TW201308880A - 數位控制振盪器 - Google Patents

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Yen-Horng Chen
Wen-Chang Lee
Augusto Marques
Xiaochuan Guo
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Mediatek Singapore Pte Ltd
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Abstract

本發明提供一種數位控制振盪器。上述數位控制振盪器包括一電晶體對、耦接於上述電晶體對之一切換電容陣列以及耦接於上述電晶體對之複數頻率追蹤單元。上述電晶體對包括兩電晶體互相交叉耦接，用以提供一輸出信號。上述切換電容陣列上述輸出信號之頻率進行調頻。上述頻率追蹤單元將上述輸出信號之頻率調整至一目標頻率。至少一上述頻率追蹤單元能選擇性地提供一第一電容值以及一第二電容值。上述頻率追蹤單元之一調頻解析度係由上述第一電容值以及上述第二電容值之差值所決定。

Description

數位控制振盪器
本發明係有關於一種振盪器，且特別有關於一種數位控制振盪器。
一般而言，數位控制振盪器(digitally controlled oscillator，DCO)具有相對寬的調頻範圍，以為了能夠執行鎖相迴路(phase locked loop，PLL)、電壓控制振盪器(voltage controlled oscillator，VCO)或是其他電路之自動頻率校正。數位控制振盪器係藉由控制複數個數位控制頻率追蹤單元來調整所振盪的頻率。為了能提供精細的調頻解析度以及較寬的調頻範圍，需要使用到大量的頻率追蹤單元來進行振盪頻率的調整。
在鎖相迴路中，由於頻率追蹤單元具有有限的調頻解析度，數位控制振盪器會貢獻出額外的量化雜訊(quantization noise)。在部分改善電路中，額外的量化雜訊會被三角積分(delta-sigma,ΔΣ)調變器進行雜訊整形(noise shaping)，以符合相位雜訊(phase noise，PN)的要求。然而，頻率追蹤單元會增加設計的複雜度，並且會反向地影響到三角積分調變器的操作頻率。
然而，當頻率追蹤單元的數量增加時，由於不同頻率追蹤單元中電容之間的失配(mismatch)，數位控制振盪器之效能會受到影響。例如，電容之間的失配將會降低上述使用了大量的頻率追蹤單元之數位控制振盪器的直接頻率調變傳送器的相位誤差(phase error)、誤差向量大小(error vector magnitude，EVM)以及輸出射頻頻譜(output RF spectrum，ORFS)等效能。此外，較大的寄生電容將會使得數位控制振盪器所能提供之振盪頻率的全部調頻範圍變窄。
因此，若要實作一具有較高解析度之DCO具有一定困難。
本發明提供數位控制振盪器，以解決上述問題。
一方面，本發明提供一種數位控制振盪器，其包括：一電晶體對，包括兩電晶體互相交叉耦接，用以提供一輸出信號；切換電容陣列，耦接於上述電晶體對，用以對上述輸出信號之頻率進行調頻；以及複數頻率追蹤單元，耦接於上述電晶體對，用以將上述輸出信號之頻率調整至一目標頻率。至少一上述頻率追蹤單元能選擇性地提供一第一電容值以及一第二電容值。上述頻率追蹤單元之一調頻解析度係由上述第一電容值以及上述第二電容值之差值所決定。
再者，本發明提供另一種數位控制振盪器。上述數位控制振盪器包括：一放大器，具有一負阻抗，以及具有一第一輸入端、一第二輸入端以及用以提供一輸出信號之一輸出端；以及一電感電容電路，耦接於上述放大器之上述第一輸入端以及上述第二輸入端。上述電感電容電路包括：一電感，耦接於上述放大器之上述第一輸入端以及上述第二輸入端之間；以及複數頻率追蹤單元，並聯於上述電感。至少一上述頻率追蹤單元根據一控制信號而提供一第一電容值或是一第二電容值，以便對上述輸出信號之頻率進行微調。上述頻率追蹤單元之一調頻解析度係根據上述第一電容值以及上述第二電容值之差值而決定。
本發明之數位控制振盪器，其頻率追蹤單元具有可調整之調頻解析度。
為讓本發明之該和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之數位控制振盪器(DCO)100。數位控制振盪器100包括電晶體M1與M2、切換電容陣列10、頻率追蹤陣列20、兩個電感L1與L2以及電阻R。電晶體M1與M2互相交叉耦接。切換電容陣列10耦接於電晶體M1與M2之汲極，而頻率追蹤陣列20係並聯於切換電容陣列10。電感L1係耦接於共同節點Ncom以及電晶體M1的汲極之間，而電感L2係耦接於共同節點Ncom以及電晶體M2的汲極之間。電阻R係耦接於共同節點Ncom以及接地端GND之間。
在第1圖中，切換電容陣列10包括複數個以並聯方式耦接之切換電容單元30。每一切換電容單元30包括耦接於電晶體M1之汲極的電容C1、耦接於電晶體M2之汲極的電容C2以及耦接於電容C1與C2之間的開關SW，其中開關SW係由一單獨的控制信號所控制。藉由對切換電容陣列10內的開關SW進行切換，可以對信號Sout的輸出頻率進行粗調(coarsely tune)。切換電容單元30僅是個例子，並非用以限定本發明。此外，頻率追蹤陣列20包括複數個以並聯方式耦接之頻率追蹤單元40，其係用來將信號Sout的輸出頻率微調(finely tune)至目標頻率。在頻率追蹤陣列20中，每一頻率追蹤單元40係由單獨的控制信號所控制，其中控制信號會控制頻率追蹤單元40來提供第一電容值或是第二電容值。在此實施例中，每一頻率追蹤單元40的第一電容值係相同的，且每一頻率追蹤單元40的第二電容值係相同的。
第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之第1圖中頻率追蹤單元40的示意圖。頻率追蹤單元40包括三個電容CA1、CA2與CB、兩個電阻R1與R2以及一開關MSW。同時參考第1圖及第2圖，電容CA1係耦接於電晶體M1之汲極以及節點N1之間，而電容CA2係耦接於電晶體M2之汲極以及節點N2之間，其中電容CA1與CA2具有相同的電容值。電容CB係耦接於節點N1與N2之間。電阻R1係耦接於節點N1以及接地端GND之間，而電阻R2係耦接於節點N2以及接地端GND之間。開關MSW係並聯於電容CB，其中開關MSW係由一單獨的控制信號Sctrl所控制。當控制信號Sctrl控制開關MSW為導通時，頻率追蹤單元40會根據電容CA1與CA2來提供一等效電容值CON。當控制信號Sctrl控制開關MSW為不導通時，頻率追蹤單元40會根據電容CA1、CA2與CB來提供等效電容值COFF，其中可根據下列算式得到等效電容值CON與COFF：
因此，根據等效電容值CON與COFF之間的差值，可得到單位電容值Cstep，其中可根據下列算式得到單位電容值Cstep：
在此實施例中，單位電容值Cstep係作為頻率追蹤單元40之調頻解析度，用以將信號Sout的輸出頻率調整至目標頻率。需注意，三個電容CA1、CA2與CB為被動式金屬電容，其對雜訊以及電壓擺動(swing)為不靈敏。此外，對電容CA1、CA2與CB而言，具有低且固定之寄生電容值，且頻率追蹤單元40之佈局結構較容易匹配。例如，可根據下列算式得到頻率追蹤單元40之失配(mismatching)：
因此，可根據下列算式得到第1圖中數位控制振盪器100的增益因數(gain factor)KDCO：
其中fDCO係表示信號Sout的輸出頻率，即f DCO =，其中Ctank與L係分別表示槽電容值以及槽電感值。在一實施例中，每一電容CA1、CA2與CB可以是由複數電容以串聯方式、並聯方式或其組合所形成。
第3圖係顯示根據本發明另一實施例所述之數位控制振盪器200。相較於第1圖之數位控制振盪器100，數位控制振盪器200之頻率追蹤陣列50包括複數個以並聯方式連接之頻率追蹤單元60，其中每一頻率追蹤單元60包括耦接於電晶體M1之汲極以及接地端GND之間的子單元70A以及耦接於電晶體M2之汲極以及接地端GND之間的子單元70B，其中子單元70A與70B具有相同的電路結構。同樣地，每一頻率追蹤單元60係由單獨的控制信號所控制，即子單元70A與70B係由相同的控制信號所控制，其中該控制信號會控制子單元70A與70B同時提供第一電容值或是第二電容值。在此實施例中，每一頻率追蹤單元60之子單元70A與70B具有相同的第一電容值，且每一頻率追蹤單元60之子單元70A與70B具有相同的第二電容值。
第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之第3圖中子單元70A/70B的示意圖。同時參考第3圖以及第4圖，電容CA係耦接於對應之電晶體的汲極。舉例來說，子單元70A的電容CA係耦接於電晶體M1的汲極，而子單元70B的電容CA係耦接於電晶體M2的汲極。此外，電容CB係耦接於電容CA以及接地端GND之間，而開關MSW係並聯於電容CB，其中開關MSW係由一單獨的控制信號Sctrl所控制。當控制信號Sctrl控制開關MSW為導通時，子單元70A/70B會根據電容CA來提供等效電容值CON1。當控制信號Sctrl控制開關MSW為不導通時，子單元70A/70B會根據電容CA與CB來提供等效電容值COFF1，其中可根據下列算式得到等效電容值CON1與COFF1：
因此，根據等效電容值CON1與COFF1之間的差值，可得到單位電容值Cstep1，其中可根據下列算式得到單位電容值Cstep1：
在此實施例中，單位電容值Cstep1係作為頻率追蹤單元60之調頻解析度，用以將信號Sout的輸出頻率調整至目標頻率。此外，電容CA與CB為被動式金屬電容。
第5圖係顯示根據本發明另一實施例所述之第3圖中子單元70A/70B的示意圖。同時參考第3圖以及第5圖，電容CA1與CA2係耦接於對應之電晶體的汲極，且電容CA1與CA2具有相同的電容值CA。舉例來說，子單元70A的電容CA1與CA2係耦接於電晶體M1的汲極，而子單元70B的電容CA1與CA2係耦接於電晶體M2的汲極。電容CB1係耦接於電容CA1以及接地端GND之間，而開關MSW1係並聯於電容CB1，其中開關MSW1係由個別的控制信號Sctrl所控制。電容CB2係耦接於電容CA2以及接地端GND之間，而開關MSW2係並聯於，其中開關MSW2係由互補(complementary)於控制信號Sctrl之控制信號SBctrl所控制，且電容CB1與電容CB2具有不同的電容值。當控制信號Sctrl控制開關MSW1為導通而控制信號SBctrl控制開關MSW2為不導通時，子單元70A/70B會根據電容CA1、CA2與CB2來提供等效電容值CON2。當控制信號Sctrl控制開關MSW1為不導通而控制信號SBctrl控制開關MSW2為不導通時，子單元70A/70B會根據電容CA1、CB1與CB2來提供等效電容值COFF2。在此實施例中，電容CA1與CA2具有相同的電容值CA，於是可根據下列算式得到等效電容值CON2與COFF2：
因此，根據等效電容值CON2與COFF2之間的差值，可得到單位電容值Cstep2，其中可根據下列算式得到單位電容值Cstep2：
在此實施例中，單位電容值Cstep2係作為頻率追蹤單元60之調頻解析度，用以將信號Sout的輸出頻率調整至目標頻率。此外，電容CA1、CA2、CB1與CB2為被動式金屬電容。
第6圖係顯示根據本發明另一實施例所述之第3圖中子單元70A/70B的示意圖。同時參考第3圖以及第6圖，電容CA係耦接於對應之電晶體的汲極。舉例來說，子單元70A的電容CA係耦接於電晶體M1的汲極，而子單元70B的電容CA係耦接於電晶體M2的汲極。兩電容CB1與CB2係耦接於電容CA，且電容CB1與CB2具有不同的電容值。開關MSW1係耦接於電容CB1以及接地端GND之間，其中開關MSW1係由單獨的控制信號Sctrl所控制。開關MSW2係耦接於電容CB2以及接地端GND之間，其中開關MSW2係由互補於控制信號Sctrl之控制信號SBctrl所控制。當控制信號Sctrl控制開關MSW1為導通而控制信號SBctrl控制開關MSW2為不導通時，子單元70A/70B會根據電容CA與CB1來提供等效電容值CON3。當控制信號Sctrl控制開關MSW1為不導通而控制信號SBctrl控制開關MSW2為導通時，子單元70A/70B會根據電容CA與CB2來提供等效電容值COFF3，其中可根據下列算式得到等效電容值CON3與COFF3：
因此，根據等效電容值CON3與COFF3之間的差值，可得到單位電容值Cstep3，其中可根據下列算式得到單位電容值Cstep3：
在此實施例中，單位電容值Cstep3係作為頻率追蹤單元60之調頻解析度，用以將信號Sout的輸出頻率調整至目標頻率。此外，電容CA、CB1與CB2為被動式金屬電容。
第7圖係顯示根據本發明另一實施例所描述之數位控制振盪器300。數位控制振盪器300包括具有負阻抗之放大器80以及電感電容(LC)電路90。電感電容電路90包括耦接於放大器80之輸入端In1與In2之間的電感L、切換電容陣列10以及頻率追蹤陣列20，其中切換電容陣列10與頻率追蹤陣列20係並聯於電感L。在一實施例中，放大器80包括互相交叉耦接之一對電晶體，例如第1圖以及第3圖之電晶體M1與M2。如先前所描述，切換電容陣列10包括複數個以並聯方式耦接之切換電容單元30。每一切換電容單元30包括耦接於放大器80之輸入端In1的電容C1、耦接於放大器80之輸入端In2的電容C2以及耦接於電容C1與C2之間的開關SW，其中開關SW係由一單獨的控制信號所控制。藉由對切換電容陣列10內的開關SW進行切換，可以對信號Sout的輸出頻率進行粗調。此外，頻率追蹤陣列20包括複數個耦接於放大器80之輸入端In1與In2之間的頻率追蹤單元40，其係用來將信號Sout的輸出頻率微調至目標頻率。在頻率追蹤陣列20中，每一頻率追蹤單元40係由一單獨的控制信號所控制，其中控制信號會控制頻率追蹤單元40來提供第一電容值(例如CON)或是第二電容值(例如COFF)，以便得到單位電容值(例如Cstep)，其中單位電容值係作為調整信號Sout之輸出頻率的調頻解析度。而第7圖中每一頻率追蹤單元40的具體電路結構均可參照上述第2圖中所示，在此不再加以敘述。
第8圖係顯示根據本發明另一實施例所描述之數位控制振盪器400。在數位控制振盪器400中，頻率追蹤陣列50包括複數個耦接於放大器80之輸入端In1與In2之間的頻率追蹤單元60。如先前所描述，每一頻率追蹤單元60包括耦接於放大器80之輸入端In1以及接地端GND之間的子單元70A以及耦接於放大器80之輸入端In2以及接地端GND之間的子單元70B，其中子單元70A與70B具有相同的電路結構。同樣地，每一頻率追蹤單元60係由一單獨的控制信號所控制，即各頻率追蹤單元60之子單元70A與70B係由相同的控制信號所控制，其中該控制信號會控制子單元70A與70B同時提供第一電容值(例如CON1、CON2與CON3)或是第二電容值(例如COFF1、COFF2與COFF3)，以便得到單位電容值(例如Cstep1、Cstep2與Cstep3)，其中單位電容值係作為調整信號Sout之輸出頻率的調頻解析度。而第8圖中每一頻率追蹤單元40的具體電路結構均可參照上述第4～6圖中所示，在此不再加以敘述。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10．．．切換電容陣列
20、50．．．頻率追蹤陣列
30．．．切換電容單元
40、60．．．頻率追蹤單元
70A、70B．．．子單元
80．．．放大器
90．．．電感電容電路
100、200、300、400．．．數位控制振盪器
C1、C2、CA、CA1、CA2、CB、CB1、CB2．．．電容
GND．．．接地端
In1、In2．．．輸入端
L1、L2．．．電感
M1、M2．．．電晶體
MSW、MSW1、MSW2、SW．．．開關
N1、N2．．．節點
Ncom．．．共同節點
R、R1、R2．．．電阻
Sctrl、SBctrl．．．控制信號
Sout．．．信號
以及
VDD．．．電源
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之數位控制振盪器；
第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之第1圖中頻率追蹤單元的示意圖；
第3圖係顯示根據本發明另一實施例所述之數位控制振盪器；
第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之第3圖中子單元的示意圖；
第5圖係顯示根據本發明另一實施例所述之第3圖中子單元的示意圖；
第6圖係顯示根據本發明另一實施例所述之第3圖中子單元的示意圖；
第7圖係顯示根據本發明另一實施例所描述之數位控制振盪器；以及
第8圖係顯示根據本發明另一實施例所描述之數位控制振盪器。
10．．．切換電容陣列
20．．．頻率追蹤陣列
30．．．切換電容單元
40．．．頻率追蹤單元
100．．．數位控制振盪器
C1、C2．．．電容
GND．．．接地端
L1、L2．．．電感
M1、M2．．．電晶體
Ncom．．．共同節點
R．．．電阻
SW．．．開關
Sout．．．信號
以及
VDD．．．電源

Claims (21)

  1. 一種數位控制振盪器，包括：一電晶體對，包括互相交叉耦接之兩電晶體，用以提供一輸出信號；一切換電容陣列，耦接於上述電晶體對，用以對上述輸出信號之頻率進行調頻；以及複數個頻率追蹤單元，耦接於上述電晶體對，用以將上述輸出信號之頻率調整至一目標頻率，其中至少一上述頻率追蹤單元能選擇性地提供一第一電容值或者一第二電容值，以及上述頻率追蹤單元之調頻解析度係由上述第一電容值以及上述第二電容值之差值所決定。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之數位控制振盪器，其中每一上述頻率追蹤單元包括：一開關，耦接於上述電晶體對之上述兩電晶體的汲極之間，其中當上述開關為導通時，上述頻率追蹤單元提供上述第一電容值，以及當上述開關為不導通時，上述頻率追蹤單元提供上述第二電容值。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之數位控制振盪器，其中每一上述頻率追蹤單元包括：一第一電容，耦接於一第一節點以及上述電晶體對之一電晶體的汲極之間；一第二電容，耦接於一第二節點以及上述電晶體對之另一電晶體的汲極之間；一第三電容，耦接於上述第一節點以及上述第二節點之間；以及一開關，並聯於上述第三電容，其中上述第一電容、上述第二電容以及上述第三電容為金屬電容。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之數位控制振盪器，其中當上述開關為導通時，上述頻率追蹤單元提供上述第一電容值，以及當上述開關為不導通時，上述頻率追蹤單元提供上述第二電容值。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之數位控制振盪器，更包括：一第一電感，耦接於一共同節點以及上述電晶體對之一電晶體的汲極之間；以及一第二電感，耦接於上述共同節點以及上述電晶體對之另一電晶體的汲極之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之數位控制振盪器，其中上述切換電容陣列包括以並聯方式連接之複數個切換電容單元，每個上述切換電容單元包括：一第一電容，耦接於上述電晶體對之一電晶體的汲極；一第二電容，耦接於上述電晶體對之另一電晶體的汲極；以及一開關，耦接於上述第一電容以及上述第二電容之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之數位控制振盪器，其中每一上述頻率追蹤單元包括一第一子單元以及一第二子單元，其中上述第一子單元係耦接於上述電晶體對之一電晶體的汲極以及一接地端之間，而上述第二子單元係耦接於上述電晶體對之另一電晶體的汲極以及上述接地端之間，上述第一子單元以及上述第二子單元具有相同的電路結構，以及上述第一子單元以及上述第二子單元之至少一者包括：一第一電容，耦接於上述電晶體對之對應之上述電晶體的汲極；一第二電容，耦接於上述第一電容以及上述接地端之間；以及一開關，並聯於上述第二電容，其中上述第一電容以及上述第二電容為金屬電容，上述第一子單元以及上述第二子單元的開關由同一控制訊號所控制。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之數位控制振盪器，其中當上述開關為導通時，上述頻率追蹤單元提供上述第一電容值，以及當上述開關為不導通時，上述頻率追蹤單元提供上述第二電容值。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之數位控制振盪器，其中每一上述頻率追蹤單元包括一第一子單元以及一第二子單元，其中上述第一子單元係耦接於上述電晶體對之一電晶體的汲極以及一接地端之間，而上述第二子單元係耦接於上述電晶體對之另一電晶體的汲極以及上述接地端之間，以及上述第一子單元以及上述第二子單元之至少一者包括：一第一電容，耦接於上述電晶體對之對應之上述電晶體的汲極；一第二電容，耦接於上述第一電容以及上述接地端之間；一第一開關，並聯於上述第二電容；一第三電容，耦接於上述電晶體對之對應之上述電晶體的汲極，具有相同於上述第一電容之電容值；一第四電容，耦接於上述第三電容以及上述接地端之間，具有不同於上述第二電容之電容值；以及一第二開關，並聯於上述第四電容，其中上述第一電容、上述第二電容、上述第三電容以及上述第四電容為金屬電容，上述第一開關與上述第二開關由互補的控制信號所控制。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之數位控制振盪器，其中當上述第一開關為導通而上述第二開關為不導通時，上述頻率追蹤單元提供上述第一電容值，以及當上述第一開關為不導通而上述第二開關為導通時，上述頻率追蹤單元提供上述第二電容值。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之數位控制振盪器，其中每一上述頻率追蹤單元包括一第一子單元以及一第二子單元，其中上述第一子單元係耦接於上述電晶體對之一電晶體的汲極以及一接地端之間，而上述第二子單元係耦接於上述電晶體對之另一電晶體的汲極以及上述接地端之間，以及上述第一子單元以及上述第二子單元之至少一者包括：一第一電容，耦接於上述電晶體對之對應之上述電晶體的汲極；一第二電容，耦接於上述第一電容；一第一開關，耦接於上述第二電容以及上述接地端之間；一第三電容，耦接於上述第一電容，具有不同於上述第二電容之電容值；以及一第二開關，耦接於上述第三電容以及上述接地端之間，其中上述第一電容、上述第二電容以及上述第三電容為金屬電容，上述第一開關與上述第二開關由互補的控制信號所控制。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之數位控制振盪器，其中當上述第一開關為導通而上述第二開關為不導通時，上述頻率追蹤單元提供上述第一電容值，以及當上述第一開關為不導通而上述第二開關為導通時，上述頻率追蹤單元提供上述第二電容值。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之數位控制振盪器，其中每一上述頻率追蹤單元之上述調頻解析度為相同的。
  14. 一種數位控制振盪器，包括：一放大器，具有一負阻抗，以及具有一第一輸入端、一第二輸入端以及用以提供一輸出信號之一輸出端；以及一電感電容電路，耦接於上述放大器之上述第一輸入端以及上述第二輸入端，包括：一電感，耦接於上述放大器之上述第一輸入端以及上述第二輸入端之間；以及複數個頻率追蹤單元，並聯於上述電感，其中至少一上述頻率追蹤單元根據一控制信號而提供一第一電容值或是一第二電容值，以便對上述輸出信號之頻率進行微調，其中上述頻率追蹤單元之調頻解析度係根據上述第一電容值以及上述第二電容值之差值而決定。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之數位控制振盪器，其中每一上述頻率追蹤單元包括：一第一電容，耦接於一第一節點以及上述放大器之上述第一輸入端之間；一第二電容，耦接於一第二節點以及上述放大器之上述第二輸入端之間；一第三電容，耦接於上述第一節點以及上述第二節點之間；以及一開關，並聯於上述第三電容，其中上述第一電容、上述第二電容以及上述第三電容為金屬電容。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之數位控制振盪器，其中每一上述頻率追蹤單元包括一第一子單元以及一第二子單元，其中上述第一子單元係耦接於上述放大器之上述第一輸入端以及一接地端之間，而上述第二子單元係耦接於上述放大器之上述第二輸入端以及上述接地端之間，以及上述第一子單元以及上述第二子單元之至少一者包括：一第一電容，耦接於上述放大器之上述第一輸入端以及上述第二輸入端之其中對應一者；一第二電容，耦接於上述第一電容以及上述接地端之間；以及一開關，並聯於上述第二電容，其中上述開關係由上述控制信號所控制，其中上述第一電容以及上述第二電容為金屬電容。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之數位控制振盪器，其中每一上述頻率追蹤單元包括一第一子單元以及一第二子單元，其中上述第一子單元係耦接於上述放大器之上述第一輸入端以及一接地端之間，而上述第二子單元係耦接於上述放大器之上述第二輸入端以及上述接地端之間，以及上述第一子單元以及上述第二子單元之至少一者包括：一第一電容，耦接於上述放大器之上述第一輸入端以及上述第二輸入端之其中對應一者；；一第二電容，耦接於上述第一電容以及上述接地端之間；一第一開關，並聯於上述第二電容，其中上述第一開關係由上述控制信號所控制；一第三電容，耦接於上述放大器之上述第一輸入端以及上述第二輸入端之其中對應一者，具有相同於上述第一電容之電容值；一第四電容，耦接於上述第三電容以及上述接地端之間，具有不同於上述第二電容之電容值；以及一第二開關，並聯於上述第四電容，其中上述第二開關係由互補於上述控制信號之一信號所控制；其中上述第一電容、上述第二電容、上述第三電容以及上述第四電容為金屬電容。
  18. 如申請專利範圍第14項所述之數位控制振盪器，其中每一上述頻率追蹤單元包括一第一子單元以及一第二子單元，其中上述第一子單元係耦接於上述放大器之上述第一輸入端以及一接地端之間，而上述第二子單元係耦接於上述放大器之上述第二輸入端以及上述接地端之間，以及上述第一子單元以及上述第二子單元之至少一者包括：一第一電容，耦接於上述放大器之上述第一輸入端以及上述第二輸入端之其中對應一者；一第二電容，耦接於上述第一電容；一第一開關，耦接於上述第二電容以及上述接地端之間，其中上述開關係由上述控制信號所控制；一第三電容，耦接於上述第一電容，具有不同於上述第二電容之電容值；以及一第二開關，耦接於上述第三電容以及上述接地端之間，其中上述第二開關係由互補於上述控制信號之一信號所控制，其中上述第一電容、上述第二電容以及上述第三電容為金屬電容。
  19. 如申請專利範圍第14項所述之數位控制振盪器，其中上述放大器包括：一第一電晶體，具有耦接於一電源之一源極、耦接於上述第二輸入端之一閘極以及耦接於上述第一輸入端之一汲極；以及一第二電晶體，具有耦接於上述電源之一源極、耦接於上述第一輸入端之一閘極以及耦接於上述第二輸入端之一汲極。
  20. 如申請專利範圍第14項所述之數位控制振盪器，其中上述電感電容電路更包括：一切換電容陣列，並聯於上述電感，用以對上述輸出信號之頻率進行粗調，以及包包括複數切換電容單元，其中每一上述切換電容單元包括：一第一電容，耦接於上述放大器之上述第一輸入端；一第二電容，耦接於上述放大器之上述第二輸入端；以及一開關，耦接於上述第一電容以及上述第二電容之間。
  21. 如申請專利範圍第14項所述之數位控制振盪器，其中每一上述頻率追蹤單元之上述調頻解析度為相同的。
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