TW201309415A - 玻璃基板表面處理方法 - Google Patents

Abstract

一種玻璃基板表面處理方法，係先將待研磨之玻璃基板固定於旋轉座上，使旋轉座旋轉帶動玻璃基板旋動，而旋轉座上方設置有研磨裝置，研磨裝置為樞設有研磨盤，研磨盤直徑為小於玻璃基板最長邊之長度，並大於玻璃基板最長邊一半之長度，且研磨盤周緣二側分別設置有起始點與終止點，當研磨盤對玻璃基板進行研磨時，為會先使研磨盤抵壓至玻璃基板表面，並讓研磨盤之起始點重疊於玻璃基板於旋轉時之中心軸，於停留一段時間後，再使研磨盤橫向位移，並於研磨盤之終止點重疊玻璃基板之中心軸時，為停止移動並停留一段時間後，再將研磨盤抬離玻璃基板表面，進而讓玻璃基板表面之波浪紋可有效的去除，並可防止玻璃基板中心處產生研磨不良之問題，以提高玻璃基板的研磨品質以及產品良率。

Description

玻璃基板表面處理方法

一種玻璃基板表面處理方法，尤指用於去除玻璃基板表面波浪紋路之處理方法。

按，薄膜電晶體顯示器(TFT-LCD)是一種顯示裝置，其影像產生的原理乃是利用一片塗佈著密集相間的紅、綠、藍三色之玻璃(Color Filter彩色濾光片)，與一片鍍上電路的玻璃(TFT)接合，兩片玻璃間灌入液晶，再於鍍上電路的玻璃後面置一背光源，利用電壓變化驅動兩片玻璃間之液晶轉動，當光穿透彩色濾光片，會產生色彩變化並顯示出影像，而目前薄膜電晶體顯示器所使用之玻璃基板，大多使用薄板浮式玻璃製程來製造，主要為液態材質密度差，將液態玻璃平整懸浮於液態金屬錫槽，利用液態錫表面光滑的特性拉出玻璃基板，由於製程中玻璃會與液態錫接觸，因此玻璃表面會產生波浪紋，而必須經過研磨、拋光等後段加工，目前研磨加工其主要是將玻璃基板固定於一旋轉台上，利用研磨片完全抵壓罩覆於玻璃基板表面，讓旋轉台帶動玻璃基板旋動時，研磨玻璃基板表面，以去除玻璃基板製程中所產生的波浪紋。

然而，薄膜電晶體顯示器的尺寸越來越大，玻璃基板尺寸也相對的變大，而在玻璃基板的研磨過程中，研磨片會以移動方式來研磨玻璃基板表面，但常常會發生研磨不均勻之情形，經本發明之創作人不斷研究後發現，玻璃基板在研磨過程中，研磨片移動時往往其覆蓋玻璃基板之面積不平均，且越靠近玻璃基板的旋轉中心處，不平均的情形越嚴重，請參閱第八圖所示，由圖中可清楚看出，玻璃基板A在研磨加工時為呈現樞轉狀態(圖中虛線箭號所示)，而研磨片B之位置為由玻璃基板A一側表面抵壓後，再朝向玻璃基板A之樞轉中心移動至研磨片B’處(圖中實心箭號所示)，也就是使研磨片B移動超過玻璃基板A之樞轉中心後就停止研磨，以研磨片B所產生之研磨面積而言，只有玻璃基板A外側部分才有受到研磨片B整面之研磨，而越靠近玻璃基板A之樞轉中心受到的研磨量就越少，容易產生研磨加工不良之情形。

是以，要如何改善上述玻璃基板研磨加工之過程，以避免玻璃基板表面波浪紋無法有效去除之問題，即為從事此相關業者所亟欲研究解決之課題所在。

本發明之主要目的乃在於，利用研磨片以移動研磨方式於玻璃基板二側形成相等之研磨面積，進而讓玻璃基板表面之波浪紋可有效的去除，並可防止玻璃基板中心處產生研磨不良之問題，以提高玻璃基板的研磨品質以及產品良率。

本發明之次要目的乃在於，利用研磨片移動研磨玻璃基板時，以停留一段時間來增加對玻璃基板外側緣之研磨量，進而防止玻璃基板外側緣產生研磨不良之問題，以提高玻璃基板的研磨品質以及產品良率。

為達上述目的，本發明之玻璃基板表面處理方法，係先將待研磨之玻璃基板固定於旋轉座上，使旋轉座旋轉帶動玻璃基板旋動，而旋轉座上方設置有研磨裝置，研磨裝置為樞設有研磨盤，研磨盤直徑為小於玻璃基板最長邊之長度，並大於玻璃基板最長邊一半之長度，且研磨盤周緣二側分別設置有起始點與終止點，且起始點與終止點所連成之直線為通過研磨盤之軸心；當研磨盤對旋轉中的玻璃基板進行研磨時，為會先使研磨盤抵壓至玻璃基板表面，並讓研磨盤之起始點重疊於玻璃基板旋轉時之中心軸，停留一段時間後，再使研磨盤橫向位移，位移方向為研磨盤之軸心朝向玻璃基板之中心軸直線位移，使研磨盤之軸心通過玻璃基板之中心軸後，並於研磨盤之終止點重疊玻璃基板之中心軸時，為停止移動並停留一段時間後，再將研磨盤抬離玻璃基板表面。

請參閱第一圖以及第二圖所示，由圖中可清楚看出，本發明之研磨方法係將待研磨之玻璃基板1固定於旋轉座2上，使旋轉座2於旋轉時帶動玻璃基板1旋動，而旋轉座2上方設置有研磨裝置3，研磨裝置3設置有支臂31，支臂31為樞接有研磨盤32，研磨盤32直徑為小於玻璃基板1最長邊之長度，並大於玻璃基板1最長邊一半之長度，而研磨盤32周緣二側分別設置有起始點321與終止點322，且起始點321與終止點322所連成之直線為通過研磨盤32之軸心323。

請參閱第二圖至第七圖所示，如第二圖以及第三圖所示，當研磨裝置3對玻璃基板1表面進行研磨時，旋轉座2為會旋轉帶動玻璃基板1旋動，讓玻璃基板1依中心軸11樞轉，此時，研磨裝置3之支臂31為會先帶動研磨盤32移動下降抵壓於玻璃基板1表面，且於研磨盤32抵壓至玻璃基板1表面時，請參閱第四圖所示，研磨盤32之起始點321為會重疊於玻璃基板1之中心軸11，由於玻璃基板1為呈樞轉位移，使玻璃基板1在通過研磨盤32時，與研磨盤32產生磨擦，而可去除玻璃基板1表面之波浪紋，且由於研磨盤32為樞接於支臂31，而使研磨盤32因摩擦所產生之磨擦力樞轉，請參閱第四圖以及第五圖所示，當研磨盤32下降抵壓於玻璃基板1表面後，為使研磨盤32先對玻璃基板1研磨一段時間後，再讓研磨裝置3之支臂31帶動研磨盤32橫向位移，而研磨盤32之位移方向為研磨盤32之軸心323朝向玻璃基板1之中心軸11直線位移，使研磨盤32在位移的過程中，研磨盤32之軸心323為會通過玻璃基板1之中心軸11，請同時參閱第五圖以及六圖所示，當研磨盤32橫向位移至其終止點322重疊玻璃基板1之中心軸11時，為停止研磨盤32移動，並停留一段時間後，再使支臂31帶動研磨盤32抬離玻璃基板1表面，即完成玻璃基板1表面之研磨。

請參閱第四圖、第五圖及第七圖所示，由圖中可清楚看出，本發明之研磨盤32在對玻璃基板1進行研磨時，其研磨路徑於玻璃基板1之中心軸11之二側形成相等，但由於研磨盤32直徑為小於玻璃基板1最長邊之長度，並大於玻璃基板1最長邊一半之長度，因此在玻璃基板1之中心軸11二側會產生第一研磨區4，此第一研磨區4為研磨盤32完全覆蓋通過所形成之區域，而在第一研磨區4二側會形成第二研磨區5，此第二研磨區5為部分研磨盤32覆蓋通過所形成之區域，且第二研磨區5所形成之位置為位於玻璃基板1之外側緣，所以會造成玻璃基板1外側緣研磨量不足，所以，當研磨盤32下降抵壓於玻璃基板1表面後，為使研磨盤32先對玻璃基板1研磨一段時間後，再讓研磨裝置3之支臂31帶動研磨盤32橫向位移，以及研磨盤32橫向位移至其終止點322重疊玻璃基板1之中心軸11時，為停止研磨盤32移動，並停留一段時間後，再使支臂31帶動研磨盤32抬離玻璃基板1表面，可增加第二研磨區5之研磨時間，也就是增加第二研磨區5之研磨量；再者，由於研磨盤32之軸心323為會通過玻璃基板1之中心軸11，因此研磨盤32會於玻璃基板1之中心軸11二側形成相等的研磨面積，且研磨盤32會完全通過玻璃基板1之中心軸11處，以讓玻璃基板1表面受到較平均之研磨，進而可降低玻璃基板1表面殘留波浪紋之發生機率，有效提高研磨加工之良率。

1．．．玻璃基板

11．．．中心軸

2．．．旋轉座

3．．．研磨裝置

31．．．支臂

32．．．研磨盤

321．．．起始點

322．．．終止點

323．．．軸心

4．．．第一研磨區

5．．．第二研磨區

A．．．玻璃基板

B．．．研磨片

B’．．．研磨片

第一圖係為玻璃基板與旋轉座之樞轉示意圖。

第二圖係為本發明研磨方法之側示動作示意圖(一)。

第三圖係為本發明研磨方法之上視動作示意圖(一)。

第四圖係為本發明研磨方法之側示動作示意圖(二)。

第五圖係為本發明研磨方法之側示動作示意圖(三)。

第六圖係為本發明研磨方法之側示動作示意圖(四)。

第七圖係為本發明研磨盤之研磨範圍以及路徑示意圖。

第八圖係為習知研磨方法之示意圖。

1．．．玻璃基板

11．．．中心軸

2．．．旋轉座

3．．．研磨裝置

31．．．支臂

32．．．研磨盤

321．．．起始點

322．．．終止點

323．．．軸心

Claims (3)

1. 一種玻璃基板表面處理方法，尤指利用研磨去除玻璃基板表面波浪紋路之處理方法，該處理方法係將待研磨之玻璃基板固定於旋轉座上，使旋轉座於旋轉時帶動玻璃基板旋動，而旋轉座上方設置有研磨裝置，研磨裝置為樞設有研磨盤，研磨盤直徑為小於玻璃基板最長邊之長度，並大於玻璃基板最長邊一半之長度，且研磨盤周緣二側分別設置有起始點與終止點，且起始點與終止點所連成之直線為通過研磨盤之軸心；藉上，當研磨盤對旋轉中的玻璃基板進行研磨時，為會先使研磨盤抵壓至玻璃基板表面，並讓研磨盤之起始點重疊於玻璃基板於旋轉時之中心軸，待研磨盤對玻璃基板研磨一段時間後，再使研磨盤橫向位移，以增加研磨盤研磨玻璃基板周緣研磨量，而研磨盤位移方向為由研磨盤之軸心朝向玻璃基板之中心軸直線位移，當研磨盤之軸心通過玻璃基板之中心軸後，且研磨盤之終止點重疊玻璃基板之中心軸時，再將研磨盤抬離玻璃基板表面，即完成玻璃基板表面之研磨。
2. 如申請專利範圍第1項所述之玻璃基板表面處理方法，其中該研磨盤之終止點重疊玻璃基板之中心軸時，為停止研磨盤移動，並停留一段時間後，再將研磨盤抬離玻璃基板表面，以增加研磨盤研磨玻璃基板周緣研磨量。
3. 如申請專利範圍第1項所述之玻璃基板表面處理方法，其中該研磨裝置設置有支臂，研磨盤為樞接於支臂，支臂為帶動研磨盤位移。