TW201304876A - 塗布處理方法及塗布處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種塗布處理方法及塗布處理裝置，即便使用相對低黏度之處理液的情況，也能使得處理液之使用量相較於以往變少，且可將處理液均勻地塗布於基板之表面全體。包含下述步驟：第1步驟，係在基板以第1速度旋轉之狀態下，自噴嘴將處理液釋出至基板中心部上，之後將基板之旋轉速度從第1速度提高至第2速度，以處理液於基板表面形成塗布區域；第2步驟，係將基板之旋轉速度從第2速度提高至第3速度，來擴大塗布區域；第3步驟，係將基板之旋轉速度從第3速度降低至第4速度來使得處理液均勻分布；第4步驟，係將基板之旋轉速度從第4速度提高至比第2速度來得快之第5速度，將塗布區域擴大至基板之周緣部；以及，第5步驟，係停止從噴嘴釋出處理液，並將基板之旋轉速度從第5速度降低至第6速度來使得處理液均勻分布。

Description

塗布處理方法及塗布處理裝置
本發明係關於一種於半導體晶圓等被處理基板塗布光阻液等處理液之塗布處理方法及塗布處理裝置。
於半導體裝置之製造程序中，在進行光微影製程之際係依序進行下述該等處理製程，以於晶圓上形成既定光阻圖案：光阻塗布處理，係於半導體晶圓(以下也稱為基板或是晶圓)之表面上塗布光阻液來形成光阻膜；曝光處理，係對光阻膜進行曝光來形成既定圖案；以及，顯影處理，係使得曝光後之光阻膜顯影。
於光阻塗布處理中，許多的情況下係使用旋塗法從噴嘴來對於高速旋轉之晶圓中心部供給光阻液，以離心力使得光阻液在晶圓上擴散而塗布於晶圓表面全體。
以往，關於旋塗法有人創設出一種一邊維持光阻液之均勻塗布一邊減少光阻液使用量之技術。例如，已揭示了一種技術，在對旋轉中之晶圓供給光阻液之過程中，藉由使得晶圓之旋轉速度減速至待機旋轉數(或是使其停止)，來使得於利用離心力擴散光阻液之過程中所形成之所謂的鬍鬚體(亦即從俯視圓形的光阻液之核心部分以輻射狀朝圓周方向延伸之細光阻液的流動)之伸長得以暫時停止(參見專利文獻1)。依據此技術，由於光阻液係停留於晶圓中央後緩緩地擴散(參見顯示減速步驟時之光阻液之擴展圖案之圖8)，故可維持光阻液 之擴展圖案。從而，可防止來自晶圓周緣部之光阻液經由上述鬍鬚體而大量飛濺之現象，而可降低光阻液之消耗量。
此外，已揭示一種技術，係於釋出光阻液之前使得晶圓先以第1速度旋轉，於光阻液之釋出製程中，以旋轉速度自前述第1速度連續地變化成較此第1速度來得快之第2速度之方式(換言之，於縱軸表示旋轉速度、橫軸表示時間之圖中，旋轉速度之軌跡成為S字形)慢慢地提高加速度後再慢慢地降低加速度來進行控制(參見專利文獻2)。
先前技術文獻
專利文獻1 日本特開平10-125581號公報
專利文獻2 日本特開2009-078250號公報
上述專利文獻1所揭示之方法，由於光阻液未到達晶圓周緣部之狀態必須維持既定時間，是以當光阻液之黏度低之情況(例如黏度5cp以下之情況)，光阻液塗布於晶圓全體前將會乾燥，而無法塗布均勻膜，此為問題所在。此外，並非對應於將降黏劑等溶劑事先塗布於晶圓上之所謂的預濕處理者。
此外，依據上述專利文獻2所揭示之方法，可確實均勻地塗布光阻而減少光阻液之使用量。但是，半導體電路要求更精密之中，對光阻液使用量之節省的需求也更為提高，於製造程序中，僅需讓光阻液之使用量略少 0.1ml即相當有助於製造成本之降低。從此觀點來看，上述專利文獻2所揭示之方法尚有改善的空間。
是以，有鑑於上述情事，本發明之目的在於提供一種塗布處理方法及塗布處理裝置，即便是使用相對低黏度之處理液的情況，相較於先前技術可減少處理液之使用量，且可將處理液均勻地塗布於基板之表面全體。
為了達成上述目的，依據本發明係提供一種塗布處理方法，係將黏度為5cp以下之處理液塗布於基板；其特徵在於包含下述步驟：第1步驟，係在基板以第1速度旋轉之狀態下，自噴嘴將該處理液釋出至基板中心部上，之後將基板之旋轉速度從第1速度提高至第2速度，以該處理液於基板表面形成塗布區域；第2步驟，係將基板之旋轉速度從第2速度提高至第3速度，來擴大該塗布區域；第3步驟，係將基板之旋轉速度從第3速度降低至第4速度來使得該處理液均勻分布；第4步驟，係將基板之旋轉速度從第4速度提高至比第2速度來得快之第5速度，將該塗布區域擴大至基板之周緣部；以及第5步驟，係停止從噴嘴釋出該處理液，並將基板之旋轉速度從第5速度降低至第6速度來使得該處理液均勻分布。
依據本發明之塗布處理方法，可提供一種塗布處理方法及塗布處理裝置，即便使用相對低黏度之處理液的情況，也可較先前技術減少處理液之使用量，且可將處理液均勻地塗布於基板之表面全體。
以下參見圖式，詳細地說明達成本發明目的所使用之技術手段與構造特徴。圖2係進行本發明實施形態之塗布處理方法之塗布處理裝置30的概要構造縱截面圖。圖3係塗布處理裝置30之概要構造橫截面圖。
如圖2所示般，塗布處理裝置30係具有：外殼120；以及旋轉夾具130，係設置於前述外殼120內之中央部，而做為保持晶圓W使其旋轉之旋轉保持部。旋轉夾具130具有水平的上面，於前述上面設有可吸引晶圓W等基板之吸引口(未圖示)。旋轉夾具130藉由前述吸引口之吸引力而可將晶圓W吸引、保持在旋轉夾具130上。
於旋轉夾具130設有夾具驅動機構131，於前述夾具驅動機構131具備有馬達等裝置，旋轉夾具130可藉由夾具驅動機構131之驅動而以既定速度旋轉。此外，夾具驅動機構131係具有汽缸等升降驅動源(未圖示)，可使得旋轉夾具130上下移動。此外，旋轉夾具130之旋轉速度係藉由後述控制部160來控制。
於旋轉夾具130周圍設有杯狀體132，可承接從晶圓W所飛濺之液體而回收該液體。於杯狀體132之底面係連接著可將回收液體加以排出之排出管133以及可排出杯狀體132內部氣體之排氣管134。
如圖3所示般，於杯狀體132之負X方向(圖3下方)側係設有沿著Y方向(圖3左右方向)延伸之軌道軸140。軌道軸140係從杯狀體132之負Y方向(圖3之左方)外側往正Y方向(圖3之右方)外側延伸。於軌道軸140上兩個臂部141(正Y方向)、142(負Y方向)係以可於軌道軸140 上移動的方式而設置著。
如圖2以及圖3所示般，第1噴嘴143係被支撐於第1臂141之前端附近，可釋出光阻液等處理液。第1臂141可藉由圖3所示噴嘴驅動部144之驅動而自由移動於軌道軸140上。從而，第1噴嘴143會受到控制，而從設置於杯狀體132正Y方向外側之待機部145移動至杯狀體132內之晶圓W中心部上方，且沿著晶圓W之半徑方向而於前述晶圓W之表面上方移動。此外，第1臂141受到噴嘴驅動部144之驅動而自由升降，來調整第1噴嘴143之高度。此外，於本實施形態中，第1臂141與噴嘴驅動部144係構成「處理液噴嘴移動機構」。
第1噴嘴143係連接於供給管147，而供給管147則和圖2所示之處理液供給源146相連通。處理液供給源146係保存可形成光阻膜之光阻液等處理液。此外，於供給管147上設有閥148，藉由該閥148之開閉來開始或停止處理液之釋出。
第2噴嘴150係被支撐於第2臂142之前端附近，可釋出處理液之溶劑。第2臂142係藉由圖3所示之噴嘴驅動部151的驅動而於軌道軸140上自由移動，第2噴嘴150可從設置於杯狀體132負Y方向外側之待機部152往杯狀體132內之晶圓W的中心部上方移動。此外，第2臂142可藉由噴嘴驅動部151之驅動而自由升降，從而調整第2噴嘴150之高度。此外，於本實施形態，第2臂150與噴嘴驅動部151係構成「溶劑噴嘴移動機構」。
第2噴嘴150係連接於供給管154，而供給管154則和 圖2所示之溶劑供給源153相連通。此外，於上述構造中，釋出處理液之第1噴嘴143與釋出溶劑之第2噴嘴150分別被不同的臂所支撐著，然亦可以相同臂來支撐。此外，藉由控制前述臂之移動，來控制第1噴嘴143與第2噴嘴150之移動與釋出時間。
旋轉夾具130之旋轉動作、使得第1噴嘴143移動之噴嘴驅動部144之驅動動作、用以開始/停止第1噴嘴143之處理液釋出之閥148的開閉動作、使得第2噴嘴150移動之噴嘴驅動部151之驅動動作等驅動系統的動作皆受到控制部160所控制。控制部160係由具備CPU與記憶體之電腦所構成，實行儲存於記憶體之程式以於塗布處理裝置30實行塗布處理。此外，於塗布處理裝置30實施塗布處理之各程式可被保存於電腦可讀取式記錄媒體H，而從前述記錄媒體H安裝到控制部160上。
圖4係顯示本發明實施形態之塗布處理方法順序之流程圖。此外，圖5係顯示本發明實施形態之塗布處理方法中晶圓W旋轉速度之圖。圖6(a)~(e)係顯示本發明實施形態之塗布處理方法各步驟中晶圓W表面上之塗布狀態的說明圖，圖6(f)係當塗布有瑕疵時之狀態說明圖。以下，依序參見圖4、圖5、圖6來說明本發明實施形態之塗布處理方法的順序。
首先，將晶圓W搬入塗布處理裝置30並被吸引、保持在圖2所示之旋轉夾具130上。其次，第2臂142將位於待機部152之第2噴嘴150移動到晶圓W之中心部上方。之後，在晶圓W靜止之狀態下，從第2噴嘴150將既定量 溶劑釋出到晶圓W中心部。其次，如圖5所示般，旋轉夾具130以例如300rpm程度之第1速度v1使得晶圓W旋轉，而將溶劑擴散至晶圓W上，藉以將溶劑塗布於晶圓W表面全體。此外，第2臂142係讓第2噴嘴150返回待機部152。
之後，第1臂141將位於待機部145之第1噴嘴143往晶圓W之中心部上方移動。其次，開放閥148，從第1噴嘴143對晶圓W之中心部釋出相對低黏度(黏度為5cp以下)之處理液的例如光阻液。此時，如圖5所示般，將晶圓W之旋轉速度從第1速度v1提高至1000rpm程度之第2速度v2。如此一來，對晶圓W中心部所供給之光阻液受離心力影響而擴散，如圖6(a)所示般，於晶圓W表面形成圓形塗布區域P1(圖4之步驟S1)。
之後，如圖5所示般，將晶圓W之旋轉速度從第2速度v2提高至例如2700rpm程度之第3速度v3，藉此光阻液會進一步受離心力之影響而如圖6(b)所示般在晶圓W之表面上擴散至比圓形塗布區域P1來得大之圓形塗布區域P2(圖4之步驟S2)。
之後，如圖5所示般，將晶圓W之旋轉速度從第3速度v3降低至例如1200rpm程度之第4速度v4。此時，受負加速度之作用的影響，光阻液在晶圓W表面之被覆率(塗布面積比)會提高，而如圖6(c)所示般，於晶圓W之表面形成圓形之塗布區域P3(圖4之步驟S3)。圖9係顯示此時之光阻液擴展圖案，係從晶圓之側面方向所見之截面圖。
此外，如圖5所示般，晶圓W之旋轉速度從第4速度v4提高至例如2450rpm程度之第5速度v5，藉此，光阻液會進一步受離心力的影響而擴散至晶圓W之周緣部，如圖6(d)所示般，於晶圓W之表面形成塗布區域P4(圖4之步驟S4)。
進而於之後如圖5所示般，使得晶圓W之旋轉速度從第5速度v5降至例如400rpm程度之第6速度v6，並停止光阻液從第1噴嘴143釋出到晶圓W之中心部。此時，如圖6(e)所示般，光阻液會受到負加速度之作用的影響而完全被覆晶圓W之表面全體，光阻液便會被均勻地塗布於晶圓W之表面全體(圖4之步驟S5)。如此般，於本實施形態中，在使用光阻液做為擁有5cp以下黏度之處理液，來將光阻液從噴嘴釋出之狀態方面，當最後旋轉數上升之時，光阻液便會擴散至晶圓W之周緣部為止。
之後，如圖5所示般，使得晶圓W之旋轉速度從第6速度v6提高至例如1200rpm程度之第7速度v7。第7速度v7之大小決定了光阻膜之膜厚，使得晶圓W持續旋轉一定時間來使得晶圓W表面之光阻膜乾燥(圖4之步驟S6)。
等待晶圓W乾燥後，停止晶圓W之旋轉，將晶圓W從旋轉夾具130搬出，便結束本發明實施形態之塗布處理方法的一連串製程。
於上述製程中，各步驟S1~S5之處理時間為0.1~1.5秒程度，晶圓之旋轉速度v3與v5係分別大於旋轉速度v2與v4，且速度差為1000rpm以上。
(實施例)
以下，舉出實施例以及比較例來具體說明本發明，惟本發明不限於以下之實施例。
(實施例1)
本發明之塗布處理方法係適用於圖2所示之塗布處理裝置30中。於本實施例中，使用東京應化工業股份有限公司製之溶劑(商品名：OK73)，並使用信越化學工業股份有限公司製之光阻液(商品名：SAIL-X145)。黏度為約2cp，光阻液之使用量為0.50ml~1.00ml，步驟S1~S5之處理時間定為0.1~1.5秒，將步驟S1與S3中之v2與v4設定為1000rpm，將步驟S2與步驟S4中之v3與v5設定為2000rpm，記錄各光阻液之使用量是否均勻地塗布於晶圓W之表面全體。產生均勻塗布者記錄為「OK」，出現塗布不均或是瑕疵(圖6(f)所示般之瑕疵)者記錄為「NG」。
(實施例2)
除了將步驟S2與步驟S4中之v3與v5設定為3000rpm以外，其他條件係和實施例1同樣，記錄各光阻液之使用量是否均勻地塗布於晶圓W之表面全體，產生均勻塗布者記錄為「OK」，出現塗布不均或是瑕疵者記錄為「NG」。
(實施例3)
除了將步驟S2與步驟S4中之v3與v5設定為4000rpm以外，其餘條件係和實施例1同樣，記錄各光阻液之使用量是否均勻地塗布於晶圓W之表面全體，產生均勻塗布者記錄為「OK」，出現塗布不均或是瑕疵者 記錄為「NG」。
將實施例1~3所得之實驗結果彙整於表1。
從表1可知，於步驟S2與步驟S4中將v3與v5設定為2000rpm之時，能以光阻液之使用量為0.60ml以上來均勻地塗布於晶圓W之表面全體。於步驟S2與步驟S4中將v3與v5設定為3000rpm或是4000rpm之時，能以光阻液之使用量為0.55ml以上來均勻地塗布於晶圓W之表面全體。
(比較例1)
於圖2所示之塗布處理裝置30中，係應用了專利文獻1記載之塗布處理方法。使用東京應化工業股份有限公司製之溶劑(商品名：OK73)，並使用信越化學工業股份有限公司製之光阻液(商品名：SAIL-X145)。黏度為約2cp，光阻液之使用量為0.50ml~1.00ml。如圖1所示般，晶圓W之旋轉速度從V1以S字型增加至V2。將V1設定為500rpm，將V2設定為2000rpm。記錄於各光阻液之使用量下是否均勻地塗布於晶圓W之表面全體。產生均勻塗布者記錄為「OK」，有塗布不均或是瑕疵者記錄為「NG」。
(比較例2)
除了將V2設定為3000rpm以外，其餘條件係和比較例1同樣。記錄於各光阻液之使用量下是否均勻地塗布於晶圓W之表面全體。產生均勻塗布者記錄為「OK」，有塗布不均或是瑕疵者記錄為「NG」。
(比較例3)
除了將V2設定為4000rpm以外，其餘條件係和比較例1同樣。記錄於各光阻液之使用量下是否均勻地塗布 於晶圓W之表面全體。產生均勻塗布者記錄為「OK」，有塗布不均或是瑕疵者記錄為「NG」。
從比較例1~3所得之實驗結果彙整於表2。
從表2可知，於專利文獻1所記載之技術中，當V2設定為2000rpm之時，若光阻液之使用量未達0.70ml以上，便無法均勻地塗布於晶圓W之表面全體。此外，當V2設定為3000rpm之時，若光阻液之使用量未達0.65ml以上，便無法均勻地塗布於晶圓W之表面全體。此外，當V2設定為4000rpm之時，若光阻液之使用量未達0.60ml以上，便無法均勻地塗布於晶圓W之表面全體。
比較表1與表2之實驗結果可知，以本發明之塗布處理方法與專利文獻1之塗布處理方法而言，當晶圓W之最高旋轉速度皆為2000rpm之時，本發明之塗布處理方法相較於專利文獻1之塗布處理方法，光阻液之使用量可節省約0.1ml。當兩者皆為3000rpm之時可節省約0.1ml。同樣地，當兩者皆為4000rpm之時，可節省約0.05ml。
以下，針對本發明之塗布處理方法所塗布之膜層厚度是否均勻來進行實驗。圖7係於晶圓W應用本發明之塗布處理方法來塗布光阻液後之光阻膜厚的測定結果。如圖7所示般，對編號(Wefer No.)1~5之5片晶圓W實施本發明之塗布處理方法來塗布光阻液。圖7中之各步驟Step1~Step5，T表示各步驟之實施時間(sec)，V表示晶圓W之旋轉速度(rpm)，A表示旋轉速度之加速度(xg)。此外，所塗布之光阻液黏度為約1.2cp，釋出量僅為0.4cc，釋出時間合計2秒。
塗布結束後，觀察各晶圓W周緣顏色是否出現異常或是塗布有無瑕疵，之後於各晶圓W之塗布面取49個測 量點，於各點測定膜厚，計算各點之厚度平均值(Mean)與厚度之差異範圍(Variation Range)，且製作厚度之分布圖(Thickness Profile)。從上述測定結果可知，於各晶圓W並未見到晶圓周緣之顏色的異常或是塗布瑕疵等，各測量點之平均厚度為約2900Å，厚度之差異範圍為20Å以下，光阻膜非常均勻地形成於晶圓W之表面上。
從上述可知，依據本發明之塗布處理方法，即便光阻液之塗布量非常少之情況，也可將光阻液均勻地塗布於晶圓W之表面全體。
以上雖已參見圖式說明了本發明實施形態以及實施例，惟本發明當然不限定於此。例如，於上述實施形態雖對半導體晶圓進行了塗布處理，然本發明亦可適用於晶圓以外之例如FPD(Flat Panel Display)基板等其他基板。此外，於上述實施形態，雖針對做為黏度5cp以下之處理液而使用了光阻液來說明，但本發明也可使用光阻液塗布用以外之例如抗反射膜、SOG(Spin On Glass)膜、SOD(Spin On Dielectric)膜等膜層形成用或是抗反射膜、液浸曝光保護膜等其他塗布液。此外，於上述實施形態中，晶圓之旋轉速度v3、v5與v2、v4之速度差設定為1000rpm以上，然即便為未達1000rpm，只要可利用速度降低之際的負加速度來均勻地分布光阻液即可。再者，於上述實施形態，晶圓W之最高旋轉速度雖設定在2000~4000rpm範圍內，但晶圓W之最高旋轉速度只要配合所塗布之光阻液黏度、塗布處理單元之構造、性能來適宜設定即可。此外，於上述實施形態，各步驟之處理 時間雖設定在0.1~1.5秒之範圍，然各步驟之處理時間只要配合塗布液體之揮發性來適宜設定即可。
本發明可適用於對半導體晶圓等被處理基板塗布光阻液等處理液之塗布處理方法及塗布處理裝置。
W‧‧‧晶圓
30‧‧‧塗布處理裝置
120‧‧‧外殼
130‧‧‧旋轉夾具
131‧‧‧夾具驅動機構
132‧‧‧杯狀體
133‧‧‧排出管
134‧‧‧排氣管
140‧‧‧軌道軸
141‧‧‧臂
142‧‧‧臂
143‧‧‧第1噴嘴
144‧‧‧噴嘴驅動部
145‧‧‧待機部
146‧‧‧處理液供給源
147‧‧‧供給管
148‧‧‧閥
150‧‧‧第2噴嘴
151‧‧‧噴嘴驅動部
152‧‧‧待機部
153‧‧‧供給源
154‧‧‧供給管
160‧‧‧控制部
S1~S6‧‧‧步驟
P1~P4‧‧‧塗布區域
X,Y‧‧‧軸
H‧‧‧記錄媒體
圖1係顯示以往之塗布處理方法中各步驟之基板旋轉速度之圖。
圖2係進行本發明實施形態之塗布處理方法的塗布處理裝置之概要構造縱截面圖。
圖3係進行本發明實施形態之塗布處理方法之塗布處理裝置之概要構造橫截面圖。
圖4係本發明實施形態之塗布處理方法之順序的流程圖。
圖5係顯示本發明實施形態之塗布處理方法於各步驟之晶圓旋轉速度之圖。
圖6(a)~(e)係表示本發明實施形態之塗布處理方法中各步驟之晶圓表面上塗布狀態之說明圖。(f)係表示塗布瑕疵之說明圖。
圖7係顯示將本發明塗布處理方法適用於晶圓而塗布了光阻液之光阻膜厚度的測定結果。
圖8係顯示習知技術中減速步驟時之光阻液擴展圖案之說明圖。
圖9係顯示本發明實施形態之減速步驟時之光阻液擴展圖案之說明圖。

Claims (11)

  1. 一種塗布處理方法，係將黏度為5cp以下之處理液塗布於基板；其特徵在於包含下述步驟：第1步驟，係在基板以第1速度旋轉之狀態下，自噴嘴將該處理液釋出至基板中心部上，之後將基板之旋轉速度從第1速度提高至第2速度，以該處理液於基板表面形成塗布區域；第2步驟，係將基板之旋轉速度從第2速度提高至第3速度，來擴大該塗布區域；第3步驟，係將基板之旋轉速度從第3速度降低至第4速度來使得該處理液均勻分布；第4步驟，係將基板之旋轉速度從第4速度提高至比第2速度來得快之第5速度，將該塗布區域擴大至基板之周緣部；以及第5步驟，係停止從噴嘴釋出該處理液，並將基板之旋轉速度從第5速度降低至第6速度來使得該處理液均勻分布。
  2. 一種塗布處理方法，係將黏度為5cp以下之處理液塗布於基板；其特徵在於包含下述步驟：使得基板進行旋轉之步驟；以及一邊從噴嘴將處理液釋出至基板上、一邊將基板之旋轉速度從第2速度提高至比該第2速度來得快之第3速度，之後維持從噴嘴將處理液釋出於基板上之狀態下將基板之旋轉速度降低至比第3速度來得慢之第4速度，進而維持從噴嘴將處理液釋出於基板上之狀態下將基板 之旋轉速度提高至比第4速度來得快之第5速度，進而維持從噴嘴將處理液釋出至基板之狀態下將基板之旋轉速度降低至比第5速度來得慢之第6速度之步驟。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之塗布處理方法，係進一步包括第6步驟，係將基板之旋轉速度從第6速度提高至第7速度來移除多餘的處理液，且使得處理液乾燥。
  4. 如申請專利範圍第3項之塗布處理方法，其中該處理液為光阻液。
  5. 如申請專利範圍第4項之塗布處理方法，其中第3速度和第2速度以及第4速度之速度差為1000rpm以上，且第5速度和第2速度以及第4速度之速度差為1000rpm以上。
  6. 如申請專利範圍第5項之塗布處理方法，其中第3速度與第5速度係在2000~4000rpm之範圍。
  7. 如申請專利範圍第6項之塗布處理方法，其中該各步驟之處理時間為0.1~1.5秒。
  8. 一種塗布處理方法，係將黏度為5cp以下之處理液塗布於基板；其特徵在於包含下述步驟：使得基板進行旋轉之步驟；一邊從噴嘴將該處理液釋出至基板上、一邊使得基板之旋轉速度上升之步驟；以及之後，維持該處理液釋出至基板上之狀態下，使得基板之旋轉速度的上升與下降至少反覆2次之步驟。
  9. 如申請專利範圍第8項之塗布處理方法，係進一步包含：從該噴嘴將該處理液釋出至基板上之前，於該 基板上塗布該處理液之溶劑的步驟。
  10. 如申請專利範圍第8項之塗布處理方法，其中該處理液之黏度為2cp以下。
  11. 一種塗布處理裝置，係對基板塗布處理液；其特徵在於具備有：旋轉保持部，係保持基板進行旋轉；噴嘴，係對該基板釋出處理液；以及控制部，係控制該旋轉保持部與該噴嘴之動作，以實施如申請專利範圍第1至7項中任一項之塗布處理方法。
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