TW201243081A - Housing and method for making the same - Google Patents

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Hsin-Pei Chang
Wen-Rong Chen
Huann-Wu Chiang
Cheng-Shi Chen
Cong Li
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Hon Hai Prec Ind Co Ltd
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201243081 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 [0001] 本發明涉及一種殼體及其製作方法。 【先前技術】 [0002] 隨著科技的不斷進步,行動電話、個人數位助理等各式 電子裝置也迅速發展,其功能亦愈來愈豐富。為了使電 子裝置的外殼具有豐富色彩,傳統上可利用彩色塑膠形 成彩色塑膠外殼,或藉由喷漆方式在電子裝置的殼體表 ◎ 面形成色料層。然而,塑膠外殼與噴漆外殼不能呈現良 好的金屬質感。另一方面,由於真空鍍膜技術本身較為 複雜而不易精密操控,習知技術中於殼體表面形成的金 屬真空鍍膜層的色彩有限,與烤漆、陽極處理等工藝相 比’真空鑛膜層的色彩不夠豐富,嚴重影響了其在襄錦 鍍膜領域的競爭力。 【發明内容】 [0003] 有鑒於此’本發明提供一種具有綠色及金屬質感的殼體 〇 。 [0004] 另外,本發明還提供一種上述殼體的製作方法。 [0005] 一種殼體,包括基體、結合層以及色彩層所述結合層形 成於基體的表面’所述色彩層形成於結合層的表面,所 述色彩層為Τιϋ骐,其中鈦的质量百分含量為 80%-85% ’氧的质量頁分含量是在5β/β_ι〇%,氮的质量百 分含量是在5%-15%,該色彩層呈現的色度區域於CIE LAB表色系統的L*座標值介於72至之間,a*座標值介 於_12至-6之間,b*座標值介於22至28之間。 100115404 表單編號A0101 第3頁/共11頁 1002025778-0 201243081 [0006] 一種殼體的製作方法,其包括如下步驟: [0007] 提供基體; [0008] 在該基體的表面磁控濺射結合層; [0009] 在該結合層的表面磁控濺射色彩層,磁控濺射所述色彩 層以鈦為把材,以氧氣及氮氣為反應氣體,氧氣的流量 為32-37sccm,氮氣的流量為25~100sccm ;所述色彩層 為Ti-Ο-Ν膜,其中鈦的质量百分含量為80%-85%,氧的 质量百分含量是在5%-10%,氮的质量百分含量是在 5°/〇-15%,所述色彩層呈現的色度區域於CIE LAB表色系 統的L*座標值介於72至80之間,a*座標值介於-12至-6 之間,b*座標值介於22至28之間。 [0010] 所述殼體的製備方法,在形成色彩層時,採用鈦靶作為 靶材,通過對反應氣體氮氣和氧氣的流量的控制,實現 所需的色彩層中各成分的比例關係及各成分間的微觀鍵 合結構,從而達到使色彩層呈現出具有金屬光澤的綠色 目的。以該方法所製得的殼體可呈現出具吸引力的綠色 的金屬外觀,豐富了真空鍍膜層的顏色,極大地提高了 產品的外觀競爭力。 【實施方式】 [0011] 請參閱圖1,本發明一較佳實施例的殼體10以一手機殼體 為例加以說明。該殼體10包括基體11、結合層13及色彩 層15。該結合層13設置於基體11的表面,該色彩層15設 置於結合層13的表面。 [0012] 基體11為可以為金屬材料或玻璃、塑膠等非金屬材料。 100115404 表單編號A0101 第4頁/共11頁 1002025778-0 201243081 [0013] [0014] Ο [0015] [0016] Ο [0017] [0018] [0019] 100115404 參閱圖2,提供一鍍膜機ι〇〇,該鍍膜機1〇〇包括一鍍膜室 20及連接於鑛膜室20的一真空泵3〇,真空泵3〇用以對鑛 膜室20抽真空。該鍍膜室2〇内設有轉架(未圖示)、中心 對稱設置的鈦靶22 ’轉架帶動基體11沿圓形的執跡21公 轉,且基體11在沿軌跡21公轉時亦自轉。結合層13以磁 控濺射的方式形成於基體11的表面。該結合層13為鈦金 屬膜’其厚度在0.卜0· 2em之間。 該結合層13的顏色為不影響色彩層15顏色的淺色調,比 如可為銀色、白色及灰白色等淺色調。 色彩層15為Ti-Ο-Ν膜’其以磁控濺射的方式形成。該色 彩層15的厚度在〇· 3~0. 5 /ζιη之間。該色彩層15呈現出綠 色,其呈現的色度區域於CI£ LAB表色系統的L*座標值 介於72至80之間’ a*座標值介於-12至-6之間,b*座標 值介於22至28之間。 請一併參閱圖1與圖2,本發明殼體1〇的製作方法包括以 下步驟: 提供基體11。該基體11可以為金屬材料,如鋁、鋁合金 、不銹鋼等或玻璃、塑膠等非金屬材料。 對該基體11進行預處理。該預處理可包括常規的對基體 11進行化學除油、除壤、酸洗、超聲波清洗及烘乾等步 驟。 在基體11的表面形成結合層13。該結合層丨3為鈦金屬膜 ,其可採用磁控滅'射的方式形成。形成該結合層13的具 體細作方法可為.將基體11固定於一磁控丨賤射鑛膜機 表單編號A0101 第5頁/共u.頁 ( 1002025778-0 201243081 圖未不)的轉架上,抽真空該鍍膜機的腔體至3χ l(T5T〇rr,並加熱該腔體至12〇〇(:左右,通入流量為 4〇0~45〇SCCro (標準狀態毫升/分鐘)的氬氣;開啟鈦靶 22的電源,設定鈇靶材電源功率為〇kw,對基體丨丨施 加0~200V的偏壓,佔空比為〇〜1〇〇%,並設置轉架的公轉 轉逮為2.5〜3.5轉/每分鐘(1^叩1111^〇11{^1_11^11111^, rpm),沉積所述結合層13。沉積所述結合層13的時間可 為5〜10分鐘。 [0020] [0021] [0022] 在該結合層13的表面形成色彩層15。在本發明的較佳實 施例中,形成色彩層15的具體操作方法可為:在沉積所 述結合層13後,向所述磁控濺射鍍膜機中通入氧氣與氮 氣(反應氣體)’其中氧氣的流量介於25〜8〇sccin,氮 氣的流量介於25〜100seem ;設定鈦靶22電源功率為 8~12kw,於基體11施加〇〜250V的偏壓,設置佔空比為 0-100%,轉架的公轉轉速為2. 5〜3. 5轉每分鐘 (revolution per minute,rpm),沉積所述色彩層 15 。沉積色彩層15的時間可為20〜60分鐘。 該色彩層15為Ti-0-Ν膜,其於CIE LAB表色系統的L*座 標值介於72至80之間,a*座標值介於-12至-6之間,b氺 座標值介於22至28之間。 本發明殼體10可為筆記型電腦、個人數位助理等電子裝 置的殼體,或為其他裝飾類產品的殼體。 相較於習知技術,所述殼體10的製備方法,是通過對靶 材的選取及對反應氣體氧氣和氮氣流量的設計,該膜層 100115404 表單編號A0101 第6頁/共11頁 1002025778-0 [0023] 201243081 屬於金屬陶瓷類薄膜,從而可以使色彩層15呈現出金屬 質感的綠色。 [0024] [0025] Ο [0026] [0027] [0028] [0029] [0030]
[0031] [0032] [0033] [0034] [0035] 應該指出,上述實施方式僅為本發明的較佳實施方式, 本領域技術人員還可在本發明精神内做其他變化。這些 依據本發明精神所做的變化,都應包含在本發明所要求 保護的範圍之内。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明較佳實施例的殼體的剖視示意圖。 圖2係圖1產品的製作過程中所用鍍膜機結構俯視示意圖 〇 【主要元件符號說明】 殼體:10 基體:11 結合層:13 色彩層:15 鍍膜機:100 鍍膜室:20 軌跡:21 鈦靶:22 真空泵:30 100115404 表單編號Α0101 第7頁/共11頁 1002025778-0

Claims (1)

  1. 201243081 七、申請專利範圍: 1 ·—種殼體,包括基體、結合層以及色彩層,所述結合層形 成於基體的表面’所述色彩層形成於結合層的表面,其改 良在於:所述色彩層為Ti_〇_N膜,其中鈦的质量百分含 量為80%-85% ’氧的质量百分含量是在5%-1〇%,氮的质 量百分含量是在5%-15% ’該色彩層呈現的色度區域於CIE LAB表色系統的L*座標值介於72至80之間,a*座標值介 於-12至-6之間,b*座標值介於22至28之間。 2·如申請專利範圍第1項所述之殼體,所述結合層為鈦金屬 骐,其厚度為0. 1~0. 3/zm。 3 .如申請專利範圍第1項所述之殼體,所述色彩層厚度為 〇 · 3 〜0. 5 // m。 4.如申請專利範圍第1項所述之殼體,所述基體為金屬、玻 螭或塑膠。 5 .—種殼體的製作方法,其包括如下步驟: 提供基體; 在該基體的表面磁控濺射結合層; 在該結合層的表面磁控錢射色彩層,磁控漱射所述色彩層 以缺為把材,以氧氣及氬氣為反應氣體,氧氣的流量為 25〜80sccm,氮氣的流量為25~100sccm ;所述色彩層為 Ti-Ο-Ν膜,其中鈦的质量百分含量為8〇%-85%,氧的质 量百分含量是在’氮的质量百分含量是在5%-15% ,所述色彩層呈現的色度區域於CIE LAB表色系統的L木座 標值介於72至80之間’ a*座標值介於~12至-6之間,b* 座標值介於22至28之間。 100115404 表單編號A0101 第8頁/共Π頁 1002025778-0 201243081 6 .如申請專利範圍第5項所述之殼體的製作方法,形成該結 合層的工藝參數為:設置鈦靶的電源功率為8-1 Okw,對 基體施加的偏壓為0~200V,佔空比為0〜100%,鍍膜時間 為5 ~ 1 0分鐘。 7 .如申請專利範圍第5項所述之殼體的製作方法,形成該色 彩層的工藝參數為:設置鈦靶的電源功率功率為8-12kw ,對基體施加的偏壓為0〜250V,佔空比為0〜100%,鍍膜 時間為20〜60分鐘。
    100115404 表單編號A0101 第9頁/共11頁 1002025778-0
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