TW201338218A - 光源模組 - Google Patents

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Tong-Hone Liao
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Yun-Yi Tien
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Abstract

一種光源模組包含一基板、至少一第一發光二極體封裝結構以及至少一第二發光二極體封裝結構。第一發光二極體封裝結構及第二發光二極體封裝結構係設置於基板上。第一發光二極體封裝結構包含一第一藍色發光二極體晶片以及一第一螢光粉。第一螢光粉係用以轉換第一藍色發光二極體晶片之部分光線的波長，而第一藍色發光二極體晶片之剩餘光線的波長係在藍光的波長範圍內。第二發光二極體封裝結構包含一第二藍色發光二極體晶片以及一第二螢光粉。第二螢光粉係用以轉換第二藍色發光二極體晶片之部分光線的波長，而第二藍色發光二極體晶片之剩餘光線的波長係在藍光的波長範圍內，其中第二螢光粉之波長係大於第一螢光粉之波長。

Description

光源模組
本發明是有關於一種發光裝置，特別是關於一種光源模組。
近年來，由於環保意識的抬頭，節能減碳儼然成為產業發展的主要趨勢。為了達到節能的目的，具有低耗電、高效率的發光二極體(Light Emitting Diode,LED)燈具逐漸取代傳統的鎢絲燈泡。
一般而言，為了發出白光，發光二極體燈具會在一基板上裝設複數個藍色發光二極體晶片、紅色發光二極體晶片及綠色發光二極體晶片，這些發光二極體晶片均係包覆於封裝結構內，並分別連接至控制電路上，以接收電力來發光。
然而，使用上述具有不同頻譜的發光二極體晶片往往會由於彼此的驅動電壓不同，導致控制電路的設計過於複雜。此外，由於具有不同頻譜的發光二極體晶片之壽命不同，容易導致特定發光二極體晶片提早損毀，而造成燈具在長期使用後發光表現劣化的狀況。
因此，現有的發光二極體燈具仍存在著部分困難以待克服。
有鑑於此，本發明之一目的是在提供一種光源模組，其無須利用不同的發光二極體晶片，仍可發出不同顏色的光線，故可克服先前技術中遭遇的種種困難。
為了達到上述目的，依據本發明之一實施方式，一種光源模組包含一基板、至少一第一發光二極體封裝結構以及至少一第二發光二極體封裝結構。第一發光二極體封裝結構及第二發光二極體封裝結構係設置於基板上。第一發光二極體封裝結構包含一第一藍色發光二極體晶片以及一第一螢光粉。第一螢光粉係用以轉換第一藍色發光二極體晶片之部分光線的波長，而第一藍色發光二極體晶片之剩餘光線的波長係在藍光的波長範圍內。第二發光二極體封裝結構包含一第二藍色發光二極體晶片以及一第二螢光粉。第二螢光粉係用以轉換第二藍色發光二極體晶片之部分光線的波長，而第二藍色發光二極體晶片之剩餘光線的波長係在藍光的波長範圍內，其中第二螢光粉之波長係大於第一螢光粉之波長。
藉由以上技術手段，本發明之實施方式可在不同的發光二極體封裝結構中採用相同或相似的藍色發光二極體晶片，故可有效消弭驅動電壓不同所造成的電路複雜性，亦可有效克服不同顏色的發光二極體晶片的壽命差異所造成的發光表現的劣化。
以上所述僅係用以闡述本發明所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等，本發明之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。
以下將以圖式揭露本發明之複數實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，熟悉本領域之技術人員應當瞭解到，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節並非必要的，因此不應用以限制本發明。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
第1圖繪示依據本發明一實施方式之光源模組之上視圖。如圖所示，本實施方式之光源模組可包含一基板100、至少一第一發光二極體封裝結構200以及至少一第二發光二極體封裝結構300。第一發光二極體封裝結構200及第二發光二極體封裝結構300係設置於基板100上。第2圖繪示依據本發明一實施方式之第一發光二極體封裝結構200之剖面圖。如圖所示，第一發光二極體封裝結構200可包含一第一藍色發光二極體晶片210以及一第一螢光粉220，其中第一螢光粉220係用以轉換第一藍色發光二極體晶片210之部分光線的波長，而第一藍色發光二極體晶片210之剩餘光線的波長係在藍光的波長範圍內。第3圖繪示依據本發明一實施方式之第二發光二極體封裝結構300之剖面圖。如圖所示，第二發光二極體封裝結構300包含一第二藍色發光二極體晶片310以及一第二螢光粉320。第二螢光粉320係用以轉換第二藍色發光二極體晶片310之部分光線的波長，而第二藍色發光二極體晶片310之剩餘光線的波長係在藍光的波長範圍內，其中第二螢光粉320之波長係大於第一螢光粉220之波長。
於本實施方式中，第一藍色發光二極體晶片210及第二藍色發光二極體晶片310兩者所放射之光線均於藍光波長範圍內，其中兩者的頻譜可相同，亦可不完全相同。換句話說，只要第一藍色發光二極體晶片210或第二藍色發光二極體晶片310所發出的光線係位於藍光波長範圍內，兩者的頻譜亦可存在些微差異。藉此，本發明上述實施方式之第一發光二極體封裝結構200及第二發光二極體封裝結構300可包含相同或相似的第一藍色發光二極體晶片210及第二藍色發光二極體晶片310，故可有效消弭驅動電壓不同所造成的電路複雜性，亦可有效克服不同顏色的發光二極體晶片的壽命差異所造成的發光表現的劣化。
於本實施方式中，第一藍色發光二極體晶片210所發出的部分光線會被第一螢光粉220所吸收，而轉換成第一螢光粉220之頻譜光(例如：綠光)。扣除被吸收掉的光以外，第一藍色發光二極體晶片210所發出的剩餘光線則仍維持在藍光波長範圍內。因此，第一發光二極體封裝結構200可放射出部分第一螢光粉220之頻譜光，亦可放射出部分第一藍色發光二極體晶片210之頻譜光。
相似地，第二藍色發光二極體晶片310所發出的部分光線會被第二螢光粉320所吸收，而轉換成第二螢光粉320之頻譜光(例如：紅光)。扣除被吸收掉的光以外，第二藍色發光二極體晶片310所發出的剩餘光線則仍維持在藍光波長範圍內。因此，第二發光二極體封裝結構300可放射出部分第二螢光粉320之頻譜光，亦可放射出部分第二藍色發光二極體晶片310之頻譜光。
藉由以上技術手段，當第一螢光粉220為綠色螢光粉，且第二螢光粉320為紅色螢光粉時，由於第一藍色發光二極體晶片210與第二藍色發光二極體晶片310之光線並未完全被轉換，故光源模組可放射出紅色、綠色、藍色之光線，進而混合出光源模組所需的顏色。
於部分實施方式中，第一發光二極體封裝結構200與第二發光二極體封裝結構300之數量均為一個，且第一發光二極體封裝結構200之光通量與第二發光二極體封裝結構300之光通量之比值約介於1-14之間。舉例而言，第一螢光粉220可為綠色螢光粉，而第二螢光粉320可為紅色螢光粉。當具有第一螢光粉220之第一發光二極體封裝結構200與具有第二螢光粉320之第二發光二極體封裝結構300之比值約介於1-14之間時，光源模組不僅可達到所需的相關色溫(Correlated Color Temperature,CCT)更可達到此相關色溫下最大的總光通量值。詳細技術特徵將於下文中逐步描述。
應瞭解到，於本說明書全文中所述之相關色溫係為使用特定已知的顏色刺激值(Stimulus)在相同亮度及特定條件下重新組成為最接近浦朗克輻射體(Planckian Radiator)之色溫(Color Temperature)。
透過第一發光二極體封裝結構200中摻雜的第一螢光粉220之比例，可改變第一發光二極體封裝結構200之光通量。相似地，第二螢光粉320在第二發光二極體封裝結構300中的比例大小，亦會改變第二發光二極體封裝結構300之光通量。藉此，第一發光二極體封裝結構200之光通量與第二發光二極體封裝結構300之光通量之比值可被調整至1-14之間，以使光源模組在特定相關色溫下，達到最大的總光通量。
於部分實施方式中，第一發光二極體封裝結構200與第二發光二極體封裝結構300之數量均為一個，且第一發光二極體封裝結構200之光通量係大於第二發光二極體封裝結構300之光通量。舉例而言，第一螢光粉220可為綠色螢光粉，而第二螢光粉320可為紅色螢光粉。由於綠光的顏色刺激值比紅光更高，故當具有第一螢光粉220之第一發光二極體封裝結構200之光通量係大於具有第二螢光粉320之第二發光二極體封裝結構300之光通量時，對於人眼而言所觀察到的光源模組會更亮。
於部分實施方式中，第一發光二極體封裝結構200及第二發光二極體封裝結構300均為複數個。這些第一發光二極體封裝結構200之總光通量與第二發光二極體封裝結構300之總光通量之比值約介於1-14之間。具體而言，當所有第一發光二極體封裝結構200之光通量總和與所有第二發光二極體封裝結構300之光通量總和的比值約介於1-14之間時，光源模組不僅可達到所需的相關色溫更可達到此相關色溫下最大的等效光通量值。其中，光源模組之等效光通量可定義為光源模組所發出的總光通量除以第一發光二極體封裝結構200與第二發光二極體封裝結構300之數量所得到的值。
於部分實施方式中，第一發光二極體封裝結構200之數量與第二發光二極體封裝結構300之數量之比值約介於0.05至20之間。其中，第一發光二極體封裝結構200與第二發光二極體封裝結構300之光通量可隨著兩者數量比例的變化而調整，以使所有第一發光二極體封裝結構200之光通量總和與所有第二發光二極體封裝結構300之光通量總和的比值仍約介於1-14之間。其中，每一顆第一發光二極體封裝結構200與第二發光二極體封裝結構300之光通量可透過其所摻雜的第一螢光粉220及第二螢光粉320之比例的改變來調整。
於部分實施方式中，第一發光二極體封裝結構200之數量為m個，第二發光二極體封裝結構300之數量為n個，其中m及n均為正整數。第一發光二極體封裝結構200可發出第一光通量F1，第二發光二極體封裝結構300可發出第二光通量F2。第一光通量F1乘以m與該第二光通量F2乘以n之總和係定義為光源模組之總光通量F_module。光源模組之總光通量F_module除以m與n之總和係定義為等效光通量F_equal。其中，第一光通量F1、第二光通量F2、第一發光二極體封裝結構之數量m、以及第二發光二極體封裝結構之數量n可被選擇以最佳化等效光通量F_equal。
第4圖繪示依據本發明一實施方式之色度座標圖，用以具體說明最佳化光源模組之等效光通量F_equal之技術手段。應瞭解到，色度座標圖(Chromaticity Diagram)可參考國際照明委員會(International Commission on Illumination,CIE)於西元1931年之『CIE 1931 color space chromaticity diagram』所定義。於本實施方式中，第一發光二極體封裝結構200會隨著第一螢光粉220(請併參閱第2圖)的比例不同而產生複數個不同的第一色度座標點410，這些第一色度座標點410可連成一第一線段420，第一線段420大致上為直線。相似地，第二發光二極體封裝結構300會隨著第二螢光粉320的比例不同而產生複數個不同的第二色度座標點510，這些第二色度座標點510會連成一第二線段520，此第二線段520大致上為直線。其中第一光通量F1係由這些第一色度座標點410之其中一者所給定，而第二光通量F2係由這些第二色度座標點510之其中一者所給定。
應瞭解到，於本說明書全文中所述之『大致上』係用以修飾任何可些微變化之關係。舉例而言，第一線段420可大致上為直線除了包含第一線段420之斜率完全固定之外，亦可包含第一線段420上有部分區段之斜率略微不同。
若要利用第一發光二極體封裝結構200與第二發光二極體封裝結構300的混光來使光源模組發光達到一目標色度座標點610，在第一線段420與第二線段520上可找出無限多組第一色度座標點410與第二色度座標點510。
本發明之實施方式可由這無限多組第一色度座標點410與第二色度座標點510取得一組最佳解來得到最大的等效光通量F_equal。
舉例而言，在其中一組解中，第一發光二極體封裝結構200之第一色度座標點410定為第一特定色點P1，其所放射之第一光通量F1係為第一特定色點P1之橫軸座標值CIEx1與縱軸座標值CIEy1之函數值。相似地，第二發光二極體封裝結構300之第二色度座標點510係定為第二特定色點P2，其所放射的第二光通量F2係為第二特定色點P2之橫軸座標值CIEx2與縱軸座標值CIEy2之函數值。
在另一組解中，第一發光二極體封裝結構200之數量為p個，第二發光二極體封裝結構300之數量為q個。第一發光二極體封裝結構200之第一色度座標點410定為第三特定色點P3，則其所放射之第三光通量F3係為第三特定色點P3之橫軸座標值CIEx3與縱軸座標值CIEy3之函數值。相似地，第二發光二極體封裝結構300之第二色度座標點510係定為第四特定色點P4，則其所放射的第四光通量F4係為第四特定色點P4之橫軸座標值CIEx4與縱軸座標值CIEy4之函數值。
藉此，上述兩組解的光源模組之等效光通量可分別由以下公式定義：
F_equal_1=(F1×m+F2×n)/(m+n)
F_equal_2=(F3×p+F4×q)/(p+q)
若F_qual_1>F_equal_2，則可選定第一特定色點P1及第二特定色點P2為最佳解，並分別摻雜對應比例之第一螢光粉220及第二螢光粉320於第一發光二極體封裝結構200及第二發光二極體封裝結構300中，且分別選擇m及n為第一發光二極體封裝結構200及第二發光二極體封裝結構300之數量，以最佳化光源模組之等效光通量F_module。
經由運算可得到，當1<F1×m/F2×n<14時，可達到不同相關色溫下所對應的目標色度座標點610之最佳等效光通量F_module。
應瞭解到，上述實施方式僅比較兩組解來做為範例，但實際上為求精確，可比較多數組解(例如：1000組)來最佳化光源模組之等效光通量F_module。
經發明人苦心研究，於本發明之一實施方式中，係揭露各種常用的相關色溫下較佳的F1×m/F2×n的比值(亦即，第一發光二極體封裝結構200之總光通量與第二發光二極體封裝結構300之總光通量的比值)，以最佳化光源模組在對應色溫下的等效光通量F_module。詳細如下表所示：
另可參考第5圖，本圖係繪示上表中相關色溫與F1×m/F2×n之關係圖。其中，橫軸係代表相關色溫，而縱軸係代表F1×m/F2×n之比值。
應瞭解到，本說明書中全文所述之螢光粉的『比例』係指發光二極體封裝結構中所摻雜的螢光粉之重量與發光二極體封裝結構之藍光完全被轉換所需的螢光粉之重量的比值。舉例而言，假設第一發光二極體封裝結構200摻雜100毫克的第一螢光粉220，第一藍色發光二極體晶片210所放射之光線會完全被吸收，則若第一發光二極體封裝結構200所摻雜的第一螢光粉220為35毫克時，則第一螢光粉220之比例則可定義為0.35。
另應瞭解到，隨著第一螢光粉220的比例上升，第一發光二極體封裝結構200在色度座標圖上所對應的第一色度座標點410會逐漸朝向第一線段420的右端移動。相似地，第二發光二極體封裝結構300所對應的第二色度座標點510亦會隨著第二螢光粉320之比例上升而逐漸朝向第二線段520的右端移動。
於部分實施方式中，第一線段420與第二線段520之斜率大致上為固定。
於部分實施方式中，第一線段420之斜率係大於第二線段520之斜率。
於部分實施方式中，光源模組的相關色溫係介於2700K-6500K之間。上述之相關色溫係符合美國國家標準協會(American National Standards Institute,ANSI)所制訂的色溫標準ANSI_NEMA_ANSLG C78.377-2008或其他先前版本。第6圖繪示依據ANSI_NEMA_ANSLG C78.377-2008所提供之色度座標圖。如圖所示，每一特定的相關色溫在色度座標圖上均存在一容許範圍。舉例而言，在浦朗克軌跡700(Planckian Locus)上具有一色度座標點710，其相關色溫為克氏溫度2700K。此色度座標點710之周遭環繞一七階色度四邊形720(7-step Chromaticity Quadrangles)，在此七階色度四邊形720內之所有色度座標點均符合相關色溫為2700K之定義。另外，在美國國家標準協會所定義的八個七階色度四邊形720中，其中六個係與以往所常用的六個七階麥克亞當橢圓730(MacAdam Ellipses)重合，而另外兩個係定義於相關色溫4500K及5700K所對應之色度座標點之周遭，而本圖中所標示之相關色溫均可做為固態照明燈具上所應用的標稱(Nominal)相關色溫值。
以下以表列方式來闡明第6圖中所示之標稱相關色溫(Nominal CCT)與色溫(Color Temperature)之關係。
請回頭參閱第1圖，於部分實施方式中，第一發光二極體封裝結構200與第二發光二極體封裝結構300係呈對稱且均勻地設置於基板100上。舉例而言，複數第一發光二極體封裝結構200與複數第二發光二極體封裝結構300可於基板100上交錯排列成環狀，且彼此之間隔相等。
請接著參閱第2圖，如圖所示，第一發光二極體封裝結構200可進一步包含一第一封裝體230，此第一封裝體230具有一凹槽232，其中第一藍色發光二極體晶片210係設置於第一封裝體230上，而第一螢光粉220係填佈於凹槽232中並包覆第一藍色發光二極體晶片210，以利光線波長的轉換。
相似地，如第3圖所示，第二發光二極體封裝結構300亦可包含一第二封裝體330，其具有一凹槽332，而第二藍色發光二極體晶片310係設置於第二封裝體330上，第二螢光粉320係填佈於凹槽332中並包覆第二藍色發光二極體晶片310，以利光線轉換。
於部分實施方式中，第一螢光粉220之波長範圍約介於510至590奈米(nm)之間，而第二螢光粉320之波長範圍約介於591奈米至660奈米之間。
於部分實施方式中，第一螢光粉220及第二螢光粉320之頻譜半高寬約介於60-160奈米之間。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．基板
200．．．第一發光二極體封裝結構
210．．．第一藍色發光二極體晶片
220．．．第一螢光粉
230．．．第一封裝體
232．．．凹槽
300．．．第二發光二極體封裝結構
310．．．第二藍色發光二極體晶片
320．．．第二螢光粉
330．．．第二封裝體
332．．．凹槽
410．．．第一色度座標點
420．．．第一線段
510．．．第二色度座標點
520．．．第二線段
610．．．目標色度座標點
700．．．浦朗克軌跡
710．．．色度座標點
720．．．七階色度四邊形
730．．．麥克亞當橢圓
P1．．．第一特定色點
P2．．．第二特定色點
P3．．．第三特定色點
P4．．．第四特定色點
F1．．．第一光通量
F2．．．第二光通量
F3．．．第三光通量
F4．．．第四光通量
CIEx1．．．橫軸座標值
CIEx2．．．橫軸座標值
CIEx3．．．橫軸座標值
CIEx4．．．橫軸座標值
CIEy1．．．縱軸座標值
CIEy2．．．縱軸座標值
CIEy3．．．縱軸座標值
CIEy4．．．縱軸座標值
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：
第1圖繪示依據本發明一實施方式之光源模組之上視圖。
第2圖繪示依據本發明一實施方式之第一發光二極體封裝結構之剖面圖。
第3圖繪示依據本發明一實施方式之第二發光二極體封裝結構之剖面圖。
第4圖繪示依據本發明一實施方式之色度座標圖。
第5圖繪示依據本發明一實施方式之相關色溫與F1×m/F2×n之關係圖。
第6圖繪示依據ANSI_NEMA_ANSLG C78.377-2008所提供之色度座標圖。
100．．．基板
200．．．第一發光二極體封裝結構
300．．．第二發光二極體封裝結構

Claims (15)

  1. 一種光源模組，包含：一基板；至少一第一發光二極體封裝結構，設置於該基板上，該第一發光二極體封裝結構包含：一第一藍色發光二極體晶片；一第一螢光粉，用以轉換該第一藍色發光二極體晶片之部分光線的波長，而該第一藍色發光二極體晶片之剩餘光線的波長係在藍光的波長範圍內；以及至少一第二發光二極體封裝結構，設置於該基板上，該第二發光二極體封裝結構包含：一第二藍色發光二極體晶片；以及一第二螢光粉，用以轉換該第二藍色發光二極體晶片之部分光線的波長，而該第二藍色發光二極體晶片之剩餘光線的波長係在藍光的波長範圍內，其中該第二螢光粉之波長係大於該第一螢光粉之波長。
  2. 如請求項1所述之光源模組，其中該第一發光二極體封裝結構之光通量與該第二發光二極體封裝結構之光通量之比值約介於1-14之間。
  3. 如請求項2所述之光源模組，其中該第一發光二極體封裝結構之光通量係大於該第二發光二極體封裝結構之光通量。
  4. 如請求項1所述之光源模組，其中該至少一第一發光二極體封裝結構及該至少一第二發光二極體封裝結構均為複數個；其中該些第一發光二極體封裝結構之總光通量與該些第二發光二極體封裝結構之總光通量之比值約介於1-14之間。
  5. 如請求項4所述之光源模組，其中該些第一發光二極體封裝結構之數量與該些第二發光二極體封裝結構之數量之比值約介於0.05至20之間。
  6. 如請求項1所述之光源模組，其中該第一發光二極體封裝結構之數量為m個，該第二發光二極體封裝結構之數量為n個，其中m及n均為正整數；其中該第一發光二極體可發出第一光通量F1，該第二發光二極體可發出第二光通量F2；其中該第一光通量F1乘以m與該第二光通量F2乘以n之總和係定義為該光源模組之總光通量F_module；其中該光源模組之該總光通量F_module除以m與n之總和係定義為等效光通量F_equal；其中該第一光通量F1、該第二光通量F2、該第一發光二極體封裝結構之數量m、以及該第二發光二極體封裝結構之數量n可被選擇以最佳化該等效光通量F_equal。
  7. 如請求項6所述之光源模組，其中該第一發光二極體封裝結構會隨著該第一螢光粉的比例不同而產生複數個不同的第一色度座標點，該些第一色度座標點會連成一第一線段，該第一線段大致上為直線；其中該第二發光二極體封裝結構會隨著該第二螢光粉的比例不同而產生複數個不同的第二色度座標點，該些第二色度座標點會連成一第二線段，該第二線段大致上為直線；其中該第一光通量F1係由該些第一色度座標點之其中一者所給定，而該第二光通量F2係由該些第二色度座標點之其中一者所給定。
  8. 如請求項7所述之光源模組，其中該第一直線及該第二直線之斜率大致上為固定。
  9. 如請求項8所述之光源模組，其中該第一直線之斜率係大於該第二直線之斜率。
  10. 如請求項1所述之光源模組，其中該第一藍色發光二極體晶片及該第二藍色發光二極體晶片之頻譜不完全相同。
  11. 如請求項1所述之光源模組，其中該第一藍色發光二極體晶片及該第二藍色發光二極體晶片之頻譜相同。
  12. 如請求項1所述之光源模組，其中該光源模組的相關色溫係介於2700K-6500K之間。
  13. 如請求項1所述之光源模組，其中該第一發光二極體封裝結構與該第二發光二極體封裝結構呈對稱且均勻地設置於該基板。
  14. 如請求項1所述之光源模組，其中該第一螢光粉之波長範圍約介於510至590奈米之間，且該第二螢光粉之波長範圍約介於591奈米至660奈米之間。
  15. 如請求項1所述之光源模組，其中該第一螢光粉及該第二螢光粉之頻譜半高寬約介於60-160奈米之間。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI615600B (zh) * 2014-06-04 2018-02-21 群燿科技股份有限公司 色彩測量裝置
TWI645579B (zh) * 2014-08-11 2018-12-21 佰鴻工業股份有限公司 Light-emitting diode module with reduced blue light energy

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109216333A (zh) * 2017-06-29 2019-01-15 深圳市斯迈得半导体有限公司 一种光源模组

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7404652B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-29 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Light-emitting diode flash module with enhanced spectral emission
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
JP4679183B2 (ja) * 2005-03-07 2011-04-27 シチズン電子株式会社 発光装置及び照明装置
KR101225326B1 (ko) * 2005-08-08 2013-01-23 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리 및 이를 구비한 액정표시장치
KR100930171B1 (ko) * 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
WO2010044866A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Superbulbs, Inc. White ac led
CN101894832A (zh) * 2009-05-21 2010-11-24 海立尔股份有限公司 用以产生白光的发光二极管结构
JP2011258649A (ja) * 2010-06-07 2011-12-22 Sanken Electric Co Ltd 照明装置及び照明装置の制御方法
US8414145B2 (en) * 2010-09-06 2013-04-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
JP2012109397A (ja) * 2010-11-17 2012-06-07 Panasonic Corp 発光装置
CN202065707U (zh) * 2011-01-26 2011-12-07 台湾琭旦股份有限公司 发光二极体照明装置
CN202012778U (zh) * 2011-03-18 2011-10-19 罗建国 高显色性混光led白灯

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI615600B (zh) * 2014-06-04 2018-02-21 群燿科技股份有限公司 色彩測量裝置
TWI645579B (zh) * 2014-08-11 2018-12-21 佰鴻工業股份有限公司 Light-emitting diode module with reduced blue light energy

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