TW201328768A - 廢氣排放控制方法 - Google Patents
廢氣排放控制方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201328768A TW201328768A TW101101326A TW101101326A TW201328768A TW 201328768 A TW201328768 A TW 201328768A TW 101101326 A TW101101326 A TW 101101326A TW 101101326 A TW101101326 A TW 101101326A TW 201328768 A TW201328768 A TW 201328768A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- exhaust gas
- gas discharge
- exhaust
- discharge device
- way valve
- Prior art date
Links
Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
一種廢氣排放控制方法,適於廢氣排放裝置抽取半導體製程機台所產生的廢氣進行排放。此廢氣排放控制方法包括下列步驟。偵測廢氣排放裝置是否運作。若偵測到廢氣排放裝置運作時,切換第一三向閥以連接廢氣排放裝置與洗滌塔,以將半導體製程機台所產生的廢氣導入洗滌塔。若偵測到廢氣排放裝置未運作時,切換第一三向閥與第二三向閥以連接廢氣排放裝置與廢氣排放管路,進而將半導體製程機台所產生的廢氣導入廢氣排放管路,其中廢氣排放管路注入有一氣體,用以稀釋廢氣。
Description
一種控制方法,特別有關於一種廢氣排放控制方法。
製造裝置於製作半導體製程裝置或液晶面板的過程中會排放出一些氣體。由於前述氣體係可為有害且可燃燒的氣體,因此不能將這些製造裝置所排放的氣體直接排放至大氣中。習知業者會利用一排氣系統抽取前述製造裝置所排放的氣體,並將前述氣體引導至處理系統,以對前述氣體進行處理,以排放較不會污染環境的廢氣。
一般來說,前述處理系統可利用廢氣的特性進行廢氣的處理,例如具有一燃燒處理部,此燃燒處理部會以燃燒的方式對製造裝置所排放之氣體進行處理。亦即,排氣系統會抽取製造裝置所排放之氣體,並將這些氣體引導至燃燒處理部,並藉由燃燒的方式將前述氣體進行處理,以減少排放氣體的污染量。
然而,當排氣系統由運作狀態轉換至停止狀態時,由於排氣系統內的壓力會低於處理系統內的壓力,使得排氣系統與處理系統內之間產生虹吸作用,因此處理系統內之溫度較高的熱氣體會回流至排氣系統,而造成排氣系統至處理系統間的管路元件損壞,進而使得製造裝置廢氣無法順利排除而不能正常運作。
鑒於以上的問題,本發明在於提供一種廢氣排放控制方法,藉以避免廢氣排放裝置未運作時所產生之虹吸作用,而造成廢氣排放裝置損壞的情況發生。
本發明之一種廢氣排放控制方法,適於廢氣排放裝置抽取半導體製程機台所產生的廢氣進行排放。此廢氣排放控制方法包括下列步驟。偵測廢氣排放裝置是否運作。若偵測到廢氣排放裝置運作時,依據控制訊號,切換第一三向閥連接廢氣排放裝置與洗滌塔,以將廢氣導入洗滌塔。若偵測到廢氣排放裝置未運作時,依據控制訊號,切換第一三向閥與第二三向閥連接廢氣排放裝置與廢氣排放管路,以將廢氣導入廢氣排放管路,其中此廢氣排放管路注入有一氣體,用以稀釋廢氣。
在一實施例中,前述氣體為氮氣。
在一實施例中,前述廢氣排放控制方法更包括當切換第一三向閥與第二三向閥連接廢氣排放裝置與廢氣排放管路時,洗滌塔仍持續運作。
在一實施例中,前述廢氣排放裝置包括多個抽氣幫浦,且廢氣排放控制方法更包括當廢氣排放裝置運作時,依據廢氣排放裝置的壓力大小,依序開啟前述抽氣幫浦,以階段式抽取半導體製程機台所產生的廢氣。
本發明所揭露之廢氣排放控制方法,藉由偵測廢氣排放裝置是否運作,而據以切換第一三向閥與第二三向閥的連接關係,使得偵測出廢氣排放裝置運作時,將廢氣導入至洗滌塔中,以利用燃燒的方式對廢氣進行處理,而偵測出廢氣排放裝置未運作時,將廢氣導入至廢氣排放管路中,進行氣體稀釋的方式對廢氣進行處理。如此一來,可避免廢氣排放裝置未運作時所產生之虹吸作用,而造成廢氣排放裝置損壞的情況。
有關本發明的特徵與實作,茲配合圖式作最佳實施例詳細說明如下。
請參考「第1圖」所示,其係為本發明之廢氣排放系統的示意圖。廢氣排放系統100包括廢氣排放裝置110、120、第一三向閥131、第二三向閥132、第三三向閥133、第四三向閥134、洗滌塔(Scrubber)140、141、廢氣排放管路150、151與偵測單元160。
廢氣排放裝置110與120用以分別抽取半導體製程機台170與171運作時所產生出來的廢氣,以使半導體製程機台170與171可正常進行運作。其中,半導體製程機台170與171例如為電漿化學氣相沈積法(Plasma Chemical Vapor Deposition,PCVD)製程機台。
為了方便說明,本實施例僅繪示出廢氣排放裝置110的內部元件,而未繪示出廢氣排放裝置120的內部元件。然而,廢氣排放裝置120的內部元件及其操作與廢氣排放裝置110的內部元件及其操作相同,故在此不再贅述。
在本實施例中,廢氣排放裝置110包括抽氣幫浦(Pump)111、112、113、114與單向閥115。其中,抽氣幫浦111例如為粗抽幫浦,也就是當廢氣排放裝置110開始運作時,則先啟動抽氣幫浦111,以對半導體製程機台170進行廢氣抽取。接著,廢氣排放系統100會依據廢氣排放裝置110內的壓力,而依序開啟抽氣幫浦112、113與114,以階段式抽取半導體製程機台110所產生的廢氣。
舉例來說,當廢氣排放系統100偵測到廢氣排放裝置110內的壓力低於第一預設值,則開啟抽氣幫浦112。接著,當廢氣排放系統100偵測到廢氣排放裝置110內的壓力低於第二預設值,則開啟抽氣幫浦113。之後,當廢氣排放系統100偵測到廢氣排放裝置110內的壓力低於第三預設值,則開啟抽氣幫浦114。
另外,單向閥115用以使廢氣排放裝置110所抽取之廢氣可流向第一三向閥131,以避免氣體由第一三向閥131回流至廢氣排放裝置110中。
於廢氣排放系統100中,第一三向閥131可依據控制訊號CS1而切換,使廢氣排放裝置110連接至洗滌塔140或第二三向閥132,以將廢氣導入至洗滌塔140或第二三向閥132。其中,洗滌塔140會注入瓦斯,以利用燃燒的方式對廢氣排放裝置110所排放之廢氣進行處理,且經洗滌塔140處理後的廢氣可傳送至廢氣排放管路150進行排放。第二三向閥132可依據控制訊號CS2而切換,使第一三向閥131連接至洗滌塔141或廢氣排放管路150,以將廢氣導入至洗滌塔141或廢氣排放管路150。
於廢氣排放系統100中,第三三向閥133可依據控制訊號CS3而切換,使廢氣排放裝置120連接至洗滌塔141或第四三向閥134,以將廢氣導入至洗滌塔141或第四三向閥134。其中,洗滌塔141亦會注入瓦斯,以利用燃燒的方式對廢氣排放裝置120所排放之廢氣進行處理,且經洗滌塔141處理後的廢氣可傳送至廢氣排放管路151進行排放。第四三向閥134可依據控制訊號CS4而切換,使第三三向閥133連接置洗滌塔140或廢氣排放管路151,以將廢氣導入至洗滌塔140或廢氣排放管路151。
另外,廢氣排放管路150與151會分別注入氣體,用以當廢氣排放裝置110與120未運作且將廢氣排放裝置110與120所排放之廢氣導入廢氣排放管路150與151時,稀釋廢氣排放裝置110與120所排放之廢氣,以減少廢氣的污染量。其中,前述廢氣排放管路150與151所注入的氣體例如為氮氣(N2)。並且,廢氣排放管路150與151更耦接至中央洗滌塔180,以將所有廢氣導入至中央洗滌塔180進行總廢氣處理,再將處理後的氣體排放至大氣中。
偵測單元160耦接至廢氣排放裝置110與120,用以偵測廢氣排放裝置110與120是否運作,而據以產生對應的控制訊號CS1、CS2、CS3與CS4,以分別控制第一三向閥131、第二三向閥132、第三三向閥133與第四三向閥134的切換,以使廢氣排放裝置110與120可將其排放的廢氣導入至對應的洗滌塔140、141或廢氣排放管路150、151。
前述以說明了廢氣排放系統110的運作方式,以下將搭配本發明之廢氣排放控制方法來加以說明。請參考「第2圖」所示,其係為本發明之廢氣排放控制方法的流程圖。本實施例之廢氣排放控制方法適於廢氣排放裝置抽取半導體製程機台所產生之廢氣進行排放。
請合併參考「第1圖」及「第2圖」,在步驟S210,偵測廢氣排放裝置是否運作。例如可利用偵測單元160偵測廢氣排放裝置110或120是否運作,而據以產生控制訊號CS。假設當偵測出廢氣排放裝置110運作時,表示廢氣排放裝置110正在抽取半導體製程機台170所產生之廢氣,則偵測單元160例如產生高邏輯準位的控制訊號CS1。反之,當偵測出廢氣排放裝置110或120未運作時,表示廢氣排放裝置110或120並無對半導體製程機台170或171所產生之廢氣進行抽取,則偵測單元160例如產生低邏輯準位的控制訊號CS1與CS2。
另一方面,假設當偵測出廢氣排放裝置120運作時,表示廢氣排放裝置120正在抽取半導體製程機台171所產生之廢氣,則偵測單元160例如產生高邏輯準位的控制訊號CS3。反之,當偵測出廢氣排放裝置120未運作時,表示廢氣排放裝置120並無對半導體製程機台171所產生之廢氣進行抽取,則偵測單元160例如產生低邏輯準位的控制訊號CS3與CS4。
若偵測到廢氣排放裝置運作時,進入步驟S220,依據控制訊號,切換第一三向閥連接廢氣排放裝置與洗滌塔,以將廢氣導入洗滌塔。假設當偵測出廢氣排放裝置110運作時,則偵測單元160會產生高邏輯準位的控制訊號CS1而控制第一三向閥131進行切換,使廢氣排放裝置110與洗滌塔140連接,以將廢氣排放裝置110所排放之廢氣導入至洗滌塔140,以利用燃燒的方式對廢氣進行處理。
另一方面,當偵測出廢氣排放裝置120運作時,則偵測單元160會產生高邏輯準位的控制訊號CS3而控制第三三向閥133進行切換,使廢氣排放裝置120與洗滌塔141連接,以將廢氣排放裝置120所排放之廢氣導入至洗滌塔141,以利用燃燒的方式對廢氣進行處理。
若偵測到廢氣排放裝置未運作時,進入步驟S230,切換第一三向閥與第二三向閥連接廢氣排放裝置與廢氣排放管路,以將廢氣導入廢氣排放管路,其中廢氣排放管路注入有氣體,用以稀釋廢氣。假設當偵測出廢氣排放裝置110未運作時,則偵測單元160會產生低邏輯準位的控制訊號CS1與CS2,而控制第一三向閥131與第二三向閥132進行切換,使廢氣排放裝置110與廢氣排放管路150,以將廢氣排放裝置110所排放之廢氣導入至廢氣排放管路150,並利用廢氣排放管路150內所注入的氣體稀釋廢氣,以對廢氣進行處理。
另一方面,當偵測出廢氣排放裝置120運作時,則偵測單元160會產生低邏輯準位的控制訊號CS3與CS4,而控制第三三向閥133與第四三向閥134進行切換,使廢氣排放裝置120與廢氣排放管路151連接,以將廢氣排放裝置120所排放之廢氣導入至廢氣排放管路151,並利用廢氣排放管路151內所注入的氣體稀釋廢氣。其中,前述廢氣排放管路150與151內所注入的氣體例如為氮氣。
另外,在本實施例中,當偵測出廢氣排放裝置110未運作且將廢氣導入至廢氣排放管路150時,並不會關閉洗滌塔140的運作,而洗滌塔140仍將持續運作,以對洗滌塔140內剩餘的廢氣進行處理。另一方面,當偵測出廢氣排放裝置120未運作且將廢氣導入至廢氣排放管路151時,並不會關閉洗滌塔141的運作,而洗滌塔141仍將持續運作,以對洗滌塔141內剩餘的廢氣進行處理。
如此一來,藉由前述的控制方法,可避免廢氣排放裝置110或120未運作時,由於廢氣排放裝置110或120的壓力小於洗滌塔140或141的壓力,使得洗滌塔140或141與廢氣排放裝置110或120之間產生虹吸作用(Siphonage),以將洗滌塔140或141內的熱氣體回流至廢氣排放裝置110或120,而造成廢氣排放裝置110或120損壞(例如抽氣幫浦111、112、113、114與單向閥115的損壞)。
本發明之實施例所揭露之廢氣排放控制方法,其利用偵測廢氣排放裝置是否運作,而據以切換第一三向閥與第二三向閥的連接關係,使得偵測出廢氣排放裝置運作時,將廢氣導入至洗滌塔中,以利用燃燒的方式對廢氣進行處理,而偵測出廢氣排放裝置未運作時,將廢氣導入至廢氣排放管路中,進行氣體稀釋的方式對廢氣進行處理。如此一來,可避免廢氣排放裝置未運作時所產生之虹吸作用,而造成廢氣排放裝置損壞的情況。
雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習相像技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。
100...廢氣排放系統
110、120...廢氣排放裝置
111、112、113、114...抽氣幫浦
115...單向閥
131...第一三向閥
132...第二三向閥
133...第三三向閥
134...第四三向閥
140、141...洗滌塔
150、151...廢氣排放管路
160...偵測單元
170、171...半導體製程機台
180...中央洗滌塔
CS1、CS2、CS3、CS4...控制訊號
第1圖係為本發明之廢氣排放裝置的示意圖。
第2圖係為本發明之廢氣排放控制方法的流程圖。
Claims (4)
- 一種廢氣排放控制方法,適於一廢氣排放裝置抽取一半導體製程機台所產生的一廢氣進行排放,該廢氣排放控制方法包括:偵測該廢氣排放裝置是否運作;若偵測到該廢氣排放裝置運作時,依據一控制訊號,切換一第一三向閥連接該廢氣排放裝置與一洗滌塔,以將該廢氣導入該洗滌塔;以及若偵測到該廢氣排放裝置未運作時,依據該控制訊號,切換該第一三向閥與一第二三向閥連接該廢氣排放裝置與一廢氣排放管路,以將該廢氣導入該廢氣排放管路,其中該廢氣排放管路注入有一氣體,用以稀釋該廢氣。
- 如申請專利範圍第1項所述之廢氣排放控制方法,其中該氣體為氮氣。
- 如申請專利範圍第1項所述之廢氣排放控制方法,更包括:當切換該第一三向閥與該第二三向閥連接該廢氣排放裝置與該廢氣排放管路時,該洗滌塔仍持續運作。
- 如申請專利範圍第1項所述之廢氣排放控制方法,其中該廢氣排放裝置包括多個抽氣幫浦,該廢氣排放控制方法更包括:當該廢氣排放裝置運作時,依據該廢氣排放裝置的壓力大小,依序開啟該些抽氣幫浦,以階段式抽取該半導體製程機台所產生的該廢氣。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW101101326A TW201328768A (zh) | 2012-01-13 | 2012-01-13 | 廢氣排放控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW101101326A TW201328768A (zh) | 2012-01-13 | 2012-01-13 | 廢氣排放控制方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201328768A true TW201328768A (zh) | 2013-07-16 |
Family
ID=49225520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW101101326A TW201328768A (zh) | 2012-01-13 | 2012-01-13 | 廢氣排放控制方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TW201328768A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109001377A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-12-14 | 佛山瀚兽环境科技服务有限公司 | 具有呈现运作状态功能的废气监测装置 |
CN112827341A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-05-25 | 北京京仪自动化装备技术有限公司 | 一种半导体工艺的废气处理系统及其废气的处理方法 |
CN113167470A (zh) * | 2018-12-13 | 2021-07-23 | 爱德华兹有限公司 | 减排方法和装置 |
-
2012
- 2012-01-13 TW TW101101326A patent/TW201328768A/zh unknown
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109001377A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-12-14 | 佛山瀚兽环境科技服务有限公司 | 具有呈现运作状态功能的废气监测装置 |
CN109001377B (zh) * | 2018-06-22 | 2024-04-26 | 佛山瀚兽环境科技服务有限公司 | 具有呈现运作状态功能的废气监测装置 |
CN113167470A (zh) * | 2018-12-13 | 2021-07-23 | 爱德华兹有限公司 | 减排方法和装置 |
CN112827341A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-05-25 | 北京京仪自动化装备技术有限公司 | 一种半导体工艺的废气处理系统及其废气的处理方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI523131B (zh) | 具共享真空泵的雙腔室處理系統 | |
JP7518996B2 (ja) | 真空ポンプシステム | |
US20070286766A1 (en) | Apparatus for cleaning exhaust part and vacuum pump of reaction chamber for semiconductor device and LCD manufacturing equipment | |
TW201328768A (zh) | 廢氣排放控制方法 | |
CN103742397B (zh) | 一种喂料泵的无干扰切换系统及其切换方法 | |
CN102468206B (zh) | 晶圆基座及其使用、清洗方法 | |
WO2006107569A3 (en) | Methods for rinsing microelectronic substrates utilizing cool rinse fluid within a gas environment including a drying enhancement substance | |
JP6698871B2 (ja) | 酸素プラズマ洗浄サイクルの使用によるプラズマ軽減固形物回避 | |
JP2007123393A (ja) | 基板処理装置 | |
RU2016142882A (ru) | Система управления для работающего на со2 устройства гидравлического разрыва пласта и относящиеся к ней устройство и способ | |
TW201714204A (zh) | 處理液供給裝置、基板處理系統及處理液供給方法 | |
KR20190100368A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
US20050081605A1 (en) | Vacuum leakage detecting device for use in semiconductor manufacturing system | |
WO2008046304A8 (fr) | Procédé de nettoyage post-gravure/calcination d'une tranche de semi-conducteur | |
CN111151524A (zh) | 管道清洁方法及装置 | |
US12002658B2 (en) | Process cooling-water isolation | |
JP6874957B2 (ja) | 排ガス除害排出システム | |
KR20160106730A (ko) | 반도체 제작에서 질소 산화물 저감 | |
KR101314187B1 (ko) | 스크러버 장비의 에너지 저감용 제어 장치 및 그 방법과 시스템 | |
KR101430062B1 (ko) | 유체 가속형 진공배관 장치 | |
CN106436627B (zh) | 吸污设备、吸污车和吸污方法 | |
CN106474878B (zh) | 丙烯腈尾气集中排放系统和丙烯腈尾气集中排放方法 | |
WO2012033284A3 (ko) | 연속공정이 가능한 챔버 시스템 | |
CN105730912A (zh) | 废气以及废气压力消除系统 | |
JP2009164646A (ja) | 真空処理装置及び真空処理方法 |