TW201312289A - 位置量測系統、微影裝置及器件製造方法 - Google Patents

位置量測系統、微影裝置及器件製造方法 Download PDF

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Abstract

一種位置量測系統，其包括：一第一部件及一第二部件，其用於藉由提供表示該第一部件相對於該第二部件之一位置之一位置信號來判定一第一構件相對於一第二構件之一位置；及一計算單元，其包含用於接收該位置信號之一輸入端子。該計算單元經組態以在使用時將一轉換應用於該位置信號以獲得表示該第一構件相對於該第二構件之一位置之一信號，且將一調整應用於該轉換以至少部分地補償該第一部件或該第二部件或其兩者之一漂移。該調整係分別基於該第一部件或該第二部件或其兩者之一預定漂移特性。該預定漂移特性包括該第一部件及/或該第二部件之一或多個基礎形狀。

Description

位置量測系統、微影裝置及器件製造方法
本發明係關於一種位置量測系統、一種微影裝置，及一種用於製造器件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在此狀況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。習知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。在大多數狀況下，曝光目標部分之程序被重複複數次，藉此產生包含複數個層之器件。為了適當地操作該器件，需要使該等層相對於彼此準確地定位。因而，在曝光程序期間，需要知道基板相對於圖案化器件之位置。為了判定此位置，一般而言，微影裝置包含位置量測系 統，諸如，以干涉計為基礎之量測系統或以編碼器為基礎之量測系統。此等系統可(例如)用於判定(例如)固持圖案化器件或基板之支撐件相對於裝置之投影系統的位置。
在使用以編碼器為基礎之量測系統之狀況下，此系統可(例如)包含一或多個一維或二維光柵及與該或該等光柵合作之一或多個感測器。此系統可(例如)用於藉由將一或多個感測器安裝至基板台且將一或多個光柵安裝至參考框架(諸如，投影系統被安裝至之度量衡框架)而量測基板台相對於投影透鏡之位置。在使用期間，該或該等感測器可提供表示該感測器相對於該或該等光柵之位置的位置信號。當知道感測器相對於基板之位置及光柵相對於投影系統之位置時，可將位置信號轉換至表示基板相對於投影系統之位置的位置參考(例如，適於供位置控制系統使用)。此轉換可(例如)包含用於將位置信號自感測器轉換至位置參考之一或多個查找表。此查找表或其類似者可(例如)藉由位置量測系統之初始校準進行判定，此情形可(例如)涉及判定疊對或聚焦映圖或可涉及使用第二位置量測系統。
熟習此項技術者應理解，在使用所描述之位置量測系統的情況下(例如)基板相對於投影系統之準確定位依賴於自位置信號所判定之位置參考。然而，歸因於該(該等)感測器或光柵(或其兩者)之變形或位移，如應用於位置信號之轉換可提供不準確位置參考，此情形因此可引起在基板上之目標部分之曝光期間(例如)基板之不準確定位。為了至少部分地補償此漂移(亦即，變形或位移)，可考慮位置量 測系統之週期性校準。然而，一般而言，此校準將耗時且將因此引起裝置之停工時間，因此不利地影響裝置之生產力。
需要提供一種更準確的位置量測系統，該位置量測系統應用相比於習知校準方法較不耗時之校準。因此，根據本發明之一實施例，提供一種位置量測系統，該位置量測系統包含：一第一部件及一第二部件，其用於藉由提供表示該第一部件相對於該第二部件之一位置之一位置信號來判定一第一構件相對於一第二構件之一位置；及一計算單元，其包含用於接收該位置信號之一輸入端子。該計算單元經組態以在使用時將一轉換應用於該位置信號以獲得表示該第一構件相對於該第二構件之一位置之一信號，且將一調整應用於該轉換以至少部分地補償該第一部件或該第二部件或其兩者之一漂移。該調整係分別基於該第一部件或該第二部件或其兩者之一預定漂移特性，藉以，該預定漂移特性包括該第一部件或該第二部件或其兩者之一或多個基礎形狀。
根據本發明之一實施例，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐件，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投 影至該基板之一目標部分上；以及一位置量測系統，其用於判定該圖案化器件或該基板相對於該投影系統之一位置。該位置量測系統包括：一第一部件，其安裝至該投影系統或該投影系統被安裝至之一參考框架；一第二部件，其安裝至該支撐台或該基板台，該第一部件及該第二部件經配置以提供表示該第一部件相對於該第二部件之一位置之一位置信號；及一計算單元，其包含用於接收該位置信號之一輸入端子。該計算單元經組態以在使用時將一轉換應用於該位置信號以獲得表示該投影系統相對於該支撐件或該基板台之一位置之一信號，且將一調整應用於該轉換以至少部分地補償該第一部件或該第二部件或其兩者之一漂移。該調整係分別基於該第一部件或該第二部件或其兩者之一預定漂移特性，藉以，該預定漂移特性包括該第一部件或該第二部件或其兩者之一或多個基礎形狀。
在一實施例中，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包括：在一輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；定位固持一基板之一基板台；將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；及使用用於判定該基板相對於該投影系統之一位置之一位置量測系統。該位置量測系統包括：一第一部件，其安裝至該投影系統或該投影系統被安裝至之一參考框架；一第二部件，其安裝至該基板台，該第一部件及該第二部件經配置以提供表示該第一部件相對於該第二部件之一位置之一位置信號；及一計算單元，其包含用於接收該位置 信號之一輸入端子。該計算單元經組態以在使用時將一轉換應用於該位置信號以獲得表示該投影系統相對於該基板台之一位置之一信號，且將一調整應用於該轉換以至少部分地補償該第一部件或該第二部件或其兩者之一漂移，其中該調整係分別基於該第一部件或該第二部件或其兩者之一預定漂移特性，藉以，該預定漂移特性包括該第一部件或該第二部件或其兩者之一或多個基礎形狀。
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或任何其他合適輻射)；光罩支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器件PM。該裝置亦包括基板台(例如，晶圓台)WT或「基板支撐件」，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器件PW。該裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PL，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其 他類型之光學組件，或其任何組合。
光罩支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。光罩支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。光罩支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。光罩支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。光罩支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光 束。傾斜鏡面在藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台或「基板支撐件」(及/或兩個或兩個以上光罩台或「光罩支撐件」)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可在一或多個台或支撐件上進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充在投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，在光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術可用以增加投影系統之數值孔徑。本文所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於光罩支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器件PW及位置量測系統(例如，包含編碼器光柵EG及感測器ES之以編碼器為基礎之量測系統)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器件PM及另一位置量測系統(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間 相對於輻射光束B之路徑來準確地定位光罩MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器件PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT或「基板支撐件」之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
一般而言，被應用以判定圖案化器件及基板之位置(例如，相對於投影系統PL)之位置量測系統可包含安裝至框架(例如，投影系統PL被安裝至之度量衡框架MF)之第一部件(例如，諸如光柵EG之光柵)，及可安裝至支撐件或基板台之第二部件(例如，諸如編碼器感測器ES之一或多個感測器)。應理解，藉以將一或多個光柵安裝至支撐件或基板台且藉以將一或多個感測器安裝至諸如度量衡框架之參考框架的替代配置亦係可行的。根據本發明之一實施例，應用於微影裝置中之位置量測系統進一步包含用於處理自位置量測系統所獲得之位置信號之計算單元，計算單元可(例如)呈微處理器或微控制器、專用電子件或任何其他合適處理器件之形式。計算單元經配置以將一轉換應用於該 或該等位置信號，使得獲得可(例如)應用為表示(例如)基板或圖案化器件相對於投影系統PL之位置之位置參考的信號。根據本發明之一實施例，計算單元經進一步配置以將一調整應用於該轉換，該調整係基於量測系統(亦即，第一部件、第二部件中任一者或其兩者)之預定漂移特性。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT或「基板支撐件」在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT或「基板支撐件」相對於光罩台MT或「光罩支撐件」之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT或「光罩支撐件」保持基本 上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT或「基板支撐件」。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT或「基板支撐件」之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
在根據本發明之一實施例的微影裝置中，應用一位置量測系統，諸如，根據本發明之一實施例之位置量測系統。
在圖2中，示意性地展示此位置量測系統之側視圖。在所示配置中，位置量測系統包含：第一部件100，其包含第一光柵100.1及第二光柵100.2，該等光柵可為一維或二維光柵；及第二部件200，其包含感測器200.1及200.2，該等感測器經配置以與該等光柵合作且將位置信號110提供至該量測系統之計算單元150。作為一替代例，第一部件可包含經配置以與第二部件之一(或若干)感測器合作之一或多個一維或二維位置標記。此等位置標記可(例如)為可用於以電容為基礎之位置感測器、以電感為基礎之位置感測器、近程干涉計、菲左(Fizeau)干涉計或近程絕對干涉計的位置參考標記或一或多個目標。
在所示配置中，光柵100.1及100.2安裝至量測系統之共同框架120(該框架(例如)係由微晶玻璃(Zerodur)或任何其 他類型之低熱膨脹材料製成)，共同框架120安裝至參考框架RF，投影系統PL亦安裝至參考框架RF。如圖所示，感測器200.1及200.2安裝至物件台210，物件台210可(例如)為安裝至載物台220之基板台，載物台220可(例如)藉由線性馬達或致動器相對於投影系統PL而移動。
在操作期間，感測器可將信號110提供至計算單元150，該信號(例如)表示感測器200.1相對於光柵100.1之位置。應注意，一般而言，位置信號可表示在水平方向上(在XY平面中)之位置，或在垂直方向(Z方向)上之位置，或其組合。
為了相對於投影系統PL來定位物件台(特別是安裝至物件台之物件(例如，基板))，將藉由感測器提供之位置信號映射或轉換至表示物件台210相對於該投影系統之實際位置之信號。此信號可(例如)進一步用作對控制載物台220之致動器或馬達之位置控制系統的位置參考(或回饋)。此映射或轉換可(例如)包含線性平移。應注意，對於感測器及光柵之每一合作對，映射或轉換可不同。
此映射或轉換可(例如)在位置量測系統之初始設置或校準期間被獲得，且(例如)儲存於該量測系統之計算單元150中。一旦因此已校準位置量測系統，就已觀測到該系統可經歷漂移。在本發明之實施例之涵義內，漂移用以表示第一部件或第二部件相對於其被安裝至之結構或構件的任何形式之變形或位移。因而，當參看圖2時，光柵100.1及100.2或共同框架120相對於參考框架RF或投影系統PL之位 移或變形可被認為是漂移。位置量測系統之第一部件或第二部件(或其兩者)之漂移可具有不同起因。機械應力或熱應力可(例如)造成發生漂移。(例如)光柵至框架之受過度約束安裝可造成變形。相似地，可歸因於重力而發生光柵之變形。在圖2之配置中，可發生歸因於重力(例如，歸因於光柵100.1、100.2或共同框架120至參考框架RF之連接件160之伸長率)的該等光柵或該共同框架之向下位移，且該向下位移可影響校準。
歸因於漂移，感測器之位置信號至物件(或物件台)相對於參考框架RF或投影系統之實際位置的映射或轉換不再有效或可不準確。熟習此項技術者應理解，此無效或不準確映射可在位置量測系統(例如)應用於微影裝置中時不利地影響曝光程序(在疊對或聚焦兩方面)，且因此影響該裝置之良率。在此裝置中，可(例如)藉由判定疊對映圖(用於評估平面內準確度)或散焦映圖(用於評估垂直定位準確度)來評估轉換不再有效或準確之程度。此情形涉及曝光具有疊對標記及聚焦標記之基板，藉此使用位置量測系統(諸如，圖2所示之系統)以定位支撐基板之基板台，且評估所量測之偏差。此等偏差可(例如)包含歸因於基板之不準確定位之疊對誤差；不準確定位(例如)係由不準確映射或轉換造成。藉此，可在所要自由度中判定漂移之性質，且可基於所觀測偏差來調整轉換。由於此等方法需要曝光基板及評估其結果，故此等方法可顯著地縮減裝置之可用性。
因而，已設計出替代方法以判定位置量測系統之發生之 漂移。在此方面，可參考(例如)全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第2009/0128791號。在所參考申請案中，基於自位置量測系統所獲得之位置信號中所觀測之不一致性來判定位置量測系統之漂移。在所參考申請案中，自可在位置量測系統之操作區域(之部分)中所判定的位置信號之冗餘來判定此等不一致性，如下文所論述。
本發明之發明人已觀測到，自此等不一致性所判定之漂移僅為位置量測系統之實際漂移之部分。此係歸因於如下事實：位置量測系統之第一部件、第二部件或此兩個部件之某些變形不會在所獲得之位置信號中引起任何不一致性。作為一實例，光柵100.1或100.2整體上之垂直位移無需在位置信號中引起任何不一致性且因此可不會被觀測為漂移或漂移分量。作為另一實例，(例如)共同框架120連同光柵之傾斜皆將不會在位置信號中引起不一致性。熟習此項技術者應理解，然而應校正此垂直位移或傾斜，此係因為光柵之垂直位移或自已知或假定位置之傾斜在未被補償的情況下可在曝光期間引起基板之散焦或疊對誤差。
根據本發明之一實施例，因此提議一漂移補償，該漂移補償特別適於補償不會在位置信號中引起不一致性的位置量測系統(或其部件)之漂移(應注意，如下文所解釋，然而可在一實施例中基於所觀測不一致性來導出此漂移)。根據本發明之實施例，位置量測系統之第一部件或第二部件(或其兩者)之此漂移補償係分別基於第一部件或第二部件或其兩者之預定漂移特性，藉以，預定漂移特性包含第一 部件或第二部件或其兩者之一或多個所謂基本或基礎變形形狀。本發明之發明人已觀測到，發生之漂移之部分可被描述為有限數目個特定變形(例如，有限數目個特定變形之組合)之函數，此等變形(例如)包括平移或傾斜或抛物線變形。本發明之發明人已觀測到，在本發明之實施例中被稱作基礎形狀或基礎形狀變形的此等變形(其因此可亦包括整個第一部件或第二部件之相對位移)可起因於特定條件(機械的或操作的)且可在很大程度上被預測。基於系統部件(例如，光柵)之機械屬性或此等部件被安裝之方式，可預先判定(例如，藉由模擬)特定變形形狀。相似地，諸如歸因於位置量測系統附近之熱源之熱負荷或作用於位置量測系統(之部件)之力(諸如，經安裝有基板或圖案化器件之支撐件之加速力)的操作條件亦可引起可預先判定(例如，藉由模擬)之特定變形形狀。又，當(例如)以超定方式來安裝位置量測系統之光柵或感測器陣列時，此安裝方式可(例如)引起可預先判定(例如，藉由模擬)之特定變形形狀。
當熱源(例如)在位置量測系統之光柵附近時，此情形可引起可(例如)藉由(例如)使用多項式或其他函數之曲線擬合而描述或定義之特定變形。
因而，可識別位置量測系統之組件之變形/位移(一般而言，漂移)的各種起因，且對於此等起因中每一者，可判定位置量測系統之對應變形或漂移。此漂移分量或特性在本發明之實施例中被稱作基礎形狀或基礎形狀變形。
在一實施例中，自位置量測系統之數學模型化(例如，使用有限元素模型化)來判定包括於漂移特性中之基礎形狀或基礎形狀變形。應注意，作為一替代例或另外，亦可以實驗方法判定基礎形狀或基礎形狀變形。
根據本發明之一態樣，已設計出，位置量測系統(或其組件)之實際變形可以各種方式顯現其自身且因此可以不同方式被觀測及分析。
位置量測系統(之部件)之變形或漂移可被注意到的第一方式係藉由在位置量測中所觀測之不一致性而進行。(下文參看圖3更詳細地論述此情形)。在本發明之一實施例中，此等不一致性(例如，以不一致性映圖予以呈現)被分析且可被表示為不同基本分量之線性組合，該等基本分量可被稱作基向量(base vector)之基礎形狀。換言之，在位置量測系統之已知組態(包括安裝態樣及操作態樣)的情況下，該量測系統之可能變形可被描述為有限基本變形集合之線性組合。此等變形可被數學地描述為基礎形狀或基向量。在此等基礎形狀或基向量中之一或多者之組合(例如，線性加權組合)的情況下，可描述變形。另外，在此變形的情況下，可判定在實際上將發生此變形時將觀測到哪些不一致性(在位置量測中)。因而，在本發明之一實施例中，一或多個基礎形狀包括用於表示不一致性映圖之一或多個基向量之第一集合。在此基向量集合中，每一向量因此將表示一特定不一致性。
位置量測系統(之部件)之變形或漂移可被觀測到的第二 方式係藉由疊對或聚焦量測而進行，從而引起將曝光程序之疊對或聚焦(散焦)描述為晶圓或基板上之功能位置的疊對或聚焦映圖。如上文所提及，此情形涉及曝光具有疊對標記及聚焦標記之基板，藉此使用位置量測系統。當可得到此等疊對或聚焦映圖時，可搜尋基礎形狀或基向量集合(其描述位置量測系統之可能變形)，該集合在以特定方式予以組合時將引起給定疊對或聚焦映圖(或為給定疊對或聚焦映圖之近似)。因此，在本發明之一實施例中，一或多個基礎形狀包括用於表示疊對或聚焦映圖之一或多個基向量之第二集合。此第二基向量集合中之每一基向量因此可描述基板之特定疊對或聚焦分佈，藉以，此等向量之組合(例如，線性加權組合)因此將引起可用以近似實際疊對或聚焦(散焦)圖之疊對或聚焦(散焦)圖。
在一實施例中，導出在第一基向量集合(適於表示不一致性)與第二基向量集合(適於表示疊對或聚焦(散焦)圖)之間的映射。此映射提供第一基向量集合與第二基向量集合之間的相關性，使得對於第一基向量集合之給定向量組合，可導出第二基向量集合之對應向量組合。
在一實施例中，基礎形狀包含用於描述不一致性之第一基向量集合及用於描述疊對及/或散焦映圖之第二基向量集合，且其中藉由判定用以表示不一致性的第一基向量集合之組合來獲得相關性，從而將第一基向量集合之組合映射至第二基向量集合之組合；第二基向量集合之組合表示疊對及/或散焦映圖。
在一實施例中，此映射可用以自所觀測不一致性映圖來近似疊對或聚焦(散焦)圖。在此實施例中，因此可執行以下程序：在第一步驟中，自冗餘量測集合可被得到之區域中之位置量測導出不一致性映圖。
在第二步驟中，使用第一基向量集合以藉由該等基向量之組合(例如，線性加權組合)來近似不一致性映圖。
在第三步驟中，使用上述映射以判定第二基向量集合之對應向量組合，此組合因此描述疊對及/或聚焦(散焦)圖。
在第四步驟中，可使用此疊對或聚焦(散焦)圖以判定應用於位置信號之轉換之調整，以便改良疊對或聚焦。
根據本發明之一實施例，如所提及，因此可預先判定基礎形狀(例如，表示不一致性映圖或疊對或聚焦(散焦)圖之基向量)，且因此可將描述此等形狀之資訊以合適格式儲存於根據本發明之一實施例的位置量測系統之計算單元中(例如，儲存於資料庫中)。
如上文所提及，被應用以根據本發明之實施例來判定對位置信號之轉換之調整的基礎形狀可起因於諸如安裝方式之若干起因，而且起因於歸因於重力或由位置量測系統附近之熱源造成之熱負荷的變形。如所提及，在一些狀況下，對應於此等基本變形形狀之漂移將不可被偵測為位置量測中之不一致性(此漂移或變形另外被稱作一致漂移或變形)。即使某些變形因此可能在不一致性映圖中不可見，然而該等變形仍可能引起相對於疊對或聚焦之誤差。 因而，當使用第一基向量集合與第二基向量集合之間的上述映射時，可基於不一致性量測來補償位置量測系統之一致漂移之至少一部分。因而，在一實施例中，應用於轉換且基於包括第一部件或第二部件或其兩者之一或多個基礎形狀(例如，如上文所提及之第一基向量集合及第二基向量集合)之預定漂移特性的調整可用以至少部分地補償位置量測系統之一致漂移。
在一實施例中，因此導出在位置量測中所觀測之不一致性與不一致及一致漂移或變形兩者之間的相關性。此相關性可(例如)自位置量測系統之有限元素模型導出，藉此針對位置量測系統之給定變形而導出發生之不一致性及疊對/聚焦映圖以及所提及之第一基向量集合及第二基向量集合兩者。
圖2b示意性地指示實際變形或漂移、可觀測之不一致性及誤差(諸如，疊對或散焦)與基礎形狀之對應權重之間的關係。
在圖2b中，PM變形/漂移指示位置量測系統(PMS)之實際變形或漂移。此漂移或變形可在位置量測中引起不一致性(其可以不一致性映圖(IM)予以表示)且引起疊對及/或聚焦誤差(疊對/聚焦映圖)。不一致性及疊對/聚焦誤差兩者皆為可被量測之可偵測量。然而，應提及，相比於判定疊對或散焦映圖，判定不一致性映圖可需要較少努力及時間。可即時地判定及更新不一致性映圖，但判定疊對或散焦映圖可需要曝光具有疊對或聚焦標記之專用基板。因 而，判定疊對或散焦映圖可引起裝置之大量停工時間且因此可不利地影響裝置之生產力。根據本發明之一實施例，使用包括一或多個基礎形狀之預定漂移特性來判定不一致性映圖IM與疊對及/或散焦映圖之間的相關性250。在此實施例中，如圖2b所示，不一致性映圖(IM)及疊對及/或散焦映圖兩者皆可被映射(藉由箭頭255.1及255.2指示)至各別第一及第二基向量或基礎形狀集合，且因此係藉由第一各別第二基礎座標或權重集合(第一集合、第二集合)表示。因此，此權重集合描述表示/近似不一致性映圖IM或疊對或聚焦(散焦)圖之特定基向量或基礎形狀組合。藉由將基礎座標集合兩者映射260至彼此上，判定不一致性(IM)(其比較容易地被判定)與對應疊對或散焦誤差(其將需要大量量測努力)之間的相關性250。
在使用所描繪途徑的情況下，即使實際上不能使用不一致性量測來量測一致漂移，對位置信號之轉換之調整仍因此可基於所觀測不一致性。在此配置中，如下文參看圖3將解釋，可在冗餘位置量測集合可被得到之操作區域之部分中以一或若干不一致性映圖來描述不一致性。又，由於存在可引起漂移之僅有限起因集合，故不一致性映圖可被描述/近似為不一致性基向量組合(亦即，第一基向量集合)，該等不一致性基向量各自(例如)描述歸因於特定起因(例如，位置量測系統之特定安裝方式或特定負荷)而獲得之不一致性映圖。
因而，根據本發明之一實施例，計算單元經進一步配置 以判定不一致性映圖且基於不一致性映圖來判定轉換之進一步調整。
在一實施例中，應用於位置信號之轉換包含(例如)被公式化為查找表之映射。在此配置中，調整可被公式化為查找表之修改。
作為一替代例，可使用諸如多項式之函數來公式化轉換，調整接著被公式化為對多項式之參數之調整。
在圖3中，展示位置量測系統之俯視圖，位置量測系統包含配置於載物台(諸如，基板台)310上方之4個板狀光柵300，載物台310具備配置於該載物台之隅角附近之4個感測器320，藉以，每一感測器提供一垂直(z位置)位置信號及一水平(x位置或y位置)位置信號。因而，當載物台處於如圖3(a)所描繪的僅3個感測器進行操作之位置中(亦即，處於光柵下方之位置中)時，獲得足以在6個自由度中判定載物台位置之6個位置信號。當載物台處於如圖3(b)所描繪之位置中時，可得到可歸因於光柵之漂移或將光柵連接至參考框架之共同框架之漂移而不一致的8個位置信號。可以不同方式來公式化此不一致性：在2個位置信號與基於另外6個信號對彼2個信號之預測之間存在差異；在自6個信號之一個子集所導出之載物台位置與基於6個信號之另一子集之位置之間存在差異。
應理解，不一致性可起因於光柵及/或感測器之無限數目個不同變形/漂移。因而，存在用以將不一致信號集合轉換至一致信號集合之無限數目種方式。
根據本發明之一實施例，並不以任意方式移除不一致性，相反地，不一致性係起因於(例如)藉由有限元素演算而判定之相異的有限數目個變形。在使用此等演算的情況下，如上文所解釋，可判定歸因於特定起因之基礎形狀變形。當判定此變形時，亦可行的是在該變形在位置信號中引起不一致性之狀況下判定對應不一致性映圖。因而，自基礎形狀變形集合，可導出不一致性基向量集合。術語「基向量」據此用以表示自特定基礎形狀所導出之特定不一致性之數學描述。此等不一致性基向量可(例如)用於本發明之一實施例中以表示測定不一致性映圖(例如，作為不一致性基向量之線性加權組合)。隨後可將此表示變換或轉換至基礎形狀變形之組合，位置信號之轉換之調整可自該組合被導出。
在圖4中，示意性地展示根據本發明之一實施例的位置量測系統(以編碼器為基礎之量測系統，如圖2所描述之系統)之實施例之俯視圖。該位置量測系統包含可(例如)安裝至參考框架(圖中未繪示)之4個感測器陣列400.1、400.2、400.3及400.4(各自包含複數個感測器405)，以及安裝至經配置以固持基板430之基板載物台之4個光柵410.1至410.4。藉由使用呈所示配置之4個感測器陣列，載物台可在感測器之控制下覆蓋比較大的操作區域，同時使光柵(其安裝至載物台)維持比較小。當該等陣列之感測器中任一者處於該等光柵中任一者上方時，可以與上文所描述之方式相似的方式獲得及處理位置信號。又，如上文所描 述，可(例如)藉由使用查找表而對位置信號進行座標映射來轉換該或該等位置信號以獲得基板相對於投影系統之位置。根據本發明之實施例，將一調整應用於此轉換，以便考量(例如)感測器陣列或光柵中之一或多者之漂移。此調整可(例如)基於感測器陣列之預定漂移特性或感測器陣列總成總體上之預定漂移特性，藉以，該漂移特性包括該陣列或陣列總成之基礎形狀。
另外，可理解，如圖所示之位置量測系統亦使能夠在載物台之操作區域(之部分)中產生冗餘位置信號集合，不一致性或不一致性映圖可自該集合被導出。此等不一致性可同樣地用來以與上文所描述之方式相似的方式將進一步調整應用於位置信號之轉換。
在上文所論述之實施例中，估計(使用包括一或多個基礎形狀之預定漂移特性)位置量測系統(例如，以編碼器或干涉計為基礎之量測系統)(之部件)之變形或漂移的效應，且判定及使用該效應以調整位置量測信號之轉換。
在所論述實施例中，調整可(例如)基於位置量測信號中之測定不一致性，該不一致性可(例如)在經定位物件之操作範圍之部分中被得到。為了觀測此不一致性，應可得到冗餘位置量測集合。一般而言，此冗餘位置量測集合將僅可針對經定位物件之操作範圍之部分被得到。(然而應注意，本發明不排除藉以遍及位置量測系統之整個操作區域可得到冗餘位置量測的實施例；此等量測系統(例如)包括4個以上感測器(與一光柵合作)，如圖3a及圖3b所說明)。因 而，由不一致性引起之變形之模型化(例如，使用上文所提及之第一基向量集合)可經受以下近似或誤差來源：
1.在不一致性僅可針對量測範圍(或操作範圍)之部分被得到之狀況下，可在判定不一致性可未被量測之區域中之變形或漂移時涉及外插。
2.位置量測中之誤差可影響所判定不一致性之實際值且因此影響變形或漂移之後續模型化之實際值。
3.由於冗餘量測可被得到之操作或量測範圍之區域一般而言係預定的且取決於裝置之佈局，且可在某種程度上對變形或漂移或針對此等冗餘量測可被得到之給定區域不敏感，故可能難以區分不同的發生之基本變形或基礎形狀。換言之，不一致性(例如，使用不一致性映圖)至一或多個基向量之組合中之模型化可能為所謂病態問題(ill-conditioned problem)；或所使用模型可具有比較高的條件數(conditioning number)。(應注意，此情形亦可在冗餘位置量測集合可於整個操作範圍中被得到時成立)。相似地，如上文所提及的用以將經模型化不一致性(使用第一基向量集合)映射至表示疊對及/或散焦映圖(使用第二基向量集合)之模型之映射可遭受相同病態(ill-conditioning)。
歸因於此病態，經模型化變形或漂移可具有一些不準確度，此情形可影響對位置信號之轉換所進行之調整。為了避免或至少減輕此問題，本發明之一態樣係使用感測器以更準確地判定或預測位置量測系統(之部件)之實際變形或漂移。
在此等實施例中，使用複數個溫度及/或應變感測器連同包括一或多個基礎形狀之預定漂移特性以判定對位置信號之轉換之調整。應注意，此途徑提供變形或漂移可被觀測到之第三方式；如所提及，用以觀測變形或漂移之第一方式係藉由位置量測中(例如，在冗餘位置量測可被得到之操作區域之部分中)之不一致性而進行，且第二方式係藉由執行疊對或聚焦量測且建立疊對或散焦映圖(藉以，疊對或聚焦誤差之至少一部分可起因於量測系統之變形或漂移)而進行。根據本發明之一實施例，溫度或應變感測器可按以下方式用以促進預測位置量測系統之變形或漂移。
熟習此項技術者應理解，位置量測系統(之部件)(例如，一維或二維光柵或感測器陣列)之變形將引起可藉由應變感測器觀測之局域變形。另外，作為變形或漂移之一重要起因，可提及熱負荷。因而，應變或溫度感測器可提供位置量測系統之變形或漂移之指示。在使用諸如有限元素模擬之模擬的情況下，可模型化特定負荷情形(例如，包括藉由致動器產生之力及熱負荷)，藉此獲得關於針對給定負荷情形之變形或溫度分佈之回饋。應注意，作為一替代例或另外，亦可施加量測以分析不同負荷情形。
應注意，如上文所指示，此等模擬亦可促進建立描述可(例如)起因於諸如熱負荷之特定起因之特定變形的基礎形狀或基向量集合。
在一實施例中，此等模擬另外用以判定用於安裝複數個 感測器(溫度或應變感測器，或其混合物)之最佳或所要位置。為了判定用於感測器之最佳或所要位置，可使用以下準則中之一或多者：-應變或溫度感測器之位置可基於如所模擬之應變或溫度之絕對值或峰值。或者：-感測器之位置可用以促進區分不同變形形狀(亦即，基礎形狀)。
理想地，後一選項可引起用於感測器之位置集合及為正交之對應基礎形狀集合。實務上，不太可能發生此情形，然而，藉由適當地選擇感測器之位置，模型化該變形(藉由數個基礎形狀)或上述映射之問題可具有改良型條件數。因而，在本發明之實施例中應用複數個感測器(應變及/或溫度感測器)可為雙重的：在一實施例中，如自感測器所獲得之回饋可直接用以模型化位置量測系統之變形或漂移。
或者，在一實施例中，如自一或多個感測器所獲得之回饋可用作額外輸入或約束以使用不一致性映圖來獲得變形或漂移之改良型模型化，或反之亦然；不一致性映圖用作額外輸入或用作約束以基於感測器回饋來獲得變形或漂移之模型化。下文更詳細地解釋使用感測器回饋之兩種方式：在根據本發明之位置量測系統之實施例中，位置量測系統(例如，以編碼器為基礎之量測系統)具備複數個溫度及/或應變感測器，其中計算單元之輸入端子經組態以接收複 數個感測器之感測器信號，且其中計算單元經進一步配置以在使用時基於感測器信號來判定對轉換之調整。在此實施例中，複數個感測器可(例如)安裝於位置量測系統之光柵或感測器陣列上之預定部位處。
為了判定感測器應定位於哪一部位處，可應用以下途徑：在第一步驟中，執行位置量測系統之熱力學分析。此分析可(例如)涉及依據時間來判定系統之熱力學行為，藉以施加代表性負荷(例如，熱負荷)。應注意，可使用系統之實驗設置來執行此分析，或此分析可基於模擬。自所觀測行為，可導出描述最相關之變形模式之基礎形狀集合。此情形可(例如)使用被稱為奇異值分析或分解、主成分分析或POD(適當正交分解)之數學技術而進行。因此，此基礎形狀集合應使能夠將發生之負荷情形描述為基礎形狀之組合(例如，線性加權組合)。在使用所描述技術的情況下，可在所要準確度內評估進行描述所需要之基礎形狀之數目。理想地，基礎形狀之此數目因此亦指示使用感測器之回饋來估計或近似實際負荷情形所需要的感測器之最小數目。基於所提及分析，可識別影響變形或漂移之最重要的動態組件；因此，應使用數目與動態組件之數目相同的感測器。
在第二步驟中，判定用於感測器集合之最佳位置。根據本發明之一實施例，用於感測器之最佳位置對應於藉以可最容易地區分不同基礎形狀之位置。可將此最佳位置數學 地表達為一矩陣，其另外被稱作感測器基礎形狀矩陣，該矩陣描述感測器信號與位置量測系統之變形或漂移之間的關係，該關係具有低條件數。在使用有限元素演算及/或實驗量測的情況下，可建構此感測器基礎形狀矩陣，且將此感測器基礎形狀矩陣用作一模型以判定在特定線上負荷情形中位置量測系統之實際變形。一般而言，此矩陣為行之數目等於感測器之數目且列之數目等於基礎形狀之數目的靜態矩陣。
在使用此途徑的情況下，可判定模型(亦即，所應用矩陣)針對諸如量測誤差或雜訊之效應之敏感度，且可經由該矩陣之條件數而得到該敏感度。當發現敏感度太高時，可將額外感測器包括於模型中，直至獲得可接受敏感度為止。
在一實施例中，判定複數個感測器之位置及數目以使感測器基礎形狀矩陣之條件數維持低於預定臨限值。
在一實施例中，應用溫度感測器及應變感測器兩者之混合物以用於將感測器信號提供至計算單元。在此配置中，可進行感測器類型(應變或溫度)之最佳選擇，其改良各種基礎形狀之可區分性且因此進一步縮減條件數。
如已經提及，在一實施例中，可將感測器基礎形狀矩陣之應用與如上文所描述之不一致性量測進行組合。作為一實例，當使用感測器基礎形狀矩陣來判定位置量測系統或其部件之變形或漂移時，吾人可判定位置量測中之不一致性，該等不一致性在此變形或漂移之狀況下應被量測。可 比較此等不一致性與自如上文所解釋之冗餘位置量測集合所導出之實際不一致性映圖。不一致性兩者之間的任何失配皆可能引起(例如)進行對所使用模型(例如，感測器基礎形狀矩陣)之調整。
或者，在使用不一致性映圖以判定/預測變形或漂移之狀況下，可使用(例如)經由感測器信號而獲得之任何另外資訊以改進或校正模型化或可將該另外資訊用作驗證。為了說明此情形：在使用不一致性映圖且使用第一基向量集合至第二基向量集合之間的映射以判定位置量測系統之部件之變形的狀況下，吾人可在某種程度上基於來自應變感測器之回饋來檢查實際上是否發生此變形。
在所描述之位置量測系統之實施例中，亦可能有益的是包括可提供額外輸入以檢查或校正經模型化變形或漂移之其他感測器類型。作為一實例，可使用諸如電容性感測器之位置感測器以判定(例如)光柵或感測器陣列之隅角之實際位置，藉此提供回饋以驗證經模型化或經數學判定之變形或漂移。
在一實施例中，週期性地(例如，每週一次)應用轉換之調整。藉此，應用於位置信號之轉換(亦即，經調整轉換)可使能夠準確地定位達比較長的時段，藉此避免應用(例如)需要評估疊對映圖及聚焦映圖之耗時的重新校準。
儘管如所提議的補償位置量測系統之漂移之至少一部分之方式特別適於以編碼器為基礎之量測系統，但可同樣地考慮在其他類型之位置量測系統(諸如，以干涉計為基礎 之量測系統)中之應用。
在微影裝置之實施例中，一或多個陣列或感測器及一或多個一維或二維光柵經配置以在支撐件或基板台之操作區域中提供超定數目個位置信號，且其中超定數目個信號用以判定不一致性映圖。
在位置量測系統之實施例中，不一致性包含將不一致性描述為第一構件相對於第二構件之位置之函數的不一致性映圖，且其中調整係自不一致性映圖及預定漂移特性被導出。
在位置量測系統之另外實施例中，預定漂移特性包含不一致性與疊對及/或散焦映圖之間的相關性。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定創製於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
100‧‧‧第一部件
100.1‧‧‧第一光柵
100.2‧‧‧第二光柵
110‧‧‧位置信號
120‧‧‧共同框架
150‧‧‧計算單元
160‧‧‧連接件
200‧‧‧第二部件
200.1‧‧‧感測器
200.2‧‧‧感測器
210‧‧‧物件台
220‧‧‧載物台
250‧‧‧相關性
255.1‧‧‧映射
255.2‧‧‧映射
260‧‧‧映射
300‧‧‧板狀光柵
310‧‧‧載物台
320‧‧‧感測器
400.1‧‧‧感測器陣列
400.2‧‧‧感測器陣列
400.3‧‧‧感測器陣列
400.4‧‧‧感測器陣列
405‧‧‧感測器
410.1‧‧‧光柵
410.2‧‧‧光柵
410.3‧‧‧光柵
410.4‧‧‧光柵
430‧‧‧基板
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
EG‧‧‧編碼器光柵
ES‧‧‧編碼器感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MT‧‧‧光罩支撐結構/光罩台
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PL‧‧‧投影系統
PM‧‧‧第一定位器件
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器件/第二定位器
RF‧‧‧參考框架
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2a描繪根據本發明之一實施例的可用於圖1之微影裝 置中之位置量測系統；圖2b描繪在位置量測系統之變形或漂移、不一致性與疊對及/或散焦效應之間的關係；圖3a及圖3b說明在以編碼器為基礎之量測系統中不一致性之使用；及圖4描繪根據本發明之一實施例的另一位置量測系統。
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
EG‧‧‧編碼器光柵
ES‧‧‧編碼器感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MT‧‧‧光罩支撐結構/光罩台
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器件
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器件/第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台

Claims (15)

  1. 一種位置量測系統，其包含：一第一部件及一第二部件，其經組態以藉由提供表示該第一部件相對於該第二部件之一位置之一位置信號來判定一第一構件相對於一第二構件之一位置；及一計算單元，其包含經組態以接收該位置信號之一輸入端子，該計算單元經組態以在使用時將一轉換應用於該位置信號以獲得表示該第一構件相對於該第二構件之一位置之一信號，且將一調整應用於該轉換以至少部分地補償該第一部件或該第二部件或其兩者之一漂移，其中該調整係分別基於該第一部件或該第二部件或其兩者之一預定漂移特性，且其中該預定漂移特性包括該第一部件或該第二部件或其兩者之一或多個基礎形狀。
  2. 如請求項1之位置量測系統，其中該第一部件包含一光柵，且其中該第二部件包含經組態以與該光柵合作且提供該位置信號之一感測器或感測器陣列。
  3. 如前述請求項中任一項之位置量測系統，其中該調整被週期性地應用。
  4. 如請求項1或2之位置量測系統，其中該位置量測系統經組態以判定表示該第一部件相對於該第二部件之一位置之複數個位置信號之間的一不一致性，且其中該計算單元經進一步組態以基於該不一致性來判定該調整。
  5. 如請求項4之位置量測系統，其中該第一部件包含一個一維或二維光柵，且其中該第二部件包含複數個感測 器，該複數個感測器在與該一維或二維光柵合作時提供超定數目個位置信號，該不一致性係基於該超定數目個位置信號。
  6. 如請求項1或2之位置量測系統，其中該系統進一步具備複數個溫度及/或應變感測器，其中該計算單元之該輸入端子經組態以接收該複數個感測器之一感測器信號，且其中該計算單元經進一步配置以在使用時基於該感測器信號來判定對該轉換之該調整。
  7. 如請求項6之位置量測系統，其中該複數個感測器之一位置係基於藉由該複數個感測器對該等基礎形狀之一可區分性。
  8. 如請求項6之位置量測系統，其中該預定漂移特性包含一感測器基礎形狀矩陣以用於將該感測器信號轉換至該位置量測系統之一變形或漂移。
  9. 一種微影裝置，其包含：一投影系統，其經組態以將一經圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上；及一如前述請求項中任一項之位置量測系統，該位置量測系統經組態以相對於該投影系統來定位該基板。
  10. 一種微影裝置，其包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐件，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束； 一基板台，其經建構以固持一基板；一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；及一位置量測系統，其經組態以判定該圖案化器件或該基板相對於該投影系統之一位置，該位置量測系統包含：一第一部件，其安裝至該投影系統或該投影系統被安裝至之一參考框架；一第二部件，其安裝至該支撐台或該基板台，該第一部件及該第二部件經配置以提供表示該第一部件相對於該第二部件之一位置之一位置信號；及一計算單元，其包含經組態以接收該位置信號之一輸入端子，該計算單元經組態以在使用時將一轉換應用於該位置信號以獲得表示該投影系統相對於該支撐件或該基板台之一位置之一信號，且將一調整應用於該轉換以至少部分地補償該第一部件或該第二部件或其兩者之一漂移，其中該調整係分別基於該第一部件或該第二部件或其兩者之一預定漂移特性，且其中該預定漂移特性包括該第一部件或該第二部件或其兩者之一或多個基礎形狀。
  11. 如請求項10之微影裝置，其中該第一部件包含一或多個感測器陣列，且其中該第二部件包含一或多個一維或二維光柵。
  12. 如請求項10之微影裝置，其中該第一部件包含一或多個 感測器陣列，且其中該第二部件包含一或多個一維或二維位置標記。
  13. 如請求項10之微影裝置，其中該第一部件包含一或多個感測器陣列，且其中該第二部件包含用於以電容為基礎之位置感測器、以電感為基礎之位置感測器、近程干涉計、菲左(Fizeau)干涉計或近程絕對干涉計的一或多個目標。
  14. 如請求項10之微影裝置，其中該預定漂移特性包括該一或多個感測器陣列之一或多個基礎形狀。
  15. 一種器件製造方法，其包含：在一輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；定位固持一基板之一基板台；將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上，藉此使用經組態以判定該基板相對於該投影系統之一位置之一位置量測系統，該位置量測系統包含：一第一部件，其安裝至該投影系統或該投影系統被安裝至之一參考框架；一第二部件，其安裝至該基板台，該第一部件及該第二部件經配置以提供表示該第一部件相對於該第二部件之一位置之一位置信號；及一計算單元，其包含經組態以接收該位置信號之一輸入端子，該計算單元經組態以在使用時將一轉換應用於該位置信號以獲得表示該投影系 統相對於該基板台之一位置之一信號，且將一調整應用於該轉換以至少部分地補償該第一部件或該第二部件或其兩者之一漂移，其中該調整係分別基於該第一部件或該第二部件或其兩者之一預定漂移特性，且其中該預定漂移特性包括該第一部件或該第二部件或其兩者之一或多個基礎形狀。
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