TW201327714A - 載具、晶圓的支撐方法及晶圓的薄化方法 - Google Patents

Abstract

一種載具、晶圓的支撐方法及晶圓的薄化方法。所述載具用以支撐晶圓，載具具有用以容納晶圓的凹槽，且晶圓的整個輪廓位於凹槽內。所述晶圓的支撐方法及晶圓的薄化方法是分別使用上述載具對晶圓進行支撐及薄化。

Description

載具、晶圓的支撐方法及晶圓的薄化方法

本發明是有關於一種載具、晶圓的支撐方法及晶圓的薄化方法，且特別是有關於一種可保護黏著層之載具、晶圓的支撐方法及晶圓的薄化方法。

在此科技日新月異的時代，電子產品遍佈於日常生活中，無論在食衣住行育樂方面，都會用到積體電路元件所製作的產品。隨著電子科技不斷地演進，功能性更複雜、更人性化的產品推陳出新，就電子產品外觀而言，也朝向輕、薄、短、小的趨勢設計，因此在半導體構裝技術上，開發出許多高密度半導體封裝的形式。就晶片的厚度而言，亦隨著此趨勢而不斷地進行薄化。

在超薄晶圓的研磨製程中，由於玻璃的特性穩定，且可承受酸、鹼及熱製程等各種製程環境，所以會將晶圓藉由黏著層貼附在由玻璃所製成的載具上，以增加支撐效果。在晶圓與載具分離之後，會將載具取走，且藉由剝離(peeling)的方式移除黏著層。然而，在晶圓的研磨製程中，暴露出來的黏著層容易受到外界製程(如酸或鹼)的破壞，而導致製程失敗或產品良率不佳。

本發明提供一種載具，其可避免黏著層受到外界製程的影響。

本發明提供一種晶圓的支撐方法，其對於晶圓具有良好的支撐效果。

本發明提供一種晶圓的薄化方法，其可有效地提升薄化晶圓的良率。

本發明提出一種載具，用以支撐晶圓，載具具有用以容納晶圓的凹槽，且晶圓的整個輪廓位於凹槽內。

依照本發明的一實施例所述，在上述之載具中，凹槽的底面積例如是大於或等於晶圓的最大截面積。

依照本發明的一實施例所述，在上述之載具中，當晶圓位於凹槽內時，部份晶圓例如是凸出於凹槽。

依照本發明的一實施例所述，在上述之載具中，載具的材料例如是玻璃、不鏽鋼或碳纖維。

本發明提出一種晶圓的支撐方法，包括下列步驟。首先提供載具，載具具有用以容納晶圓的凹槽，且晶圓的整個輪廓位於凹槽內。接著，藉由黏著層將晶圓貼附於載具的凹槽中。

依照本發明的一實施例所述，在上述之晶圓的支撐方法中，被載具所支撐的晶圓在完成預定製程之後，更包括使晶圓與載具分離。

依照本發明的一實施例所述，在上述之晶圓的支撐方法中，使晶圓與載具分離的方法例如是對黏著層進行解黏性製程。

依照本發明的一實施例所述，在上述之晶圓的支撐方法中，解黏性製程例如是照光製程或微波加熱製程。

依照本發明的一實施例所述，在上述之晶圓的支撐方法中，在晶圓與載具分離之後，當黏著層貼附於晶圓上時，更包括對晶圓進行清洗製程，以移除貼附於晶圓上的黏著層。

依照本發明的一實施例所述，在上述之晶圓的支撐方法中，在晶圓與載具分離之後，當黏著層貼附於載具上時，更包括對載具進行清洗製程，以移除貼附於載具上的黏著層。

依照本發明的一實施例所述，在上述之晶圓的支撐方法中，凹槽的底面積例如是大於或等於晶圓的最大截面積。

依照本發明的一實施例所述，在上述之晶圓的支撐方法中，當晶圓位於凹槽內時，部份晶圓例如是凸出於凹槽。

本發明提出一種晶圓的薄化方法，包括下列步驟。首先，提供載具，載具具有用以容納晶圓的凹槽，且晶圓的整個輪廓位於凹槽內。接著，藉由黏著層將晶圓貼附於載具的凹槽中。然後，對晶圓進行薄化製程。接下來，使晶圓與載具分離。

依照本發明的一實施例所述，在上述之晶圓的薄化方法中，薄化製程例如是研磨製程或蝕刻製程。

依照本發明的一實施例所述，在上述之晶圓的薄化方法中，使晶圓與載具分離的方法例如是對黏著層進行解黏性製程。

依照本發明的一實施例所述，在上述之晶圓的薄化方法中，解黏性製程例如是括照光處理或微波加熱處理。

依照本發明的一實施例所述，在上述之晶圓的薄化方法中，在晶圓與載具分離之後，當黏著層貼附於晶圓上時，更包括對晶圓進行清洗製程，以移除貼附於晶圓上的黏著層。

依照本發明的一實施例所述，在上述之晶圓的薄化方法中，在晶圓與載具分離之後，當黏著層貼附於載具上時，更包括對載具進行清洗製程，以移除貼附於載具上的黏著層。

依照本發明的一實施例所述，在上述之晶圓的薄化方法中，凹槽的底面積例如是大於或等於晶圓的最大截面積。

依照本發明的一實施例所述，在上述之晶圓的薄化方法中，當晶圓位於凹槽內時，部份晶圓例如是凸出於凹槽。

基於上述，由於本發明所提出之載具具有凹槽，且晶圓的整個輪廓位於凹槽內，所以載具能夠保護貼附於載具與晶圓之間的黏著層，而可避免黏著層受到外界製程的影響。

此外，由於本發明所提出之晶圓的支撐方法使用上述載具對晶圓進行支撐，所以可保護黏著層，使黏著層不受到外界製程的影響，因此對於晶圓具有良好的支撐效果。

另外，由於本發明所提出之晶圓的薄化方法使用上述載具對晶圓進行薄化製程，所以可降低外界製程對於黏著層的影響，因此可有效地提升經薄化後之晶圓的良率。

為讓本發明之上述特徵能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1所繪示為本發明之一實施例的載具與晶圓結合時的立體圖。圖2為沿著圖1中I-I'剖面線之載具的剖面圖。圖3為朝向圖1中的晶圓側之載具的正面圖。

首先，請同時參照圖1至圖3，載具100，用以支撐晶圓200，載具100具有用以容納晶圓200的凹槽102，且晶圓200的整個輪廓位於凹槽102內。凹槽102的底面積A1例如是大於或等於晶圓200的最大截面積A2。當晶圓200位於凹槽102內時，部份晶圓200例如是凸出於凹槽102。載具100的材料例如是玻璃、不鏽鋼或碳纖維。晶圓200例如是矽晶圓。在此實施例中，載具100與晶圓200的結合方法例如是藉由黏著層300進行貼合，但並不用以限制本發明。

基於上述實施例可知，由於載具100具有凹槽102，且晶圓200的整個輪廓位於凹槽102內，所以載具100能夠保護貼附於載具100與晶圓200之間的黏著層300，而使得黏著層300可不受到外界製程的破壞。

圖4所繪示為本發明之一實施例的晶圓的支撐方法的流程圖。

請同時參照圖1至圖4，首先，進行步驟S100，提供載具100，載具100具有用以容納晶圓200的凹槽102，且晶圓200的整個輪廓位於凹槽102內。其中，所使用的載具100已於圖1至圖3中進行詳盡地說明，故於此不再贅述。

接著，進行步驟S102，藉由黏著層300將晶圓200貼附於載具100的凹槽102中。其中，黏著層300將晶圓200貼附於載具100之後的圖式如圖1至圖3所示，且各元件的材料、連接關係及功效已於上述實施例中進行詳盡地描述，故於此不再贅述。

然後，更可進行步驟S104，被載具100所支撐的晶圓200在完成預定製程之後，使晶圓200與載具100分離。其中，使晶圓200與載具100分離的方法例如是對黏著層300進行解黏性製程。解黏性製程例如是照光製程或微波加熱製程。對晶圓200所進行的預定製程例如是薄化製程，但本發明並不以此為限。

接下來，在晶圓200與載具100分離之後，更可選擇性地進行步驟S106及步驟S108。當黏著層300貼附於晶圓200上時，對晶圓200進行清洗製程，以移除貼附於晶圓200上的黏著層300(步驟S106)。當黏著層300貼附於載具100上時，對載具100進行清洗製程，以移除貼附於載具100上的黏著層300(步驟S108)。當黏著層300同時貼附於載具100及晶圓200上時，可同時進行步驟S106及步驟S108。上述清洗製程所使用的溶劑例如是有機溶劑或無機溶劑。

基於上述實施例可知，由於晶圓200的支撐方法是使用如圖1至圖3中所示的載具100對晶圓200進行支撐，所以可保護位於載具100與晶圓200之間的黏著層300，使黏著層300不受到外界製程(如酸或鹼)的影響，因此對於晶圓200具有良好的支撐效果。

此外，由於上述晶圓200的支撐方法所使用的載具100可重複使用，所以可有效地降低製造成本。另外，當利用清洗製程移除黏著層300時，能降低晶圓200受到的應力，所以可提升晶圓200的良率。另一方面，當黏著層300貼附於載具100的凹槽102內且與載具100一同移除時，能使製程簡化，且亦可降低晶圓200的破片風險。

上述晶圓的支撐方法可應用於各種不同的製程中。以下，將上述晶圓的支撐方法應用於晶圓的薄化方法中進行說明，但並不用以限制本發明。

圖5A至圖5D-2所繪示為本發明之一實施例的晶圓的薄化方法的立體圖。圖5A至圖5D-2與圖1至圖3中相同的元件使用相同的符號表示，同時省略其說明。

首先，請參照圖5A，提供載具100，載具100具有用以容納晶圓200的凹槽102，且晶圓200的整個輪廓位於凹槽102內。其中，所使用的載具100已於圖1至圖3中進行詳盡地說明，故於此不再贅述。

接著，藉由黏著層300將晶圓200貼附於載具100的凹槽102中。其中，黏著層300將晶圓200貼附於載具100之後的圖式如圖1至圖3所示，且各元件的材料、連接關係及功效已於上述實施例中進行詳盡地描述，故於此不再贅述。

然後，請參照圖5B，對晶圓200進行薄化製程，而形成經薄化後的晶圓200'。薄化製程例如是研磨製程或蝕刻製程。

接下來，請參照圖5C-1至圖5C-3，使晶圓200'與載具100分離。使晶圓200'與載具100分離的方法例如是對黏著層300進行解黏性製程。解黏性製程例如是括照光處理或微波加熱處理。使晶圓200'與載具100分離的步驟例如是將晶圓200'置放在承載裝置400上進行，但並不用以限制本發明。承載裝置400包括金屬環402與設置於金屬環402內的膠布404。

在晶圓200'與載具100分離之後，黏著劑300殘留的情況包括以下類型。請參照圖5C-1，黏著劑300例如是只貼附於晶圓200'上。請參照圖5C-2，黏著劑300例如是同時貼附於載具100與晶圓200'上。請參照圖5C-3黏著劑300例如是只貼附於載具100上。

之後，請同時參照圖5D-1及圖5D-2。在晶圓200'與載具100分離之後，當黏著層300貼附於晶圓200'上時，更可對晶圓200'進行清洗製程，以移除貼附於晶圓200'上的黏著層300(如圖5D-1所示)。當黏著層300貼附於載具100上時，更包括對載具100進行清洗製程，以移除貼附於載具100上的黏著層300(如圖5D-2所示)。上述清洗製程例如是利用噴嘴500所噴出的溶劑502進行清洗。清洗製程所使用的溶劑502例如是有機溶劑或無機溶劑。

基於上述實施例可知，由於晶圓200的薄化方法是使用如圖1至圖3中所示的載具100對晶圓200進行支撐，藉由載具100保護黏著層300，能使黏著層300不受到外界製程的影響，所以載具100能穩固地支撐晶圓200以進行薄化製程，進而可有效地提升經薄化後之晶圓200'的良率。

此外，上述晶圓200的薄化方法所使用的載具100可重複使用，所以可有效地降低製造成本。另外，當利用清洗製程移除黏著層300時，能降低晶圓200'受到的應力，所以可進一步地提升經薄化後之晶圓200'的良率。另一方面，當黏著層300貼附於載具100的凹槽102內且與載具100一同移除時，能使製程簡化，且亦可降低晶圓200'的破片風險。

綜上所述，上述實施例至少具有下列優點：

1.　上述實施例之載具可避免黏著層受到外界製程的影響。

2.　上述實施例之晶圓的支撐方法對於晶圓具有良好的支撐效果。

3.　上述實施例之晶圓的薄化方法可有效地提升經薄化後之晶圓的良率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100．．．載具

102．．．凹槽

200、200'．．．晶圓

300．．．黏著層

400．．．承載裝置

402．．．金屬環

404．．．膠布

500．．．噴嘴

502．．．溶劑

A1．．．底面積

A2．．．最大截面積

S100、S102、S104、S106、108．．．步驟標號

圖1所繪示為本發明之一實施例的載具與晶圓結合時的立體圖。

圖2為沿著圖1中I-I'剖面線之載具的剖面圖。

圖3為朝向圖1中的晶圓側之載具的正面圖。

圖4所繪示為本發明之一實施例的晶圓的支撐方法的流程圖。

圖5A至圖5D-2所繪示為本發明之一實施例的晶圓的薄化方法的立體圖。

100．．．載具

102．．．凹槽

200．．．晶圓

300．．．黏著層

Claims (20)

1. 一種載具，用以支撐一晶圓，該載具具有用以容納該晶圓的一凹槽，且該晶圓的整個輪廓位於該凹槽內。
2. 如申請專利範圍第1項所述之載具，其中該凹槽的底面積大於或等於該晶圓的最大截面積。
3. 如申請專利範圍第1項所述之載具，其中當該晶圓位於該凹槽內時，部份該晶圓凸出於該凹槽。
4. 如申請專利範圍第1項所述之載具，其中該載具的材料包括玻璃、不鏽鋼或碳纖維。
5. 一種晶圓的支撐方法，包括：提供一載具，該載具具有用以容納一晶圓的一凹槽，且該晶圓的整個輪廓位於該凹槽內；以及藉由一黏著層將該晶圓貼附於該載具的該凹槽中。
6. 如申請專利範圍第5項所述之晶圓的支撐方法，其中被載具所支撐的該晶圓在完成預定製程之後，更包括使該晶圓與該載具分離。
7. 如申請專利範圍第6項所述之晶圓的支撐方法，其中使該晶圓與該載具分離的方法包括對該黏著層進行一解黏性製程。
8. 如申請專利範圍第7項所述之晶圓的支撐方法，其中該解黏性製程包括照光製程或微波加熱製程。
9. 如申請專利範圍第6項所述之晶圓的支撐方法，其中在該晶圓與該載具分離之後，當該黏著層貼附於該晶圓上時，更包括對該晶圓進行清洗製程，以移除貼附於該晶圓上的該黏著層。
10. 如申請專利範圍第6項所述之晶圓的支撐方法，其中在該晶圓與該載具分離之後，當該黏著層貼附於該載具上時，更包括對該載具進行清洗製程，以移除貼附於該載具上的該黏著層。
11. 如申請專利範圍第5項所述之晶圓的支撐方法，其中該凹槽的底面積大於或等於該晶圓的最大截面積。
12. 如申請專利範圍第5項所述之晶圓的支撐方法，其中當該晶圓位於該凹槽內時，部份該晶圓凸出於該凹槽。
13. 一種晶圓的薄化方法，包括：提供一載具，該載具具有用以容納一晶圓的一凹槽，且該晶圓的整個輪廓位於該凹槽內；藉由一黏著層將該晶圓貼附於該載具的該凹槽中；對該晶圓進行一薄化製程；以及使該晶圓與該載具分離。
14. 如申請專利範圍第13項所述之晶圓的薄化方法，其中該薄化製程包括研磨製程或蝕刻製程。
15. 如申請專利範圍第13項所述之晶圓的薄化方法，其中使該晶圓與該載具分離的方法包括對該黏著層進行一解黏性製程。
16. 如申請專利範圍第15項所述之晶圓的薄化方法，其中該解黏性製程包括照光處理或微波加熱處理。
17. 如申請專利範圍第13項所述之晶圓的薄化方法，其中在該晶圓與該載具分離之後，當該黏著層貼附於該晶圓上時，更包括對該晶圓進行清洗製程，以移除貼附於該晶圓上的該黏著層。
18. 如申請專利範圍第13項所述之晶圓的薄化方法，其中在該晶圓與該載具分離之後，當該黏著層貼附於該載具上時，更包括對該載具進行清洗製程，以移除貼附於該載具上的該黏著層。
19. 如申請專利範圍第13項所述之晶圓的薄化方法，其中該凹槽的底面積大於或等於該晶圓的最大截面積。
20. 如申請專利範圍第13項所述之晶圓的薄化方法，其中當該晶圓位於該凹槽內時，部份該晶圓凸出於該凹槽。