TW201242089A - Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device - Google Patents

Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
TW201242089A
TW201242089A TW101104638A TW101104638A TW201242089A TW 201242089 A TW201242089 A TW 201242089A TW 101104638 A TW101104638 A TW 101104638A TW 101104638 A TW101104638 A TW 101104638A TW 201242089 A TW201242089 A TW 201242089A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
component
metal carrier
thermal expansion
carrier element
silver
Prior art date
Application number
TW101104638A
Other languages
English (en)
Inventor
Helmut Fischer
Andreas Ploesl
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Publication of TW201242089A publication Critical patent/TW201242089A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0687—Multiple junction or tandem solar cells
    • H01L31/06875—Multiple junction or tandem solar cells inverted grown metamorphic [IMM] multiple junction solar cells, e.g. III-V compounds inverted metamorphic multi-junction cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1892—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1892—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
    • H01L31/1896—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates for thin-film semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0217—Removal of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

201242089 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係具體說明— 光電半導體裝置之方法。 【先前技術】 種光電半導體裝置及用於製 發光-極體（LED)或半導體雷射二極體通常 =在基板上的半導體層序列。在生長過程之後， 序=從生長基板轉移到载體是已知的設計。在此情旧 時㊉使用其鮮彡脹倾料長基板和半導體層㈣的 脹係數有極大差料載料料。因此，在製造或在操;Ί 樣的裝置㈣’可能會因為溫度改變*使得㈣體層= 和載體的不同熱膨脹而發生問題。 特別是電化學沉積之鋼或金的金屬作為載體材料會 有問題產生’ S騎類的金屬關設於該金屬的半導體材 料具有明顯較高的熱膨脹係數^為求避免產生不同熱膨服 的問題，在先前技術中不是省略掉這種由金屬組成的載體 就是接受不同熱膨脹的風險。此外，藉由銅和另一金屬組 成的混合物，也已知提供一種其熱膨脹適配於半導體的熱 膨脹的載體。不過，在以砷化物和磷化物為基礎的半導體 材料中’銅可能造成不發光的重組（non-radiative recombination)。因此，重要的是在半導體層序列與銅基 載體之間提供擴散阻障層或包覆層，用以防止銅遷移到半 導體材料中，但這會導致材料增加及製造的成費。 【發明内容】 95505 3 201242089 特定實施例之至少一個 體的光電半導體裝置。特的係棱供-種具有適用載 用於製造光電半導體裝置之方法。 的係楗供一種 中之==藉由一物件和包括申請專利範圍獨立項 的實…丨成。有利的發展以及該物件與該方法 时施例的特徵係在於中請專利範_屬項，且從下列敘 述和圖式更能顯露本發明。 ” 根據至少-個實施例，Μ半導體裝置具有光電半導 曰序歹卜光電半導體裝置能例如實施為發光二極體 (LED)、雷射二極體、受光或測光二極體或太陽能電池。 尤其’光電裝置在此情況中能實施為具有發射光譜或吸收 光譜在紅外光、可見光及/或紫外光波長範圍的發光二極體 或受光二極體或測光二極體。 此外，光電組件能實施為邊射型或表面型雷射二極 體，其具有含有一個或多個光譜成分在在紫外光至紅外光 波長範圍的發射光譜。若光電組件實施為受光二極體或太 陽能電池，則其能被提供用於接收具有在所述波長範圍的 一個或多個光譜成分的光以及用於將該光轉換成電流或電 荷。 根據另一實施例，在用於製造光電半導體裝置的方法 中’提供生長基板，光電半導體層序列係生長在該生長基 板上。 下列敘述同樣關於光電半導體裝置及用於製造光電 半導體裝置之方法的實施例和特徵。 95505 4 201242089 根據另一實施例，光電半導體層序列具有至少一個或 複數個磊晶生長半導體層或基於半導體化合物材料的蟲: 生長半導體層序列。尤其，半導體化合物材料能選自坤2 物、磷化物或氮化物化合物半導體材料。藉由範例，半導 體層序列能實施為半導體晶片或半導體晶片之一部分。 半導體層序列能例如基於InGaAIN實施。基於 InGaAIN之半導體晶片和半導體層序列包含通常具有由不 同的個別層組成之層序列的那些磊晶製成的半導體層序 列，其含有至少一個個別層，包括來自III_V族化合物半 導體材料系統InxAlyGai_x-yN的材料，其中 S 1 和 x+y S 1 〇 具有至少一個基於InGaAIN之主動層的半導體層序列 能較佳地例如在紫外光至綠光的波長範圍中發射或吸收電 磁轄射。 替代地或額外地，半導體層序列或半導體晶片也能基 於InGaAlP ’也就是說’半導體層序列能具有不同的個別 層，其中至少一個個別層包括來自III-V族化合物半導體 材料系統InxAlyGai-x-yP的材料，其中1、1 和 x+yS 1。 具有至少一個基於1nGaAlp之主動層的半導體層序列 能較佳地例如在綠光至紅光的波長範圍中發射或吸收具有 一個或多個光譜成分的電磁輻射。 替代地或額外地，半導體層序列或半導體晶片也能包 括其它III-V族化合物半導體材料系統，例如基於AlGaAs 95505 5 201242089 的材料，或II-VI族化合物半導體材料系統。尤其，包括 基於AlGaAs的材料的主動層能適用於在紅光至紅外光的 波長範圍中發射或吸收具有一個或多個光譜成分的電磁輻 射。 II-VI族化合物半導體材料能包括至少一個第二族的 元素，例如鈹（Be)、鎂（Mg)、鈣（Ca)、鋰（Sr)， 以及第六族的元素，例如氧（〇)、硫（S)、硒（Se)。 尤其，II-VI族化合物半導體材料包括二元、三元或四元化 合物，其包括至少一個第二族元素和至少一個第六族元 素。此外，這樣的二元、三元或四元化合物能包括例如一 個或多個摻雜物和額外的組成。藉由範例，II-VI族化合物 半導體材料包含：ZnO、ZnMgO、CdS、ZnCdS、MgBeO。 半導體層序列能進一步沉積在形成生長基板的基板 上。在此情況中，基板能包括半導體材料，例如上述的化 合物半導體材料系統。尤其，基板能包括藍寶石、GaAs、 Ge、GaP、GaN、InP、SiC及/或Si或由這樣的材料組成。 半導體層序列能具有主動區域，例如傳統的pn接面、 雙異質結構、單量子井結構（SQW structure)或多量子井 結構（MQW structure)。在本申請案範圍内，指定的量子 井結構尤其涵蓋任何電荷載子可能由於侷限 (confinement)而經歷能階的量化之結構。尤其，指定的 量子井結構不包括任何關於量化之維度的指示。因此，尤 其涵蓋量子井、量子線和量子點以及這些結構的任何組 合。半導體層序列能在主動區域旁邊包括進一步的功能層 95505 6 201242089 和功能區域，例如P或η摻雜的半導體層、未摻雜或p或 η摻雜的侷限、被覆（cladding )或波導層、阻障層、平坦 層、缓衝層、保護層及/或電極和其組合。再者，能鋪設一 個或多個鏡層在半導體層序列中遠離生長基板的那一面 上。關於主動區域或另外的功能層和區域而在此所述的結 構係對本技術領域中具有通常知識者而言為已知的，尤其 是架構、功能和結構，因此在這裡便不多加詳述。 此外，額外的層，例如缓衝層、阻障層及/或保護層也 能垂直於半導體層序列的生長方向而配置，例如在半導體 層序列附近，也就是說，例如在半導體層序列的側區域上。 根據另一實施例，光電半導體裝置具有金屬載體元 件。在此及以下，金屬載體元件指的是一種載體元件，例 如載體基板，其涵蓋金屬成分且部分較佳由金屬成分組成。 根據另一實施例，金屬載體元件係配置在半導體層序 列中遠離生長基板的那一面上。尤其，半導體層序列能配 置在金屬載體元件的安裝區域上。例如，藉由晶圓接合方 法，能將金屬載體元件配置在半導體層序列上。為此目的， 在金屬載體元件及/或半導體層序列上，能提供適合的連接 層，例如金屬或銲錫層，藉由此連接層而能使金屬載體元 件永久連接於半導體層序列。. 藉由範例，半導體層序列能藉由燒結材料，尤其藉由 含銀燒結層，而連接於金屬載體元件。這能藉由燒結銀粉 得以實現。為此目的，金屬載體元件能具有銀塗層作為適 合的支撐。 95505 7 201242089 此外，金屬載體元件能用包含鎳及/或金或由鎳及/或 金組成的一層或多層加以塗佈。這類型的層能適用於銲錫 連接及例如燒結連接。 根據另一實施例，在遠離半導體層序列的那一面上， 金屬載體元件具有銀層及/或包含鎳及/或金的一層或多 層。因此’能夠例如藉由上述的鮮錫連接或燒結連接，在 例如電路板或外殼的載醴元件上安裝具有半導體層序列的 金屬載體元件。 根據另一實施例，金屬载體元件具有為銀的第一成 分。特別的是，類似於銅’銀能藉由高導熱率區別，其中， 相較於銅，至少對某些半導體材料而言，銀能具有較少缺 點或沒有缺點。此外，亦能防止銀從金屬載體元件遷移至 半導體層序列中，這比防止銅從含銅載體遷移至半導體層 序列中還要容易。 根據另一實施例，金屬載體元件的熱膨脹係數係適配 於生長基板的熱膨脹係數。就生長基板與半導體層序列而 言，相較於具有不同熱膨脹係數的已知載體，藉由將金屬 載體元件之熱膨脹係數適配於生長基板的熱膨脹係數，能 夠減少或完全防止在製造期間的熱應力，尤其是在將半導 體層序列從生長基板傳遞至金屬載體元件的期間。特別是 針對包括半導體材料的生長基板，也就是說，例如GaAs 或Ge或由藍寶石組成的生長基板，其熱膨脹係數係類似 半導體層序列的熱膨脹係數，因此，此種金屬載體元件的 係適配於生長基板的熱膨脹係數，從而能在稍作此種光電 95505 8 201242089 w 半導體裝置期間防止熱應力。適配於彼此的熱膨脹係數較 佳具有小於或等於20%、較佳為小於或等於10%、更佳為 小於或等於5%的差異。也能讓金屬載體元件的熱膨脹係 數適配於生長基板的熱膨脹係數，使得彼此的熱膨脹係數 相差小於或等於1%。在以藍寶石作為生長基板的情況中， 金屬載體元件能將其熱膨脹係數適配於藍寶石沿著a轴的 熱膨脹係數。 由於使用包括銀的金屬載體元件，該金屬載體元件的 熱膨脹係數適配於生長基板的熱膨脹係數，生長基板可柙 據氮化物、磷化物及/或砷化物化合物半導體材料配合半^ 體層序列而使用。尤其能夠使用相同的金屬載體元件， 就是說，金屬賴7L件分職有相同的合成物，作為用 所有這些半導體材料的金屬載體基板。因為銀的導電率和 導熱率至少能和銅相比或甚至比銅還好，所以相較於 的銅基金屬載體，在此插述的金屬載體元件至少相等其 至有更佳的熱性質和電性質。尤其，金屬載體元件可以产 有銅’其中「沒有鋼」在此意指在製造金屬載航 ^ 刻意不提供銅。然而，因為在初始材料中無法移除的雜曰 使得金屬載體元件可能含有技術上不可避免的銅部分或鋼 跡線（trace)。結果，包括銀作為第—成分的金屬載體_ 件能構成金屬髓元件所尋求的無銅解決方案，其= 似於銅基載體關於電結合和熱結合的性質，而叫化物 或鱗化物為基礎的铸體層序列也_設於其上，其中勺 覆的花費祕銅基_小，㈣導體層㈣也能使用與= 95505 201242089 遞至銅基載體相同的技術來傳遞至金屬載體元件。 根據另一實施例，在配置金屬載體元件的過程之後， 生長基板係至少部分地從半導體層序列脫離。視所使用之 生長基板而定，可藉由例如所謂的掀離方法及/或蝕刻進行 脫離過程。生長基板的脫離方法對本技術領域中具有通常 知識者而言係為已知的，因此在此將不進一步敘述。 根據另一實施例，除了由銀組成的第一成分之外，金 屬載體元件包括具有由比銀低的熱膨脹係數的材料所組成 的第二成分。這使得金屬載體元件的熱膨脹係數比銀的熱 膨脹係數還低，因而使其熱膨脹係數適配於生長基板的熱 膨脹係數。 根據另一實施例，第一成分（也就是銀）係實質上無 法溶解於第二成分。這能表示第一和第二成分不能相混合 或明顯不混合以及沒有或幾乎沒有任何由第一和第二成分 組成的金屬間化合物形成在金屬載體元件中。在此及以 下，實質上無法溶解以及實質上不能相混合係意指第一和 第二成分係以低於1%的比率而彼此可溶解及彼此相混 合。尤其，金屬載體元件能呈現為所謂的假合金 (pseudo-alloy)。 根據另一實施例，至少第一成分或第二成分或二者都 以粒狀形式呈現在金屬載體元件中。這意指第一和第二成 分是以粉狀方式提供，且彼此混合並以夠高的溫度燒結。 在此情況中，第一成分與第二成分之其中一者可形成讓另 一成分配置的基質。除了以粉末形式提供第一和第二成分 95505 10 201242089 外，也能提供包含第一和第二成分的有機金屬初始材料， 在此情況中，對應的金屬載體元件能藉由混合與沉澱過程 以及後續的加熱和熱處理以及燒結而製造。此外，經由範 例，第二成分能以粉狀方式提供並且經過推壓和燒結而形 成具有具有多孔結構的多孔燒結體。此多孔燒結體作為供 第一成分（也就是銀）能以液體形式引入的骨架，尤其是 經由渗入的方式。 金屬載體元件能製造為膜，尤其是關於製造程序所敘 述的燒結膜，此膜具有至少部分粒狀及/或多孔結構。經由 範例，藉由上述製造程序，能夠製造重塑成膜的燒結體， 該膜經由熱滾動或冷滾動方法而具有適當厚度。 根據另一實施例，金屬載體元件沿著主要延伸平面而 朝與其垂直的方向具有不同的熱膨脹係數。在此情況中， 彼此適配之金屬載體元件的熱膨脹係數與生長基板的熱膨 脹係數能分別是沿著各自主要延伸平面的熱膨脹係數，也 就是說，在生長基板的情況下平行於生長基板的方向以及 在金屬載體元件的情況下平行於安裝表面的方向。例如， 在金屬載體元件機械成形為膜的期間能製造出不同的熱膨 脹係數，因為在金屬載體元件之主要延伸平面和與其垂直 之方向的第一和第二成分的面積比率能在重塑期間不同地 形成。 根據另一實施例，金屬載體元件具有大於或等於50 β m的厚度。此外金屬載體元件能具有小於或等於250/zm 的厚度。尤其較佳的是，厚度能夠大於或等於75#m。尤 95505 11 201242089 其’厚度可以是例如大於或等於75# m且小於或等於150 从1η，或者大於或等於ISOym且小於或等於250/zm。此 外’厚度也能大於或等於250/im。 根據另一實施例，第二成分能由過渡金屬（較佳為所 謂的退火金屬）組成。尤其，第二成分能包括來自週期系 統之第五族及/或第六族的材料，也就是來自所謂的釩族及 /或所謂的鉻族的材料。尤其，第二成分能選自由鉬、鎢、 鉻、釩、鈮和鈕所形成之群組。此類材料具有比銀還低之 熱膨脹係數，使其藉由混合第一成分和此類第二成分而得 以將金屬載體元件之熱膨脹係數適配於生長基板之熱膨脹 係數。雖然銀在大約3〇〇K時具有大約BixlO^K·1的熱膨 脹係數，但上述來自週期系統之第五族和第六族的材料具 有部分明顯較低的熱膨脹係數，例如釩大約δΑχΙΟ·6!^1、 銳大約 、鉻 ΙΟχΗ^Κ·1、钽大約 ό^χΗ^κ·1 以 及尤其鉬大約SJxlO^K·1和鎢大約ISxlO^K-1。特別的 是，鎢和鉬也具有高導熱性，藉由此導熱性以及利用銀作 為第一成分，能夠達成具有導熱性的金屬載體元件。銳、 鈮和鉻的導熱性位在31、54和94W/(mK)的範圍中，且因 此能構成夠高的導熱性。 根據另一實施例，第二成分為鉬或鎢，而銀在金屬载 體元件中的比率係大於或等於3%的重量百分比且小於< 等於33%的重量百分比。在此種混合比例中，金屬载體元 件之熱膨脹係數係位在砷化鎵、鍺及尤其是藍寳石的熱膨 脹係數範圍中，藍寳石係特別較佳用於半導體層序列的^ 95505 12 201242089 長基板。 已知藉由混合銅而增加4目或鶴的熱膨脹。除了藉由添 加銅而增加熱膨脹之外，同時也能增加導熱性，結果能進 一步改善鉬或鶴的導熱性。相較於銅基載體，在此所述之 根據第一成分銀和其中一個上述第二成分（例如鉬）之金 屬載體元件的可生產性能較製造已知的鉬-銅膜簡單，因為 跟銅相比，銀具有較低的鋼性與較低的溶點。此外，相較 於銅基載體，銀基金屬載體元件能降低包覆上的花費。另 外，第一成分銀也能藉由第二成分（例如鉬）抵擋週遭影 響而得以穩定。若提供成分銀和鉬作為有機金屬初始材料 來製造金屬載體元件，則用來還原鉬的溫度能低於製造有 機金屬化合物所組成的銅-鉬膜所使用的溫度。 根據另一實施例，光電半導體層序列係在金屬載體元 件已鋪設在半導體層序列上之後單切成個別的光電半導體 裝置。為此目的，特別在至少部分地脫離生長基板的過程 之後，金屬載體元件可能受到濕化學蝕刻。尤其，藉由將 銀作為第一成分以及例如將錮作為第二成分而能一起受到 濕化學蝕刻。例如，藉由蝕刻、切割或雷射分割而能夠割 斷半導體層序列。 從下列敘述之實施例配合圖式，本發明之進一步優點 和有利實施例與發展將變得明顯。 【實施方式】 第1A至1D圖係根據一個例示實施例顯示用於製造光 電半導體裝置10之方法。 95505 13 201242089 為此目的，以根據第1A圖之第一方法步驟，提供生 長基板1，光電半導體層序列2係生長在該生長基板1上° 在所示之例示實施例中，生長基板1係由GaAs、Ge或藍 寶石構成，而光電半導體層序列2係基於砷化物、磷化物 及/或氮化物化合物半導體材料，這些材料已在上面大致提 過。在此情況中，光電半導體層序列2可生長有一層或多 層用於產生輻射或用於偵測輻射的主動層，使得能以所述 方法製造的光電半導體裝置10 (見第1D圖）能被實施為 發光二極體、邊射型雷射二極體（edge emitting laser diode) 或表面型雷射二極體（surface emitting laser diode )、作為 受光型二極體或太陽能電池（solarcell)。 光電半導體層序列2還包括電極層以及例如在遠離生 長基板的頂面上的至少一個鏡層（mirror layer)。 在根據第1B圖的進一步方法步驟中，金屬栽體元件3 係配置在半導體層序列2上。在所示之例示實施例中，金 屬載體元件3包括銀作為第一成分以及鉬或鎢作為第一成 分。或者，金屬載體元件3也能包括其中一個上述的另外 材料用於第二成分。 為求提供金屬載體元件3,以彼此混合的粉末或有機 化合物形式提供第一和第二成分，若適當的話，= 甘！力的 孔 尤 作用下被還原和燒結。或者，也能製造第二成分作為 燒結體以及藉由滲透方式將第一成分以液體形式引二。 其’金屬載體元件3係例如藉由滾動方式實施為，^ 其作為燒結薄膜。在此情況中，兩個成分之其中〜個形成 95505 14 201242089 基質’以供另—成分配置。尤其，兩個成分能以粒狀方式 在金屬載體元件3中實施。 金屬載體元件3之厚度較佳為大於或等於5GAm以及 小於或等於25G/zm，且尤其較佳為大於或等於乃㈣以 及小於或等於15G//m。或者，厚度也可為大於或等於15〇 V m以及小於或等於250 // m。 一層或多層連接層係舖設在金屬載體元件3上及/或 在連接在-起之前的半導體層序列2上，經由這些連接 f，金屬載體元件3與半導體層序列2之_永久連接可 藉由C力及/或熱的仙而達成。—層或多層連接層能包括 例如-層❹層金屬層，尤其是銲騎。或者，半導體層 f列4例如藉由含銀燒結材料連接至金屬載體元件3。 這能藉由燒結銀粉而成為可能。為此目的，缝將銀塗層 或其匕（例如包含錄及/或金或由錄及/或金構成的一或多 1)鋪α於金載體疋件3。這類的層適用於製造可靠的 銲錫連接和燒結連接。 根據第1C圖的進_步實施例，生長基板工係從半導 體層序们脫離。除了如圖所示的生長基板丨的完全脫離， 也能夠僅部分脫離，使得部分的生長基板餘留在半導體層 序列2上。生長基板1能例如藉由侧方法或藉由雷射掀 離（iaseriift_off)方法脫離。 # 圖之進―步方法步驟巾，在金屬載體元 上之+導體層序列2係被單切（ 別的光料料裝置1Q。纽粒中，金屬賴元件t 95505 15 201242089 藉由濕化學姓刻切斷，尤其在以銀作為第一成分、翻作為 第二成分的情況中。 在生長基板1脫離之後及/或單切之後，另外的層，例 如電極層、鈍化層及/或光學耦接輸出層，能鋪設在半導體 層序列2之遠離金屬載體元件3的那一面上。 在遠離半導體層序列2的那-面上，金屬載體元件3 能進一步設有銀層及/或包括鎳及/或金的一或多層。因 此，帶有半導體層序列2之金屬載體元件3能藉由上述之 銲錫連接或燒結連接鋪設在載體元件上，例如在電路板或 外殼上。 以此方式製造之光電半導體裝置1〇能實施為例如薄 膜發光一極體晶片或薄膜雷射二極體晶片。 薄膜發光二極體晶片或薄膜雷射二極體晶片的區別 在於下列至少其中一項特徵： _反射層係舖設或形成於產生輻射之半導體層序列（為 產生輻射的磊晶層序列）之主要面積（面向載體元件，尤 其是在此所述之金屬載體元件）處，尤其，該反射層將半 導體層序列所產生的至少部分的電磁輻射反射回該半導體 層序列中； •薄膜發光二極體晶片具有載體元件，尤其在此所述之 金屬載體元件，其並非供半導體層序列生長於其上的生長 基板，而是後續固定於半導體層序列的個別的載體元件； -半導體層序列具有厚度為2〇em或更小的範圍，尤 其是10 y m或更小的範圍； 95505 16 201242089 -半導體層序列不具有生長基板。在本情況中，「不具 有生長基板」意指可能用於生長的生長基板係從半導體層 序列移除或至少大幅地變薄。尤其，是以並非自身支撐或 是連同半導體層序列的方式變薄。大幅變薄之生長基板所 餘留的殘餘物係尤其不適於作為生長基板的功能；以及 -半導體層序列含有具有至少一個區域的至少一個半 導體層，該區域具有混合結構，從而理想地造成光在半導 體層序列中之大約遍歷分佈（ergodic distribution)，也就 是說，其具有盡可能遠的遍歷隨機散射行為（ergodically stochastic scattering behaviour) ° 例如，在I. Schnitzer等人所著之文件Appl. Phys. Lett. 63 (16) 18 October 1993, pages 2174-2176 中所述之薄膜發 光二極體晶片的基本原理中，係在此併入其揭露内容作為 參考。薄膜發光二極體晶片之範例係描述在文件EP 0905797 A2和WO 02/13281 A1中，其揭露内容係同樣在 此併入作為參考。 在此所述之方法中，金屬載體元件3的採用係關於其 熱膨脹係數對於生長基板i的熱膨脹係數。為此目的，以 銀為第一成分與以鉬或鎢為第二成分之第一和第二成分的 混合比率’也就是較佳為如所示之例示實施例所述，係選 擇成銀的熱膨脹係數藉由添加第二成分而縮減，或第二成 分的熱膨脹係數係藉由添加銀而增加，使得所完成之金屬 載體元件3的熱膨脹係數對應於或至少非常接近生長基板 1的熱膨脹係數，也就是說，尤其是例如所示實施例中的 95505 17 201242089 砷化鎵、鍺或藍寶石。尤其，生長基板1與金屬戟體元件 3之熱膨脹係數的偏差能夠小於或等於10%，且較佳為小 於或等於5%。視成分的混合和混合比率而定，第—成分 或第二成分能形成連續基質，其中另一成分係以板狀方 併入。在以銀為第一成分、鉬為第二成分的情況中，彳列如 銀粒子能形成連續基質，其中銦粒子係分開來併入，4 f 銀粒子能填入密集的鉬粒子之間的空間。就採用砷化鎵（在 300K時為或藍寶石（在300K時為6 64χ ΗΓ6!^1)或鍺的熱膨脹係數而言，必須相對於第二成分選 擇適量的第一成分銀。在此情況中，可經由實驗而最佳地 確定精確的量，因為粉末冶金處理可能對表面型態 (morphology)有影響，而因此在某些情況下也會對熱膨 脹性質有影響。 在此連接中，係配合第2圖顯示金屬載體元件之在 ΗΤ6!^1的熱膨脹係數CTE，包括第一成分銀和第二成分 钥，作為與銀的質量c(Ag)之比例涵數。 第2圖顯示理論曲線21、22和23，其指示根據不同 模型之銀和鉬之混合物的熱膨脹係數與銀含量之重量百分 比的函數的關係。在此情況中，曲線21對應於Vegard模 型，其中銀和鉬的個別熱膨脹係數係與其個別的重量比率 呈線性關係。曲線22和23對應於V.B· Rapkin和R.F. Kozlova 所著之刊物“Powder Metallurgy and Metal Ceramics,^Vol. 7(3), 1968, pages 210-215 ( Poroshkovaya Metallurgiya，No. 3(63), 1968, pages 64-70 的翻譯本）中所 95505 18 201242089 述之另外的模型，其中曲線23是對應於根據在該刊物中引 用的元件符號10所述的Turner模型。水平線24和25以 及直線指示藍寶石（元件符號24)和GaAs (25)的熱膨 脹係數。從線24和25與曲線21和23的交叉點可知，銀 成分的比率為大於或等於3%以及小於或等於33%的結 果。尤其，在由GaAs組成之生長基板1的情況中，銀的 適用比率為大於或等於3%以及小於或等於20.5%的結 果，而由藍寶石組成的生長基板1之適當的銀比率為大約 11.5%至33%的結果。對於由鍺組成之生長基板亦是類似 的值。藉由測量金屬載體元件（包括所述範圍之銀比率） 之熱膨脹係數，視冶金處理而定，也就是說，視金屬載體 元件3所選擇的製造方法而定，能夠決定由GaAs、Ge或 藍寶石或上述提及之其中一種另外的材料所組成之生長基 板之適當的合成物。 插入在第2圖中所包含之額外的圖表（取自：Massalski， “Binary Alloy Phase Diagrams”，ASM international)係顯示 二元系統銀-鉬的相位圖，其揭露固態時這兩種金屬的不能 相混合的性質。尤其，銀在熔點時在鉬中僅具有0.15原子 百分比的可溶性。 第3圖顯示熱膨脹係數CTE與藍寶石（元件符號31)、 鍺（元件符號32)、GaAs (元件符號33)之溫度T之間 的關係，其中藍寶石、鍺、GaAs特別適用於生長基板。此 外，鉬（元件符號34)和鎢（元件符號35)的熱膨脹係數 CTE 係純粹藉由範例 （Touloukian 等人所著 95505 19 201242089 ‘‘Thermophysical propertiesof matter, Thermal expansion: Metallic Elements and Alloys’’，Vol. 12, Plenum, New York， 1975中所述之範例）顯示。因為銀具有比鉬和鎢高之熱膨 脹係數，所以，如上所述，能使用熱膨脹係數適用於所使 用之生長基板之熱膨脹係數的金屬載體元件。 本發明不受限於所述之例示實施例。此外，本發明涵 蓋任何新穎特徵及其組合，尤其包含申請專利範圍中之特 徵的任何組合，即使此特徵或此組合本身並沒有明確在申 睛專利範圍或例示實施例中提出。 【圖式簡單說明】 第1A至1D圖係根據一個例示實施例顯示用於製造光 電半導體裝置之方法；以及 第2和3圖根據另外的實施例顯示用於金屬載體元 用於生長基板和金屬的熱膨脹係數。 動作的2不實細例與/圖式中’在各情況中之相同的或相同 和^構件能設制目同的元件魏。·上，所示之元件 個別I與彼此間之關係不應視為按照實際比例，而是， 度或大Γ:，例如層、組件、裝置和區域，可用誇大的厚 發明。L’以便更佳了解圖*制及/或更佳了解本 【主要元件符號說明】 生長基板 半導體層序列 金屬載體元件 95505 201242089 10 光電半導體裝置 21 ' 22 > 23 曲線 24 ' 25 水平線 31 藍寶石之曲線 32 鍺之曲線 33 GaAs之曲線 34 鉬之曲線 35 鶴之曲線 95505 21

Claims (1)

  1. 201242089 七、申請專利範圍： 1. 一種光電半導體裝置，包括在金屬載體元件（3)上的 光電半導體層序列（2)，其包括作為第一成分的銀和 作為第二成分的材料’該材料的熱膨脹係數低於銀的 熱膨脹係數。 2. 如申請專利範圍第1項所述之光電半導體裝置，其中， 該銀係在該第二成分中為實質上不可溶解的。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電半導體裝 置，其中，該第二成分係選自由鉬、鎢、鉻、釩、鈮 和鈕所組成之群組。 4. 如申請專利範圍第1項至第3項之任一項所述之光電 半導體裝置’其中，該金屬載體元件⑴之熱膨服係 數係適配於藍寳石、錯或GaAs的熱膨脹係數。 5·如申請專利範圍第1項至第4項之任一項所述之光電 半導體裝置，其中，該金屬載體元件（3)是一層膜， 尤其是燒結膜。 6. 如申請專利範圍第i項至第5項之任一項所述之光電 半導體裝置，其中，該金屬載體元件（3)具有大於或 等於5〇em以及小於或等於250/zm的厚度。 7. 如申請專利範圍第1項至第6項之任一項所述之光電 半導體裝置，其中，s玄光電半導體層序列（2 )係根據 選自砷化物、磷化物和氮化物化合物半導體材料之一 個或多個化合物半導體材料。 8· 一種用於製造光電半導體裝置之方法，包括下列步驟： 95505 . 201242089 在生長基板（1)上生長光電半導體層序列（2); 在該半導體層序列（2)之遠離該生長基板（υ 的一面上配置金屬载體元件（3)，其中，該金屬載體 元件（3)包括銀，而該金屬載體元件（3)之熱膨脹 係數係適配於該生長基板（1)之熱膨脹係數； 至少部分地脫離該生長基板（1)。 9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中，該金屬載 體元件包括作為第一成分的銀和作為第二成分的材 料，該材料具有比銀還低的熱膨脹係數。 10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中，該第二成 分係選自由鉬、鎢、鉻、釩、鈮和鈕所組成之群組。 11. 如申請專利範圍第9項或第1G項所述之方法，其中， 該金屬載體元件（3)係藉由燒結該第一和第二成分而 製造。 12. 如申請專利範圍第9項或第1〇項所述之方法，其中， 該第二成分係經燒結而形成多孔燒結體，而該第一成 分係以液體形式引入該燒結體中。 13. 如申請專利範圍第8項至第12項之任—項所述之方 法’其中’該生長基板⑴係由藍寳石、錯或GaAs 組成。 14. 如申請專利範圍第9項至第12項之任—項所述之方 =:其中，該生長基板是藍寶石，以及其中該第二成 分是銷或鎢’而在該金屬載體元件中之該第一成分的 比率重量大於或等於3%以及小於或等於33% ^ 95505 2 201242089 15. 如申μ專利範圍第8項至第14項之任一項所述之方 法’其中’在至少部分地脫離該生長基板（1)的過程 之後，該金屬載體元件（3)係受到濕化學蝕刻以便將 該半導體層序列（2)單切成複數個光電裝置（10)。 95505 3
TW101104638A 2011-02-24 2012-02-14 Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device TW201242089A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011012262A DE102011012262A1 (de) 2011-02-24 2011-02-24 Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201242089A true TW201242089A (en) 2012-10-16

Family

ID=45808816

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101104638A TW201242089A (en) 2011-02-24 2012-02-14 Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9076897B2 (zh)
CN (1) CN103392241A (zh)
DE (1) DE102011012262A1 (zh)
TW (1) TW201242089A (zh)
WO (1) WO2012113934A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015114088B4 (de) 2015-08-25 2022-02-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2974485B2 (ja) * 1992-02-05 1999-11-10 キヤノン株式会社 光起電力素子の製造法
US5391257A (en) * 1993-12-10 1995-02-21 Rockwell International Corporation Method of transferring a thin film to an alternate substrate
DE59814431D1 (de) 1997-09-29 2010-03-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlichtquelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
US20020017652A1 (en) 2000-08-08 2002-02-14 Stefan Illek Semiconductor chip for optoelectronics
TW521409B (en) * 2000-10-06 2003-02-21 Shing Chen Package of LED
US6797990B2 (en) * 2001-06-29 2004-09-28 Showa Denko Kabushiki Kaisha Boron phosphide-based semiconductor device and production method thereof
US6835962B2 (en) * 2001-08-01 2004-12-28 Showa Denko Kabushiki Kaisha Stacked layer structure, light-emitting device, lamp, and light source unit
KR101030068B1 (ko) * 2002-07-08 2011-04-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 소자
CN1781195A (zh) * 2003-03-18 2006-05-31 克利斯托光子学公司 Ⅲ族氮化物器件的制作方法以及由其制作的器件
WO2004084275A2 (en) * 2003-03-18 2004-09-30 Crystal Photonics, Incorporated Method for making group iii nitride devices and devices produced thereby
JP4792726B2 (ja) * 2003-10-30 2011-10-12 日亜化学工業株式会社 半導体素子用支持体の製造方法
US7622743B2 (en) * 2003-11-04 2009-11-24 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, and manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP4483366B2 (ja) * 2004-03-25 2010-06-16 ヤマハ株式会社 半導体パッケージおよびその製造方法
JP4715422B2 (ja) * 2005-09-27 2011-07-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20070262341A1 (en) * 2006-05-09 2007-11-15 Wen-Huang Liu Vertical led with eutectic layer
JP5362711B2 (ja) * 2008-05-21 2013-12-11 パイオニア株式会社 有機発光素子
KR20120068831A (ko) * 2009-07-17 2012-06-27 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 Ｌｅｄ 칩 접합체, ｌｅｄ 패키지, 및 ｌｅｄ 패키지의 제조 방법
TWI562398B (en) 2009-09-15 2016-12-11 Showa Denko Kk Light-emitting diode, light-emitting diode lamp and lighting apparatus
US8163581B1 (en) * 2010-10-13 2012-04-24 Monolith IC 3D Semiconductor and optoelectronic devices
US8283215B2 (en) * 2010-10-13 2012-10-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic devices

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012113934A1 (de) 2012-08-30
US9076897B2 (en) 2015-07-07
DE102011012262A1 (de) 2012-08-30
US20140014977A1 (en) 2014-01-16
CN103392241A (zh) 2013-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6294402B2 (ja) 半導体構造の処理方法
TWI518938B (zh) 光電半導體晶片及其製造方法
JP4970265B2 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
JP5305655B2 (ja) 薄膜技術による半導体チップの製造方法および薄膜半導体チップ
TWI656662B (zh) 半導體發光結構及發光器件
JP2005294284A (ja) 改良された熱特性を有する高出力発光デバイス
TW201115790A (en) Wavelength-converted semiconductor light emitting device including a filter and a scattering structure
JP2003347584A (ja) 半導体発光素子
CN101371370A (zh) 半导体器件及其制造方法
JP5289958B2 (ja) オプトエレクトロニクス半導体チップおよび該チップの製造方法
US9076923B2 (en) Light-emitting device manufacturing method
JP2004207508A (ja) 発光素子及びその製造方法
JP2008515210A (ja) 薄膜半導体チップの製造方法
KR20080053180A (ko) 반도체 발광소자용 지지기판 및 상기 지지기판을 이용한고성능 수직구조의 반도체 발광소자
US20150048400A1 (en) Method of producing an optoelectronic semiconductor chip
JP5792694B2 (ja) 半導体発光素子
US8889436B2 (en) Method for manufacturing optoelectronic devices
KR20080053181A (ko) 반도체 발광소자용 지지기판 및 상기 지지기판을 이용한고성능 수직구조의 반도체 발광소자
CN107924828B (zh) 电子器件和用于制造电子器件的方法
TW201212283A (en) Light-emitting diode, light-emitting diode lamp, and lighting equipment
JP2007115941A (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体及び発光素子
TW201242089A (en) Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device
KR101231118B1 (ko) 반도체 발광소자용 지지기판 및 상기 지지기판을 이용한고성능 수직구조의 반도체 발광소자
JP4488514B2 (ja) 放射線を放射する半導体素子
JP5694575B2 (ja) 発光半導体部品