201243294 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於接觸式感應器，尤指聲接觸式感應器與 具有窄功能邊緣與遞增接觸式感應區域之聲接觸式螢 慕。 相關申請案之交互參照 本申請案關於美國臨時專利申請案第60/562,461 號，律師文件編號ELG064-US1，發明名稱「聲接觸式 感應器」，申請於2004年4月14日；以及美國臨時專 利申請案第60/562,455號，律師文件編號ELG065-US1， 發明名稱「聲接觸式感應器」，申請於2004年4月14 曰，其揭示在此併入參考。 【先前技術】 聲接觸式感應器具有接觸之存在與位置由聲波之 ，送上之接觸式效果跨接觸式感應器基板所感應之接 山式感應區域。聲接觸式感應器一般實施瑞立波（包含類 %立波）、平板或剪力波、或該聲波之不同型態之組合。 第一圖圖解傳統聲接觸式感應器，聲接觸式螢幕1 觸，作。該聲接觸式螢幕1具有接觸式感應區域2，接 庙^ f維座標決定於其内部。舉例而言，該接觸式感
傳送路徑中係部份聲反射元件 式螢幕1之平面中傳送聲信號。 面。該變換器3a以聲波 1之頂邊緣移動且一般於 信號。排列於聲波1 la之 4之第一線性陣列i3a， 201243294 各部分傳送該聲信號並部分加以反射（約9〇。），建立複數 個聲波(如5a、5b及5c)，跨接觸式感應區域2垂直移動。 反射元件4之間隔可變，以補償該聲信號由於與第一變 換器3a遞增距離之衰減^於到達接觸式螢幕丨之下邊緣 後，聲波5a、5b、及5c再次由部份聲反射元件4之第 二線性陣列13b朝向第一接收變換器6a反射約9〇。(見箭 ，11b)。於該接收變換器6a處，偵測與轉換該波至雷 ΐϊί，以供㈣處理。反射元件之類似配置沿著接觸 1之左與右邊緣放置。第二傳送變脑3b沿著 =邊緣產生聲波Ua，且部分聲反射元件4 二建立複數個聲波(如％、7b、及7c)，ί;觸 =重新導向，在此器沿 供資料處理。 俠芏電巩仏號，以 8接觸若接或尖筆於位置 果衰減由接收變二二== 聲化唬中之擾動。藉由微處 貝j作為该 =時間延遲分析允許決定接觸位置以助第該J 之裝置亦可作用為使用傳送/接收變換器=第—圖 變換器之接觸式螢幕。 、° ’、構僅具有二 由第-圖中虛線所指之殼體9可關聯 1。該殼體可由任何適當材料製成， j觸式勞幕 合物或薄金屬板。該殼體9包含前+ 〇 5為鑄模聚 w之内邊界之虛線16表示與第一圖中前蓋=表前蓋 之虛線表示。該内虛線16顯示該殼體9覆蓋 4 201243294 螢幕1之周圍，隱蔽該傳送與接收變換器、該反射元件、 及其他元件，但暴露接觸式感應區域2。此配置可保護 該隱蔽組件被污染與/或損壞，提供美觀外表，並為該使 用者定義該接觸式感應區域。 接觸式螢幕可包含分離面板覆蓋於顯示窗上。該面 板一般由玻璃製成，但可使用任何其他適當基板。該顯 示窗可為陰極線管（CRT)、液晶顯示器（LCD)、電漿、場 致發光、有機發光二極體(OLED)顯示器、或任何其他型 態之顯示器。 如第一圖所示，該接觸式感應區域2由邊緣區域15 環繞，在此置有反射元件4與傳送與接收變換器3a、3b、 6a及6b。減小邊緣區域15之寬度增加該接觸式感應區 域2。對於使用透明接觸式感應器之接觸式感應器應用 而言，例如接觸式螢幕，該邊緣之寬度可能特別重要。 具有窄化邊緣區域15之接觸式感應器可整合至本身具 有窄邊緣環繞該顯示影像之顯示螢幕中。此元件是裝 置，例如螢幕，如一般市場潮流所需的，朝向更光滑且 更機械壓縮設計。具有窄化邊緣區域15之接觸式感應 器亦更容易密封且更輕，並可具有增大的感應器區域。 於競爭接觸式螢幕技術（如聲、電容、電阻與紅外線) 之中，聲接觸式螢幕傾向具有較寬邊緣。 可能藉由使用波導聚集該邊緣區域中之聲波以減 小接觸式螢幕之邊緣區域，如揭示於美國專利第 6,636,201號中者，其揭示在此併入參考。然而，可能想 要不需提供波導於該接觸式感應器基板之接觸式表面 上之其他解決方法。 基於上述描述的理由，想要具有可適應非常窄邊緣 201243294 區域之聲接觸式感應器設計。 【發明内容】 ##於Γ實施例中，接觸式感應器包含基板。該基板可 專導耷波’且包含具有接觸式感應區域之第一表面。第 一側壁沿著第一邊緣與該第一表面相交。該第一邊緣配 置以沿著該第一邊緣傳導第一聲波，而該第一表面配置 =跨該接觸式感應區域傳導第二聲波。波轉換器轉換該 第一聲波至該第二聲波，且該第二聲波係基於該第一聲 波。 於另實施例中，接觸式感應器系統包含用以產生 維第一聲波之傳送器。接觸式感應器包含可傳導聲波 之基板。該基板包含具有接觸式感應區域之第一表面。 第一與第二側壁沿著第一與第二邊緣與該第一表面相 父。該第-邊緣配置以傳導該第__聲波，而該第一表面 配置以跨該接觸式感應區域傳導第二聲波。第一轉換器 提供於該基板上，用以轉換該第—聲波至該第二聲波。 二偵測，提供於該基板上，用以於傳過該接觸式感應區 域之至父一部分後偵測該第二聲波。 二、"只哪椚τ，提供一方法用以偵測可傳導聲波 感應區域上之接觸。該基板包含具有該 巧-與第二邊緣與該第一表面相交。該=包= 者一維第一聲波。該第-聲波轉換至第 i t皮式感應區域沿著該第—表面導向該 第ϋΐ基板之第二側壁處_該第二聲波。 ;一實施例中’接觸式感應器包含可傳導聲波之 6 201243294 基板。該基板包含具有接觸式感應區域之第一表面及沿 著第一邊緣與該第一表面相交之第一侧壁。該第一邊緣 配置以沿著該第一邊緣傳導第一聲波，而該第一表面配 置以跨該接觸式感應區域傳導第二聲波。該第二聲波係 基於該第一聲波。該接觸式感應器另包含具有反射器元 件形成於該基板上之反射陣列’以供該第一與第二聲波 間之模式轉換。該第一邊緣可形成一彎曲區域》該接觸 式感應區域具有平坦、彎曲及半球狀其中之一之表面。 該基板可另包含沿著四邊緣與該第一表面相交之四側 壁，並形成與相鄰側壁之來者。變換器裝設於各角上， 用以產生或接收聲波，且反射陣列裝設於靠近四邊緣之 各者。至少二變換器可裝設至該基板，且用以產生或接 收聲波。該接觸式感應區域接收具有識別接觸式事件之 ^立置之二座標之事件。第一與第二變換器可裝設至該基 =，以產生與接收聲波，用以分別偵測該接觸式感應區 域上之接觸式事件之第一與第二座標。可選擇地，至少 一變換器可裝設至該基板，其中至少一變換器用以產生 f接收聲波，以偵測該接觸事件之座標。變換器裝設至 f基板’用以透過該接觸式感應區域之整個或一部分其 之一產生與接收聲波。於另一實施例中，實質形成無 缺陷之第二側壁沿著第二邊緣與該第一表面相交。該第 緣形成約90。角於該第二側壁與該第一表面之間， 且该第二邊緣於穿過該接觸式感應區域之至少一部分 後反射該第二聲波。或者，一或多個反射條形成接近該 第二邊緣，且由一整數乘上該第二聲波之二分之一波長 ，相分離。該反射條與該第二邊緣於穿過該接觸式感應 區域之至少一部分後反射該第二聲波。 201243294 於另一實施例中，接觸式感應器包含可傳導聲波之 基板。該基板包&具有接觸式感應區域之第一表面及沿 著第一邊緣與該第一表面相交之第一側壁。該第一邊缘 配置以沿著該第一邊緣傳導第一聲波，而該第一表面配 置以跨該接觸式感應區域傳導第二聲波。該第-罄诂捭 ί於該第一聲波。包含部分反射元件之反射卩 靠近該第一邊緣之基板上，用以模式轉換該第一與第二 聲波之間。該部分反射元件可藉由增加材料至該基板以 形成突出，或自該基板移除材料以形成溝槽加以形成。 或者，該部分反射元件之第一部分可藉由加入材料至該 基板加以形成，而依第二部分可藉由自該基板移除材料 加以形成。該部分反射元件互相規律間隔加以形成，並 可沿著該第一側壁與該第一表面至少其中之一延伸。或 者’該部分反射元件可具有距離該第一邊緣小於該第一 聲波之波長之長度。該反射陣列可形成規律間隔部分反 射元件之第一與第二組。該第一組具有關於該第一聲波 之波長之期間之相對強傅立葉組件，而該第二組具有關 於該第一聲波之二分之一波長之期間之最小傅立葉組 件，且該第一與第二組互相疊置。或者，該反射陣列可 形成規律間隔部分反射元件之第一與第二組，其中該第 二組對該第一組位移該第一聲波之四分之—波長，且令 第一與第二組互相疊置。該部分反射元件可形成具有a 著該第一聲波之約二分之一波長之第一邊緣之寬度。 於另一實施例中’接觸式感應器包含可傳導聲波之 基板。該基板包含具有接觸式感應區域之第一表面及^ 著第一邊緣與該第一表面相交之第一側壁。該第一邊、= 配置以沿著該第一邊緣傳導第一聲波，而該^一表面配 8 201243294 置以跨該接觸式感應區域傳導第二聲波。該第二聲波係 基於該第一聲波。該接觸式感應器另包含用以產生與接 收聲波包含壓電元件之變換器’及反射陣列用以於該第 一與第二聲波間模式轉換。該變換器可耦合至沿著該第 一邊緣放置之繞射光拇、形成於接近該第一邊緣之第一 側壁上之繞射光柵、或形成於接近該第一邊緣之第一表 面上之繞射光栅。該繞射光柵可包含由該第一聲波之大 約一個波長相隔之一連串溝槽。可選擇地，該繞射光柵 巴含形成於該基板中之一連串溝槽，其由該第一聲波之 大約一個波長相隔。或者，該繞射光柵包含形成於該壓 電元件中之一連串溝槽。該壓電元件可為壓力模式壓與 剪力模式壓其中之…該變換器可另包含結合至該壓電 。該横元件裝設於該第—側壁與該第一表 Ϊ二邊续I*面Ϊ中之"~上’且細置於靠近該楔元件之 並與：ΐ行震設於該第一侧壁上， 料加以形成，合自該基板移除材 角度凹處巾。於㈣讀之楔元件裝設於該有 二邊緣與該第例中’該變換器裝設於沿著第 成垂直於該第—聲、/目=之第二側壁上，該第二側壁形 侧壁上之變換傳導方向之平面。裝狀該第二 地，該Ϊ力電元件可為剪力模式壓。可替換 側。第-以=以件另包含前與後 刀及實質所有部份，形成對應至壓電元件之區 201243294 亥電極重疊。或者’該 平二：巴叙合至小於該第一聲波之-個波長 岸用以ίϊ:與變換器。可替換地’該第-電極 側之至少—部！，其中該前側上之二與ϊ 電元件至第—與第二電氣連接’用以激勵該壓 電^件° _電兀件另包含與該前與後側各者相交之第 :ίίΓί第二邊緣相鄰該第一邊緣’並佔用垂直該第 形成該前與後侧其中之—以裝設至該基 m直=行該前與後側之平面之方向支撐該壓 電7G件.。第-與第二電極形成於該第—與第二邊緣上， 且該第-與第二電極接收附加至第—與第二電氣接 點，用以激勵該壓電元件。於另一實施例中，該壓電元 件裝設至具有該壓電元件之一部分延伸出 與該側壁之至少其中之—之外之基板。或者，^伸^ 该第一表面與該側壁至少其中之一之壓電元件之部分 延伸小於該第一聲波之一個波長之距離。 【實施方式】 如第一圖所示之傳統反射陣列13a_l3d之寬度範圍 介於約0.21’’(5.3mm)與〇.6，，(15.2mm)之間，其對^至範 圍約9.3-26.5之聲波長(假設傳統頻率約5MHz，對應至 約0.0226”或0.57mm之波長）。具有較窄寬度之反射陣 列一般使用於較小螢幕上。 聲表面波聚集靠近二維表面之聲能量。該表面可描 述為當該聲表面波傳導靠近該表面時引導該波，若該表 201243294 而】，坦，或甚至若該表面具有稍微彎曲，而不從該表 、政出去。一維邊緣聲波係聲波之型態。一維邊緣聲 =指邊緣波、彎曲邊緣波、或直線聲波。邊緣波之波 局，化為表面之邊緣，且以正交於該邊緣之方向約 =化衰退。因此，該能量向量沿著該邊緣傳導。邊緣 值〇非分散，使得其速度獨立於頻率之外。由於聲波之 =將不會扭曲來自其簡單下沉形狀之接收信號之接 發之擾動為較複雜振動形狀，使用接觸式感應器 之非分散波是很有利的。 邊緣波之能量主要於定義該邊緣之約90。角之波長 二由於遠離該邊緣能量中指數下降，基本上超過該邊 頻i坡長外不會發現能量。對於具有玻璃中約5ΜΗζ之 内Γ之邊緣波而言，這表示邊緣波受限在lmm之邊緣 、嘉给對2min厚的玻璃板而言，邊緣波可沿著侧壁之頂 變、、。，導，而不受該側壁僅2mm之底邊緣之存在之影 二^ t該邊緣波能量限制為該邊緣之約lmm時，可能 邊緣波技術做出具有非常窄功能邊緣之接觸式感 三因此，殼體可為併入邊緣波之接觸式感應器具有 ㊉窄前蓋區域，料增加該接觸式感應器之接觸式 應區域。 〜 第二圖圖解根據本發明之實施例具有接觸式表面 24與側壁32之接觸式感應器基板2〇。可為該基板2〇 使用任何適當材料，包含玻璃、陶瓷、及金屬（如鋁或 鋼）。對於某些應用而言，可能想要低聲損失玻璃。舉例 而言，硼矽酸玻璃係低損失，且可提供允許較大接觸式 感應裔區域之較大接收信號振幅。 乾淨邊緣22於對應至該接觸式表面24之平面與對 11 201243294 各側壁32之平面間之相交處形成於該基板20上。 上之任22开々成為實質無缺陷，使得該乾淨邊緣22 等，1可块差，例如碎片、條紋、凹痕、不平坦區域等 古，小於該聲波長之尺寸。對於已給予的頻率而 比。^緣波波長僅比較熟知之瑞立波之波長短數百分 ^ ,匕使用s亥瑞立波長為已知且已定義測量，可注 思缺陷最好小於瑞立波長之2〇%。 =乾净邊緣22可由適用於該基板2〇製造之材料之 、法加以形成。舉例而言，玻璃可切割且機器加工 2二乾淨邊緣22。或者，該乾淨邊緣22可藉由使用 •、一傳導控制裂縫加以形成，舉例而言，藉由使用區 域化雷射加熱與煤氣口冷卻製程。可替換地，該玻璃可 被刻劃或打破，若仔細做的話，可產生相對該刻劃表面 之乾淨邊緣22。 角度42與44形成於該側壁32鄰接該接觸式表面 24為90。處，或於9〇。之20。中，使側壁32垂直或實 垂直相對於該接觸式表面24。僅作為範例，對於具有 小於90。之角度42或44之邊緣22而言，可存在具有不 同速度之多重邊緣波模式。然而，若該邊緣22具有於 90°之+/-1〇。中之角度42或44，該邊緣22將僅支援單一 邊緣波模式。這會在當消除於邊緣波沿著該邊緣22傳 導時模式混合的可能性時想要。 相對邊緣26於對應至該基板2〇之第二表面28之 平面與對應至各側壁32之平關之相交處形成於該基 板^(^上。該相對邊緣26不一定要乾淨，除非也想要利 用該第二表面28作為-接觸式表面。若僅想要接觸式 表面，可藉由僅需形成乾淨邊緣相鄰於表面縮小製造時 12 201243294 間或成本。 之热十圖圖解根據本發明之實施例沿著該基板20 X二邊緣22傳導之邊緣波封包580。該邊緣波以該 向傳導，如第三十圖所示。當該邊緣波經過時，枒 基板2。中之原子動作)之支配組件;;於2 目的X，且與該¥與Z方向皆呈45。。為了澄清的 材料偏斜已於第三十圖中誇張化。注意該邊緣波 =0中能量之大多數含於沿著該接觸式表面24與 〇Λ ，32離該90。邊緣22之邊緣波波長距離中。 # i第三圖圖解根據本發明之實施例形成以擾動沿著 緣22傳導之邊緣波之部分反射陣列3〇。變換器（未 顯示）用以轉換電氣信號與聲波之間，且將於 另° 論。一般而言，對於接觸式感應器系統而言，電氣信^ 將傳送於控制器與變換器之間，以產生與/或接收i信 號0 ° 〇〇該反射陣列3〇包含靠近該乾淨邊緣22間隔之反射 器元件34,以擾動沿著該邊緣22傳導之邊緣波。第一 波，該一維邊緣波，沿著該邊緣22產生與傳導，且於 该邊緣22之一個波長中。該反射陣列3〇可用以轉換該 邊緣波至跨该基板20之接觸式表面24傳導之第二聲 波，或二維表面聲波(SAW)。該反射陣列3〇係可逆的， 且因此亦可用以轉換該第二聲波至第三聲波，'、或一維邊 緣波。该弟二聲波可為將透過二維接觸式表面提供足夠 接觸式感應之任何型態波，包含表面束缚波，如瑞立波 (在此該詞意指包含類瑞立波）與藍姆波(如平板與剪力 波）。第三圖中之反射器元件3 4沿著邊緣2 2規律('週期） 間隔分離，且可沿著該Y軸(如第三圖所示）沿著該基板 13 201243294 20之側壁32延伸，及/或延伸至該水平接觸式表面24 中。如下所述，該反射器元件34可藉由沉積材料或移 除該基板20之一部分加以形成。 當邊緣波沿著該邊緣22移動，且遇到各反射器元 件34時，部分傳送該邊緣波，以到達下一反射器元件 34，由該反射器元件34部分吸收或散射，且由該反射 器元件34透過90°散射與一維邊緣波與該二維瑞立表面 聲波(SAW)間之模式轉換，部分轉換至結合至該表面24 之瑞立波。 第四圖圖解根據本發明之實施例第三圖中之反射 器元件34之子集36之分解圖。該反射器元件34圖解 為突出反射器元件86。該反射器元件86以沿著該邊緣 22移動之邊緣波之大約波長（λ E)之距離48週期間隔分 離。因此，由該反射器元件86以該模式轉換開始之表 面瑞立波將互相同步。許多可能的形狀對反射器元件86 而言是可能的。如一特定範例，該反射器元件86可為 矩形’具有沿著約；Ιε/2之X軸之寬度4〇，沿著約入 或以下之Υ轴之尚度38，及沿著遠小於^ £之2轴之深 度46 ’例如小於又e數百分比。舉例而言，該反射器元 件86之深度46尺寸沿著該z軸自侧壁32之外表面向 外延伸。該反射器元件86之頂邊緣80可形成為緊接該 邊緣22或於該邊緣22之距離82中。 s亥反射器元件86可由任何適當材料製成。舉例而 言，可使用素燒陶瓷(如玻璃熔塊）。或者，該反射器元 件86可包含載入聚合物UV可治墨水，例如揭示於美國 專利第5,883,457號中者，其在此併入參考。一有用载 入聚合物UV可治墨水之範例係載入無機粒子，卻由於 201243294 其聚合物矩陣，相較於該基板20較軟。包含此載入聚 合物墨水之反射器元件86將僅引發微小僵硬擾動，且 將經由大量載入或慣性效果支配耦合。因此，反射器元 件86在本質上可主要以大量载入製造。反射器元件86 可由任何適當方法形成於該基板20上，例如由網版印 刷、移動印刷、喷墨製程、微分配等等加以沉積。 第五圖圖解根據本發明之實施例第三圖中之反射 器元件34之子集36之另一分解圖。於第五圖中，該反 射器元件34圖解為溝槽反射器元件88。該反射器元件 88可藉由沿著該侧壁32移除該基板20之小區域以形成 溝槽或凹痕加以形成。如前所述，該反射器元件88以 沿著該邊緣22移動之邊緣波（λ e)之大約波長之距離48 週期間隔分離。反射器元件88可具有任何各種形狀， 舉例而言，反射器元件88可為矩形，具有沿著大約人ε/2 之X軸之一寬度40,沿著大約λ ε或以下之Υ軸之高度 38 ’及沿著遠小於λΕ之Ζ軸之深度84，例如小於λ ε 數百分比。反射器元件88之深度84尺寸沿著該Ζ軸自 該側壁32之外表面向内延伸。 相較於以僅引發微小僵硬擾動且經由大量載入或 慣性效果支配耦合之例如第四圖所討論之UV可治墨水 之材料形成之突出反射器元件86,溝槽反射器元件88 更如同基板硬度中之擾動耦合至邊緣波。反射器元件88 可以其他材料後填入，例如軟載入聚合物，舉例而言， 以調整該反射器元件88之大量載入與僵硬擾動特性。 第六圖圖解根據本發明之實施例形成於該接觸式 表面24上之反射器元件34。該反射器元件34以沿著該 邊緣22移動之邊緣波之大約波長（λ Ε)之距離48週期間 15 201243294 隔刀離。s亥反射器元件34具有沿著大約又e/2之χ軸之 寬度40，沿著大約又e或更小之Z轴之高度38，及沿著 Y軸之深度（未顯示）^如前所述，如 額外材_，_尺寸可自轉^//^3：：； 表面向外延伸，或如該反射器元件34藉由自該基板2〇 移除材料加以形成，則自該接觸式表面24之外表面向 内延伸。可替換地，反射器元件34可形成於該接觸式 表面24與側壁32上，例如藉由結合第三圖反射 件34與第六圖之反射器元件34。 當離該邊緣22超過波長時，邊緣波電源強度非 接近零’超過—個波長遠的結構基本上將不㉟合至該 緣波。相反的，該邊緣22之任何擾動與該接觸 24或該側壁32上該邊緣22之一個波長中之任何擾: 散射邊緣波能量。因此，藉由修改該反射器元件34 本質（大量載入、僵硬擾動等等）、幾何形狀與位置， 調整該邊緣波與各種其他聲模式(瑞立波、藍姆波、 波等等）間之相對耦合％磨。 別力 有興趣邊緣波與瑞立波間之輕合。高接觸式感應户 與缺乏分散性使瑞立波引人注目為接觸式感應^ 式。此外，瑞立波與邊緣波之深度設定非常類似，= 使強壯與優先耦合至瑞立波比邊緣波耦合至童他 更加容易。數字模仿可用以最佳化該擾動設計，= 化邊緣波搞合至瑞立波，或至另―接觸核應聲模 該反射ϋ元件34之所需本質部分根據所需接 感應聲模式而定。各個別反射器元件34欲僅反 弋 射邊緣波能量之-小部分，且因此於第 ：二 器元件88之情況中，該基板2〇中之深度84一^ = 16 201243294 於波長之百分比之一或數微米之順序Ae，且可 達 成聲損失與該一維邊緣波與該二維表面聲波間之轉換 效率間之所需交換。 ' 該反射陣列30可設計以耦合邊緣波至以 角 度跨該接觸式表面24傳導之瑞立波，而非垂直於該邊 緣22。可調整該反射器元件34間之距離48，以喟整該 反射角度。若s代表該距離48，而0係該瑞;專^ 向相對正交該邊緣22之角度，於角度目:J 件係·
ssin( <9) = s(AR/AE)-nAR 在此η係整數，λ R代表該瑞立波之波長，而^£代 表該邊緣波之波長。 第七圖圖解根據本發明之實施例具有規律間隔反 射器元件34之接觸式螢幕128。為了簡化的目的，反射 器元件34僅圖解於該四邊緣22其中之二上，即用以傳 送反射器元件陣列176與接收反射器元件陣列178。應 了解該反射器元件34可形成為如先前於第三圖至第六 圖中所討論者。該反射器元件34以沿著該邊緣22移動 之邊緣波（λ e)之大約波長（λ E)之距離48週期間隔分 離。 ’ 箭頭164、174、及166圖解自傳送變換器162至該 接收變換器168之所需聲路徑。亦圖解於第七圖中者為 於接收變換器168導向干擾信號之所需聲路徑。該所需 聲路徑係由該反射器陣列176與178以180。後向散射邊 緣波所導致。具有波長閒隔(距離48)之規律間隔反射器 元件34之陣列於SAW至邊緣波之90。散射所需時亦可 導致該邊緣波之180。後向散射。 17 201243294 第一邊緣波由該傳送變換器162以箭頭164之方向 沿著邊緣22傳導。該邊緣波由該傳送反射器元件陣列 176之反射器元件34轉換至以箭頭174之方向跨該接觸 式表面24移動之SAW波。某些來自傳送變換器162之 邊緣波電源將繼續沿著該邊緣22傳導，如由箭頭184 所示。若反射器元件34以180。後向散射邊緣波，將以 箭頭185之方向產生所需邊緣波。此所需邊緣波亦將被 散射且模式轉換於90。，因此提供所需延遲貢獻至該瑞 立波(箭頭174)’最後導至於接收變換器168處之寄生干 擾信號。 此外，180°邊緣波後向散射亦於該接收反射器元件 陣列178處產生所需寄生物。該所需SAW波(箭頭174) 由該接收反射器元件陣列178之規律間隔反射器元件34 轉換至二邊緣波。因此，建立以箭頭166之方向移動至 接收變換器168之第二邊緣波及以箭頭186之方向移動 之所需寄生邊緣波。該寄生邊緣波接著可由該反射器元 件34以180°往回朝向該接收變換器168後向散射，如 箭頭187所圖解。可能需要依此方式設計反射器元件 34,以縮小該180。邊緣波後向散射，以縮小第七圖所示 之寄生路徑之振幅。 第八圖圖解根據本發明之實施例縮小邊緣波之後 反射之反射器陣列設計150。此類設計可應用至傳送與 接收陣列，例如第七圖之元件176與178。第一與第二 反射器元件152與154圖解於該基板20之接觸式表面 24上，但應了解除了接觸式表面24之外或取代該接觸 式表面24’該第一與第二反射器元件152與154可形成 於該側壁32上。除此之外，該第一與第二反射器元件 18 201243294 152與154可形成為溝槽或突出。該第一反射器元件l52 互相以該邊緣波之1波長相間隔。該第二反射器元件154 以實質相等於該邊緣波之四分之一波長之距離182對該 第一反射器元件152位移。第一與第二反射器元件 與154具有小於四分之一波長、等於四分之一波長、或 大於四分之一波長之寬度180，其中反射器元件152與 154重疊或疊置。 換言之’該反射器陣列設計150可藉由先設計該第 一反射器元件152 ’而不管壓制邊緣波之18〇。後向反射 之需求加以建立。該第一反射器元件152接著以四分之 一波長(任一方向）位# ’以建立該第二反射器元件154。 5亥第一反射器元件1_54接者疊置於該第一反射器元件 152 上。 當一邊緣波以箭頭156之方向沿著該邊緣22傳導 時，由該第一反射器152建立SAW波158與反射波170。 由該第二反射器154建立SAW波160與反射波172。因 此，二SAW波建立與邊緣波之傳導方向呈90。，且二反 射邊緣波建立與邊緣波之相對傳導方向呈18〇。。 該反射波170與172具有額外二分之一波長路徑， 且因此實質取消或縮小該180。後向反射之180。之相對 相位移動。有四分之—波長之延遲於僅建立9〇。相位位 移於不導至取消該散射振幅之二波之間之SAW波158 與160之間。換言之，若沿著該邊緣22相鄰第一與第 二反射元件152與154之間之距離交替於四分之一與四 分之三波長之間’則180。後向散射將被壓制，而將不會 抑制90。邊緣SAW耦合。 僅用以舉例說明，讓該座標X代表第八圖所示沿著 19 201243294 邊緣22之距離。讓P(x)代表反射器152之散射強度之 週期變化。P(x)可為傅立葉擴展至Ρ(χ) =Σ Pn*exp(i(2 π η/λ )x)之形式。於下方，考慮該傅立葉係數Pn方面之 最小180。後向反射之條件。（此討論可一般化至該反射 器152之強度一般增加與該變換器之距離常常於信號等 化中所需之情況。於此情況中，讓r(x)為X之函數之緩 慢變異反射器強度加權，且亦讓R(x) = r(x)*P(x)，在此 Ρ(χ)係描述各溝槽之細節形狀之週期函數P(x)=P(x+ λ)。） SAW至邊緣波於90°之散射（以箭頭158與160之方 向）係由於該溝槽形狀之傅立葉序列中之η =±1，而邊緣 波之180。後向散射（以箭頭170與172之方向）係由於該 傅立葉序列之η =±2。若消除該傅立葉序列中之η =士2 項’可消除該邊緣波以箭頭170與172之方向之不想要 後向散射。 消除該傅立葉序列中之η =±2項之方法係開始具有 於想要時輕合SAW與邊緣波之非零基礎η= ± 1組件之 任意週期函數Ρ(χ)，以四分之一波長移動該圖案，並將 此疊置於該原本圖案上P(x)~>P，(x)={P(x)+P(x+；W4)}， 或於該傅立葉組件之項Pn—P，n = (l+in)Pn，使得對n ^ ±2而言p，n = 〇，但非n=土卜 八參照第四圖與第五圖，該反射器元件86與88係二 分之二波長寬且間隔1波長。此對應至第八圖之情況， 其中垓第一與第二反射器元件152與154各四分之一波 ，寬^間隔1波長◊當複製該第一反射器元件152時' ^四^之一波長位移且疊置，該結果係具有二分之一波 之度4〇且以一個波長之距離48分離放置之—連串 201243294 反射器元件86與88。 變換器可用以轉換電 之聲邊緣波。變換至沿著該邊緣22傳導 件，在此該光柵元件^列係壓電元件結合光柵元 如基板20，其中該產生聲件與該媒介之間，例 用為繞射元件，自二、二於其中傳導。該光柵作 之聲波。 文換為耦合聲能量至該基板2〇上 第九圖圖解根摅士 20之邊緣22形成之皮發明之實施例包含沿著該基板 該溝槽52可使用任期間隔溝槽52之光栅50。 中，舉例而言，機適當製造方法形成於該基板2〇 案化、鑄模等等工、蝕刻、雷射消融、碾磨、圖 圖根據本發明之實施例之光栅50之分解 圖〜㈣溝槽52之γ軸之高度54約等於或小於該邊 緣波^波長λΕ。沿著該Z轴之溝槽52之深度58約等 於或返小於该邊緣波之波長^ ε。該溝槽52以約等於該 邊緣波之波長λ ε之距離74間隔分離。沿著該X軸之溝 槽52之寬度56約為該邊緣波之波長之二分之一，或λ ε/2。該光栅50之設計多處與如第五圖所示包含溝槽反 射器元件88之反射器陣列之設計一樣，皆作為清楚麵 合至邊緣波之類似功能。該主要差異係於該粞合之強 度。對於有效變換器設計而言，該光栅50必須於光柵 50之短長度中激勵或取出邊緣波之多數能量，而第三圖 中之反射器陣列3 0跨該邊緣2 2之大部分長度散開邊緣 波與瑞立波間之耦合。如此一來，光柵50中之深度58 一般遠深於第五圖中之深度84。 第Η 圖圖解根據本發明之實施例可用以緒合繞 201243294 射光柵以包含變換器之具有 。第-電極64存在於該Μ ^ ^ 之前侧66之上區域在於該壓電元： άΓ由人相η由C °亥第一與第二電極64與72 可包含銀料、印·、或任何其 為壓ίο含9〇與電極64與72之組合通常稱 夢鈦酸越_： Γ壓力模式壓電元件。ρζτ(鉛 料’例如聚合物Ρ二:丄。 雜⑼之主祕域之高度匹配該邊緣波之垂直設定， Ε°當電壓應用至該電極72與64 料時:該=0气勵夾層於電極72與64之間之壓電材 二Α二裡i動區域係由該電極72之幾何形狀決 ^卜了 =:容易，該壓尺寸62可延伸出該主動 二域卜且因此允許遠大㈣邊較波長^是很方便 圖中1C根據本發明之實施例應用至第十- 重聶弋第雪i 7電極64與72之交替電氣信號96。該
St二J與第二電極72僅導致該壓的之Ϊ 區域73電氣啟動。 <上 料中對顧補作辦之壓電材 的，電極t 72之厚皮产产又78。（為了澄清的目 ^ 厚度於第十二圖中誇張化。）對於从 5M:處㈣之壓力模式壓6〇而言，該厚度 =7。可使用任何適當方法做成至該第-4 電極64與72之電氣連接，舉例而言，藉由彈簧^二 22 201243294 焊料、，導環氧化物（如銀載入）、或具有方向傳導性之 傳導黏著劑（如具有僅垂直於該電極64與72之之平面之 重大傳導性之Z軸黏著劑）。歸因於考量备決 時，包含低阻抗接點、低電磁干擾與磁化胃'、/、 低成本等等。 第十三圖圖解根據本發明之實施例結合至該基板 20之侧壁32之壓60。四個壓60沿著該四不同邊緣22 結合於四不同位置中。 第十四圖圖解根據本發明之實施例包含透過該基 板20之㈣32中之光柵5〇結合之壓6〇之邊緣波變換 器98。如第十三圖與第十四圖所示，該壓⑼透過該光 栅50中之溝槽52結合，該電氣啟動上區域乃重疊該 溝槽52。可使用黏著劑透過該光拇％結合該壓6〇 得該黏㈣填滿或部分填滿該溝槽52 之機械性質，使得該壓60之動作自該溝槽52之1區；;1 之，板2〇之側壁32大大解輕合。或者，該光拇％可 設Π供該壓6G與該溝槽52間之強壯聲搞合。於某 二*可要選取該溝槽52中之黏著劑，以減 ϋ Λ i 之底部自該壓60移動至該基板 、又，使得相對耦合至該溝槽52中邊緣波之壓振 ff亥溝槽52間之料相位移動約刚。。依此方式， α 溝槽52中之壓振動增加—致性至該溝槽間 之耦合，以產生邊緣波。 或者，光柵(未顯示)可形成於該壓6〇之-側上，而 板20之側壁32上，使得不需要光拇％製造 广板20中H 6G之光柵側接著可結合至該基板 提供由㈣60產生之聲波與邊緣波間之耦合機 23 201243294 ^。此外，當該邊緣波對稱於形成該邊緣之二表面之間 1 ^例如由該接觸式表面24與側，32之相交所形成之 邊緣22 ’邊緣波變換器98可替代裝設至該絲2〇之接 觸式表面24。或者’邊緣波變換器98可形成於該側壁 32與接觸式表面24上。 β第十五圖圖解根據本發明之實施例併入剪力模式 壓電几件(剪力模式壓）12〇 <邊緣波變換器設計。該剪力 模式壓120包含具有前側138、後側184 '及第一第 一、第二與第四側188-194之壓電材料118。第一電極 122存在於該壓電材料118之前侧138上之三角形區域 136上。該第二電極124存在於該壓電材料118之前側 138上之底部二角形區域196上，並重疊該壓電材料iig 之底側148至該後側184。 該剪力模式壓120結合至該基板20之側壁32，且 鄰接該接觸式表面24。該剪力模式壓12〇電氣啟動於斜 應至該區域136之左上角中，且於相對於該X與y軸約 45角產生具有偏極化之動作或偏極化組件，如雙箭頭 127所指。該剪力模式壓120之剪力動作接著耦合至以 該z方向傳導之邊緣波，如箭頭126所指。注意該剪力 模式壓120直接激勵該邊緣波；沒有需要光栅結構，例 如元件50。 第十六圖圖解根據本發明之實施例之另一壓200。 前電極204存在於壓電元件202之前侧208之上區域2〇6 上。後電極210存在於該壓電元件202之前側208之下 區域212上，並重疊該壓電元件202之底側214至後側 216。該後電極210沿著該後侧216延伸，以覆蓋僅於 主動區域218中之壓電元件202之上區域206。 24 201243294 、車丄接、導線結合、或其他互 互連。第二電氣連接222與該後 以允許空間以連接該第-與第二 ==，與21。’以供容4j，而限制該; 動區域218之大小與形狀’以避免散射太多能量。相對 ==前與後電極2。4與_。僅舉例說明，該 主動區域218之大小為邊緣波波長平方之十分之一， 41*λΕ2。當波長反向變更操作 為一較高設計操作頻率設計，該主動區域2則Ϊ向咸 少。第十六圖圖解該主動區域218係方形 ^有 適當形狀之電極204與210之主動 开^ 係為可能，以產生所需重疊幾何形狀。 八他形狀 第十五圖與第十六圖中之壓力限制該基板2 勵至對應至傳導邊緣波之橫截面區域之小區域。於2 壓中’壓電激勵限制於所需邊緣波橫截面區域。另= 法係壓電氣激勵較大壓區域’例如建立較大主 万 218，但限制該壓200與該基板2〇間之機械搞 = 導邊緣波之小橫截面區域。 〃得 第十七圖圖解根據本發明之實施例具有前 極226與228於該壓電元件246相對側之壓224、=電 極226與後電極228實質分別覆蓋壓電元件246 ::電 254與後側256。如於第十五圖與第十六圖之 則侧 支撐該壓224 5 第十八圖圖解根據本發明之實施例之另—壓 產生具有以45。方向之剪力動作之剪力模式壓。卷^ 224結合至該基板20之角時，硬化黏著劑例如二，壓 展氣化 25 201243294 物，可用於所需主動區域中，以完成強壯機械耦合至該 基板20，而空氣裂口或弱剪力耦合材料，例如聚矽氧橡 膠(RTV)可用於其他處。若可想要做成至於相同表面上 之前與後電極226與228之電氣連接，可使用如第十八 圖所示之重疊式電極。 第十八圖圖解根據本發明之實施例類似第十七圖 所示之另一壓230。前電極232存在於壓電元件23ό之 前側234上。後電極238存在於該壓電元件236之前側 234之角區域240上，並重疊該壓電元件236之側242 之一部分至後側244。該後電極238沿著該後側244延 伸，以覆蓋該壓電元件230，形成該前電極232與後電 極238於此處重疊之主動區域。於另一壓23〇中，該壓 230之幾乎整個區域壓電氣啟動。該壓23〇與該基板2〇 間之結合之適當設計與製造限制該聲耦合至該基板2〇 至所需區域，以供邊緣波產生與接收。 第十九圖圖解根據本發明之實施例裝設於該基板 20之側壁32之楔變換器組合130。壓電元件250裝設 至楔252之一側。該楔252之相對側裝設至該基板2〇 之側壁32。該壓元件250相對側壁32之垂直表面之傾 斜定義該楔252之角度248。控制此楔角度248，使得 由該壓250激勵且傳導於該楔252中之大量壓力波可耦 合以垂直傳導瑞立波於基板2〇之側壁32上。 當激勵時，該壓電元件25 0開始一大量波於該楔2 5 2 中。開始一表面聲瑞立波(SAW)，並沿著該側壁32傳 導，如箭頭132所指，因此垂直第十九圖中之邊緣22 傳導。s亥瑞立波接著與包含光柵元件％之光柵互 動。如上所述，該光柵元件52具有約等於或小於邊緣 26 201243294 波之波長Ae於γ軸方向之高度54’且以約門八 離。該光拇元件52之寬度56約λ e/2。該光栅^可^ 合二維表面波(該瑞立波)至一維邊緣波，藉此沿著該= 緣22開始邊緣波’如箭頭134所指。 '^遷 第十九圖之變換器設計可導向楔變換器組合13〇 傳送/接收對間之寄生SAW路徑。舉例而言，由該楔 換器組合130開始之第一 SAW之寄生組件可傳導上 該側壁32 ’跨該感應器表面24 ’且下至該相對側壁 至置於該相對側壁32上之接收楔變換器。此寄生路押 可藉由相對該邊緣22傾斜該楔變換器組合13〇加以$ 斷。 t 中 第二十圖圖解根據本發明之實施例相對該邊緣22 之平面傾斜之楔變換器組合130。因此，由該楔變換器 組合130開始之瑞立波與該邊緣22間之相交角度不^ 於90。。於角度φ開始用以耦合於SAW之光拇5〇之、、籌 槽52間之空間s以下列等式給定： / 1 = s/ λ e + s * sin 〇 )/ 入 R. 第二十一圖圖解根據本發明之實施例裝設至該基 板20之楔變換器組合130。可移除相對該接觸式表面 24之相對邊緣26之基板之一部分，以於靠近由二側 壁32形成之相交平面之角處形成有角度凹處mo。包含 該楔142與該壓電元件144之楔變換器組合13〇可裝設 於該凹處140中。因此’楔變換器組合13〇不突出該側 壁32或基板表面24與26之平面外。 第二十二圖圖解根據本發明之實施例之另一堡 260。該壓260包含具有切口角264之壓電元件262。該 切口角264可形成具有相對由該壓電元件262之第一與 27 201243294 第二邊緣268與270形成之平面約45。之角度266。 僅用以舉例說明，對於5.5MHz的操作而言，該壓 電元件262可為沿著該Z轴之深度272約200微米。一 般而言，選取深度272，使得於該操作頻率有剪力模式 共振’亦即，深度272約等於壓電元件262之材料中之 大量剪力波波長之二分之一。該壓電元件262分別沿著 X軸與Y軸之寬度274與高度276可各為2mm。第一與 第二電極278與280可分別形成於該第一與第二側268 與270上。支撐沿著Z軸完成。 第二十三圖圖解根據本發明之實施例裝設至該基 板20之壓260。裝設類似於第十五圖所示之剪力模式壓 120 °該壓26〇可裝設至具有裝設沖洗邊緣22之凹痕角 264之基板2〇’如第二十三圖所示。或者，壓側268與 270可沖洗基板2〇之表面。 藉由裝設該壓260，使得該壓側268與270形成超 出該接觸式表面24與側壁22之突出，可更有效達成。 該突出量或該壓側268與270延伸超出該接觸式表面24 ，側壁22之距離可等於或小於邊緣波波長。該突出設 什可根據第十六圖與第十八圖之壓設計以及第十四圖 之變換器，對等應用至變換器。 回到第二十二圖，導線282與284可如先前討論般 ，加至該第一與第二電極278與280。當由交替電氣信 號286激勵時，動作或剪力模式震盪產生於該壓電元件 262中，如箭頭288-294所指。該振動之強度於該壓電 兀件26f中靠近該切口角264處較強，如箭頭288所指。 愈该切口角264，該剪力波之震動與振幅之強度以 一控制方式遞減，如箭頭290-294所指。 28 201243294 該基本邊緣波激勵機構相同於第十五圖與第二十 三圖之分別剪力模式壓120與壓260。第二十二圖與第 二十三圖之壓力260之優點係藉由該切口角264幾何形 狀與該壓260置於基板20上之適當設計，該壓電數勵 圖案可接近匹配至邊緣波動作之橫截面設定。此放大壓 麵合至所需邊緣波模式之壓力相對於輛合至其他模式 之寄生物之比例。 由於邊緣波非常小’壓，例如壓260 ’非常小且當 相較於用以產生該SAW之約50Ω之傳統變換器時，^ 具有高阻抗。當阻抗相對該主動區域成反比時，阻抗現 在成為kD區域。因此，應了解該控制器，例如第二十 四圖中之控制器112，最好設計以匹配該壓之高阻抗。 可使用已知電子原則，例如匹配該接收器電路之輪入阻 抗至5玄接收變換器之阻抗。 第二十四圖圖解根據本發明之實施例形成之邊緣 =接觸式感應器系統300。該接觸式感應器系統3〇〇包 ，具有該接觸式表面24與㈣32(未顯*)之基板2。。 ^ 了澄清的㈣，該邊緣22以標示為綱 310 與 312 〇 變換^ 3 ^由電氣連接11G供應電氣信號至傳送 B、。 /、，以激勵該傳送變換器302與304之 壓。光柵92與94鐘械^ 沿著邊緣3 06移動之邊“ =f 一聲模式’例如分別 邊緣波3M，如箭頭所t Λ 著邊緣3〇8移動之 轉換至瑞立波32〇。該314由反射陣列318 面24之表面聲波，‘到其遇作為結合至該表 此其轉換回邊緣波324,並1所，列為止’在 Μ箭頭所指之方向沿著該邊 29 201243294 緣310移動’在此其可由接收變換器326偵測。同樣的， 該邊緣波316由反射陣列328轉換至瑞立波330。該瑞 立波330移動作為結合至該表面24之表面聲波，直到 其遇到反射陣列332為止，在此其轉換回邊緣波334 , 並以箭頭所指之方向沿著該邊緣312移動，在此該邊緣 波之信號振幅可由接收變換器336偵測。做成電氣連接 U4，使得接收變換器326與336可將電氣信號供應回 該，制器112。對該接觸式表面24之擾動（如以手^或 尖筆之接觸）接著可被偵測為來自該接收邊緣上之邊緣 波之信號中之擾動，且可根據該擾動於該接收信號中偵 測之時間決定關於該擾動之位置β該電氣連接11〇與114 可包含電纜控制。 ~ 接觸式感應區域108形成於該接觸式表面24上， 且由於該反射陣列318、322、328、及332與變換器3〇2、 3〇4、326、及336可可沿著及/或結合至該感應器基板 20之非常窄外周圍116加以形成，且於許多情況中可製 造於該基板20之侧壁32上或結合至該基板2〇之側壁 32，基本上包含整個接觸式表面％。產生與偵測該一維 邊緣波所需之接觸式表面24之外周圍116可如lmm 一 般小® 、或者，该表面聲波(如二維SAW)可直接於穿過該接 觸式^應區域1〇8之至少—部分後加以制，而不需轉 換至邊緣波’以朗職接觸絲面24之接觸式感應 區域108之擾動之存在與位置。 第一十四圖可被修改以如前方討論般使用二傳送/ 接=變換器提供二維接觸位置座標。除此之外，許多使 用、緣波之其他接觸式螢幕幾何形狀亦為可能，包含具 30 201243294 f可調適以使用邊緣波之非直角聲路徑之接觸式螢幕 设言+。 第一十五圖圖解根據本發明之實施例之接觸板 35〇。乾淨邊緣356_362形成於該基板2〇上。反射器元 ，364與366形成於靠近二邊緣與362之側壁32 =觸式表面24上。該反射器元件364圖解為形成於 邊緣356之側壁32上，而該反射Μ件366圖 解為形成於靠近該邊緣362之接觸式表面24上。壓352 與354用以傳送與接收邊緣波資訊。 人僅壓352或354可主動傳送或接收。控制器368 可涇=電連線370與372與各個壓352與354通訊。該 控制器368可具有開關374與376，以控制何壓352或 354連接至用以傳送信號之信號產生器378，或用以接 收，解碼信號之電子模組38。。該控制器挪可交替於 ΐ壓354之間，其中該壓352可傳送與接收信 ； 者忒壓354傳送與接收信號。或者，電氣連接370 /、 了各心供有各具有傳送/接收模式開關之二相同 雷路其中夕一„ 於啟動後，該壓352以箭頭382之方向傳送邊緣 波。該邊緣波遇到該反射器元件364，並轉換至輕合至 該接觸式表面24之表面之SAW，且以箭頭384之方向 傳送。=方向384傳導之蕭之有意義部份將由邊緣 反或者，一或多個反射條386可以二分之一波 長間隔^靠近與平行該邊緣_之接觸式表面24 上。該邊緣360與/或該反射條386以箭頭388之方向 18〇H= SAW。當該SAW遇到該邊緣356與該反射 益兀件364時，該SAW轉換至以箭頭39〇之方向傳送 31 201243294 之邊緣波。該邊緣波由該壓352偵測，且該電氣信號由 該控制器368經由該電氣連接37〇讀取。 该控制器368接著透過該電氣連接372自該信號產 ^态378傳送電氣信號以激勵壓354。該壓354產生以 箭頭392之方向沿著該邊緣362移動之邊緣波。當該邊 緣波遇到該反射元件366時，該邊緣波轉換至以箭頭394 之方向跨該接觸式表面24移動之SAW。該SAW由該邊 緣358及/或一或多個反射條396反射ι8〇〜該反射SAW 以箭頭398之方向移動’遇到該邊緣362與反射元件 366，並轉換至以箭頭4〇〇之方向移動之邊緣波。該壓 354債測該邊緣波’並透過該電氣連接372傳送電氣信 號至該控制器368。 第二十六圖圖解根據本發明之實施例之接觸板 402。該接觸板402包含如前述討論般具有側壁32之基 板20。乾淨邊緣404-410已經形成於各側壁32與該接 觸式表面24之平面間之相交處。該基板2〇形成具有大 於其他者之接觸式表面24之尺寸。舉例而言，沿著X 尺寸之基板20長於Y方向。 於接觸式感應器或接觸式感應器系統中移動較長 聲路徑長度之聲波將經歷比移動較短聲路徑長度之聲 波更多之損失。因此，欲使接觸式感應度於接觸式感應 器之整個接觸式感應區域相對統一，常常需要影響起因 於移動不同聲路徑長度之聲波之信號等化，使得信號層 大約不受聲路徑長度之支配。 反射器元件420、422及424已經分別形成靠近該 邊緣406、410與404。如前所討論般，該反射器元件 420-424可形成為規律間隔溝槽或突出於該側壁32與/ 32 201243294 或該接觸式表面24上。可替換地，一或多個反射條426 可形成於靠近該邊緣408之接觸式表面24上。 該接觸板402使用三壓412、414與416。該壓412 可用以傳送信號，而該壓414用以接收信號。控制器418 中之信號產生器428透過電氣連接430傳送信號。該傳 送壓412以箭頭432之方向沿著邊緣406開始邊緣波。 該邊緣波由該反射器元件42Q部分反射，且轉換至以箭 頭434之方向跨該接觸式表面24移動之SAW。該SAW 由該反射器元件422轉換至邊緣波，並以箭頭436之方 向沿著該邊緣410移動。該壓414偵測該邊緣波，並經 由電氣連接438傳送電氣信號至該控制器418。 該壓416用以傳送與接收信號。此可如先前關於第 二十五圖與該控制器368所述連接般完成。該壓416經 由電氣連接440由來自該控制器418之信號產生器428 之一電氣信號激勵。該壓416以箭頭442之方向沿著邊 緣404開始邊緣波，其以箭頭444之方向由反射器元件 424部分反射為SAW。該SAW以箭頭446之方向由該 反射條426及/或該邊緣408反射180。。該SAW由該反 射器元件424反射，並轉換至以箭頭448之方向傳導之 邊緣波。該邊緣波由該壓416偵測，且電氣信號透過該 電氣連接440傳送至該控制器418。 該接觸板402利用具有反射器元件424與該邊緣 408(及任意之反射器條426)之壓416沿著Y轴偵測接觸 事件。欲沿著大於Y轴之X軸偵測接觸事件，使用該二 壓412與414與該反射器元件420與422。因此，該SAW 僅沿著X轴穿過該接觸式表面24 —次，而該SAW沿著 Y抽穿過該接觸式表面24兩次。 33 201243294 第二十七圖圖解根據本發明之實施例包含四個壓 452-458之大接觸板450。該接觸板450可包含大接觸式 表面24於該基板20上。因此’該波必須移動之距離變 得更長，且該信號經歷更多衰減。對於已給予接觸板大 小而言，第二十七圖中之設計縮小該最大路徑長度，而 於各角處具有單一變換器。注意於第十五圖與第二十三 圖中之設計之至多一個變換器處，可置於該基板2〇之 各角處。 該壓力452-458裝設於該基板20之不同角處，且因 此不實際互相干擾。該壓452-458各皆如先前於第二十 五圖中所討論般傳送與接收信號，且因此將不另加討論 該控制器418。 該基板20形成具有乾淨邊緣460-466。反射器元件 470-4*76沿著靠近該壓452-458之各邊緣460-466之大約 二分之一之長度形成靠近各邊緣460-466。若存在，反 射條494-498可形成於平行於該邊緣466之接觸式表面 20上，並以大約二分之一表面聲波長之距離間隔分離。 5亥反射條494-498沿者大約該邊緣466之二分之一長度 形成，在此該反射器元件476不存在，或該邊緣466之 一半遠離該壓456。額外反射條以相同方式形成於平行 各邊緣460-464之接觸式表面20上。 當激勵該壓452時，該壓452以箭踔478之方向沿 著該邊緣462開始邊緣波。該邊緣波由該反射器元件472 部分反射，並轉換至以箭頭480之方向跨該接觸式表面 24移動之一 SAW。該SAW由該反射條494-498與/或該 邊緣466以箭頭482之方向反射180。。該SAW以箭頭 484之方向由該反射器元件472反射90。，並由該壓452 34 201243294 接收。因此’該壓452偵測代表二分之一接觸式表面24, 例如區域486之γ座標之信號。 ，該壓454 456及458各以為壓452戶斤述之方式傳 运與接„虎’透過大約二分之—接觸式表面24之區 域谓/則U虎4壓力454伯測代表區域488之X座標之 信號。該壓力4 5 6偵測代表區域490之Y座梯之信號。 该壓458偵測代表區域492之χ座標之信號。因此，相 較於使用二壓力傳送與接㈣號之制板，該接觸板 450使用自相較於該二壓力幾何形狀減少長度之信號路 徑接^信號之四壓力452·458。該邊緣波不一定要移動 如此运，且可實施較大接觸板45〇。同樣的，當各壓力 452-458裝設於該基板2〇之不同角上時，沒有實際干 於壓452-458之間。 第二十八圖圖解根據本發明之實施例與電腦502互 連之接觸式螢幕500之方塊圖。該電腦5〇2執行—或多 個應用程式，例如於工廠、零售商店、餐廳、醫療設施 等等中。该電腦502可用以校準與測試於工薇設定中， 舉例而言，且可包含顯示器5〇4與使用者輸入5〇6，例 如鍵盤及/或滑鼠。多重接觸式螢幕5〇〇可透過網路盘兮 電腦502互連。 螢幕508包含用以顯示資料於顯示器51〇上之組 件。該顯示器510可為LCD、CRT、電漿、攝影影像等 等。接觸式螢幕512安裝靠近該顯示器51〇。該接觸式 螢幕512經由手指接觸、尖筆等等自使用者接收輸入。 該接觸式螢幕512可由該基板20形成，並具有^常窄 邊緣536。該邊緣536可為如先前所討論般之邊緣波之 寬度。 μ 35 201243294 螢幕電纜514連接具有螢幕控制器 :口制器516透過視訊電徵㈣自該 ，收視汛貝讯。該視訊資訊由該螢幕控 過ΐ，514傳輸至該榮幕= ^ = = :上。應了解該勞幕508與該螢幕 ί幕iί在—起’或加以互連，使得不需要該 營幕控制器516包含組件，例如cpu 520與記憶體522。 之接it?纜524與具有接觸式螢幕控制器526 連。該接觸式螢幕控制器526透過 貝料電說528傳送資訊至該電腦502與自今電腦 觸資訊由該接觸式榮幕512接收，透 過^接觸式螢幕電雙524傳輸至該接觸式螢幕控制器 且接者透過該接觸資料電纜528傳送至該電 502。該接觸式螢幕控制器526包含組件 與記憶體532。 路墓可圍住該螢幕5〇8、該螢幕與接觸式 螢幕電繞514〃 524、及該螢幕與接觸式螢幕控制器516 與526。該勞幕殼體534可圍住該接觸式勞幕512之邊 緣536、固定該接觸式螢幕512並避免外部干擾該邊緣 波、反射器、變換器、壓等等。舉例而t，可能想要整 合與密封聲接觸式感應器，例如該接觸式螢幕512，至 其他設備，例如該螢幕殼體534。該密封可避免水或其 他污染進入s亥變換器與邊緣波傳導邊緣，以及含有該接 觸式感應器之接觸式顯示器系統之内部組件。當包含用 以產生與接收聲波之變換器與用以導向該聲波之反射 陣列之邊、緣536报窄時，則當相較於具有較寬邊緣之先 36 201243294 前螢幕時，必須密封之總區域減少。由於該非常窄邊緣 536藉由使用邊緣波變為可能，可促進該密封，舉例而 言，藉由使用具有控制登錄與窄密封寬度之可印刷或微 分配至該基板20上之密封材料。可使用熱彎曲與結合 至該基板20之密封材料。 僅用以舉例說明，該螢幕殼體534可用於獨立螢 幕。可替換地，若該接觸式螢幕5〇〇安裝於涼亭或其他 圍攔中，可省略该螢幕殼體534。該視訊與接觸資料電 纜518與528可為分離電纜或封裝在一起。該視訊與接 觸資料電纜518與528自該螢幕殼體534延伸至該電腦 502之位置。 5玄4¼體522與532儲存包含延伸顯示識別資料 _D)資料之資料。EDID資料包含關於該螢幕5〇8與 接觸式螢I 512之資訊’例如—廠商或製造業者識別 碼、最大影像大小、色彩特|生、預設時間、及頻率範圍 限制。可替換地，記憶體522與532可結合與提 與接觸式螢幕控制器训與526其中之一，以形成為該 螢幕508與接觸式螢幕512儲存該EmD之單一共用記 憶體模組。可替換地’可結合該接觸式螢幕與螢幕控制 器516與526 ’以為該接觸式螢幕5〇〇形成單一共用控 應:了解織戦螢幕_實齡式僅為鱗接觸式 感應益之許多可能實施方式其中之一。舉例而士，金 屬’例如，可用以形成該基板，以建立接受接^入 之工作台4緣波移動”曲表面上，且因此可繞著圓 形物件，例如圓形工作台頂部或圓柱之邊緣傳導 十九圖圖解根據本發明之實施例之圓形卫作台^ 37 201243294 之範例。該圓形工作台頂部550可由具有乾淨邊緣552 工衣繞其圓周之玻璃或金屬、方形接觸區域554、及反射 陣列556-562與於需要時製造於該圓周邊緣552上之變 換器564-570製成，以支撐如圖所示之聲路徑。（在此併 入參考之美國專利第5,854,450號之陣列設計原則亦可 應用至邊緣波接觸式感應器設計，以允許一般化接觸式 感應器幾何形狀。）亦可實施博物館展覽之追蹤墊與其他 一般公用應用，其中基板20係圓形或甚至半球幾何形 狀之一強健不銹鋼結構。因此，該聲接觸式感應器之幾 何形狀不限於方形或矩形平坦表面，但可用以形成大量 不同產品’例如接觸式感應機器人表面，以供碰撞偵 測。同樣的，該實施方式之大小不限制，當較大尺寸區 域時，可使用各種變換器與反射器組合加以偵測。 如前所述，於接觸式感應器或接觸式感應器系統中 移動較長聲路徑長度之聲波將經歷比移動較短聲路徑 長度之聲波更多損失。因此，欲使接觸式感應度於接觸 式感應益之整個接觸式感應區域相對統一，常常需要影 響起因於移動不同聲路徑長度之聲波之信號等化，使得 信號層大約不受聲路徑長度之支配。舉例而言，可藉由 變化沿著該聲路徑之反射器元件之密度、沿著該反射陣 列之反射器元件高度或深度、反射器元件之長度、陣列 中之反射器元件長度、及反射陣列與聲束間之距離完成 信號等化。除此之外，可調整用以傳送與/或接收之變換 器之數量，及各變換器自此傳送與/或接收信號之接觸式 螢幕之區域，以說明該接觸物件之大小與/或形狀。 應了解上述裝置與方法之配置僅為圖解說明，且於 不超出申請專利範圍之精神與範疇外，可做成其他實施 38 201243294 例與修改 201243294 【圖式簡單說明】 前述發明内容以及前述本發明之特.定實施例之詳 細說明將於結合附圖閱讀時更加了解。應了解本發明不 限於顯示於附圖中之配置與手段。 第一圖圖解傳統聲接觸式感應器，聲接觸式螢幕之 操作。 第二圖圖解根據本發明之實施例具有接觸式表面 與側壁之接觸式感應器基板。 第三圖圖解根據本發明之實施例形成以擾動沿著 該邊緣傳導之邊緣波之部分反射陣列。 第四圖圖解根據本發明之實施例第三圖中之反射 器元件之子集之分解圖。 第五圖圖解根據本發明之實施例第三圖中之反射 器元件之子集之另一分解圖。 第六圖圖解根據本發明之實施例形成於該接觸式 表面上之反射器元件。 第七圖圖解根據本發明之實施例具有規律間隔反 射器元件之接觸式螢幕。 第八圖圖解根據本發明之實施例縮小邊緣波之後 反射之反射器陣列設計。 第九圖圖解根據本發明之實施例包含沿著該基板 之邊緣形成之一連串週期間隔溝槽之光柵。 第十圖圖解根據本發明之實施例之光柵之分解圖。 第十一圖圖解根據本發明之實施例可用以結合繞 射光栅以包含變換器之具有重疊式電極之壓電元件。 第十二圖圖解根據本發明之實施例應用至第十一 圖中之第一與第二電極之交替電氣信號。 201243294 第十三圖圖解根據本發明之實施例結合至該基板 之側壁之壓。 第十四圖圖解根據本發明之實施例包含透過該基 板之側壁中之光柵結合之壓力之邊緣波變換器。 第十五圖圖解根據本發明之實施例併入剪力模式 壓電元件（剪力模式壓力）之邊緣波變換器設計。 第十六圖圖解根據本發明之實施例之另一壓。 第十七圖圖解根據本發明之實施例具有前與後電 極於該壓電元件相對側之壓。 第十八圖圖解根據本發明之實施例之另一壓。 第十九圖圖解根據本發明之實施例裝設於該基板 之側壁之楔變換器組合。 第二十圖圖解根據本發明之實施例相對該邊緣之 平面傾斜之楔變換器組合。 第二十一圖圖解根據本發明之實施例裝設至該基 板之楔變換器組合。 第二十二圖圖解根據本發明之實施例之另一壓。 第二十三圖圖解根據本發明之實施例裝設至該基 板之壓。 第二十四圖圖解根據本發明之實施例形成之邊緣 波接觸式感應器系統。 第二十五圖圖解根據本發明之實施例之接觸板。 第二十六圖圖解根據本發明之實施例之接觸板。 第二十七圖圖解根據本發明之實施例包含四壓力 之大接觸板。 第二十八圖圖解根據本發明之實施例與電腦互連 之接觸式螢幕之方塊圖。 201243294 第二十九圖圖解根據本發明之實施例之圓形工作 台頂部之範例。 第三十圖圖解根據本發明之實施例沿著該基板之 約90°邊緣傳導之邊緣波封包。 【主要元件符號說明】 20 接觸式感應器基板 22 乾淨邊緣 24 接觸表面 26 相對邊緣 28 第二表面 30 部分反射陣列 32 側壁 34 反射器元件 36 子集 50 光柵 52 週期間隔溝槽 60 壓 62 壓尺寸 64 第一電極 65 下區域 66 前側 70 後側 72 第二電極 73 上區域 76 底側 80 頂邊緣 42 201243294 86 突出反射器元件 88 反射器元件 90 壓電元件 92 光柵 94 光栅 96 交替電氣信號 98 邊緣波變換器 108 接觸式感應區域 110 電氣連接 112 控制器 114 電氣連接 116 外周圍 118 壓電材料 120 剪力模式壓 122 第一電極 124 第二電極 128 接觸式螢幕 130 楔形變換器組合 136 區域 138 前側 140 凹處 142 楔 144 壓電元件 148 底側 150 反射器陣列設計 152 第一反射器元件 154 第二反射器元件 43 201243294 158 SAW波 160 SAW波 162 傳送變換器 168 接收變換器 170 反射波 172 反射波 176 反射器陣列 178 反射器陣列 184 後側 188 第一側 190 第二側 192 第三側 194 第四側 196 區域 200 壓 202 壓電元件 204 前電極 206 上區域 208 前側 210 後電極 212 下區域 214 底側 216 後側 218 主動區域 220 第一電氣連接 222 第二電氣連接 224 壓 201243294 226 前電極 228 後電極 230 壓 232 前電極 234 前侧 236 壓電元件 238 後電極 240 角區域 242 側邊 244 後側 246 壓電元件 248 角度 250 壓電元件 252 楔 254 前側 256 後側 260 壓 262 壓電元件 264 切口角 266 角度 268 第一邊緣 270 第二邊緣 278 第一電極 280 第二電極 282 導線 284 導線 286 交替電氣信號 45 201243294 300 邊緣波接觸式感應器系統 302 變換器 304 變換器 306 邊緣 308 邊緣 310 邊緣 312 邊緣 314 邊緣波 316 邊緣波 318 反射陣列 320 ‘瑞立波 322 反射陣列 324 邊緣波 326 接收變換器 328 反射陣列 330 瑞立波 332 反射陣列 334 邊緣波 336 接收變換器 - 350 接觸板 352 壓 354 壓 356 邊緣 358 邊緣 360 邊緣 362 邊緣 364 反射器元件 46 201243294 366 反射器元件 368 控制器 370 電氣連接 372 電氣連接 374 開關 376 開關 378 信號產生器 380 電子模組 386 反射條 396 反射條 402 接觸板 404 乾淨邊緣 406 乾淨邊緣 408 乾淨邊緣 410 乾淨邊緣 412 壓 414 壓 416 壓 418 控制器 420 反射器元件 422 反射器元件 424 反射器元件 426 反射條 428 信號產生器 430 電連線 438 電氣連接 440 電氣連接 201243294 450 大接觸板 452 壓 454 壓 456 壓 458 壓 460 乾淨邊緣 462 乾淨邊緣 464 乾淨邊緣 466 乾淨邊緣 470 反射器元件 472 反射器元件 474 反射器元件 476 反射器元件 486 區域 488 區域 490 區域 492 區域 494 反射條 496 反射條 498 反射條 500 接觸螢幕 502 電腦 504 顯示器 506 使用者輸入 508 螢幕 510 顯示器 512 接觸式螢幕 48 201243294 514 螢幕電纜 516 螢幕控制器 518 視訊電纜 520 CPU 522 記憶體 524 接觸式螢幕電纜 526 接觸式螢幕控制器 528 接觸資料電纜 530 CPU 532 記憶體 534 ' 螢幕殼體 536 邊緣 550 圓形工作台頂部 552 乾淨邊緣 554 方形接觸區域 556 反射陣列 558 反射陣列 560 反射陣列 562 反射陣列 564 變換器 566 變換器 568 變換器 570 變換器 580 邊緣波封包 49