TW201316014A - 測試裝置、測試方法以及裝置介面 - Google Patents
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Abstract
一種測試裝置及測試方法,可對測試裝置與具有光學介面的被測試裝置的光輸入輸出進行簡易地調整。該測試裝置用於對設置著光耦合器及第1槽部的被測試裝置進行測試,上述光耦合器用以於面方向上傳輸光信號,上述第1槽部保持與光耦合器連接的光傳輸路徑,上述測試裝置包括:基板,搭載著被測試裝置;光傳輸路徑,應與光耦合器連接;以及按壓部,將光傳輸路徑自基板側向第1槽部按壓。
Description
本發明是有關於一種測試裝置、測試方法以及裝置介面。
先前,測試裝置是對中央處理單元(Central Processing Unit,CPU)、記憶體等的被測試裝置(device)進行測試。而且,提出有在被測試裝置中包括光學介面(optical interface)(例如參照專利文獻1、非專利文獻1及2)。
專利文獻1:國際公開第2007-013128號
非專利文獻1:Ian A. Young,et al.,“Optical I/O Technology for Tera-Scale Computing”,IEEE Journal of Solid-State Circuits,January 2010,Vol. 45,No. 1,pp.235-248
非專利文獻2:Hiren D. Thacker,James D. Meindl,“Prospects for Wafer-Level Testing of Gigascale Chips with Electrical and Optical I/O Interconnects”,IEEE International Test Conference,2006,25-1
非專利文獻3:Shin Masuda,et al.,“Liquid-crystal microlens with a beam-steering function”,APPLIED OPTICS,July 1997,Vol. 36,No. 20,pp.4772-4778
[發明要解決的課題]
為了對包括光學介面的被測試裝置進行測試,而將光信號作為測試信號使用且輸入至被測試裝置的光輸入部,並且必需對自被測試裝置的光輸出部輸出的光響應信號進行檢測。此種測試裝置要求光輸入輸出的精密的光軸調整,因此測試的處理量(throughput)降低而導致測試成本上升。進而,作為包括光學介面之被測試裝置的測試法,雖然能夠以安裝有光纖之封裝體的形態進行測試,但於性能不足規格值的情況下必需廢棄每個封裝體,從而存在製造成本增加的問題。
為了解決上述課題,在本發明的第1態樣中提供一種測試裝置及測試方法,該測試裝置用於對設置著光耦合器及第1槽部的被測試裝置進行測試,上述光耦合器用以於面方向上傳輸光信號,上述第1槽部保持與光耦合器連接的光傳輸路徑,上述測試裝置包括:基板,搭載著被測試裝置;光傳輸路徑,應與光耦合器連接;按壓部,將光傳輸路徑自基板側向第1槽部按壓。
此外,上述發明的概要並未列舉本發明的所有必要特徵。而且,該些特徵群的次組合(sub combination)亦可成為發明。
以下,透過發明的實施形態來說明本發明,但以下的實施形態並不限定申請專利範圍所述的發明。而且,實施形態中所說明之特徵的所有組合不限於發明的解決手段所必需者。
圖1表示本實施形態的測試裝置100與被測試裝置10的介面的構成例。測試裝置100與類比電路、數位電路、記憶體及系統級晶片(System on Chip,SOC)等的具有光學介面的被測試裝置10收發光信號及電信號而進行測試。此處,被測試裝置10包括用以於面方向上傳輸光信號的光耦合器12及第1槽部14。而且,被測試裝置10亦可包含端子16。
光耦合器12於面方向上傳輸光信號。光耦合器12例如與形成於被測試裝置10的表面上的光傳輸路徑光學耦合而配置,並且於被測試裝置10的光傳輸路徑與外部光傳輸路徑上收發光信號。作為一例,光耦合器12收發自配置於預先規定的位置上的光纖的端面輸入或輸出的光信號。光耦合器12可根據光耦合器12的數值孔徑、核心(core)形狀及核心尺寸、外部光纖的核心直徑及數值孔徑等來預先規定光纖的端面應配置的位置。
第1槽部14保持與光耦合器12連接的光傳輸路徑。第1槽部14例如是以如下方式進行配置,即,為了使外部光纖與光耦合器12連接而將光纖配置於預先規定的位置。第1槽部14可為與預先規定的光纖的直徑相對應的寬度及深度的V槽。亦可取而代之,第1槽部14為與形成著波導管的基板的預先規定的形狀相對應的寬度及深度的槽。
端子16傳輸電信號。端子16可為焊接凸塊、焊點或連接器等。端子16可為收發電信號的1個以上的輸入端子及1個以上的輸出端子。
測試裝置100為與如上所述的被測試裝置10收發光信號及電信號而搭載被測試裝置10。測試裝置100包括基板110、氣體供給部120、按壓部130、光傳輸路徑140、光通訊部150、電性通訊部160、移動部170及控制部180。
基板110搭載著被測試裝置10。基板110包括吸附部112、抽吸部113、氣體導入部115及第2槽部118。此處,基板110於與被測試裝置10收發電信號時可包含電極119。
吸附部112抽吸並吸附被測試裝置10。吸附部112形成於基板110的表面上,且與被測試裝置10物理接觸而可抽吸並吸附被測試裝置10。而且,吸附部112亦可藉由將被測試裝置10與基板110之間密閉,並藉由抽吸密閉空間而吸附被測試裝置10。抽吸部113與泵等連接且自吸附部112抽吸空氣或基板110上的環境氣體等。
氣體導入部115與氣體供給部120連接,且將自氣體供給部120導入的氣體供給至按壓部130。第2槽部118保持光傳輸路徑140。第2槽部118於光傳輸路徑140為光纖的情況下,可為寬度及深度與該光纖的直徑相對應的V槽。而且,第2槽部118於光傳輸路徑140為光學波導管的情況下,可為寬度及深度與形成著該光學波導管的基板的形狀相對應的槽。
電極119與電性通訊部160連接且與被測試裝置10的端子16接觸。電極119可為與端子16直接接觸的端子、探針、懸臂或膜片凸塊等。而且,電極119於端子16為連接器的情況下,可為與端子16對應的連接器。基板110例如具有被測試裝置10所包含的端子16的數目以上的電極119。
氣體供給部120經由氣體導入部115將氣體供給至按壓部130。氣體供給部120在儲存高壓氣體的罐等上配管,藉由打開配管中所含的閥門而可將高壓氣體供給至按壓部130。此處,氣體供給部120可供給空氣、氮氣或氬氣等氣體。亦可取而代之,氣體供給部120供給水等液體。
按壓部130將光傳輸路徑140自基板側向第1槽部14按壓。按壓部130可為金屬、樹脂、陶瓷或橡膠等彈性素材。按壓部130藉由自氣體供給部120供給的氣壓或液壓等而被上推。亦可取而代之,按壓部130為黏附於基板110上的橡膠等的彈性膜,並且藉由自氣體供給部120供給的氣體等充滿於內部且膨脹,從而將光傳輸路徑140向第1槽部14按壓。亦可取而代之,按壓部130藉由壓電致動器等而機械移動。
作為一例,按壓部130設置著保持光傳輸路徑140的第3槽部135。第3槽部135於光傳輸路徑140為光纖的情況下,可為寬度及深度與該光纖的直徑相對應的V槽。而且,第3槽部135於光傳輸路徑140為光學波導管的情況下,可為寬度及深度與形成著該光學波導管的基板的形狀相對應的槽。藉此,按壓部130保持光傳輸路徑140且可將光傳輸路徑140向第1槽部14按壓。
此處,作為一例,第3槽部135的深度設為比第1槽部14的深度淺。藉此,即便於按壓部130在第1槽部14與第3槽部135分別保持光傳輸路徑140的位置上產生偏離的情況下,亦可使應配置光傳輸路徑140的第1槽部14所保持的位置優先,並且可按壓該光傳輸路徑140。
光傳輸路徑140與被測試裝置10的光耦合器12連接。光傳輸路徑140可為與被測試裝置10中所包括的光耦合器12相同數目的光纖。於此情況下,例如,光傳輸路徑140以預先配置於與第1槽部14平行方向上的方式彎曲。藉此,光傳輸路徑140於藉由按壓部130按壓的情況下,可容易進入至第1槽部14,並且可配置於與光耦合器12連接的位置。
而且,光傳輸路徑140亦可為具有與形成於基板上的光耦合器12相同數目的光傳輸路徑的光學波導管。於此情況下,光傳輸路徑140於光學波導管的端部形成著與被測試裝置10的光耦合器12大致相同的光耦合器即可,光耦合器彼此可藉由光學連接而收發光信號。
於被測試裝置10搭載於基板110的狀態下,光傳輸路徑140的直徑可小於被測試裝置10的下表面與基板110間的間隔。例如,傳輸波長1550 nm左右的通訊頻帶的光的光傳輸路徑140的核心直徑為10 μm左右,由紫外線硬化型樹脂等包覆的光纖的外徑為250 μm~400 μm左右。因此,對於光傳輸路徑140而言,與被測試裝置10的光耦合器的光學連接的位置精度被要求為微米(μm)程度以下。
因此,被測試裝置10中設置著定位精度為μm程度以下的第1槽部14。因此,測試裝置100中,按壓光傳輸路徑140的被測試裝置10的位置至少處於第1槽部14的範圍內,藉此可高精度地配置光傳輸路徑140。即,測試裝置100可將基板110與被測試裝置10的位置精度設為μm程度以上,因此可使被測試裝置10的下表面與基板110間的間隔大於光傳輸路徑140的直徑,並且可使基板110與被測試裝置10的相對配置以位置精度μm程度以上移動而進行調整。
光通訊部150經由光傳輸路徑140而與被測試裝置10的光耦合器12連接,並且與被測試裝置10之間傳輸光信號。光通訊部150可搭載於基板110上,亦可取而代之而搭載於其他基板上。光通訊部150例如將供給至被測試裝置10的電信號的測試信號轉換為光信號,並且將自被測試裝置10接收的光響應信號轉換為電信號的響應信號。
電性通訊部160與被測試裝置10之間傳輸電信號。電性通訊部160可搭載於基板110上,亦可取而代之而搭載於作為其他基板的測試裝置100上。電性通訊部160例如將電源供給至被測試裝置10。而且,電性通訊部160可將頻率比光測試信號低的時脈信號及/或測試信號供給至被測試裝置10。
移動部170吸附被測試裝置10並使其移動,且搭載於基板110上。移動部170包含吸附部172及抽吸部174。吸附部172形成於移動部170的表面上,並且與被測試裝置10物理接觸而可抽吸並吸附被測試裝置10。抽吸部174與泵等連接而自吸附部172抽吸空氣或環境氣體等。移動部170包含XYZθ平台等,並且可藉由控制部180的控制信號來移動。
控制部180對移動部170發送控制信號而使移動部170移動,從而控制被測試裝置10與基板110的相對位置。控制部180可藉由感測器等檢測移動部170的移動量來獲取被測試裝置10與基板110的相對位置。例如,測試裝置100中,將基板110或移動部170的材質設為穿透紅外線的玻璃或矽,並且自移動部170的上方或基板110下方而向被測試裝置10照射紅外線。控制部180可藉由對穿透基板110或移動部170而照射被測試裝置10的紅外線的穿透光或反射光進行檢測,從而獲取被測試裝置10與基板110的相對位置。
此處,基板110及/或移動部170可具有應照射紅外光的對準標記。控制部180可藉由對紅外光照射對準標記的基板110及/或移動部170的位置進行檢測,而獲得基板110及/或移動部170的位置對準。
圖2表示圖1中的A-A'剖面的構成例。本例表示在基板110上搭載著被測試裝置10的狀態。於本例中,被測試裝置10包括2個光耦合器12及與光耦合器12相對應的2個第1槽部14。於本例中,第1槽部14及第3槽部135為保持光傳輸路徑140的V槽,第3槽部135的深度設為比第1槽部14的深度淺。
按壓部130藉由氣壓或液壓將光傳輸路徑140自基板側向第1槽部14上推,光傳輸路徑140保持於第1槽部14中且配置於與光耦合器12光學連接的位置。以上實例是對被測試裝置10包括2個光耦合器12及2個第1槽部14的示例進行了說明,但亦可取而代之,被測試裝置10包括2個以上的光耦合器12及第1槽部14。而且,對測試裝置100包括1個按壓部130且將光傳輸路徑140按壓至第1槽部14的示例進行了說明,但亦可取而代之,按壓部130於測試裝置100中包含多個。
圖3表示本實施形態的測試裝置100的動作流程。測試裝置100將被測試裝置10吸附於移動部170(S300)。此處,測試裝置100可將移動部170及基板110的相對位置對準。控制部180對移動部170發送控制信號,使其移動至將被測試裝置10搭載於基板110上的位置(S310)。
此處,測試裝置100將被測試裝置10的光耦合器12抵壓至光傳輸路徑140,並且可使被測試裝置10的端子16與基板110的電極119電性連接。測試裝置100於與被測試裝置10光學及電性連接的情況下,將被測試裝置10的端子16與基板110的電極119物理連接,並且將光耦合器12與光傳輸路徑140光學連接。因此,測試裝置100於藉由按壓部130使光傳輸路徑140移動而可與光耦合器12光學連接的範圍內,對被測試裝置10的配置進行移動調節,從而使端子16與氣體導入部115連接。
繼而,測試裝置100使被測試裝置10吸附於基板110上(S320)。藉此,測試裝置100於確保電性連接的狀態下將被測試裝置10搭載於基板110上。測試裝置100於使被測試裝置10搭載於基板110後,按壓部130將光傳輸路徑140自基板110側向第1槽部14按壓並固定光傳輸路徑140(S330)。
測試裝置100對光連接進行測試(S340)。此處,測試裝置100自光通訊部150產生連接測試用的光信號並供給至被測試裝置10,並且由光通訊部150接收自被測試裝置10輸出的光響應信號,根據接收到的光信號強度來對被測試裝置10與測試裝置100的光連接進行測試。測試裝置100例如供給預先規定的固定強度的光信號,並且於接收到的光信號的光強度為預先規定的強度以下時,判斷為光連接不良。
測試裝置100於光連接不良的情況下,改變被測試裝置10的位置。亦即,測試裝置100解除藉由基板110的吸附部112對被測試裝置10的吸附(S350),並返回至步驟S310而再度執行藉由移動部170進行的被測試裝置10對基板110上的搭載。測試裝置100可重複進行步驟S310至步驟S350的過程直至光連接的測試結果變為良好為止。
此處,於測試裝置100即便重複進行被測試裝置10的搭載而光連接測試結果亦未變為良好的情況下,可判斷被測試裝置10為不良。例如,於測試裝置100即便以預先規定的次數重複進行被測試裝置10的搭載但光連接測試亦為不良的情況下,判斷被測試裝置10的光學介面及/或光學介面與電性介面的相對位置等為不良,並結束該被測試裝置10的測試。
測試裝置100於被測試裝置10的光連接測試為良好的情況下,對被測試裝置10的電性連接進行測試(S360)。測試裝置100自電性通訊部160將預先規定的電信號即例如預先規定的Hi/Lo等邏輯值或圖案的電信號經由電極119而供給至端子16。繼而,測試裝置100將自端子16輸出的響應信號經由電極119而由電性通訊部160接收,並對電信號的連接狀態進行測試。
測試裝置100例如自電性通訊部160供給固定電壓作為預先規定的電信號,並且藉由電性通訊部160接收預先規定的範圍的電壓值而判斷連接狀態為良好。測試裝置100於無法檢測到良好的連接狀態的情況下,改變被測試裝置10的位置。亦即,測試裝置100解除藉由基板110的吸附部112對被測試裝置10的吸附(S350),並返回至步驟S310而再度執行藉由移動部170進行的被測試裝置10對基板110上的搭載。測試裝置100可重複進行步驟S310至步驟S350的過程直至電性連接的測試結果變為良好為止。
此處,於測試裝置100即便重複進行被測試裝置10的搭載而電性連接測試結果亦未變為良好的情況下,可判斷被測試裝置10為不良。例如,於測試裝置100即便以預先規定的次數重複進行被測試裝置10的搭載但電性連接測試亦不良的情況下,判斷被測試裝置10的電性介面為不良,並結束該被測試裝置10的測試。
於測試裝置100獲得良好的電性連接的情況下,使被測試裝置10與基板110的連接測試結束,並解除移動部170的吸附(S370)。藉由以上本實例,測試裝置100獲得被測試裝置10與基板110的良好的光連接及電性連接,並且不進行光輸入輸出的精密的光軸調整便可將被測試裝置10搭載於基板110上。繼而,測試裝置100可開始被測試裝置10的動作測試。
於本實例中,對測試裝置100於使被測試裝置10吸附於基板110後固定光傳輸路徑140的示例進行了說明。亦可取而代之,測試裝置100於固定光傳輸路徑140後使被測試裝置10吸附於基板110上。
而且,於本實例中,對測試裝置100於搭載被測試裝置10後執行光連接測試與電性連接測試的示例進行了說明。亦可取而代之,測試裝置100於搭載被測試裝置10後執行電性連接測試,並且於獲得良好的電性連接後執行光連接測試。於此情況下,測試裝置100可繼被測試裝置10的搭載之後將光傳輸路徑140固定,亦可取而代之而於電性連接測試後將光傳輸路徑140固定。測試裝置100例如藉由將電性連接與光連接加以比較後而先執行被預測為不良檢測較多的其中一方的測試,從而可縮短被測試裝置10的測試執行時間。
圖4一併表示本實施形態的測試裝置100的構成例與被測試裝置10。本實例的測試裝置100中,對與圖1所示的本實施形態的測試裝置100的動作大致相同的部分附加相同的符號並省略說明。測試裝置100與類比電路、數位電路、類比/數位混載電路、記憶體及系統級晶片(SOC)等的包括用以於面方向上傳輸光信號的光耦合器的被測試裝置10收發光信號及電信號而進行測試。
測試裝置100將基於用於對被測試裝置10進行測試的測試圖案的測試信號供給至被測試裝置10,並基於被測試裝置10根據測試信號而輸出的輸出信號來判定被測試裝置10是否優良。此處,測試裝置100供給至被測試裝置10的測試信號可為電信號及/或光信號,而且,被測試裝置10所輸出的輸出信號亦可為電信號及/或光信號。測試裝置100更包括信號產生部410、信號接收部420及比較部430。
信號產生部410根據測試程式而產生向被測試裝置10供給的多個測試信號。信號產生部410於將光測試信號供給至被測試裝置10時將測試信號發送至光通訊部150。光通訊部150將對接收到的測試信號進行電光轉換後的光測試信號供給至被測試裝置10中。而且,信號產生部410於將電信號的測試信號供給至被測試裝置10時將測試信號發送至光通訊部150。光通訊部150將接收到的測試信號供給至被測試裝置10。信號產生部410可生成被測試裝置10根據測試信號而輸出的響應信號的期望值並發送至比較部430。
於光通訊部150接收到被測試裝置10根據電信號或光信號的測試信號而輸出的光響應信號的情況下,將對光響應信號進行光電轉換後的響應信號發送至信號接收部420。而且,於光通訊部150接收到被測試裝置10根據電信號或光信號的測試信號而輸出的電信號的響應信號的情況下,將接收到的響應信號發送至信號接收部420。信號接收部420可將接收到的響應信號發送至比較部430。而且,信號接收部420亦可將接收到的響應信號記錄於記錄裝置中。
比較部430將自信號產生部410接收的期望值與自比較部430接收的響應信號進行比較。測試裝置100可根據比較部430的比較結果來判定被測試裝置10是否優良。藉此,測試裝置100可與包括光耦合器的被測試裝置10收發光信號及電信號而進行測試。而且,測試裝置100藉由使電信號中難以傳輸的例如數百MHz以上的高頻信號作為光信號來傳輸,從而可與被測試裝置10之間高速地收發測試信號及響應信號。藉此,測試裝置100例如亦能夠以實際的動作速度使被測試裝置10動作而實施測試。
以上,使用實施形態來說明瞭本發明,但是本發明的技術性範圍並不限定於上述實施形態中所揭示的範圍。熟悉此技藝者當瞭解可於上述實施形態中附加多種變更或改良。根據申請專利範圍的揭示當瞭解,附加此種變更或改良的形態亦可包含於本發明的技術範圍內。
應注意到如下情況:申請專利範圍、說明書以及圖式中所示的裝置、系統、程式以及方法中的動作、順序、步驟、以及階段等的各處理的執行順序,只要未特別明示為「比…更前」、「在…之前」等,而且,只要不是將前一個處理的輸出用於後一個處理,則可以任意的順序而實現。關於申請專利範圍、說明書、以及圖式中的動作流程,即使方便起見而使用「首先,」、「其次,」等進行了說明,但並不意味著必需以此順序來實施。
10...被測試裝置
12...光耦合器
14...第1槽部
16...端子
100...測試裝置
110...基板
112...吸附部
113...抽吸部
115...氣體導入部
118...第2槽部
119...電極
120...氣體供給部
130...按壓部
135...第3槽部
140...光傳輸路徑
150...光通訊部
160...電性通訊部
170...移動部
172...吸附部
174...抽吸部
180...控制部
410...信號產生部
420...信號接收部
430...比較部
圖1表示本實施形態的測試裝置100與被測試裝置10的介面的構成例。
圖2表示圖1中的A-A'剖面的構成例。
圖3表示本實施形態的測試裝置100的動作流程。
圖4一併表示本實施形態的測試裝置100的構成例與被測試裝置10。
10...被測試裝置
12...光耦合器
14...第1槽部
16...端子
100...測試裝置
110...基板
112...吸附部
113...抽吸部
115...氣體導入部
118...第2槽部
119...電極
120...氣體供給部
140...光傳輸路徑
150...光通訊部
160...電性通訊部
170...移動部
172...吸附部
174...抽吸部
180...控制部
Claims (16)
- 一種測試裝置,用於對設置著光耦合器及第1槽部的被測試裝置進行測試,上述光耦合器用以於面方向上傳輸光信號,上述第1槽部保持與上述光耦合器連接的光傳輸路徑,上述測試裝置包括:基板,搭載著上述被測試裝置;光傳輸路徑,應與上述光耦合器連接;以及按壓部,將上述光傳輸路徑自上述基板側向上述第1槽部按壓。
- 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置,其更包括光通訊部,該光通訊部經由上述光傳輸路徑而與上述被測試裝置的上述光耦合器連接,且與上述被測試裝置之間傳輸光信號。
- 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置,其中上述被測試裝置更包括用於傳輸電信號的端子,該測試裝置更包括與上述被測試裝置之間傳輸電信號的電性通訊部,上述基板包括與上述電性通訊部連接並且與上述端子接觸的電極。
- 如申請專利範圍第3項所述之測試裝置,其中上述測試裝置藉由將上述被測試裝置的上述光耦合器抵壓於上述光傳輸路徑且使上述被測試裝置的上述端子與上述基板的電極電性連接,而使上述被測試裝置搭載於上述基板上。
- 如申請專利範圍第4項所述之測試裝置,其中於使上述被測試裝置搭載於上述基板後,上述按壓部將上述光傳輸路徑自上述基板側向上述第1槽部按壓,該測試裝置於對光連接進行測試而光連接為不良的情況下,改變上述被測試裝置的位置。
- 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置,其中上述按壓部藉由氣壓而被上推。
- 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置,其中上述基板包括抽吸並吸附上述被測試裝置的吸附部。
- 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置,其中上述測試裝置更包括移動部,該移動部吸附上述被測試裝置而使其移動並搭載於上述基板上。
- 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置,其中上述光傳輸路徑以預先配置於與上述第1槽部平行的方向上的方式而彎曲。
- 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置,其中上述基板設置著保持上述光傳輸路徑的第2槽部。
- 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置,其中上述按壓部設置著保持上述光傳輸路徑的第3槽部。
- 如申請專利範圍第11項所述之測試裝置,其中上述第3槽部的深度設為比上述第1槽部的深度淺。
- 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置,其中於上述被測試裝置搭載於上述基板的狀態下,上述光傳輸路徑的直徑小於上述被測試裝置的下表面與上述基板之間的間隔。
- 如申請專利範圍第1項至第13項中任一項所述之測試裝置,其中上述被測試裝置設置著多個上述光耦合器、及與上述多個光耦合器的各個相對應的多個上述第1槽部,上述測試裝置包括應與上述多個光耦合器的各個連接的多個光傳輸路徑,上述按壓部將上述多條光傳輸路徑自上述基板側向上述多個第1槽部的各個按壓。
- 一種測試方法,用於對設置著光耦合器及槽部的被測試裝置進行測試,上述光耦合器用以於面方向上傳輸光信號,上述槽部保持與上述光耦合器連接的光傳輸路徑,上述測試方法包括:基板搭載階段,將上述被測試裝置搭載於基板上;光傳輸路徑連接階段,將上述光傳輸路徑與上述光耦合器連接;以及按壓階段,將上述光傳輸路徑自上述基板側向上述槽部按壓。
- 一種裝置介面,與設置著光耦合器及槽部的被測試裝置收發光信號,上述光耦合器用以於面方向上傳輸光信號,上述槽部保持與上述光耦合器連接的光傳輸路徑的槽部,且上述裝置介面包括:基板,搭載著上述被測試裝置;光傳輸路徑,應與上述光耦合器連接;以及按壓部,將上述光傳輸路徑自上述基板側向上述槽部按壓。
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
CN110763976A (zh) * | 2018-07-26 | 2020-02-07 | 株式会社爱德万测试 | 负载板及电子部件测试装置 |
TWI703329B (zh) * | 2017-02-15 | 2020-09-01 | 義大利商探針科技公司 | 供高頻應用的探針卡 |
TWI719627B (zh) * | 2018-09-21 | 2021-02-21 | 日商日本麥克隆尼股份有限公司 | 檢查方法及檢查系統 |
-
2011
- 2011-10-12 TW TW100137007A patent/TW201316014A/zh unknown
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI703329B (zh) * | 2017-02-15 | 2020-09-01 | 義大利商探針科技公司 | 供高頻應用的探針卡 |
US11112431B2 (en) | 2017-02-15 | 2021-09-07 | Technoprobe S.P.A. | Probe card for high-frequency applications |
CN110763976A (zh) * | 2018-07-26 | 2020-02-07 | 株式会社爱德万测试 | 负载板及电子部件测试装置 |
TWI719627B (zh) * | 2018-09-21 | 2021-02-21 | 日商日本麥克隆尼股份有限公司 | 檢查方法及檢查系統 |
US11435392B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-09-06 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Inspection method and inspection system |
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