal grease)、膠帶(adhesive tape)或連接器(connector)(未繪示)而穩固地黏合於散熱器570的接合面(bonding surface)570a。可調整散熱器570的尺寸及/或形狀以滿足特定散熱用途所需，且所繪示的尺寸及形狀不應該解釋為其限制。
如圖5所示，晶片封裝體100藉由接點162而連接至外部的電源供應電路(power supply circuitry)，所述接點162固定於位於承載器110的上表面110a上的電極112的暴露部分。外部的電源供應電路供應電流至晶片封裝體100，使得LED晶片120可產生光。
圖6A繪示出依據另外一個實施例的晶片封裝體600。晶片封裝體600與圖1的晶片封裝體100相類似。然而，承載器110被省略且被承載器610所取代，其中絕緣體116沒有覆蓋電極112的下表面112a。藉由此結構，在形成承載器610的預成型製程期間，電極112可藉由下模具(bottom mold)而被直接地支撐，因此防止模具溢料(mold flash)。電極112與承載器610的下表面610b隔開，使得晶片封裝體600適於直接地安裝於外部的散熱器，其中，散熱器接觸導熱墊118的下表面118a，但是與電極112隔開。
圖6B及圖6C繪示出經由絕緣材料所製的連接器680而安裝於散熱器570的圖6A的晶片封裝體600。連接器680具有下支架部(bottom lip portion)682、上支架部(top lip portion)684以及下支架部682與上支架部684所定義出的溝槽(groove)686。下支架部682位於承載器610的電極112及散熱器570的接合面570a之間，因此允許晶片封裝體600可在不使電極112短路的情況下直接地安裝於散熱器570。下支架部682具有凹口(recess)682a，所述凹口682a容納導熱墊118的下部，藉此允許承載器610的下表面610b直接地接觸散熱器570。溝槽686用以容納承載器610的周圍部(peripheral portion)610c。在組裝具有連接器680的晶片封裝體600的製程中，承載器610的周圍部610c被嵌進溝槽686。如圖5的實施例中，晶片封裝體600藉由接點162而連接至外部的電源供應電路，所述接點162固定於電極112的暴露部分。在連接器680組裝晶片封裝體600之前，由於接點162固定於晶片封裝體600，因此連接器680具有用以容納接點162的間隙(gap)680c(圖6B)。
參照圖6B及圖6C，兩個固定件690各自容納於連接器680的開口(opening)680a及散熱器570的開口570b內，藉此將晶片封裝體600固定於散熱器570。固定件690及散熱器570的開口可以是具有螺紋的(threaded)。連接器680可由彈性體(例如橡膠或其他可以吸收外部衝擊的緩衝材料)所製成。視情況，連接器680的內周圍部(inner circumferential portion)的上邊緣688可為所繪示出之斜面，其使晶片封裝體600容易地安裝於連接器680中。
圖7A繪示出依據另外一個實施例的晶片封裝體 700。晶片封裝體700與圖1的晶片封裝體100相類似。然而，承載器110被省略且被具有開口719的承載器710所取代，所述開口719藉由移除在每一個電極712下面的部分絕緣體716而形成。因此，儘管部分暴露，電極712仍然與承載器710的下表面710b隔開，使得晶片封裝體700適於直接地安裝於外部的散熱器，其中，散熱器接觸導熱墊718的下表面718a，但是與電極112隔開。
圖7B及圖7C繪示出藉由固定件(例如螺桿790)而安裝於散熱器570的圖7A的晶片封裝體700。參照圖7B，絕緣的導熱膏792(或絕緣的膠帶或類似)位於晶片封裝體700及散熱器570之間。絕緣的導熱膏792填充電極712下面的開口719，因此更降低電極712之間短路的可能性。此外，導熱膏792可加強從晶片封裝體700至散熱器570的散熱效率。如圖5及圖6的實施例中，晶片封裝體700藉由接點162而連接至外部的電源供應電路，所述接點162固定於電極712的暴露部分。
圖8繪示出依據另外一個實施例的晶片封裝體900。晶片封裝體900與圖1的晶片封裝體100相類似。然而，承載器110被省略且被具有凹口911的承載器910所取代，凹口911藉由移除電極912的側部(lateral portion)912a(圖9A及圖9B)所形成，使得電極912自承載器910的側面910a凹進去。於某些實施例中，凹口911具有至少0.15 mm的深度(從電極912至預成型的承載器910的側面910a的距離)，因此顯著地降低電極912之間短路發生 的機會，如下進一步討論。圖9A繪示出具有側部912a的晶片封裝體900。於製造期間，電極912藉由側部912a而連接至鄰近的導線架單元，所述側部912a在切割步驟(singulation step)後形成暴露的側面。由於暴露的側部912a非常靠近外部的散熱器的傳導面，因此暴露的側部912a在晶片封裝體900安裝於散熱器後可能引起電極912之間的短路。因此，圖8的晶片封裝體900移除側部912a。
儘管本發明已經描述及繪示出其相關的特定實施例，但是本發明並不受限於這些描述及圖式。本發明可為所屬領域中具通常知識者所理解，且在不脫離本發明藉由所附申請專利範圍所定義的精神及範圍下可作各式各樣的修改及等同的取代。圖式不一定需要繪示比例，本揭露的所屬技術領域的解釋以及由製造流程與容許度製成的實際的裝置可有所差別。且本發明的其他實施例可能未被特別地繪示出。此說明書及圖式將被認為是說明用的而不是限制用的。可作修改以適合特定的情況、材料、物質組成物、目標物的方法或製程以及本發明的精神與範圍。所有此類的修改都在本說明書的所附申請專利範圍的範圍內。儘管本說明書所揭露的方法已為與依照特定的順序而執行的特定操作有關，但是將被理解的是這些操作可合併、再細分或重組順序，藉此在不脫離本發明的教示下形成等效的方法。因此，除非本說明書特定指出，否則操作的順序及組別並非本發明的限制。
100、200、300、400、600、700、900‧‧‧晶片封裝體
110、410、610、710、910‧‧‧承載器
110a、116a、118b‧‧‧上表面
110b、112a、118a、410b、610b、710b、718a‧‧‧下表面
110c‧‧‧壁部
112、712、912‧‧‧電極
116、716‧‧‧絕緣體
117‧‧‧凹處
118、718‧‧‧導熱墊
120‧‧‧晶片
130、330‧‧‧導線
140‧‧‧膠體
150‧‧‧光轉換層
162‧‧‧接點
240‧‧‧覆蓋板
570‧‧‧散熱器
570a‧‧‧接合面
610c‧‧‧周圍部
680‧‧‧連接器
570b、680a、719‧‧‧開口
680c‧‧‧間隙
682‧‧‧下支架部
682a、911‧‧‧凹口
684‧‧‧上支架部
686‧‧‧溝槽
688‧‧‧上邊緣
690‧‧‧固定件
790‧‧‧螺桿
792‧‧‧導熱膏
910a‧‧‧側面
912a‧‧‧側部
圖1為依據實施例之一的晶片封裝體的剖面圖。
圖2為依據另外一個實施例的晶片封裝體的剖面圖。
圖3為依據另外一個實施例而成的晶片封裝體的剖面圖。
圖4為依據另外一個實施例的晶片封裝體的剖面圖。
圖5為安裝於散熱器的圖1的晶片封裝體的剖面圖。
圖6A為依據另外一個實施例的晶片封裝體的剖面圖。
圖6B為圖6A經由絕緣材料所製的連接器安裝於散熱器的晶片封裝體的上視圖。
圖6C為沿著圖6B的線6C-6C的剖面圖。
圖7A為依據另外一個實施例的晶片封裝體的剖面圖。
圖7B為圖7A藉由固定件及位於晶片封裝體與散熱器之間的絕緣的導熱膏而安裝於散熱器的晶片封裝體的上視圖。
圖7C為沿著圖7B的線7C-7C的剖面圖。
圖8為依據另外一個實施例的晶片封裝體的剖面圖。
圖9A為依據另外一個實施例的晶片封裝體的上視圖。
圖9B為沿著圖9A的晶片封裝體的線9B-9B的剖面圖。
100‧‧‧晶片封裝體
110‧‧‧承載器
112‧‧‧電極
116‧‧‧絕緣體
117‧‧‧凹處
118‧‧‧導熱墊
120‧‧‧晶片
130‧‧‧導線
140‧‧‧膠體
150‧‧‧光轉換層

Claims (20)

  1. 一種晶片封裝體，包括：承載器，包括導熱墊、多個電極以及絕緣體，其中所述絕緣體之部分包覆所述電極，所述電極暴露於所述承載器的上表面；壁部，配置且圍繞於所述承載器的上表面，所述壁部形成凹處；至少一晶片，配置於所述凹處內的所述導熱墊上，所述晶片電性連接至暴露的所述電極；以及膠體，配置於所述凹處內，且包覆所述至少一晶片，其中所述導熱墊的下表面被暴露出但所述電極的下表面未被暴露出，使得所述晶片封裝體可在不使所述電極短路的情況下直接地安裝於外部裝置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的晶片封裝體，其中每一個所述電極的下表面被所述絕緣體覆蓋。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的晶片封裝體，其中所述導熱墊的下表面與所述絕緣體的下表面為共平面。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的晶片封裝體，更包括外部散熱器，直接安裝於所述導熱墊的下表面。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的晶片封裝體，其中所述絕緣體配置於所述電極以及所述散熱器之間。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的晶片封裝體，其中所述絕緣體包括在每一個所述電極下面的開口，使得每一個所述電極的下表面的至少一部分被暴露出來。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的晶片封裝體，更包括導熱膏或膠帶，配置於所述電極以及所述散熱器之間的所述開口的區域內。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的晶片封裝體，其中每一個所述電極自所述承載器的側面凹進去。
  9. 一種晶片封裝體，包括：導熱墊；多個電極，配置於所述導熱墊的周圍；絕緣的封裝體主體，部分地包覆所述電極，其中所述電極的上表面被暴露出，所述封裝體主體包括圍繞所述導熱墊及形成凹處的壁部；以及至少一晶片，配置於所述凹處內的所述導熱墊上，所述晶片電性連接至暴露的所述電極，其中所述導熱墊的下表面與所述封裝體主體的下表面為共平面，使得所述晶片封裝體可在所述電極與外部裝置隔開的情況下直接地安裝於所述外部裝置，藉此預防所述電極的短路。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的晶片封裝體，更包括膠體，配置於所述凹處內且包覆所述至少一晶片。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的晶片封裝體，更包括覆蓋板，配置於所述壁部之上且密封所述凹處。
  12. 如申請專利範圍第9項所述的晶片封裝體，其中每一個所述電極的下表面被所述封裝體主體所覆蓋。
  13. 如申請專利範圍第9項所述的晶片封裝體，更包 括外部散熱器，直接地安裝於所述導熱墊的下表面。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的晶片封裝體，其中所述封裝體主體配置於所述電極以及所述散熱器之間。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的晶片封裝體，其中所述封裝體主體包括在每一個所述電極下面的開口，使得每一個所述電極的下表面的至少一部分被暴露出。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的晶片封裝體，更包括導熱膏或膠帶，配置於所述電極以及所述散熱器之間的所述開口的區域內。
  17. 如申請專利範圍第9項所述的晶片封裝體，其中每一個所述電極自所述封裝體主體的側面凹進去。
  18. 一種晶片封裝體的製造方法，包括：提供封裝體基板，所述封裝體基板包括：導線架，具有導熱墊以及電極；以及模部，耦接所述導線架，使得所述導熱墊的下表面從所述模部暴露出來，所述電極的上表面從所述模部暴露出來以及所述電極的下表面與側面完全地被所述模部所覆蓋，所述模部更在所述封裝體基板的上表面形成凹處；將晶片配置於所述凹處內且黏合至所述導熱墊的上表面並電性連接至所述電極；以及將膠體配置於所述凹處內，並包覆所述晶片。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的晶片封裝體的製造方法，更包括將散熱器固定於所述封裝體基板，使得所 述導熱墊的下表面直接地接觸所述散熱器，且所述模部配置於所述電極以及所述散熱器之間。
  20. 如申請專利範圍第18項所述的晶片封裝體的製造方法，其中每一個所述電極自所述模部的側面凹進去。
TW101127635A 2012-05-08 2012-07-31 加強導熱性的半導體封裝體以及相關方法 TW201347247A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/466,881 US8637887B2 (en) 2012-05-08 2012-05-08 Thermally enhanced semiconductor packages and related methods

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201347247A true TW201347247A (zh) 2013-11-16

Family

ID=47304388

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101127635A TW201347247A (zh) 2012-05-08 2012-07-31 加強導熱性的半導體封裝體以及相關方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8637887B2 (zh)
CN (1) CN102820412A (zh)
TW (1) TW201347247A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI712129B (zh) * 2020-01-21 2020-12-01 強茂股份有限公司 半導體封裝結構以及其製作方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130249073A1 (en) * 2012-03-22 2013-09-26 Hsin Hung Chen Integrated circuit packaging system with support structure and method of manufacture thereof
CN104303291A (zh) * 2012-05-23 2015-01-21 皇家飞利浦有限公司 可表面安装的半导体器件
JP6291735B2 (ja) * 2013-07-05 2018-03-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
TW201505532A (zh) * 2013-07-26 2015-02-01 Jitboundary United Production Inc 高散熱電路板組
JP2017054933A (ja) * 2015-09-09 2017-03-16 株式会社東芝 発光装置及びその製造方法
WO2017095712A1 (en) 2015-12-02 2017-06-08 Koninklijke Philips N.V. Led metal pad configuration for optimized thermal resistance, solder reliability, and smt processing yields
TWM523189U (zh) * 2016-03-14 2016-06-01 Chang Wah Technology Co Ltd 導線架預成形體及導線架封裝結構
US10186476B2 (en) * 2016-11-07 2019-01-22 Qorvo Us, Inc. Semiconductor package with grounded fence to inhibit dendrites of die-attach materials
WO2018092251A1 (ja) * 2016-11-17 2018-05-24 三菱電機株式会社 半導体パッケージ
TWM551755U (zh) * 2017-06-20 2017-11-11 Chang Wah Technology Co Ltd 泛用型導線架
KR102543185B1 (ko) * 2018-10-08 2023-06-14 삼성전자주식회사 반도체 패키지
CN112779540A (zh) * 2020-12-15 2021-05-11 河北中瓷电子科技股份有限公司 金属表面处理方法和塑料封装外壳的制备方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6670207B1 (en) 1999-03-15 2003-12-30 Gentex Corporation Radiation emitter device having an integral micro-groove lens
DE19964252A1 (de) 1999-12-30 2002-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Bauelement für eine LED-Weißlichtquelle
TW506236B (en) 2000-06-09 2002-10-11 Sanyo Electric Co Method for manufacturing an illumination device
US6967395B1 (en) 2001-03-20 2005-11-22 Amkor Technology, Inc. Mounting for a package containing a chip
US6856007B2 (en) * 2001-08-28 2005-02-15 Tessera, Inc. High-frequency chip packages
JP4009097B2 (ja) 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
EP1433831B1 (en) 2002-03-22 2018-06-06 Nichia Corporation Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device
TW546799B (en) 2002-06-26 2003-08-11 Lingsen Precision Ind Ltd Packaged formation method of LED and product structure
DE10237084A1 (de) 2002-08-05 2004-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leiterrahmens und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements
US7128442B2 (en) 2003-05-09 2006-10-31 Kian Shin Lee Illumination unit with a solid-state light generating source, a flexible substrate, and a flexible and optically transparent encapsulant
US20050247944A1 (en) 2004-05-05 2005-11-10 Haque Ashim S Semiconductor light emitting device with flexible substrate
US7372198B2 (en) 2004-09-23 2008-05-13 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor
US7847301B2 (en) 2004-12-08 2010-12-07 Agilent Technologies, Inc. Electronic microcircuit having internal light enhancement
US20060131734A1 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 Texas Instruments Incorporated Multi lead frame power package
TWI389337B (zh) 2005-05-12 2013-03-11 Panasonic Corp 發光裝置與使用其之顯示裝置及照明裝置，以及發光裝置之製造方法
US7719021B2 (en) 2005-06-28 2010-05-18 Lighting Science Group Corporation Light efficient LED assembly including a shaped reflective cavity and method for making same
KR101161383B1 (ko) 2005-07-04 2012-07-02 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법
US7960819B2 (en) 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
US7709853B2 (en) 2007-02-12 2010-05-04 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
US7663095B2 (en) 2007-09-20 2010-02-16 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Photodetector with embedded infrared filter
KR100998233B1 (ko) 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 ｌｅｄ 패키지
US8258526B2 (en) * 2008-07-03 2012-09-04 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting diode package including a lead frame with a cavity
US8044420B2 (en) 2009-01-15 2011-10-25 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Light emitting diode package structure
US8330178B2 (en) 2010-05-11 2012-12-11 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Package structure and package process of light emitting diode
US8450770B2 (en) 2010-05-11 2013-05-28 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Light emitting package structure
US8841145B2 (en) 2010-12-08 2014-09-23 Bridgelux, Inc. System for wafer-level phosphor deposition
CN202189832U (zh) * 2011-04-19 2012-04-11 晶扬科技股份有限公司 Led元件成型结构及其模组
US20120286397A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 Globalfoundries Inc. Die Seal for Integrated Circuit Device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI712129B (zh) * 2020-01-21 2020-12-01 強茂股份有限公司 半導體封裝結構以及其製作方法
US11594425B2 (en) 2020-01-21 2023-02-28 Panjit International Inc. Semiconductor package structure and fabricating method of the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20130299960A1 (en) 2013-11-14
US8637887B2 (en) 2014-01-28
CN102820412A (zh) 2012-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201347247A (zh) 加強導熱性的半導體封裝體以及相關方法
US10177283B2 (en) LED packages and related methods
JP4122784B2 (ja) 発光装置
US20080061314A1 (en) Light emitting device with high heat-dissipating capability
US8368085B2 (en) Semiconductor package
US8759846B2 (en) Light emitting device
TWI469393B (zh) 發光二極體封裝結構及封裝方法
KR20090002319A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR20090104577A (ko) 멀티칩 ｌｅｄ 패키지
US9184358B2 (en) Lead frame and light emitting diode package having the same
TWI496323B (zh) 發光模組
US10026676B2 (en) Semiconductor lead frame package and LED package
KR101055074B1 (ko) 발광 장치
TW201445771A (zh) 發光二極體封裝結構
KR20120001189A (ko) 발광 다이오드 패키지
KR101740484B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
TWI591860B (zh) 高壓電源發光二極體封裝結構
TWI549323B (zh) 半導體導線架封裝及發光二極體封裝
KR101247380B1 (ko) 발광 다이오드
JP2013004824A (ja) Ｌｅｄ照明装置及びｌｅｄ照明装置の製造方法
TWI438948B (zh) 發光二極體封裝結構
US20100156261A1 (en) Light emitting diode lamp
TWI544664B (zh) 發光式封裝結構及其製法
JP2015115578A (ja) 発光装置、及びその製造方法
TW201320405A (zh) 高功率發光二極體封裝結構及其製作方法