TW201247315A - Catalytic hydrogenation of fluoroolefins, alpha-alumina supported palladium compositions and their use as hydrogenation catalysts - Google Patents

Description

201247315 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本揭露係一般係關於氟烯烴與Hz於擔载於栽體上 的把觸媒存在下之氫化反應、擔載於ct-Al2〇3上之把組 瓤 成物及其於氟烯烴氫化方法中之使用。 【先前技術】 氫氟烷可被使用於廣泛的應用，包括其用作為冷卻 劑、溶劑、泡沫膨脹劑、清潔劑、推喷劑、介電質、滅 火劑、及動力循環工作流體。例如，HFC-236ea (CFfHFCHF2)可用於作為熱傳媒介、泡沫膨脹劑、滅 火劑等。同樣地，HFC-245eb (CF3CHFCH2F)可用於作 為熱傳媒介、泡沫膨脹劑等。HFC-236ea與HFC-245eb 亦為生產HFO-1234yf (CF3CF=CH2)之中間物， HFO_ 1234yf為零臭氧消耗可能性及低全球暖化可能性 之冷卻劑。 » 【發明内容】 本揭路提供一種氫化方法。該方法包含使一氟稀煙 與在鈀觸媒存在下於一反應區中反應，以產生一氫 氟烷產物，其中該鈀觸媒包含擔載於一載體上之鈀，其 中該鈀之濃度基於該鈀與該載體之總重量係約〇. 〇 〇 i wt%至約 0.2 wt%。 本揭露亦提供一種鈀觸媒組成物，其主要係由擔载 於α-Α12〇3上之鈀所組成’其中該鈀之濃度基於鈀與 α-Α12〇3之總重量係約0.001 wt%至約〇 2 wt%。 201247315 本揭露亦提供一種氫化方法’包含使一敦烯煙與 H2於一把觸媒存在下於一反應區中反應，以產生—氣氣 烷產物’其特徵在於該鈀觸媒主要係由擔載於a_Al2C) 上之把所組成’其中該鈀之濃度基於該鈀與該α·Α1^ 之總重量係約0.001 Wt%至約0.2 wt%。 本揭露亦提供一種氫化方法，包含(a)使一包含氟烯 烴與Hz之混合物通過於一反應區中之鈀觸媒床，其中 該把觸媒包含擔載於一載體上之把；以及(b)產生一氫氟 烧產物，其特徵在於在該床前部之飽觸媒具有較於該床 後部之把觸媒低之把濃度。 【實施方式】 氟稀煙的氫化反應是高度放熱的，此會導致溫度控 制不良、大量不受歡迎的副產物產生以及安全疑慮等。 已開發某些方法來控制熱。例如，Van Der Puy等人使 用多蒸汽相反應階段，如美國專利第7,56〇,6〇2號中所 揭露。同樣揭露於美國專利第7,560,602號者為一種使 用以惰性衝壓填料稀釋的1 wt% Pd/C觸媒之作法。然 而，多反應階段的設計需要多反應器與熱交換器的花 費。使用以惰性填料稀釋的高Pd負載（如i wt%)觸 作法會在觸媒表面產生高度局部化的熱點，並造成 叩貝的Pd燒結。因此，需要有良好熱控制的、符合成 本致益的氫化方法。 前述一般性描述及以下詳細描述僅為例示性及說 明性的，且不限制如隨附申請專利範圍所定義之本發 明。根據下述之詳細說明與申請專利範圍，易使該等實 6 201247315 ί例中之—個或多個實施例的其他特徵及益處更加彰 如本文所用之術語「包含「「且 ，變型意欲涵蓋非排他_ =物；= =:列出的複數兀件的_製程、方法、製品或裴置不— 於清單上所列出的這些元件而已，而是可以包括 n列出但卻是該製程、方法、製品纽裝置固有的 '疋件。此外，除非另有明確相反陳述，否則「或 係指包含性的「或」’而不是指排他性的「或」。例如」， f下任何一種情況均滿足條件Α或B:Α是真實的（或 存在的）且B疋虛假的（或不存在的），a是虛假的（或 F存在的）sb疋真實的（或存在的），以及a和b都 是真實的（或存在的）。 又，使用「一」或「一個」來描述本文所述的元件 和組件。這樣做僅僅是為了方便，並且對本發明範疇提 供一般性的意義。除非很明顯地另指他意，這種描述應 被理解為包括一個或至少一個，並且該單數也同時包括 複數。 除非另行定義，否則本文所使用的所有技術和科學 術語之含義，具有與本發明所屬領域中具有通常知識者 通常理解的含義相同。在發生衝突的情況下，以包括定 義在内之本s兒明書為準。儘管類似或同等於本文所述内 容之方法或材料可用於本發明之實施例的實施或測 試，但合適的方法與材料仍如下所述。此外，該等材料、 方法及實例僅係說明性質，而;f意欲為限制拘束。 201247315 若數量、濃度或其他數值或參數係作為一範圍、較 佳範圍或一系列較大之較佳值及/或較小之較佳值，則 應將此視為特定揭露所有由任何較大範圍限值或較佳 值與任何較小範圍限值或較佳值之配對所形成的所有 範圍，不論是否有另外揭露這些範圍。凡在本文中給出 某一數值範圍之處，該範圍都旨在包括其端點，以及位 於該範圍内的所有整數和分數，除非另加說明。 如本文所用之術語「一高溫」意指一高於室溫之溫 度。 如本文所用之術語「氫化」意指一製程，於該製程 期間一對乳原子被加至烯烴的雙鍵。 本文使用之術S#「氟稀煙」意指含碳、氟、可選擇 的虱及至少一個碳-碳雙鍵之分子。值得注意的是式 CnHmF2n_m之氟婦烴’其中η為2至8之整數，且爪為 0至2η-1之整數。在本發明某些實施例中，η為2至7 之整數。在本發明某些實施例中，氟烯烴為具有3至8 個碳之末端氟烯烴（亦即碳-碳雙鍵位於末端位置）。在 本發明某些實施例中，氟烯烴為具有3至7個碳之末端 氟稀烴。在本揭露中之例示性氟稀烴包括CF3ci7=eF2 (HFP)、CF3CF=CHF (HFO-1225ye)、CF3CH=CF2、 CF3CF=CH2 、CF3CH=CHF 、CF3CF=CFCF3 cf3ch=chcf3、cf3ch=cfcf3、cf3cf2cf=cfcf3、 CF3CF2CH=CHCF3、(CF3)2CFCF=CF2、CF3CF=CHC2F5、 CF3CH=CFC2F5 、 c4f9ch=ch2 、 CF3CF2CF2CF2CF=CFCF3、CF3CF2CF2CF=CFCF2CF3、 C2F5CH=CFCF2C2F5、C2F5CF=CHCF2C2F5 及其混合物。 8 201247315 本文所用之術語「氳氟烷」意指一含有氫、碳及氟 之飽和分子。 所揭露者為一種氫化方法，包含使一氟稀烴與出 於鈀觸媒存在下於一反應區中反應，以產生一氫氟烷產 物’其中該鈀觸媒包含擔載於一載體上之鈀，其中該鈀 之濃度基於該鈀與該載體之總重量係約〇 〇〇1 wt%至約 0.2 wt%。在本發明某些實施例中’該鈀觸媒主要係由 擔載於一載體上之鈀所組成，其中該鈀之濃度基於該鈀 與該載體之總重量係約0.001 wt〇/0至約〇 2 wt%。 在本發明某些實施例中，該鈀觸媒之鈀濃度基於該 名巴與s玄載體之總重量係約〇 〇〇 1 wt%至約〇 〇8 wt%。在 本發明某些實施例中，該|巴觸媒之纪濃度基於該把與該 載體之總重量係約0.001 wt%至約〇·04 wt%。在本發明 A些實施例中，该纪觸媒之把濃度基於該把與該載體之 總重量係約0.015 wt%至約0.025 wt%。 亦揭露者為一種把觸媒組成物，其主要係由擔載於 α-Α12〇3上之!巴所組成’其中把之濃度基於把與α_Αΐ2〇3 之總重量係約0.001 wt%至約〇.2wt%。亦揭露者為此種 Pd/a-Al2〇3組成物作為氫化方法中的觸媒之使用。因 此，本揭露亦提供一種氫化方法，包含使氟烯烴與％ 於妃觸媒存在下於一反應區中反應，以產生一氫氟烧產 物’其特徵在於該鈀觸媒主要係由擔載於a_Al2〇3上之 把所組成’其中鈀之濃度基於鈀與a-A12〇3之總重量係 約 0.001 wt%至約 0.2 wt%。 在本發明某些實施例中，Pd/a_Al2〇3組成物之鈀濃 度基於鈀與α-Α12〇3之總重量係約o.ooi wt%至約〇〇8 201247315

Wt%。在本發料㈣施射，_·Α12〇3組成物之妃 濃度基於㈣鳴03之總重量係約_ wt%至約 0.04 wt%。在本發明某些實施例中，pd/a_Ai2〇3組成物 之纪濃度基純與a_Al2〇3之總重量係約請5惑至 約 0.025 wt%。 在本發明某些實施例中，氟埽烴起始材料為 CnHmF2n.m且氫氟烷產物為CnHm+2F2n m，其 2至 8 ^整數為〇至w之整數。在本㈣某些實施 材料為CF3CF=CF2且氫敗烧產物為 發明某些實施例中，氟稀烴起始材 料物為CF3CF=CHF 氫氣烧產物為CF3CHFCH2F。在 本發明某些實施例中’氟稀烴糾材料為二種或更多的 氟烯烴之混合物。例如，氟烯烴起始材料可為 C/:C!T^CF3CF=CHF之混合物，且對應的氫氟烧 產物為咖赃阳與防哪叫 < 混合物。對於 另-實例’齓烯烴起始材料可為與 CW3之混合物，且對應的氣_物為 CF3CHFCHF2與CF3CHFCHFCF3之現合物。對於又另— 實例，氟烯烴起始材料可為CF3CF=CF2與 CF3CF=Crc2F5之混合物，且對應Mu產物為 CF3CHFCHF2# CF3CHFCHFC2F5^,^^ 〇 一實例，氟烯烴起始材料可為cf3cf=cfc2f5與 C2F5CFK：FCF2C2F5 之混合物，且對_4^^_ o^hfchfc^5 與 cachfchk^c^之混合物。對 於又另一實例，氟烯烴起始材料可為CF3Cf=chC2F5與 CF3CH=CFC2F5之混合物，且對應的氳敗烷產物為 201247315

ChCHFCI^QF5 與 CF3CH2CHFC2F5 之混合物。對於又 另—實例’氟烯烴起始材料可為CF3CF=CHF、 a^C；F=CHC2F5與CF3Ch=CFC2F5之混合物，且對應的 ‘ 氫氟烷產物為 cf3chfch2f、CF3CHFCH2C2F5 與 Λ ChCHzCHFCjF5之混合物。對於又另一實例，氟烯烴起 始材料可為CF3CF=CHF與CF3CH=CFCF3之混合物， 且對應的氫氟烧產物為CF3CHFCH2F與 CF3CH2CHFCF3 之混合物。 在本揭露中的某些氟烯烴，如HFO-1225ye，係以 不同構形異構物或立體異構物存在。當未指定特定的異 構物時’本揭露是意指包括所有構形異構物、立體異構 物或其任何組合。例如’ HFO-1225ye即代表E-異構物、 Z -異構物或其任意組合或兩種異構物之任意比例混合 物。 氟婦烴與H2之間的氩化反應係於把觸媒存在下進 行。在本揭露中的鈀觸媒為擔載於載體上之細微分割的 零價鈀金屬。在本發明某些實施例中，載體係選自於由 Al2〇3、氟化 Al2〇3、A1F3、碳、Cr203、Si〇2、Ti〇2、Zr〇2 及ZnO所組成之群組。 在本發明某些實施例中，載體為碳。用於本發明實 施例中的破可來自以下任一來源··木材、泥煤、煤、椰 子殼、骨頭、褐煤、石油基底殘餘物及糖。可以使用的 市購可得碳包括該等以下列商標販售者：Barneby & Sutcliffe™ > Darco™ ' Nucharm ' Columbia JXN™ ' Columbia LCKTM、Calgon™ PCB、CalgonTM BPL、 Westvaco™、Norit™、Takeda™及 Barnaby Cheny NBTM。 201247315 該碳亦包括三度空間基質孔洞碳質材料。實例係兮 等描述於美國專利第4,978,649號中者。在本發明二二 實施例中，碳包括三度空間基質碳質材料，其可藉由二 下步驟而得到：將氣態或汽態含碳化合物（例如^類^ 引入至大量的碳質材料（例如碳黑）顆粒；將該^碳化 合物分解以沉積碳在顆粒表面；及將所得材料以包^蒸 汽的活化劑氣體處理以提供孔洞碳質材料。一碳-碳才二 合材料係因此而形成。 灭復 碳包括未洗過及酸洗過的碳。在本發明某些實施例 中，適合的碳載體可以酸處理碳來製備，酸如Hn〇3、 HC卜 HF、H2S04、HC104、CH3COOH 及其組合。在本 發明某些實施例中，酸為HC丨或HN〇3。酸處理通常即 足以提供含有少於1000 ppm灰分的碳。某些適合碳的 酸處理揭露於美國專利第5，136，113號中。在本發明某 些實施例中，將碳載體浸泡於去離子水製備的丨莫耳酸 溶液中整夜，並輕微攪拌0然後將碳載體分離出並用去 離子水洗至少10次，或直到洗液的pH約為3 ^ (在本 發明某些實施例中，之後將碳载體再次浸泡於去離子水 製備的1莫耳酸溶液中12至24小時並輕微授拌。）之 後以去離子水進行最終清洗，直到洗液以標準程序測試 時實質上沒有酸的陰離子（如cr或no3-)。然後將碳載 體分離出並於120°C乾燥。之後將洗過的碳於室溫浸泡 於去離子水製備的1莫耳HF中48小時並偶爾攪拌（如 在塑膠燒杯中）。將碳載體分離並於5(TC以去離子水重 複清洗直到洗液的pH大於4。然後於15(TC在空氣中乾 201247315 燥碳載體60小時，之後在其用作載體之前於300¾在 空氣中鍛燒3小時。 在本發明某些實施例中，碳為一活性碳。在本發明 某些實施例中’碳為一酸洗活性碳。該碳可呈粉末、顆 ' 粒或丸狀等型式。 • 在本發明某些實施例中，載體為Al2〇3。ai2o3，亦 習知為氧化鋁，以幾種不同相存在，如α_、γ_、δ_、η_、 Θ-及χ-氧化銘。在α-Α12〇3 (剛玉）中，氧化物離子形 成六角形的緊密堆積結構，而且鋁離子對稱地分佈於八 面體空隙中（參見 F. A· Cotton and G· Wilkinson，

Advanced Inorganic Chemistry，第五版，j〇hn Wiley &

Sons，1988年，第211頁）i-A12〇3具有「缺陷」尖晶 石結構（尖晶石的結構帶有不足的陽離子）。Id在本發 明某些實施例中，載體為α_Α丨2〇3。經由實驗吾人意外 地發現到使用α-Α12〇3作為鈀觸媒載體的氫化方法較其 他類似的、使用其他類型的氧化鋁（如γ_Α12〇3)作為 載體的氫化方法產生較少的副產物。 氧化鋁可以該技術領域中習知之方法製備。例如， 拜耳法即廣泛地在產業中使用於自水礬土生產氧化 鋁。a-AGO3可經由加熱γ_匐2〇3或任一水合氧化物至高 方、1000C而製備。Id. γ_Α12〇3可經由於、約450°C將含水 氧化物脫水而製備。Id 用於本揭路的氧化鋁可以有任意適當的形狀與尺 、卜例如，氧化銘可以是粉末、顆粒、球體或片狀等形 式2。通常用於本揭露中的氧化銘具有約i m2/g至約5〇〇 m/g的表面積。在本發明某些實施例中，氧化紹的表面 201247315 積係約1 m2/g至約200 m2/g。在本發明某些實施例中， 氧化鋁表面積係約1 m2/g至約50 m2/g。在本發明某些 實施例中，氧化紹表面積係約1 m2/g至約10 m2/g。在 本發明某些實施例中，氧化鋁表面積係約3 m2/g至約7 m2/g。 可以使用該技術領域中習知的技術將鈀沉積於載 體上。例如，可以含浸方法製備把觸媒，Satterfield在

Heterogeneous Catalysis in Industrial Practice，第 2 版 (McGraw-Hill，New York，1991)第 93-112 頁中對含浸 方法有一般性描述。通常在含浸方法中，會將鈀鹽溶於 溶劑中，以形成鈀鹽溶液。適合本揭露的鈀鹽之實例包 括硝酸把、氯化纪、醋酸IG及把敦錯合物。適合的溶劑 實例包括水與醇類（如甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇）。 然後將載體含浸於纪鹽溶液。在本發明某些實施例中’ 載體係浸泡於過量的鈀鹽溶液。在本發明某些實施例 中，含浸使用初濕技術。在初濕法中，翻滾一批載體並 喷灑適量的鈀鹽溶液（計算溶液的量以剛好足夠或稍微 不足以填滿載體的孔洞）。可以計算或調整鈀鹽溶液的 濃度，使得元成的觸媒具有所需的負載於載體上的鈀濃 度。初濕技術亦經Bailey描述於美國專利申請公開號第 2006/0217579 號中。 然後將含浸的载體乾燥，通常是在升高的溫度。可 選擇地鍛燒乾燥的含浸載體。鍛燒通常係於約⑽。〇至 約60(TC的溫度進行。在本發明某㈣，鍛燒係 在惰性氣體（如氮、氬）及/或氧存在下進行。然後通 常在使用之前以還原劑處理所得的觸媒。在本發明某些 201247315 實施例中’係於升溫之氫氣流中還原所得的觸媒。可用 惰性氣體，如氮、氦或氬稀釋氫氣流。還原溫度通常係 約100 C至約500 C。在本發明某些實施例中，可在^ 相中以肼或蠘酸進行還原，如Boitiaux等人於美國專利 * 第4,533,779號中所述。 • 該氫化方法可於液相或汽相中使用熟知的化工措 施進行，化工措施包括連續、半連續或批次操作。曰 在本發明某些實施例中，氫化方法係於液相中進 行。液相氫化反應溫度通常是從約至約2〇〇〇c。在 本發明某些實施例中，液相氫化反應溫度是從約25ΐ 至約100°C。液相氫化的壓力可廣泛地從小於j大氣壓 變化至30大氣壓或更大。 可選擇地，液相氫化方法係於溶劑存在下進行。該 溶劑可以是極性或非極性的。適合的極性溶劑包括水、 醇類、乙二醇、醋酸、二曱基甲醯胺（DMF)、N•甲基 3略賴（NMP)、三乙胺及其混合物。在本發明某二 實施例中，極性溶劑為曱醇、乙醇或其混合物。適合^ 非極性溶劑包括惰性低介電烷類（如壬烷與環己烷）及 惰性低介電芳烴（如曱苯、苯與鄰二甲笨）。在本發明 某些實施财，溶劑也可以是預氟院產物。 斤。，本f明某些實施例中，氫化方法係於汽相十進 仃。气相氫化反應溫度通常在約室溫至約300°c。在本 某些實施财，汽城化反應職在約5(rc至約 斤^1目氫化方法可於超A氣壓、域壓或次大氣壓之 I下進彳T。在本翻某些實施财，汽相氫化反應壓 201247315 f為約1〇psig至約5〇〇psig。在本發明某些實施例中， '飞相氫化反應壓力為約50psig至約200 psig。 本揭露之汽相氫化方法可以該技術領域中習知的 μ、夫進行。在本發明某些實施例中，氟烯煙與H2起始 ^料選擇性地與—稀釋劑共同饋人含杨觸媒之反應 =中。在本發明某些實施例中，氟烯烴與氏起始材料 遥擇性地與一稀釋劑通過反應器中的鈀觸媒床。 在本發明某些實施例中，汽相氫化方法之進行不用 稀釋劑。 在本發明某些實施例中，汽相氫化方法係於稀釋劑 子在下進行。在本發明某些實施例中，稀釋劑與氟烯烴 及H2起始材料共同饋入反應區中。在本發明某些實施 例中’稀釋劑與共_人反應區之氟烯烴起始材料之莫 耳比為約1GG.1至約1:卜在本發明某些實施例中，稀 釋劑與共同饋人反應區之氟馳起始材料之莫耳比為 約10_1至約1:1。在本發明某些實施射，稀釋劑與共 同饋入反舰之氟烯烴起始材料之莫耳比為約5:1至約 lJ。稀释射以是惰性氣體，其於本揭露之氫化條件 下不起反應。在本發明某些實施例中.，稀釋劑為设、 Ar或N2。稀釋劑也可以是預期的氣氣烧產物。例如， 當氟烯烴起始材料為HFP時，HFC _23 —可以用來作為 稀釋劑，以控制反應溫[在本發明某些實施例中， HFC-236ea稀釋劑與HFP及&共同饋入反應區。對於 另一實例，當氟烯烴起始材料為HF〇_1225ye時， HFC-245eb可被用作為稀釋劑，以控制反應溫度。在本 201247315 發明某些實施例中，HFC_245eb稀釋劑與HFO-1225ye 及H2共同饋入反應區。 在本發明某些實施例中，稀釋劑係選自於由飽和烴 類與飽和氫氟碳化合物所組成之群組。適當的飽和烴類 • 包括C1至C8烷類，如甲烷、乙烷、丙烷等。適當的 飽和氳氟碳化合物包括C1至C8飽和氫氟碳化合物， 如 CHF3、CH2F2、CHF2CF3、CHF2CHF2、CH2FCF3、 CF3CF3 ' CF3CF2CF3 ' CF3CHFCH2F ' CF3CH2CHF2 ' CF3CHFCH3' CF3CH2CH2F' CF3CHFCHF2' CF3CH2CF3' CF3CF2CH2F ' CF3CH2CH2CF3' CF3CHFCHFC2F5' c6f14 及 c2f5chfchfc3f7。 在汽相氫化方法中H2與饋入反應區的氟烯烴之莫 耳比可以廣泛地改變。通常’在汽相氫化方法中H2與 饋入反應區的氟烯烴之莫耳比為約0.1:1至約100:1。在 本發明某些實施例中，該莫耳比為約0.5:1至約5:1。在 本發明某些實施例中，該莫耳比為約0.9:1至約3:1。 來自汽相氫化反應區的流出液通常為包含未反應 起始材料、稀釋劑（若該方法中有使用）、所欲的氫氟 烧產物以及某些副產物之產物混合物。所欲的氫氟烷產 物可藉習用方法自產物混合物回收。在本發明某些實施 例中’所欲的氫I烧產物可經由蒸餾純化或回收。在本 發明某些實施例中，將未反應的起始材料及可選擇的稀 釋劑（若該方法中有使用）回收並再循環回到反應區。 亦揭露者為一種氫化方法，包含(&)使一包含氟烯烴 與％之軋體或液體混合物通過—於一反應區中之把觸 媒床，其中該鈀觸媒包含擔载於—載體上之鈀；以及(b) 201247315 產生一氫氟烧產物；其特徵在於在該床前部之把觸媒具 有較於該床後部之鈀觸媒低之鈀濃度。該床之前部為觸 媒床之流入口，而該床之後部為觸媒床之流出口。在本 發明某些實施例中，於該床前部之觸媒之鈀濃度基於鈀 與載體之總重量為約〇·〇〇1 wt%至約0.2 Wt%，且於該床 後部之觸媒之鈀濃度基於鈀與載體之總重量為約〇」 wt%至約1 Wt%。在本發明某些實施例中，於該床前部 之觸媒之把濃度基於叙與載體之總重量為約0 001 wt〇/^ 至約0.08 wt%，且於該床後部之觸媒之鈀濃度基於把與 載體之總重量為約0.2 wt%至約0.8 wt%。在本發明某些 實施例中，於該床前部之觸媒之纪濃度基於把與載體之 總重量為約0.001 wt%至約0.04 wt%，且於該床後部之 觸媒之鈀濃度基於鈀與載體之總重量為約〇3 wt%至約 0.6 wt%。在本發明某些實施例中，於該床前部之觸媒 之鈀濃度基於鈀與載體之總重量為約0015 wt%至約 0.025 wt%，且於該床後部之觸媒之鈀濃度基於鈀與載 體之總重量為約0.3 wt%至約0.6 wt%。 在本發明某些實施例中，該觸媒床包含二個或更多 的、具有相同或不同長度的區塊，其中每一區塊包含具 有相同把濃度之把觸媒。例如，該觸媒床可包含一前區 塊及一後區塊，其中該前區塊包含鈀濃度為〇. 〇 2 wt%之 鈀觸媒，且該後區塊包含鈀濃度為〇 5 wt%之鈀觸媒， 以及其中該前區塊之長度為總床長度之約，且該後 區塊之長度為總床長度之約40% 〇在本發明某些實施例 中，忒觸媒床包含具有從該觸媒床之前部往後部漸增的 把濃度之鈀觸媒。 201247315 於本發明實施例製程中所使用的反應器、蒸餾管枉 及其結合的供料管、流出物管及相關單元可以抗腐蝕的 材料構成。典型的構成材料包括Teflon™及玻璃。典型 的構成材料也包括不銹鋼（特別是沃斯田鐵型者）、已 知的高鎳合金（例如Monel™鎳銅合金、Hastdl〇yTM鎳 基合金及1加01161很鎳鉻合金）以及銅包鋼。 上述所描述的各種態樣與實施例僅為例示性且非 限制性。在閱讀本說明書後，熟習此項技術者瞭解在不 偏離本發明之範疇下’亦可能有其他態樣與實施例。 實例 此處所描述的概念將以下列實例進一步說明之，該 等實例不限制申請專利範圍中所描述本發明之範轉。 符號說明

2.45eb 為 CF3CHFCH2F 236ea 為 CF3CHFCHF HFP 為 CF3CF=CF2 254eb 為 CH3CHFCF3

1225ye 為 CF3CF=CHF 實例1-5之一般程序 以下一般程序說明反應器及用於測量溫度之熱電 偶設計。使一氣體混合物通過鈀觸媒床來進行曼化反 應。此中使用之1225ye含有97-98%的z異構物及2-3% 的E異構物。對部分的反應器流出液作線上取樣，並使 用GC-FID (氣相層析-火焰游離偵檢器）進行有機產 物分析。 201247315 於下述所有實驗中使用垂直指向的、以循環熱油系 統保護的HastelloyTM反應器（外徑1吋，壁厚〇 〇65 吋）。於反應器中放入28.6 cm3、1/8吋球體或1/8吋χΐ/8 吋片狀形式的鈀觸媒◊將反應器中的鈀觸媒床高度增至 3时，並填充於ι/g叶DenstoneTM α-Α12〇3球體（在頂 部）與％吋Hastelloy™衝壓填料（在底部）之間。 預熱起始材料與稀釋劑的氣體混合物，且使其由頂 部進入並由底部離開通過反應器。沿著反應器中心放置 1/8忖的熱電偶’且於以下8點位置測量溫度曲線：_〇 5 口寸、0对、〇·5忖、1叶、1.5 p寸、2忖、2.5忖及3叶。 點「-0.5吋」約在觸媒床上方〇 5吋處；點「〇吋」約 在觸媒床頂部；以及點「〇5吋」約在觸媒床頂部的下 方吋處；以此類推。 實例1 實例1說明HFP於0.1 wt0/〇 Pd/a-Al2〇3上的氫化具 有良好的熱控制，並產生良好的HFC-236ea產率及高選 擇率。 將HFP、Hz及236ea的氣體混合物饋入反應器中。 HFP流速如表i所示。氣體混合物中出或236抑相對 於HFP的量亦如表i所示。表i亦顯示反應器内之溫 度曲線以及反應器流出液的組成物之分析結果。 20 201247315 t (A部分） 執行 項次 進料速率 莫耳進料比率 壓力 (psig) ^反應器流出 (莫耳％) 液 HFP (g/h) h2/hfp 236ea/HFP HFP 236ea 245eb 1 454 2.0 I 5.0 59 4.8 95.2 卜 0.02 2 454 2.0 5.0 60 6.6 93.3 0.01 3 451 2.0 6.0 60 7.6 92.4 0.01 4 454 2.0 7.0 61 7.8 92.2 0.01 5 455 3.0 6.0 60 8.0 92.0 0.01 6 452 4.0 5.0 60 8.0 91.9 0.01 7 454 2.0 6.8 60 8.2 91.7 0.01 8 452 2.0 7.0 61 7.6 92.4 0.01 9 454 2.0 7.0 61 6.7 93.2 0.01 10 454 2.0 7.0 61 6.7 93.3 0.01 11 457 2.0 6.9 60 6.0 93.9 0.01 表1 ( B部分） 執行項次 熱油 内部溫庶（°C J (°C) -0.5" 0" 0.5" 1" 1.5" 2" 2.5" 3" 1 74 80 79 78 78 81 118 159 166 2 65 75 73 72 71 72 96 132 143 3 65 75 74 72 71 72 86 110 119 4 65 78 76 74 72 73 83 98 106 5 65 76 74 72 71 72 85 106 116 6 65 74 72 71 70 71 88 117 130 7 65 76 75 73 72 72 81 95 102 8 74 81 80 79 78 79 91 107 卜 114 9 84 85 85 85 85 87 101 121 130 10 94 91 卜92 Γ 92 93 95 110 130 138 11 104 95 97 98 99 102 121 144 152 實例2 實例2說明HFP於0.04 wt% Pd/a-Al2〇3上的氫化 具有良好的熱控制，並產生良好的HFC-236ea產率及高 選擇率。 21 201247315 將HFP、H2及236ea之氣體混合物饋入反應器中。 HFP流速如表2所示。氣體混合物中H2或236ea相對 於HFP的量亦如表2所示。表2亦顯示反應器内之溫 度曲線以及反應器流出液的組成物之分析結果。 表2 (A部分） 執行 項次 進料速率 莫耳進料比率 壓力 (psig) 反應器流出液（莫耳％) HFP (g/h) h2/hfp 236ea/HFP HFP 236ea 245eb 1 91 2.0 10.0 125 1.4 98.5 0.03 2 138 2.0 6.6 125 1.5 98.5 0.03 3 228 2.0 3.9 125 2.2 97.7 0.04 4 226 1.2 3.0 125 4.4 95.6 0.03 5 226 1.2 5.0 100 6.5 93.5 0.01 6 227 2.0 5.0 100 5.6 94.4 0.01 7 226 3.0 5.1 100 5.3 94.7 0.01 8 226 3.0 4.9 100 4.8 95.1 0.01 9 227 3.0 5.0 100 4.3 95.7 0.01 10 226 2.0 5.0 100 7.5 92.5 0.01 表2 (B部分） 執行項次 熱油 (°C) 内部溫度（°C ) -0.5" 0" 0.5" 1丨丨 1.5" 2" 2.5" 3" 1 84 86 97 116 130 134 134 131 127 2 85 87 103 132 151 155 154 149 143 3 84 88 110 154 180 185 182 174 166 4 84 89 121 172 195 196 189 179 168 5 84 86 95 113 129 138 143 145 143 6 84 86 95 115 132 142 147 149 147 7 85 86 95 115 132 143 148 150 148 8 94 95 105 127 144 155 159 161 159 9 104 104 116 140 159 168 172 172 169 10 114 114 124 144 158 165 167 167 165 實例3 22 201247315 '^歹 J ^ 且右_权°兒日月HFP於0.〇2 Wt% Pd/a-A12〇3上的氮化 選二子的熱控制，並產生良好的齢23-產率及高 將 Hpp、p a π 、 打2及236ea的氣體混合物饋入反應器中0 、肌迷如表3所示。氣體混合物中Hz或2;36ea相對 於HFP的量亦如表3所示。表3亦顯示反應器内之溫 度曲線以及反應器流出液的組成物之分析結果。 表3 (A部分） 執行 進料速率 莫耳進料比率 壓力 反應器流出液（ 項次 HFP (g/h) h2/hfp 236ea/HFP (psig) HFP 236ea 245eb~^ 1 91 2.0 9.9 100 6.2% 93.7% 2 137 2.0 6.7 99 8.6% 91.4% 0.02 Vo 3 227 3.0 4.0 100 12.9% 87.0% 4 228 3.0 3.0 102 11.9% 88.0% 0.03% 5 135 2.0 6.8 100 9.1% 90.9% 0.01% 6 226 2.0 4.0 100 13.3% 86.7% 〇.〇l% 7 226 3.0 3.1 101 14.3% 85.6% 8 227 3.0 3.0 125 8.6% 91.3% 9 226 3.0 3.0 125 11.3% 88.7% 〇.〇l% 10 227 1.2 2.9 125 13.7% 86.3% 11 226 1.2 3.0 125 9.3% 90.7% 12 228 1.2 3.0 125 14.9% 85.1% 13 227 3.0 3.0 125 11.9% 88.1% 14 226 1.2 2.0 125 10.8% 89.1% 15 229 0.5 2.0 125 24.2% 75.7% 16 228 1.2 2.2 125 10.9% 89.1% °^〇2^T~ 17 227 3.0 3.0 125 14.0% 85.9% 表3 (B部分） 執行項次 熱油 (°C) 内部溫度（°C ) ' -0.5" 0" 0.5" Γ· 1.5" 2" 2.5" 1 84 85 88 91 93 96 98 2 84 84 85 89 93 96 101 105、 23 201247315 3 84 85 86 90 96 101 110 118 124 4 84 85 86 92 101 111 127 142 152 5 85 84 85 88 91 94 99 103 106 6 84 84 85 89 94 99 107 115 121 7 84 85 86 90 97 104 117 130 138 8 85 94 98 108 123 140 160 173 177 9 94 85 87 94 105 117 135 149 158 10 85 94 97 105 117 129 143 153 159 11 94 114 120 137 162 180 193 197 194 12 114 84 87 93 102 111 124 133 139 13 84 85 87 93 104 114 130 142 151 14 84 85 91 107 136 164 188 194 189 15 85 85 87 94 104 113 123 127 128 16 84 85 92 111 142 167 186 189 181 17 84 85 87 93 101 109 120 129 136 實例4 實例4說明1225ye於0.1 wt%Pd/a-Al203上的氫化 具有良好的熱控制，並產生良好的HFC-245eb產率及高 選擇率。 將1225ye、H2及245eb的氣體混合物饋入反應器 中。1225ye流速如表4所示。氣體混合物中H2或245eb 相對於1225ye的量亦如表4所示。表4亦顯示反應器 内之溫度曲線以及反應器流出液的組成物之分析結果。 表4 ( A部分） 執行 項次 進料速率 莫耳進料比率 壓力 (psig) 反應器流出液（莫耳％) 1225ye (g/h) H2/1225ye 245eb /1225ye 1225ye 254eb 245eb 1 91 2.0 9.9 75 1.9 0.17 97.9 2 135 2.0 6.6 75 2.5 0.16 97.4 3 226 2.0 4.0 75 2.7 0.18 97.0 4 339 2.0 2.7 75 3.9 0.22 95.8 5 226 1.5 5.9 75 4.4 0.09 95.4 24 201247315 6 226 2.0 4.0 76 3.0 0.12 96.8 7 227 2.0 4.0 60 3.7 0.10 96.2 8 227 2.0 4.0 60 3.6 0.09 96.3 9 227 4.0 2.1 60 2.4 0.16 97.4 10 227 3.0 3.0 60 2.7 0.12 97.2 11 227 1.5 6.0 60 5.0 0.09 94.9 12 271 1.2 4.9 60 6.5 0.09 93.4 13 343 1.2 3.7 60 7.8 0.10 92.1 14 452 1.2 2.6 60 8.4 0.12 91.5 15 226 2.0 4.0 60 4.0 0.08 95.9 16 92 2.0 9.8 60 2.8 0.06 97.1 17 228 2.0 4.0 60 4.3 0.10 95.6 18 227 0.5 4.0 60 11.2 0.09 88.7 19 225 2.0 4.0 60 4.4 0.09 95.5 表4 (B部分） 執行項次 熱油 (°C) 内部溫度（°C ) -0.5" 0" 0.5" 1" 1.5" 2" 2.5" 3" 1 85 91 108 121 126 127 125 122 2 85 86 94 118 138 145 146 143 138 3 85 87 100 139 172 182 181 175 167 4 84 87 102 156 202 215 215 208 197 5 84 82 86 102 122 134 140 144 143 6 85 87 97 132 166 178 180 175 167 7 85 87 97 130 163 176 178 174 166 8 85 77 86 118 152 167 169 166 158 9 75 77 95 155 195 196 184 167 152 10 75 77 90 135 175 185 181 172 160 11 75 77 80 93 111 123 130 134 132 12 75 77 81 97 119 133 140 144 142 13 75 77 82 102 132 150 159 163 160 14 75 77 86 119 166 189 198 199 193 15 75 77 84 112 147 164 168 166 159 16 75 76 79 88 99 106 109 111 109 17 75 77 83 106 140 159 166 166 160 18 75 78 83 99 117 124 124 122 117 19 75 77 84 109 144 162 167 166 159 25 201247315 實例5 實例5說明1225ye於0.02 wt% Pd/a_Al203上的氫 化具有良好的熱控制，並產生良好的HFC-245eb產率及 高選擇率。 將1225ye、H2及245eb的氣體混合物饋入反應器 中。1225ye流速如表5所示。氣體混合物中H2或245eb 相對於1225ye的量亦如表5所示。表5亦顯示反應器 内之溫度曲線以及反應器流出液的組成物之分析結果。 表5 (A部分） 執行 項次 進料速率 莫耳進步 1·比率 壓力 (psig) 反應器流出液（莫耳％) 1225ye (8/h) H2/1225ye 245eb /1225ye 1225ye 254eb 245eb 1 92 1.9 9.8 75 5.0% 0.10% 94.9% 2 138 2.0 6.6 75 6.9% 0.08% 93.0% 3 228 2.0 3.9 75 10.4% 0.09% 89.5% 4 227 3.0 2.9 74 10.7% 0.12% 89.1% 5 228 3.0 2.9 75 10.7% 0.11% 89.2% 6 226 3.0 3.0 75 9.9% 0.09% 89.9% 7 228 3.0 3.0 75 9.7% 0.09% 90.2% 8 227 3.0 3.0 75 9.4% 0.08% 90.5% 9 226 3.0 3.0 75 11.8% 0.06% 88.2% 10 228 3.0 3.0 77 9.9% 0.07% 90.0% 11 226 4.0 2.0 75 9.2% 0.10% 90.6%' 12 114 2.5 7.6 75 4.7% 0.11% 95.2% 13 222 1.3 2.9 75 11.2% 0.02% 88.7% 14 114 1.2 5.6 75 9.1% 0.03% 90.8% 15 225 1.2 3.0 75 12.7% 0.03% 87.3% 16 226 2.0 3.0 75 10.8% 0.04% 89.1% 17 226 4.0 3.0 75 9.9% 0.04% 90.0% 18 227 5.9 3.0 75 9.9% 0.05% 90.0% 19 225 3.0 3.0 75 12.5% 0.04% 87.4% 26 201247315 表5 (B部分） 執行項次 熱油 (。。） 内部溫度（°C ) -0.5" 0" 0.5" 1" 1.5" 2" 2.5" 3" '1 85 85 87 91 97 100 104 103 103 2 84 85 87 93 101 106 112 111 110 84 85 88 97 111 119 128 127 125 4 84 85 90 104 124 135 142 139 140 fi 94 95 100 117 137 147 151 148 151 6 104 104 110 128 148 157 160 157 160 7 114 114 120 142 163 171 172 168 173 8 124 123 131 154 176 183 183 179 185 9 85 85 90 105 123 131 137 135 136 10 104 104 110 130 152 160 164 161 164 11 104 105 114 146 176 181 175 168 180 12 104 107 127 161 170 162 144 137 154 13 104 103 105 111 118 122 127 127 125 14 104 104 109 118 128 131 132 130 132 15 104 104 109 124 141 147 151 149 150 16 104 104 110 129 151 159 164 161 164 17 104 104 109 127 149 158 164 161 163 18 104 104 109 125 147 157 162 159 162 19 84 85 88 99 116 125 136 135 132 實例6-7之一般程序 以下一般程序說明反應器及用於測量溫度之熱電 偶設計。使一氣體混合物通過鈀觸媒床來進行氫化反 應。對部分的反應器流出液作線上取樣，並使用GC-HD (氣相層析-火焰游離偵檢器）進行有機產物分析。 於下述所有實驗中使用以鋁套保護的Inconel™反 應器（外徑5/8吋，壁厚0.034吋）。以5吋長的加熱帶 爐加熱該套。於反應器中放入5 cm3、1/8吋球體或1/8 吋X1/8吋片狀形式的鈀觸媒。 27 201247315 預熱HFP、H2及叫的氣體混合物至5(TC並使其通 過反應器，其方向係從觸媒床頂部至底部。藉由鋁套内 的熱電偶控制爐溫度。沿著反應器中心放置的"16对 熱電偶在觸媒床頂部附近（〇"點）及頂部下方丨叶附近 (1”點）測量溫度曲線。 實例6 實例6說明HFP於wt% Ρ(ΐ/γ-Α12〇3上的氳化產 生相當大量的245eb副產物。 將HFP、H2及&的氣體混合物饋入反應器中。HFP 流速如表6所示。氣體混合物中H2或n2相對於HFp 的畺亦如表6所示。表6亦顯示反應器内之溫度曲線以 及反應器流出液的組成物之分析結果。 表6 執行 項次 進料速率 莫耳進料比率 爐 (°C) 内部溫度 (°〇 反應器流出液 (莫耳％) HFP (seem) h2/hfp n2/hfp 0" 1" HFP 236ea 245eb 1 10 1 10 49 80 52 11.9 85.7 2.0 2 10 5 10 50 75 51 0.1 99.0 0.9 3 10 1 30 51 84 59 13.1 83.4 2.8 4 5 1 60 51 84 59 10.9 85.5 2.9 5 10 1 30 70 101 76 13.7 82.5 3.0 6 4.9 2 61 69 86 74 1.9 95.9 1.9 7 4.8 1 61 70 1— — 87 75 9.5 87.4 2.5 實例7 28 201247315 實例7說明HFP於0.3 wt% Pd/a-Al2〇3上的氣化未 產生245eb副產物。 將HFP、％及Ν'2的氣體混合物饋入反應器中。hfp 流速如表7所示。氣體混合物中Η2或Ν2相對於HFP 的量亦如表7所示。表7亦顯示反應器内之溫度曲線以 及反應器流出液的組成物之分析結果。 執行 進料速率 莫耳進料比率 項次 HFP (seem) h2/hfp n2/hfp 1 10 ~30~ 2 10 5 30 3 10 2.5 ___30 1C 4 20 ------- 2.5 51 表7

内部溫 度rc) 反應器流出液 (莫耳％) 245eb 0.00 64 8.67 91.13 0.00 19.20 T〇.54 應留意的是，並非上文_般性摇述或實例中所述之 ，作都疋必要的，特定動作之—部分可能並非必要的， ^除：所描述之動作外’可進一步執行一或多個其他 卜所列動作之次序不必然是執行該等步驟之 ’已描㈣於蚊實關之概念1 申嘖專利般技術人士 k —轉在不脫離1 所述之本發明的範嗨下可進行侧 且意欲將所有;綱#視為說雜而非限制ί 寸 k類修改涵括於本發明之範疇中。 決方益、其他優點及問' :、、、、而，不可將效益、優點、問題角 29 201247315 方案以及任何可使這些效益、優點或問題解決方案更為 突顯的特徵解讀為是任何或所有專利申請範圍之關 鍵、必需或必要特徵。 應當理解為了清楚說明起見，本文所述之各實施例 内容中的某些特徵，亦可以組合之方式於單獨實施例中 別加以提供。相反地，簡潔起見，本文所述許多特徵於 同一實施例中，其亦可分別提供或提供於任何次組合 中。 【圖式簡單說明】 無 【主要元件符號說明】 無 30

Claims (1)

1. 201247315 七、申請專利範圍· 1. 一種氫化方法，其包含使一氟烯烴與H2於一鈀觸媒存在 下於一反應區中反應，以產生一氫氟烷產物，其中該鈀觸 媒包含擔載於一載體上之鈀，其中該鈀之濃度基於該鈀與 該載體之總重量係約〇·〇〇1 wt%至約0.2 wt%。 2. 如請求項1所述之氫化方法，其中該鈀觸媒之鈀濃度基於 該鈀與該載體之總重量係約0.001 wt%至約0.08 wt°/〇。 3. 如請求項1所述之氫化方法，其中該鈀觸媒之鈀濃度基於 該鈀與該載體之總重量係約0.001 wt%至約0.04 wt%。 4. 如請求項1所述之氩化方法，其中該鈀觸媒之鈀濃度基於 該鈀與該載體之總重量係約0.015 wt%至約0.025 wt%。 5. 如請求項1所述之氫化方法，其中該氟烯烴為 CF3CF=CF2，且該氫氟烷產物為CF3CHFCHF2。 6_如請求項5所述之氳化方法，其中一 CF3CHFCHF2稀釋劑 與CF3CF=CF2及H2共同饋入該反應區，且其中該. CF3CHFCHF2稀釋劑與CF3CF=CF2之莫耳比為約ι〇〇:ι至 約 1:：1。 7.如請求項6所述之氳化方法，其中該CF3CHFCHF2稀釋劑 與CF3CF=CF2之莫耳比為約5:1至約1:1。 201247315 8. 如請求項1所述之氫化方法，其中該氟烯烴為 CF3CF=CHF，且該氫氟烷產物為CF3CHFCH2F。 9. 如請求項8所述之氳化方法，其中一 CF3CHFCH2F稀釋劑 與CF3CF=CHF及H2共同饋入該反應區，且其中該 CF3CHFCH2F稀釋劑與CF3CF=CHF之莫耳比為約100:1 至約1:1。 10. 如請求項9所述之氫化方法，其中該CF3CHFCH2F稀釋 劑與CF3CF=CHF之莫耳比為約5:1至約1:1。 11. 如請求項1所述之氩化方法，其中該載體係選自於由 AI2O3、氣化 AI2O3、AIF3、碳、Cr2〇3、Si〇2、Ti〇2、Zr〇2 及ZnO所組成之群組。 12. 如請求項11所述之氫化方法，其中該載體為Al2〇3。 13. 如請求項12所述之氫化方法，其中該載體為α-Α1203。 14. 如請求項11所述之氫化方法，其中該載體為碳。 15. 如請求項1所述之氫化方法，其中饋入該反應區之Η2與 氟烯烴之莫耳比係約0.1:1至約100:1。 16. 如請求項1所述之氫化方法，其中該氩化方法係於一稀 釋劑存在下進行。 32 201247315 17. 如請求項16所述之氫化方法，其中該稀釋劑係與該氟烯 烴與H2共同鑛入該反應區。 18. —種鈀觸媒組成物，其主要係由擔載於α-Α12〇3上之鈀所 組成’其中該犯之丨辰度基於该飽與5亥ct-Al2〇3之總重量係 約 0.001 wt%J·約 〇.2 wt〇/o。 如請求項18所述之鈀觸媒組成物’其中該把之濃度基於 該鈀與該α_Αΐ2〇3之總重量係約0.001 Wt%至約0 08 Wt0/〇 〇 20.如請求項18所述之把觸媒組成物，其中5亥把之》辰度基於 該鈀與該α-Αΐ2〇3之總重量係約〇〇〇1 Wt%至約〇〇4 W1:%。 ，其中該鈀之濃度基於 0.015 wt%至約 0.025 21.如請求項18所述之鈀觸媒組成物 該鈀與該α-Αΐ2〇3之總重量係約 wt% 〇 22.-種氫化方法，其包含使-一炫與％於一 U匕刀/无 * a/氫氟烷產物，其特徵在 下於-反應區中反應，以I生 組成物。 於該鈀觸媒具有如請求項18所 23.—種氫化方法’其包含： 33 201247315 (a) 使一包含氟稀煙與Kb之混合物通過一於一反應 區中之鈀觸媒床，其中該鈀觸媒包含擔載於一載體 上之鈀；以及 (b) 產生一氫氟烧產物； 其特徵在於在該床前部之鈀觸媒具有較於該床後部 之妃觸媒低之濃度。 24.如請求項23所述之氫化方法，其中於該床前部之觸媒之 I巴濃度基於該妃與該載體之總重量係約0.001 wt%至約 0.2 wt%，且於該床後部之觸媒之鈀濃度基於該鈀與該載 體之總重量係約0· 1 wt%至約1 wt°/〇。 34 201247315 四、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為··第（無）圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化 學式： 無 4