TW201250396A - Exposure apparatus, exposure method, device fabricating method, program and storage medium - Google Patents

Description

201250396 , 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、 程式及記錄媒體。 本申請案主張2011年4月6日申請之日本專利申請第 201 1 - 084704號、2011年6月8曰申請之曰本專利申請第 201 1 — 1285 19號及2012年2月15曰申請之美國專利暫時 申請第61/ 599,137號之優先權。 【先前技術】 於半導體元件、電子元件等微元件之製程中，係使用 例如下述專利文獻所揭示之透過液體以曝光用光使基板曝 光之液浸曝光裝置。曝光裝置具備可保持基板移動之基板 載台，使保持於該基板載台之基板曝光。 先行技術文獻 [專利文獻1]美國專利申請公開第2006/ 0132737號 【發明内容】 發明欲解決之課題 液浸曝光裝置中，例如當液體之温度或基板載台之溫 度變化時’即有可能發生曝光不良。其結果，有可能產生 不良元件。 本發明態樣之目的’在提供一種能抑制曝光不良之發 生之曝光裝置及曝光方法《又，本發明態樣之另—目的， 201250396 在提供一種能抑制不良元件之產生之元件製造方法、程式 及記錄媒體。 用以解決課題之手段 本發明第1態樣，提供一種曝光裝置，係透過液體以 曝光用光使基板曝光，具備：具有射出曝光用光之射出面 的光學構件，具有將基板之下面保持成可釋放之第丨保持 部、用以規定可配置基板之開口且在基板被保持於第〖保 持部之狀態下配置在基板上面之周圍之第1面、以及連通 至基板之上面與第丨面間之間隙之第丨空間部的基板保持 裝置；在光學構件與基板之上面及第丨面中之至少一方之 間以液體形成有液浸^ ^之狀態下’使基板保持裝置移動 的驅動裝置；用以吸引帛1空間部之流體的吸引口；以及 將在實施基板之曝光之帛"月間之至少一部分中之吸引口 之吸引力，控制成較未實施基板之曝光之帛2期間中之吸 引口之吸引力小的控制裝置。 本發明第2態樣，提供—種曝光裝置，係透過液體以 曝光用光使基板曝光，具備：光學構件，纟有射出該曝光 用光之射出面；基板保持裝i，具有將該基板保持成可釋 放之第1保持部；腔室構件，形成至少配置該光學構件及 該基板保持裝置之空間·办嘴έ 體之… U系統，具有對該空間供應氣 體之供氣部，用以調整該空間 音竑吁盆4 之衣^，以及抑制機構，在 貫施该基板之曝光之第1期間之至小^ .. 供廄裔舻如^ 之至y 一部分中從該供氣部 供，體，在不實施該基板之曝光之帛2期間之至 为中抑制來自該供氣部之氣體 既體之至少—部分被供應至該基 201250396 板保持裝置。 本發明第3態樣，提供—種 4里嗶允裝置，係透過液體以 曝光用光使基板曝光，具備：光學 m, A 予構件，具有射出該曝光 用光之射出面；基板保持裝置，且 一有將该基板之下面保持 成可釋放之第1保持部、用以規 疋ΊΓ配置該基板之開口在 該基板被保持於該第1保持部 狀態下配置在該基板之上 面周圍之第1面、該基板之側 叫】對向之第2面、及連通 至該基板之上面與該第1面間之間隙之第丨空間部；以及 吸引口 ’用以吸引該第1空間部之流體；該第2面對該液 體之接觸角較該基板側面之接觸角小。 本發明第4態樣，提供—種眼本^里 〆 植曝忐裝置，係透過液體以 曝光用光使基板曝光，具備：光學 尤子構件，具有射出該曝光 用光之射出面；第1保持部，蔣呼萁 將》亥基板之下面保持成可釋 放；第！面，用以規定可配置該基板之開口，在該基板被 保持於該帛1保持部之狀態下配置在該基板之上面周圍； 第1空間部，連通至該基板之上面與該第i面間之間隙； 多孔構件，配置於該第i空間部；以及第2面，至少一部 分係面向多孔構件之上面，相對該開σ之中心朝向外側向 下方傾斜；形成在該光學構件與該基板之上面及該第丨面 之至少一方之間、透過該間隙流入該第丨空間部之該第2 面與該多孔構件之上面之間之液浸空間之液體的至少一部 分’係透過該多孔構件之孔加以回收。 本發明帛5 ‘態樣’提供一種曝光裝置，係透過液體以 曝光用光使基板曝光，具備：光學構件，具有射出該曝光 201250396 用光之射出面，第丨保持部，將該基板之下面保持成可釋 放；第1面，規定可配置該基板之開口，在該基板被保持 於S亥第1保持部之狀態下配置在該基板之上面周圍；第丄 空間部，連通於該基板之上面與該第1面間之間隙；多孔 構件，配置在該第i空間部；第2面，至少一部分係面向 該基板之側面，相對該開口之中心朝向外側向上方傾斜； 以及第3面’朝向該第丨面之相反方向，至少一部分係面 向该多孔構件之上面；形成在該光學構件與該基板之上 面、β亥第1面及該第2面中之至少一者之間，透過該間隙 流入該第1空間部之該第3面與該多孔構件之上面之間之 液浸空間之液體之至少一部，係透過該多孔構件之孔加以 回收。 本發明第6態樣，提供一種曝光裝置，係透過液體以 曝光用光使基板曝光，具備：光學構件，具有射出該曝光 用光之射出面；基板保持裝置，具有將該基板之下面保持 成可釋放之第1保持部、規定可配置該基板之開口且在該 基板被保持於該第1保持部之狀態下配置在該基板之上面 周圍之第1面、以及連通至該基板之上面與該帛i面間之 間隙之第1空間部；以及多孔構件，配置在該第i空間部， 具有面向该間隙之上面，並具有用以吸引該第1空間部之 流體之孔’該多孔構件之上面對該液體之接觸角較該基板 之上面之接觸角大。 本發明帛7 1樣，提供一種曝光裝置，係透過液體以 曝光用光使基板曝《’具備：光學構件，具有射出該曝光 201250396 用光之射出面；基板保持裝置，具有將該基板之下面保持 成可釋玫之第1保持部、規定可配置該基板之開口且在該 基板被保持於該第1保持部之狀態下配置在該基板之上面 周圍之第1面、以及連通至該基板之上面與該第i面間之 門隙之第1空間部，多孔構件，配置於該第1空間部，具 有面向該間隙之上面，具有吸引該第丨空間部之流體之孔； 以及撥液構件，配置在該上面之至少一料，具有對該液 體之接觸角較該基板之上面大之表面。 本發明第8態樣，提供一種曝光裝置，係透過液體以 曝光用光使基板曝光’具備：光學構件，具有射出該曝光 用光之射出面；基板保持裝置，具有將該基板之下面保持 成可釋放之第1保持部、規定可配置該基板之開口且在該 基板破保持於該第1保持部之狀態下配置在該基板之上面 周圍之第1面、以及連通於該基板之上面與該第i面間之 間隙之第1空間部；第i多孔構件，配置於該第i空間部， 具有吸引該第1空間部之流體之第丨孔；以及第2多孔構 件，於該第丨多孔構件之上面配置成面向該間隙，具有較 該第1孔小之第2孔。 本發明第9態樣，提供一種曝光裝置，係透過液體以 曝光用光使基板曝具備：光學構件，具有射出該曝光 用光之射出面；基板保持裝置，具有將該基板之下面保持 成可釋放之第1保持部、規^可配置該基板之開口且在該 基板被保持於該第1保持部之狀態下配置在該基板之上面 周圍之第1面、以及連通於該基板之上面與該第丨面間之 201250396 間隙之第1空間部；多孔椹杜 x 夕孔構件’配置於該帛1空間部，具 有吸引s玄第1空間部之流體夕^丨. "•體之孔，以及金屬線構件，以至 少一部分與該多孔構件接觸 卞按觸之方式配置於該間隙。 本發明第10態樣，提供_接也，# ’、種曝光裝置’係透過液體以 曝光用光使基板曝光，具储· * 、備.先學構件，具有射出該曝光 用光之射出面；第1構件，且古卢ή 千八有在與該射出面之間形成該 液體之液浸空間之第丨_ “门之第1上面’可移動至來自該射出面之該 曝光用光考照射到之照射位署· _ 4置，以及第2構件，與該第1 上面隔者間隙配置，具有為盘兮& 、 、有在與遠射出面之間形成該液體之 液浸空間之第2上面，可輿琴笛丨 J興《玄第1構件一起移動至該照射 位置；與該第2構件對向之該第i構件之帛i側面及與該 第1構件對向之該第2構件之第2側面中之至少一方，係 相對該第1構件之中心朝向外側向上方傾斜。 本發月第11態樣’提供—種曝光裝置，係透過液體以 曝光用光使基板曝光’具備：光學構件，卩有射出該曝光

以之射出面；第丨構件，具有在與該射出面之間形成該 液體之液浸空pq $笛*1 P ^ 1之第 上面，可移動至來自該射出面之該 ' 光考照射到之照射位置；以及第2構件，與該第1 隔著間隙配置，具有在與該射出面之間形成該液體之 液浸空間之·^ 〈第2上面，可與該第1構件一起移動至該照射 置，與δ亥第2構件對向之該第丨構件之第1側面及與該 構件對向之該第2構件之第2側面中之至少一方，係 相對遠第1構件之中心朝向外側向下方傾斜。 本發明第12態樣，提供一種曝光裝置，係透過液體以 10 201250396 曝光用光使基板曝光，具備：光學構件，具有射出該曝光 用光之射出面；第"冓件，具有第i上面；以及第2構件， 具有第2上面；該第α件與該第2構件可在該第ι上面 與該第2上面透過間隙並置之狀態下，往形成在該射出面 側之液浸空間形成於該間隙上之位置移動；與該第2構件 對向之該第1構件之第i側面，包含朝向該第2構件延伸 於上方之斜面。 本發明第13態樣，提供一種元件製造方法，包含：使 用刖述第1〜第12態樣中任一態樣之曝光裝置使基板曝光 之動作；以及使曝光後之基板顯影之動作。 本發明第14態樣，提供一種曝光方法，係透過液體以 曝光用光使基板曝光，包含：在具有射出該曝光用光之射 出面的光學構件與具有將該基板之下面保持成可釋放之第 1保持部、規定可配置該基板之開口且在該基板被保持於該 第1保持部之狀態下配置在該基板之上面周圍之第1面、 以及具有連通至該基板之上面與該第1面間之間隙之第1 空間部的基板保持裝置之該第丨面與該基板之上面之至少 一方之間’在以該液體形成有液浸空間之狀態下一邊移動 S玄基板保持裝置、一邊實施該基板之曝光之動作；在實施 該基板之曝光之第1期間之至少一部分中，從吸引口以第1 吸引力吸引第1空間部之流體之動作；以及在未實施該基 板之曝光之第2期間中，從該吸引口以較該第1吸引力大 之第2吸引力吸引該第1空間部之流體之動作。 本發明第1 5態樣，提供一種曝光方法，係透過液體以 201250396 曝光用光使基板曝光’包含：在具有射出該曝光用光之射 出面之光學構件、與被保持於基板保持裝置之第1保持部 之基板之間以該液體形成有液浸空間之狀態下，實施該基 板之曝光之動作；在實施該基板之曝光之第1期間之至少 一部分中’對配置該光學構件及該基板保持裝置之空間從 空調系統之供氣部供應氣體，以調整該空間之環境之動 作；以及在未實施該基板之曝光之第2期間之至少一部分 中’實施抑制來自該供氣部之氣體之至少一部分被供應至 該基板保持裝置之處理的動作。 本發明第1 6態樣，提供一種曝光方法，係透過液體以 曝光用光使基板曝光，包含：在具有射出該曝光用光之射 出面之光學構件與具有將該基板之下面保持成可釋放之第 1保持部、用以規定可配置該基板之開口且在該基板被保持 於該第1保持部之狀態下配置在該基板之上面周圍之第^ 面、該基板之側面與之對向且對該液體之接觸角較該基板 之側面小之第2面、及連通至該基板之上面與該第i面間 之間隙之第1空間部的基板保持裝置之該第1面與該基板 之上面中至少-方之間’以該液體形成有液浸空間之狀態 下’實施該基板之曝光之動作；在實施該基板之曝光之第二 期間之至少一部分中’從吸引口吸引第1空間部之流體之 動作，以及在未實施該基板之曝光之第2期間之至少—邹 中，在該第1保持部保持物體之狀態下，從該吸引° 流體之動作。 Θ以 本發明第17態樣，提供—種曝光方法，係透過液體以 12 201250396 曝光用光使基板曝光，包含：在具有射出該曝光用光之射 出面之光學構件與具有將該基板之下面保#成可釋放之第 1保持部、用以規定可配置該基板之開口且在該基板被保持 於該第Η 呆持部之狀態下配置在該基板之上面周圍之第丨 面、該基板之側面對向之第2面、及連通至該基板之上面 與忒第1面間之間隙之第丨空間部的基板保持裝置之該第i 面與該基板之上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸 空間之狀態下，實施該基板之曝光之動作；在實施該基板 之曝光之第1期間之至少一部分中，從吸引口吸引第丨空 間部之流體之動作；以及在未實施該基板之曝光之第2期 間之至少一部中，在該光學構件與該第丨面及被保持於該 第1保持部之物體之上面之間以該液體形成有液浸空間之 狀態下，從該吸引口吸引該第1空間部之流體之動作。 本發明第1 8態樣，提供一種曝光方法，係透過液體以 曝光用光使基板曝光，包含：在具有射出該曝光用光之射 出面之光學構件與被保持於將該基板之下面保持成可釋放 之第1保持部之該基板之上面、及用以規定可配置該基板 之開口且在該基板被保持於該第1保持部之狀態下配置在 該基板之上面周圍之第1面之至少一方之間，以該液體形 成有液浸空間之狀態下，使該基板曝光之動作；以及將透 過該基板之上面與該第1面間之間隙流入配置在連通於該 間隙之第1空間部之多孔構件上面與至少部分面向多孔構 件之上面且相對該開口之中心朝外側向下方傾斜之第2面 之間的該液浸空間之液體之至少一部分，透過該多孔構件 13 201250396 之孔加以回收之動作。 "本發明第19態樣，提供一種曝光方法，係透過液體以 曝光用光使基板曝光，包含：在具有射出該曝光用光之射 出面之光學構件與被保持在將該基板之下面保持成可釋放 之第1保持部之該基板之上面、用以規定可配置該基板之 開口且在該基板被保持於該帛i保持部之狀態下配置在該 基板之上面周圍之第1面、以及至少部分面向該基板之側 面且相對該開口之中心朝向外側向上方傾斜之第2面中的 至少一個之間，在以該液體形成有液浸空間之狀態下，使 該基板曝光之動作；以及將透過該基板之上面與該第1面 間之間隙流入配置在連通於該間隙之第丨空間部之多孔構 件之上面與朝向該第1面之相反方向、至少部分面向多孔 構件之上面之第3面間的該液浸空間之液體之至少一部 分’透過該多孔構件之孔加以回收之動作。 本發明第2 0態樣，提供一種曝光方法，係透過液體以 曝光用光使基板曝光，包含：在具有射出該曝光用光之射 出面之光學構件與被保持在將該基板之下面保持成可釋放 之第1保持部之該基板之上面之間，在以該液體形成有液 /文空間之狀態下，使該基板曝光之動作；在可移動至來自 該射出面之該曝光用光可照射之照射位置之第1構件之第i 上面及與該第i上面隔著間隙配置且能與該第丨構件一起 移動至該照射位置之第2構件之第2上面中之至少一方、 與該射出面之間形成該液浸空間之動作；以及與該第2構 件對向之該第1構件之第1側面及與該第1構件對向之該 201250396 第2構件之第2側面中之至少一方，係相對該第丨構件之 中心朝外側向上方傾斜。 本發明第2 1態樣，提供一種曝光方法，係透過液體以 曝光用光使基板曝光，包含：在具有射出該曝光用光之射 出面之光學構件與被保持在將該基板之下面保持成可釋放 之第1保持部之該基板之上面之間，在以該液體形成有液 浸空間之狀態下，使該基板曝光之動作；在可移動至來自 該射出面之該曝光用光可照射之照射位置之第丨構件之第1 上面及與該第1上面隔著間隙配置且能與該第i構件一起 移動至該照射位置之第2構件之第2上面中之至少一方、 與該射出面之間形成該液浸空間之動作；以及與該第2構 件對向之該第丨構件之第i側面及與該第丨構件對向之該 第2構件之第2側面中之至少一方，係相對該第】構件之 中心朝外側向下方傾斜。 本發明第22態樣，提供一種元件製造方法，包含：使 用前述第〜第21態樣中任一態樣之曝光方法使基板曝光 之動作；以及使曝光後之該基板顯影之動作。 本發明第23態樣，提供一種程式，係使電腦實施透過 液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置之控制，其使之實 施在具有射出該曝光用光之射出面的光學構件與具有將 該基板之下面保持成可釋放之第丨保持部、規定可配置該 基板之開口且在該基板被保持於該第丨保持部之狀態下配 置在該基板之上面周圍之第丨面、以及具有連通至該基板 之上面與該第i面間之間隙之第i空間部的基板保持裝置 15 201250396 之該第1面與該基板之上面之至少一方之間，在以該液體 形成有液浸空間之狀態下一邊移動該基板保持裝置、一邊 實施該基板之曝光之動作；在實施該基板之曝光之第1期 間之至少一部分中’從吸引口以第1吸引力吸引第1空間 部之流體之動作；以及在未實施該基板之曝光之第2期間 中，從該吸引口以較該第丨吸引力大之第2吸引力吸引該 第1空間部之流體之動作。 本發明第24態樣’提供一種程式，係使電腦實施透過 液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置之控制，其使之實 施：在具有射出該曝光用光之射出面之光學構件、與被保 持於基板保持裝置之第丨保持部之基板之間以該液體形成 有液浸空間之狀態下，實施該基板之曝光之動作；在實施 該基板之曝光之第1期間之至少一部分中，對配置該光學 構件及該基板保持裝置之空間從空調系統之供氣部供應氣 體，以調整該空間之環境之動作；以及在未實施該基板之 曝光之第2期間之至少一部分中，實施抑制來自該供氣部 之氣體之至少一部分被供應至該基板保持裝置之處理的動 作。 本發明第25態樣，提供一種程式，係使電腦實施透過 液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置之控制，其使之實 施.在具有射出該曝光用光之射出面之光學構件與具有將 該基板之下面保持成可釋放之第！保持部、用以規定可配 置該基板之開口且在該基板被保持於該第1保持部之狀熊 下配置在該基板之上面腳之第丨面、該基板之側面與2 16 201250396 對向且對該液體之接觸角較該基板之側面小之第2面、及 連通至該基板之上面與該第丨面間之間隙之第丨空間部的 基板保持裝置之該第1面與該基板之上面中至少一方之 間，以該液體形成有液浸空間之狀態下，實施該基板之曝 光之動作；在實施該基板之曝光之第丨期間之至少一部分 中，從吸引口吸引第丨空間部之流體之動作；以及在未實 施該基板之曝光之第2期間之至少一部中，在該第丨保持 部保持物體之狀態下，從該吸引口吸引流體之動作。 本發明第26態樣，提供一種程式，係使電腦實施透過 液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置之控制，其使之實 施：在具有射出該曝光用光之射出面之光學構件與具有將 該基板之下面保持成可釋放之第〗保持部、用以規定可配 置該基板之開口且在該基板被保持於該第丨保持部之狀態 下配置在該基板之上面周圍之第丨面、該基板之側面對向 之第2面、及連通至該基板之上面與該第〗面間之間隙之 第1空間部的基板保持裝置之該第丨面與該基板之上面中 至少一方之間，以該液體形成有液浸空間之狀態下，實施 該基板之曝光之動作；在實施該基板之曝光之第丨期間之 至少一部分中，從吸引口吸引第丨空間部之流體之動作； 以及在未實施該基板之曝光之第2期間之至少一部中，在 該光學構件與該第丨面及被保持於該第丨保持部之物體之 上面之間以該液體形成有液浸空間之狀態下，從該吸引口 吸引該第1空間部之流體之動作。 本發明第27態樣，提供一種程式，係使電腦實施透過 17 201250396 液體乂曝光用走*使基·板曝光之曝光裝置之控帝】，其·使之實 施··在具有射出該曝光用光之射出面之光學構件與被保持 於將該基板之下面保持成可釋放之第1保持部之該基板之 上面、及用以規定可配置該基板之開σ且在該基板被保持 於該第1保持部之狀態下配置在該基板之上面周圍之第i 面之至少一方之間，以該液體形成有液浸空間之狀態下， 使該基板曝光之動作；以及將透過該基板之上面與該第i 面間之間隙流入配置在連通於該間隙之第i空間部之多孔 構件上面與至少部分面向多孔構件之上面且相對該開口之 中心朝外側向下方傾斜之第2面之間的該液浸空間之液體 之至少一部分，透過該多孔構件之孔加以回收之動作。 本發明第28態樣，提供一種程式，係使電腦實施透過 液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置之控制其使之實 施：在具有射出該曝光用光之射出面之光學構件與被保持 在將該基板之下面保持成可釋放之第丨保持部之該基板之 上面、用以規定可配置該基板之開口且在該基板被^持於 該第1保持部之狀態下配置在該基板之上面周圍之第^ 面、以及至少部分面向該基板之側面且相對該開口之中心 朝向外側向上方傾斜之第 液體形成有液浸空間之狀 面中的至少一個之間，在以該 態下，使該基板曝光之動作；以 及將透過該基板之上面與該第丨面間之間隙流入配置在連 通於該間隙之第1空間部之多孔構件之上面與朝向該第i 面之相反方向、至少部分面向多孔構件之上面之第3面間 的該液浸空間之液體之至少一部分 透過該多孔構件之孔 18 201250396 加以回收之動作。 本發明第29態樣’提供—種程式，係使電腦實施透過 液體以曝光用光使基板曝光之曝光褒置之控制，其使之實 有射出該曝光用光之射出面之光學構件與被保持 在將絲板之下面保持成可釋放之第丨保持部之該基板之 上面之間’在以該液體形成有液浸空間之狀態下，使該基 板曝光之動作；在可移動至來自該射出面之該曝光用光可 照射之照射位置之第1構件…上面及與該帛工上面隔 著間隙配置且能與該第1構件-起移動至該照射位置之第2 構件之第2上面中之至少—方、與該射出面之間形成該液 浸空間之動作；以及與該第2構件對向之該第i構件之第i 側面及與該第1構件對向之該第2構件之第2側面中之至 /方係相對該第1構件之中心朝外側向上方傾斜。 本發明第30態樣，提供_種程式，係使電腦實施透過 液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置之控制，其使之實 2 ·在具有射出該曝光用光之射出面之光學構件與被保持 在將該基板之下面保持成可釋放之第1保持部之該基板之 上面之間’在以該液體形成有液浸空間之狀態下，使該基 板曝光之動作.+ ’在了移動至來自該射出面之該曝光用光可 照射之照射^立署^^楚1 4致 4 、 置之第1構件之第1上面及與該第1上面隔 者間隙配置且能與該第1構件-起移動至該照射位置之第2 沒 第2上面中之至少一方、與該射出面之間形成該液 浸空間之動作；以及與該第2構件對向之該第i構件之第i 側面及與该第"冓件對向之該第2構件之第2側面中之至 19 201250396 沙一方，係相對該第 本發明第3 1態樣 其記錄有前述第23〜 發明效果 1構件之中心朝外側向下方傾斜。 ，提供一種電腦可讀取之記錄媒體， 第30態樣中任一態樣之程式。 根據本發明之態樣，能抑制曝光不良之發生。此外 根據本發明之態樣，能抑制不良元件之產生。 【實施方式】 乂下，一邊參照圖式一邊說明本發明之實施形態，但 本發明並不限定於此。以下之説明中，係設定一 χγ=正交 座標系，一邊參照此ΧΥΖ正交座標系一邊說明各部之位置 關係。並设水平面内之既定方向為X軸方向、於水平面内 與X軸方向正交之方向為γ軸方向、分別與X軸方向及Υ 轴方向正交之方向（亦即鉛直方向）為Ζ軸方向。此外，設繞 X軸、Υ軸及ζ軸旋轉（傾斜）方向分別為0Χ、0Υ及0Ζ 方向。 <第1實施形態> 首先，說明第1實施形態。圖1係顯示第1實施形態 之曝光裝置ΕΧ之一例的概略構成圖。本實施形態之曝光裝 置ΕΧ係透過液體LQ以曝光用光EL使基板Ρ曝光之液浸 曝光裝置。本實施形態中’形成有將曝光用光EL之光路之 至少一部分以液體LQ加以充滿之液浸空間LS。液浸空間 係被液體充滿之部分（空間、區域）。基板Ρ係透過液浸空間 LS之液體LQ以曝光光EL加以曝光。本實施形態中，液 20 201250396 . 體LQ係使用水（純水）。 又’本實施形態之曝光裝置EX，係例如i 由 義國專利第 6S97963號說明書、歐洲專利公開第1713113號 ;°兄月書等所 揭示之具備基板載台與測量載台的曝光裝置。 圖1中，曝光裝置EX，具備··可保持光罩“移動之光 罩載台1、可保持基板P移動之基板載台2、不保持其板p 而可搭載測量曝光用光EL之測量構件C及測量 I ud砂勒之測 量載台3、使光罩載台1移動之驅動系統4、使基板載a 2 移動之驅動系統5、使測量載台3移動之驅動系統6、二曝 光用光EL照明光罩Μ之照明系IL、將經曝光用光EL照明 之光罩Μ之圖案之像投影至基板p之投影光學系pL、；^以 液體LQ充滿曝光用光EL之光路之至少一部分之方式形成 液浸空間LS之液浸構件7、控制曝光裝置Εχ全體之動作 之控制裝置8、以及連接於控制裝置8用以儲存與曝光相關 之各種資訊之記憶裝置8R。記憶裝置8R，包含例如ram 等之記憶體、硬碟、CD — ROM等之記錄媒體。於記憶裝置 8安裝有用以控制電腦系統之作業系統（〇s)，内儲存有用以 控制曝光裝置EX之程式。 曝光裝置EX亦具備測量光罩載台丨、基板載台2及測 罝載台3之位置之干涉儀系統丨丨、與檢測系統3〇〇。檢測 系統300包含可檢測基板p之對準標記之對準系統3〇2、與 可檢測基板P之上面（表面）Pa之位置之表面位置檢測系統 303。又，檢測系、统300亦可具備例如美國專利申請公開第 2007/ 0288121號所揭示之用以檢測基板載台2之位置之編 21 201250396 碼窃系統。檢測系统3〇〇可僅具備干涉儀系統與編碼器系 統中之任一方。 、 " 包3形成有待投影至基板p之元件圖案之標線 片（reticle) »光罩含透射型光罩，此種透射型光罩具有 例如玻璃板等之透明板、與在該透明板上使用鉻等遮：材 料形成之圖案。又’光罩Μ亦可使用反射型光罩 基板Ρ係用以製造元件之基板。基板ρ包含例如半導 體晶圓等之基材與該基材上形成之感光膜。感光膜係感光 材（p otoresist光阻劑）之膜。又，基板ρ除感光膜外亦可 〇 a其他膜。例如’基板ρ彳包含反射防止膜、或包含保 護感光膜之保護膜（t〇pc〇at膜）。 又’曝光裝置EX亦具備調整曝光用光eL行進之空間 102之環境（温度、濕度、壓力及潔淨度之至少一種）之腔室 裝置103。腔室裝置1〇3,具備形成空間1〇2之腔室構件1〇4 與調整該空間102之環境之空調系統1〇5。 空間102包含空間1〇2A及空間1〇2B。空間1〇2A係處 理基板P之空間。基板載台2及測量載台3在空間1 〇2 A中 移動》 空調系統105具有對空間102A、102B供應氣體之供氣 部105S，從該供氣部105S將氣體供應至空間1〇2八、1〇2B 以調整該空間102A、102B之環境。本實施形態中，至少基 板載台2、測量載台3及投影光學系pl之終端光學元件（光 學構件）12係配置在空間i〇2a。 照明系IL對既定照明區域ir照射曝光用光el。照明 201250396 區域IR包含從照明系IL射出之曝光用光EL可照射之位 置。照明系IL以均一照度分布之曝光用光el照明配置在 照明區域IR之光罩Μ之至少一部分。從照明系IL射出之 曝光用光EL ’係使用例如從水銀燈射出之輝線線、h線、 1線）及KrF準分子雷射光（波長’ 248nm)等遠紫外光（DUV 光）ArF準勿子雷射光（波長1931^)及&雷射光（波長 157mn)等之真空紫外光（vuv光）等。本實施形態中，曝光 用光EL係使用紫外光（真空紫外光）之ArF準分子雷射光。 光罩載台1能在保持光罩M之狀態下，在包含照明區 域IR之基座構件9之導引面9G上移動。驅動系統4包含 用以在導引面9G上移動光罩載台i之平面馬邊。平面馬達 係例如美國專利第6452292號所揭示，具有配置在光罩載 台1之可動子與配置在基座構件9之固定子。本實施形態 中，光罩載台1可藉由驅動系統4之作動，在導引面9G上 移動於X軸、y軸、z軸、及^方向之6個方 向。 投影光學系PL將曝光用光EL照射於既定投影區域 PR。投影區域PR包含從投影光學系PL射出之曝光用光 可照射到之位置，影光學系PL將光罩河之圖案像以既定 投影倍率投影至配置在投影區域PR之基板P之至少一部 分。本實施形態之投影光學系PL係投影倍率例如為1/4、 :/5或1/8等之縮小系。當然，投影光學系以亦可以是 等倍系及放大系之任一者。本實施形態中，投影光學系扎 之光軸AX與Z軸平行…投影光學系&可以是不包含 23 201250396 反射光學元件之折射系、不包含折射光學元件之反射系' 或包含反射光學元件與折射光學元件之反射折射系中之任 種又，投影光學系PL·可以形成倒立像與正立像之任一 種。 基板載台2可移動至從投影光學系pL射出之曝光用光 EL可照射到之位置（投影區域pR)。基板載台2能在保持基 板P之狀態下，在包含投影區域PR之基座構件丨〇之導引 面10G上移動。測量載台3可移動至從投影光學系pL射出 之曝光用光EL可照射到之位置（投影區域pR)。測量載台3 能在保持測量構件C之狀態下，在包含投影區域pR之基座 構件10之引導面10G上移動。基板載台2與測量載台3可 在導引面10G上獨立移動。 用以移動基板載台2之驅動系統5包含用以在導引面 1 0G上移動基板載台2之平面馬達。平面馬達係例如美國專 利第6452292號所揭示，具有配置在基板載台2之可動子 $配置在基座構件10之固定子。同樣的，用以移動測量載 台3之驅動系統6包含平面馬達，具有配置在測量載台3 之可動子與配置在基座構件1〇之固定子。 本實施形態中，基板載台2具有將基板ρ之下面pb保 持成可釋放之第1保持部3 1、與規定可配置基板p之開口

Th且在基板P被保持於第1保持部3丨之狀態下配置在基板 P之上面Pa周圍之上面2U。 又，本實施形態中，基板載台2具有例如美國專利申 請公開第2007/ 0177125號、及美國專利申請公開第2〇〇8 24 201250396 /0049209號等所揭之配置右笛 …τ之…“ 保持部31之周圍、將覆 蓋構件T之下面Tb保持成可釋放之第2保持部 件T配置在被保持於第i保持部31之基板p之周圍。本實 施形態中’覆蓋構件T具有配置第1保持部31所保持之基 板P之開口 Th。本實施形態中，覆蓋構件丁具有上面叫。 本實施形態中，第1伴拄Λκ 1 , $保持31可將基板Μ呆持成基板 之上面Pa與ΧΥ平面大致平行。帛2保持部 件丁保持成覆蓋構件：之上面扣與XY平面大致平行。本 實施形態中，被保持在第1保持部之基板P之上面Pa 與被保持在第2保持部32之覆蓋構件T之上面2U，係配 置在大致同一平面内（大致成一面）。當然，基板P之上面 pa與覆蓋構件τ之上面2U亦可+ & f 4 n 々』个疋配置在同一平面内。 此外，覆蓋構件T可-體的形成於基板載台2。 本實施形態中，測量載台3具有將測量構件c保持成 :釋放之第3保持部33、與配置在第3保持部33周圍 立構件Q保持成可釋放之第4保持部34。第3、第4保持 邛33、34具有銷夾頭（pin chuck)機構。覆蓋構件q配置 被，持於第3保持部33之測量構件c周圍。又，於第3保 持β 33及第4保持部34之至少-方使狀保持機構不限 於銷夾頭機構。此外，測量構件c及覆蓋構件Q之至少— 方可一體的形成於測量載台3。 本實施形態中，_ 3保持部33將測量構件c保持成則 = 平面A致平行。第4保持部34將覆 Q保持成覆蓋構件Q之上面與XY平面大致平行。 25 201250396 本實施形態中’被保持於第3保持部33之測量構件C之上 面與被保持於第4保持部34之覆蓋構件q之上面，大致配 置在同一平面内（大致成一面）。 此處’於以下説明中’將被保持於第2保持部32之覆 蓋構件τ之上面2U適當的稱為基板載台2之上面2u，將 被保持於第3保持部33之測量構之上面及被保持於第 4保持部34之覆蓋構件Q之上面適當的合稱為測量載台3 之上面3U。 干涉儀系統11，包含測量光罩載台丨之位置之雷射干 涉儀單元11A與測量基板載台2及測量載台3之位置之雷 射干涉儀單it UB。雷射干涉儀單元11A可使用配置在光 罩載台1之測量鏡（mirror)1R，測量光罩載台i之位置。雷 射干歩儀單it 11B可使用配置在基板載台2之測量鏡2r及 配置在測量載台3之測量鏡3R，測量基板載台2及測量載 台3各個之位置。 對準系統302檢測基板p之對準標記，以檢測該基板p 之照射區域s之位置。對準系統3G2具有基板載台2(基板 P)可對向之下面。基板載台2之上面2U及被保持於基板載 台2之基板P之上面（表面）pa，可與朝向_z方向之對準系 統3 02之下面對向。 表面位置檢測系統303，對例如被保持於基板載台2之 基板P之上面（表面）pa照射檢測光，以檢測該基板p之上 面Pa之位置。表面位置檢測系統303具有可與基板載台 2(基板P)對向之下面。基板載台2之上面2U及被保持於基 26 201250396 板載台2之基板P之上面Pa，能與朝向_z方向之表面位 置檢測系統303之下面。 實施基板P之曝光處理時、或實施既定測量處理時， 控制裝置8根據干涉儀系統u之測量結果及檢測系統_ 之檢測結果’使驅動系統4、5、6作動以實施鮮載台】（光 罩M)、基板載自2(基板p)及測量载纟3(測量構件c)之位 置控制。 液浸構件7可形成-曝光用％弘之光路之至少一部分 被液體LQ充滿之液浸空間LS。液浸構件7係配置在投影 光學系PL之複數個光學元件中最接近投影光學系pL之像 面之終端光學元件12之近旁。本實施形態中，液浸構件7 為-環狀構件，配置在曝光用光EL之光路周圍。本實施形 態中’液浸構件7之至少一部分係配置在終端光學元件η 之周圍。 終端光學元件12具有朝向投影光學系pL之像面射出 曝光用光EL之射出面13。本實施形態中，於射出面_ 形成液浸空間LSe液浸空間LS係形成為從射出面i 之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿。從射出面 出之曝光用光EL行進於」方向。射出 ^ CT ^ ^ 即13朝向曝光用 仃進方向（-Z方向）。本實施形態中，射出面⑴系 與XY平面大致平行之平面。當然，射出

"亦可相對YV 平面傾斜、或者包含曲面。 液浸構件7具有至少一部分朝向—z 太音谂邶能士 乙方向之下面14〇 本貫施I態中’射出面13及下面14可 在與配置於從射出 27 201250396 面1 3射出之曝光用光el可照射到之位置（投影區域PR)之 物體之間保持液體LQ。液浸空間LS係由被保持在射出面 13及下面μ之至少一部分與配置在投影區域Pr之物體之 間的液體LQ而形成。液浸空間LS係以射出面13與配置在 投影區域PR之物體之間之曝光用光EL之光路K被液體Lq 充滿之方式形成。液浸構件7可在與物體之間保持液體Lq 以將終端光學元件12與物體之間之曝光用光EL之光路κ 以液體LQ加以充滿。 本實施形態中，可配置在投影區域PR之物體，包含可 在技影光學系P L之像面側（終端光學元件12之射出面13 側）相對投影區域PR移動之物體。該物體可相對終端光學 元件12及液浸構件7移動。該物體具有能與射出面1 3及 下面14之至少一方對向之上面（表面）。物體之上面可在與 射出面13之間形成液浸空間LS »本實施形態中，物體之上 面可在與射出面13及下面14之至少一部分之間形成液浸 空間L S 〇藉由將液體L Q保持在一側之射出面13及下面14 與另一側之物體之上面（表面）之間，來以終端光學元件12 與物體之間之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之方式 形成液浸空間LS。 本實施形態中，該物體包含基板載台2、被保持於基板 载台2之基板P、測量載台3及被保持於測量載台3之測量 構件C中之至少一者。例如’基板載台2之上面2U之至少 ―部分及被保持於基板載台2之基板p之表面（上面）pa，能 與朝向一 Z方向之終端光學元件12之射出面13及朝向_z 28 201250396 *方向之液浸構件7之下面14對向。當然，可配置在投影區 域PR之物體並不限於基板載台2、被料於基板載台2之 土板I測量載台3及被保持於測量載台3之測量構件c 之至少—者°此外，該等物體能與檢測线3GG之至少一 部分對向。 *本實施形態中，液浸空間以係形成為當基板p被曝光 用光EL照射時’包含投影區域叹之基板p表面之部分區 ^被液體LQ覆蓋。於基板p之曝光時，液浸構件7可以終 鈿光于元件12與基板P之間之曝光用光EL之光路K被液 體LQ充滿之方式，在與基板P之間保持液體LQ。液體LQ 之界面（f月面、邊緣）LG之至少—部係形成在液浸構件7 之下面14與基板p之表面之間。亦即，本實施形態之曝光 裝置EX係採用局部液浸方式。 圖2係顯示本實施形態之液浸構件7及基板載台2之 -例的側視剖面圖。圖3係圖2之部分放大圖。又，圖2 中，雖係於投影區域PR(與終端光學元件12及液浸構件7 對向之置）配置有基板p，但如上所述，亦可例如配置基板 載台2(覆蓋構件τ)及測量載台3(覆蓋構件Q、測量構件〇。 如圖2所示，液浸構件7包含至少一部分與終端光學 元件2之射出面13對向之對向部71、與至少一部分配置 在終端光學元件12周圍之本體部72。對向部71在與射出 面13對向之位置具有孔（開口）7K<}對向部71具有至少一部 分隔著間隙與射出面13對向之上面7U、與基板Ρ(物體）可 對向之下面7Η。孔7Κ係形成將上面7U與下面7Η加以連 29 201250396 結。上面7U配置在孔7κ之上端周圍、下面7H則配置在 孔7Κ之下端周圍。從射出面13射出之曝光用光el，可通 過孔7K照射於基板p。 本實施形態中’上面7U及下面7H分別配置在光路K 之周圍。本實施形態中，下面7H為平坦面。下面7H可在 與基板P(物體）之間保持液體LQ。以下之説明中，將下面 7H適當的稱為保持面7H。 又’液浸構件7具有可供應液體LQ之供應口 15、與 可回收液體LQ之回收口 16。供應口 15，例如在基板p之 曝光時供應液體LQ。回收口 1 6例如在基板p之曝光時回 收液體LQ。此外，供應口丨5在基板p之曝光時及非曝光 時之任一方或雙方時皆能供應液體LQ。回收口 16則在基 板P之曝光時及非曝光時之任一方或雙方時皆能回收液體 L Q 〇 供應口 15係配置成在從射出面13射出之曝光用光EL 之光路K近旁，面向該光路κ。又，供應口 15只要是面向 射出面13與開口 7K間之空間及終端光學元件12側面中之 方雙方即可。本實施形態中，供應口丨5係將液體供 應至上面7U與射出面13間之空間。從供應口丨5供應之液 體LQ，在流過該上面7U與射出面丨3間之空間後，透過開 D 7K供應至基板p(物體）上。 供應口 15透過流路17與液體供應裝置18連接。液體 供應裝置1 8可送出潔淨且溫度經調整之液體lQ。流路j 7 包含形成在液浸構件7内部之供應流路丨7R及將該供應流 30 201250396 路1 7R與液體供應裝置1 8加以、$ 4立 直加以連接之供應管形成之流路。 從液體供應裝置18送出之液體LQ經由流㈣供應至供應 至少於基板p之曝光中，供應口 15供應液體[Q。 回收口 16可回收與液浸構件7之下面14對向之物體 上之液體L Q之至少_邱厶。m & ^ 4刀回收口 16配置在曝光用光 通過之開口 7K周圍之至少-部分。本實施形態中，回收口 16係配置在保持面7Η周圍之至少一部分。回收口 i “己置 在與物體表面對向之液浸構件7之既定位置。至少於基板p 之曝光中，基板P對向於回收口 16。於基板1>之曝光令， 回收口 16回收基板p上之液體Lq。 本實施形態中，本體部72具有面向基板p(物體）之開 口 7P。開口 7P配置在保持面7H周圍之至少一部分。本實 施形態中，液浸構件7具有配置在開口 7P之多孔構件丨9。 本實施形態中，多孔構件19係包含複數個孔（openings或 pores)之板片狀構件。又’亦可於開口 7P配置多數小孔形 成為網眼狀之多孔構件的網眼篩（mesh filter)。 本實施形態中，多孔構件19具有基板P(物體）可對向 之下面19H、朝向下面19H之相反方向之上面19U、與將 上面19U與下面19H加以連結之複數個孔。下面19H配置 在保持面7H周圍之至少一部分。本實施形態中，液浸構件 7之下面14之至少一部分包含保持面7H及下面19Η» 本實施形態中，回收口 16包含多孔構件19之孔。本 實施形態中，基板P(物體）上之液體LQ係透過多孔構件19 之孔（回收口 1 6)加以回收。又，亦可不配置多孔構件丨9。 31 201250396 回收口 16透過流路20與液體回收裝置21連接。液體 回收裝置2 1可將回收口 1 6連接於真空系統，透過回收口 16吸引液體LQ。流路20包含形成在液浸構件7内部之回 收流路20R、及以將該回收流路20R與液體回收裝置2 t加 以連接之回收管形成之流路。從回收口 1 6回收之液體Lq , 透過流路20回收至液體回收裝置21。 本實施形態中’控制裝置8可藉由與從供應口 η之液 體LQ之供應動作並行，實施從回收口 16之液體Lq之回 收動作’據以在一側之終端光學元件12及液浸構件7與另 一側之物體之間以液體LQ形成液浸空間Ls。 又，作為液浸構件7，可使用例如美國專利申請公開第 2007/0132976號、歐洲專利中請公開第176817〇號所揭示 之液浸構件（嘴（nozzle)構件）。 如圖2及圖3所示，基板載台2具有連通至基板p之 上面Pa與基板載台2之上面2U間之間隙Ga的空間部23、 與吸引空間部23之流體的吸引口 24。吸引口 24可吸引空 間部23之液體及氣體中之一方或雙方。 吸引口 24透過流路25與流體吸引裝置26連接。流體 吸引裝置26可將吸引口 24連接於真空系統，透過吸引口 24吸引液體及氣體中之一方或雙方。流路乃之至少一部分 係形成在基板載台2之内部。從吸引口 24吸引之流體（液體 及氣體中之至少一方)係透過流路25被吸引至流體吸引裝 置26。 +實施形態中4 i保持部31具有例如銷夾頭機構。 32 201250396 .第1保持部31具有基板P之下面Pb可對向之周壁部35、 配置在周壁部35内側且包含複數個銷（pin)構件之支持部 36、以及配置在周壁部35内側之底面3is用以吸引流體之 吸引37 "及引口 37與流體吸引裝置連接。流體吸引裝置 受控制裝置8控制。周壁部35之上面能與基板p之下面外 對向。周壁部35可在與基板p之下面pb之間之至少一部 分形成負壓空間。控制裝置8可在基Μ之下面外與周壁 部35之上面接觸之狀態下，實施吸引口 37之吸引動作， 據以使周壁部35與基板p之下面pb與底面3is所形成之 空間31H成為負壓•據此，將基板p保持於第ι保持部31。 又，藉由解除吸引口 37之吸引動作，基板p即從第i保持 部31解放》 ”、 本實施形態中，第2保持部32具有例如銷失頭機構。 第2保持部32具有圍繞周壁部35配置且覆蓋構件τ之下 面Tb可對向之周壁部38、圍繞周壁部38配置且覆蓋構件 τ之下面Tb可對向之周壁部39、配置在周壁部38與周壁 部39間之底面32S且包含複數個銷構件之支持部4〇、以及 配置在底面32S用以吸引流體之吸引口 41。吸引 久N 口 41與流 體吸引裝置連接。流體吸引裝置受控制裝置8括引 u仅刺。周壁 部38、39之上面可與覆蓋構件τ之下面Tb對氏 m u耵向。周壁部 38、39可在與覆蓋構件τ之下面Tb間之至少—却八 ^ 4分形成負 壓空間。控制裝置8可在覆蓋構件τ之下面Tb與周壁部 38、39之上面接觸之狀態下，藉由實施吸引口 41 ° I吸引動 作，據以使周壁部38與周壁部39與覆蓋構件τ 〈下面Tb 33 201250396 空間部23包含周壁部35 間部2 3包含周壁部3 5與周 32H成為負壓。據此，將覆蓋構 。此外，藉由解除吸引口 4丨之吸 第2保持部3 2解放。 與底面32S所形成之空間 件T保持於第2保持部32 引動作，使覆蓋構件T從 空 周圍之空間。本實施形態中 壁部3 8間之空間。 例如圖3所示，液浸空間LS有可能形成在間隙^上。 例如，有可能在終端光學元件12及液浸構件7與帛i保持 部所保持之基SP及帛2保持部32戶斤保持之覆蓋構件τ 之間形成液浸空間LS。 本實施形態中，基板P之上面Pa對液體LQ為撥液性。 與覆蓋構件τ(開口 Th)之内面對向之基板p之側面pc對液 體LQ為撥液性。又，覆蓋構件τ之上面對液體[卩為 撥液性。此外，與基板P之側面卜對向之覆蓋構件τ(開口 Th)之内面tc對液體LQ亦為撥液性。例如，基板p之上面 pa及側面pc對液體LQ之接觸角為9〇度以上。再者，覆 蓋構件T之上面2U及内面Tc對液體Lq之接觸角為9〇度 以上。因此’能抑制液浸空間LS之液體LQ透過間隙Ga 流入空間部23。又，若容許液體LQ流入空間部23的話， 基板P之側面Pc與覆蓋構件Τ之内面Tc中之一方或雙方 可以不是撥液性。 又’液浸空間LS之液體LQ之至少一部分亦有可能透 過間隙Ga流入空間部23。吸引口 24可吸引流入空間部23 之液體LQ。如此’可從空間部23除去液體LQ。 其次，參照圖4、圖5及圖6說明曝光裝置EX之一動 34 201250396 作例。圖4係顯示本實施形態之曝光裝置EX之-動作例的 流程圖。5係顯示被保持於第i保持部川基板載台2) 之基板P t例的圖。圖6係顯示基板載台2及測量載台3 之一動作例的圖。 本貫施形態中’基板載台2至少可在第^位置與第 2位置RP之間移動。第i位置Ep，係可在終端光學元件 12及液浸構件7與第丨保持部31所保持之基板p之上面

Pa及基板載台2之上面2U中至少一方之間形成液浸空間 LS之位置。換言之’帛丨位置Ep係與終端光學元件12及 液浸構件7對向之位置。 第2位置RP，係無法在終端光學元件丨2及液浸構件7 與第1保持部31所保持之基板p之上面及基板載台2 之上面2U中至少一方之間形成液浸空間Ls之位置。 第1位置EP係可使第1保持部3丨所保持之基板p曝 光之位置。又，本實施形態中，第1位置Ep包含來自射出 面13之曝光用光EL可照射到之位置。此外，第1位置Ep 包含投影區域PR。本實施形態中，第2位置RP，係例如實 施將曝光後之基板P從第1保持部3 1搬出之動作及將曝光 前之基板P搬入第1保持部31之動作中至少一方的基板更 換位置。 又，第2位置Ep不限於基板更換位置。 以下之説明中，將第1位置EP適當的稱為曝光位置 EP，將第2位置RP適當的稱為基板更換位置RP。 又，以下之説明中’將在基板更換位置RP進行之將曝 35 201250396 光則之基板p搬入第丨保持 .p , y 幵。卩3】之處理 '以及將曝光後之 基板P從第1保持部3 1搬ψ +击 .^ 出之處理，適當的稱為基板更換 處理。 為使保持在第1保持部3 ^ ^ ^ Λ a 1之基板P曝光，使基板載台 2移動至曝光位置EP，在终端去现 、知光予兀件12及液浸構件7與 基板載台2(基板p)之間以液舻 戍體LQ形成液浸空間lS後，控 制裝置8即開始基板p之暖伞南畑，土 | 先處理（步驟ST1)。 本實施形態之曝光裝置Ε：χ往 1七久係一邊使光罩Μ與基板ρ 往既定掃描方向同步移動、—邊將光f Μ之圖案像投影至 基板Ρ之掃描型曝光裝置(所謂的掃描步進機本實施形態 中，係設基板Ρ之掃描方向（同步移動方向）為Υ軸方向，光 罩Μ之掃描方向（同步移動方向）亦設為γ抽方向。控制裝 置8使基板Ρ相對投影光學系、pL之投影區域pR移動於γ 軸方向，並與該基板！>往Y軸方向之移動同步，一邊相對 照明系IL之照明區域IR使光罩M移動於γ軸方向、一邊 透過投影光學系PL與基板p上之液浸空間LS之液體 將曝光用光EL照射於基板卜據此，基板p即透過液體 而被曝光用光EL曝光，光罩M之圖案像透過投影光學系 PL及液體LQ被投影至基板p。 如圖5所示，本實施形態中，基板P上曝光對象區域 之照射區域S係成矩陣狀配置複數個。控制裝置8使基板p 上所定之複數個照射區域S依序曝光。 使基板P之照射區域S曝光時’使終端光學元件12及 液浸構件7與基板P對向，形成一以液體LQ充滿終端光學 36 201250396 元件12與基板P間之曝光用光el之光路K的液浸空間 L S。使基板Ρ之複數個照射區域g[依序曝光時，在終端光 學元件12及液浸構件7與基板ρ之上面Pa及基板載台2 之上面2U中至少一方之間以液體形成有液浸空間LS 之狀態下，藉由驅動系統5使基板載台2於χγ平面内移 動。控制裝置8，在終端光學元件12及液浸構件7與基板 P之上面Pa及基板載台2之上面2U中至少一方之間以液體 LQ形成有液浸空間LS之狀態下，一邊移動基板載台2、一 邊實施基板P之曝光。 例如為使基板P上之複數個照射區域s中最初之照射 區域（第1照射區域）S曝光，控制裝置8使該第i照射區域 s移動至曝光開始位置。控制裝置8在形成有液浸空間ls 之狀釔下 邊使第1照射區域s(基板p)相對投影光學系 PL之投影區域PR移動於γ抽方向、一邊對該第【照射區 域S照射曝光用光EL。 第1照射區域s之曝光結束後，為使下一個第2照射 區域s曝光’控制裝置8在形成有液浸空間Ls之狀態下， 使基板p移動於X軸方向（或於χγ平面内相對χ軸方向傾 斜之方向）’將第2照射區域s移動至曝光開始位置。控制 裝置8，與第1照射區域s同樣的使第2照射區域$曝光。 ’控制裝置8’-邊反複進行在使照射區域3相對投影區 域PR移動於Y軸方向之同時對該照射區域s照射曝光 EL之動作(掃描曝光動作)、與該照射區域s之曝光結束後 為使下-個照射區域s移動至曝光開始位置之動作（步進動 37 201250396 作），一邊透過投影光學系PL及液浸空間LS之液體LQ使 基板P上之複數個照射區域S依序曝光》對基板P之複數 個照射區域S依序照射曝光用光EL。 本實施形態中，控制裝置8 —邊使基板載台2移動以 使投影光學系PL之投影區域PR與基板p沿圖5中箭頭R1 所示移動軌跡相對移動、一邊對投影區域PR照射曝光用光 EL透過液體LQ以曝光用光EL使基板P之複數個照射區域 S依序曝光。在基板載台2於基板p之曝光中之移動中的至 少一部分，液浸空間LS係形成在間隙Ga上。 基板P上之複數個照射區域S中最後一個照射區域S 之曝光結束’換言之，對複數個照射區域S之曝光用光EL 之照射結束後，即結束該基板P之曝光（步驟ST2)。 對複數個照射區域S之曝光用光EL之照射結束後（基 板P之曝光結束後）’控制裝置8為實施基板更換處理而使 基板載台2移動至基板更換位置RP(步驟sT3)。 如圖6所示，在將基板載台2配置於基板更換位置rP 後’控制裝置8即使用基板搬送裝置（未圖示）將曝光後之基 板P從第1保持部3 1搬出（卸載）（步驟ST4)。 在將曝光後之基板P從第1保持部3 1搬出（卸載）後， 控制裝置8使用基板搬送裝置（未圖示）將曝光前之基板p搬 入（裝载於）第1保持部31(步驟ST5)。 又，如圖6所示，在實施基板更換處理時，係於曝光 位置EP配置測量載台3。控制裝置8，視需要使用測量載 台3(測量構件C、測量器）實施既定之測量處理。將曝光前 38 201250396 之基板P裝載於第1保持部31、使用測量載台3之測量處 理結束後，控制裝置8使基板栽台2移動至曝光位置Ep(步 驟 ST6)。 本實施形態_，控制裝置8在基板載台2從基板更換 位置RP往曝光位置EP之移動期間中，使用對準系統3〇2 進行檢測基板載台2(第丨保持部31)所保持之基板p之對準 標記(步驟ST7)。又’控制裝置8在基板載台2從基板更換 位置RP往曝光位置即之移動期間中，使用表面位置㈣ 系統303檢測基板載台2(第丨保持部31)所保持之基板p之 上面P a之位置。 基板P之對準標記之檢測及基板p之上面以之位置之 檢測結束後，控制裝置8根據該檢測結果一邊調整基板p 之位置、-邊開始該基板p之曝光。之後，反複進行同樣 之處理，複數個基板p即被依序曝光。 本實施形態中’在實施基板p之曝光之第i期間的至 少-部分、及未實施基板p之曝光之第2期間的至少一部 为之各個中，貫施吸引口 24之吸引動作。 本實施形態中，第1期簡白人且< 乐1期間包3基板载台2P被配置於 光位置EP之期間。又，筮]6 a u , 月]又第1期間包含基板P之曝光開 (步驟ST1)至該基板P之曝光έ士走 ’疋π采為止（步驟ST2)之期間。

本實施形態中，第1期問白人"ΛI 禾1 '月間包3從複數個照射區域s中 最初之照射區域s之aS_伞pq 1 „ W之曝先開始起，至最後—個照射區域s 之曝光結束為止之期間。控制萝 役制裒置8從複數個照射區域 中最初之照射區域S之腹忠Μ仏L ^ Γ7

Q ^之曝先開始起至最後—個照射區域S 39 201250396 之曝光結束為止，持續實施吸引口 24之流體吸弓丨動作。據 此，據此，在例如對複數個照射區域S依序照射曝光用光 EL之第1期間之至少一部分中，於間隙Ga上形成液浸空 間LS，即使該液浸空間LS之液體LQ透過間隙Ga流入空 間部2 3 ’流入空間部2 3之液體L Q亦會在第1期間中立即 從吸引口 24加以吸引。

本實施形態中，第2期間包含對基板p之曝光用光EL 之照射結束後之期間。本實施形態中，第2期間包含對複 數個照射區域S之曝光用光EL之照射結束後之期間。換言 之，第2期間幫包含複數個照射區域s中最後一個照射區 域S之曝光後之期間。藉由於第2期間實施之吸引口 24之 吸引動作，即使在第1期間實施吸引口 24之吸引動作亦無 法將空間部23之液體LQ完全吸引（回收），亦可藉由在該 第2期間之吸引口 24之吸引動作’從空間部23除去液體 LQ。 又，本實施形態中，第2期間包含對基板p開始照射 曝光用光EL前之期間。本實施形態中，第2期間包含對複 數個照射區域S開始照射曝光用光el前之期間《換言之， 第2期間包含複數個照射區域s中最初之照射區域s之曝 光前之期間。藉由在第2期間實施吸引口 24之吸引動作， 可在從空間部23除去液體Lq後開始基板p之曝光。 本實施形態中，控制裝置8控制於實施基板p之曝光 之第1期間之至少一部分中之吸引口 24之吸引力，較於未 實施基板P之曝光之第2期間中之吸引口 24之吸引力小。 40 201250396 亦即，控制裝置8控制在第丨期間之至少一部分以第丨吸 引力從吸引口 24吸引空間部23之流體，在第2期間則以 較第1吸引力大之第2吸w力從吸引口 24吸引空間部23 之流體。換言之’控制裝置8控制在帛i期間之至少一部 刀以每單位時間之第i流量從吸引口 Μ吸引流體，而在第 2期間則以較每單位時間之第丄流量多之第2流量從吸引口 24吸引流體。例如，可將第1期間之回收氣體流量設定為 〇.3〜5.5〔L/min〕、而將f 2 _之回收氣體流量設為 5.5〜7.0〔1^/111111〕。又，在欲抑制液體1^流入空間部23 之情形時，亦可將第i期間之回收氣體流量設定為1〇〔l /min〕以下，例如設定為0.3〜0.7〔L/min〕。此外，在 今許液體LQ流入空間部23之情形、或欲使液體流入 空間部23之情形時，則可將第i期間之回收氣體流量設定 為4.0〔L/min〕以上、例如設定為4·〇〜5.5〔L/min〕。 本實施形態中，第2期間包含從待依序曝光之複數個 基板P中第1基板P之曝光結束時(最後一個照射區域8之 曝光結束時)至下—個第2基板p之曝光開始時(最初之照射 區域S之曝光開始時)為止之至少—部分期間。 例如，第2期間可以是從^基板p之曝光結束後（步 驟ST2)至將該曝光後之第丨基板p從第丨保持部η搬出、 並將曝光前之第2基板⑽人第1保持部31，該曝光前之 第2基板P之對準標記檢測開始（步驟sT7)為止之期間。亦 即’本實施形態中’第2„可以是從基板p之曝光結束（步 驟ST2)至次—基板P之對準標記檢測為止（步驟ST7)之期 201250396 間。 又，第2期間亦可以是對基板p之曝光用光EL之照射 結束後（步驟ST2) ’ i保持部31保持曝光前基板p之 基板載台2開始移動至曝光位置EP為止（步驟ST6)之期間。 又，第2期間亦可以是對基板p之曝光用光el之照射 結束後（步驟ST2)，將曝光前基板P搬入第1保持部31為 止（步驟S 丁 5)之期間β 又’第2期間亦可以是對基板ρ之曝光用光虹之照射 結束後（步驟ST2)，將基板p從第i保持部31搬出為 驟ST4)之期間。 又，第2期間亦可以是對基板p之曝光用光肛之照射 結束後（步驟ST2)，以第、保持部31保持該曝光後基板p 開始㈣至基板更換位s Ep為止（步驟§ 之期間。 ； 又，第2期間亦可以是基板載台2被配置於基板更換 位置RP之期間。此外，第2期間亦可以是基板p未被保持 在第1保持部31之期間。基板P未被保持在帛i保持部Η 之期間’包含從曝光後之基板P被從第i保持部31搬 驟叫至曝光前之基板P被搬入第i保持部31為止 ST5)之期間（基板更換處理期間）。又，基板p未被保持在第 1保持部3 1之期間不限於基板更換處理期間。 又，第2期間可以是步驟ST3〜⑺之期間、步驟阳 〜ST6之期間、步驟ST3〜ST5之期間、步驟st3〜s^之 期間、步驟ST4〜ST7之期間、或步驟ST4〜 〇 1 〇 <期間。 42 201250396 • 本實施形態中，控制裝置8控制在基板p(複數個照射 區域S)之曝光中從吸引口 24以第1吸引力吸引流體，在對 基板P之最後一個照射區域S之曝光用光EL之照射結束時 (步驟ST2)，將吸引口 24之吸引力從第1吸引力變更為第2 吸引力。此場合，第2期間亦包含對基板p(複數個照射區 域S)之曝光用光EL之照射結束後，於終端光學元件i2及 液浸構件7與基板P之上面及基板載台2之上面2U中至少 一方之間形成有液浸空間LS之期間。 又’亦可在從液浸空間LS形成於基板載台2上之狀態 變化成形成於測量載台3上之狀態時（例如步驟ST3)，將吸 引口 24之吸引力從第1吸引力變更為第2吸引力。此場合， 曝光用光EL之照射結束後，在液浸空間LS形成於基板p 之上面及基板載台2之上面2U中至少一方之上之期間中， 從吸引口 24以第1吸引力吸引流體。 當然，亦可在將曝光後之基板P從第丨保持部3 1搬出 時（步驟ST4) ’將吸引口 24之吸引力從第1吸引力變更為 第2吸引力。 又’亦可在將曝光前之基板P搬入第1保持部3 1時（步 驟ST5) ’將吸引口 24之吸引力從第2吸引力變更為第i吸 引力。 又’亦可在從液浸空間LS形成於測量載台3上之狀態 變化成形成於基板載台2上之狀態時（例如步驟ST6)，將吸 引口 24之吸引力從第2吸引力變更為第1吸引力。 又’亦可在檢測基板p之對準標記時（步驟ST7)，將吸 43 201250396 引口 24之吸引力從第2吸引力變更為第1吸引力β 此外，亦可在對基板Ρ之最初之照射區域S開始照身才 曝光用光EL時（步驟ST1)，將吸引口 24之吸引力從第2吸 引力變更為第1吸引'力。 再者’本實施形態，例如可在對基板Ρ (照射區域s)照 射曝光用光EL之掃描曝光動作中實施吸引口 24之流體吸 引動作，而在不對基板Ρ照射曝光用光EL之步進動作中停 止吸引口 24之流體吸引動作。當然，亦可在不對基板ρ照 射曝光用光EL之步進動作中實施吸引口 24之流體吸引動 作’而在在對基板Ρ(照射區域S)照射曝光用光EL之掃描 曝光動作中停止吸引口 24之流體吸引動作。 此外，本實施形態，可在掃描曝光動作中從吸引口 24 以第1吸引力吸引流體，而於步進動作中從吸引口 24以第 2吸引力吸引流體。 如以上之説明，根據本實施形態，由於係設計成在第i 期間及第2期間中從吸引口 24吸引空間部23之流體，因 此’即使於例如第1期間中液體LQ流入空間部23，亦能 將該空間部23之液體LQ從吸引口 24加以回收（吸引）。因 此，能在例如基板P之曝光中，抑制空間部23之液體LQ 透過間隙Ga流出至基板ρ之上面pa側（覆蓋構件τ之上面 2U側）空間、或該液體LQ附著（殘留）在基板p之上面、或 混入液浸空間LS。此外，藉由在第2期間中亦從吸引口 24 回收（吸引）空間部23之液體LQ，可抑制該空間部23之液 體LQ從空間部23流出。因此’能抑制曝光不良之發生及 201250396 » 產生不良元件。 又，根據本實施形態，由於係將第I期間中之吸引口 24之吸引力設定為較第2期間中之吸引口 24之吸引力小， 因此於第1期間中，能抑制隨著吸引口 24之吸引動作產生 之ί又化熱。因此，於第1期間中，能抑制例如基板p之温 度變化、基板載台2(覆蓋構件Τ)之温度變化及液浸空間Ls 之液體LQ之温度變化等。因此，能抑制曝光不良之發生及 產生不良元件。 入 ，/T;、珩 ” A q广 -.< U〜汉7丨嗯日子待 續進行、或間歇性進行。此外，於第2期間中，由吸引口 24進行之吸引可隨時持續進行、或間歇性進行。 又，例如圖7所示，可於空間部23配置多孔構件“A。 吸引口 24可透過多孔構件42八之孔吸引空間部23之流體。 圖7所示例中，多孔構件42A之孔亦具有吸引空間部： 之流體之吸引口的功能’吸引口 24透過該多孔構件 引空間部23A之流體。又’ ® 7所示例中’多孔構件42a 之上面42Aa係配置在較周壁部35、38之上面低的位 此外，圖7所示例中，多？丨播也 夕孔構件42A之上面42Aa配置 底面31S、32S更低之位置。 闰7私-"丄 1 议1。又，圖7所不例中，多 42A之上面42Aa與復蓋構件 牛 之下面Tb間之間隔，輕菀 蓋構件T之内面TC與基板p之側面pc間之間隔較覆 圖7所示例中，多孔構件42A之上面他與基板再者， 朴間之間隔，較覆蓋構件τ之内面Tc與基板 ^下面 間之間隔大。 、側面Pc 45 201250396 又，亦可將如圓8所千u 、之多孔構件42B配置於空間部 2 3。圖8所示例中，多孔 a 3ις U冓件42B之上面42以配置在較

面31S、32S更高之位置。又，圖8所示例中，多孔構件42B 之…Ba配置在與周壁部35、38之上面大致相等之位 置。又’圖8所示例中，吝j丨姐 夕孔構件42B之上面42Ba與覆蓋 構件T之下面Tb間之間隔，較覆蓋構件τ之内面Tc與基 板P之側面Pc間之間隔小。又，圖8所示例中，多孔構： 之上面42Ba與基板p之下面pb間之間隔較覆蓋構 件T之内面Tc與基板p之側面&間之間隔小。 <第2實施形態> 與上述實 並簡化或 其人說明第2貫施形態。以下之説明中 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號 省略其説明。 圖9係顯示本實施形態之基板載台2B之一部分的側梘 』面圖，圆10係從上側（+ z側）觀察基板載台2B之一部分 ，圖。圖9及® 1〇中’基板載台2B，具有將基板p保持成 可釋放之第1保持部3 1B、將覆蓋構件T保持成可釋放之第 2保持部32、以及連通至基板p之上面pa與覆蓋構件丁之 上面2U間之間隙Ga的空間部23。空間部23包含周壁部 35周圍之空間。本實施形態中，空間部23包含周壁部35 與周壁部38間之空間。 圖1〇係顯示第1保持部3 1B上沒有基板p，第2保持 邛32上沒有覆蓋構件τ之狀態。又，圖9及圖1 〇所示例 中，雖於空間部23配置有多孔構件42Β，但亦可不配置。 46 201250396 p之下第面1ΓΓ31Β，具有配置在周壁部35之内側且基板 35與… 之周壁部43、以及將氣體供應至周壁部 35與周壁部43間之 邻31Β且古^ 4之供氣口 C。又，第1保持 4 3 1Β具有排出空間部44 雙方）之排出口 46。 π體（液體及氣體中之-方或 第：保持部31Β之支持部36配置在周壁部以内側。 本實施形態中，在美杯Ρ + 在土板Ρ之下面Pb與周壁

向之狀態下，於芙妬P

、土 下面Pb與周壁部43與底面31S 之間形成空間3 1Η。 如圖1〇所不，供氣口 45沿著周壁部43(周壁部35)配 置有複數個。排出p 46則沿著周壁部43(周壁部35)配置有 複數個。本實施形態中，在供氣口 45之一側及另一側分別 配置有排出口 46。換言之，在2個排出口 Μ之間配置有供 氣口 45。又’本實施形態令，在排出口 46之一側及另一側 分別配置有供氣口 45。換言之，在2個供氣口 45之間配置 有排出口 46。亦即’本實施形態中，於周壁部43之周圍， 複數個供氣口 45與複數個排出口 46係交互配置。當然， 複數個供氣口 45與複數個排出口 46亦可不是交互配置。 例如，可在供氣口 45之一側配置排出口 46而在另一側配 置供氣口 45。或者，例如在排出口 46之一側配置供氣口 4 5而在另一側配置排出口 4 6。 本實施形態中’供氣口 45係透過流路與供氣裝置連 接。供氣裝置，包含例如可送出氣體之泵、可調整供應之 氣體之温度的温度調整裝置、以及可除去供應之氣體中之 47 201250396 異物的過濾器裝置等。 本實施形態中，排出口 46係透過流路與流體吸引裝置 連接。流體吸引裝置，包含例如可吸引流體（氣體及液體中 之一方或雙方）之泵、以及將所吸引之氣體與液體加以分離 之氣液分離裝置等。 連接於供氣口 45之供氣裝置及連接於排出口 46之流 體吸引裝置，由控制裝置8加以控制。控制裝置8可控制 從供氣口 45之供氣動作及從排出口 46之排氣動作（吸引動 作）。由於從供氣.口 45供應氣體並從排出口 46排出（吸弓丨） 流體，如圖10所示，於空間部44形成氣流F。例如，於空 間部44 ’氣體從供氣口 45朝向排出口 46流動。 如圖9所示，在第！保持部31Β所保持之基板？與第 保持部32所保持之覆蓋構件τ之間形成間隙.在基板 之上面Pa及覆蓋構件τ之上面2U中至少一方所面對之丨 間中存在之液體LQ(例如液浸空間lS之液體[Q)， ^ 透過間隙以流入空間部23。吸引口 24可吸引空引 之液體LQ。 1 z 例如，液體LQ有可能流入空間部4 23之液體LQ有可能通過美姑p 〇 ’工間 b通過基板p之下面η與周壁部 上面之間流入空間部44。本實施形態中，排出 空間部44之液體Lq。控制奘番 可吸 4控制裝置8可控制實施排 吸引動作，以從空間部44除去液體。 ▲ 體LQ流入空間3 1H。又 ，能抑制 邳7凋整從供氣口4 應量與排出口 46之氣體排出量 軋體 乂便二間部44之 48 201250396 於空間部23之壓力。據此，如咔在,沐诚τ Λ , • & 即迠抑制液體LQ從空間部23 流入空間部44。 於本實施形紅第1保持部31B，亦可藉由將第^期間 之至少-部分中之吸引口 “之吸引力，設定為小於第2期 間中之吸引口 24之吸引力，據以抑制曝光不良之發生及產 生不良元件。當然，亦可不將第丨期間之至少一部分中之 吸引口 24之吸引力設定為小於第2期間中之吸引口 24之 吸引力。 又，亦可將设有供氣口 45、排出口 46之空間部44 , 適用後述實施形態。 <第3實施形態> 接著，説明第3實施形態。以下之説明中，與上述實 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或 省略其説明。 圖11係顯示第3實施形態之基板載台2c之一部分的 圖。如圖11所示’可在用以規定空間部23之内面23a配置 隔熱材47。圖1 1所示例中，用以規定通至吸引口 24之流 路25之内面25a，亦配置有隔熱材47。 當然，在用以規定空間部23之内面23a、及用以規定 流路25之内面25a之任一方不配置隔熱材亦是可以的。 本實施形態中，隔熱材47係PFA(過氟烷基化物，Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)之膜。 又’隔熱材47亦可以是PTFE(聚四氟乙浠，Poly tetra fluoro ethylene)、PEEK(聚醚喊 _，polyetheretherketone)、鐵氟龍 49 201250396 (登錄商標）等之膜。此外，隔熱材47可以包含聚稀烴、聚 氨脂等。 此外，隔熱材47可以不是膜。 藉由隔熱材47之設置，即使是在從吸引口 24吸弓丨包 含液體LQ之流體之情形時，亦能抑制例如基板載台2之連 度變化 '液浸空間LS之温度變化、以及基板P之溫度變化 等。 又’圖1 1所示例中，可於空間部23配置多孔構件。 本實施形態中，亦如第1實施形態所記載，可將第1 期間之至少一部分中之吸引口 24之吸引力設定為較第2期 間中之吸引口 24之吸引力小，亦可不將第i期間之至少〜 部分中之吸引口 24之吸引力設定為較第2期間中之吸引q 24之吸引力小。 <第4實施形態> 接著，説明第4實施形態。以下之説明中，與上述實 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或 省略其説明。 圖12係顯示第4實施形態之基板載台2D之一例的俯 視圖’圖13係顯示基板載台2D之一部分的側視剖面圖。 圖12及圖13中’基板載台2D具有調整該基板載台2D之 挪度的皿度調整裝置5〇 ^本實施形態中，温度調整裝置π u 3複數個’皿度调整構彳5 i。本實施形態中，㉟度調整構 牛 之至v 分係配置在基板載台2D之内部》本實施 形態中，温度調苹;H生c , •構件51配置在第1保持部31D之基板載 50 201250396 ， 台2D之内部。圖12所示例中，温度調整構件5丨於第i保 持部3 1D配置有6個。. /m度凋整構件5 1可加熱基板載台2 ^^當然，温度調整 構件51亦可以是冷卻基板載台2D。本實施形態中，温度調 整構件51包含例如帕耳帖元件（Peltier device卜此外，温 度調整構件51可包含加熱器。 又本貫細形態中，基板載台2D具備用以檢測該基板 載台2D之溫度的温度感測器52。本實施形態中，温度感測 器52於基板載台2D配置有複數個。温度感測器52配置在 基板載台2D之複數個部位之各個。圖12所示例中，温度 感，貝J器52於第1保持部3 1 d配置複數個。又，温度感測器 52於基板載台2D之上面2Ud配置複數個。此外，基板载 D 2D之上面2Ud可包含例如美國專利申請公開第2〇〇2/ 0041377號等所揭示之構成空間像測量系統之一部分之構 件的上面’或例如美國專利申請公開第2〇〇7/〇288 ΐ2ι號 所揭不之以編碼器系統加以檢測之標尺構件之上面。 温度調整裝置50由控制裝置8加以控制。又，温度感 利器5 2之檢測結果輸出至控制裝置5 〇。控制裝置8根據温 度感測器52之檢測結果控制温度調整裝置5〇，以使基板載 〇 2D(第1保持部3 iD)之温度為目標温度（目標值）。 由於吸引口 24之吸引動作’基板載台2D之温度有可 月b產生變化。例如’有可能因吸引口 24之吸引動作使得基 板載台2D之溫度降低。或者，基板載台2D之温度亦有可 月b上昇。根據本實施形態，由於係以温度調整裝置調整 51 201250396 基板載台2D之溫度，因此能抑制該基板載台2D之温度變 化0 又’本實施形態’雖係設計成由温度調整裝置5〇根據 温度感測器52之檢測結果來調整基板載台2D之温度，但 亦可不採用温度感測器52之檢測結果調整基板載台2D之 /皿度亦可省略 >皿度感測器52。例如，在吸引口 24以第1 吸引力吸引流體時、以及以較第！吸引力大之第2吸引力 吸引流體時’藉由變化溫度調整裝置5〇之控制量（例如對帕 耳帖元件賦予之電流量），即能使基板載台2D之温度接近 目標温度（目標值）。例如，可使吸引口 24以第i吸引力吸 引流體時之温度調整構件51之發熱量，小於吸引口 24以 較第1吸引力大之第2吸引力吸引流體時之温度調整構件 5 1之發熱量。 又，本實施形態中，雖係將複數個温度調整構件5丨離 政的配置，但亦可配置例如環狀之温度調整構件。 又本實施形態中，亦可如第1實施形態所記載，將 第1期間之至少-部分中之吸引口 24之吸引力設定為較第 I期間中之吸引口 24之吸引力小，亦可不將第i期間之至 '、&刀中之吸引口 24之吸引力設定為較第2期間中之吸 引口 24之吸引力小。 又’上述第1〜第4實施形態中，可如圖14所示，基 板P突出於周壁部35外側之一部分之尺寸Wp，小於覆蓋 構件T突出於周壁部3 8内側之一部分之尺寸wt，亦可如 圖15所不，尺寸WP大於尺寸wt。此外，尺寸Wp與尺寸 52 201250396 w t亦可大致相等。 又，第Η呆持部31亦可將基板卩保持成不 :出：：如…保持部31可將基板ρ保持成尺寸 零。此外，第2保持部32可將 Ρ為 部Μ突出。例如，第2保持部32可將覆蓋书^ ^壁 尺寸Wt為零。 卞保待成 又，上述實施形態中，可如圖16所示，例如於周壁部 35之上面設置凸冑48β據此’即能在維持周壁部& 度之同時’縮小周壁部35(凸部48)與基板ρ之下面扑之接 觸面積。同樣的，亦可於周壁部38之上面設置凸部Μ。此 外，亦可在參照圖9及圖10所説明之周壁部43之上面机 置凸部48。 ％ 又’本實施形態中，亦可如第i實施形態所記載，將 第1期間之至少—部分中之吸引口 24之吸引力設定為較第 2期間中之吸引口 24之吸引力小，亦可不將第i期間之至 少一部分中之吸引口 24之吸引力設定為較第2期間中之吸 引口 24之吸引力小。 <第5實施形態> 接著，説明第5實施形態。以下之説明中，與上述實 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或 省略其説明。 圖17係顯示第5實施形態之曝光裝置Εχ之一例的 圖。圖17中，曝光裝置ex具備抑制機構6〇，此抑制機構 60在實施基板P之曝光之第1期間之至少一部分中從空調 53 201250396 系統105之供氣部105S對空間1〇2A供應氣體，而在未實 施基板P之曝光之第2期間之至少一部分中抑制來自供氣 部105S之氣體之至少—部分被供應至基板载台2。 本實施形態中，抑制機構6〇包含在第2期間之至少一 部分中關閉供氣部105S之擋門構件（shutter)61。本實施形 態中，抑制機構60具有可移動擋門構件61之驅動裝置62。 抑制機構60可使驅動裝置62作動，以使擋門構件<61移動 至與供氣部105S對向之位置。 本實施形態中，帛2期間包含未在第1保持部31保持 基板P之期間。第2期fB，，包含例如將曝光後之基板p從 第1保持部31搬出、至將曝光前之基板p搬人第丨保持部 3 2為止之期間。 本實施形態中，抑制機構6〇，至少在基板更換處理中 將曝光後之基板P從第1保持部搬出、至將曝光前之基 板p搬入第1保持部32為止之未在第i保持部31保持基 板P之期間’以擋門構件61關閉供氣部105S。 :康此’即能抑制例如來自供氣部i〇5s之氣體接觸第1 ，、夺P 31 士口此，可抑制第】保持部Μ之温度變 降低Ρ 又甘至J在實施基板Ρ之曝光之第i期間中，擋門構 牛61疋從供氣部1〇5s退出。抑制機構可使驅動裝置Q 動X使擔門構件61從與供氣部i〇5s對向之位置退出。 來自供氣部105S之氣體即可供應至空間ι〇2Α，將空 間102A之環境調整為良好。 54 201250396 又，如圖】8所示，亦可在例如間置期令等之第2期間 之至少一部分，配置虛擬基板Dpi以覆蓋第i保持部3】。 虛擬基板DPI之外形與用以製造元件之基板p之外形大致 相等。虛擬基板DPI係一較基板p更不易釋出異物之基板。 第1保持部31可保持虛擬基板〇ρΐβ虛擬基板Dpi之上面 對液體LQ為撥液性。此外，與覆蓋構件τ(開口 Th)之内面 對向之虛擬基板DPI之側面，對液體LQ亦為撥液性。例 如’虛擬基板PP1之上面及側面對液體LQ之接觸角為9〇 度以上。 於第2期間之至少―部分以第1保持部31保持虛擬基 板DP1，即能抑制來自供氣部1〇5S之氣體接觸第i保持部 31。如此，可抑制第上保持部31之温度變化。 又，亦可如圖19所示，抑制機構6〇包含在第2期間 之至少一部分覆蓋基板載台2之至少一部分之擋門構件 62。擋Η構件62可以驅動裝置63加以移動。如此，亦能 抑制來自供氣部105S之氣體與第i保持部31接觸。 又，亦可於第2期間之至少—部分中，停止來自供氣 部105S之氣體供應、或減少氣體之供應量（流速）。 又，本實施形態，亦可於第i期間中從吸引口 24以第 1吸引力吸引流體，於第2期間中從吸引口 24以較第i吸 引力大之第2吸引力吸引氣體，或不將第i期間之至少— 部分中之吸引口 24之吸引力設定為較第2期間中之吸引口 24之吸引力小。 <第6實施形態> 55 201250396 接著’説明第6實施形態。以下之説明中，與上述實 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或 省略其説明。 圖20顯示了本實施形態之曝光裝置Εχ之一動作例。 在未實施基板P之曝光之第2期間中，於第1保持部3丨保 持虛擬基板DP2。本實施形態中，虛擬基板DP2之外形（尺 寸、直徑）較用以製造元件之基板P之外形（尺寸、直徑）小。 在第1保持部3 1所保持之虛擬基板DP2與第2保持部 32所保持之覆蓋構件Τ之間形成有間隙Gb。間隙Gb之尺 寸，較基板P與覆蓋構件T之間形成之間隙Ga之尺寸大。 本實施形態中，虛擬基板DP2之上面Da2之周緣部Ea2 對液體LQ為親液性。虛擬基板DP2之上面Da2之周緣部 Ea2較虛擬基板DP2之上面Da2之中央部Ca2為親液性。 又’虛擬基板DP2之上面Da2之周緣部Ea2對液體Lq接 觸角較基板P之上面Pa小。又’與覆蓋構件τ之内面Tc 對向之虛擬基板DP2之側面Dc2對液體Lq亦為親液性。 又，與覆蓋構件T之内面Tc對向之虛擬基板DP2之側面 Dc2，亦較虛擬基板Dp2之上面Da2之中央部Ca2為親液 性。此外，虛擬基板DP2之側面Dc2對液體LQ之接觸角 較基板P之側面Pc小。例如，虛擬基板Dp2之上面Da2 之周緣部Ea2及側面Dc2對液體LQ之接觸角小於9〇度。 本實施形態中，第2期間包含例如曝光裝置Εχ之維修 保養期間或閒置期間。於本實施形態之第2期間（維修保養 期間、閒置期間）之至少一部分中，例如在終端光學元件12 56 201250396 . 及液浸構件7與虛擬基板DP2之間以液體LQ形成液浸空 間LS。藉由與從供應口 15之液體Lq之供應並行，實施從 回收口 1 6之液體LQ之回收，形成液浸空間ls。據此，例 如液浸構件7之至少一部分即被液體lq清潔。又，藉由在 終端光學元件12及液浸構件7與覆蓋構件τ之間以液體LQ 形成液浸空間LS，液浸構件7之至少一部分及覆蓋構件丁 之至少一部分即被液體LQ清潔。 又，本實施形態，於第2期間之至少一部分中，在終 端光學元件12及液浸構件7與虛擬基板DP2及覆蓋構件τ 之間以液體LQ形成液浸空間LS »本實施形態中，由於間 隙Gb之尺寸較間隙Ga之尺寸大,;，且虛擬基板〇Ρ2之上面 之周緣部及側面對液體LQ為親液性，因此液浸空間ls之 液體LQ之至少一部分可順暢的流入通至間隙Gb之空間部 23 » 控制裝置8實施吸引口 24之吸引動作》據此，經由間 隙Gb流入空間部23之液體LQ即被從吸引口 24回收（吸 引）。因此’用以規定空間部23之内面即被液體LQ清潔。 此外’例如覆蓋構件T之内面亦被液體LQ清潔。 於第2期間’控制裝置8控制從吸引口 24以第丨吸引 力吸引空間部23之流體（液體LQ)。亦即，控制裝置8以和 實施基板P之曝光之第1期間中之吸引口 24之吸引力相同 之吸引力，於第2期間實施吸引口 24之吸引動作。又，於 第2期間中吸引口 24以第2吸引力吸引流體（液體Lq)亦 可。又，亦可在虛擬基板DP2被保持於第1保持部3 1時， 57 201250396 從吸引口 24以第1吸引力吸引流體（液體LQ)’在虛擬基板 DP2從第1保持部3 i被搬出後，從吸引口 24以第2吸引力 吸引流體（液體LQ) » 根據本實施形態’在虛擬基板DP2被保持於第1保持 部3 1之第2期間t，亦使液體LQ流入空間部23而在空間 部23(或其近旁）使液體Lq產生汽化，因此基板載台2在第 1期間（實施基板P之曝光之期間）之温度與基板載台2在第 2期間（維修保養期間、閒置期間）之温度，大致被維持於相 同值。 又’亦可於第2期間（維修保養期間、閒置期間）後，實 施基板P之曝光。 又，本實施形態中’雖係設定為虛擬基板DP2之上面 之周緣部及與覆蓋構件T之内面對向之虛擬基板DP2之側 面’對液體LQ為親液性，但對液體lq亦可以是撥液性。 例如，虛擬基板DP2之上面之周緣部及側面對液體lq之 接觸角可以是90度以上》即使虛擬基板DP2之上面之周緣 部及側面對液體LQ為撥液性，由於虛擬基板〇Ρ2之外形 較基板P之外形小’因此，液浸空間LS之液體LQ之至少 —部分可透過間隙Gb順暢的流入空間部23。 又，本實施形態中，亦可如第1實施形態所記載，將 第1期間之至少一部分中之吸引口 24之吸引力設定為較第 2期間中之吸引口 24之吸引力小’亦可不將第1期間之至 少一部分中之吸引口 24之吸引力設定為較第2期間中之吸 引口 24之吸引力小。 58 201250396 . <第7實施形態> 接著，説明第7實施形態。以下之説明中，與上述實 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或 省略其説明。 圖2 1中顯示本實施形態之曝光裝置EX之一動作例。 在未實施基板P之曝光之第2期間（維修保養期間、間置期 間）中，於第1保持部3 1保持虛擬基板D P 3。本實施形態中， 虛擬基板DP3之外形（尺寸、直徑）與用製造元件之基板p 之外形（尺寸、直徑）大致相等。在第1保持部3 1所保持之 虛擬基板DP3與第2保持部32所保持之覆蓋構件τ之間， 形成有間隙Ga。 本實知形態中，虛擬基板DP3之上面Da3之周緣部Ea3 及與覆蓋構件τ之内面Tc對向之虛擬基板DP3之側面 Dc3 ’對液體LQ為親液性。虛擬基板〇Ρ3之上面Da3之周 緣°卩Ea3及與覆蓋構件T之内面Tc對向之虛擬基板DP3 之側面Dc3 ’較虛擬基板DP3之上面Da3之中央部Ca3對 液體LQ更為親液性。又，虛擬基板Dp3之上面以3之周 緣Ea3對液體lq之接觸角較基板p之上面pa小。又， 虛擬基板DP3之側面De3對液體LQ接觸角較基板p之側 面Pc小。例如，虛擬基板Dp3之上面之周緣部Ea3 及側面Dc3對液體LQ之接觸角小於9〇度。 於第2期間（維修保養期間、閒置期間）之至少一部分 中在、-、端光學元件12及液浸構件7與虛擬基板Dp3及覆 蓋構件Τ之間以液體LQ形成液浸空間LS。 59 201250396 即使是在虛擬基板DP3之外形與基板p之外形大致相 等之情形下，由於虛擬基板DP3之上面Da3之周緣部— 及側面Dc3對液體Lq為親液性，因此於第2期間（維修保 養期間、閒置期間）中，液浸空間Ls之液體LQ之至少一部 分會透過間隙Ga順暢的流入空間部23。 控制裝置8控制實施吸引口 24之吸引動作。據此，透 過間隙Ga流入空間部23之液體LQ即被從吸引口 24回收 (吸引）。因此’用以規定空間部23之内面被液體Lq清潔。 此外’例如覆蓋構件T之内面Tc亦被液體lq清潔。 又，亦可在第1保持部3 1保持參照圖丨8所説明之虛 擬基板DPI、在第2保持部32保持覆蓋構件T、在終端光 學元件12及液浸構件7與虛擬基板DPI及覆蓋構件Τ之間 以液體LQ形成有液浸空間LS之狀態下，實施從吸引口 24 之吸引動作。 又’本實施形態中’亦可如第1實施形態所記載，將 第1期間之至少一部分中之吸引口 24之吸引力設定為較第 2期間中之吸引口 24之吸引力小，亦可不將第i期間之至 少一部分中之吸引口 24之吸引力設定為較第2期間中之吸 引口 24之吸引力小。 <第8實施形態> 接著’説明第8實施形態。以下之説明中，與上述實 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化气 省略其説明。 圖22顯示了本實施形態之曝光裝置ΕΧ之一例。本實 60 201250396 施形態，於第2期間（維修保養期間'閒置期間）中，在第i 保持部保持有參照圖18所説明之虛擬基板阳。又，亦 °、；第保持邛3 1保持參照圖20所説明之虛擬基板DP2、 或保持參照圖21所説明之虛擬基板DP3。 —本實施形態中’於第2保持部32保持覆蓋構件口。覆 盍構件u具㈣置被保持於第丨料部3丨之虛擬基板⑽ 之開口 Uh。此外，覆蓋構件U具有用以規定開口 uh且配 置在虛擬基板DP1之上面周圍之上面m、與虛擬基板DP1 之側面對向之内面心在第i保持部31所保持之虛擬基板 DP1與第2保持部32所保持之覆蓋構件U之間，形成有間 隙Ga。基板載台2具有連通於間隙Ga之空間部23、與吸 引空間部23之流體之吸引口 24。 本實施形態中’覆蓋構件U(開口 Uh)之内面u2之至少 一部分對液體LQ為親液性。例如，内面U2對液體^之 接觸角小於90度。本實施形態中，内㈣對液體lq之接 觸角較虛擬基板DP1側面之接觸角小。又，本實施形態中， 内面U2對液體LQ之接觸角較基0側面之接觸角小。 又，能與射出面Π對向之覆蓋構件u之上面⑴對液 為㈣性°例如’上面U1對液體LQ之接觸角為9〇 度以上。本實施形態中’内面仍對液體lq之接觸角較上 面u 1之接觸角小。 此外，内面U2可以不是全部為親液性。例如，可以是 僅内面U2之下方部分為親液性。 又’内面U2上方部分之親液性與下方部分之親液性可 201250396 以不同。例如内面U2下方邱八-r ” & .„ 〇刀可以較上方部分更具親液 性。亦即’液體LQ在内面U2 π 士 μ、 辦…L V円面⑴下方部分之接觸角可以較液 體LQ在上方部分之接觸角小。

U1J 又，亦可以是上面m中、與内面U2連結之開口 周圍之環帶狀區域對液體Lq為親液性。 於第2期間（維修保養期間、閒置期間）之至少一部分 中’在第1保持部31保持虛擬基板Dpi之狀態下，實施從 吸引口 24之吸引動作。本實施形態中，由於覆蓋構件。之 内面U2對液H Lq為親液性，因此於第2期間（維修保養期 間、間置期間）中，液浸空間LS之液體LQ之至少一部分可 透過間隙Ga順暢的流入空間部23。 又，於實施基板P之曝光之第丨期間之至少一部分中， 在第1保持部31保持有基板p之狀態下，實施從吸引口 24 之吸引動作。如圖23所示，於第！期間中，有可能在覆蓋 構件U之内面U2與基板p之側面之間形成液體LQ之膜

FL。本實施形態中，由於覆蓋構件u之内面U2對液體LQ 為親液性，因此藉由吸引口 24之吸引動作，可將該液體LQ 之膜FL從覆蓋構件u之内面U2與基板P之側面之間順利 的去除。此場合，藉由配置使用圖8所説明之多孔構件 (42B) ’可更為順暢的除去流入覆蓋構件u與基板p間之間 隙的液體LQ。 又’由於覆蓋構件U之内面U2對液體LQ為親液性， 因此藉由在第1期間實施從吸引口 24之吸引動作，液浸空 間LS之液體LQ可順暢的透過基板p與覆蓋構件u之間之 62 201250396 間隙Ga流入空間部23。據此，於第 亦被液體LQ清潔。 於第1期間中， 空間部23 此外，藉由例如在圖4所示之步

之吸引力相同。 吸引口 24之钱 及各第2期間， 又，在第1期f 中之吸引口 24

台2。 又，本實施形態中，亦可如第丨實施形態所記載，將 第1期間之至少-部分中之吸引口 24之吸引力設定為較第 2期間中之吸引口 24之吸引力小，亦可不將第i期間之至 少一部分中之吸引口 24之吸引力設定為較第2期間中之吸 引口 24之吸引力小。 <第9實施形態> 接著’説明第9實施形態。以下之説明中，與上述實 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或 省略其説明。 圖24係本實施形態之曝光裝置ex之一例。本實施形 態中’基板載台2，具有用以規定可配置基板P之開口 Th2 且在基板P被保持於第1保持部3 1之狀態下配置在基板P 之上面Pa周圍之上面Ta2、連通至基板P之上面Pa與上面 Ta2之間之間隙〇2之空間部23、配置在空間部23之多孔 63 201250396 構件42B、以及至少一邱八二人々 ^ 刀面向多孔構件42B之上面42Ba 且相對開口 Th2之中心朝外相，丨办g处a + τ ^别外侧傾斜向下方之斜面Tc2。斜面

Tc2具有朝徑方向外方下降之傾斜。 又，基板載纟2具備朝向上自丁以之相反方向、與斜 面TC2之下端連結之下面Tb2。斜面丁。2與下面加之交 界部K2，與多孔構件42B之上面42以對向。 又’交界部K2亦可不與上面42Ba對向。亦即，圖24 所示例中，斜面Tc2及下面Tb2雙方與上面4心對向，但 亦可以是斜面Tc2與上面42Ba對向、但下面Tb2不與上面 42Ba對向。此外，亦可以是下自加與上面4叫對向、 而斜面Tc2不與上面42Ba對向。 本實施形態中，基板載台2具備配置在第i保持部31 周圍將覆蓋構件T2保持成可釋放之第2保持部32。本實 施形態中，覆蓋構件T2具有上面Ta2、斜面Tc2及下面几2。 又，覆蓋構件T2可一體的形成於基板載台2。 本實施形態中，斜® Tc2之至少一部分係自向基板p 之側面Pc。當然，斜面Tc2亦可不是面向基板p之側面pc。 圖24所示例中’多孔構件42B之上面42Ba與覆蓋構 件T2之下面Tb2間之間隔V1，較覆蓋構件丁2之斜面I。 與基板P之側面Pc間之間隔V2小。又，圖24所示例中， 多孔構件42B之上面42Ba與基板p之下面pb間之間隔 V3 ’較覆蓋構件丁2之斜面Tc2與基板p之側面pc間之間 隔V2小。 本實施形態中，斜面Tc2對液體叫之接觸角較基板p 64 201250396 之側面Pc之接觸角小。本實施形態中，斜面Tc2對液體LQ 為親液性。斜面Tc2對液體Lq之接觸角例如小於9〇度。 又斜面Tc2對液體LQ之接觸角可小於度、可小於7〇 度可小於60度、可小於50度、可小於40度、可小於30 度、亦可小於20度。舉一例而言’斜面Te2對液體lq之 接觸角可設為約 85、8〇、75、7〇、65、6〇、55、5〇、45、 心'35'30'25'20、15、1〇、5度，或不滿該角度。 又’斜面Tc2對液體LQ之接觸角可設為大於基板p之 側面Pe之接觸角。例如，斜面Tc2對液體可以是親液 性。例如’斜面Tc2對液體LQ之接觸角可以是90度以上、 可以是100度以上、亦可以是丨1〇度以上。舉一例而言， 斜面Tc2對液體LQ之接觸角可以是約9〇、95、100、105、 110、115度’或以上之角度。 又’圖24中’上面Ta2與斜面Tc2所夾之角度為銳角。 上面Ta2與斜面Tc2所夾角度，可以是例如45度以下、30 度乂下或20度以下。舉一例而言，上面Ta2與斜面Tc2 所夾角度可以是約 85、80、75、70、65、60、55、50、45、 40 > 35 ' 30、25、20、15、10、5 度，或不滿該角度。 與參照圖8等所説明之實施形態同樣的，基板載台2 具有吸引空間部23之流體之吸引口 24。吸引口 24可透過 多孔構件42B之孔吸引空間部23之流體。 圖25係顯示於間隙G2上形成液浸空間LS之狀態之一 例的圖。如圖25所示，終端光學元件12與基板P之上面 Pa及上面Ta2之至少一方之間形成之液浸空間lS之液體 65 201250396 LQ ’有可能透過間隙G2流入空間部23。本實施形態中， 透過間隙G2流人空間部23之斜面％與多孔構件42b之 上面42Ba之間之液浸空間LS之液體LQ之至少一部分， 透過多孔構件42B之孔加以回收。控制裝置8可藉由實施 從吸引口 24之吸引動作，透過多孔構件42B之孔回收空間 部23之液體LQ。 本實施形態中’由於形成有斜面Tc2，因此間隙⑺上 之液浸空間LS之液體LQ可順利的流入空間部23。 又，如圖26所示，由於形成有斜面仪2，因此藉由實 施從吸引口 24之吸引動作，可將办鬥邶λ 切TF J肘工間部23之液體LQ(斜面 %與上面42Ba之間之液體LQ)透過多孔構件42b加以順 利的回收。 又，亦可於空間部23,配置參照圖7等所説明之多孔 構件42A。例如，多孔構件42a夕μ品μ A τ〇 ，42Α之上® 42Aa與f蓋構件 之下面Tb2間之間隔V1，可大於覆蓋構件丁2之斜面w 與基板P之側面Pc間之間此外，多孔構件42A之 上面42Aa與基板P之下面pb問之η眩 b間之間隔V3,可大於覆蓋構 件η之斜面Tc2與基板P之側面pc間之間隔v2。 又，本實施形態中，亦可不於空間部2 3酉己置多孔構件。 又’圖24〜圖26中，雖伤4+糾认哲 雖係針對於第1保持部31保持 有基板P之情形為例作了説明，彳曰 仅社也 仁亦了於第1保持部3 1， 保持參照圖1 8等所説明之庳拟A 4c nn, ^ 之虛擬基板DP1、或保持參照圖20 等所說明之虛擬基板DP2、或夫昭同0 1想 .ηη 次參照圖21等所説明之虛擬基 板 DP3。 66 201250396 . 又’本實施形態中，亦可如第1實施形態所記栽，將 第1期間之至少一部分中之吸引口 24之吸引力設定為較第 2期間中之吸引口 24之吸引力小’亦可不將第1期間之至 少一部分中之吸引口 24之吸引力設定為較第2期間中之吸 引口 24之吸引力小。 <第1 0實施形態> 接著，説明第10實施形態。以下之説明中，與上述實 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或 省略其説明。 圖27係本實施形態之曝光裝置EX之一例。本實施形 態中，基板載台2，具備用以規定可配置基板p之開口 Th3 且在基板P被保持於第1保持部3 1之狀態下配置在基板p 之上面Pa周圍的上面Ta3、連通至基板p之上面pa與上面 Ta3間之間隙G3的空間部23、配置於空間部23的多孔構 件42B、至少一部分面向基板p之側面pe且相對開口 之中心朝外側向上方傾斜的斜面Tc3、以及朝向上面τ&3之

可以不是與基板p之側面Pc對向。 本實施形態中，基板載台2具備配置在第i保持部 本實施形態中，

又’覆蓋構件T3可— 體的形成於基板載台2。 67 201250396 圖27所示例中，多孔構件42B之上面42Ba與覆蓋構 件丁3之下面Tb3間之間隔V4，較覆蓋構件丁3之斜面Tc3 與基板P之側面p c間之間隔V 5小。又，圖2 7所示例中， 夕孔構件42B之上面42Ba與基板p之下面pb間之間隔 V6，較覆蓋構件T3之斜面Tc3與基板p之側面Pc間之間 隔V 6小。 本實施形態中，斜面Tc3對液體LQ之接觸角較基板p

之側面Pc之接觸角小。本實施形態中，斜面Tc3對液體LQ 為親液性。斜面Tc3對液體LQ之接觸角，例如小於9〇度。 又斜面Tc3對液體LQ之接觸角可以小於度、小於7〇 度、小於60度、小於50度、小於4〇度、小於3〇度 '或 小於20度。舉一例而言，斜面Tc3對液體之接觸角可 以是約 85、80、75、70、65、6〇、55、5〇 45 4〇35、 3〇、25、20、15、10、5度，或不滿該角度。 又，斜面Tc3對液體LQ之接觸角可以是大於基板p之 側面Pc之接觸角。例如，斜面Tc3可對液體為親液性。 例如，斜面Tc3對液體LQ之接觸角可以是9〇度以上、1〇〇 度以上、或1 10度以上。舉一例而言，斜面Tc3對液體LQ 之接觸角可以是約90' 95、100、1〇5、11〇、115度或該 角度以上。 又，圖27中，下面Tb3與斜面％所失角度為銳角。 下面Tb3與斜面Tc3所夾角度，例如可以是45度以下、3〇 度以下、4 20度以下。舉一例而言，下面加與斜面％ 所夾角度可以是約 85、80、75、7〇、65'6〇、55、5〇、45、 68 201250396 40、35、30、25、20、15、10、5 度，或不滿該角度。 又’與參照圖8等所説明之實施形態同樣的，基板載 台2具有吸引空間部23之流體之吸引口 24。吸引口 24可 透過多孔構件42B之孔吸引空間部23之流體。 圖28係顯示間隙G3上形成有液浸空間ls之狀態之一 例的圖。如圖28所示，在終端光學元件12與基板p之上 面Pa、上面Ta3及斜面Tc3中至少一者之間形成之液浸空 間LS之液體LQ，有可能透過間隙G3流入空間部23。本 貫施形態中’透過間隙G3流入空間部23之下面Tb3與多 孔構件42B之上面42Ba之間之液浸空間LS之液體之 至少一部分，係透過多孔構件42B之孔加以回收。控制裝 置8藉由實施從吸引口 24之吸引動作，可透過多孔構件 之孔回收空間部23之液體lq。 本實把形態中，由於形成有斜面Tc3，因此間隙G2上 之液浸空間LS之液體Lq可順利的流入空間部23。流入空 間部23之液體Lq，可藉由實施從吸引口 24之吸引動作： 透過多孔構件42B順暢的加以回收。 可於工間部23配置參照圖7等所説明之多1 件42A。例如，多孔構件42A之上面42^與覆蓋構件 之下面Tb3間之間隔V4，可大於覆蓋構件^之“ 與基板Ρ之側面Pc間之間㈤V5e此外，多孔構件似 上面42Aa與基板p之下面pb間之間隔Μ，可大

件T3之斜面Tc3鱼其此D 听囬κ基板P之側面Pc間之間隔V5。 又，本實施形態中，亦可不在空間部23配置多孔構 69 201250396

引口 24之吸引力小。 少一部分中之吸引口 24之吸引力設定為較第2 赛1期間之至 2期間中之吸 <第11實施形態> 接著，説明第11實施形態。以下之説明中，與上述實 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或 省略其説明。 圖29係第n實施形態之基板載台2之一例的圖。基 板载台2，具備將基板p之下面pb保持成可釋放之第1保 持部3卜用以規定可配置基板p之開口 丁11且在基板p被保 持於第1保持部31之狀態下配置在基板p之上面pa周圍 之上面Ta、連通至基板P之上面Pa與上面Ta間之間隙Ga 之空間部23、以及配置於空間部23並具有面向間隙G之上 面42Ba且具有吸引空間部23之流體之孔之多孔構件42B。 多孔構件42B之上面42Ba對液體LQ之接觸角較基板p之 上面pa之接觸角大。此外，本實施形態中，上面42Ba對 液體LQ之接觸角較基板p之側面pc之接觸角大。本實施 形態中’多孔構件42B之上面42Ba對液體LQ之接觸角例 70 201250396 如約為100度》又，上面42Ba對液體LQ之接觸角可以是 約1 10度、或約120度。 本實施形態中，多孔構件42B例如為鈦製。於上面42Ba 重有含It之撥液性材料。亦即，於上面42Ba配置有包含撥 液性材料之膜42F。撥液性材料可以是例如pFA(過氟烷基 化物 Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PTFE(聚四氟乙烯，P〇iy tetra f丨uor〇 ethylene)、 peek(聚醚醚酮，polyetheretherket〇ne)、或鐵氟龍（登錄商 標）。 由於多孔構件42B之上面42Ba對液體LQ之接觸角較 基板P之上面Pa之接觸角及側面Pc之接觸角之至少一方 大，因此透過間隙Ga流入空間部23之液體，浸入覆蓋 構件T之下面Tb與多孔構件42B之上面42Ba間之間隙的 情形受到抑制。換言之’空間部23之液體LQ浸入覆蓋構 件τ之下面Tb側之空間、或下面Tb被液體濕潤之情 况文到抑制。此外，流入空間部23之液體LQ浸入基板p 之下面Pb與多孔構件42B之上面42Ba間之間隙之情形受 到抑制。換言之，空間部23之液體LQ浸入基板p之下面 P b側之^ 二B、或下面Pb被液體LQ濕潤之情形受到抑制。 又，亦可於上面42Ba之至少一部分配置撥液構件。例 可配置片材構件（帶（taPe)構件）作為撥液構件。撥液構 牛之表面對液體LQt接觸角較基板P之上面Pa對液體lq :接觸角A。作為撥液構件，可配置例如含鐵氟 钛）之鐵氟龍帶（Tefl〇n Tape)、或含Goretex(商品名）之片材 71 201250396 (Gore 片材）。

、或下面Pb與上面 42Ba(膜42F、撥液構件）是接觸的。 <第12實施形態：>

Tb與上面42Ba之間及下面 隙之例，但下面Tb與上面 接著，説明第12實施形態。以下之説明中，與上述實 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或 省略其説明。 圖3 0係顯示第12實施形態之基板載台2之一例的圖。 如圖30所示，可於空間部23配置具有吸引空間部23之流 體之孔的多孔構件42A，於該多孔構件42A之上面42Aa配

置多孔構件42C。圖30中，多孔構件42C係在多孔構件42A 之上面配置成面向間隙Ga。多孔構件42C之孔較多孔構件 4 2 A之孔小。 本實施形態中’多孔構件42A係例如鈦製。多孔構件 42A例如可以燒結法形成。多孔構件42C例如為布類（wick)。 根據本實施形態’透過間隙G a流入空間部2 3之液體 LQ被多孔構件42C吸收。據此，能抑制液體LQ浸入下面 Tb側之空間及下面Pb側之空間。藉由實施從吸引口 24之 吸引動作’被多孔構件42C吸收之液體LQ即透過多孔構件 42A從吸引口 24被吸引。 <第1 3實施形態> 接著，説明第1 3實施形態。以下之説明中，與上述實 72 201250396 施形態相同或同耸：$ & Λ、y - x j寺之構成部分係賦予相同符號，並簡化或 省略其説明》 ^ 圖31係顯示第13實施形態之基板載台2之一例的圖。 如圖3 1所不，可於間隙Ga配置金屬線構件400 〇金屬線構 件400係以至少一部分接觸多孔構件42b之上面eh之方 式配置於間隙Ga。又，亦可於間隙Ga配置線。此外，亦 可配置表面對液體LQ為撥液性之金屬線構件（線）。例如可 配置對液體LQ之接觸角為9〇度以上之金屬線構件（線）。 根據本實施形態，可抑制液浸空間LS之液體Lq透過 間隙Ga流入空間部23。即使液體LQ流入空間部23，亦能 抑制該液體LQ浸入下面Tb側之空間及下面外側之空間％ <第14實施形態> 接著，説明第14實施形態。以下之説明中，與上述實 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或 省略其説明。 圖32係顯示第14實施形態之基板載台2之一例的圖。 圖32所示，本實施形態中，至少在液浸空間Ls被配置於 間隙Ga上時，透過多孔構件42b從吸引口 24將氣體供應 至空間部23。本實施形態中，吸引口 24係作為透過多孔構 件42B將氣體供應至空間部23之供氣口。據此，空間部u 之壓力較間隙G a上之空間（上面P a、T a面對之空間）之壓力 高。由於空間部23之壓力高，因此液浸空間ls之液體LQ 透過間隙Ga流入空間部23之情形即受到抑制。 <第15實施形態> 73 201250396 接著，説明第15實施形態。以下之説明中，與上述實 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或 省略其説明。 圖33及圖34係顯示本實施形態之曝光裝置EX之一例 的圖。本實施形態之曝光裝置EX，具備例如美國專利申請 公開第2007/ 0288121號所揭示之使用基板載台200G具有 之標尺構件GT來測量該基板載台200G之位置的編碼器系 統600。標尺構件GT具有作為測量基板載台2〇〇g之位置 之測量構件的功能。圖33係顯示編碼器系統6〇〇之圖，圖 34則係顯示基板載台200G及測量載台3之圖。 基板載台200G可移動至來自射出面 可照射到之位置（曝光位置）Ep…則量載台3亦可移動至來 射出面13之曝光用光EL可照射到之位置（曝光位置）Epc 圖34中，基板載台200G，具有將基板p之下面保持』 可釋放之第1保持部3卜配置在第丨保持部3丨周圍之至； —部分能形成液浸空間LS之標尺構件GT、以及與標尺4 件GT相鄰設置能形成液浸空間Ls之覆蓋構件丁4。 本實施形態中，覆蓋構件T4配置在第i保持部3" 保持之基板P周圍。標尺構件GT配置在覆蓋構件丁… =少—部^本實施形態中，標尺構件町係配置 】::T4之㈣。本實施形態中，標尺構件GT具有開/ 覆蓋構件Τ4配置於標尺構件GT之開口。 此外，亦可以是標尺構件GT配置 保持之篡妬P夕η ®<呆#旬5 3 1戶j 之周圍，覆羞構件T4配置在標尺構件GT々 74 201250396 ' °圍"^尺構件GT具有以編碼器系、統綱之編碼器讀頭加 以測量之光柵（grating)e覆蓋構件T4不具有光栅。 覆蓋構件Τ4具有能在與終端光學元件〗2之射出面υ 及液浸構件7之下面14之間形成液體LQ之液浸空間Ls 的上面T4ae標尺構件仍具有能在與射出面Μ下面" 之間形成液體LQ之液浸空間Ls的上面咖。 本實施形態中’標尺構件GT與覆蓋構件Τ4之間形成 有間隙上面Gta係與上面T4a隔著間隙Gm配置。 本實施形態中，基板載台2〇〇G具有將覆蓋構件丁4之 下面保持成可釋放之第2保持部321、以及將標尺構件π 之下面保持成可釋放之第5保持部322。第2保持部321配 置在第1保持部3】之周圍至少—部分。第5保持部322配 置在第2保持部321之周圍至少一部分。本實施形態中， 第2保持部321及第5保持部如分別包含銷爽頭機構。 覆蓋構件T4及標尺構件GT係被保持於基板载台 2〇〇G。藉由基板載台2〇〇G之移動，被保持於該基板載台 之覆蓋構件T4及標尺構件gt即與基板載台2〇〇g 一 起移動。亦即’藉由基板載台2〇〇G之移動’覆蓋構件^ 標尺構件GT可移動至曝光位置Ep。被保持於第2保持部 321之覆蓋構件T4與被保持於第5保持部322之標尺構件 GT，可在維持間隙Gm之狀態下一起移動。 本實施形態中，液浸空間LS之至少一部分可形成在射 出面13及下面14與覆蓋構件T4之上面T4a之間。此外， 液浸空間LS之至少-部分可形成在射出面13及下面“與 75 201250396 標尺構件GT之上面Gta之間。又，液浸空間LS之至少一 部分可形成在間隙Gm上《換言之’液浸空間ls可形成為 跨在上面T4a與上面GTa » 又’藉由在終端光學元件12及液浸構件7與基板載台 200G之間形成有液浸空間LS之狀態下基板載台2〇〇〇在 XY平面内移動，液浸空間LS可從覆蓋構件T4之上面τ钧 往標尺構件GT ’之上面GTa移動，從標尺構件GT之上面

Gta往覆蓋構件T4之上面T4a移動。亦即，液浸構件Ls 可從上面T4a及上面Gta之一方往另一方移動。換言之， 本實施形態中，覆蓋構件T4及標尺構件GT可在維持間隙

Gm之狀態下一起移動，以使液浸空間ls從上面τ乜及上 面GU之一方往另一方移動。又，液浸構件^在從上面丁鈍 及上面Gta之一方往另一方移動時，可通過間隙上。本 實施形態中’係通過形成在覆蓋構件^之 + Υ轴側之間隙 Gm上〇 之測量構件、以及與測量禮杜 T c 曹構件C相鄰設置可形成液浸 LS之覆蓋構件Q。測量構件 p 干L具有例如作為測直曝光 之測量構件的功能。測詈澈A ^ $载D 3具有將測量構件c 面保持成可釋放之第3保 33 η 卞符33、以及配置在第3保 α圍之至少一部分且將 夕笛， 復盍構件Q之下面保持成可 <第4保持部34。

本實施形態中 保持之測量構件C 覆蓋構件Q係配置在第3保持部33所 周圍之至少一部分。本實施形態中，覆 76 201250396 蓋構件Q具有開口，量構件c配置於覆蓋 測量構件c具有能在與射出面丨3及下面14 η 液體LQ之液浸空間LS的上面Cae覆蓋 形成 終端光學元件12之射出面13及液浸構件7之下面取*在與 形成液體LQ之液浸空間LS的上面Qa。 面14.之間 本實施形態中，測量構件c與覆蓋構件q 間隙Gn。上面Ca係與上面Qa隔著間隙Gn配置。 測量構件c及覆蓋構件Q被保持於測量載a 3 測量載台3之移動’被保持於該測量栽台3之：量構件由 C 及覆蓋構件Q即與測量載台3 一起移動。亦即，藉由列量 載台3之移動’測量構件C與覆蓋構件。可移動至曝光位 置EP。被保持於保持部33之測量構件c與被保持於 第4保持部34之覆蓋構件Q，能在維持間隙〇11之狀態下 一起移動。 本實施形態中，液浸空間LS之至少 邵 可形成在射 出面13及下面14與測量構件C之上面Ca之間。又，液浸 空間LS之至少一部分可形成在射出面13及下面14與覆蓋 構件Q之上面Qa之間。又，液浸空間LS之至少一部分可 形成在間隙Gn上》換言之，液浸空間LS可形成為跨在上 面Ca與上面Qa。 又，藉由在終端光學元件12及液浸構件7與測量載台 3之間形成有液浸空間LS之狀態下測量載台3於χγ平面 内移動，液浸空間LS即能從測量構件C之上面Ca往覆蓋 構件Q之上面Q a移動’或從覆蓋構件Q之上面q a往測量 77 201250396 :件c之上面Ca移動。亦即，液浸構件ls可從上面q 亡面Qa之一方往另一方移動。換言之’本實施形態中， 測更構件C及覆蓋構件Q可在維持間隙⑸之狀態下一起 移動，以使液浸空間LS從上面Ca及上面Qa之一方往另一 方移動。此外，液浸構件Ls在從上面Ca及上面Qa之一方 往另一方移動時，可通過間隙Gn上。 圖35係顯示曝光裝置Εχ之—動作例的圖。本實施形 態，如美國專利申請公開第2〇〇6/〇〇23186號及美國專利 申請公開第2007/0127006號等所揭示，控制裝置8為了 能在終端光學元件丨2及液浸構件7與基板載台2〇〇G及測 量載台3中至少一方之間持續形成液體LQ之液浸空間 LS，在基板載台200G之上面（標尺構件GT之上面（3丁3)與 測量載台3之上面（覆蓋構件q之上面Qa)接近或接觸之狀 態下’ 一邊使終端光學元件12及液浸構件7與基板載台 200G及測量載台3中至少一方對向、一邊相對終端光學元 件12及液浸構件7使基板載台200G及測量載台3於χγ 平面内移動。據此’即能在抑制液體LQ漏出之同時，使液 浸空間LS從在終端光學元件12及液浸構件7與測量載台3 之間形成之狀態，變化為在終端光學元件12及液浸構件7 與基板載台200G之間形成之狀態》此外，控制裝置8亦能 使液浸空間LS從在終端光學元件12及液浸構件7與基板 載台200G之間形成之狀態，變化為在終端光學元件12及 液浸構件7與測量載台3之間形成之狀態。 以下之説明中，將在基板載台2 0 0 G之上面與測量載台 78 201250396 3之上面接近或接觸之狀態下，相對終端光學it件12及液 浸構件7使基板載台2_與測量载台3於χγ平面内同步 移動之動作’冑當的稱為並排(scrum)移動動作。 於並排移動動作中，在基板載台2〇〇〇之上面(標尺構 件GT之上面GTa)與測量載台3之上面(覆蓋構件q之上面

Qa)之間形成間隙Gse並排移動動作中，基板載台〇及 測量載台3係一起移動。本實施形態’於並排移動動作中， 基板載台：咖與測量載台3可在維持間隙&之狀態下一 起移動。 液浸空間LS之至少一部分可形成在間隙&上。換言 之’液浸空間LS可跨在上面Gta與上面^形成。° 於並排移動動作中，液浸以，Ls可從標尺構件Μ之 上面⑽往覆蓋構件Q之上面Qa移動，從覆蓋構件q之上 =往標尺構件GT之上面抓移動。亦即，液_^ 可從上面GTa及上面Qa之一方往另一方移動。換令之本 200G及測量載台3可在_隙 狀態下—起移動’以使液浸空間LS從上面GTa及上 LQ==方移動。又，液浸空間…從上面_ a 往另一方移動時，可通過間隙Gs上。 圖36係顯示標尺構件GT與覆蓋構件η =的側視剖面圖。如圖％所示，本實施形態中，覆： 構…有與標尺構件GT對向之側面 覆蓋

具有與覆蓋構件T4對向之側面啡。 構件GT 本實施形態中’覆蓋構件T4之側面T4c係相對覆蓋構 79 201250396 T4b朝*中U朝外側向上方傾斜。亦即，側面T4e係從下面 俨尺禮I尺構件GT向上方延伸之斜面。側面丁化具有朝向 ‘構件GT上升之傾斜。本實施形態中，覆蓋構件T4之 上面T4a與XY平面實質平行。側自T4c相董十χγ平面傾斜。 上面T4a與側面T4c所夾之角為銳角。上面％與侧面T4c 所夾角度可以是例如45度以下、3〇度以下”戈20度以下。 舉一例而言’上面T4a與側面T4c之角度可以是約85、8〇、 75、70、65、60、55、5〇、45、4〇、35、3〇、25、2〇、 15、 10、5度，或不滿該角度。 本實施形態中，標尺構件GT之側面GTc與Z軸實質 平行。本實施形態中，標尺構件GT之上面Gta與XY平面 實質平行。上面GTa «ί：側面GTc所夾之角，實質為直角。 由於侧面T4c是傾斜的，因此間隙Gm係從覆蓋構件 T4及彳示尺構件GT之上面側向下面側漸漸擴張。 本實施形態中，側面T4c、GTc對液體LQ之接觸角較 基板P之側面Pc之接觸角小。本實施形態中，側面T4e、 GTc對液體LQ為親液性。側面T4c、GTc對液體LQ之接 觸角例如小於90度。此外，側面T4c、GTc對液體LQ之 接觸角可小於80度、小於70度、小於60度、小於5〇度、 小於40度、小於30度、或小於20度。舉一例而言，側面 T4c、GTc對液體LQ之接觸角可以是約85、80、75、7〇、 65、60、55、50、45、40、35、30、25、20、15、10、5 度， 或不滿該角度。 又，側面T4c、GTc對液體LQ之接觸角較基板P之側 80 201250396 面Pc之接觸角大。例如，側面T4c、GTc對液體Lq可以 是親液性。例如，側面T4c、GTc對液體LQ之接觸角可以 是90度以上、丨〇〇度以上、或丨丨〇度以上。舉—例而兮， 側面T4c、GTc對液體LQ之接觸角可以是約9〇、95、1QQ、 105、110、115度，或該等角度以上。 基板載台200G ’具有連通至間隙Gm之空間部23〇、 與吸引空間部230之流體之吸引口 24〇。例如透過間隙 流入空間部230之液浸空間LS之液體LQ,係從吸引口 24〇 加以吸引。 又，本實施形態中，基板載台200G具有配置於空間部 230之多孔構件420B。吸引口 24〇可透過多孔構件々MB之 孔吸引空間部230之流體（液體LQ及氣體中之一方或雙 方)。 一 又，亦可如圖24等所示之例，配置於空間部23〇之多 孔構件420B之上面接近覆蓋構件τ4之下面及標尺構件〇丁 之下面。 當然’亦可以不設置多孔構件4 2 〇 B。 例如參照圖24及圖25所説明般，本實施形態，形成 在終端光學元件12與覆蓋構件τ之上面T4a及標尺構件 GT之上面Gta中至少一方之間之液浸空間Ls之液體lq， 亦可透過間隙Gm順利的流入空間部23(^控制裝置8可藉 由實施從吸引口 240之吸引動作回收空間部23〇之液體 又，本實施形態中，雖係將與標尺構件對向之覆蓋 構件T4之側面T4c設計成相對覆蓋構件丁4之中心朝外側 81 201250396 (標尺GT)向上方傾斜’但例如亦可將與覆蓋構件丁4對 向之心尺構件GT之側面GTc，設計成相對標尺構件GT之 中心朝外側向上方傾斜。亦即，側面GTc係從下面⑽朝 覆蓋構件4T向上方延伸之斜面。此場合，側面 3 6所不般傾斜、亦可不是傾斜。 又，亦可以是僅與標尺構件GT對向之覆蓋構件丁4之 側面T4c之一部分如圖36所示般傾斜。 又’本實施形態中，覆蓋構件4T與基板p 間隙Ga周邊夕播i l x 丨6、圈適用以上述圖3、圖7〜圖 〜3 2所説明之構造之至少一種。 又形成間隙Ga之霜甚错杜J了士含 形成間隙Gm之覆蓋構件4T:::之邊緣部分之形狀與 又，⑽/ 件了之邊緣部分之形狀可以不同。 又間隙〜之大小可與間隙如之大小不同 又，與測量構件C對向之覆蓋構件 一 ° 覆蓋構件q Hu _ # Q之側面，可相對

r 朝外側向上方傾斜。女B

之側面可從覆蓋構件Q ’、 ’、卜覆蓋構件Q 舟卞V之下面朝測量構件 此外’與覆蓋構件Q對向之。^、’。 對測量構件C之中心朝#件c之側面亦可以是相 乏中、朝外側向上方傾斜。

之側面可以是從測量構件卩測量構件C 斜》此場合，覆蓋構件Q 覆蓋構件Q向上方傾 仪盈稱件Q之側面 斜、亦可以不是傾斜。 0上述般向上方傾 又，於並排移動動作巾 台200G之側面（標尺構件GT 载。3對向之基板載 200G(標尺構件gt)夕由 側面）可相對基板載台 T心朝外側南 上方傾斜。亦即，基板 82 201250396 .載台2〇〇G之側面可以是朝測量载台3向上方傾斜。此外， 與基板載台200G對向之測量載台3之側面（覆蓋構件〇之 ’J面）可相對測量載台3 (覆蓋構件⑴之中心朝外側向上方 傾斜。亦即，測量載台3之側面可以是朝基板載台2_向 上方傾斜。此場合，基板載台2〇〇G之側面可以是如上述般 向上方傾斜、以可以不是傾斜。 又，本實施形態中，標尺構件GT之標尺（光柵）雖係配 置成圍堯基板p(覆蓋構件T4)，但無需於所有間隙Gm適用 上述般之構造（例如，圖36之構造）。例如，可以不將+ γ 側之標尺構件GT與覆蓋構件（T4等）間之間隙作成如上述般 之構造。又’所有間隙Gm之大小可以不是相同的。此外， 本實施形態中，#尺構# G τ之標尺（光拇）雖係配置成圍繞 基板P(覆蓋構件T4)，但如圖37所示，在僅於+ χ側及—χ 側配置枯尺構件GT之情形時，亦可將上述般之構造適用於 標尺，件GT與覆蓋構件（Τ6等）間之間隙此場合，係 以測置構件3之覆蓋構件q之_ γ側直線邊緣與基板載台 G之覆蓋構件Τ6之+ Υ側直線邊緣間之形成間隙&之 方式進行並排動作。 又，上述實施形態中，雖係設計成基板載台與測量載 台進行並排移動動作’但例如圖38所示，亦可以是由第^ 基板載D 2001與第2基板載台2〇〇2進行並排移動動作。 此場合，在第1基板載台2〇〇1與第2基板載台2〇〇2之間 形成間隙之至少-方之構件之端部，可與上述覆蓋構件⑺ 等）之端部同樣的傾斜。第1、第2基板載台2001、2002分 83 201250396 別具有將基板p之下面保持成可釋放之保持部3i卜又第 卜第2基板載台2GG1、2GG2可分別移動至曝光位置EP。 圖38中’與第！基板載台2〇〇1對向之第2基板載台2〇〇2 之側面’可依上述實施形態傾斜。此外，與第2基板載台 2002對向之第1基板載台2〇〇 1之側面可依上述實施形態傾 斜》又，關於具備複數個基板載台之雙載台型曝光裝置之 技術，已揭露於例如美國專利第6341〇〇7號美國專利第 62 08407號、美國專利第6262796號等》 又，圖38所示例中，第1、第2基板載台2001、2002 分別具有光感測器320 〇光感測器32〇包含例如空間像感測 器。光感測器320係配置在形成於第丨、第2基板載台2〇〇卜 2002上面之開口。第丨、第2基板載台2〇〇1、2〇〇2可將覆 蓋構件保持成可釋放。又，第卜第2基板載台2〇〇1、2〇〇2 亦可不具有將覆蓋構件保持成可釋放之保持部。第丨基板 載台2001與配置在該第！基板載台2〇〇1之開口之光感測 器320間形成有間隙。此外，第2基板載台2〇〇2與配置在 s玄第2基板載台2002之開口之光感測器32〇間形成有間 隙。與第1基板載台2001之開口内面對向之光感測器32〇 之側面’可依上述實施形態傾斜。與光感測器3 2 〇對向之 第1基板載台200 1之開口内面，可依上述實施形態傾斜。 以下’說明第1構件Ml及第2構件M2之變形例。第 1構件Ml與第2構件M2 ’例如可以是上述覆蓋構件T4與 標尺構件GT、或測量.載台3與測量構件c，亦可以是並排 移動動作中之基板載台及測量載台.、或並排移動動作中之 84 201250396 第1基板載台及第2基板載台’亦可以是基板載台 2〇〇1(20〇2)與光感測器320。又，第1構件M1與第2構件 M2 ’亦可以是被保持於第1保持部3 1之基板p與配査在該 基板P周圍之基板載台2之一部分（例如覆蓋構件τ)。 又，上述實施形態t，雖係設計成覆蓋構件（標尺構件） 具有標尺（光柵），但亦可以是例如美國專利申請公開第2〇〇7 /0177125號、美國專利申請公開第2〇〇8/〇〇492〇9號等所 揭示之不具有標尺（光柵）之覆蓋構件。此外，覆蓋構件可以 是板片狀、亦可以是塊狀。又，上述實施形態中-，雖係基 板載台將覆蓋構件保持成可釋放，但亦可以是覆蓋構件^ 基板載台為一體…上述實施形態中，雖係測量载二將 ^構件保持成可釋放，但亦可以^蓋構件 ^ 為一體。 』里戰口 亦可於並排移動動作 入 Μ ^ ^ + 嗎科石·^間配置橋 ，件之狀態下，來使液浸空間LSp載台上面往另= 上面移動。此場合，第1槿杜 載〇 台及橋構件。 構件M1及第2構件Μ2分別為裁 圖3 9所不，與第1構件Μ1對向之第2槿# 側面係相對第2構件M2U έ广第2構件奶之 第2構件M2m 之中心朝外側向上方傾斜。亦即， 午M2之側面可以是是 圖39中，與第”“疋朝第1構件Ml向上方傾斜。 興第2構件M2對向笛 質上與Z軸平行。 才。之第1構件Ml之側面，實 如圖40所示，與第1姆从 側面係相對第2構M M1對向之第2構件M2之 構件M2之中心朝外側向上方傾斜，與第2 85 201250396 構件M2對向之笛,& 第1構件Ml之側面則相對 中心朝外側向上方傾斜。換言之，與第構件⑷之 2構件M2之側面是相 、構件Ml對向之第 子第1構件Μ1之中心達认 傾斜，與第2構件M2 _ + + # 朝外側向下方 午M2對向之第1構件Ml 1構件Ml之中心朝休a 之側面疋相對第 节朝外側向上方傾斜。亦 之側面可以是朝笛？描灿 第1構件Μ1 疋朝第2構件Μ2向上方傾斜 側面可以是朝第！構件M1向上㈣^第構件如之 又’第1構件M1及第2構件M2之至少 側面所夾角度，可以β 之上面與 月度了以疋例如圖41所示之銳角。上而^^丨工

所夹角度，例如可以作成1〇度〜6〇度。例如=側面 所夾角度可以是45度以下、3。度以下、亦可以是2= :。又:、由上面與側面形成之角之前端部，如圖41所：’ :以是尖的》此外’亦可如圖42所示，前端部包： 在形成如圖42所示之前端部時，例如，去角尺寸；J C〇.〇lmm〜C〇.lmm中選擇。此外，如圖43所示， 亦可包含曲面。在形成 刖端部 成士圖43所示之前端部時 角尺寸可從R0.01mm〜R() 5_ ， 則端部亦可具有2個去角部。或者，如圖 斤山不

亦可具有3個去角部。 ’、則為。P 又，第i構件ΝΠ及第2構件M2中至少—方之液體接 面(上面、側面或雙方)可以具有撥液性。例如，液體接觸 面對液㈣之接觸角為9〇度以上。液 觸

之接觸角可以是9。度以上，度以上、或"。：::Q 舉一例而言，液體接觸面對液體LQ之接觸角可以是約9〇、 86 201250396 95、1〇〇、1〇5、11〇、115度或該等角度以上。 又’上述實施形態中’可設置用以吸引連通至第1構 件Ml與第2構件M2間之間隙之空間部之流體的吸引口。 例如，可設置用以吸引連通至測量構件c與覆蓋構件q間 之間隙Gn之空間部之流體的吸引口。此外，亦可設置在並 排移動動作中吸引連通至2個載台間之間隙&之空間部之 流體的吸引口。或者，'亦可設置吸引連通至基板載台與光 感測器間之間隙之空間部之流體的吸引口。此場合，亦可 將空間部之流體透過多孔構件加以吸引。&外。亦可於空 間部省略多孔構件。 •又，當然亦可將使用圖1〜圖32説明之實施形態之至 少一者、與使用圖33〜圖45説明之實施形態之至少二 以適當組合使用。 者 又，如上所述，控制裝置8包含含cpu等之電腦系統。 又’控制裝置8包含可實施電腦系統與外部裝置間之通訊 的介面。記憶裝置8R’例如包含讀等之記憶體、硬碟 業系統（0S)，内儲存有用以控制曝光裝置Εχ之 程式。 …”於控制裝置8連接可輸入輸入信 置^入裝置包含鍵盤、滑鼠等之輸人機器、或可:入來 自外部裝置之資料的通訊裝置等。此外，'亦可卜： 示器等之顯示裝置。 裝吹液日日顯 包含記錄在記憶裝置8R之程式的各種資訊，可由包含 87 201250396 電腦系統控制裝置8(電腦系統）加以讀取。於記憶裝置8r 中，儲存有使控制裝置8實施透過曝光液體Lq以曝光用光 EL使基板P曝光之曝光裝置ex之控制的程式。 記憶裝置8R中記錄之程式，可依上述實施形態，使控 制裝置8貫施：在具有射出曝光用光el之射出面13的終端 光學構件12與具有將基板p之下面pb保持成可釋放之第^ 保持部31、規定可配置基板P之開口 丁11且在基板p被保持 於第1保持部3 1之狀態下配置在該基板p之上面周圍 之上面2U'以及具有連通至該基板P之上面Pa與該上面 間之間隙Ga之空間部23的基板載台2之上面2U與基 板P之上面Pa之至少一方之間，在以液體LQ形成有液浸 空間LS之狀態下一邊移動基板載台2、一邊實施基板卩之 曝光之動作；在實施基板P之曝光之第1期間之至少一部 分中’從吸引口 24以第1吸引力吸引空間部23之流體之 動作；以及在未實施基板p之曝光之第2期間中，從吸引 口 24以較該第丨吸引力大之第2吸引力吸引空間部23之 流體之動作。 又’記憶裝置8R中記錄之程式，可依上述實施形態， 使控制裝置8實施：在具有射出曝光用光el之射出面13之 終端光學構件12、與被保持於基板載台2之第1保持部3 1 之基板P之間以液體LQ形成有液浸空間LS之狀態下，實 施基板P之曝光之動作；在實施基板p之曝光之第丨期間 之至少—部分中，對配置終端光學元件12及基板載台2之 空間102A從空調系統1〇5之供氣部1〇5S供應氣體，以調 88 201250396 整空間1 02之瑁掎夕叙从. 乍’以及在未實施基板p之曝光之 第/月間之至_> -部分中，實施抑制來自供氣部之氣 體之至夕分被供應至基板載台2之處理的動作。 又，記憶裝置8R中夺林+ & °己錄之程式，可依上述實施形態， 使控制裝置8實施，在且Α» . I 在/、有射出曝光用光£]：.之射出面13之 Ά光干7C件12與具有將基板ρ之下面pb料成可釋放 之第1保持部31、用以規定可配置基板P之開口 UH且在 基板P被保持於第1保持部3!之狀態下配置在基板p之上 面周圍之上面U1、基板Ρ之側面與之對向且

接觸角較基板Ρ之側面小之内請、及連通至基板PL 面與上面U1間之間隙以之空間部23的基板載台2之上面 U1與基板p之上面中至少— 夕方之間，以液體LQ形成有液 浸空間L S之狀態下，眘n ^ 狀j卜實施P基板之曝光之動作；在實施基 板P之曝光之第1期間之至少一部分中，從吸引口 24吸引 空間部23之流體之動作；以及在未實施基板p之曝光之第 2期間之至少一部分中，在笛μ，，， 第1保持邛3 1保持虛擬基板DP 1 等物體之狀態下’從吸引口 24吸引流體之動作。 又’冗憶裝置8R中記錄之程式，可依上述實施形態， 使控制裝置8實施:在具有射出曝光用光EL之射出面13之 終端光學元件12與具有將基板p之下面pb保持成可釋放 之第1保持部3卜用以規定可配置基板ρ之開口 Th且在基 板P被保持於第1保持部31之狀態下配置在基板p之上面 pa周圍之上面U2、基板P之側面pc對向之内面η、及連 通至基板P之上面Pa與上面川間之間隙:^之空間部Μ 89 201250396 的基板載台2之上面2U與基板p之上面Pa中至少一方之 間，以液體LQ形成有液浸空間LS之狀態下，實施基板p 之曝光之動作；在實施基板p之曝光之第丨期間之至少一 部分中，從吸引口 24吸引空間部23之流體之動作；以及 在未實施基板P之曝光之第2期間之至少一部分中，在終 端光學元件12 i上面2U及被保持於第丨保持部31之虛擬 基板之間以液體LQ形成有液浸空間LS之狀態下，從吸引 口 24吸引空間部23之流體之動作。 又，圮憶裝置8R中記錄之程式，可依上述實施形態 使控制裝置8實施：在具有射出曝光用光EL之射出面13戈 終端光學元件12與被保持於將基板p之下面pb保持成^ 釋放之第1保持部31之基板P之上面pa、及用以規定可酉; 置基板P之開口 Th2且在基板p被保持於第复保持部31之 狀態下配置在基板P之上面Pa周圍之上面Ta2之至少一方 之間，以液體LQ形成有液浸空@ “之狀態下，使基板】 曝光之動作；以及將透過基之上面pa與上面W間之 間隙G2流入配置在連通於間隙⑺之空間㈣之多孔構件 權之上面飾與至少部分面向多孔構件42B之上面42Ba 且相對開口 Th2之中心鉬外你,& τ ‘ 〈甲u朝外側向下方傾斜之斜面Μ之間 的液浸空間LS之液體LQ之至少一部分，透過多孔構件㈣ 之孔加以回收之動作。 八，，;思珉罝中記锫夕：f3々 終端光學元们2與被料在絲板p之T*Pb保持成: 90 201250396 釋放之第！保持部31之基板P之上面Pa、用以規定可配置 基板P之開π Th3且在基板P被保持於第i保持部31之狀 態下配置在基板P之上面Pa周圍之上面Ta3、以及至少部 分面向基板P之側面Pc且相對開口 TH3之中心朝向外側向 上方傾斜之Tc3中的至少一個之間’在以液體…形成有液 浸空間LS之狀態下’使基板p曝光之動作；以及將透過基 板P之上面Pa與上面Ta3間之間隙G3流入配置在連通於 間隙G3之空間部23之多孔構件42B之上面42心與朝向上 面Ta3之相反方向、至少部分面向多孔構件42β之上面42心 之下面扑3間的液浸空間Ls之液㈧體之至少一部分，透 過多孔構件42B之孔42Ba加以回收之動作。 又，記憶裝置8R中記錄之程式，可依上述實施形態， 使控制裝置8實施：在具有射出曝光用光之射出面之光學構 件與被保持在將基板之下面保持成可釋放之第1保持部之 基板之上面之間》在以液# 士 饮體形成有液浸空間之狀態下，使 基板曝光之動作；在可移動至來自射出面之曝光用光可照 射之照射位置之第i構件之帛i上面及與該第^面隔著 間隙配置且能與第1構件—起移動至照射位置之第2構件 之第2上面中之至少—方、與射出面之間形成液浸空間之 動作。此場合，與第2構件對向之第i構件之帛i側面及 與第1構件對向之第2構件之第2側面中之至少一方，係 相對第1構件之中心朝外側向上方傾斜。 又。己隐裝置8R中s己錄之程式，可依上述實施形態， 使控制裝置8實施:在具有射出曝光用光之射出面之光學構 91 201250396 ^與被保持在將基板之下面保持成可釋 基板之上面之問，A 、A 币丨保符。P之 在以液體形成有液浸空間之狀態下，使 基板曝光之動作；在可 移動至來自射出面之曝光用光可照 射之照射位置之第1構件 隙配置且能與第"真件：第1上面隔著間 第構件-起移動至照射位置之第2構件之 第2上面中之至少一方、與射出面之間形成液浸空間之動 作。此場合，肖第2構件對向之第i構件之第"則面及與 第1構件對向之第2構件之第2側面中之至少一方，係相 對第1構件之中心朝外側向下方傾斜。 藉由將圮憶裝置8R中儲存之程式讀取至控制裝置8， 基板載台2、液浸構件7、驅動系統5及流體吸引裝置％ 等曝光裝置EX之各種裝置即協同動作，在形成有液浸空間 LS之狀態下，實施基板p之液浸曝光等的各種處理。 又，上述各實施形態中，雖然投影光學系p]L之終端光 學元件12之射出側（像面側）之光路κ係被液體LQ充滿， 但投影光學系PL亦可以是例如國際公開第2〇〇4/〇i9i28 號所揭不之終端光學元件12之入射側（物體面側）光路亦被 液體LQ充滿之投影光學系。 又’上述各實施形態中，曝光用之液體LQ雖係使用 水’但亦可以是水以外之液體。液體LQ，以對曝光用光jgL 具有穿透性、對曝光用光EL具有高折射率、對形成投影光 學系PL或基板P之表面之感光材（光阻劑）等膜安定者較 佳。例如’液體LQ可以是氫氟醚（HFE)、全氟化聚醚 (PFpE)、氟素潤滑油（fomblin(登錄商標）oil)等。此外，液 92 201250396 . 體LQ亦可是各種流體、例如超臨界流體》 又，上述各實施形態之基板P，不僅僅是半導體元件製 造用之半導體晶圊’亦可適用顯示元件用之玻璃基板、薄 膜磁頭用之陶瓷晶圓、或曝光裝置所使用之光罩或標線片 之原版（合成石英、矽晶圓）等。 又’作為曝光裝置EX，除了使光罩μ與基板P同步移 動來對光罩Μ之圖案進行掃描曝光的步進掃描方式之掃描 型曝光裝置（掃描步進機）之外’亦可以適用例如使光罩Μ 與基板Ρ在靜止之狀態下，使光罩Μ之圖案一次曝光，並 使基板Ρ依序步進移動的之步進重複方式的投影曝光裝置 (步進機）。 再者’於步進重複方式之曝光中，亦可在使第1圖案 與基板Ρ大致靜止之狀態，使用投影光學系PL將第1圖案 之縮小像轉印至基板Ρ上後，在第2圖案與基板ρ大致靜 止之狀態，使用投影光學系PL將第2圖案之縮小像與第i 圖案局部重疊而一次曝光至基板P上（接合方式之一次曝光 裝置）。又，接合方式之曝光裝置，亦可以是於基板p上至 少將二個圖案局部的重疊轉印，並使基板p依序移動之步 進接合（step & stitch)方式之曝光裝置。 又，本發明亦能適用於例如美國專利第6611316號所揭 示之將2個光罩之圖案透過投影光學系在基板p上加以合 成，以一次掃描曝光使基板ρ上之i個照射區域大致同時 雙重曝光之曝光裝置。此外，本發明亦能適用於近接方式 之曝光裝置、反射鏡投影對準器⑽rror projection alig㈣ 93 201250396 等。 又本發函亦可適用於例如美國專利第634 1 007號、 美國專利第6208407號、及美國專利第6262796號等所揭 之具備複數個基板載台之雙載台型的曝光裝置。 此外，亦能適用於具備複數個基板載台與測量載台之 曝光裝置。 曝光裝置EX之種類不限於將半導體元件圖案曝光至 基板P之半導體元件製造用之曝光裝置，亦可廣泛適用於 液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置、或用以 製造薄膜磁頭、攝影元件（CCD)、微機器、MEMS、dna晶 片'標線片或光罩等之曝光裝置。 又，上述實施形態中，雖係使用在光透射性基板上形 成有既定遮光圖案（或相位圖案、減光圖案）之光透射型光 罩，但亦可取代此光罩，使用例如美國專利第6778257號 公報所揭示，根據待曝光圖案之電子資料來形成透射圖案 或反射圖案、或形成發光圖案之可變成形光罩（電子光罩、 主動光罩或影像產生器）^又，亦可取代具有非發光型影像 顯示元件之可變成形光罩，而裝備包含自發光型影像顯示 元件之圖案形成裝置。 上述各實施形態中，雖係以具備投影光學系pL之曝光 裝置為例作了説明，但本發明亦可適用於不使用投影光學 系PL之曝光裝置及曝光方法。例如，可在透鏡等光學構件 與基板之間形成液浸空間，透過該光學構件對基板照射曝 光用光。 94 201250396 又，本發明亦可適用於例如國際公開第2001/035168 =小冊子所揭示之藉由在基板P上形成干涉條紋，據以在 基板上曝光線與空間圓案⑴ne & spaee patt叫的曝光裝置 (微影系統）。 八上述實施形態之曝光裝置EX，係藉由組裝各種次系統 構成要素）’以能保持既定之機械精度、電氣精度、光 予精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後， 係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對 各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣 系 <’先進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系统至曝光 裝置EX之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、 氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置 EX之組裝步驟前，有各次系統個別之組裝步驟。在各種次 系統組裝至曝光裝置EX之步驟結束後，即進行综合調整， 以確保曝光裝置EX整體之各種精度。此外，曝光裝置Εχ 之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之無塵室進 行。 半導體元件等之微元件，如圖46所示，係經進行微元 件之功此、性能設計之步驟2 01 ’根據此設計步驟製作光罩 Μ(標線片）之步驟202，製造元件基材之基板之步驟2〇3， 包含依據上述實施形態進行基板處理（曝光處理，包含使用 光罩Μ之圖案以曝光用光EL使基板曝光之動作、以及使 曝光後基板顯影之動作）的基板処理步驟204，元件組裝步 驟（包含切割步驟、結合步驟、封裝步驟等之加工製程）2〇5， 95 201250396 以及檢査步驟206等而製造。基板處理步驟包含上述第1 期間及第2期間。 又’上述各實施形態之要件可適當加以組合。又，亦 有不使用部分構成要素之情形。此外，在法令許可範圍内’ 援用上述各實施形態及變形例所引用之關於曝光裝置等之 所有公開公報及美國專利之揭示作為本文記載之一部分 分。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置之一例的概略構 成圖。 圖2係顯示第1實施形態之液浸構件及基板載台之一 例的圖。 圖3係顯示第1實施形態之基板載台之一部分的圖》 圖4係顯示第1實施形態之曝光方法之一例的流程圖。 圖5係用以說明第1實施形態之曝光方法之一例的圖。 圖6係用以說明第1實施形態之曝光方法之一例的圖。 圖7係顯示第1實施形態之基板載台之一部分的圖。 圖8係顯示第1實施形態之基板載台之一部分的圖。 圖9係顯示第2實施形態之基板載台之一部分的圖。 圖1 〇係顯示第2實施形態之基板載台之一部分的圖。 圖11係顯示第3實施形態之基板載台之一部分的圖。 圖1 2係顯示第4實施形態之基板載台之一例的圖。 圖1 3係顯示第4實施形態之基板載台之一部分的圖。 96 201250396 _ 圖14係基板載台之一例的圖。 圖1 5係基板載台之一例的圖。 圖1 6係基板載台之一例的圖。 圖1 7係顯示第5實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖1 8係顯示第5實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖1 9係顯示第5實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖20係顯示第6實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖2 1係顯示第7實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖22係顯示第8實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖23係顯示第8實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖24係顯示第9實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖25係顯示第9實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖26係顯示第9實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖27係顯示第10實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖28係顯示第1 0實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖29係顯示第1 1實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖30係顯示第12實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖3 1係顯示第1 3實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖32係顯示第14實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖33係顯示第15實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖34係顯示第1 5實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖3 5係顯示第1 5實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖36係顯示第1 5實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖37係顯示第1 5實施形態之曝光裝置之一例的圖。 97 201250396 圖3 8係顯示第1 5實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖3 9係顯示第1 5實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖40係顯示第1 5實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖4 1係顯示第1 5實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖42係顯示第1 5實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖43係顯示第1 5實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖44係顯示第1 5實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖45係顯示第1 5實施形態之曝光裝置之一例的圖。 圖46係元件之一製程例的流程圖。 【主要元件符號說明】 1 光罩載台 2、2D基板載台 2U 上面 3 測量載台 4、5、6 驅動系統 7 液浸構件 7H 液浸構件之下面 7K 孔 7P 開口 7U 液浸構件之上面 8 控制裝置 8R 記憶裝置 9、1 0 基座構件 98 201250396 9G、 10G 導引面 11 干涉儀系統 12 終端光學元件 13 射出面 14 下面 15 供應口 16 回收口 17 流路 17R 供應流路 18 液體供應裝置 19 多孔構件 20 流路 21 液體回收裝置 22 吸引口 23 空間部 24 吸引口 25 流路 26 流體吸引裝置 31 第1保持部 32 第2保持部 33 第3保持部 34 第4保持部 35 周壁部 36 支持部 99 201250396 37 吸引口 38、39 周壁部 40 支持部 41 吸引口 42A 多孔構件 42Aa 多孔構件42A 之上面 42B 多孔構件 42Ba 多孔構件42B 之上面 42C 多孔構件 43 周壁部 44 空間部 45 供氣口 46 排出口 47 隔熱材 48 凸部 50 温度調整裝置 51 温度調整構件 52 溫度感測器 60 抑制機構 61 擋門構件 62 擋門構件之驅動裝置 63 驅動裝置 71 液浸構件之對向部 72 液浸構件之本體部 100 201250396 102 空間 104 腔室構件 105 空調系統 105S 供氣部 200G 基板載台 240 吸引口 300 檢測系統 302 對準系統 303 表面位置檢測系統 400 金屬線構件 C 測量構件 DPI〜DP3 虛擬基板 EL 曝光用光 EP 曝光位置 EX 曝光裝置

Ga、Gb、Gm、G2 間隙 IL 照明系 IR 照明區域 K 曝光用光之光路 LQ 液體 LS 液浸空間 Μ 光罩 Ρ 基板

Pa、Pb、Pc 基板之上面、下面、側面 101 201250396 PL 投影光學系 PR 投影區域 Q 覆蓋構件 RP 基板更換位置 S 照射區域 T 覆蓋構件 Tb 覆蓋構件之下面 Tc 覆蓋構件之内面 Th 開口 102

Claims (1)

1. 201250396 七、申請專利範圍： 光 1 ·—種曝光裝置 具備： 係透過液體以曝光用光使基板曝 光學構件，具有射出該曝光用光之射出面; 基板保持裝置’具有將該基板之下面保持成可釋放的 第1保持部、用以規定可配置該基板之開口且在該基板被 保持於該、第1保持部之狀態下配置在該基板上面之周圍的 第1面以及通至該基板之上面與該第又面間之間隙的第1 驅動裝置，係在該光學構件與該基板之上面及該第i 面中之至少—方之間以該液體形成有液浸空間之狀態下， 使該基板保持裝置移動； 吸引口，用以吸引該第丨空間部之流體；以及 控制裝置，係將在實施該基板之曝光之第1期間的至 少-部分中的該吸引口之吸引力，控制成較未實施該基板 之曝光之第2期間中的該吸引口之吸引力小。 2.如申請專利範圍第丨項之曝光裝置，其令，該液浸 空間之該液體之至少一部分透過該間隙流入該第丨空間部； 该吸引口係吸引流入該第丨空間部之該液體。 3 ·如申请專利範圍第1或2項之曝光裝置，其中，該 第2期間包含對該基板之該曝光用光照射結束後之期間。 4·如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，於該第 1期間中，對該基板之複數個照射區域依序照射該曝光用 光； 103 201250396 該第2期間包含對複數個該照射區域之該曝光用光照 射結束後之期間。 5 ·如申請專利範圍第4項之曝光裝置，其中，該吸引 口於該第1期間中，從複數個該照射區域中之最初的照射 區域之曝光開始至最後的照射區域之曝光結束為止，持續 吸引該流體。 6 ·如申請專利範圍第3至5項中任一項之曝光裝置， 其中’ s亥第2期間包含該曝光用光之照射結束後，在該光 學構件與該基板上面及該第丨面中之至少一方之間形成有 該液浸空間之期間。 7 ·如申請專利範圍第3至5項中任一項之曝光裝置 其中，該第2期間包含該曝光用光之照射結束後，至該^ 板從該第1保持部被搬出為止之期間。 卜如申請專利範圍第…項中任—項之曝光裝置， 其中’該第2期間包含未於該第“呆持部保持基板之期間 9·如申請專利範圍第項中項之曝光裝置， 其中，該第i期間包含該基板保持裝置被配置於能在該夫 學構件與該基板之上面及該第i面中至少 w τ主 > —方之間形成言J 液浸空間之第1位置的期間； 該第2期間包含該基板保持裝置被配置於無法形成録 液浸空間之第2位置的期間。 10 .如申請專利範圍第9項之曝朵奘甚 # 曝九裝置，其中，該第： 位置’包含實施將曝光後之基板從該第4持部搬出之動 作及將曝光前之基板搬人該第丨保持部之 104 201250396 方的基板更換位置。 1 1 ·如申請專利範圍第！至1〇項中任一項之曝光裝 置，其中，该第2期間，包含從第i基板之曝光結束後， 至將該第1基板從該第丨保持部搬出、將曝光前之第2基 板搬入該第i保持部、該第2基板之對準標記檢測開心 止之至少部分期間。 置 12.如申請專利範圍第i至u項中任一項之曝光裝 其具備配置在該第1空間部之多孔構件； 該吸引口包含該多孔構件之孔。 置 置 丄3且如"專利範圍第U 12項中任—項之曝光裝 二具備配置在用以規定該第1空間部之内面之隔熱材。 14·如申請專利範圍第i至 苴目王U項中任一項之曝光裝 ，…、4置在該第1保持部周圍、將覆蓋構件 可釋放之第2保持部； 皆復盖構件保持成 該覆蓋構件具有該第1面。 =·如申請專利範圍第14項之曝光裝置， 保持部具有該基板”中6亥第 哕囬·Γ與其對向之第1周壁部； ^第2保持部具有該覆蓋 周壁部； 千之下面了與其對向之第2 該第】空間部包含 之空間。 Λ 周壁部與該第2周壁部之間 16 ·如申請專利範圍第 置，其令，言亥第！保持部且有#令任—項之曝光裝 在與該基板之τ °"基板之Τ面與其對向，能 a至少一部分形成負麗空間之第丨 105 201250396 周壁部； 該第1空間部包含該第丨周壁部周圍之空間。 ^ I7·如申請專利範圍第I5或16項之曝光敦置，其中， δ玄第1保持部具有配置在該第i周壁部内側、該基板之 面可與其對向之第3周壁部； 具備對該第3周壁部與該第】周壁部之間之第2处 部供應氣體之供氣口。 ▲ 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之曝光裝置，其具備排出 δ玄第2空間部之流體之排出口。 19如申請專利範圍第1至1 8項中任一項之曝光裝 置其具備調整該基板保持裝置之溫度之温度調整裝置。 °如申請專利範圍第1至19項中任一項之曝光裝 置’其具備： ^ 腔至構件，形成至少配置該光學構件及該基板保持裝 置之空間； 、 空調系統’具有對該空間供應氣體之供氣部，用以調 整該空間之環境；以及 抑制機構，於該第2期間之至少一部分，抑制來自該 供氣部之氣體之至少一部分被供應至該基板保持裝置。 21 · 一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝 光，具備： 光學構件，具有射出該曝光用光之射出面，· 基板保持裝置，具有將該基板保持成可釋放之第1保 持部； 106 201250396 腔室構件，形成至少配置該光學構件及該基板保持 置之空間； 、 空調系統，具有對該空間供應氣體之供氣部，用以碉 整該空間之環境；以及 ° 抑制機構，在實施該基板之曝光之第丨期間之至少一 部分中從該供氣部供應氣體，在不實施該基板之曝光之第2 期間之至少一部分中抑制來自該供氣部之氣體之至少—部 分被供應至該基板保持裝置。 22·如申請專利範圍第21項之曝光裝置，其中，該抑 :機構包含在該第2期間之至少一部分中關閉該吸氣部之 第1擋門構件。 23 ·如申請專利範圍第21或22項之曝光裝置，1中， 該抑制機構包含在該第2 s ’、 第2期間之至少一部分中覆蓋該基板 持裝置之至少-部分之第2擋門構件。 ，24·如申請專利範圍第2ι至2…任一項之曝光裝 其中’該第2期間包含基板未被保持在該 之期間^ 置 + °月專利範圍第2 1至24項中任-項之曝光裝 被搬二2期間包含曝光後之基板從該第1保持部 出後#先則之基板被搬入該第！保持部為止之期間。 #曝光裝置，係透過液體以曝光用光使曝 尤，具備： 光學構件，具有射出該曝光用光之射出面； 基板保持裝置，且右 有將5亥基板之下面保持成可釋放之 107 201250396 第1保持部、用以規定可配置該基板之開口且在該基板被 保持於該第丨保持部之狀態下配置在該基板之上面周圍之 第1面、該基板之側面可對向之第2面、及連通至該基板 之上面與該第1面間之間隙之第1空間部；以及 吸引口，用以吸引該第1空間部之流體； 該第2面對該液體之接觸角較該基板側面之接觸角小。 27 ·如申請專利範圍第26項之曝光裝置，其具備配置 在該第1保持部周圍、將覆蓋構件保持成可釋放之第2保 持部； ^ 該覆蓋構件具有該第1面及該第2面。 28·—種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝 光，具備： 光學構件，具有射出該曝光用光之射出面； 第1保持部，將該基板之下面保持成可釋放； 第1面，用以規定可配置該基板之開口，在該基 保持於該第丨保持部之狀態下配置在該基板之上面周圍板被 、第1空間部，連通至該基板之上面與該第丨面間之間 隙； 多孔構件’配置於該第1空間部；以及 第2面，至少一部分係面向多孔構件之上面，相對該 開口之中心朝向外側向下方傾斜； 一形成在該光學構件與該基板之上面及該第丨面之至少 :方之間、透過該間隙流入該第i空間部之該第2面與該 夕孔構件之上面之間之液浸空間之液體的至少一部分，係 108 201250396 透過該多孔構件之孔加以回收。 29·如申請專利範圍第28項之曝光裝置，其中，該第 2面之至少一部分係面向該基板之側面。 30·如申請專利範圍第28或29項之曝光裝置，其具 備朝向该帛1面之相反方向、與該第2面之下端連結之3 面； 5亥第2面與該第3面之交界部，與該多孔構件之上面 對向。 ^ 3 1 ·如申請專利範圍第3〇項之曝光裝置，其具備配置 X第1保持部之周圍、將覆蓋構件保持成可釋放之第2 保持部； °玄覆蓋構件具有該第ls>、該第2面及該第3面。 ，32.如申請專利範圍第28至31項中任一項之曝光裝 置其中m ®對該液體之接觸角較該基板之側面之 接觸角小。 3 種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝 光’具備： 光學構件，具有射出該曝光用光之射出面； 第1保持部，將該基板之下面保持成可釋放； 第1面，規定可配置該基板之開口，在該基板被保 該第】/〇 » * 保持部之狀態下配置在該基板之上面周圍； 第1二間部，連通於該基板之上面與該第1面間之間 I取， 多孔構件，配置在該第1空間部； 109 201250396 ASr 2 I ’至少—部分係面向該基板之側面，相對該開 口之中心朝向外側向上方傾斜；以及 第3面’朝向該第1面之相反方向，至少一部分係面 向該多孔構件之上面； 形成在該光學構件與該基板之上面、該第1面及該第2 面中之至少一者之間’透過該間隙流入該第1空間部之該 第3面與該多孔構件之上面之間之液浸空間之液體之至少 4为’係透過該多孔構件之孔加以回收。 34 .如申請專利範圍第33項之曝光裝置’其具備配置 在該第1保持部之周圍、將覆蓋構件保持成可釋放之第2 保持部； 該覆蓋構件具有該第1面、該第2面及該第3面。 35·如申請專利範圍第33或34項之曝光裝置，其中， 該第2面對該液體之接觸角較該基板之側面之接觸角小。 36· 一種曝光裝置’係透過液體以曝光用光使基板曝 光，具備： 光學構件，具有射出該曝光用光之射出面； 基板保持裝置，具有將該基板之下面保持成可釋放之 第1保持部、規定可配置該基板之開口且在該基板被保持 於该第1保持部之狀態下配置在該基板之上面周圍之第1 面 '以及連通至該基板之上面與該第1面間之間隙之第1 空間部；以及 多孔構件，配置在該第1空間部，具有面向該間隙之 上面’並具有用以吸引該第1空間部之流體之孔； 110 201250396 該多孔構件之上面對該液體之接觸角較該基板之上面 之接觸角大。 37· 一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝 光，具備： 光學構件’具有射出該曝光用光之射出面； 基板保持裝置，具有將該基板之下面保持成可釋放之 第1保持部、規定可配置該基板之開口且在該基板被保持 於該第1保持部之狀態下配置在該基板之上面周圍之第1 面以及連通至該基板之上面與該第1面間之間隙之第i 空間部； 多孔構件，配置於該第丨空間部，具有面向該間隙之 上面，具有吸引該第丨空間部之流體之孔；以及 撥液構件，酉己置在該上面之至少一部&，具有對該液 體之接觸角較該基板之上面大之表面。 38· —種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝 光’具備： 光學構件，具有射出該曝光用光之射出面； 基板保持裝置，具有將該基板之下面保持成可釋放之 第1保持部、規定可配置該基板之開口且在該基板被保持 於該第1保持部之狀態下配置在該基板之上面周圍之第i 面以及連通於§亥基板之上面與該第1面間之間隙之第工 空間部； 第1多孔構件，配置於該第i空間部，具有吸引該第i 空間部之流體之第1孔；以及 111 201250396 第2多孔構件，於該第1多孔構件之上面配置成面向 該間隙，具有較該第1孔小之第2孔。 39· —種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝 光，具備： 光學構件’具有射出該曝光用光之射出面； 基板保持裝置，具有將該基板之下面保持成可釋放之 第1保持部、規定可配置該基板之開口且在該基板被保持 於該第1保持部之狀態下配置在該基板之上面周圍之第j 面、以及連通於該基板之上面與該第1面間之間隙之第1 空間部； 多孔構件，配置於該第丨空間部，具有吸引該第i空 間部之流體之孔；以及 金屬線構件，以至少一部分與該多孔構件接觸之方式 配置於該間隙。 4〇·如申請專利範圍第36至39項中任一項之曝光裝 置，其具備： 驅動裝置，在該光學構件與該基板之上面及該第丨面 之至少一方之間以該液體形成液浸空間之狀態，移動該基 板保持裝置；以及 _供氣口，至少在將該液浸空間配置於該間隙上時，透 過該多孔構件將氣體供應至該第1空間部。 種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基 光，具備： 光學構件，具有射出該曝光用光之射出面； 112 201250396 第1構件，具有在與該射出面之間形成該液體之液浸 空間之第1上面，可移動至來自該射出面之該曝光用光可 照射到之照射位置；以及 第2構件’與該第1上面隔著間隙配置’具有在與該 射出面之間形成該液體之液浸空間之第2上面，可與該第i 構件一起移動至該照射位置； 與該第2構件對向之該第1構件之第1側面及與該第i 構件對向之㈣2構件之第2側面中之至少n相對 該第1構件之中心朝向外側向上方傾斜。 42種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝 光’具備： 光學構件，具有射出該曝光用光之射出面； 第1構件，具有在與該射出面之間形成該液體之液浸 空間之第1上面，可移動至來 勒术自3亥射出面之該曝光用光可 照射到之照射位置；以及 第2構件，與該第,μ ， 弟1上面隔考間隙配置，具有在與該 射出面之間形成該液體 燼杜, 〈履/又工間之第2上面，可與該第i 構件一起移動至該照射位置； 與該第2構件對向之該第丨 構侔#^ 4 这第1構件之第1側面及與該第1 稱件對向之該第2構件笛 ^ ^ ^ . 側面中之至少一方，係相對 。第構件之中心朝向外側向下方傾斜。 43 · 一種曝光裝置，禆读讲 光，具備： ㈣過液體以曝光用A使基板曝 光學構件，具有射出該曝光用光之射出面； 113 201250396 第1構件’具有第1上面；以及 第2構件，具有第2上面； 第1構件與該第2構件可在該第1上面與該第2上 面透過問踏4 m - 置之狀態下，往形成在該射出面側之液浸空 間形成於該間ρέ、μ + k β 间丨卓上之位置移動； 與該第2構件對向之該第1構件之第1側面’包含朝 向該第2構件延伸於上方之斜面。 44如申請專利範圍第43項之曝光裝置，其中，與該 =1構件對向之該第2構件之第2側自，包含朝向該第1 構件延伸於上方之斜面。 置 如申明專利範圍第41至44項中任一項之曝光裝 :一其中’係以該液浸空間從該帛丨上面及該第2上面中 方往另一方移動之方式，該第1構件及該第2構件一 置， ，·-〜叫王孭甲仕一項之曝光 之下A”備第1可動構件’此第1可動構件具有將該基 <下面保梏Λ 0Γ趣a、^ . •如申請專利範圍第41至 之下面保持成可釋放之第1保持部； δ第1構件被保持於該第1可動構件。 其中 ^Γ、·如申請專利範圍第46項之曝光裝置 被保持於該第1可動構件。 其中 2媒Γ·如申請專利範圍第47項之曝光裝置 2構件配置在該第丨構件周圍之至少一部分。 哕第1播如申印專利範圍第47或48項之曝光裝置，其 "第1構件具有開口，該第2構件配置於該開口。 114 201250396 ^ 5G ·如中請專利範圍第47至49項t任-項之曝光裝 置，其中，該第2構件包含測量構件。 5卜如申請專利職帛46項之曝光裝置，其具 2 可動構件； 咸第2構件被保持於該第2可動構件。 52·如申請專利範圍第51項之曝光裝置，其中，該第 2可動構件具有將基板之下面保持成可釋放之第2保持部。 53 ·如申請專利範圍第41至52項，任—項之曝光裝 置，其具備連通至該間隙之空間部；以及 吸引該空間部之流體之吸引口。 54·如申請專利範圍第53項之曝光裝置，其中，透過 該間隙流入該空間部之該液浸空間之該㈣係從該吸引口 加以吸引。 55·如申請專利範圍第53或54項之曝光裝置，其具 有配置於該空間部之多孔構件； 該空間部之液體係透過該多孔構件之孔加以回收。 56·如申請專利範圍第41至55項中任一項之曝光裝 置，其中，該第1構件包含該基板、保持該基板並可移動 之基板載台、測量載台、測量構件、覆蓋構件、虛擬基板、 標尺構件、光感測器中之至少任一種。 57 ·如申請專利範圍第41至56項中任一項之曝光裝 置，其中，該第2構件包含該基板、保持該基板並可移動 之基板載台、測量載台、測量構件、覆蓋構件、虛擬基板、 標尺構件、光感測器中之至少任一種。 115 201250396 58 · —種元件製造方法，包含： 使用申清專利範圍第1至57項中任一項之曝光裝置使 基板曝光之動作；以及 使曝光後之該基板顯影之動作。 59· —種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝 光，包含： 在具有射出該曝光用光之射出面的光學構件與具有將 該基板之下面保持成可釋放之帛1保持部、規定可配置該 基板之開口且在該基板被保持於該第丨保持部之狀態下配 置在該基板之上面周圍之第丨面、以及連通至該基板之上 面與該第1面間之間隙之第丨空間部的基板保持裝置之該 第1面與該基板之上面之至少一方之間，在以該液體形成 有液浸空間之狀態下一邊移動該基板保持裝置、一邊實施 該基板之曝光之動作； 在實施該基板之曝光之第1期間之至少一部分中，從 吸引口以第1吸引力吸引第i空間部之流體之動作；以及 在未實施該基板之曝光之第2期間中，從該吸引口以 較該第1吸引力大之第2吸引力吸引該第j空間部之流體 之動作》 60 種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝 光，包含： 在具有射出该曝光用光之射出面之光學構件、與被保 持於基板保持裝置之第丨保持部之基板之間以該液體形成 有液/又二間之狀態下，實施該基板之曝光之動作； 116 201250396 在實施該基板之曝光之第1期間之至少-部分中，對 配置該光學構件及該基板保持 灰加似⑥γ 教置之二間從空調系統之供 虱礼應氣體，以調整該空間之環境之動作·以及 —在未實施該基板之曝光之第2期間之至少一部分中， 實施抑制來自該供氣部之氣體― 板保持裝置之處理的動作： 广Β被供應至該基 Μ.如申請專利範圍第6〇項之曝光方法，立令，咳第 2期間包含Μ 1保持部未料基板之期間；〃 2制來自該供氣部之氣體之至少一部分被供至 1保持部。 62·如申請專利範圍帛6〇或61$之曝光方法，立中 该抑制處理包含以擋門構件關閉該供氣部之動作。 63 ·如申請專利範圍第60至 法，其中，該抑制處理包含以該第 之動作。 62項中任一項之曝光方 1保持部保持虛擬基板 64 · -種曝S方法，係透過液體以曝光用光使基板 光，包含： 、 >在具有射出該曝光用光之射出面之光學構件與具有將 該基板之下面保、持成可釋放之第1保持部、用以規定可配 置該基板之開口且在該基板被保持於該第1保持部之狀態 下配置在該基板之上面周圍之第1面、該基板之側面與之 對向且對該液體之接觸角較該基板之側面小之第2面、及 連通至該基板之上面與該第1面間之間隙之第i空間部的 基板保持裝置之該第1面與該基板之上面中至少一方之 117 201250396 間’以該液體形成有液浸空間之狀態下，實施該基板之曝 光之動作； 在實施該基板之曝光之第1期間之至少一部分中，從 吸引口吸引第1空間部之流體之動作；以及 在未實施該基板之曝光之第2期間之至少一部分中， 在該第1保持部保持物體之狀態下，從該吸引口吸引流體 之動作。 65· —種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝 光，包含： 在具有射出該曝光用光之射出面之光學構件與具有將 該基板之下面保持成可釋放之第1保持部、用以規定可配 置該基板之開口且在該基板被保持於該第1保持部之狀態 下配置在該基板之上面周圍之第1面、該基板之側面對向 之第2面、及連通至該基板之上面與該第1面間之間隙之 第1空間部的基板保持裝置之該第1面與該基板之上面中 至少一方之間’以該液體形成有液浸空間之狀態下，實施 該基板之曝光之動作； 在實施該基板之曝光之第1期間之至少一部分中，從 吸引口吸引第1空間部之流體之動作；以及 在未實施該基板之曝光之第2期間之至少一部分中， 在該光學構件與該第1面及被保持於該第1保持部之物體 之上面之間以該液體形成有液浸空間之狀態下，從該吸引 口吸引s亥第1空間部之流體之動作。 66 ·如申請專利範圍第65項之曝光方法，其中，與該 118 201250396 . 第2面對向之該物體之側面，對該液體之接觸角較該基板 之側面小。 67· —種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝 光，包含： 在具有射出該曝光用光之射出面之光學構件與被保持 於將該基板之下面保持成可釋放之第1保持部之該基板之 上面、及用以規定可配置該基板之開口且在該基板被保持 於該第1保持部之狀態下配置在該基板之上面周圍之第1 面之至少一方之間，以該液體形成有液浸空間之狀態下， 使該基板曝光之動作；以及 將透過該基板之上面與該第丨面間之間隙流入配置在 連通於該間隙之第1空間部之多孔構件上面與至少部分面 向多孔構件之上面且相對該開口之中心朝外側向下方傾斜 之第2面之間的該液浸空間之液體之至少一部分，透過該 多孔構件之孔加以回收之動作。 68· —種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝 光，包含： 在具有射出該曝光用光之射出面之光學構件與被保持 在將該基板之下面保持成可釋放之第i保持部之該基板之 上面、用以規定可配置該基板之開口且在該基板被保持於 該第1保持部之狀態下配置在該基板之上面周圍之第i 面、以及至少部分面向該基板之側面且相對該開口之中心 朝向外側向上方傾斜之帛2 φ中的至少一個之間，在以該 液體形成有液浸空間之狀態下，使該基板曝光之動作；以 119 201250396 及 將透過該基板之上面與㈣丨^^間隙流入配置在 連通於該間隙之第1空間部之多孔構件之上面與朝向該第i 面之相反方向、至少部分面向多孔構件之上面之第3面間 的該液浸空間之液體之至少一部分，透過該多孔構件之孔 加以回收之動作。 69 · —種曝光方法’係透過液體以曝光用光使基板曝 光，包含： 在具有射出該曝光用光之射出面之光學構件與被保持 在將該基板之下面保持成可釋放之第丨保持部之該基板之 上面之間，在以該液體形成有液浸空間之狀態下，使該基 板曝光之動作； 在可移動至來自該射出面之該曝光用光可照射之照射 位置之第1構件之第1上面及與該第1上面隔著間隙配置 且能與該第1構件一起移動至該照射位置之第2構件之第2 上面中之至少一方、與該射出面之間形成該液浸空間之動 作；以及 與該第2構件對向之該第1構件之第1側面及與該第1 構件對向之該第2構件之第2側面中之至少一方，係相對 5亥第1構件之中心朝外側向上方傾斜。 70 · —種曝光方法’係透過液體以曝光用光使基板曝 光，包含： 在具有射出該曝光用光之射出面之光學構件與被保持 在將s亥基板之下面保持成可釋放之第1保持部之該基板之 120 201250396 上面之間’在以該 板曝光之動作； 液浸空間之狀態下，使該基 在可移動至來自該射ψ & 位置之第1構件之 之該曝光用光可照射之照射 且能與”丨構件一…與該第1上面隔著間隙配置 (移動至該照射位置之第2構件之第2 ^ 、與該射出面之間形成該液浸空間之動 作；以及 、部 …亥第2構件對向之該第丨構件之第i側面 構件對向之該第2槿株夕筮， 弟1 /第2構件之第2側面中之至少一方，係 該第1構件之中心朝外側向下方傾斜。 71· 一種元件製造方法，包含： ㈣Μ專利㈣第59至7G項巾任—項之曝光方法 使基板曝光之動作；以及 使曝光後之該基板顯影之動作。 72 · —種程式，係使電腦實施透過液體以曝光用光使 基板曝光之曝光裝置之控制，其使之實施： 在具有射出該曝光用光之射出面的光學構件與具有將 該基板之下面保持成可釋放之第丨保持部、規定可配置該 基板之開口且在該基板被保持於該第1保持部之狀態下配 置在該基板之上面周圍之第1面、以及具有連通至該基板 之上面與5亥第1面間之間隙之第1空間部的基板保持裝置 之該第1面與該基板之上面之至少一方之間，在以該液體 形成有液浸空間之狀態下一邊移動該基板保持裝置、一邊 實施該基板之曝光之動作； 121 201250396 在實施該基板之曝光之第丨期間之至少一部分中，從 吸引口以第1吸引力吸引第丨空間部之流體之動作；以及 在未贯施該基板之曝光之第2期間中，從該吸引口以 較该第1吸引力大之第2吸引力吸引該第丨空間部之流體 之動作。 73 · —種程式，係使電腦實施透過液體以曝光用光使 基板曝光之曝光裝置之控制，其使之實施： 在具有射出該曝光用光之射出面之光學構件、與被保 持於基板保持裝置之第丨保持部之基板之間以該液體形成 有液浸空間之狀態下，實施該基板之曝光之動作； 在實施該基板之曝光之第丨期間之至少一部分中，對 配置該光學構件&該基板保持裝置之空間&空調系統之供 氣部供應氣體，以調整該空間之環境之動作；以及 光之第2期間之至少一部分中， 氣體之至少一部分被供應至該基 在未實施該基板之曝 實施抑制來自該供氣部之 板保持裝置之處理的動作 74· —種程式，係使電腦實施透過液體以曝光用光信 基板曝光之曝光裝置之控制，其使之實施： 在具有射出該曝光用光之射出面之光學構件與具有將 該基板之下面保持成可釋放之第丨保持部、用以規定可配 置該基板之開口且在該基板被保持於該第1保持部之狀能 下配置在該基板之上面周圍之第丨面、該基板之側面血: 對向且對該液體之接觸角較該基板之側面小之第2面、及 連通至該基板之上面與該第1面間之間隙之第1空間部的 122 201250396 « • 基板保持裝置之該第1面與該基板之上面中至少一方之 間，以該液體形成有液浸空間之狀態下，實施該基板之曝 光之動作； 在實施該基板之曝光之第1期間之至少一部分中，從 吸引口吸引第1空間部之流體之動作；以及 在未實施該基板之曝光之第2期間之至少一部分中， 在該第1保持部保持物體之狀態下，從該吸引口吸引流體 之動作。 75 · —種程式，係使電腦實施透過液體以曝光用光使 基板曝光之曝光裝置之控制，其使之實施： 在具有射出該曝光用光之射出面之光學構件與具有將 該基板之下面保持成可釋放之第丨保持部、用以規定可配 置該基板之開口且在該基板被保持於該第1保持部之狀態 下配置在該基板之上面周圍之第i面、該基板之側面對向 之第2面、及連通至該基板之上面與該第】面間之間隙之 第1空間部的基板保持裝置之該第丨面與該基板之上面中 至少一方之間，以該液體形成有液浸空間之狀態下，實施 該基板之曝光之動作； 在實施該基板之曝光之第1期間之至少一部分中，從 吸引口吸引第1空間部之流體之動作；以及 在未實施該基板之曝光之第2期間之至少一部分中， 在該光學構件與該第1面及被保持於該第丨保持部之物體 之上面之間以該液體形成有液浸空間之狀態下，從該吸引 口吸引該第1空間部之流體之動作。 123 201250396 76 · —種程式’係使電腦實施透過液體以曝光用光使 基板曝光之曝光裝置之控制，其使之實施： 在具有射出該曝光用光之射出面之光學構件與被保持 於將該基板之下面保持成可釋放之第丨保持部之該基板之 上面、及用以規定可配置該基板之開口且在該基板被保持 於該第1保持部之狀態.下配置在該基板之上面周圍之第丄 面之至少一方之間，以該液體形成有液浸空間之狀態下， 使該基板曝光之動作；以及 將透過該基板之上面與該第丨面間之間隙流入配置在 連通於該間隙之第1空間部之多孔構件上面與至少部分面 向多孔構件之上面且相對該開口之中心朝外側向下方傾斜 之第2面之間的該液浸空間之液體之至少一部分，透過該 多孔構件之孔加以回收之動作。 77 · —種程式，係使電腦實施透過液體以曝光用光使 基板曝光之曝光裝置之控制，其使之實施： 在具有射出該曝光用光之射出面之光學構件與被保持 在將該基板之下面保持成可釋放之第1保持部之該基板之 上面、用以規定可配置該基板之開口且在該基板被保持於 該第1保持部之狀態下配置在該基板之上面周圍之第ι 面、以及至少部分面向該基板之側面且相對該開口之中心 朝向外側向上方傾斜之第2面中的至少一個之間，在以該 液體形成有液浸空間之狀態下，使該基板曝光之動作；以 及 將透過該基板之上面與該第丨面間之間隙流入配置在 124 201250396 ‘ 連通於該間隙之第1空間部之多孔構件之上面與朝向該第i 面之相反方向、至少部分面向多孔構件之上面之第3面間 的該液浸空間之液體之至少一部分，透過該多孔構件之孔 加以回收之動作。 78 · —種程式’係使電腦實施透過液體以曝光用光使 基板曝光之曝光裝置之控制，其使之實施： 在具有射出該曝光用光之射出面之光學構件與被保持 在將該基板之下面保持成可釋放之第丨保持部之該基板之 上面之間’在以該液體形成有液浸空間之狀態下，使該基 板曝光之動作； 在可移動至來自該射出面之該曝光用光可照射之照射 位置之第1構件之帛i上面及與該第】上面隔著間隙配置 且能與該第1構件一起移動至該照射位置之第2構件之第2 上面中之至；一方、與該射出面之間形成該液浸空間之動 作；以及 該第2構件對向之該第丨構件之第丨側面及與該第^ 構件對向之該第2構件之第2側面中之至少__方，係相對 該第1構件之中心朝外侧向上方傾斜。 9 種程式，係使電腦實施透過液體以曝光用光使 基板曝光之曝光裝置之控制，其使之實施： 在具有射出δ亥曝光用光之射出面之光學構件與被保持 在將該基板之下面保持成可釋放之第工保持部之該基板之 上面之間，在以該液體形成有液浸空間之狀態下，使該基 板曝光之動作； 125 201250396 在可移動至决ώ ▲自該射出面之該曝光用光可照射之照射 位置之第1構件 <第1上面及與該第1上面隔著間隙配置 且能與該第1構件一 & 十一起移動至該照射位置之第2構件之第2 上面中之至少—古 、與該射出面之間形成該液浸空間之動 作，以及 構件對：第2構件對向之該第1構件之第1側面及與該第 該第=該第2構件之第2側面中之至少-方，係相， 1構件之中心朝外側向下方傾斜。 8〇 · 一種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄右 範圍第72至79項中任一項之程式。 、有申明專寿 八 圖式： (如次頁） 126