TW201303920A - 多層螺旋結構之共模濾波器及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種多層螺旋結構之共模濾波器包含一第一線圈、一第二線圈、一第三線圈，以及一第四線圈。第一線圈與第三線圈串聯，而第二線圈與第四線圈串聯。第二線圈設置於第一線圈與第三線圈之間，而第三線圈設置於第二線圈與第四線圈之間。
Description
本發明係關於一種共模濾波器，特別關於一種積層式共模濾波器及其製造方法。
共模雜訊(common mode noise)是在所有的導線上，均以相同方向傳導的雜訊。為抑制共模雜訊，可在傳導該雜訊的線路上安裝共模濾波器(common mode filter or choke)。傳統上，共模濾波器主要是由鐵芯上繞有相同匝數的兩線圈之組件所構成。當共模電流流經共模濾波器時，兩線圈會產生同向磁場，使共模濾波器表現出高阻抗(impedance)，以達到抑制共模電流的效果。
為因應可攜式電子產品的需求，晶片式共模濾波器被開發出來。美國專利公告號第7,145,427 B2號公開一種晶片式共模濾波器，其包含兩線圈導線層(coil conductor layers)、兩引線電極層(lead-out electrode layers)、複數個絕緣層(insulation layers)和兩磁性層(magnetic layers)。各線圈導線層包含一線圈，兩引線電極層是用於分別將位在兩線圈內之端部延伸至晶片式共模濾波器之邊緣，以利外部電性連接。絕緣層用於電性隔離線圈導線層與引線電極層。線圈導線層、引線電極層和絕緣層則設置於兩磁性層之間。
受限於尺寸大小，前述之晶片式共模濾波器通常難以再藉由調整線圈結構，以顯著提昇共模阻抗(common mode impedance)或控制截止頻率(cut off frequency)。若以增加線圈繞行圈數的方式提昇共模阻抗，則會增大晶片式共模濾波器安裝時所需面積，不利於其應用在可攜式電子產品上。
根據本發明一實施例，一種多層螺旋結構之共模濾波器包含一第一線圈、一第二線圈、一第三線圈，以及一第四線圈。第一線圈與第三線圈串聯，而第二線圈與第四線圈串聯。第二線圈設置於第一線圈與第三線圈之間，而第三線圈設置於第二線圈與第四線圈之間。
根據本發明一實施例，一種多層螺旋結構之共模濾波器之製備方法，包含下列步驟：在一基板上形成一第一線圈，其中該第一線圈包含一內端部與一外端部；形成一第一絕緣層，覆蓋該第一線圈；在該第一絕緣層上形成一第二線圈；形成一第二絕緣層，覆蓋該第二線圈；形成一第一連接孔，暴露該第一線圈之該內端部或該外端部；填充一第一金屬於該第一連接孔，以形成一第一導柱；在該第二絕緣層上形成一第三線圈，該第三線圈包含一內端部與一外端部，其中該第三線圈之該內端部或該外端部耦接該第一導柱；形成一第三絕緣層，覆蓋該第三線圈；形成一第二連接孔，暴露該第二線圈之該內端部或該外端部；填充一第二金屬於該第二連接孔，以形成一第二導柱；以及形成一第四線圈，於該第三絕緣層上，該第四線圈包含一內端部與一外端部，其中該第四線圈之該內端部或該外端部耦接該第二導柱。
上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。
本發明之一方面揭示一種共模濾波器，其包含兩線圈組。各線圈組包含複數串聯線圈，其中相鄰線圈為一絕緣層所相隔開。兩線圈組之線圈以交互方式形成堆疊。當增加線圈組之線圈數目時，可提高共模濾波器之共模阻抗及可有效地控制差模訊號之截止頻率。此外，各線圈組之線圈數目可增加而可不改變共模濾波器所需面積。
圖1顯示本發明一實施例之共模濾波器100之分解示意圖。參照圖1所示，共模濾波器100包含一第一線圈層3、一第二線圈層5、一第三線圈層7和一第四線圈層9，其中第一線圈層3包含一第一線圈31，第二線圈層5包含一第二線圈51，第三線圈層7包含一第三線圈71，以及第四線圈層9包含一第四線圈91。第一線圈31與第三線圈71是串聯連接，而第二線圈51與第四線圈91是串聯連接。第二線圈51設置於第一線圈31和第三線圈71之間；第三線圈71設置於第二線圈51與第四線圈91之間。串聯之第一線圈31與第三線圈71和串聯之第二線圈51與第四線圈91是電磁耦合，從而可藉由串聯之第一線圈31與第三線圈71和串聯之第二線圈51與第四線圈91將共模雜訊消除。
第一線圈31、第二線圈51、第三線圈71和第四線圈91可為如圖1所示之矩形螺旋(rectangular spiral)；但其亦可為其他形狀之螺旋，例如圓形螺旋(circular spiral)等。
在一實施例中，第一線圈31、第二線圈51、第三線圈71和第四線圈91在垂直方向上大部分重疊。
在一實施例中，第一線圈31、第二線圈51、第三線圈71和第四線圈91可繞行相同圈數。
在一實施例中，第一線圈層3、第二線圈層5、第三線圈層7和第四線圈層9可利用真空鍍膜製程(vacuum film formation process)(蒸鍍或濺鍍)或電鍍(plating)製程製作。第一線圈層3、第二線圈層5、第三線圈層7和第四線圈層9之材料可包含銀、鈀、鋁、鉻、鎳、鈦、金、銅、鉑或其合金。
詳言之，共模濾波器100另包含一基板1、一側絕緣層2、一第一絕緣層4、一第二絕緣層6、一第三絕緣層8、一側絕緣層10，以及一基板11。側絕緣層2形成在基板1上。第一線圈層3形成在側絕緣層2上。第一絕緣層4形成於第一線圈層3與第二線圈層5之間，以電性隔離第一線圈層3和第二線圈層5。第二絕緣層6形成於第二線圈層5與第三線圈層7之間，以電性隔離第二線圈層5與第三線圈層7。第三絕緣層8形成於第三線圈層7與第四線圈層9之間，以電性隔離第三線圈層7與第四線圈層9。側絕緣層10覆蓋第四線圈層9。基板11設置於側絕緣層10上。
特而言之，參照圖1與圖2所示，第一線圈31包含一內端部32，第三線圈71包含一內端部72，第一絕緣層4包含一連接孔(contact hole)41，而第二絕緣層6包含一連接孔61，其中連接孔41形成於第一線圈31之內端部32與第三線圈71之內端部72之間，連接孔61亦形成於第一線圈31之內端部32與第三線圈71之內端部72之間，如此第一線圈31和第三線圈71可透過連接孔41和連接孔61電性連接。
再者，共模濾波器100可另包含導柱12，導柱12可穿過連接孔41和連接孔61，連接第一線圈31之內端部32與第三線圈71之內端部72。
第二線圈51包含一內端部52，第四線圈91包含一內端部92，第二絕緣層6可進一步包含一連接孔62，而第三絕緣層8可包含一連接孔81，其中連接孔62和連接孔81形成於第二線圈51之內端部52與第四線圈91之內端部92之間，使得第二線圈51之內端部52與第四線圈91之內端部92可透過連接孔62和連接孔81電性連接。
共模濾波器100可另包含導柱13。導柱13穿過連接孔62和連接孔81，連接第二線圈51之內端部52與第四線圈91之內端部92。
在一實施例中，導柱12和導柱13可利用真空鍍膜製程(vacuum film formation process)(蒸鍍或濺鍍)或電鍍(plating)製程製作。導柱12和導柱13之材料可包含銀、鈀、鋁、鉻、鎳、鈦、金、銅、鉑或其合金。
在一實施例中，側絕緣層2、第一絕緣層4、第二絕緣層6、第三絕緣層8和側絕緣層10等之材料可包含聚醯亞胺(polyimide)、環氧樹脂(epoxy resin)或苯並環丁烯樹脂(BCB)。側絕緣層2、第一絕緣層4、第二絕緣層6、第三絕緣層8和側絕緣層10等之製作方法可包含旋轉塗佈製程、浸漬製程(dipping process)、噴塗製程(spraying process)、網印製程(screen-printing process)或薄膜形成製程(thin film formation process)等。
第一線圈31、第二線圈51、第三線圈71和第四線圈91之每一者之外端部33、53、73或93可延伸連接至一相應電極34、54、74或94。電極34、54、74或94鄰近共模濾波器100之周圍。第一線圈31、第二線圈51、第三線圈71和第四線圈91透過相應電極34、54、74或94，與外部電性連接。
在一實施例中，側絕緣層2之厚度可介於1微米至20微米之間。
在一實施例中，當基板1為絕緣基板時，第一線圈層3可直接形成在基板1；而在此情況下，可無需在基板1上形成側絕緣層2。
在一實施例中，共模濾波器100可另包含一黏著層(未繪示)，該黏著層黏著側絕緣層10與基板11。
圖3顯示本發明另一實施例之共模濾波器300之截面示意圖。參照圖3所示，共模濾波器300包含一基板1、一外絕緣層35、一第一引線層14、一側絕緣層2、一第一線圈層3、一第一絕緣層4、一第二線圈層5、一第二絕緣層6、一第三線圈層7、一第三絕緣層8、一第四線圈層9、一側絕緣層10、一第二引線層15、一外絕緣層36，以及一基板11。
外絕緣層35形成於基板1上。第一引線層14形成於外絕緣層35上。側絕緣層2覆蓋第一引線層14。第一線圈層3形成於側絕緣層2上。第一絕緣層4覆蓋第一線圈層3。第二線圈層5形成於第一絕緣層4上。第二絕緣層6覆蓋第二線圈層5。第三線圈層7形成於第二絕緣層6上。第三絕緣層8覆蓋第三線圈層7。第四線圈層9形成於第三絕緣層8上。側絕緣層10覆蓋第四線圈層9。第二引線層15形成於側絕緣層10上。外絕緣層36覆蓋第二引線層15。基板11設置於外絕緣層36上。
外絕緣層35和36之材料可包含聚醯亞胺、環氧樹脂或苯並環丁烯樹脂，其製作方法可包含旋轉塗佈製程、浸漬製程、噴塗製程、網印製程或薄膜形成製程等。
第一線圈層3包含一第一線圈31，第一線圈31包含一內端部32和一外端部33。第二線圈層5包含一第二線圈51，第二線圈51包含一內端部52和一外端部53。第三線圈層7包含一第三線圈71，第三線圈71包含一內端部72和一外端部73。第四線圈層9包含一第四線圈91，第四線圈91包含一內端部92和一外端部93。
第一絕緣層4包含一連接孔41，第二絕緣層6包含一連接孔61，導柱12穿越連接孔41和連接孔61，連接第一線圈31之內端部32和第三線圈71之內端部72，使得第一線圈31和第三線圈71構成串聯。第二絕緣層6再包含一連接孔63，第三絕緣層8包含一連接孔82，導柱17穿越連接孔63和連接孔82，連接第二線圈51之外端部53與第四線圈91之外端部93，使得第二線圈51與第四線圈91構成串聯。
導柱12和17可利用真空鍍膜製程(vacuum film formation process)(蒸鍍或濺鍍)或電鍍(plating)製程製作。導柱17可包含銀、鈀、鋁、鉻、鎳、鈦、金、銅、鉑或其合金。
第一引線層14包含一引線141。引線141之一端部延伸至共模濾波器300之周圍301，以從事外部電性連接；而引線141之另一端部透過在側絕緣層2和第一絕緣層4上之連接孔，耦接第二線圈51之內端部52。第二引線層15包含一引線151。引線151之一端部延伸至共模濾波器300之周圍301，以從事外部電性連接；而引線151之另一端部透過側絕緣層10之連接孔，連接第四線圈91之內端部92。此外，第一線圈31之外端部33延伸鄰近共模濾波器300之周圍301，連接鄰近共模濾波器300之周圍301之一相應電極。第三線圈71之外端部73亦延伸鄰近共模濾波器300之周圍301，連接鄰近共模濾波器300之周圍301之一相應電極。
第一引線層14、第一線圈層3、第二線圈層5、第三線圈層7、第四線圈層9和第二引線層15之材料可包含銀、鈀、鋁、鉻、鎳、鈦、金、銅、鉑或其合金。此外，第一引線層14、第一線圈層3、第二線圈層5、第三線圈層7、第四線圈層9和第二引線層15可利用真空鍍膜製程(vacuum film formation process)(蒸鍍或濺鍍)或電鍍(plating)製程製作。
除圖3顯示之連接方式外，第一線圈31、第二線圈51、第三線圈71、第四線圈91可有另外一種連接方式。在另一實施例中，第一線圈31之外端部33與第三線圈層7之外端部73耦接，而使第一線圈31與第三線圈層7串聯；第二線圈51之內端部52與第四線圈9之內端部92耦接，而使第二線圈51與第四線圈9串聯。此外，第一線圈31之內端部32和第三線圈71之內端部72分別耦接一引線，以對外電性連接。
圖4顯示本發明另一實施例之共模濾波器400之截面示意圖。參照圖4所示，共模濾波器400包含包含一基板1、一外絕緣層35、一第一引線層14'、一側絕緣層2、一第一線圈層3、一第一絕緣層4、一第二線圈層5、一第二絕緣層6、一第三線圈層7、一第三絕緣層8、一第四線圈層9、一側絕緣層10、一第二引線層15'、一外絕緣層36，以及一基板11。
外絕緣層35形成於基板1上。第一引線層14'形成於外絕緣層35上。側絕緣層2覆蓋第一引線層14'。第一線圈層3形成於側絕緣層2上。第一絕緣層4覆蓋第一線圈層3。第二線圈層5形成於第一絕緣層4上。第二絕緣層6覆蓋第二線圈層5。第三線圈層7形成於第二絕緣層6上。第三絕緣層8覆蓋第三線圈層7。第四線圈層9形成於第三絕緣層8上。側絕緣層10覆蓋第四線圈層9。第二引線層15'形成於側絕緣層10上。外絕緣層36覆蓋第二引線層15'。基板11設置於外絕緣層36上。
第一線圈層3包含一第一線圈31，第一線圈31包含一內端部32和一外端部33。第二線圈層5包含一第二線圈51，第二線圈51包含一內端部52和一外端部53。第三線圈層7包含一第三線圈71，第三線圈71包含一內端部72和一外端部73。第四線圈層9包含一第四線圈91，第四線圈91包含一內端部92和一外端部93。
第一絕緣層4包含一連接孔42，第二絕緣層6包含一連接孔64，導柱18穿過連接孔42和連接孔64，連接第一線圈31之外端部33和第三線圈71之外端部73，使得第一線圈31和第三線圈71構成串聯。第二絕緣層6再包含一連接孔65，第三絕緣層8包含一連接孔83，導柱19穿越連接孔65和連接孔83，連接第二線圈51之外端部53與第四線圈91之外端部93，使得第二線圈51與第四線圈91構成串聯。
導柱18和19可利用真空鍍膜製程(vacuum film formation process)(蒸鍍或濺鍍)或電鍍(plating)製程製作。導柱18和19可包含銀、鈀、鋁、鉻、鎳、鈦、金、銅、鉑或其合金。
第一引線層14'包含兩引線141和142。引線141之一端部延伸至共模濾波器300之周圍301，以從事外部電性連接；而引線141之另一端部透過在側絕緣層2和第一絕緣層4上之連接孔，耦接第二線圈51之內端部52。引線142之一端部延伸至共模濾波器300之周圍301，以從事外部電性連接；而引線142之另一端部透過在側絕緣層2上之連接孔，耦接第一線圈31之內端部32。第二引線層15'包含兩引線151和152。引線151之一端部延伸至共模濾波器300之周圍301，以從事外部電性連接；而引線151之另一端部透過側絕緣層10和第三絕緣層8之連接孔，連接第三線圈71之內端部72。引線152之一端部延伸至共模濾波器300之周圍301，以從事外部電性連接；而引線152之另一端部透過側絕緣層10之連接孔，連接第四線圈91之內端部92。
第一引線層14'、第一線圈層3、第二線圈層5、第三線圈層7、第四線圈層9和第二引線層15'之材料可包含銀、鈀、鋁、鉻、鎳、鈦、金、銅、鉑或其合金。此外，第一引線層14'、第一線圈層3、第二線圈層5、第三線圈層7、第四線圈層9和第二引線層15'可利用真空鍍膜製程(vacuum film formation process)(蒸鍍或濺鍍)或電鍍(plating)製程製作。
圖5顯示本發明另一實施例之共模濾波器500之截面示意圖。參照圖5所示，共模濾波器500包含一第一線圈層3、一第二線圈層5、一第三線圈層7'、一第四線圈層9'、一第五線圈層21、一第六線圈層22、一引線層23和一引線層24。第一線圈層3包含一第一線圈31，第二線圈層5包含一第二線圈51，第三線圈層7'包含一第三線圈71，第四線圈層9'包含一第四線圈91，第五線圈層21包含一第五線圈211，而第六線圈層22包含一第六線圈221。第一線圈層3、第二線圈層5、第三線圈層7'、第四線圈層9'、第五線圈層21和第六線圈層21相疊而設，其中第一線圈31、第三線圈71和第五線圈211是串聯連接；而第二線圈51、第四線圈91和第六線圈221是串聯連接。
詳言之，側絕緣層2形成於基板1上。第一線圈層3形成於側絕緣層2上。第一絕緣層4電性隔離第一線圈層3和第二線圈層5。第二絕緣層6電性隔離第二線圈層5與第三線圈層7'。第三絕緣層8電性隔離第三線圈層7'與第四線圈層9'。第四絕緣層25電性隔離第四線圈層9'與第五線圈層21。第五絕緣層26電性隔離第五線圈層21與第六線圈層22。第六絕緣層27電性隔離第六線圈層22與引線層23。第七絕緣層28電性隔離引線層23與引線層24。側絕緣層10覆蓋引線層24。基板11設置於引線層24上。
導柱12穿過第一絕緣層4之連接孔41和第二絕緣層6之連接孔61，連接第一線圈31之內端部32與第三線圈71之內端部72。第一線圈31之外端部33連接一電極34。
導柱13穿過第二絕緣層6之連接孔62和第三絕緣層8之連接孔81，連接第二線圈51之內端部52和第四線圈91之內端部92。第二線圈51之外端部53連接電極54。
導柱75穿過第三絕緣層8之連接孔82和第四絕緣層25之連接孔252，連接第三線圈71之外端部73和第五線圈211之外端部213。
導柱95穿過第四絕緣層25之連接孔251和第五絕緣層26之連接孔261，連接第四線圈91之外端部93和第六線圈221之外端部223。
導柱214穿過第五絕緣層26之連接孔262和第六絕緣層27之連接孔271，連接第五線圈211之內端部212和引線層23之引線231之一端。引線231另一端連接一電極。
導柱224穿過第六絕緣層27之連接孔272和第七絕緣層28之連接孔281，連接第六線圈221之內端部222和引線層24之引線241之一端。引線241之另一端連接一電極。
第一線圈層3、第二線圈層5、第三線圈層7'、第四線圈層9'、第五線圈層21、第六線圈層22、引線層23和引線層24等之材料可包含銀、鈀、鋁、鉻、鎳、鈦、金、銅、鉑或其合金，其可利用真空鍍膜製程(vacuum film formation process)(蒸鍍或濺鍍)或電鍍(plating)製程製作。
導柱12、13、75、95、214和224之材料可包含銀、鈀、鋁、鉻、鎳、鈦、金、銅、鉑或其合金，其可利用真空鍍膜製程(vacuum film formation process)(蒸鍍或濺鍍)或電鍍(plating)製程製作。
側絕緣層2、第一絕緣層4、第二絕緣層6、第三絕緣層8、側絕緣層10、第四絕緣層25、第五絕緣層26、第六絕緣層27和第七絕緣層28之材料包含聚醯亞胺、環氧樹脂或苯並環丁烯樹脂，其製作方法可包含旋轉塗佈製程、浸漬製程、噴塗製程、網印製程或薄膜形成製程等。
圖6至圖10係截面示意圖，其顯示本發明一實施例之共模濾波器100之製程流程。參照圖6所示，在一基板1上形成一側絕緣層2。側絕緣層2之材料可包含高分子材料，其包括聚醯亞胺、環氧樹脂或苯並環丁烯樹脂。側絕緣層2之製作方法可包含旋轉塗佈製程、浸漬製程、噴塗製程、網印製程或薄膜形成製程等。
參照圖1和圖6所示，在側絕緣層2上形成一第一線圈層3，其中第一線圈層3包含一第一線圈31和一電極34(圖1)，其中第一線圈31之外端部33連接電極34(圖1)。第一線圈層3之材料包含金屬，其包括銀、鈀、鋁、鉻、鎳、鈦、金、銅、鉑或其合金。第一線圈層3之金屬材料可利用真空鍍膜製程(vacuum film formation process)(蒸鍍或濺鍍)或電鍍製程等沉積。第一線圈層3之圖案化則可利用微影蝕刻製程。
特別地，第一線圈31可利用框鍍製程(frame plating process)來形成。框鍍製程首先先形成一電極層(electrode layer)在側絕緣層2上。電極層可利用濺鍍或蒸鍍製程形成。鉻(chromium)膜或鈦(titanium)膜可形成在電極層下，以增進黏著度。接著，利用微影製程，形成一具線圈圖案之光阻層。接著，進行電鍍製程，以形成一電鍍層。之後，再將光阻層剝離(peel off)。然後，以蝕刻製程將電極層移除，即可形成第一線圈31。
然後形成一第一絕緣層4，覆蓋第一線圈層3。第一絕緣層4可包含高分子材料，其包括聚醯亞胺、環氧樹脂或苯並環丁烯樹脂。第一絕緣層4之製作方法可包含旋轉塗佈製程、浸漬製程、噴塗製程、網印製程或薄膜形成製程等。
參照圖1和圖7所示，在第一絕緣層4上形成一第二線圈層5，其中第二線圈層5包含一第二線圈51和一電極74(圖1)，其中第二線圈51之外端部53連接電極54(圖1)。第二線圈層5之材料包含金屬，其包括銀、鈀、鋁、鉻、鎳、鈦、金、銅、鉑或其合金。第二線圈層5之金屬材料可利用真空鍍膜製程(vacuum film formation process)(蒸鍍或濺鍍)或電鍍製程等沉積。第二線圈層5之圖案化則可利用微影蝕刻製程。在一實施例中，第二線圈51亦可用前述之框鍍製程製作。
然後，形成一第二絕緣層6，覆蓋第二線圈層5。第二絕緣層6可包含高分子材料，其包括聚醯亞胺、環氧樹脂或苯並環丁烯樹脂。第二絕緣層6之製作方法可包含旋轉塗佈製程、浸漬製程、噴塗製程、網印製程或薄膜形成製程等。
參照圖1和圖8所示，在第一線圈31之內端部32上，利用微影蝕刻製程形成連接孔41和61，暴露第一線圈31之內端部32。然後，利用真空鍍膜製程(vacuum film formation process)(蒸鍍或濺鍍)或電鍍製程等在連接孔41和61內沉積金屬，以形成導柱12。
接著，在第二絕緣層6上形成一第三線圈層7。第三線圈層7包含一第三線圈71和一電極74(圖1)，其中第三線圈71之外端部73連接電極74(圖1)，而第三線圈71之內端部72連接導柱12。第三線圈層7之材料包含金屬，其包括銀、鈀、鋁、鉻、鎳、鈦、金、銅、鉑或其合金。第三線圈層7之金屬材料可利用真空鍍膜製程(vacuum film formation process)(蒸鍍或濺鍍)或電鍍製程等沉積。第三線圈層7之圖案化則可利用微影蝕刻製程。在一實施例中，第三線圈71亦可用前述之框鍍製程製作。
參照圖9所示，形成第三絕緣層8，覆蓋第三線圈層7。第三絕緣層8可包含高分子材料，其包括聚醯亞胺、環氧樹脂或苯並環丁烯樹脂。第三絕緣層8之製作方法可包含旋轉塗佈製程、浸漬製程、噴塗製程、網印製程或薄膜形成製程等。
接著，利用微影蝕刻製程形成連接孔62和81，暴露第二線圈51之內端部52。然後，利用真空鍍膜製程(vacuum film formation process)(蒸鍍或濺鍍)或電鍍製程等在連接孔62和81內沉積金屬，以形成導柱13。
參照圖1和圖9所示，在第三絕緣層8上，形成第四線圈層9。第四線圈層9包含一第四線圈91和一電極94(圖1)，其中第四線圈91之外端部93連接電極94(圖1)，而第四線圈91之內端部92連接導柱13。第四線圈層9之材料包含金屬，其包括銀、鈀、鋁、鉻、鎳、鈦、金、銅、鉑或其合金。第四線圈層9之金屬材料可利用真空鍍膜製程(vacuum film formation process)(蒸鍍或濺鍍)或電鍍製程等沉積。第四線圈層9之圖案化則可利用微影蝕刻製程。在一實施例中，第四線圈91亦可用前述之框鍍製程製作。
參照圖10所示，形成一側絕緣層10，覆蓋第四線圈層9。然後，在第四線圈層9上設置一基板11，如此便完成共模濾波器100。
本案其他實施例之共模濾波器亦可利用圖6至圖10所示之製作步驟來完成，故其詳細製程不再贅述。
圖11顯示本發明一實施例之共模濾波器之阻抗值(impedance)與頻率(frequency)之關係曲線。圖12顯示習知之共模濾波器之阻抗與頻率之關係曲線。比較圖11與圖12所示之曲線可發現，本發明一實施例之共模濾波器具有較高的最大阻抗值，以及在相同的阻抗值下，具有較寬的頻寬。因此，具多層螺旋結構之共模濾波器確實具有較傳統共模濾波器為佳之性能表現。
本揭露之技術內容及技術特點已揭示如上，然而本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，在不背離後附申請專利範圍所界定之本揭露精神和範圍內，本揭露之教示及揭示可作種種之替換及修飾。例如，上文揭示之許多製程可以不同之方法實施或以其它製程予以取代，或者採用上述二種方式之組合。
此外，本案之權利範圍並不侷限於上文揭示之特定實施例的製程、機台、製造、物質之成份、裝置、方法或步驟。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，基於本揭露教示及揭示製程、機台、製造、物質之成份、裝置、方法或步驟，無論現在已存在或日後開發者，其與本案實施例揭示者係以實質相同的方式執行實質相同的功能，而達到實質相同的結果，亦可使用於本揭露。因此，以下之申請專利範圍係用以涵蓋用以此類製程、機台、製造、物質之成份、裝置、方法或步驟。
1．．．基板
2．．．側絕緣層
3．．．第一線圈層
4．．．第一絕緣層
5．．．第二線圈層
6．．．第二絕緣層
7、7'．．．第三線圈層
8．．．第三絕緣層
9、9'．．．第四線圈層
10．．．側絕緣層
11．．．基板
12．．．導柱
13．．．導柱
14、14'．．．第一引線層
15、15'．．．第二引線層
17．．．導柱
18．．．導柱
19．．．導柱
21．．．第五線圈層
22．．．第六線圈層
23．．．引線層
24．．．引線層
25．．．第四絕緣層
26．．．第五絕緣層
27．．．第六絕緣層
28．．．第七絕緣層
31．．．第一線圈
32．．．內端部
33．．．外端部
34．．．電極
35．．．外絕緣層
36．．．外絕緣層
41．．．連接孔
42．．．連接孔
51．．．第二線圈
52．．．內端部
53．．．外端部
54．．．電極
61．．．連接孔
62．．．連接孔
63．．．連接孔
64．．．連接孔
65．．．連接孔
71．．．第三線圈
72．．．內端部
73．．．外端部
74．．．電極
75．．．導柱
81．．．連接孔
82．．．連接孔
83．．．連接孔
91．．．第四線圈
92．．．內端部
93．．．外端部
94．．．電極
95．．．導柱
100．．．共模濾波器
141．．．引線
142．．．引線
151．．．引線
152．．．引線
211．．．第五線圈
212．．．內端部
213．．．外端部
214．．．導柱
221．．．第六線圈
222．．．內端部
223．．．外端部
224．．．導柱
231．．．引線
241．．．引線
251．．．連接孔
252．．．連接孔
261．．．連接孔
262．．．連接孔
271．．．連接孔
272．．．連接孔
281．．．連接孔
300．．．共模濾波器
301．．．周圍
400．．．共模濾波器
500．．．共模濾波器
圖1顯示本發明一實施例之共模濾波器之分解示意圖；
圖2顯示圖1之共模濾波器之截面示意圖；
圖3顯示本發明另一實施例之共模濾波器之截面示意圖；
圖4顯示本發明另一實施例之共模濾波器之截面示意圖；
圖5顯示本發明另一實施例之共模濾波器之截面示意圖；
圖6至圖10係截面示意圖，其顯示圖1實施例之共模濾波器之製程流程；
圖11顯示本發明一實施例之共模濾波器之阻抗值與頻率之關係曲線；以及
圖12顯示習知之共模濾波器之阻抗與頻率之關係曲線。
1．．．基板
2．．．側絕緣層
3．．．第一線圈層
4．．．第一絕緣層
5．．．第二線圈層
6．．．第二絕緣層
7．．．第三線圈層
8．．．第三絕緣層
9．．．第四線圈層
10．．．側絕緣層
11．．．基板
12．．．導柱
13．．．導柱
31．．．第一線圈
32．．．內端部
33．．．外端部
34．．．電極
41．．．連接孔
51．．．第二線圈
52．．．內端部
53．．．外端部
54．．．電極
61．．．連接孔
62．．．連接孔
71．．．第三線圈
72．．．內端部
73．．．外端部
74．．．電極
81．．．連接孔
91．．．第四線圈
92．．．內端部
93．．．外端部
94．．．電極
100．．．共模濾波器
Claims (16)
- 一種多層螺旋結構之共模濾波器，包含：一第一線圈；一第二線圈；一第三線圈，與該第一線圈串聯，其中該第二線圈設置於該第一線圈與該第三線圈之間；以及一第四線圈，與該第二線圈串聯，其中該第三線圈設置於該第二線圈與該第四線圈之間。
- 根據請求項1所述之多層螺旋結構之共模濾波器，其中該第一線圈之內端部與該第三線圈之內端部耦接；該第二線圈之內端部與該第四線圈之內端部是耦接。
- 根據請求項2所述之多層螺旋結構之共模濾波器，其中該第一線圈之外端部、該第二線圈之外端部、該第三線圈之外端部，以及該第四線圈之外端部鄰近該共模濾波器之周圍。
- 根據請求項2所述之多層螺旋結構之共模濾波器，更包含：一第一絕緣層，隔離該第一線圈與該第二線圈，包含一連接孔，其中該第一絕緣層之該連接孔形成於該第一線圈之該內端部與該第三線圈之該內端部之間；一第二絕緣層，隔離該第二線圈與該第三線圈，包含一第一連接孔與一第二連接孔，其中該第一連接孔形成於該第一線圈之該內端部與該第三線圈之該內端部之間，該第二連接孔形成於該第二線圈之該內端部與該第四線圈之該內端部之間；以及一第三絕緣層，隔離該第三線圈與該第四線圈，包含一連接孔，其中該第三絕緣層之該連接孔形成於該第二線圈之該內端部與該第四線圈之該內端部之間。
- 根據請求項1所述之多層螺旋結構之共模濾波器，其中該第一線圈之內端部與該第三線圈之內端部耦接；該第二線圈之外端部與該第四線圈之外端部耦接。
- 根據請求項5所述之多層螺旋結構之共模濾波器，更包含一第一引線及一第二引線，其中該第一引線之一第一端部連接該第二線圈之內端部，該第一引線之一第二端部鄰近該共模濾波器之周圍；該第二引線之一第一端部連接該第四線圈之內端部，該第二引線之一第二端部鄰近該共模濾波器之周圍。
- 根據請求項6所述之多層螺旋結構之共模濾波器，更包含：一第一絕緣層，隔離該第一線圈與該第二線圈，包含一第一連接孔與一第二連接孔，其中該第一絕緣層之該第一連接孔形成於該第一線圈之該內端部與該第三線圈之該內端部之間，該第一絕緣層之該第二連接孔形成於該第二線圈之該內端部與該第一引線之該第一端部之間；一第二絕緣層，隔離該第二線圈與該第三線圈，包含一第一連接孔和一第二連接孔，其中該第二絕緣層之該第一連接孔形成於該第一線圈之該內端部與該第三線圈之該內端部之間，該第二絕緣層之該第二連接孔形成於該第二線圈之該外端部與該第四線圈之該外端部之間；以及一第三絕緣層，隔離該第三線圈與該第四線圈，包含一連接孔，其中該第三絕緣層之該連接孔形成於該第二線圈之該外端部與該第四線圈之該外端部之間。
- 根據請求項1所述之多層螺旋結構之共模濾波器，其中該第一線圈之外端部與該第三線圈之外端部耦接；該第二線圈之外端部與該第四線圈之外端部是耦接。
- 根據請求項8所述之多層螺旋結構之共模濾波器，更包含：一第一引線，具一端部，其中該第一引線之該端部耦接該第二線圈之內端部；以及一第二引線，具一端部，其中該第二引線之該端部耦接該第三線圈之內端部。
- 根據請求項9所述之多層螺旋結構之共模濾波器，更包含：一第一絕緣層，隔離該第一線圈與該第二線圈，包含一第一連接孔與一第二連接孔，其中該第一絕緣層之該第一連接孔形成於該第一線圈之該外端部與該第三線圈之該外端部之間，該第一絕緣層之該第二連接孔形成於該第二線圈之該內端部與該第一引線之該端部之間；一第二絕緣層，隔離該第二線圈與該第三線圈，包含一第一連接孔與一第二連接孔，其中該第二絕緣層之該第一連接孔形成於該第一線圈之該外端部與該第三線圈之該外端部之間，該第二絕緣層之該第二連接孔形成於該第二線圈之該外端部與該第四線圈之該外端部之間；以及一第三絕緣層，隔離該第二線圈與該第四線圈，包含一第一連接孔與一第二連接孔，其中該第三絕緣層之該第一連接孔形成於該第二線圈之該外端部與該第四線圈之該外端部之間，該第三絕緣層之該第二連接孔形成於該第三線圈之該內端部與該第二引線之該端部之間。
- 一種多層螺旋結構之共模濾波器之製備方法，包含下列步驟：在一基板上形成一第一線圈，其中該第一線圈包含一內端部與一外端部；形成一第一絕緣層，覆蓋該第一線圈；在該第一絕緣層上形成一第二線圈；形成一第二絕緣層，覆蓋該第二線圈；形成一第一連接孔，暴露該第一線圈之該內端部或該外端部；填充一第一金屬於該第一連接孔，以形成一第一導柱；在該第二絕緣層上形成一第三線圈，該第三線圈包含一內端部與一外端部，其中該第三線圈之該內端部或該外端部耦接該第一導柱；形成一第三絕緣層，覆蓋該第三線圈；形成一第二連接孔，暴露該第二線圈之該內端部或該外端部；填充一第二金屬於該第二連接孔，以形成一第二導柱；以及形成一第四線圈，於該第三絕緣層上，該第四線圈包含一內端部與一外端部，其中該第四線圈之該內端部或該外端部耦接該第二導柱。
- 根據請求項11所述之製備方法，其中該第一絕緣層、該第二絕緣層或該第三絕緣層包含聚醯亞胺、環氧樹脂或苯並環丁烯樹脂。
- 根據請求項11所述之製備方法，其中該第一線圈、該第二線圈、該第三線圈或該第四線圈包含銀、鈀、鋁、鉻、鎳、鈦、金、銅、鉑或其合金。
- 根據請求項11所述之製備方法，其中該第一金屬或該第二金屬包含銀、鈀、鋁、鉻、鎳、鈦、金、銅、鉑或其合金。
- 根據請求項11所述之製備方法，其中形成一第一絕緣層之步驟、形成一第二絕緣層之步驟或形成一第三絕緣層之步驟包含旋轉塗佈製程、浸漬製程、噴塗製程、網印製程或薄膜形成製程。
- 根據請求項11所述之製備方法，其中形成一第一線圈之步驟、形成一第二線圈之步驟或形成一第三線圈之步驟包含蒸鍍、濺鍍或電鍍製程。
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