TW201316237A - 顯示裝置及顯示系統 - Google Patents

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Kohji Saitoh
Akizumi Fujioka
Masami Ozaki
Toshihiro Yanagi
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Sharp Kk
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Abstract

本發明之顯示裝置(110)具備以在顯示面板(112)之水平遮沒期間內進行檢測動作之方式控制檢測裝置(130)之檢測控制部(122)。顯示面板(112)所具備之複數個像素之各者之TFT之半導體層使用氧化物半導體。

Description

顯示裝置及顯示系統
本發明係關於一種顯示裝置及顯示系統。
近年來，液晶顯示裝置代表之薄型、輕量、及低消耗電力之顯示裝置被積極應用。此種顯示裝置顯著搭載於例如行動電話、智慧型手機、PDA(攜帶型資訊終端)、電子書籍終端、膝上型個人電腦等。又，今後期待為更薄型之顯示裝置之電子紙之開發及普及亦快速發展。
又，如此之顯示裝置中，作為用以輸入各種資訊之輸入裝置大多採用觸控面板。一般而言，觸控面板重疊設置於顯示面板之表面上。因此，觸控面板具有易接收來自顯示面板之雜訊，從而無法充分地使其檢測精度提高之問題。
因此，關於顯示裝置，有人正在研究以解決如此問題為目的之技術。
例如，下述專利文獻1中，揭示有具備與來自主控制器之時序資訊或來自顯示器驅動電路部之時序資訊同步使觸控資料產生之觸控控制部之顯示系統。根據該顯示系統，藉由以提供於顯示板上之電壓穩定之區間中產生觸控資料之方式進行控制，可在觸屏動作時使雜訊造成之影響降低。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本公開專利公報「日本專利特開2010- 108501號公報(公開日：2010年5月13日)」
近年來之顯示裝置中，隨著其高解析度化，顯示器之驅動時間趨於長時間化。上述專利文獻1中揭示之技術中，由於顯示器之驅動時間(即，提供於顯示器面板上之電壓穩定之區間)無法使觸控資料產生，故無法充分確保用以進行觸屏動作之時間，其結果，無法使觸屏之檢測精度充分提高。
本發明係鑒於上述問題完成者，其目的在於提供一種一面抑制對檢測裝置之動作帶來之影響，一面可將檢測裝置之檢測時間長時間化之顯示裝置及顯示系統。
本發明之一態樣之顯示裝置，為解決上述問題，其特徵為具備：顯示面板，其包含複數根閘極信號線、以與該複數根閘極信號線交叉之方式配置之複數根源極信號線、及對應該複數根閘極信號線與該複數根源極信號線之交叉部而配置之複數個像素；及檢測控制機構，其以在上述顯示面板之水平遮沒期間內進行檢測動作之方式控制檢測裝置，且上述複數個像素之各者之TFT之半導體層使用氧化物半導體。
根據本發明，由於以在顯示面板之水平遮沒期間內進行檢測動作之方式控制檢測裝置，故可抑制顯示面板之雜訊等引起之對檢測裝置之動作之影響。尤其，作為複數個像 素之各者之TFT，採用使用電子躍遷量比較高之氧化物半導體之TFT，藉此，可增大相對於各像素寫入像素資料時之電子躍遷量，從而可將該寫入之時間短時間化。藉此，可充分設置作為檢測裝置進行檢測動作之期間之水平遮沒期間。因此，可提高檢測裝置之檢測精度。
又，本發明之一態樣之顯示裝置，其特徵為具備：顯示面板，其包含複數根閘極信號線、以與該複數根閘極信號線交叉之方式配置之複數根源極信號線、及對應該複數根閘極信號線與該複數根源極信號線之交叉部配置之複數個像素；及檢測控制機構，其以在上述顯示面板之水平遮沒期間內進行檢測動作之方式控制檢測裝置，且上述複數根閘極信號線及上述複數根源極信號線之至少任意一者使用銅。
根據本發明，由於以在顯示面板之水平遮沒期間內進行檢測動作之方式控制檢測裝置，故可抑制顯示面板之雜訊等對檢測裝置之動作帶來影響。尤其，由於藉由在複數根源極信號線中使用配線電阻較低之銅，可縮短相對於各像素寫入像素資料時之延遲時間，故可將該寫入之時間短時間化。又，由於藉由在複數根閘極信號線中使用配線電阻較低之銅，可縮短相對於各閘極信號線施加接通電壓而選擇掃描時之延遲時間，故可將該選擇掃描之時間短時間化。藉此，可充分設置作為檢測裝置進行檢測動作之期間之水平遮沒期間。因此，可提高檢測裝置之檢測精度。
又，本發明之一態樣之顯示系統，其特徵為具備上述顯 示裝置及包含檢測機構之檢測裝置。
根據本發明，可提供一種可發揮與上述顯示裝置相同之效果之顯示系統。
根據本發明之顯示裝置及顯示系統，由於以在顯示面板之水平遮沒期間內進行檢測動作之方式控制檢測裝置，故可抑制顯示面板之雜訊等引起之對檢測裝置之動作之影響。尤其，根據本發明之顯示裝置及顯示系統，由於可增大顯示器之驅動時之顯示面板內之電子躍遷量，或縮短延遲時間，故可將顯示器之驅動時間短時間化。藉此，可充分設置作為檢測裝置進行檢測動作之期間之水平遮沒期間。因此，可提高檢測裝置之檢測精度。
就本發明之實施形態，參照圖式以下進行說明。
(實施形態1)
首先，參照圖1~圖5，就本發明之實施形態1進行說明。
(顯示系統之構成)
首先，參照圖1，就實施形態1之顯示系統100之構成例進行說明。圖1係顯示實施形態1之顯示系統100之整體構成之圖。
如圖1所示，顯示系統100具備顯示裝置110、檢測裝置130、及系統控制部150。
該顯示系統100，例如，為裝入行動電話、智慧型手機、PDA(攜帶型資訊終端)、電子書籍終端等之資訊終端 裝置(以下，表示為「主裝置」)者，且為在如此之主裝置中，負責各種資訊之輸入及顯示者。
檢測裝置130為用以相對於主裝置輸入各種資訊者。又，顯示裝置110為用以顯示來自主裝置之各種資訊者。
本實施形態中，作為顯示裝置110採用主動矩陣型之液晶顯示裝置。該顯示裝置110具備主動矩陣型之液晶顯示面板。又，本實施形態中，作為檢測裝置130，採用觸控面板單元。該觸控面板單元具有重疊設置於上述液晶顯示面板之表面上之觸控面板。
系統控制部150為用以控制顯示裝置110及檢測裝置130者。例如，系統控制部150以自檢測裝置130接收對應其輸入操作之檢測資料，並進行對應接收之檢測資料之輸入處理之方式相對於主裝置進行指示。又，系統控制部150若以利用主裝置顯示某圖像之方式指示，則藉由向顯示裝置110發送對應其圖像之影像信號或影像同步信號，使其圖像在顯示裝置110中顯示。
(顯示裝置之構成)
就顯示裝置110之具體之構成進行說明。顯示裝置110具備顯示面板112、掃描線驅動電路114、信號線驅動電路116、共用電極驅動電路118、及時序控制器120。
(顯示面板)
顯示面板112具備複數個像素、複數根閘極信號線G、及複數根源極信號線S。
複數個像素包含複數個像素行及複數個像素列，即以格 柵狀配設。
複數根閘極信號線G並設於像素行方向(沿著像素行之方向)。複數根閘極信號線G之各者相對於複數個像素列中對應之像素列之各者之像素電性連接。
複數根源極信號線S並設於像素列方向(沿著像素列之方向)，且任一者均與複數根閘極信號線G之各者交叉。複數根源極信號線S之各者相對於複數個像素行中對應之像素行之各者之像素電性連接。
在圖1所示之例中，顯示面板112中設置有以M行×N列配設之複數個像素。與此對應，顯示面板112中，設置有M根源極信號線S、及N根閘極信號線G。
(掃描線驅動電路)
掃描線驅動電路114依次選擇掃描複數根閘極信號線G。具體而言，掃描線驅動電路114依次選擇複數根閘極信號線G，相對於選擇之閘極信號線G，供給用以將該閘極信號線G上之各像素中具備之開關元件(TFT)切換為接通之接通電壓。
(信號線驅動電路)
信號線驅動電路116於選擇閘極信號線G之期間，相對於其閘極信號線G上之各像素，自對應之源極信號線S，供給對應圖像資料之源極信號。若具體說明，則為信號線驅動電路116基於自時序控制器120輸入之影像信號，算出應該輸入至選擇之閘極信號線G上之各像素之電壓之值，並將其值之電壓自源極輸出放大器向各源極信號線S輸出。其 結果，相對於選擇之閘極信號線G上之各像素供給源極信號，且寫入有該源極信號(即，圖像資料)。
(共用電極驅動電路)
共用電極驅動電路118相對於設置於複數個像素之各者之共用電極，供給用以驅動該共用電極之特定之共用電壓。
(時序控制器)
於時序控制器120中，自系統控制部150被輸入時脈信號、影像同步信號、及影像信號。而且，時序控制器120對於各驅動電路輸出用以使各驅動電路同步動作之各種控制信號。
例如，時序控制器120對於掃描線驅動電路114，供給閘極啟動脈衝信號、閘極時脈信號GCK、及閘極輸出控制信號GOE。掃描線驅動電路114當接受到閘極啟動脈衝信號時，開始複數根閘極信號線G之掃描。然後，掃描線驅動電路114根據閘極時脈信號GCK及閘極輸出控制信號GOE，對於各閘極信號線G依次供給接通電壓。
又，時序控制器120對於信號線驅動電路116，輸出源極啟動脈衝信號、源極閂鎖選通信號、源極時脈信號、及影像信號。信號線驅動電路116基於源極啟動脈衝信號，將各像素之圖像資料根據源極時脈信號儲存於暫存器，並根據下一個源極閂鎖選通信號，對於各源極信號線S供給對應圖像資料之源極信號。
(檢測裝置之構成)
此處，就檢測裝置130之具體之構成進行說明。檢測裝置130具備檢測部(檢測機構)132及檢測部控制部134。檢測部132鄰近設置於顯示裝置110之顯示面板112之畫面上，且由檢測部控制部134驅動，檢測對於該檢測部132進行之直接或間接之信號之輸入。
檢測部控制器134驅動檢測部132，並且檢測對於檢測部132進行之直接或間接之信號之輸入之位置。而且，檢測部控制器134將對應檢測之位置之檢測資料向系統控制部150發送。系統控制部150根據該檢測資料，可確定對於檢測部132進行之輸入操作之位置。
例如，檢測部132採用靜電電容型之觸控面板。該靜電電容型之觸控面板係若對於其某個位置進行輸入操作，則於其位置形成靜電電容，而基於該靜電電容所引起之電流之變化，確定進行輸入操作之位置者。
例如，本實施形態之檢測裝置130中，作為靜電電容型之觸控面板，採用將複數根驅動線(Tx)與複數根感測線(Rx)以格柵狀配置者。
與此對應，檢測部控制部134相對於各驅動線(Tx)依次輸入脈衝波形，並經由對應之感測線(Rx)檢測上述靜電電容所引起之脈衝波形之變動。
而且，檢測部控制部134基於該變動(類比資料)，檢測對於檢測部132進行之輸入操作之位置，生成顯示其位置之檢測資料(數位資料)，並且完成對於該檢測資料之雜訊除去等之特定之處理後，將該檢測資料向系統控制部150 發送。系統控制部150根據該檢測資料，可確定對於檢測部132進行之輸入操作之位置。
此外，作為靜電電容型之觸控面板，亦可採用自觸控面板之4角隅經由上述靜電電容使微弱電流流動，基於各者之電流值而確定對於該觸控面板進行之輸入操作之位置者。
(檢測裝置進行檢測動作之時序之控制)
進而，就顯示裝置110之時序控制器120之進一步功能進行說明。本實施形態之時序控制器120具有檢測控制部(檢測控制機構)122。檢測控制部122控制檢測裝置130進行檢測動作之時序。尤其，本實施形態之檢測控制部122，以在顯示面板112之各水平遮沒期間(即，某閘極信號線G之掃描結束後，至下一閘極信號線G之掃描開始前之期間)內檢測裝置130進行檢測動作之方式，控制檢測裝置130。
若具體說明，則為時序控制器120在顯示面板112進入水平遮沒期間之時序上，將TP檢測動作控制信號向檢測裝置130之檢測部控制部134發送。所謂TP檢測動作控制信號，係指用以控制檢測裝置130進行檢測動作之時序之控制信號。
檢測部控制部134在接收到該TP檢測動作控制信號之時序，開始檢測動作。藉此，檢測裝置130可在顯示面板112之水平遮沒期間內進行檢測動作。
進而，檢測裝置130較佳為在顯示面板112之水平遮沒期間內結束檢測動作。其實現方法為各種各樣，例如，列舉 為了顯示面板112之檢測動作在水平遮沒期間內結束，預先規定檢測動作之次數或時間之方法。
作為另一例，可設為水平遮沒期間中，時序控制器120連續向檢測裝置130發送TP檢測動作控制信號，檢測裝置130在TP檢測動作控制信號之接收被中斷前之期間，進行檢測動作。
或者，亦可設為時序控制器120在水平遮沒期間之結束時，亦發送TP檢測動作控制信號，檢測裝置130在接收該TP檢測動作控制信號前之期間，進行檢測動作。
(像素之構成)
接著，就顯示面板112具備之像素之構成進行說明。圖2係表示顯示面板112具備之像素之構成之圖。圖2中，表示了顯示面板112具備之複數個像素中，2個像素(像素(i，n)及像素(i+1，n))之構成。像素(i，n)表示連接於源極信號線S(i)及閘極信號線G(n)之像素。像素(i+1，n)表示連接於源極信號線S(i+1)及閘極信號線G(n)之像素。再者，關於顯示面板112具備之其他之像素，亦為與該等之像素相同之構成。
如圖2所示，像素具備有作為開關元件之TFT200。尤其，本實施形態1之顯示裝置110中，作為TFT200，採用其半導體層中使用所謂之氧化物半導體之TFT。該氧化物半導體中，包含例如IGZO(InGaZnOx)。
TFT200之閘極電極連接於對應之閘極信號線G。又，TFT200之源極電極連接於對應之液晶信號線S。而且， TFT200之汲極電極連接於液晶電容Clc及保持電容Ccs。
在相對於該像素寫入像素資料時，首先，相對於TFT200之閘極電極，自閘極信號線G供給接通電壓。藉此，TFT200切換為接通狀態。
而且，在TFT200為接通狀態時，若自對應之源極信號線S，供給源極信號，則該源極信號自TFT200之汲極電極，向液晶電容Clc之像素電極及保持電容Ccs供給。
如此，藉由向液晶電容Clc之像素電極供給源極信號，在該像素中，於液晶電容Clc之像素電極與共用電極之間具有電場之液晶之排列方向，根據供給之源極信號之電壓位準與供給至共用電極之電壓位準之差分而改變，並顯示對應該差分之圖像。
又，藉由向保持電容Ccs供給源極信號，而保持電容Ccs中儲存有對應該源極信號之電壓之電荷。而且，利用儲存於保持電容Ccs中之電荷，而該像素在某程度之期間，可維持顯示圖像之狀態。
如圖2所示，在各像素中，產生寄生電容Cgs及寄生電容Cgd。寄生電容Cgs為在作為金屬層之源極信號線S與閘極信號線G之交叉部中產生之寄生電容。寄生電容Cgd為在閘極信號線G與汲極電極之間產生之寄生電容。
又，在各像素中，產生寄生電容Csd1及寄生電容Csd2。寄生電容Csd1為在閘極信號線G與汲極電極之間產生之寄生電容。寄生電容Csd2為在鄰接之閘極信號線G與汲極電極之間產生之寄生電容。
若著眼於某閘極信號線G，則與該閘極信號線G相關之負載電容Cg為連接於該閘極信號線G之像素之寄生電容Cgs及寄生電容Cgd之總和。即，負載電容Cg可根據以下數式(1)而求得。
Cg≒(Cgs+Cgd)×源極信號線S之數量………(1)
另一方面，若著眼於某源極信號線S，則與該源極信號線S相關之負載電容Cs為連接於該源極信號線S之像素之寄生電容Cgs、寄生電容Cgd1、及寄生電容Csd2之總和。即，負載電容Cs可根據以下數式(2)而求得。
Cs≒(Cgs+Csd1+Csd2)×閘極信號線G之數量………(2)
即，對應伴隨高解析度化之像素數量之增加，而源極信號線S之負載電容Cs及閘極信號線G之負載電容Cg會增大。
(TFT特性)
圖3表示各種TFT之特性。在該圖3中，表示使用氧化物半導體之TFT、使用a-Si(amorphous silicon：非晶矽)之TFT、及使用LTPS(Low Temperature Poly Silicon：低溫多晶矽)之TFT之各者之特性。
在圖3中，橫軸(Vgh)表示上述各TFT中供給至閘極之接通電壓之電壓值，縱軸(Id)表示上述各TFT之源極-汲極間之電流量。
尤其，圖中表示為「TFT-on」之期間，表示根據接通電壓之電壓值成為接通狀態之期間，圖中表示為「TFT-off」之期間，表示根據接通電壓之電壓值成為斷開狀態之期 間。
如圖3所示，使用氧化物半導體之TFT，較使用a-Si之TFT，接通狀態之時之電流量(即，電子躍遷度)高。
雖省略圖示，但具體而言，相對於使用a-Si之TFT其TFT-on時之Id電流為1 uA，而使用氧化物半導體之TFT其TFT-on時之Id電流為20~50 uA左右。
據此情況，可知使用氧化物半導體之TFT，較使用a-Si之TFT，接通狀態之時之電子躍遷度高20~50倍左右，接通特性非常優異。
又，如圖3所示，使用氧化物半導體之TFT，斷開狀態之時之電流(即，洩漏電流)，較使用a-Si之TFT或使用LTPS之TFT少。
雖省略圖示，但具體而言，相對於使用a-Si之TFT，其TFT-off時之Id電流為10 pA，而使用氧化物半導體之TFT，其TFT-off時之Id電流為0.1 pA左右。
據此情況，可知使用氧化物半導體之TFT，為斷開狀態之時之洩漏電流為使用a-Si之TFT之100分之1左右，幾乎不會產生洩漏電流，斷開特性非常優異者。
(源極信號線及閘極信號線之負載)
圖4係表示各源極信號線S之虛擬等價電路之圖。圖5係表示各閘極信號線G之虛擬等價電路之圖。
如圖4所示，各源極信號線S之虛擬等價電路中，包含配線電阻Rs及負載電容Cs。
又，如圖5所示，各閘極信號線G之虛擬等價電路中，包 含配線電阻Rg及負載電容Cg。
決定源極信號線S中之延遲時間(圖4所示之虛擬等價電路中，A點之電壓上升後，至B點達到特定之電壓位準(例如，63.2%之電壓位準)前所需之時間)之時常數τs可根據以下數式(3)而求得。
τs=Cs×Rs………(3)
又，決定閘極信號線G中之延遲時間(圖5所示之虛擬等價電路中，A點之電壓上升後，至B點達到特定之電壓位準(例如，63.2%之電壓位準)前所需之時間)之時常數τg可根據以下數式(4)而求得。
τg=Cg×Rg………(4)
如根據上述數式(3)及(4)所知，配線電阻Rs、Rg及負載電容Cs、Cg，任一者均為使源極信號線S或閘極信號線G之延遲時間增加之主要原因。因此，所謂相對於各像素之像素資料之寫入時間之短時間化、及各閘極信號線G之選擇掃描之時間之短時間化之觀點中，該等配線電阻Rs、Rg及負載電容Cs、Cg較佳為更小。
本實施形態1之顯示面板112，採用相對於各像素使用氧化物半導體之TFT，由於該TFT如已說明所示接通特性非常優異，故而可將各像素之TFT之尺寸小型化。
由於藉由將TFT之尺寸小型化，可減小各像素中之寄生電容Cgs，故而基於上述數式(1)及(2)，可使源極信號線S之負載電容Cs及閘極信號線G之負載電容Cg較小。
因此，基於上述數式(3)及(4)，可將源極信號線S之延遲 時間及閘極信號線G之延遲時間之各者短時間化。
(效果)
如以上說明所示，本實施形態之顯示裝置110，採用以在顯示面板112之水平遮沒期間進行檢測動作之方式，控制檢測裝置130之構成。藉此，本實施形態之顯示裝置110可抑制顯示面板112之雜訊等引起之對檢測裝置130之檢測動作之影響。因此，可提高檢測裝置130之檢測精度。
尤其，本實施形態之顯示裝置110在各像素中採用使用氧化物半導體之TFT。藉此，本實施形態之顯示裝置110，由於為各像素之TFT之接通特性非常優異者，故而可增大相對於各像素寫入像素資料時之電子躍遷量，從而可將該寫入之時間進一步短時間化。
即，本實施形態之顯示裝置110，由於可將作為檢測裝置130進行檢測動作之期間之顯示面板112之水平遮沒期間進一步長時間化，故而可充分確保檢測裝置130進行檢測動作之期間。因此，可進一步提高檢測裝置130之檢測精度。
又，本實施形態之顯示裝置110，由於為各像素之TFT之接通特性非常優異者，故而可將各像素之TFT小型化。例如，藉由在各像素中採用使用a-Si之TFT，亦可將各像素之TFT之尺寸小型化為1/5左右。
藉此，由於可減小各像素中產生之寄生電容Cgs，故可減少與該寄生電容Cgs相關之源極信號線S之負載電容Cs。因此，可將相對於各像素之像素資料之寫入之時間進一步 短時間化。又，可減少與該寄生電容Cgs相關之閘極信號線G之負載電容Cg。因此，可將各閘極信號線G之選擇掃描之時間進一步短時間化。
進而，由於根據各像素之TFT之小型化，可提高各像素之開口率，故可提高背光光之透過率。其結果，由於採用消耗電力較少之背光，可抑制背光之亮度，故而可減少消耗電力。
再者，本實施形態之顯示系統100中，如上所述，在各像素中採用使用氧化物半導體之TFT，且將水平遮沒期間長時間化，藉此，獲得2 μ秒以上之非常長之水平遮沒期間。藉此，由於可進一步充分確保檢測裝置130進行檢測動作之期間，故而可進一步提高檢測裝置130之檢測精度。
(其他實施形態)
以下，就本發明之其他實施形態進行說明。關於其他實施形態中說明之顯示系統100中，以下說明之點以外之點，由於與至此說明之顯示系統100相同，故省略說明。以下，就與至此說明之顯示系統100之不同點進行說明。
(實施形態2)
首先，參照圖6，就本發明之實施形態2進行說明。
(顯示系統之構成)
圖6係表示實施形態2之顯示系統100之整體構成之圖。
如圖6所示，本實施形態2之顯示系統100，在自時序控制器120輸出之TP檢測動作控制信號，經由系統控制部 150，向檢測部控制部134發送之點上，與實施形態1之顯示系統100不同。
例如，系統控制部150，若自時序控制器120接收TP檢測動作控制信號，則將對應該TP檢測動作控制信號之TP檢測動作控制信號(圖6之TP檢測動作控制信號)向檢測部控制部134發送。TP檢測動作控制信號為檢測部控制部134可辨識之形式之信號。
如此，本實施形態2之顯示系統100，藉由經由系統控制部150將TP檢測動作控制信號向檢測裝置130發送，例如，自時序控制器120輸出之TP檢測動作控制信號即使為檢測部控制部134無法辨識之形式者，或者即使為主裝置內之配線佈局上，無法自時序控制器120直接控制檢測部控制部134之情形，藉由經由系統控制部150，將該TP檢測動作控制信號向TP檢測動作控制信號轉換，將該TP檢測動作控制信號向檢測裝置130發送，仍可使水平遮沒期間被檢測裝置130辨識。如此，本實施形態2之顯示系統100，通用性較高，可容易地適用於顯示裝置或檢測裝置之樣式不同之各種主裝置。
(實施形態3)
接著，就本發明之實施形態3進行說明。
(源極信號線及閘極信號線之材料)
本實施形態3中，顯示面板112具備之複數根閘極信號線G及複數根源極信號線S之各者中，使用與鋁等相比較配線電阻較小之銅。
如已經使用數式(3)及(4)等說明般，隨著源極信號線S之配線電阻Rs變大，而源極信號線S之延遲時間變長。又，隨著閘極信號線G之配線電阻Rg變大，而閘極信號線G之延遲時間變長。
本實施形態3之顯示裝置110，由於藉由在源極信號線S中使用銅，可減小源極信號線S之配線電阻Rs，故而可基於上述數式(3)，將源極信號線S中之延遲時間短時間化。即，本實施形態3之顯示裝置110可將相對於各像素之像素資料之寫入時間短時間化。
相同地，本實施形態3之顯示裝置110，由於藉由在閘極信號線G中使用銅，可減小閘極信號線G之配線電阻Rg，故而可基於上述數式(4)，將閘極信號線G中之延遲時間短時間化。即，本實施形態3之顯示裝置110可將各閘極信號線G之選擇掃描時間短時間化。
藉此，本實施形態3之顯示裝置110，由於可將作為檢測裝置130進行檢測動作之期間之顯示面板112之水平遮沒期間進一步長時間化，故而可進一步充分確保檢測裝置130進行檢測動作之期間。因此，可進一步提高檢測裝置130之檢測精度。
(實施形態4)
接著，參照圖7，就本發明之實施形態4進行說明。圖7係表示實施形態4之顯示面板112及檢測部132之構成之概念圖。
本實施形態之顯示系統100中，檢測部132(即觸控面板) 重疊設置於顯示面板112之表面上，尤其，相互對向之檢測部132之表面與顯示面板112之表面密著。即，上述該等表面之間不具有作為空氣層之間隔。
如已說明般，顯示裝置110幾乎不會帶來顯示面板112之雜質引起之對檢測裝置130之檢測動作之影響。因此，不會使顯示面板112與檢測部132如先前般相互分離，而可使之密著。
本實施形態之顯示系統100，由於藉由採用如此之構成，在裝有顯示系統100之主裝置中，可將顯示面板112及檢測部132之配置空間薄型化，故而可將主裝置自身薄型化。又，由於無需用以使顯示面板112及檢測部132相互分離之間隔物等之零件，故而可減少製品成本。
(實施形態5)
接著，參照圖8，就本發明之實施形態5進行說明。圖8係表示實施形態5之顯示面板112及檢測部132之構成之概念圖。
本實施形態之顯示系統100中，顯示面板112與檢測部132一體化，構成顯示．檢測單元800。
此處所謂之「一體化」，例如，意味顯示面板112與檢測部132收納於主裝置之框體等之同一空間內之狀態、或基板等之一部分之零件共用化之狀態、顯示面板自身裝入檢測部之功能之狀態等。
顯示面板112，如已經說明般，幾乎不會帶來對檢測裝置130之檢測動作之影響。因此，不會使顯示面板112與檢 測部132如先前般單體化，而可使之一體化。
本實施形態之顯示系統100，藉由採用如此構成，可將顯示．檢測單元800薄型化，並且在設計過程、製造過程、流通過程等中，可一體化且容易地操作顯示面板112及檢測部132。
(補充說明)
以上，雖就本發明之實施形態進行了說明，但本發明並非限定於上述實施形態者，可在請求項所示之範圍內進行各種更改。即，關於組合在請求項所示之範圍中適宜更改之技術方案而得之實施形態亦包含於本發明之技術範圍內。
例如，實施形態中，雖在各像素中採用使用氧化物半導體之TFT，但並不限於此，亦可採用使用a-Si之TFT、或使用LTPS之TFT等之其他之TFT。即便於該情形時，亦可藉由在源極信號線及閘極信號線之至少任意一者中使用銅，而發揮將檢測裝置之檢測時間長時間化之本發明之效果。
實施形態中，作為檢測裝置之一例雖使用檢測裝置130(觸控面板)，但並不限於此，檢測裝置只要為至少檢測某種檢測對象者，則亦可為各種感測器或各種天線等。尤其，檢測裝置越為容易受顯示面板之雜訊之影響者，則應用本發明越有效。
實施形態中，採用自時序控制器120向檢測裝置130發送TP檢測動作控制信號之構成，藉此實現利用檢測裝置130之水平遮沒期間內之檢測動作，但亦可採用此外之構成， 實現水平遮沒期間內之檢測動作。例如，可設為由顯示裝置110所具備之時序控制器120以外之某個構成要件向檢測裝置130發送TP檢測動作控制信號。
[附註事項]
本發明之一態樣之顯示裝置，為解決上述問題，其特徵為具備：顯示面板，其包含複數根閘極信號線、以與該複數根閘極信號線交叉之方式配置之複數根源極信號線、及對應該複數根閘極信號線與該複數根源極信號線之交叉部配置之複數個像素；及檢測控制機構，其以在上述顯示面板之水平遮沒期間內進行檢測動作之方式控制檢測裝置，且上述複數個像素之各者之TFT之半導體層使用氧化物半導體。
根據本發明，由於以在顯示面板之水平遮沒期間內進行檢測動作之方式控制檢測裝置，故而可抑制由顯示面板之雜訊等引起之對檢測裝置之動作之影響。尤其，作為複數個像素之各者之TFT，藉由採用使用電子躍遷量比較高之氧化物半導體之TFT，可增大對於各像素寫入像素資料時之電子躍遷量，從而可將該寫入之時間短時間化。藉此，可充分設置檢測裝置進行檢測動作之期間即水平遮沒期間。因此，可提高檢測裝置之檢測精度。
上述顯示裝置中，上述氧化物半導體較佳為IGZO(InGaZnOx)。
根據本發明，作為複數個像素之各者之TFT，採用使用電子躍遷量更高之IGZO之TFT，藉此，可進一步增大對於 各像素寫入像素資料時之電子躍遷量，從而可將該寫入之時間進一步短時間化。藉此，可進一步充分設置檢測裝置進行檢測動作之期間即水平遮沒期間。因此，可進一步提高檢測裝置之檢測精度。
又，本發明之一態樣之顯示裝置，其特徵為具備：顯示面板，其包含複數根閘極信號線、以與該複數根閘極信號線交叉之方式配置之複數根源極信號線、及對應該複數根閘極信號線與該複數根源極信號線之交叉部而配置之複數個像素；及檢測控制機構，其以在上述顯示面板之水平遮沒期間內進行檢測動作之方式控制檢測裝置，且上述複數根閘極信號線及上述複數根源極信號線之至少任意一者使用銅。
根據本發明，由於以在顯示面板之水平遮沒期間內進行檢測動作之方式控制檢測裝置，故可抑制由顯示面板之雜訊等對檢測裝置之動作帶來影響。尤其，由於藉由在複數根源極信號線中使用配線電阻較低之銅，可縮短對於各像素寫入像素資料時之延遲時間，故可將該寫入之時間短時間化。又，由於藉由在複數根閘極信號線中使用配線電阻較低之銅，可縮短對於各閘極信號線施加接通電壓而選擇掃描時之延遲時間，故而可將該選擇掃描之時間短時間化。藉此，可充分設置檢測裝置進行檢測動作之期間即水平遮沒期間。因此，可提高檢測裝置之檢測精度。
在上述顯示裝置中，上述水平遮沒期間較佳為設置為2 μ秒以上。
根據該構成，由於可進一步充分確保檢測裝置進行檢測動作之期間，故而可進一步提高檢測裝置之檢測精度。
又，本發明之一態樣之顯示系統，其特徵為具備上述顯示裝置及包含檢測機構之檢測裝置。
根據該發明，可提供一種可發揮與上述顯示裝置相同之效果之顯示系統。
在上述顯示系統中，較佳為，上述檢測機構為重疊設置於上述顯示面板之表面上之觸控面板，且相互對向之上述顯示面板之表面與上述觸控面板之表面密著。
根據該構成，在裝入有顯示系統之主裝置中，由於可將顯示面板及檢測機構之配置空間薄型化，故而可將主裝置自身薄型化。又，由於無需用以使顯示面板及檢測機構相互分離之間隔物等之零件，故而亦可減少製品成本。
又，上述顯示系統中，較佳為上述顯示面板與上述檢測機構一體化。
根據該構成，可一體化且容易地操作顯示面板及檢測機構。
[產業上之可利用性]
本發明之顯示裝置及顯示系統，可在採用液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置、及電子書籍等、主動矩陣方式之各種顯示裝置、或除該等顯示裝置外具備觸控面板等之檢測裝置之顯示系統中利用。
100‧‧‧顯示系統
110‧‧‧顯示裝置
112‧‧‧顯示面板
114‧‧‧掃描線驅動電路
116‧‧‧信號線驅動電路
118‧‧‧共用電極驅動電路
120‧‧‧時序控制器
122‧‧‧檢測控制部(檢測控制機構)
130‧‧‧檢測裝置
132‧‧‧檢測部(檢測機構)
134‧‧‧檢測部控制部
150‧‧‧系統控制部
200‧‧‧TFT
G‧‧‧閘極信號線
S‧‧‧源極信號線
圖1係表示實施形態1之顯示系統之整體構成之圖。
圖2係表示顯示面板具備之像素之構成之圖。
圖3係表示各種TFT之特性之圖。
圖4係表示各源極信號線S之虛擬等價電路之圖。
圖5係表示各閘極信號線G之虛擬等價電路之圖。
圖6係表示實施形態2之顯示系統之整體構成之圖。
圖7係表示實施形態4之顯示面板及檢測部之構成之圖。
圖8係表示實施形態5之顯示面板及檢測部之構成之圖。
100‧‧‧顯示系統
110‧‧‧顯示裝置
112‧‧‧顯示面板
114‧‧‧掃描線驅動電路
116‧‧‧信號線驅動電路
118‧‧‧共用電極驅動電路
120‧‧‧時序控制器
122‧‧‧檢測控制部(檢測控制機構)
130‧‧‧檢測裝置
132‧‧‧檢測部(檢測機構)
134‧‧‧檢測部控制部
150‧‧‧系統控制部
G‧‧‧閘極信號線
S‧‧‧源極信號線

Claims (7)

  1. 一種顯示裝置，其特徵為具備：顯示面板，其包含複數根閘極信號線、以與該複數根閘極信號線交叉之方式配置之複數根源極信號線、及對應該複數根閘極信號線與該複數根源極信號線之交叉部而配置之複數個像素；及檢測控制機構，其以在上述顯示面板之水平遮沒期間內進行檢測動作之方式控制檢測裝置；且上述複數個像素之各者之TFT之半導體層使用氧化物半導體。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中上述氧化物半導體為IGZO。
  3. 一種顯示裝置，其特徵為具備：顯示面板，其包含複數根閘極信號線、以與該複數根閘極信號線交叉之方式配置之複數根源極信號線、及對應該複數根閘極信號線與該複數根源極信號線之交叉部配置之複數個像素；及檢測控制機構，其以在上述顯示面板之水平遮沒期間內進行檢測動作之方式控制檢測裝置；且上述複數根閘極信號線及上述複數根源極信號線之至少任意一者使用銅。
  4. 如請求項1至3中任一項之顯示裝置，其中上述水平遮沒期間設為2 μ秒以上。
  5. 一種顯示系統，其特徵為具備： 如請求項1至4中任一項之顯示裝置；及包含檢測機構之檢測裝置。
  6. 如請求項5之顯示系統，其中上述檢測機構為重疊設置於上述顯示面板之表面上之觸控面板；相互對向之上述顯示面板之表面與上述觸控面板之表面密著。
  7. 如請求項5或6之顯示系統，其中上述顯示面板與上述檢測機構一體化。
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