TW201312938A - 表面安裝晶體振子及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種表面安裝晶體振子及其製造方法，該表面安裝晶體振子可實現小型化，使品質提高，使製造成本減少，從而使生產性提高。對於表面安裝晶體振子及其製造方法而言，在矩形的陶瓷基板（1）的角部所形成的貫通孔的壁面形成有AgPd的貫通端子（2b、2c）；在基板（1）的表面形成有AgPd的支撐電極下層部（3a）的金屬電極，該金屬電極連接於貫通端子（2c）且形成支撐電極（3b）的下層；在支撐電極下層部（3a）上，利用Ag而形成有保持著晶體片（5）的支撐電極（3b）；將外殼（6）搭載於基板1的周圍內側所形成的絕緣膜（10）上，而進行氣密密封。

Description

表面安裝晶體振子及其製造方法

本發明是有關於一種表面安裝用的晶體振子，本發明特別是有關於一種可使生產性提高、且可實現小型化的表面安裝晶體振子及其製造方法。

表面安裝晶體振子為小型且重量輕，因此，特別是，作為頻率或時間的基準源，而內置於便攜式的電子設備。

以往，已有如下的表面安裝晶體振子，該表面安裝晶體振子是將晶體片搭載在陶瓷(ceramic)基板上，使凹狀的外殼(cover)顛倒，將該凹狀的外殼蓋在所述晶體片上，從而密閉封入所述晶體片。近年來，已有頻率偏差△f/f比較寬鬆，例如為±150 ppm~±250 ppm的廉價的民用表面安裝晶體振子。

特別是，對於以往的表面安裝晶體振子的一般構成而言，在陶瓷基板上形成例如AgPd(銀、鈀)的金屬電極的圖案(pattern)，然後將AgPd的支撐電極層疊於支撐著晶體片的部分，利用該支撐電極抬起晶體片。

若晶體片的中央部與陶瓷基板(基底)的面發生接觸，則會妨礙振動，且會導致等效電阻值變差，因此，必須以某種程度將搭載著晶體片的支撐電極抬離基底面。

再者，利用AgPd來形成金屬電極及支撐電極的原因在於：不易氧化。

[關聯技術]

再者，作為關聯的先前技術，已有日本專利特開2007-158419號公報“表面安裝晶體振盪器”(日本電波工業股份有限公司)[專利文獻1]、日本專利特開2003-179456號公報“晶體產品用表面安裝容器及使用該晶體產品用表面安裝容器的晶體產品”(日本電波工業股份有限公司)[專利文獻2]、以及日本專利特開2001-110925號公報“導電性蓋(cap)、電子零件及導電性蓋的絕緣覆膜形成方法”(村田製作所股份有限公司)[專利文獻3]。

在專利文獻1中表示了如下的構成，即，在表面安裝晶體振盪器中，將晶體片3搭載在積體電路(Integrated Circuit，IC)晶片(chip)2上，在安裝基板4上形成有IC晶片2等，且設置有金屬外殼5。

另外，在專利文獻2中表示了如下的構成，即，在晶體產品用表面安裝容器中，將晶體片3經由晶體端子6而設置在單層基板1A上，利用外殼2來密閉封入所述晶體片3。

另外，在專利文獻3的先前技術的[0005]中表示了如下的內容：在基板51上，在金屬蓋52的下方開口端面與基板51的上表面51a發生接觸的部分，形成有矩形框狀的絕緣膜55。

[專利文獻1]日本專利特開2007-158419號公報

[專利文獻2]日本專利特開2003-179456號公報

[專利文獻3]日本專利特開2001-110925號公報

然而，對於以往的表面安裝晶體振子而言，根據不易氧化的理由，利用AgPd來形成金屬電極及支撐電極，但為了使晶體片離開基底面，支撐電極必須具有厚度，因此，利用絲網印刷(screen print)，將AgPd例如塗布三次而使支撐電極層疊，從而存在表面安裝晶體振子的製造變複雜的問題點。

特別由於AgPd的黏度低，因此，無法一次性地形成厚膜，必須反復地進行如下的步驟，即，形成薄膜，然後對薄膜進行層疊。

另外，由於AgPd的黏度低，因此，在金屬電極上形成支撐電極，但支撐電極的AgPd膜有時也會鬆弛而在金屬電極的周圍露出。

而且，存在如下的問題點：目前，Pd(鈀)的成本(cost)約為Ag(銀)的成本的22倍，若Pd的使用量增加，則製造成本會升高。

另外，以往已有懸臂型的表面安裝晶體振子，該懸臂型的表面安裝晶體振子是：在一條短邊的兩處保持著晶體片，但當從晶體片的上表面，對連接於所述兩處的支撐電極的連接端子的牽拉配線進行觀察時，有出現在比晶體片更靠外側處的部位。

而且，在製造步驟的頻率調整過程中，利用氬(Ar)離子來將晶體片的激振電極削去，但出現在比晶體片更靠外側處的部位有可能會被削去，從而存在如下的問題點，即，難以對調整機的離子槍(ion gun)的位置進行佈置。

本發明是鑑於所述實際情況而成的發明，本發明的目的在於：提供如下的表面安裝晶體振子及其製造方法，該表面安裝晶體振子可實現小型化，且可使品質提高，使製造成本減少，從而使生產性提高。

用以解決所述先前例的問題點的本發明是：在矩形的陶瓷基板上搭載有晶體片的表面安裝晶體振子，該表面安裝晶體振子包括：第一支撐電極及第二支撐電極，保持著晶體片；貫通端子，形成在基板的角部所形成的貫通孔的壁面；第一下層部及第二下層部，在基板的表面，形成於第一支撐電極及第二支撐電極的下層；第一連接端子，將第一下層部的端部與最靠近該端部的角部的貫通端子予以連接；第二連接端子，將第二下層部的端部與最靠近該端部的角部的貫通端子予以連接；以及外殼，將晶體片予以覆蓋，且對內部進行氣密密封，且利用抗氧化金屬膜來形成貫通端子、第一及第二下層部、及第一及第二連接端子，利用銀來形成第一支撐電極及第二支撐電極，從而存在如下的效果，即，可實現小型化，且可使品質提高，使製造成本減少，從而使生產性提高。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子中，使第一連接端子與第二連接端子連接於基板的對角的貫通端子；且使未由第一連接端子及第二連接端子連接的第一下層部及第二下層部的端部，比由第一連接端子及第二連接端子連接的第一下層部及第二下層部的端部更短。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子中，在基板周圍的內側，形成：搭載外殼的帶狀的絕緣膜。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子中，利用以銀為主成分的合金，來形成抗氧化金屬膜。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子中，利用以銀為主成分的與鈀的合金，來形成抗氧化金屬膜。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子中，晶體片經斜面加工，且短邊具有傾斜，第一支撐電極及第二支撐電極是：在第一下層部及第二下層部上，以在所述第一及第二下層部的中央部分形成空間部的方式，而一分為二地分離形成於第一及第二下層部的端部，由於晶體片的透鏡狀的腹部會被推入至空間部，因此，支撐電極上的導電性接著劑的推壓作用變得充分，存在使晶體片的接著強度增大的效果。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子中，經斜面加工的晶體片經由導電性接著劑，而固定在：連接於第一連接端子及第二連接端子的第一下層部及第二下層部的端部上所形成的分離的一個支撐電極上。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子中，使一個支撐電極的表面積，大於未連接於第一連接端子及第二連接端子的第一下層部及第二下層部的端部上所形成的分離的另一個支撐電極的表面積。

本發明是在矩形的陶瓷基板上搭載有晶體片的表面安裝晶體振子的製造方法，其中，在基板的角部所形成的貫 通孔的壁面，形成貫通端子；並且在基板的表面，在保持著晶體片的第一支撐電極及第二支撐電極的下層，利用抗氧化金屬膜來形成第一下層部及第二下層部、第一連接端子、以及第二連接端子，所述第一連接端子將第一下層部的端部與最靠近該端部的角部的貫通端子予以連接，所述第二連接端子將第二下層部的端部與最靠近該端部的角部的貫通端子予以連接；在第一下層部及第二下層部上，利用銀來形成第一支撐電極及第二支撐電極；以及設置外殼，該外殼將晶體片予以覆蓋，且對內部進行氣密密封，從而存在如下的效果，即，可實現小型化，且可使品質提高，使製造成本減少，從而使生產性提高。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子的製造方法中，使第一連接端子與第二連接端子連接於基板的對角的貫通端子；且使未由第一連接端子及第二連接端子連接的第一下層部及第二下層部的端部，形成得比由第一連接端子及第二連接端子連接的第一下層部及第二下層部的端部更短。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子的製造方法中，使用金屬遮罩(metal mask)來一次性地形成第一支撐電極及第二支撐電極。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子的製造方法中，利用以銀為主成分的合金，來形成抗氧化金屬膜。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子的製造方法中，利用以銀為主成分的與鈀的合金，來形成抗氧化金 屬膜。

對於本發明而言，所述表面安裝晶體振子的製造方法是搭載有晶體片的表面安裝晶體振子的製造方法，其中，所述晶體片經斜面加工，且短邊具有傾斜，在所述表面安裝晶體振子的製造方法中，第一支撐電極及第二支撐電極是：在第一下層部及第二下層部上，以在所述第一及第二下層部的中央部分形成空間部的方式，而一分為二地分離形成於第一及第二下層部的端部，由於晶體片的透鏡狀的腹部會被推入至空間部，因此，支撐電極上的導電性接著劑的推壓作用變得充分，存在使晶體片的接著強度增大的效果。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子的製造方法中，將經斜面加工的晶體片經由導電性接著劑，而固定在：連接於第一連接端子及第二連接端子的第一下層部及第二下層部的端部上所形成的分離的一個支撐電極上。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子的製造方法中，使一個支撐電極的表面積，大於未連接於第一連接端子及第二連接端子的第一下層部及第二下層部的端部上所形成的分離的另一個支撐電極的表面積。

另外，本發明是在矩形的陶瓷基板上搭載有晶體片的表面安裝晶體振子，該表面安裝晶體振子包括：第一支撐電極及第二支撐電極，在一條短邊上保持著晶體片；貫通端子，形成在基板的角部所形成的貫通孔的壁面上；第一下層部及第二下層部，在基板的表面，形成於第一支撐電 極及第二支撐電極的下層；第一連接端子，將第一下層部的端部與最靠近該端部的角部的貫通端子予以連接；第二連接端子，將第二下層部的端部與貫通端子予以連接，該貫通端子是：在基板上，與由第一下層部連接的貫通端子處於對角的角部的貫通端子；以及外殼，將晶體片予以覆蓋，且對內部進行氣密密封，利用抗氧化金屬膜來形成貫通端子、第一及第二下層部、及第一及第二連接端子，利用銀來形成第一支撐電極及第二支撐電極，從而存在如下的效果，即，可實現小型化，且可使品質提高，使製造成本減少，使生產性提高。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子中，第二連接端子包括：第一部分，其一端連接於第二下層部的基板中央側的端部，且另一端在沿著基板的長邊而被連接的貫通端子的方向上延伸；以及第二部分，其一端連接於第一部分的另一端，且另一端連接於貫通端子。由於第二連接端子中的第一部分形成在隱藏於搭載的晶體片的背側的位置，因此，存在如下的效果，即，不會藉由頻率調整時的氬離子來錯誤地將第一部分的配線圖案削去，可使品質及生產性提高。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子中，在基板周圍的內側，形成：搭載外殼的帶狀的絕緣膜。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子中，利用以銀為主成分的合金，來形成抗氧化金屬膜。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子中，利用 以銀為主成分的與鈀的合金，來形成抗氧化金屬膜。

本發明是在矩形的陶瓷基板上搭載有晶體片的表面安裝晶體振子的製造方法，在基板的角部所形成的貫通孔的壁面，形成貫通端子，並且在基板的表面，在第一支撐電極及第二支撐電極的下層，利用抗氧化金屬膜來形成第一下層部及第二下層部、第一連接端子、以及第二連接端子，所述第一連接端子將第一下層部的端部與最靠近該端部的角部的貫通端子予以連接，所述第二連接端子將第二下層部的端部與如下的貫通端子予以連接，該貫通端子是在基板上，與由第一下層連接的貫通端子處於對角的角部的貫通端子，所述第一支撐電極及第二支撐電極在一條短邊上保持著晶體片，在第一下層部及第二下層部上，利用銀來形成第一支撐電極及第二支撐電極，設置外殼，該外殼將晶體片予以覆蓋，且對內部進行氣密密封，從而存在如下的效果，即，可實現小型化，且可使品質提高，使製造成本減少，使生產性提高。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子的製造方法中，該表面安裝晶體振子是以使第二連接端子包括第一部分與第二部分的方式而形成，所述第一部分的一端連接於第二下層部的基板中央側的端部，且另一端在沿著基板的長邊而被連接的貫通端子的方向上延伸，所述第二部分的一端連接於第一部分的另一端，且另一端連接於貫通端子，由於第二連接端子中的第一部分形成在隱藏於搭載的晶體片的背側的位置，因此，存在如下的效果，即，不會 藉由頻率調整時的氬離子來錯誤地將第一部分的配線圖案削去，可使品質及生產性提高。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子的製造方法中，使用金屬遮罩來一次性地形成第一支撐電極及第二支撐電極。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子的製造方法中，利用以銀為主成分的合金來形成抗氧化金屬膜。

對於本發明而言，在所述表面安裝晶體振子的製造方法中，利用以銀為主成分的與鈀的合金來形成抗氧化金屬膜。

一面參照附圖，一面對本發明的實施方式進行說明。

[第一實施方式的概要]

本發明的第一實施方式的表面安裝晶體振子是：在矩形的陶瓷基板的角部所形成的貫通孔的壁面上形成有AgPd的貫通端子，在基板的表面形成有AgPd的金屬電極，該AgPd的金屬電極連接於貫通端子且形成支撐電極的下層，在所述金屬電極上形成有保持著晶體片的Ag的支撐電極，本發明的第一實施方式的表面安裝晶體振子實現了小型化，且使製造成本減少，使生產性提高。

特別是，對於支撐電極而言，使用金屬遮罩(metal mask)而並非使用絲網遮罩(screen mask)來一次性地形成厚的Ag膜，因此，可使製造成本減少，而且也可簡化 製造過程(process)。

[實施方式的前提]

以往，利用AgPd來形成保持著晶體片的支撐電極的原因在於：AgPd印刷的耐環境性(environment resistance)優異，且AgPd膜不易氧化。

在第一實施方式~第三實施方式中，將金屬外殼蓋在晶體片上，對封裝(package)內進行N₂淨化(purge)，接著進行氣密密封，因此，即使利用Ag來形成封裝內的支撐電極，也不易引起氧化。

再者，N₂淨化是如下的作業，即，將氮送入至封裝內，將氧等逐出。

然而，由於從封裝抽出的金屬電極及貫通端子暴露在空氣中，因此，必須利用AgPd來形成所述金屬電極及貫通端子。

[第一晶體振子的電極圖案：圖1]

一面參照圖1，一面對本發明的實施方式的第一表面安裝晶體振子(第一晶體振子)進行說明。圖1是第一晶體振子的電極圖案的平面說明圖。

如圖1所示，第一晶體振子中的金屬電極的電極圖案在陶瓷基板(基底)1上，基本包括：作為支撐電極的下層的支撐電極下層部3a的圖案、形成在基底1的四個角落的貫通端子2b、2c、以及連接端子2a的圖案，該連接端子2a將支撐電極下層部3a與貫通端子2c予以連接。

此處，將由連接端子2a連接的貫通端子設為2c，且將 未由連接端子2a連接的貫通端子設為2b而加以區分。

此處，具體地對電極圖案的各部分進行說明。

貫通端子2b、2c為如下的電極，該電極是在分離成基底之前的陶瓷片狀態下，在決定各個晶體振子的區域的破裂線(break line)的交點處形成通孔(through hole)(貫通孔)，在該通孔的壁面上形成金屬膜，並連接基底的表背面。

另外，對於貫通端子2b、2c而言，為了容易連接其他電極，不僅在通孔的壁面上成為扇形的圖案，而且除了通孔部分之外，在基底的表背面上也成為扇形的圖案。

連接端子2a呈直線地連接於：最靠近支撐電極下層部3a的端部的角部的貫通端子2c。

而且，連接端子2a連接於各自處於對角的位置的貫通端子2c。在圖1中，一個連接端子2a連接於左下方的貫通端子2c，另一個連接端子2a連接於右上方的貫通端子2c。

使連接端子2a處於對角，藉此，即使外殼在圖1的上下方向偏移，也可防止外殼與未由連接端子2a連接的支撐電極下層部3a的端部發生接觸，從而可使品質提高。

此外，支撐電極下層部3a的未由連接端子2a連接的端部，比由連接端子2a連接的端部更短。

即，若對距離(A)與距離(B)進行比較，則距離(B)比距離(A)更長，所述距離(A)是直至靠近由連接端子2a連接的支撐電極下層部3a的端部的基底的長邊為止的 距離，所述距離(B)是直至靠近未由連接端子2a連接的支撐電極下層部3a的端部的基底的長邊為止的距離。

因此，在圖1的左上方及右下方，使直至靠近支撐電極下層部3a的端部(未由連接端子2a連接的端部)的長邊為止的空間(space)擴大，藉此，即使之後搭載的外殼在圖1的上下方向上稍微偏移，也不會與所述端部發生接觸，從而可使品質提高。

[第一晶體振子的電極圖案的剖面：圖2]

圖2表示在基底1上形成有電極圖案的狀態的剖面說明圖。圖2是第一晶體振子的形成有電極圖案的狀態的剖面說明圖。

如圖2所示，在基底1的表面上，藉由AgPd來一體地形成支撐電極下層部3a與連接端子2a，並且也同時形成將基底1的表背面予以連接的貫通端子2b、2c。

另外，在基底1的背面上，藉由AgPd來形成連接於各貫通端子2b、2c的安裝端子4的電極圖案。

連接於貫通端子2c的安裝端子4成為被施加電壓的電極，連接於貫通端子2b的安裝端子4成為連接於地面(ground level)的GND電極。

[第一晶體振子的絕緣膜的形成：圖3]

接著，一面參照圖3，一面對第一晶體振子的絕緣膜的形成進行說明。圖3是第一晶體振子的絕緣膜圖案的平面說明圖。

如圖3所示，絕緣膜10處於基底1的表面，以圍繞外 周的內側的方式，呈帶狀地由玻璃(glass)等形成，且將基底1上的連接端子2a予以覆蓋地橫穿該連接端子2a。

而且，絕緣膜10遠離基底1的外周端地形成於內側，且並未覆蓋至形成有貫通端子2b、2c的角部為止。

然而，也可考慮外殼的偏移，使絕緣膜10向貫通端子2b、2c的中心側延展。所謂中心側，是指利用對角線來將基底1的角部予以連結時的線端的部分。

[第一晶體振子形成有絕緣膜時的剖面：圖4]

圖4表示形成有絕緣膜的狀態的剖面說明圖。圖4是第一晶體振子的形成有絕緣膜的狀態的剖面說明圖。

如圖4所示，在基底1的表面上，以圍繞外周的內側的方式而形成絕緣膜10。再者，在連接端子2a上也形成絕緣膜10。

[第一晶體振子的支撐電極圖案：圖5]

接著，一面參照圖5，一面對第一晶體振子的支撐電極圖案進行說明。圖5是第一晶體振子的支撐電極圖案的平面說明圖。

如圖5所示，支撐電極3b層疊在支撐電極下層部3a上且由Ag形成。

由於支撐電極3b使用了Ag，因此黏度高，可使用金屬遮罩，利用一次塗布來形成具有厚度的金屬膜。由一次塗布所形成的支撐電極3b的厚度相當於三層以往使用有AgPd的金屬膜(黏度低)的厚度。

即，在第一實施方式中，為了形成相同厚度的支撐電 極3b，只要對Ag膜進行一次塗布即可，但對於以往的AgPd膜而言，必須塗布三次，使用大量的Pd且成本高，作業步驟也變得複雜。

另外，由於支撑電極3b使用了黏度高的Ag，因此，該支撑電極3b不會鬆弛而從支撑電極下層部3a露出，即使偏移地搭載金屬製的外殼，也可使短路(short)的可能性减少。

[第一晶體振子的支撐電極圖案的剖面：圖6]

圖6表示形成有支撐電極圖案的狀態的剖面說明圖。圖6是第一晶體振子的形成有支撐電極圖案的狀態的剖面說明圖。

如圖6所示，在支撐電極下層部3a上的支撐電極3b是：形成得比支撐電極下層部3a更厚。

[第一晶體振子的晶體片搭載情況：圖7]

接著，一面參照圖7，一面對第一晶體振子的晶體片搭載情況進行說明。圖7是晶體片搭載於第一晶體振子時的平面說明圖。

晶體片5設為AT切割的晶體片，且在兩個主面上形成有相向的激振電極5a。

另外，晶體片5中形成有引出電極5b，該引出電極5b從激振電極5a延伸至彼此相反的方向的兩端部，且遍及整個寬度方向地折返。

而且，引出電極5b的延伸的一組對角部(端部)藉由作為導電材料的導電性接著劑7而固定於支撐電極3b，將 引出電極5b與支撐電極3b電性且機械性地予以連接。

[第一晶體振子的剖面：圖8]

接著，一面參照圖8，一面對外殼搭載於第一晶體振子的狀態的剖面進行說明。圖8是外殼搭載於第一晶體振子的狀態的剖面說明圖。

如圖8所示，晶體片5經由導電性接著劑7而搭載在支撐電極3b上，而且，金屬製的外殼6經由作為絕緣性密封材料的樹脂，而搭載在絕緣膜10上。

外殼6呈凹狀的形狀，且開口端面彎折為L字狀，使該凹狀的形狀顛倒，將該L字狀的部分經由密封劑的樹脂而接合至絕緣膜10上。

在利用外殼6來進行密封的情況下，由於藉由N₂淨化來進行氣密密封，因此，由Ag形成的支撐電極3b不會氧化，品質上無問題。

[第一晶體振子的製造方法]

接著，對第一晶體振子的製造方法進行說明。

[第一步驟/對片狀陶瓷胚料進行鍛燒]

首先，形成作為片(sheet)狀陶瓷基底的基礎的片狀陶瓷胚料。

在片狀陶瓷胚料中，對應於各個陶瓷基底1，形成對相鄰接的區域彼此進行劃分的破裂線(broken line)，並且在四個角落部(角部)形成貫通孔。

接著，對形成有貫通孔的片狀陶瓷胚料進行鍛燒(burning)，獲得片狀陶瓷基底。

[第二步驟/形成電路圖案]

接著，在與片狀陶瓷基底的電路圖案相對應的區域中，藉由使用絲網遮罩的印刷，以約10 μm左右的厚度來形成AgPd合金的金屬膏(paste)。

如圖1所示，在電路圖案的一個主面(表面)上形成金屬圖案，在另一個主面(背面)上形成安裝端子4的圖案，而且在貫通孔的壁面上形成貫通端子2b、2c。

接著，以約850℃來對作為AgPd合金的金屬膏進行鍛燒，使金屬膏中的黏合劑(binder)蒸發，並且使AgPd合金熔融而變成固體，從而獲得形成有金屬圖案的片狀陶瓷基底。

再者，陶瓷的鍛燒溫度約為1500℃~1600℃，AgPd合金的鍛燒溫度為陶瓷的鍛燒溫度以下的850℃，因此，在對陶瓷進行鍛燒之後，塗布AgPd合金膏，接著對陶瓷及AgPd合金膏一起進行鍛燒。

原因在於：若將AgPd合金膏塗布至陶瓷胚料，接著以陶瓷的鍛燒溫度來進行鍛燒，則AgPd合金膏的溫度過高，該AgPd合金膏會變成顆粒，從而無法形成電路圖案。

[第三步驟/形成絕緣膜10]

接著，對絕緣膜10的形成進行說明。

在形成有金屬圖案等的片狀陶瓷基底的各矩形區域(相當於各基底1)周圍的內側，藉由印刷來形成玻璃膏(glass paste)作為絕緣膜10。

接著，以約850℃左右的溫度來進行鍛燒，使玻璃膏變 成固體。

[第四步驟/形成支撐電極3b]

接著，對支撐電極3b的形成進行說明。

如圖5、圖6所示，使用鎳(Ni)的金屬遮罩，在AgPd的支撐電極下層部3a上，藉由Ag的金屬膜來形成支撐電極3b。

由於支撐電極3b為Ag的金屬膜，因此黏度高，可利用一次成膜過程來形成具有厚度的膜。因此，支撐電極3b不會鬆弛而從支撐電極下層部3a露出。

[第五步驟/搭載晶體片]

接著，藉由導電性接著劑7，將晶體片5固定且搭載於形成有金屬圖案等的片狀陶瓷基底的各支撐電極3b，使所述晶體片5電性且機械地連接於所述各支撐電極3b，所述晶體片5從激振電極5a延伸出了引出電極5b。

[第六步驟/調整頻率]

接著，根據質量負載效應(mass load effect)，對搭載(固定)於片狀陶瓷基底的作為晶體振子的各晶體片5的振動頻率進行調整。

具體而言，在片狀陶瓷基底的背面，使來自測定器的測定端子(探針(probe))與安裝端子4發生接觸，該安裝端子4與各晶體片5形成電性連接。接著，將氣體離子(gas ion)照射至板面已露出的晶體片5的表面側的激振電極5a，將表面削去，使激振電極5a的質量減少，從而將振動頻率從低頻率調整至高頻率。

然而，例如也可藉由蒸鍍或濺鍍來將金屬膜附加至激振電極5a上，從而將振動頻率從高頻率調整至低頻率。

[第七步驟/接合金屬外殼(密閉封入)]

接著，經由密封材料，將呈凹狀的金屬的外殼6的開口端面(凸緣(flange)下表面)接合至絕緣膜10上，該絕緣膜10處於：與搭載有晶體片5的片狀陶瓷基底1A的各個陶瓷基底1相對應的矩形狀區域的外周表面。

此處，將預先塗布或轉印至外殼6的開口端面的樹脂作為密封材料，進行加熱而使所述樹脂熔融，從而進行接合。例如，將外殼6的開口端面設為L字狀，使所謂的密封路徑(seal path)變長。藉此，形成片狀的晶體振子，該片狀的晶體振子是密閉封入各個晶體片5而經積集所得。

[第八步驟/分割]

最後，根據破裂線，縱橫地對積集有晶體振子的片狀陶瓷基底進行分割，獲得各個表面安裝晶體振子。

另外，此處，可在形成有金屬圖案等的片狀陶瓷基底的狀態下，連續地進行晶體片5的搭載(第五步驟)、頻率調整(第六步驟)及外殼6的接合(第七步驟)的步驟，因此，存在可使生產性提高的效果。

而且，在第一實施方式中，陶瓷基底1的背面的安裝端子4是設為各自電性地獨立的四個端子。另一方面，在片狀陶瓷基底的狀態下，相鄰接的矩形狀區域的四個角部 的各安裝端子4(四個)是：經由貫通端子2b、2c，而在電氣性上共用地被連接。

因此，存在如下的效果，即，即使在四個角部的各安裝端子4共用地被連接的狀態下，也可使測定端子與各陶瓷基底1的連接於支撐電極3b的一組對角部的安裝端子4發生接觸，從而對每個晶體片5的振動頻率進行調整。

另外，雖將絕緣膜10設為玻璃，但例如只要具有比作為密封材料的樹脂更高的耐熱性，則也可應用樹脂。

而且，雖將金屬圖案設為AgPd合金，但也可為：以對於陶瓷的附著力比較良好的Ag為主的例如AgPt(銀、鉑)合金，只要為Ag系厚膜材料，則可適用。

[第一實施方式的效果]

根據第一晶體振子，存在如下的效果，即，利用AgPd合金來一體地形成支撐電極下層部3a、連接端子2a以及貫通端子2b、2c，在支撐電極下層部3a上形成Ag的支撐電極3b，搭載晶體片5之後，利用外殼6來進行氣密密封，因此，不會使支撐電極3b暴露在空氣中而氧化，且由於Ag的黏度高，因此，可利用一次成膜過程來形成具有比AgPd更厚的厚度的膜，而且不會鬆弛，所以可實現小型化，且使品質提高，從而使生產性提高。

另外，第一晶體振子是利用Ag膜來形成支撐電極3b，因此，存在可使製造成本減少的效果。

[第二實施方式]

接著，對第二實施方式的晶體振子(第二晶體振子)進行說明。

在第一實施方式中，將晶體片5設為板狀，但為了在低頻時，使CI(Crystal Impedance：等效串聯電阻)的數值下降，對晶體片進行斜面(bevel)加工。

所謂斜面加工，是指：利用倒角加工來使晶體片的端面成為傾斜部的加工處理。藉由所述斜面加工，晶體片的腹部形成為透鏡狀。

若將經斜面加工的晶體片搭載在支撐電極3b上，則有時該晶體片的透鏡狀的腹部會與該支撐電極3b發生接觸，導致晶體片在支撐電極3b的端部翹起，由導電性接著劑產生的推壓作用變得不充分。

若導電性接著劑的推壓作用變得不充分，則會引起晶體片的接著強度不足。

因此，在第二晶體振子中，不形成支撐電極3b的中央部分，將該支撐電極3b設為分離至兩端的形狀，在中央部分形成空間部，利用兩端的支撐電極3b來支撐晶體片，藉此，將晶體片的透鏡狀的腹部收在所述空間部中，經斜面加工的晶體片的端面可與兩端的支撐電極3b發生接觸而不會翹起，因此，導電性接著劑的推壓作用變得充分，從而可滿足晶體片的接著強度。

再者，也可將支撐電極下層部3a一分為二，但為了穩定地形成支撐電極3b，不對支撐電極下層部3a進行分割， 而保留該支撐電極下層部3a。

[第二晶體振子的電極圖案：圖9]

接著，一面參照圖9，一面對第二晶體振子的電極圖案進行說明。圖9是第二晶體振子的電極圖案的平面說明圖。

如圖9所示，第二晶體振子與圖5的第一晶體振子相比較，分離地部分形成支撐電極3b。

具體而言，在未由連接端子2a連接的一側的支撐電極下層部3a上形成第一支撐電極3b1，在由連接端子2a連接的一側的支撐電極下層部3a上形成第二支撐電極3b2。

再者，使第二支撐電極3b2的面積大於與晶體片發生接觸的第一支撐電極3b1的面積。原因在於：將導電性接著劑7塗布至第二支撐電極3b2的上表面，接著將晶體片搭載於該第二支撐電極3b2的上表面。

藉此，形成如下的構成，即，第一支撐電極3b1的上表面僅搭載了晶體片而未塗布有導電性接著劑。

[第二晶體振子的晶體片搭載情況：圖10]

接著，一面參照圖10，一面對第二晶體振子的晶體片搭載情況進行說明。圖10是晶體片搭載於第二晶體振子時的平面說明圖。

第二晶體振子的晶體片5'成為如下的構成，即，藉由斜面加工處理端面是經過倒角加工，且包括透鏡狀的腹部。

如圖10所示，另外的第二晶體振子基本上與圖7的第一晶體振子相同，但晶體片5'搭載在分離的第一支撐電極3b1與第二支撐電極3b2上，晶體片5'與第二支撐電極3b2 利用導電性接著劑7而接合，而且電性且物理性地連接。

[第二晶體振子的短邊上的剖面：圖11]

接著，一面參照圖11，一面對第二晶體振子的短邊上的剖面進行說明。圖11是第二晶體振子的短邊上的剖面說明圖。

如圖11所示，在存在第一支撐電極3b1、第二支撐電極3b2的基板1的短邊上的剖面中，在基板1的中央形成有支撐電極下層部3a，在基板1的周邊內側形成有絕緣膜10，在支撐電極下層部3a上形成有第一支撐電極3b1與第二支撐電極3b2，透鏡狀的晶體片5'藉由導電性接著劑7而固定於第二支撐電極3b2。

因此，晶體片5'僅載置在第一支撐電極3b1上而未被固定。

晶體片5'藉由導電性接著劑7而固定於沿著兩方的短邊形成的兩個第二支撐電極3b2。然而，晶體片5'被向下方向推壓，因此，與第一支撐電極3b1發生接觸。

[第二晶體振子的長邊上的剖面：圖12]

接著，一面參照圖12，一面對外殼搭載於第二晶體振子的狀態的長邊上的剖面進行說明。圖12是外殼搭載於第二晶體振子的狀態的長邊上的剖面說明圖。

如圖12所示，經斜面加工的透鏡狀的晶體片5'經由導電性接著劑7、而搭載在兩個第二支撐電極3b2上，而且，金屬製的外殼6經由作為絕緣性密封材料的樹脂而搭載在絕緣膜10上。

其他的基本構成與圖8的第一晶體振子相同。

[第二晶體振子的製造方法]

第二晶體振子的製造方法基本上與第一晶體振子的製造方法相同。

不同點在於：對晶體片5'進行斜面加工；當形成支撐電極時，在中央部設置空間部，藉由金屬遮罩來形成經分割的第一支撐電極3b1與第二支撐電極3b2；以及藉由導電性接著劑，將晶體片5'固定在第二支撐電極3b2上。

[第二晶體振子的效果]

根據第二晶體振子，由於基本上包括第一晶體振子的構成，因此，具有第一晶體振子的效果，此外，當在中央部設置空間部，且藉由分離的第一支撐電極3b1與第二支撐電極3b2來搭載經斜面加工的晶體片5'時，晶體片5'的透鏡狀的腹部會被推入至所述空間部，因此，第二支撐電極3b2上的導電性接著劑7的推壓作用變得充分，存在使晶體片5'的接著強度增大的效果。

[第三實施方式的概要]

本發明的第三實施方式的表面安裝晶體振子是在一條短邊上，藉由支撐電極來保持著晶體片的懸臂型(cantilever type)的表面安裝晶體振子，在矩形的陶瓷基板的角部所形成的貫通孔的壁面上形成有AgPd的貫通端子，在基板的表面形成有AgPd的金屬電極，該AgPd的金屬電極連接於貫通端子且形成支撐電極的下層，在所述金屬電極上 形成有保持著晶體片的Ag的支撐電極，本發明的第三實施方式的表面安裝晶體振子實現了小型化，且使製造成本減少，使生產性提高。

特別是，對於支撐電極而言，使用金屬遮罩而並非使用絲網遮罩來一次性地形成厚的Ag膜，因此，可使製造成本減少，而且也可簡化製造過程。

此外，在基板上，連接端子的與基板長邊呈平行的引出配線圖案是：形成於隱藏在晶體片的背側的位置，可使品質及生產性提高，而不會藉由頻率調整時的Ar離子、來錯誤地將引出配線圖案削去。

[第三晶體振子的電極圖案：圖13]

一面參照圖13，一面對本發明的第三實施方式的表面安裝晶體振子(第三晶體振子)進行說明。圖13是第三晶體振子的電極圖案的平面說明圖。

如圖13所示，第三晶體振子的金屬電極的電極圖案在陶瓷基板(基底)1上，基本包括：作為支撐電極的下層的支撐電極下層部3a的圖案、形成在基底1的四個角落的貫通端子2b、2c、以及連接端子2a1、2a2、2a3的圖案，該連接端子2a1、2a2、2a3將支撐電極下層部3a與貫通端子2c予以連接。

此處，將由連接端子2a連接的貫通端子設為2c，且將未由連接端子2a連接的貫通端子設為2b而加以區分。

另外，第三晶體振子是僅保持著晶體片的一條短邊的懸臂型的晶體振子，因此，兩個支撐電極下層部3a設置在 基底1的短邊的一側。而且，在所述短邊的相反側的短邊(基板1的另一條短邊)上形成有支撐部的下層部(支撐下層部)3a'，該支撐部的下層部(支撐下層部)3a'在晶體片的另一條短邊上支撐著晶體片。

此處，具體地對電極圖案的各部分進行說明。

貫通端子2b、2c為如下的電極，該電極是在分離成基底之前的陶瓷片狀態下，在決定各個晶體振子的區域的破裂線的交點處形成通孔(貫通孔)，在該通孔的壁面上形成金屬膜，並連接基底的表背面。

另外，對於貫通端子2b、2c而言，為了容易連接其他電極，不僅在通孔的壁面上成為扇形的圖案，而且除了通孔部分之外，在基底的表背面上也成為扇形的圖案。

連接端子2a1呈直線地連接於：最靠近支撐電極下層部3a(圖13的下側的支撐電極下層部3a)的端部的角部的貫通端子2c(圖13的左下側的貫通端子2c)。特別是，連接端子2a1從靠近支撐電極下層部3a的基底1的長邊一側引出至貫通端子2c。

另外，連接端子2a2是與基底1的長邊呈平行地、從支撐電極下層部3a(圖13的上側的支撐電極下層部3a)的端部引出，然後，連接於連接端子2a3的一端，連接端子2a3的另一端連接於貫通端子2c(圖13的右上側的貫通端子2c)。具體而言，連接端子2a3是以從貫通端子2c向基底1的大致中央方向傾斜的方式而形成。

而且，作為第三晶體振子的特徵，連接端子2a2即使 為支撐電極下層部3a的端部，也會從基底1的中央側的端部引出。通常，連接端子2a2從靠近支撐電極下層部3a的基底1的長邊側的端部引出，但在第三晶體振子中，在與長邊側的端部僅相距特定的距離d的中央側形成有連接端子2a2。

此為如下的構成，即，即使在之後的步驟中，為了搭載晶體片且對頻率進行調整，藉由Ar離子來將激振電極削去，連接端子2a2也隱藏在晶體片的背側，因此，不會錯誤對將連接端子2a2削去。

而且，在基底1的表面上，藉由AgPd來一體地形成支撐電極下層部3a、支撐下層部3a'與連接端子2a1、2a2、2a3，並且也同時形成將基底1的表背面予以連接的貫通端子2b、2c。

另外，在基底1的背面上，藉由AgPd來形成連接於各貫通端子2b、2c的安裝端子的電極圖案。

連接於貫通端子2c的安裝端子成為被施加電壓的電極，連接於貫通端子2b的安裝端子成為連接於地面的GND電極。

另外，在基底1上，絕緣膜處於基底1的表面，以圍繞外周的內側的方式，呈帶狀地由玻璃等形成，且將基底1上的連接端子2a1、2a3予以覆蓋地橫穿該連接端子2a1、2a3。

而且，絕緣膜遠離基底1的外周端地形成於內側，且並未覆蓋至形成有貫通端子2b、2c的角部為止。

然而，也可考慮外殼的偏移，使絕緣膜10向貫通端子2b、2c的中心側延展。所謂中心側，是指：利用對角線來將基底1的角部予以連結時的線端的部分。

[第三晶體振子的支撐電極圖案：圖14]

接著，一面參照圖14，一面對第三晶體振子的支撐電極圖案進行說明。圖14是第三晶體振子的支撐電極圖案的平面說明圖。

如圖14所示，支撐電極3b層疊在支撐電極下層部3a上且由Ag形成。再者，也在支撐下層部3a'上，藉由Ag而形成支撐部3b'。

由於支撐電極3b、支撐部3b'使用了Ag，因此黏度高，可使用金屬遮罩，利用一次塗布來形成具有厚度的金屬膜。由一次塗布所形成的支撐電極3b、支撐部3b'的厚度相當於三層以往使用有AgPd的金屬膜(黏度低)的厚度。

即，為了形成相同厚度的支撐電極3b，在第三實施方式中，只要對Ag膜進行一次塗布即可，但對於以往的AgPd膜而言，必須塗布三次，使用大量的Pd且成本高，作業步驟也變得複雜。

另外，由於支撐電極3b使用了黏度高的Ag，因此，該支撐電極3b不會鬆弛而從支撐電極下層部3a露出，即使偏移地搭載金屬製的外殼，也可使短路的可能性減少。

[第三晶體振子的晶體片搭載情況：圖15]

接著，一面參照圖15，一面對第三晶體振子的晶體片 搭載情況進行說明。圖15是晶體片搭載於第三晶體振子時的平面說明圖。

晶體片5設為AT切割的晶體片，且在兩個主面上形成有相向的激振電極5a。

另外，晶體片5中形成有引出電極5b，該引出電極5b從激振電極5a延伸至彼此相同的方向的端部，且遍及整個寬度方向地折返。

而且，引出電極5b的延伸的端部是：藉由作為導電材料的導電性接著劑而固定於支撐電極3b，將引出電極5b與支撐電極3b電性且機械性地予以連接。

另外，如上所述，連接端子2a2隱藏在晶體片5的背側，因此，即使為了對頻率進行調整，藉由Ar離子來將激振電極削去，也不會錯誤地將連接端子2a2削去。

[第三晶體振子的剖面：圖16]

接著，一面參照圖16，一面對外殼搭載於第三晶體振子的狀態的剖面進行說明。圖16是外殼搭載於第三晶體振子的狀態的剖面說明圖。特別是圖16為圖15的A'-A'部分的剖面說明圖。

如圖16所示，在基底1的表面形成有支撐電極下層部3a、支撐下層部3a'、以及連接端子2a1、2a2、2a3，在基底1的四個角落的角部形成有貫通端子2b、2c，在基底1的背面、利用AgPd而形成有安裝端子4。

另外，在支撐電極下層部3a上形成有Ag的支撐電極3b，而且利用導電性接著劑7來將晶體片5接著於支撐電 極3b。

另外，在基底1的周圍形成有絕緣膜10，金屬製的外殼6經由作為絕緣性密封材料的樹脂而搭載在該絕緣膜10上。

外殼6呈凹狀的形狀，且開口端面彎折為L字狀，使該凹狀的形狀顛倒，將該L字狀的部分經由作為密封劑的樹脂而接合至絕緣膜10上。

在利用外殼6來進行密封的情況下，由於藉由N₂淨化來進行氣密密封，因此，由Ag形成的支撐電極3b、支撐部3b'不會氧化，品質上無問題。

[第三晶體振子的製造方法]

接著，對第三晶體振子的製造方法進行說明。

[第一步驟/對片狀陶瓷胚料進行鍛燒]

首先，形成作為片狀陶瓷基底的基礎的片狀陶瓷胚料。

在片狀陶瓷胚料中，對應於各個陶瓷基底1，形成對相鄰接的區域彼此進行劃分的破裂線，並且在四個角落部(角部)形成貫通孔。

接著，對形成有貫通孔的片狀陶瓷胚料進行鍛燒，獲得片狀陶瓷基底。

[第二步驟/形成電路圖案]

接著，在與片狀陶瓷基底的電路圖案相對應的區域中，藉由使用絲網遮罩的印刷，以約10 μm左右的厚度來形成AgPd合金的金屬膏。

如圖13所示，在電路圖案的一個主面(表面)上形成金屬圖案，在另一個主面(背面)上形成安裝端子4的圖案，而且在貫通孔的壁面上形成貫通端子2b、2c。

接著，以約850℃來對作為AgPd合金的金屬膏進行鍛燒，使金屬膏中的黏合劑蒸發，並且使AgPd合金熔融而變成固體，從而獲得形成有金屬圖案的片狀陶瓷基底。

再者，陶瓷的鍛燒溫度約為1500℃~1600℃，AgPd合金的鍛燒溫度為陶瓷的鍛燒溫度以下的850℃，因此，在對陶瓷進行鍛燒之後，塗布AgPd合金膏，接著對陶瓷及AgPd合金膏一起進行鍛燒。

原因在於：若將AgPd合金膏塗布至陶瓷胚料，接著以陶瓷的鍛燒溫度來進行鍛燒，則AgPd合金膏的溫度過高，該AgPd合金膏會變成顆粒，從而無法形成電路圖案。

[第三步驟/形成絕緣膜10]

接著，對絕緣膜10的形成進行說明。

在形成有金屬圖案等的片狀陶瓷基底的各矩形區域(相當於各基底1)周圍的內側，藉由印刷來形成玻璃膏作為絕緣膜10。

接著，以約850℃左右的溫度來進行鍛燒，使玻璃膏變成固體。

[第四步驟/形成支撐電極3b]

接著，對支撐電極3b的形成進行說明。

如圖14所示，使用鎳(Ni)的金屬遮罩，在AgPd的支撐電極下層部3a、支撐下層部3a'上，藉由Ag的金屬膜 來形成支撐電極3b、支撐部3b'。

由於支撐電極3b等為Ag的金屬膜，因此黏度高，可利用一次成膜過程來形成具有厚度的膜。因此，支撐電極3b不會鬆弛而從支撐電極下層部3a露出。

[第五步驟/搭載晶體片]

接著，藉由導電性接著劑7，將晶體片5固定且搭載於形成有金屬圖案等的片狀陶瓷基底的各支撐電極3b，使所述晶體片5電性且機械性地連接於所述各支撐電極3b，所述晶體片5從激振電極5a延伸出了引出電極5b。

[第六步驟/調整頻率]

接著，根據質量負載效應，對搭載(固定)於片狀陶瓷基底的作為晶體振子的各晶體片5的振動頻率進行調整。

具體而言，在片狀陶瓷基底的背面，使來自測定器的測定端子(探針)與安裝端子4發生接觸，該安裝端子4與各晶體片5形成電性連接。接著，將Ar氣體離子照射至板面已露出的晶體片5的表面側的激振電極5a，將表面削去，使激振電極5a的質量減少，從而將振動頻率從低頻率調整至高頻率。

然而，例如也可藉由蒸鍍或濺鍍來將金屬膜附加至激振電極5a上，從而將振動頻率從高頻率調整至低頻率。

[第七步驟/接合金屬外殼(密閉封入)]

接著，經由密封材料，將呈凹狀的金屬的外殼6的開口端面(凸緣下表面)接合至絕緣膜10上，該絕緣膜10 處於：與搭載有晶體片5的片狀陶瓷基底1A的各個陶瓷基底1相對應的矩形狀區域的外周表面。

此處，將預先塗布或轉印至外殼6的開口端面的樹脂作為密封材料，進行加熱而使所述樹脂熔融，從而進行接合。例如，將外殼6的開口端面設為L字狀，使所謂的密封路徑變長。藉此，形成片狀的晶體振子，該片狀的晶體振子是密閉封入各個晶體片5而經積集所得。

[第八步驟/分割]

最後，根據破裂線，縱橫地對積集有晶體振子的片狀陶瓷基底進行分割，獲得各個表面安裝晶體振子。

另外，此處，可在形成有金屬圖案等的片狀陶瓷基底的狀態下，連續地進行晶體片5的搭載(第五步驟)、頻率調整(第六步驟)及外殼6的接合(第七步驟)的步驟，因此，存在可使生產性提高的效果。

而且，在第三實施方式中，陶瓷基底1的背面的安裝端子4是設為各自電性獨立的四個端子。另一方面，在片狀陶瓷基底的狀態下，相鄰接的矩形狀區域的四個角部的各安裝端子4(四個)是：經由貫通端子2b、2c，而在電氣性上共用地被連接。

因此，存在如下的效果，即，即使在四個角部的各安裝端子4共用地被連接的狀態下，也可使測定端子與各陶瓷基底1的連接於支撐電極3b的一組對角部的安裝端子4發生接觸，從而對每個晶體片5的振動頻率進行調整。

另外，雖將絕緣膜10設為玻璃，但例如只要具有比作 為密封材料的樹脂更高的耐熱性，則也可應用樹脂。

而且，雖將金屬圖案設為AgPd合金，但也可為以對於陶瓷的附著力比較良好的Ag為主的例如AgPt(銀、鉑)合金，只要為Ag系厚膜材料，則可適用。

[第三實施方式的效果]

根據第三晶體振子，在懸臂類型中，利用AgPd合金來一體地形成支撐電極下層部3a、支撐下層部3a'、連接端子2a1、2a2、2a3、以及貫通端子2b、2c，在支撐電極下層部3a、支撐下層部3a'上形成Ag的支撐電極3b、支撐部3b'，在搭載晶體片5之後，利用外殼6來進行氣密密封，因此，不會使支撐電極3b、支撐部3b'暴露在空氣中而氧化，且由於Ag的黏度高，因此，可利用一次性成膜過程來形成具有比AgPd更厚的厚度的膜，而且不會鬆弛，所以存在如下的效果，即，可實現小型化，且使品質提高，從而使生產性提高。

另外，根據第三晶體振子，利用Ag膜來形成支撐電極3b、支撐部3b'，因此，存在可使製造成本減少的效果。

另外，根據第三晶體振子，在比基底1的長邊更靠中央側處形成連接端子2a2，因此，在搭載晶體片之後，所述連接端子2a2會隱藏在晶體片5的背側，所以才能存在如下的效果，即，即使為了對頻率進行調整，藉由Ar離子來將激振電極削去，也不會錯誤地將連接端子2a2削去，可使品質提高，從而使生產性提高。

本發明適合於如下的表面安裝晶體振子及其製造方 法，該表面安裝晶體振子可實現小型化，且使品質提高，使製造成本減少，從而使生產性提高。

1‧‧‧基板(基底)

2a、2a1、2a2、2a3‧‧‧連接端子

2b、2c‧‧‧貫通端子

3a‧‧‧支撐電極下層部

3a'‧‧‧支撐下層部

3b‧‧‧支撐電極

3b1‧‧‧第一支撐電極

3b2‧‧‧第二支撐電極

3b'‧‧‧支撐部

4‧‧‧安裝端子

5、5'‧‧‧晶體片

5a‧‧‧激振電極

5b‧‧‧引出電極

6‧‧‧外殼

7‧‧‧導電性接著劑

10‧‧‧絕緣膜

A'-A'‧‧‧部分

d‧‧‧特定的距離

圖1是第一晶體振子的電極圖案的平面說明圖。

圖2是第一晶體振子的形成有電極圖案的狀態的剖面說明圖。

圖3是第一晶體振子的絕緣膜圖案的平面說明圖。

圖4是第一晶體振子的形成有絕緣膜的狀態的剖面說明圖。

圖5是第一晶體振子的支撐電極圖案的平面說明圖。

圖6是第一晶體振子的形成有支撐電極圖案的狀態的剖面說明圖。

圖7是晶體片搭載於第一晶體振子時的平面說明圖。

圖8是外殼搭載於第一晶體振子的狀態的剖面說明圖。

圖9是第二晶體振子的電極圖案的平面說明圖。

圖10是晶體片搭載於第二晶體振子時的平面說明圖。

圖11是第二晶體振子的短邊的剖面說明圖。

圖12是外殼搭載於第二晶體振子的狀態的長邊的剖面說明圖。

圖13是第三晶體振子的電極圖案的平面說明圖。

圖14是第三晶體振子的支撐電極圖案的平面說明圖。

圖15是晶體片搭載於第三晶體振子時的平面說明圖。

圖16是外殼搭載於第三晶體振子的狀態的剖面說明圖。

1‧‧‧基板(基底)

2a‧‧‧連接端子

2b、2c‧‧‧貫通端子

3a‧‧‧支撐電極下層部

3b‧‧‧支撐電極

5‧‧‧晶體片

5a‧‧‧激振電極

5b‧‧‧引出電極

7‧‧‧導電性接著劑

10‧‧‧絕緣膜

Claims (19)

1. 一種表面安裝晶體振子，在矩形的陶瓷基板上搭載有晶體片，所述表面安裝晶體振子包括：第一支撐電極及第二支撐電極，保持著所述晶體片；貫通端子，形成在：所述基板的角部所形成的貫通孔的壁面；第一下層部及第二下層部，在所述基板的表面，形成於所述第一支撐電極及第二支撐電極的下層；第一連接端子，將所述第一下層部的端部與最靠近該端部的角部的貫通端子予以連接；第二連接端子，將所述第二下層部的端部與最靠近該端部的角部的貫通端子予以連接；以及外殼，將所述晶體片予以覆蓋，且對內部進行氣密密封，利用抗氧化金屬膜來形成所述貫通端子、所述第一及第二下層部、及所述第一及第二連接端子，利用銀來形成所述第一支撐電極及第二支撐電極。
2. 如申請專利範圍第1項所述的表面安裝晶體振子，其中，使所述第一連接端子與所述第二連接端子連接於所述基板的對角的所述貫通端子；且使未由所述第一連接端子及所述第二連接端子連接的所述第一下層部及所述第二下層部的端部，比由所述第一連接端子及所述第二連接端子連接的所述第一下層部及所 述第二下層部的端部更短。
3. 如申請專利範圍第1項所述的表面安裝晶體振子，其中，在所述基板周圍的內側，形成：搭載所述外殼的帶狀的絕緣膜。
4. 如申請專利範圍第1項所述的表面安裝晶體振子，其中，利用以銀為主成分的合金，來形成所述抗氧化金屬膜。
5. 如申請專利範圍第4項所述的表面安裝晶體振子，其中，利用以銀為主成分的與鈀的合金，來形成所述抗氧化金屬膜。
6. 如申請專利範圍第1項所述的所述的表面安裝晶體振子，其中，所述晶體片經斜面加工，且短邊具有傾斜，所述第一支撐電極及所述第二支撐電極是：在所述第一下層部及所述第二下層部上，以在所述第一及第二下層部的中央部分形成空間部的方式，而一分為二地分離形成於所述第一及第二下層部的端部。
7. 如申請專利範圍第6項所述的表面安裝晶體振子，其中，經斜面加工的所述晶體片經由導電性接著劑，而固定在：連接於所述第一連接端子及所述第二連接端子的所述第一下層部及所述第二下層部的端部上所形成的分離的一 個支撐電極上。
8. 如申請專利範圍第7項所述的表面安裝晶體振子，其中，使所述一個支撐電極的表面積，大於未連接於所述第一連接端子及所述第二連接端子的所述第一下層部及所述第二下層部的端部上所形成的分離的另一個支撐電極的表面積。
9. 一種表面安裝晶體振子的製造方法，所述表面安裝晶體振子在矩形的陶瓷基板上搭載有晶體片，所述表面安裝晶體振子的製造方法包括：在所述基板的角部所形成的貫通孔的壁面，形成貫通端子；並且在所述基板的表面，在保持著所述晶體片的第一支撐電極及第二支撐電極的下層，利用抗氧化金屬膜來形成第一下層部及第二下層部、第一連接端子、以及第二連接端子，所述第一連接端子將所述第一下層部的端部與最靠近該端部的角部的貫通端子予以連接，所述第二連接端子將所述第二下層部的端部與最靠近該端部的角部的貫通端子予以連接；在所述第一下層部及所述第二下層部上，利用銀來形成所述第一支撐電極及所述第二支撐電極；以及設置外殼，所述外殼將所述晶體片予以覆蓋，且對內部進行氣密密封。
10. 如申請專利範圍第9項所述的表面安裝晶體振子 的製造方法，其中，使所述第一連接端子與所述第二連接端子連接於所述基板的對角的所述貫通端子；且使未由所述第一連接端子及所述第二連接端子連接的所述第一下層部及所述第二下層部的端部，形成得比由所述第一連接端子及所述第二連接端子連接的所述第一下層部及所述第二下層部的端部更短。
11. 如申請專利範圍第9項所述的表面安裝晶體振子的製造方法，其中，使用金屬遮罩來一次性地形成所述第一支撐電極及所述第二支撐電極。
12. 如申請專利範圍第9項所述的表面安裝晶體振子的製造方法，其中，在搭載有經斜面加工，且短邊具有傾斜的晶體片的表面安裝晶體振子的製造方法中，所述第一支撐電極及所述第二支撐電極是：在所述第一下層部及所述第二下層部上，以在所述第一及第二下層部的中央部分形成空間部的方式，而一分為二地分離形成於所述第一及第二下層部的端部。
13. 如申請專利範圍第12項所述的表面安裝晶體振子的製造方法，其中，將經斜面加工的所述晶體片經由導電性接著劑，而固定在：連接於所述第一連接端子及所述第二連接端子的所述第一下層部及所述第二下層部的端部上所形成的分離的 一個支撐電極上。
14. 如申請專利範圍第13項所述的表面安裝晶體振子的製造方法，其中，使所述一個支撐電極的表面積，大於未連接於所述第一連接端子及所述第二連接端子的所述第一下層部及所述第二下層部的端部上所形成的分離的另一個支撐電極的表面積。
15. 一種表面安裝晶體振子，在矩形的陶瓷基板上搭載有晶體片，所述表面安裝晶體振子包括：第一支撐電極及第二支撐電極，在一條短邊上保持著晶體片；貫通端子，形成在所述基板的角部所形成的貫通孔的壁面；第一下層部及第二下層部，在所述基板的表面，形成於所述第一支撐電極及所述第二支撐電極的下層；第一連接端子，將所述第一下層部的端部與最靠近該端部的角部的貫通端子予以連接；第二連接端子，將所述第二下層部的端部與貫通端子予以連接，所述貫通端子是：在所述基板上，與由所述第一下層部連接的貫通端子處於對角的角部的貫通端子；以及外殼，將所述晶體片予以覆蓋，且對內部進行氣密密封，利用抗氧化金屬膜來形成所述貫通端子、所述第一及 第二下層部、及所述第一及第二連接端子，利用銀來形成所述第一支撐電極及所述第二支撐電極。
16. 如申請專利範圍第15項所述的表面安裝晶體振子，其中，所述第二連接端子包括：第一部分，其一端連接於所述第二下層部的基板中央側的端部，且另一端在沿著所述基板的長邊而被連接的所述貫通端子的方向上延伸；以及第二部分，其一端連接於所述第一部分的另一端，且另一端連接於所述貫通端子。
17. 如申請專利範圍第15項所述的表面安裝晶體振子，其中，在所述基板周圍的內側，形成：搭載所述外殼的帶狀的絕緣膜。
18. 如申請專利範圍第15項所述的表面安裝晶體振子，其中，利用以銀為主成分的合金，來形成所述抗氧化金屬膜。
19. 如申請專利範圍第18項所述的表面安裝晶體振子，其中，利用以銀為主成分的與鈀的合金，來形成所述抗氧化金屬膜。