201241197 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種於被成膜基板上進行特定圖案之成膜 的蒸鍍技術之領域。 . 【先前技術】 , 近年來，於各種商品及領域中有效地利用平板顯示器， 要求平板顯示器進一步大型化、高畫質化、低消耗電力 化0 於此種狀況下’包含利用有機材料之電場發光 (Electroluminescence，以下記作rEL」）之有機EL元件的 有機EL顯示裝置作為全固體型、於低電壓驅動、高速應答 性、自發光性等方面優異的平板顯示器而倍受關注。 有機EL顯示裝置具有以下構成：例如於包含設置有 TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體）之玻璃基板等之基 板上’設置有與TFT連接之有機EL元件。 有機EL元件為可進行低電壓直流驅動下之高亮度發光之 發光元件，其具有依序積層有第1電極、有機EL層及第2電 極之構造。其中’第i電極與TFT連接。又，於第1電極與 第2電極之間’設置有將電洞注入層、電洞輸送層、電子 • 阻擋層、發光層、電洞阻擋層、電子-輸送層、電子注入層 荨積層而成之有機層作為上述有機EL層。 全彩有機EL顯示裝置一般係將紅（R)、綠（G)、藍（B)各 色之有機EL元件作為子像素於基板上排列形成而成，使用 TFT，使該等有機EL元件選擇性地以所需之亮度而發光， 161616.doc 201241197 藉此進行圖像顯示。 於此種有機EL顯示裝置之製造令至少使包含以各色發 光之有機發光材料之發光層於作為發光元件之每一 個有機 EL元件進行圖案形成(參照例如專利文獻1、2)。 作為進行發光層之圖案形成之方法，已知例如使用有被 稱為陰影遮罩之蒸鑛用遮罩之真空蒸錢。 例如’於低分子型有機EL顯示器（〇LED，〇rganic Ught-Emitting Di〇de，有機發光二極體）中先前，藉由 使用有陰影遮罩之蒸鍍法而分塗形成有機膜（有機層 於使用有陰影遮罩之真空蒸鍍法中，使用可對基板之整 個蒸鍍區域進行蒸鍍之尺寸的陰影遮罩（全面密接型陰影 遮罩）。一般而言，作為陰影遮罩，使用與基板同等尺寸 之遮罩。 圖19係表示使用有陰影遮罩之先前之蒸鍍裝置之概略構 成的剖面圖。 於使用有陰影遮罩之真空蒸鍍法中，如圖丨9所示，使基 板301與蒸鍍源302對向配置，且為了使目標蒸鍍區域以外 之區域上不附著蒸鍍粒子’於陰影遮罩303設置有與蒸鍍 區域之一部分圖案對應之開口部3〇4，經由該開口部3〇4而 使蒸鍍粒子蒸鍍於基板3〇1，藉此進行圖案形成。 基板301配置於未圖示之真空腔室内，於基板3〇1之下 方’固定有蒸鍍源302。陰影遮罩303係以密接固定於基板 301上、或將基板3〇1及蒸鍍源3〇2固定於真空腔室之内壁 之狀態，相對於基板301進行相對移動。 161616.doc 201241197 例如於專利文獻1中，揭示使用承載式蒸鍍源進行遮罩 與基板之位置對準之後，自基板之正下方真空蒸鍍第!發 光材料，形成與遮罩之開口部大致相同形狀之第〗發光部 之排列之後，移動遮罩並自基板之正下方真空蒸鍍第2發 光材料，形成與遮罩之開口部大致相同形狀之第2發光部 之排列。 例如於專利文獻2中，揭示在與基板同等尺寸之遮罩 上，將小徑或細長的狹縫孔排列在相對於遮罩之移動方向 交叉之方向上，一面沿著小徑或狹縫孔之排列方向使遮罩 移動一面蒸鍍電極材料，藉此形成電極圖案。 於如此使用有陰影遮罩之真空蒸鍍法中，為抑制陰影遮 罩撓曲或變形，對其施加張力而固定（例如焊接）於遮罩框 上。 於使用有陰影遮罩之真空蒸鍍法中，使上述陰影遮罩密 接於基板’自蒸鍍源通過陰影遮罩之開口部而使蒸鑛粒子 蒸鍍（附著）於基板之所需位置，藉此進行發光層或電極之 圖案形成。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]曰本國公開專利公報「曰本專利特開2〇〇〇_ 188179號公報（（公開日：2000年7月4日）（對應美國專利第 6294892號（公告日：2001年9月25日）））」 [專利文獻2]曰本國公開專利公報「日本專利特開平1 〇_ 102237號公報（公開日：1998年4月21日）」 161616.doc 201241197 . 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而，若基板尺寸變大’則陰影遮罩3〇3亦隨此而大型 化0 其結果為，由於陰影遮罩303之自重撓曲或延神而在基 板301與陰影遮罩303之間產生間隙。其結果導致無法進行 位置精度較尚之圖案形成，產生蒸鑛位置偏移或混色，難 以實現高精細化。 又，伴隨基板尺寸之大型化，陰影遮罩3〇3及保持其之 遮罩框會巨大化、❹化。纟結果#，處理此種陰影遮罩 303之裝置變得巨大化、複雜化，不僅裝置之設計變得困 難，而且於製造步驟或遮罩更換等之步驟中，亦會產生處 理安全性之問題。 因此，利用有大型陰影遮罩之大型基板之圖案化極為困 難。 於有機EL顯示裝置之製造製程中，可應用作為現行量產 製程之使用有全面密接型陰影遮罩之蒸鍍方法的基板尺寸 為1 m見方左右，對於具有其以上之基板尺寸之大型基 板，則難以應對。因此，與大型基板對應之有機層分塗技 術目前尚未確立’從而無法量產60英η寸類型以上之大型有 機EL顯示裝置。 又，一般而言，基板尺寸越大，則可由丨塊基板而形成 之面板數會越多’從而每1塊面板之費用變得便宜。因 此，使用越大型之基板’則可以越低成本製作出有機EL顯 161616.doc 201241197 不裝置㉟而’先前’由於如上所述基板尺寸之制約而無 法實現低成本之有機EL顯示裝置。 十對上述問題’考慮若使基板與陰影遮罩303隔開固定 門隙且朝#向相對移動而進行蒸鑛，則可使陰影遮罩 303之面積小型化。 然而，於如此構成之情形時，會產生如下問題。 即’於基板上，通常存在無需使蒸鑛粒子蒸鑛之區域， 或者可避免蒸链粒子之蒸錄之區域（以下，將該等區域稱 為無需蒸賴域）。例如’其係彙集㈣以與外部電路連 接之端子之連接部（端子部），該端子因與外部電路連接， 故未蒸鐘而露出。 此處，於構成為藉由如上所述之基板與陰影料之相對 移動而自基板之移動方向的一方端部跨及至另一方端部進 ^蒸鍍之凊形時’若上述蒸鍍區域中包含無需蒸鍍區域， 則於形成電阻較大之有機膜作為有機膜之情 :上述連接部（端子部）與上述外部電路之良好的電性^ 接0 $ 因此，考慮若以使用播板阻隔蒸鑛 避免對無«㈣域之蒸錢。 Μ而構成，則可 該情形時’根據陰影遮罩之開口部之形狀等，於 :隔蒸鑛之時間點有時會殘留未實施蒸鑛之區域、或尚夫 凡全結束蒸鍍之區域，對於該區域 早 膜之適當膜厚之問題。 會產生無法確保有機 又’作為其他手段，考岸於 号慮於以後之步驟中藉由有機溶劑 161616.doc 201241197 去除有機膜的手段。然而，該方法中，上述有機溶劑之殘 渣殘留，灰塵混入，而產生製品之可靠性降低之問題。而 且，有機膜之去除步驟相應地會導致步驟增加，製造時間 及製造成本增大。 本發明係鑒於上述問題點而完成者，其目的在於提供一 種既可防止或抑制製品之可靠性降低，又可避免對無需蒸 鍍區域之蒸鍍之被成膜基板及有機el裝置。 [解決問題之技術手段] 為解決上述課題，本發明之被成膜基板係形成有藉由蒸 鍍裝置經由開口部將蒸鍍粒子蒸鍍而成之蒸鍍層者，上述 蒸鍍裝置包括：包含用以射出上述蒸鍍粒子之射出口之蒸 鍍源，及與上述蒸鍍源對向配置、且包含供自上述射出口 射出之上述蒸鍍粒子通過之上述開口部之蒸鍍遮罩；上述 被成膜基板之特徵在於：包含二維排列於像素區域上之複 數個像素、及與各像素電性連接之複數之配線；以上述像 素區域通過與上述開口部對向之區域之方式，使該被成膜 基板相對於上述蒸鍍遮罩朝一方向相對移動，且自上述射 出口射出上述蒸鍍粒子，藉此於包含上述像素區域之上述 蒸鑛層之形成區域形成上述蒸㈣；將上述複數之配線之 各端子於上述蒸鍍層之形成區域外彙集。 根據本發明，藉由使該被成膜基板與蒸鍍遮罩朝一方向 相對移動而形成蒸鍍膜’因此可利用面積較小之蒸鍍遮 罩。藉由如此利用面積較小之蒸鍍遮罩，不會產生伴隨蒸 鍍遮罩之大型化而自重撓曲或延伸之問題，對於大型之基 161616.doc 201241197 板亦可進行蒸鐘層之圖案形成，並且可進行位置精度較高 之圖案形成及高精細化。 又，由於可使用面積較小之蒸鍍遮罩，故而亦可抑制或 避免伴隨蒸鐘遮罩之大型化而使保持有蒸鍵遮罩之框架巨 大化、超重化所產生的問題。 除此之外，於本發明之被成膜基板上中，包含二維排列 有複數個像素之像素區域，並且將與上述像素區域之各像 素電性連接之複數之配線之各端子於上述蒸錢層之形成區 域外彙集。 因此，當使該被成膜基板相對於上述蒸鍍遮罩朝一方向 相對移動且自上述射出口射出上述蒸鍍粒子時，於彙集有 上述複數之配線之端子之區域不會形成蒸鍍層。由此，可 提供一種既能防止或抑制製品之可靠性降低、又能避免對 無需蒸鍍區域之蒸鍍的被成膜基板。 [發明之效果] 如上所述，本發明之被成膜基板係形成有藉由蒸鍍裝置 經由開口部將蒸鍍粒子蒸鍍而成之蒸鍍層者上述蒸鍍裝 置包括：包含用以射出上述蒸鍍粒子之射出口之蒸鍍源， 及與上述蒸鍍源對向配置、且包含供自上述射出口射出之 上述蒸鍍粒子通過之上述開口部之蒸鍍遮罩；該被成膜基 板包含二維排列於像素區域上之複數個像素、及與各像素 電性連接之複數之配線；以上述像素區域通過與上述開口 部對向之區域之方式，使該被成膜基板相對於上述蒸鍍遮 罩朝一方向相對移動，且自上述射出口射出上述蒸錄粒 161616.doc 201241197 子，藉此於包含上述像素區域之上述蒸鍍層之形成區域形 成上述蒸鑛層’將上述複數之配線之各端子於上述蒸鍵層 之形成區域外彙集。 藉此發揮以下效果：可提供—種既能防止或抑制製品之 可靠性降低、又能避免對無需蒸錢區域之蒸鍍的被成膜基 板。 【實施方式】 根據圖1〜圖1 8對本發明之一實施形態進行如下說明。 本實施形態中，作為使用有本實施形態之蒸鍍裝置之蒸 鍍方法之一例，以自TFT基板側提取光之底部發光型rgb 全彩顯示之有機EL顯示裝置之製造方法為例進行說明。 以下，首先對上述有機EL·顯示裝置之全體構成進行說 明。 圖6係表示RGB全彩顯示之有機EL顯示裝置之概略構成 之剖面圖。又，圖7係表示構成圖6所示之有機£]^顯示裝置 之像素之構成之平面圖，圖8係圖6所示之有機示裝置 之TFT基板的A-A線箭視剖面圖。 如圖ό所示’本實施形態中製造之有機el顯示裝置1具有 以下構成：於設置有TFT12(參照圖8)之TFT基板10上，依 序設置有與TFT12連接之有機El元件20、接著層30、及密 封基板40。 如圖6所示’有機EL元件20係藉由使用接著層30將積層 有該有機EL元件20之TFT基板1〇與密封基板40貼合而封入 至該等一對基板（TFT基板10、密封基板40)之間》 161616.doc •10· 201241197 上述有機EL顯示裝置1藉由如此將有機EL元件20封入至 TFT基板1〇與密封基板40之間而防止氧氣或水分自外部侵 入至有機EL元件20。 如圖8所示’ TFT基板10包含例如玻璃基板等透明絕緣 基板11作為支持基板。於絕緣基板11上，如圖7所示，設 置有複數之配線14,該等配線包含敷設於水平方向上之複 數之閘極線14G(參照圖12)、敷設於垂直方向上且與閘極 線14G交又之複數之源極線14S(參照圖12)及電源配線 14V(參照圖12)。於閘極線14G上’連接有驅動閘極線14G 之未圖示之閘極線驅動電路，於信號線上，連接有驅動信 號線之未圖示之信號線驅動電路。以下，對本實施形態之 TFT基板1 〇之配線14之設計態樣進行描述。 有機EL顯示裝置1為全彩主動矩陣型之有機el顯示裝 置’於絕緣基板11上，於由該等配線14包圍之區域中，分 別矩陣狀地排列有包含紅（R)、綠（G)、藍（B)之各色有機 EL元件20的各色子像素2R、2G、2B。 即’由該等配線14包圍之區域為1個子像素（點），每一 個子像素中形成有R、G、B之發光區域。 像素2(即’ 1像素）包含透過紅色光之紅色子像素2r、透 過綠色光之綠色子像素2G、及透過藍色光之藍色子像素 2B之3個子像素2R、2G、2B。 於各子像素2R、2G、2B中，分別設置有藉由條紋狀之 各色發光層23R、23G、23B覆蓋之開口部15R、15G、15B 作為擔任各子像素2R、2G、2B之發光的各色發光區域。 161616.doc 201241197 S亥等發光層23R、23G、23B係對應每一色藉由蒸鍵而圖 案形成。再者，關於開口部15R、15〇、15B，將於以下描 述。 於該4子像素2R、2G、2B中，分別設置有與有機元 件20之第1電極21連接之TFT12。各子像素2R、2g、2B之 發光強度係由配線14及TFT12之掃描及選擇而決定。如 此’有機EL顯示裝置1係藉由使用TFT12使有機EL元件20 選擇性地以所需之亮度發光而實現圖像顯示。 其次，對上述有機EL顯示裝置1之TFT基板10及有機EL 元件20之構成進行詳細描述。 首先’對TFT基板10進行說明。 如圖8所示，TFT基板10具有以下構成：於玻璃基板等 之透明之絕緣基板11上，依序形成有TFT12(開關元件）、 層間膜13 (層間絕緣膜、平坦化膜）、配線丨4、及邊緣罩 15 〇 於上述絕緣基板11上，設置有配線丨4，並且與各子像素 2R、2G、2B對應地分別設置有包含TFT丨2之像素驅動電 路。圖12係表示像素驅動電路之電路構成之圖。 如圖12所示’像素驅動電路包含控制用電晶體Trl、驅 動用電晶體Tr2、及電容器C。 電晶體Trl之源極端子連接於源極線14S。電晶體Tri之 間極端子連接於閘極線14G。電晶體Trl之汲極端子連接於 電晶體Tr2之閘極端子。 電晶體Tr2之源極端子與電源配線14V連接。電晶體Tr2 16I616,doc -12- 201241197 之>及極端子連接於有機EL元件20。 電容器C設置於電晶體Tr2之源極端；ώα %子與電晶體Tr2之閘 極端子之間。電容器C為電壓保持用電容器。 具有此種構成之像素驅動電路争’於資料寫入時，閘極 線14G成為Η(高），因此電晶體Trl導通。藉此，將來自源 極線ms之資料電壓信號寫入至電容器Ce繼而，閘極線 14G成為L(低），因此電晶體Trl斷開。藉此，將電容器c與 源極線14S切斷，電容器C保持資料寫入時所寫入之資料電 壓信號。 電晶體Tr2之電流係由電容器C兩端之電壓之大小而決 定。因此，將與資料電壓信號對應之電流供給至有機EL·元 件。 再者’各像素驅動電路之構成並不限於以上所述。例 如，亦可追加用以補償電晶體Trl、Tr2之特性不均或經年 變化之電路等。隨此，有時會設置除閘極線丨4G、源極線 14S及電源配線14V以外之配線。 層間膜13係以覆蓋各丁!7丁12之方式於上述絕緣基板u上 遍及上述絕緣基板11之整個區域而積層。 於層間膜13上，形成有有機EL元件20之第1電極21。 又’於層間膜13上，設置有用以將有機EL元件20之第1 電極21電性連接於TFti2之接觸孔13a。藉此，TFT12經由 上述接觸孔13a而與有機EL元件20電性連接。 邊緣罩15為如下絕緣層，其藉由於第1電極21之圖案端 部使有機EL層變薄或引起電場集中而用以防止有機el元 161616.doc 201241197 件20之第1電極21與第2電極26短路。 邊緣罩15係於層間膜13上以被覆第1電極21之圖案端部 之方式而形成》 於邊緣罩1 5上’對應每一個子像素2R、2G、2B設置有 開口部1 5 R、15 G、15 B。該邊緣罩15之開口部15 R、 15G、15B成為各子像素2R、2G、2B之發光區域。 換言之’各子像素2R、2G、2B藉由具有絕緣性之邊緣 罩15而隔開。邊緣罩15亦作為元件分離膜而發揮功能。 其次，對有機EL元件20進行說明。 有機EL元件20為可藉由低電壓直流驅動而進行高亮度發 光之發光元件’其依序積層有第1電極21、有機eL層、及 第2電極26。 第1電極21為具有將電洞注入（供給）至上述有機el層之 功旎之層。第1電極21如上所述經由接觸孔13a而與τρΤ12 連接。 於第1電極21與第2電極26之間，如圖8所示具有以下構 成：自第1電極21側依序形成有電洞注入層兼電洞輸送層 22發光層23R、23G、23B、電子輸送層24、及電子注入 層25作為有機EL層。 再者，上述積層順序係將第丨電極21作為陽極，且將第2 電極26作為陰極者，於將第2電極21作為陰極，且將第2電 極26作為陽極之情形時，有機EL層之積層順序反轉。 電洞注入層為具有提高對發光層23R、23G、23B之電洞 /主入效率之功能之層。又，電洞輸送層為具有提高對發光 I6I616.doc •14· 201241197 層23R、23G、23B之電洞輸送效率之功能之層。電洞注入 層兼電洞輸送層22係以覆蓋第1電極21及邊緣罩丨5之方式 均勻地形成於上述TFT基板1〇之整個顯示區域上。 再者’本實施形態中，如上所述，作為電洞注入層及電 洞輸送層’以設置有使電洞注入層與電洞輸送層一體化之 電洞注入層兼電洞輸送層22之情形為例進行說明。然而， 本實施形態並不限定於此。電洞注入層與電洞輸送層亦可 作為彼此獨立之層而形成。 於電洞注入層兼電洞輸送層22上，以覆蓋邊緣罩丨5之開 口部15R、15G、15B之方式分別與子像素2r、2G、⑸對 應地形成有發光層23R、23G、23B。 發光層23R、23G、23B為具有使自第1電極η側注入之 電洞（hole)及自第2電極26側注入之電子再結合而出射光之 功能的層。發光層23R、23G、23B分別由低分子螢光色 素、金屬錯合物等發光效率較高之材料而形成。 電子輸送層24為具有提高自第2電極26向發光層23R、 23G、23B之電子輸送效率之功能的層。又，電子注入層 25為具有提高自第2電極26向電子輸送層24之電子注入效 率之功能的層。 電子輸送層24係以覆蓋發光層23R、23G、23B及電洞注 入層兼電洞輸送層22之方式，於該等發光層23r、23G、 23B及電洞注入層兼電洞輸送層22上，遍及上述tft基板 ίο之整個顯示區域而均勻地形成。又，電子注入層25係以 覆蓋電子輸送層24之方式，於電子輸送層24上’遍及上述 16l6l6.doc 15 201241197 TFT基板l〇之整個顯示區域而均勻地形成。 再者’電子輸送層24與電子注入層25可如上所述作為彼 此獨立之層而形成’亦可彼此一體化而設置。即，上述有 機EL顯示裝置丨亦可包含電子輸送層兼電子注入層而代替 電子輸送層24及電子注入層25。 第2電極26為具有將電子注入至由如上所述之有機層所 構成之有機EL層之功能的層。第2電極26以覆蓋電子注入 層25之方式，於電子注入層25上，遍及上述TFT基板1〇之 整個顯示區域而均勻地形成。 再者’除發光層23R、23G、23B以外之有機層作為有機 EL層並非為必需之層’根據所要求之有機el元件2〇之特 性而適當形成即可。又，於有機EL層上，根據需要，亦可 追加載子阻擋層。例如，於發光層23R、23G、23B與電子 輸送層24之間追加電洞阻擋層作為載子阻擋層，藉此可阻 止電洞穿進電子輸送層24,提高發光效率。 作為上述有機EL元件20之構成，可採用例如下述（1)〜 (8)所示之層構成。 (1) 第1電極/發光層/第2電極； (2) 第1電極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/第2電極； (3 )第1電極/電洞輸送層/發光層/電洞阻擋層（載子阻擋 層V電子輸送層/第2電極； (4) 第1電極/電洞輸送層/發光層/電洞阻擒層/電子輸送層/ 電子注入層/第2電極； (5) 第1電極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/ 161616.doc •16· 201241197 電子注入層/第2電極； (6) 第1電極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電洞阻擋層/ 電子輸送層/第2電極； (7) 第1電極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電洞阻擋層/ 電子輸送層/電子注入層/第2電極； (8) 第1電極/電洞注入層/電洞輸送層/電子阻擋層（載子阻 擋層）/發光層/電洞阻擋層/電子輸送層/電子注入層/第2電 極。 再者，如上所述，例如亦可將電洞注入層與電洞輸送層 一體化。又，亦可將電子輸送層與電子注入層一體化。 又，有機EL元件20之構成並不限於上述例示之層構成， 如上所述，根據所要求之有機EL元件2 〇之特性而可採用所 需之層構成。 其次，以下對上述有機EL顯示裝置1之製造方法進行說 明。 圖9係以步驟順序表示上述有機EL顯示裝置丨之製造步驟 之流程圖。 如圖9所示，本實施形態之有機EL顯示裝置】之製造方法 包含例如：TFT基板、第1電極製作步驟（s 〇 ;電洞注入 層、電洞輸送層蒸鍵構成（S2);發光層蒸錢步驟（S3);電 子輸送層蒸链步驟（S4)’電子注入層蒸鑛步驟（S5);第2電 極蒸鍍步驟（S6);及密封步驟（S7)。 以下，按照圖9所示之流程圖’參照圖7及圖8對上述各 步驟進行說明。 161616.doc 201241197 但，本實施形態中記載之各構成要素之尺寸、材質、形 狀等只不過為一實施形態，不應藉此而將本發明之範圍加 以限定解釋。 又，如上所述’本實施形態中記載之積層順序係將第丄 電極21作為陽極且將第2電極26作為陰極者，相反，於將 第1電極21作為陰極且將第2電極26作為陽極之情形時，有 機EL層之積層順序反轉。同樣地，構成第1電極21及第2電 極2 6之材料亦反轉。 首先，如圖8所示，公知之技術係於形成有TFT12及配 線14等之玻璃等絕緣基板11上塗佈感光性樹脂，藉由光微 影技術而進行圖案化’以此於絕緣基板11上形成層間膜 13 ° 作為上述絕緣基板11，使用例如厚度為〇.7〜丨.1 mm、y 轴方向之長度（縱長度）為400〜500 mm、x軸方向之長度 (橫長度）為300〜400 mm之玻璃基板或者塑膠基板。再 者，本實施形態中，使用玻璃基板。 作為層間膜1 3 ’可使用例如丙烯酸樹脂或聚醯亞胺樹脂 等。作為丙烯酸樹脂，可舉出例如JSR股份有限公司製之 Optomer Series。又，作為聚醯亞胺樹脂，可舉出例如 Tor ay股份有限公司製之ph〇t〇neece Series。其中，聚醯亞 胺樹脂一般為不透明、有色。因此，於製造如圖8所示底 部發光型之有機EL顯示裝置作為上述有機EL顯示裝置1之 情形時’作為上述層間膜丨3，更適宜使用丙烯酸樹脂等之 透明性樹脂。 161616.doc •18· 201241197 作為上述層間膜13之膜厚，可補償*TFT12產生之階差 即可，並無特別限定。本實施形態中，例如設為約2 pm。 其次，於層間膜13上，形成用以將第i電極21與丁打12 電性連接之接觸孔13 a。 其次，將例如ITO(IndiUm Tin Oxide :氧化銦錫）膜藉由 濺鍍法等以100 nm之厚度成膜而作為導電膜（電極膜）。 其次，於上述ITO膜上塗佈光阻劑，使用光微影技術進 行圖案化之後，將氣化鐵作為蝕刻液而蝕刻上述ιτ〇膜。 其後’使用光阻劑剝離液剝離光阻劑，進而進行基板清 洗。藉此，於層間膜13上，以矩陣狀形成第丨電極21。 再者’作為用於上述第1電極21之導電膜材料，可使用 例如ITO、IZO(Indium Zinc Oxide :氧化銦辞）、添加鎵之 氧化鋅（GZO)等之透明導電材料；金（Au)、鎳（Ni)、鉑（pt) 等之金屬材料。 又，作為上述導電膜之積層方法，除濺鍍法以外，可使 用真工蒸鑛法、CVD(chemical vapor deposition，化學氣 相沈積）法、電漿CVD法、印刷法等。 作為上述第1電極21之厚度並無特別限定，但可如上所 述設為例如1 〇〇 nm之厚度。 其次，與層間膜13同樣地，以例如約丨μηι之膜厚而圖案 化形成邊緣罩15。作為邊緣罩15之材料，可使用與層間膜 13相同之絕緣材料。 根據以上步驟，製作TFT基板1〇及第1電極21 (S1)。 其次’對經如上所述之步驟後之TFT基板10實施用於脫 161616.doc •19· 201241197 水之減壓烘烤、及作為第1電極21之表面清洗之氧電漿處 理。 其次’使用先前之蒸鍍裝置，於上述TFT基板1〇上，將 電洞注入層及電洞輸送層（本實施形態中電洞注入層兼電 洞輸送層22)蒸鍍於上述TFT基板1〇之整個顯示區域（!52)。 具體而言，將整個顯示區域開口之打開式遮罩相對於 TFT基板1 〇進行對準調整後使其密接並貼合，一面使『FT 基板10與打開式遮罩一併旋轉’一面使自蒸锻源飛散之蒸 鍵粒子通過打開式遮罩之開口部而均勻地蒸鍍於整個顯示 區域。 此處所謂對整個顯示區域之蒸鍍，係指遍及鄰接之顏色 不同之子像素間不間斷地進行蒸鍍。 作為電洞注入層及電洞輸送層之材料，可舉出例如：苯 炔.、苯乙稀胺、三苯基胺、.〇卜琳、三β坐、B米β坐、号二^坐、 聚方基院煙、苯二胺、芳基胺、I»号嗤、蒽、苐酮、膝、 芪、聯伸三苯、氮雜聯伸三苯、及該等之衍生物、聚石夕烧 系化合物、乙烯基咔唑系化合物、噻吩系化合物、笨胺系 化合物等之鏈狀式共軛系之單體、寡聚物、或聚合物等。 電洞注入層與電洞輸送層可如上所述一體化，亦可作為 獨立之層而形成。作為各自之膜厚，例如為丨〇〜丨〇〇 nm。 本實施形態中，設置有電洞注入層兼電洞輸送層22作為 電洞注入層及電洞輸送層，並且使用4,4，-雙[N-(l-萘基）一 N-笨胺基]聯苯（α-NPD)作為電洞注入層兼電洞輸送層22之 材料。又，電洞注入層兼電洞輸送層22之膜厚設為3〇 161616.doc -20- 201241197 其次，於上述電洞注入層兼電洞輸送層22上，以覆蓋邊 緣罩15之開口部15R、15G、15B之方式，與子像素2R、 2G、2B對應地分別分塗形成（圖案形成）發光層23R、 23G、23B(S3)。 如上所述，對於發光層23R、23G、23B，可使用低分子 螢光色素、金屬錯合物等之發光效率較高之材料。 作為發光層23R、23G、23B之材料，可舉出例如葱、 萘、茚、菲、芘、稠四苯、聯伸三苯、蒽、花、茜、癸 蒽、乙烯合菲、戊芬（pentaphene)、稠五苯、寇、丁二 烯、香豆素、吖啶、芪、及該等之衍生物、三（8羥基喹 啉）鋁錯合物、雙（羥基苯并喹啉）鈹錯合物、三（二苯甲酿 基曱基）啡啉銪錯合物、二甲苯甲醯基乙烯基聯笨等。 作為發光層23R、23G、23B之膜厚，例如為1〇〜ι〇〇 nm ° 本實施形態之蒸鍍方法及蒸鍍裝置尤其可適宜用於分塗 形成（圖案形成）上述發光層23R、23G、。 關於使用有本實施形態之蒸鍍方法及蒸鍍裝置之發光層 23R、23G、23B的分塗形成，將於以下詳細描述。 其次，藉由與上述電洞注入層、電洞輸送層^㈣ (S2)相同之方法，將電子輸送層24以覆蓋上述電洞2入層 兼電洞輸送層22及發光層23R、23G、23B之方式蒸妙； 述TFT基板10之整個顯示區域（S4) β ;上 繼而’藉由與上述電洞注入層、電洞輸送層蒸錢步驟 161616.doc •21· 201241197 (S2)相同之方法，將電子注入層25以覆蓋上述電子輪送層 24之方式蒸鍍於上述tft基板1〇之整個顯示區域（S5)。 作為電子輸送層24及電子注入層25之材料，可舉出例 如.二（8-經基喧琳）鋁錯合物、p号二。坐衍生物、三唾衍生 物、苯基喹嘮啉衍生物、矽雜環戊二烯衍生物等。 具體而言’可舉出Alq(三（8_羥基喹啉）鋁）、蒽萘、 菲、疙、蒽、茈、丁二烯、香豆素、吖啶、芪、^0·啡 琳、及該等之衍生物或金屬錯合物、LiF等。 如上所述電子輸送層24與電子注入層25既可一體化亦可作 為獨立之層而形成。作為各自之膜厚，例如為i〜1〇〇 又，電子輸送層24及電子注入層25共計之膜厚為例如 20〜200 nm 〇 本實施形態中，使用Alq作為電子輸送層24之材料，使 用LiF作為電子注入層25之材料。又，電子輸送層24之膜 厚設為30 nm，電子注入層25之膜厚設為lnm。 其次，以與上述電洞注入層、電洞輸送層蒸鍍步驟（S2) 相同之方法，將第2電極26以覆蓋上述電子注入層25之方 式蒸鍍於上述TFT基板10之整個顯示區域（S6)。 作為第2電極26之材料（電極材料），宜使用功函數較小 之金屬等。作為此種電極材料，可舉出例如鎂合金（MgAg 等）、紹合金（AlLi、AICa、AlMg等）、金屬鈣等。第2電極 26之厚度例如為50〜1〇〇 nm ° 本實施形態中，以50 nm之膜厚形成鋁作為第2電極26。 藉此，於TFT基板10上，形成包含上述有機虹層、第1電 161616.doc -22- 201241197 極21、及第2電極26之有機EL元件20。 其次’如圖6所示，以接著層30將形成有有機EL元件20 之TFT基板10與密封基板4〇貼合，進行有機EL元件20之封 入0 作為上述密封基板40，可使用例如厚度為〇.4〜μ mm 之玻璃基板或塑膠基板等之絕緣基板。另外’本實施形態 中’使用玻璃基板。 再者，密封基板40之縱長度及橫長度可根據目標有機eL 顯不裝置1之尺寸而適當調整’亦可使用與TFT基板1〇之絕 緣基板11大致相同尺寸之絕緣基板來密封有機]£]^元件2〇之 後’根據目標有機EL顯示裝置1之尺寸而分割。 再者，作為有機EL元件20之密封方法，並不限於上述方 法。作為其他密封方式，可舉出例如使用刻蝕玻璃作為密 封基板40，藉由密封樹脂或玻璃料等而以框狀進行密封之 方法，或者於TFT基板1〇與密封基板4〇之間填充樹脂之方 法等上述有機EL顯示裝置1之製造方法並不依賴於上述 在、封方法’可使用任何密封方法。 =，於上述第2電極26上，亦可以覆蓋該第2電極％之方 式没置阻止氧氣或水分自外部侵入至有機EL元件20内之未 圖示的保護膜。 ^述保護臈由絕緣性或導電性之材料而形成。作為此種 材料’可舉4例如I切或氧切。又，上錢護膜之厚 度例如為100〜1000 nm。 藉由上述步驟而完成有機EL顯示裝置1。 161616.doc •23- 201241197 於此種有機EL顯示裝置1中，藉由來自配線14之信號輸 入而使TFT12導通（電晶體Tri、Tr2均導通），自第1電極21 向有機EL層注入電洞。另一方面，自第2電極26向有機EL 層注入電子’電洞與電子於發光層23R、23G、23B内再結 合》再結合後之電洞及電子於能量失去活性時，作為光而 出射。 於上述有機EL顯示裝置丨中，藉由控制各子像素2r、 2G、2B之發光亮度而顯示特定之圖像。 其次，對本實施形態之蒸鍍裝置之構成進行說明。 圖1係自被成膜基板之背面側（亦即與蒸鍍面相反之側） 觀察本實施形態之蒸鍍裝置之真空腔室内之被成膜基板與 遮罩單元的平面圖。再者，為方便圖示，圖，被成膜 基板以雙點畫線表不。又，圖2係本實施形態之蒸鍍裝置 之真空腔室内之主要構成要素之俯視圖。圖3係模式性表 示本實施形態之蒸錄裝置之主要部分之概略構成之剖面 圖。再者，圖3相當於自圖w示之b_b線箭視剖面觀察時 的蒸鍍裝置之剖面。圖4係表示本實施形態之蒸鍍裝置之 構成之一部分之方塊圖。 如圖3所示，本實施形態之蒸鍍裝置兄包含：真空腔室 60(成膜腔室）、基板移動機構7〇(基板移動手段、移動手 段）、遮罩單元80、影像感測器9〇、及控制電路ι〇〇(參照圖 4)。 於上述真空腔室6〇内，如圖3所示，設置有基板移動機 構70及遮罩單元80。 161616.doc -24· 201241197 再者’於上述真空腔室60上’為使蒸鍵時該真空腔室6〇 内保持為真空狀態，設置有經由設置於該真空腔室6〇上之 未圖示之排氣口而對真空腔室60内進行真空排氣之未圖示 的真空泵。 上述基板移動機構70包含例如保持被成膜基板2〇〇(例如 TFT基板10)之基板保持構件71(基板保持手段）、及馬達 72(參照圖4)。 上述基板移動機構7 0藉由基板保持構件71而保持被成膜 基板200 ’並且藉由下述馬達驅動控制部1〇3(參照圖4)而驅 動馬達72，由此保持被成膜基板200並使其沿水平方向移 動。再者，上述基板移動機構70可設置成於X軸方向及y軸 方向上均可移動，亦可設置於其中任一方向上可移動。 對於上述基板保持構件7 1，使用靜電吸盤。被成膜基板 200係藉由上述靜電吸盤於不存在由自重引起之撓曲之狀 態下將被成膜基板200與上述遮罩單元8〇申之下述陰影遮 罩81間的間隙gi(空隙、垂直間距離）保持為固定。 上述被成膜基板200與陰影遮罩81之間的間隙gl較佳為 50 μηι以上、3 mm以下之範圍内’更佳為2〇〇 μιη左右。 於上述間隙gl未滿50 μπι之情形時，被成膜基板2〇〇與陰 影遮罩81接觸之虞變高。 另方面，若上述間隙g 1超過3 mm，則通過陰影遮罩 81之開口部82之蒸鍍粒子會擴散，使形成之蒸鍍膜21丨之 圖案寬度變得過寬。例如於上述蒸鍍膜211為發光層23r之 隋形時，右上述間隙gl超過3 mm，則有於鄰接子像素即子 161616.doc •25- 201241197 像素2G、2B之開口部15(}、15B上亦蒸鍍發光層23R之材 料之虞。 又，若上述間隙gl為200 μιη左右，則既無被成膜基板 200與陰影遮罩81接觸之虞，且亦可充分減小蒸鑛膜2Η之 圖案寬度之擴展。 又，如圖3所示，遮罩單元80包含：陰影遮罩81(蒸鍍遮 罩、遮罩）、蒸鍍源85、遮罩保持構件87(保持手段）、遮罩 張力機構88、及擋板89(參照圖4)。 作為上述陰影遮罩81，可使用例如金屬製之遮罩。 上述陰影遮罩81之面積小於被成膜基板2〇〇之蒸鑛區域 210 ’且其至少1邊形成得比被成膜基板2〇〇之蒸鍵區域21〇 之寬度短》 本實施形態中，使用具有以下大小之矩形狀（帶狀）之陰 影遮罩作為上述陰影遮罩81。上述陰影遮罩81如圖1所 示’其長度方向（長軸方向）之長度即長邊81a之寬度dl形成 為比蒸鍍區域210中之與上述陰影遮罩81之長邊81 a對向之 邊（圖1所示之例中蒸鍍區域210之長邊210a)的寬度d3長。 又’上述陰影遮罩81之寬度方向（短轴方向）之長度即短邊 81b之寬度d2形成得比蒸鍍區域210中之與上述陰影遮罩81 之短邊81b對向之邊（圖1所示之例中蒸鍍區域21〇之短邊 210b)的寬度d4短。 於上述陰影遮罩81上，如圓1及圖2所示，沿一維方向排 列設置有複數個例如帶狀（條紋狀）之開口部82(貫通口）。 上述開口部82例如在分塗形成TFT基板10上之發光層 161616.doc -26· 201241197 23R 23G、23B作為於被成膜基板200上圖案形成蒸鑛膜 211(參照圖3)之情形時，使該等發光層23R、MG、23B之 同色行之尺寸與間距吻合而形成。 又’於上述陰影遮罩81上’如圖1所示，例如沿著被成 膜基板200之掃描方向（基板掃描方向）設置有對準標記部 83，於該對準標記部83上，設置有用以進行被成膜基板 200與陰影遮罩81之位置對準（對準）的對準標記84(參照圖 3)。 本實施形態中’上述對準標記部83如圖1所示係沿著上 述陰影遮罩81之短邊81 b(短轴）而設置。 又’作為如上所述之陰影遮罩81，使用其長邊81a之寬 度dl比蒸鍍區域210中之對向之邊的寬度d3長、且短邊8 lb 之寬度d2比蒸鍍區域210中之對向之邊的寬度料短之陰影 遮罩，藉此可於其長度方向兩側部（亦即，兩短邊8丨b、 8 lb)上形成對準標記部83。因此，可容易且更精密地進行 對準。 另一方面’於被成膜基板2〇〇上，如圖1所示，於蒸鑛區 域210之外側’沿著被成膜基板2〇〇之掃描方向（基板掃描 方向）設置有對準標記部220 ’於該對準標記部220上，設 置有用以進行被成膜基板200與陰影遮罩81之位置對準之 對準標記221(參照圖3) » 本實施形態中’上述對準標記部220如圖1所示係沿著被 成膜基板200之蒸鍍區域210之短邊2l〇b(短軸）而設置。 實施形態中’上述條紋狀之開口部82係沿著基板掃描方 161616.doc •27· 201241197 向即陰影料81之短邊方向而延設，並且在與基板掃描方 向正交之陰影遮罩81之長邊方向上排列設置有複數個。 蒸鍍源85例如為於内部收容有蒸鍍材料之容器，如圖i 斤示使其與陰影遮罩81之間具有固定之間隙空 隙）（亦即，分開固定距離）而對向配置。 再者，上述蒸鍍源85可為於容器内部直接收容蒸鍍材料 之容器’亦可為具有承載式配管之容器。 上述蒸鍍源85包含例如朝上方射出蒸鍍粒子之機構。 上述蒸鍍源85之與陰影遮罩81之對向面上，具有使上述 蒸鍍材料作為蒸鍍粒子而射出（飛散）之複數個射出口 86。 本實施形態中，如上所述將蒸鍍源85配置於被成膜基板 2〇〇之下方，被成膜基板2〇〇於上述蒸鍍區域21〇朝下方之 狀’!·、下藉由基板保持構件71而保持。因此，本實施形態 中，蒸鍍源85經由陰影遮罩81之開口部82而使蒸鍍粒子自 下方朝上方蒸鐘於被成膜基板2〇〇上（向上堆積，以下，記 作「上堆」）。 上述射出口 86如圖1及圖2所示，以於陰影遮罩81之開口 區域開口之方式，分別與陰影遮罩8 j之開口部82對向而設 置。本實施形態中’上述射出口 86係與陰影遮罩81之開口 部82對向地沿著陰影遮罩8丨之開口部82之並排設置方向而 一維排列。 因此，如圖1及圖2所示’自被成膜基板2〇〇之背面側觀 察（亦即俯視）時，上述蒸鍍源85之與陰影遮罩81對向之面 (即’射出口 86之形成面）例如相應於矩形狀（帶狀）之陰影 161616.doc •28- 201241197 遮罩81之形狀而形成為矩形狀（帶狀）。 於上述遮罩單元咐’上述陰影遮罩81與蒸鍍源μ之相 Π置被固疋。即，上述陰影遮罩81與上述蒸鍵源Μ之射 出口 86之形成面之間的間隙g2始終保持為固定並且上述 陰影遮罩81之開口部82之位置與上述蒸鍍源85之射出口％ 之位置始終具有相同位置關係。 再者，自上述被成膜基板200之背面觀察上述遮罩單元 8〇(亦即俯視）時，上述蒸鍍源85之射出口％以位於上述陰 影遮罩81之開口部82之中央的方式而配置。 例如圖3所示，上述陰影遮罩81與蒸鍍源以設置於經由 遮罩張力機構88而保持、固定上述陰影遮罩81及蒸鍍源以 之遮罩保持構件87(例如相同的固持器），藉此得以一體 化，以此保持、固定其相對位置。 又’陰影遮罩81以藉由遮罩張力機構88施加張力 (tension)而不會產生由自重引起之撓曲或延伸之方式得以 適當調整。 如上所述’於上述蒸鍵裝置50中，由基板保持構件 71(靜電吸盤）將被成膜基板200吸附於吸附板上以防止由自 重引起之撓曲，且由遮罩張力機構88對陰影遮罩81施加張 力’藉此’遍及被成膜基板200與陰影遮罩si在平面上疊 合之區域之整個面而將被成膜基板2〇〇與陰影遮罩81之距 離保持為固定。 又’擋板8 9係為了控制蒸鑛粒子到達陰影遮罩81而視需 要使用。根據下述之來自蒸鍍開/關控制部1 〇4(參照圖4)之 161616.doc •29· 201241197 蒸鑛關信號或者蒸㈣信號，藉由擋板驅動控制部ι〇5(參 照圖4)而關閉或打開擋板89。 上述擋板89例如可進退（可插入）地設置於陰影遮罩“與 蒸鍍源85之間。擋板89藉由插入至陰影遮罩8丨與蒸鍍源85 之間而關閉陰影遮罩81之開口部8 2。 再者，對於上述蒸鍍裝置50,亦可為以下構成：自蒸鍍 源85飛散之蒸鍍粒子以飛散至陰影遮罩81内之方式得以調 整，且將飛散至陰影遮罩81外之蒸鍍粒子藉由保護板（遮 蔽板）等適當去除。 又，於上述真空腔室60之外側，設置有例如包含 CCD(Charge-C〇Upled Device，電荷搞合元件）之影像感測 器90(參照圖4)作為攝像手段（圖像讀取手段），並且設置有 與上述影像感測器90連接之控制電路1 〇〇作為控制手段。 上述影像感測器9 0係作為用以進行被成膜基板2 〇 〇與陰 影遮罩81之位置對準之位置檢測手段而發揮功能。 又’控制電路100包含：圖像檢測部1 〇 1、運算部〗〇2、 馬達驅動控制部103、蒸鍍開/關控制部1 〇4、及擋板驅動 控制部105。 如上所述，於被成膜基板200上，如圖1所示，於蒸鍵區 域210之外侧’例如沿著基板掃描方向而設置有對準標記 部220，於該對準標記部220上，設置有對準標記22 i。 圖像檢測部1〇1根據由影像感測器90所取入之圖像，進 行設置於被成膜基板200上之對準標記221及陰影遮罩81之 對準標記84的圖像檢測，並且根據設置於被成膜基板2〇〇 161616.doc •30· 201241197 上之對準標記221中之表示蒸鍍區域210之始端的始端標 記、及表示蒸鍍區域21〇之終端的終端標記，檢測被成膜 基板200之蒸鍍區域210之始端及終端。 再者，上述始端標記與終端標記亦可為相同者。該情形 時，於基板掃描方向上，判斷蒸鍍區域21〇之始端或終 端。 又，上述運算部102由圖像檢測部1〇1所檢測之圖像而決 定被成膜基板200與陰影遮罩81之相對移動量（例如被成膜 基板200相對於陰影遮罩8丨之移動量）。例如，上述運算部 102計算對準標記221與對準標記84之偏移量卜軸方向及乂 軸方向上之偏移成分、及xy平面上之旋轉成分），計算並 決定被成膜基板200之基板位置之修正值。亦即，上述修 正值係藉由在相對於基板掃描方向而垂直之方向及被成膜 基板200之旋轉方向上之運算而決定。 再者，此處，所謂被成膜基板之旋轉方向，係表示將被 成膜基板200之被成膜面之中心處的2軸作為旋轉軸之巧平 面内之旋轉之方向。 將上述修正值作為修正信號而輸出至馬達驅動控制部 1 03 ’馬達驅動控制部1 〇3根據來自上述運算部丨〇2之修正 信號而驅動與基板保持構件71連接之馬達72，以此修正被 成膜基板200之基板位置。 再者’關於使用有對準標記84 ' 221之基板位置修正， 與對準標記8 4、2 21之形狀例一併於以下描述。 馬達驅動控制部！03藉由驅動馬達72而使被成骐基板2〇〇 161616.doc -31 · 201241197 如上所述沿水平方向移動。 蒸鍍開/關控制部104於由圖像檢測部ι〇ι檢測出蒸錄區 域210之終端時，產生蒸鑛關_信號，力由圖像檢測部 101檢測出蒸㈣域210之始端時，產生蒸錢開㈣信號。 擋板驅動控制部105於自上述蒸链開/關控制部ΗΜ輸入 蒸鑛關信號時，關閉擋板89，另一方面，於自上述蒸鐘開/ 關控制部104輸入蒸鍍開信號時，打開擋板的。 其-人，對使用有對準標記84、22丨之基板位置修正及對 準標記84、221之形狀例進行說明。 圖5之（a)〜（c)中圖示有上述對準標記84、221之形狀之 一例。再者，圖5之（b)、（c)分別為方便圖示而將並排配置 之對準標記84、221中之僅2個摘出圖示。 運算部102根據由圖像檢測部1 〇丨所檢測之對準標記84、 221之圖像’測定（計算）χ軸方向上之對準標記84、221之端 部（外緣部）間的距離r及y軸方向上之對準標記84、22丨之端 部（外緣部）間的距離q，以此計算對準之偏移量並計算基板 位置之修正值。 例如，於基板掃描方向為X軸方向之情形時，圖5之（3)〜 (c)中’ r為基板掃描方向之上述端部間的距離，q為與基板 掃描方向垂直之方向之上述端部間的距離。運算部1〇2例 如於被成膜基板200之蒸鑛區域210之兩側測定（計算）距離r 及距離q，由此計算基板掃描時之對準之偏移量。 再者’本實施形態中’如下所述，以一面掃描被成膜基 板200 一面進行陰影遮罩81與被成膜基板200之對準之情形 161616.doc -32- 201241197 為例而進行說明，但並不限於此，亦可於基板掃描前進行 充分之對準，且於基板掃描中不進行對準。 例如，如下述實施形態所示，考慮使被成膜基板2〇〇沿 著被成膜基板200之蒸鍍區域210之一邊（例如，圖5之（a)〜 (c)中y軸方向）移動之後，沿著與上述邊正交之邊（例如， 圖5之（a)〜（c)中X軸方向）而移動。該情形時，圖5之（a)〜 (c)中，r為與基板掃描方向垂直之方向之上述端部間的距 離，q為被成膜基板200之移動方向（位移方向）之上述端部 間的距離。 該情形時，運算部102測定四角之對準標記處之距離1_與 距離q，以此計算基板掃描開始時之對準之偏移量與被成 膜基板200移動（位移）時之對準之偏移量。 再者，如圖5之⑷〜（c)所示，對準標記84、221之形狀 可為帶狀，亦可為正方形等之矩形狀，亦可為框狀、十字 狀等。對準標記84、221之形狀並無特別限定。 又，如上所述，於基板掃描前進行充分之對準、且於基 板掃描步驟中不進行對準之情形時，無需沿著被成膜基板 2〇〇之蒸鍍區域210之側面而配置對準標記221，將其配置 於被成膜基板200之四角等處即可。 其人對將本貫施形態之上述蒸鍍裝置5〇用作有機el顯 不裝置1之製造裝置而圖案形成有機EL層的方法進行詳細 描述。 再者於以下說明中’以如下情形為例進行說明：如上 所述，將上述電洞注人層、電洞輸送層諸步驟（s2)結束 161616.doc •33- 201241197 之階段之TFT基板10用作被成膜基板200 ,且將發光層蒸鍍 步驟（S3)中進行發光層23R、23G、23B之分塗形成作為有 機EL層之圖案形成。 再者，本實施形態中，將蒸鍍源85與陰影遮罩81之間的 間隙g2(即’蒸鍍源85之射出口 86形成面與陰影遮罩81之 間的距離）設為1〇〇 mm ’將作為被成膜基板2〇〇之上述TFT 基板1 〇與陰影遮罩81之間的距離設為2〇〇 μιη。 關於上述TFT基板10之基板尺寸，在掃描方向上設為 3 20 mm ’在與掃描方向垂直之方向上設為4〇〇爪瓜，關於 蒸鍵區域（顯示區域）之寬度，掃描方向之寬度（寬度d4)設 為260 mm，與掃描方向垂直之方向之寬度（寬度d3)設為 310 mm。 又，上述TFT基板10上之各子像素2R、2G、2]8之開口部 15R、15G、15B的寬度設為360 μιη(掃描方向）χ9〇 μιη(與掃 描方向垂直之方向）。又，上述開口部15R、15G、UR間 之間距設為480 μιη(掃描方向）χΐ60 μιη(與掃描方向垂直之 方向）。再者，上述開口部15R、15G、15Β間之間距（像素 開口部間之間距）表示相鄰之子像素2r、2G、2B各自之開 口部15R、15G、15B間的間距，並非同色子像素間之間 距。 又，對於陰影遮罩81，使用長邊81 a(長軸方向）之寬度 dl(與掃描方向垂直之方向之寬度）為6〇〇 mm、短邊81b(短 轴方向）之寬度d2(掃描方向之寬度）為2〇〇 陰影遮 罩。又’陰影遮罩81之開口部82之開口寬度設為15〇 161616.doc • 34 · 201241197 mm(長軸方向之寬度d5，參照圖l)xl30 μιη(短軸方向之寬 度d6，參照圖1) ’相鄰之開口部82、82間之間隔d8(參照圖 1)設為350 μηι，相鄰之開口部“、82之中心間之間距〆參 照圖丨）設為480 μιη。 再者，本實施形態中，作為上述陰影遮罩81之短邊81匕 寬度d2(短邊長）’較佳為200 mm以上。其理由如下。 亦即，蒸鍍速率較佳為1〇 nm/s以下，若超過1〇 ， 則蒸鍍而成之膜（蒸鍍膜）之均勻性下降，有機特性下 又，泰鍍膜之膜厚-般為1〇〇 nm以下。若為1〇〇⑽以 H之;5&加電壓變向’其結果導致製造出的有機 顯示裝置之消耗電力增加。因此，根據蒸錢速率與蒸鍍膜 之膜厚而估計必要之蒸鍵時間為1〇秒。 另-方面’由於處理能力(工作時間)之限制，例如為了 二5。二完成對寬度2 m之玻璃基板之蒸鍍，必需使掃描速 為13·3 _/3以上。處理時間150秒為約每一天可處 理570塊之工作時間。 於上述掃描速度下，立7從巧， n , ,¾. ^ ™ 獲仔如上所述10秒之蒸鍍時 B 去衫遮罩81之開口部a必| > ⑴mm以上。 M24於知描方向上開口至少 於假定自開口部82之端 Γ蠢鎿眘庙π ▲ 陰〜遮罩81之端為止的距離 ^緣寬度d7,參照圖υ為3Q随左右較為妥當之情形時， 陰影遮181 < _財肖 贿。 度义需為133 + 30 + 30与200 i61616.doc
S 35- 201241197 因此，可以說陰影遮罩81之短邊長（寬度d2)較佳為200 mm以上。但是，若蒸鍍速率、蒸鍍膜之膜厚、工作時間 之容許量發生變化，則並不限於此。 又’本實施形態中，上述TFT基板10之掃描速度設為30 mm/s 〇 圖1〇係表示使用本實施形態之蒸鍍裝置50於TFT基板1〇 上成膜特定之圖案之方法之一例的流程圖。 以下’按照圖10所示之流程，對使用上述蒸鍍裝置5〇而 成膜圖8所示之發光層23R、23G、23B之方法具體地進行 說明。 首先’如圖3所示，使用遮罩保持構件87，經由遮罩張 力機構88將陰影遮罩81設置（固定）於真空腔室6〇内之蒸鍍 源85上’為了不產生由自重引起之撓曲或延伸，由遮罩張 力機構88施加張力而將陰影遮罩8丨水平地保持。此時，藉 由遮罩保持構件8 7將蒸鍍源8 5與陰影遮罩8丨之間之距離保 持為固定，與此同時，以使基板掃描方向與形成於陰影遮 罩8 1上之條紋狀之開口部82之長轴方向一致的方式使用 陰影遮罩81之對準標記84進行位置對準，以此組裝遮罩單 元80(遮罩單元之準備）。 其次’將TFT基板10投入至上述真空腔室6〇中，以使該 T基板10之同色子像素行之方向與基板掃描方向一致的 方式，使用作為被成膜基板200之TFT基板10之對準標記 221，如圖1〇所示進行粗對準（su) ^ TFT基板⑺為了不產 生由自重引起之撓曲而由基板保持構件71保持。 161616.doc •36· 201241197 繼而’以使TFT基板10與陰影遮罩81之間之間隙gl(基 板-遮罩間隙）成為固定的方式進行間隙調整，使TFT基板 10與陰影遮罩81對向配置，藉此進行TFT基板10與陰影遮 罩81之位置對準（s 13)。本實施形態中，以使TFT基板1〇與 陰影遮罩81之間之間隙§1遍及整個TFT基板10約為2〇〇 μηι 的方式進行間隙調整。 其次，一面以30 mm/s掃描上述TFT基板10，一面於該 TFT基板1〇上蒸鍍紅色之發光層23R之材料。 此時，以使上述TFT基板10通過上述陰影遮罩81上之方 式進行基板掃描。又，以使陰影遮罩81之開口部82與紅色 之子像素2R行一致的方式’使用上述對準標記84、22 j， 在掃描之同時進行精密的對準（S丨4)。 對於上述發光層23R之材料，使用3-苯基-4(1，-萘基）-5- 苯基-1，2,4-三唑（ΤΑΖ)(主材料）、及雙（2-(2·-苯并[4,5-α]噻 吩基）吡啶基-N，C3，）（乙醯丙酮銥）(btp2Ir(acac))(紅色發光 摻雜劑）’將各自之蒸鑛速度設為5.0 nm/s、0.53 nm/s，藉 由使該等材料（紅色有機材料）共蒸鍍而形成上述發光層 23R。 於上述TFT基板1〇通過陰影遮罩81上時，自蒸鍍源85射 出之上述紅色有機材料之蒸鍍粒子通過陰影遮罩8丨之開口 部82 ’在與陰影遮罩81之開口部82對向之位置處蒸鍍。本 實施形態中，於上述TFT基板10完全通過陰影遮罩81上之 後’將上述紅色有機材料以膜厚25 nm蒸鍍於上述TFT基板 10上。 161616.doc •37- 201241197 藉此，於TFT基板ι〇上，自其移動方向之一端部跨及至 另一端部而形成條紋狀之蒸鍍膜（參照圖17)。 此處，關於上述Sl4中之對準之調整方法，以下參照圖 11進行說明。 圖11係表示對準調整方法之流程圖。對準之調整係按照 圖11所示之流程而進行。 首先，將作為被成膜基板200之上述TFT基板10之基板 位置取入至影像感測器90中（S21)。 其次’根據上述影像感測器90中所取入之圖像，於圖像 檢測部ιοί中，進行上述TFT基板10之對準標記221及陰影 遮罩81之對準標記221的圖像檢測（S22)。 其後，根據於上述圖像檢測部101中檢測之對準標古己 221、84之圖像，由運算部102計算對準標記221與對準標 記84之偏移量’計算並決定基板位置之修正值（S23)。 其次’馬達驅動控制部103根據上述修正值而驅動馬達 72’以此修正基板位置（S24)。 其次’再次以影像感測器90檢測修正後之基板位置，並 重複執行S21〜S25之步驟（step)。 如此，根據本實施形態，重複利用影像感測器9〇檢測基 板位置並修正基板位置，以此可一面進行基板掃描一面修 正基板位置’從而可於將TFT基板1〇與陰影遮罩81精密對 準之同時成膜。 上述發光層23R之膜厚可藉由往復掃描（亦即，TFT基板 10之往復移動）及掃描速度而調整。本實施形態中，於S14 161616.doc -38- 201241197 之掃描後，使TFT基板10之掃描方向反轉，以與si4相同 之方法，進而使上述紅色有機材料蒸鑛於Sl4之上述紅色 有機材料之蒸鑛位置上。藉此，形成膜厚為5〇 nm之發光 層 23R。 本實施形態中’於S14所示之步驟後，自上述真空腔室 60中提取形成有上述發光層23R之TFT基板i〇(S15)，使用 綠色之發光層23 G形成用遮罩單元8〇及真空腔室6〇，以與 上述發光層2 3 R之成膜處理相同之方法而成膜綠色之發光 層 23G。 又’以此方式形成發光層23G之後，使用藍色之發光層 23B形成用遮罩單元80及真空腔室60，以與上述發光層 23R、23G之成膜處理相同之方法而成膜藍色之發光層 23B。 即’於上述發光層23G、23B之成膜處理中，分別準備 在與該等發光層23G、23B相當之位置上具有開口部82之 陰影遮罩81。然後’將各個陰影遮罩81設置於發光層 23G ' 23B形成用各真空腔室60中，一面以使各個陰影遮 罩8 1之開口部82與各子像素2G、2B行一致之方式進行對 準’一面掃描TFT基板1 0而進行蒸鍍。 對於上述發光層23G之材料，使用（TAZ)(主材料）、及 Ir(ppy)3(綠色發光摻雜劑），將各自之蒸鍍速度設為5.〇 nm/s、0.67 nm/s，藉由使該等材料（綠色有機材料）共蒸鍍 而形成上述發光層23G。 又，對於發光層23B之材料，使用ΤΑΖ(主材料）、及2_ 16I616.doc -39- 201241197 (4’-第三 丁基苯）-5-(4··-聯苯基）-1,3,4-哼二唑（t-Bu PBD)(藍 色發光摻雜劑），將各自之蒸鍍速度設為5.0 nm/s、0.67 nm/s，藉由使該等材料（藍色有機材料）共蒸鍍而形成發光 層 23B。 再者，上述發光層23 G、23 B之膜厚分別設為50 nm。 藉由以上步驟，獲得以紅（R)、綠（G)、藍（B)圖案形成有 發光層23R ' 23G、23B之TFT基板10。 且說，於藉由如上所述之陰影遮罩81與TFT基板10之相 對移動而形成蒸鍍層（此處為有機EL元件20之發光層23R、 23G、23B)之情形時’考慮如下問題》圖13係表示形成上 述發光層23R、23G、23B之前之階段的TFT基板1〇之概略 構成之圖。 如圖7所示，TFT基板10上二維（此處設為矩陣狀）排列有 上述複數個像素。將排列有上述複數個像素之區域作為像 素區域。 如上所述，配線14係於像素區域AG内沿著像素之排列方 向而配設成網狀，且以可與外部電路電性連接之方式而被 引出至像素區域ag之外側為止。作為上述外部電路，例如 為可撓性膜電親FC或IC(Integrated Circuit，積體電路） 等。 而且’如圖13所示，將引出至像素區域AG之外側為止之 上述配線14之端子分至上述像素區域Ag之外側之複數個位 置而彙集。將彙集有配線14之端子之區域稱為端子部區 域。 161616.doc •40- 201241197 具體而言，設置有複數個上述端子部區域a1〜A4，各 端子部區域A1〜A4以包圍上述像素區域Ag之方式，與上 述矩陣所成之上述矩形之各邊Li〜L4的外側鄰接（於各邊 L1〜L4之外側沿著該邊L1〜L4)而設置。 • 再者，此處，如圖13所示，將位於像素區域八〇之左側之 端子部區域設為端子部區域A1，將位於像素區域八〇之右 側之端子部區域設為端子部區域A2 ’將位於像素區域Ag 之上側之端子部區域設為端子部區域A3，將位於像素區域 AG之下側之端子部區域設為端子部區域a4。 而且，各配線14之各端子（除與第2電極26連接之端子） 彙集在與上述矩陣所成之矩形之4邊L1〜L4中最近之邊鄰 接的端子部區域β 再者，圖13中若將左右方向設為TFT基板1〇之移動方 向，則將端子部區域A1〜A4中之靠近與上述TFT基板10之 移動方向父又之邊LI、L2的端子部區域Al、A2稱為交叉 側端子部區域Al、A2，將靠近與上述TFT基板1〇之移動方 向平行之邊的端子部區域A3、A4稱為平行側端子部區域 A3、A4。 另一方面，將與上述第2電極26連接之連接部設置在與 .上述端子部區域A1〜A4不同之區域上。本實施形態中， 將與第2電極26連接之連接部設置在與上述矩形之上下之 邊之外側鄰接的區域上。將設置有與第2電極26連接之連 接部之區域稱為第2電極連接部，如圖13所示，將位於上 側之第2電極連接部稱為第2電極連接部A5，將位於下側之 161616.doc 201241197 第2電極連接部稱為第2電極連接部A6 » 圖13中，像素區域AG及第2電極連接部A5、A6藉由密封 基板40而密封，端子部區域A1〜A4未被密封而是露出於 外部。 圖14係表示將藉由密封基板4〇密封後之TFT基板1〇剛要 連接於作為外部電路之一例之上述可撓性媒電瘦FC之前之 狀態的圖。圖1 5係表示位於交叉側端子部區域A1上之配線 14之端子周邊之構成的圖。 於父叉側端子部區域A1上彙集有端子之配線丨4之端子例 如圖15所示，於連接區域202上，經由各向異性導電接著 膜（ACF)等而與可撓性膜電纜fC之連接端子FCt連接。對 於在交又側端子部區域A2及平行側端子部區域A3、A4上 彙集有端子之配線14之端子，亦為相同。 此處，在對父叉側端子部區域A1〜A4露出於外部之TFT 基板10進行發光層23R等之有機膜之蒸鍍處理時，藉由如 上所述之陰影遮罩81與TFT基板1〇之相對移動，自TFT基 板10之上述移動方向之一方端部跨及至另一方端部進行有 機膜之蒸鍍處理。 此時，在與上述移動方向交又之方向上，藉由適當設定 開口部82之設置範圍而可使蒸鍍區域與像素區域Α〇大致一 致，從而可避免對平行側端子部區域A3、A4蒸鍍有機 膜。 且說，如圖15所示，對於上述交叉側端子部區域A1、 A2蒸鍍有機膜，將交叉側端子部區域A1、A2之端子處之 161616.doc •42· 201241197 上述連接區域202由有機臈覆蓋。 於有機膜具有較高電阻之情形時，對於在交叉側端子部 區域Al、A2上彙集有端子之配線14而言，會產生以下問 題：無法確立與可撓性膜電纜Fc之連接端子FCt&好的電 性連接。若無法良好地進行與可撓性膜電纜FC之連接端子 FCT之電性連接，則可撓性膜電纜FC自tft基板ι〇上剝 離，或者於該有機EL顯示裝置丨上產生顯示不良。 另一方面，於上述有機膜之電阻較低之情形時，會導致 經由有機膜而產生電性洩漏之問題。 因此，對於彙集於上述交又側端子部區域八丨、A2上之 端子，需謀求避免諸形成有機膜之手段。以下，將應避 免有機膜之蒸鍍之區域稱為無需蒸鍍區域。 作為上述手段之―’考慮使㈣板89阻隔有機膜之蒸锻 以防止對上述無需蒸鍍區域之蒸錢。 蒸鍍區域到達陰影遮罩8丨之開口部 89 ° r鍍。即’考慮於上述無需 口部82之時間點關閉擋板 口部82於上述移動方向上
鍍膜之臈厚的問題。 然而，該情形時，由於上述開口部8: 具有固定之長度，故而TF丁基板1〇與開 因TFT基板1 〇上之部位而產生差異，於
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S -43- 201241197 之手段之情形時，會產生上述有機溶劑之殘渣殘留或灰塵 混入之問題。 因此，於本實施形態之TFT基板1〇中，將配線14之端子 (除與第2電極26連接之端子）避開蒸鍍有蒸鍍膜之區域（以 下’稱為蒸鑛區域）而棄集。 圖16係表示H@TFT基板10上之複數之配線14之配線態 樣的圖。圖17係表示將本實施形態之TFT基板1〇以矩陣狀 排列複數個，並對該等同時進行蒸鍍之狀態的圖。 具體而言，如圖16、圖17所示，將先前彙集於交又側端 子。卩區域Al、A2上之配線14之端子彙集在與TFT基板1〇和 陰影遮罩81之相對移動的移動方向平行之邊的外側鄰接之 平行側端子部區域PT1、卩^上。換言之，如圖丨6所示，於 上述平行側端子部區域Ρτι、Pn上，以使除與第2電極26連 接之配線14外之配線14之端子彙集的方式而設計該配線 14 〇 於圖16所示之配線態樣中，配線14中之向左右延伸之配 線14之端子係彙集在位於下側之平行側端子部區域ρτ2 上，另一方面，向上下延伸之配線14之端子係彙集在位於 上側之平行側端子部區域PT1上。 再者，本實施形態中，在平行側端子部區域、pT2與 位於該等區域PT1、ΡΤ2之附近之上述邊之間，設置有第2 電極連接部ρ·η、Ρτ4。但是，第2電極連接部ρτ3、Ρτ4之設 置位置並不限於該位置》 藉此’可避免對彙集於交叉側端子部區域Α]1、α2上之 161616.doc -44 - 201241197 配線14之端子進行有機膜之蒸鍍《其結果為，可將閘極線 14G之端子與可撓性膜電纜FC之連接端子FCT良好地電性 連接。 又，無需如先前般於以後之步驟中藉由有機溶劑去除形 成於交叉側端子部區域Al、A2上之有機膜的作業，與無 需該去除步驟相應地，可謀求縮短製造時間及削減製造成 本。 又，可避免如先前技術般於藉由有機溶劑去除蒸鍍膜時 因去除不充分而易殘留有殘渣之問題，以及在去除時產生 異物，對與外部電路之連接等造成不良而使有機EL顯示裝 置之良率降低之問題。進而，可避免產生存在以下之虞等 問題：有機溶劑對密封基板40等造成損傷而使有機EL顯示 裝置1之可靠性降低。 又，由於僅變更TFT基板10上之配線之設計，故而無需 追加步驟及裝置。 [第2實施形態] 其次，對本發明之被成膜基板之第2實施形態進行說 明。再者’本實施形態中，主要對與上述第1實施形態之 不同點進行說明，對於與上述第1實施形態中使用之構成 要素具有相同功能之構成要素附以相同之符號，省略其說 明。圖18係表示第2實施形態之TFT基板（被成膜基板）之概 略構成的圖。 本實施形態之TFT基板中，第2電極連接部pT3、pT4之位 置與第1實施形態不同。 161616.doc • 45- 201241197 即，於上述第1實施形態中，將第2電極連接部Ρτ3、p口 設置在與TFT基板10和陰影遮罩81之相對移動的移動方向 平行之邊、與上述平行側端子部區域Ρτι、ρΤ2之間之區域 上。相對於此，本實施形態中’如圖18所示，將第2電極 連接部PtV、PH，配置在與上述移動方向交叉之邊之外側鄰 接之區域上。 s亥情形時’第2電極連接部ρΤ3'、ρΤ4·被有機膜覆蓋。然 而，有機膜為條紋狀之圖案膜，且於圖案間不存在有機 膜。因此，若使與第2電極26連接之配線14之端子於上述 圖案間之區域上露出，則可直接連接配線14與第2電極 26 〇 此處，第2電極連接部PlV、PlV與平行側端子部區域 Ρτι、Ρτ2不同’並非要求與各配線之連接位置之精度。然 而，第2電極連接部ρΤ3’、ρΤ4,藉由擴大與配線14之連接區 域202而可擴大接觸面積等，從而與端子部區域ρ^、卩”相 比設計自由度較高。因此，第2電極連接部Ρτ3ι、Ρτ4，即便 於條紋狀之有機膜間進行電性連接亦難以成為導通不良。 又，即便假設上述有機膜為導電性之膜，由於第2電極 連接部PtV、Ρτ〆為單一（單體）之端子，故而不會如彙集於 4子區域PT1、ρΤ2上之端子般產生如每一條配線之各個 端子與有機膜接觸之類的電性洩漏。 如此，本實施形態中，除亦可獲得與上述第丨實施形態 相同之效果外，在與TFT基板1 〇和陰影遮罩8 1之相對移動 方向平行之邊上僅形成有平行側端子部區域ρτι、ρτ2，由 161616.doc -46· 201241197 此可縮小與上述相對移動方向交 w又又之邊之延伸方向上的有 機EL顯示裝置1之長度。 本發明並不限定於上述各實施形態，於中請專利範圍所 示之範圍内可進行各種變更，對於將分別揭示於不同實施 形態中之技術手段適當組合所得之實施形態，亦包含於本 發明之技術範圍。 例如，由於對應各色而欲變更有機膜之總厚等之理由， 故而對於發光層以外之例如電洞輸送層，亦可如上所述為 了於每-像素分塗有機層而使用上述陰影遮罩進行蒸鍵形 成該it形時’剛要形成電洞輸送層之前之tft基板i〇成 為本發明之被成膜基板之一例。 又，蒸鍵裝置50亦可包含固定被成膜基板2〇〇之基板保 持構件71(例如靜電吸盤）代替基板移動機構7〇，並且包含 遮罩單元移動機構，其使遮罩單元80在保持陰影遮罩81與 蒸鍍源8 5之相對位置之狀態下相對於被成膜基板2 〇 〇而進 行相對移動。或者，亦可包含基板移動機構7〇及遮罩單元 移動機構之兩者。 即，被成膜基板200及遮罩單元8〇之至少一者設置成可 相對移動即可，即便於使任一者移動之情形時，亦可取得 本發明之效果。 但是’如上所述在使被成膜基板2〇〇相對於遮罩單元8〇 進行相對移動之情形時，只要陰影遮罩81與蒸鍍源85之相 對位置得以固定即可，未必需要一體化。 例如’上述遮罩單元8〇中，亦可將蒸鍍源85固定於真空 161616.doc •47· 201241197 腔室60之内壁之例如底壁上，並且將遮罩保持構州固定 於上述真空腔室60之内壁之任—位置’藉此將上述陰影遮 罩81與蒸鍍源85之相對位置加以固定。 又，以如下情形為例說明了上述陰影遮罩81之開口部 82，即，相應於上述蒸鍍源85之射出口％之配置，使各射 出口 86位於俯視時任一開口部82内，並且開口部82與射出 口 86為1對1地對應設置。然而，本實施形態並不限定於 此。開口部82與射出口 86未必需要對向配置，而且，未必 需要1對1地對應。 又，本實施形態中，以將陰影遮罩8丨之開口部82及蒸鐘 源85之射出口 86—維排列之情形為例進行了說明。然而， 本實施形態並不限定於此。陰影遮罩81之開口部82與蒸鍍 源85之射出口 86分別彼此對向地配置即可，亦可二維排 列。 又，本實施形態中，以將陰影遮罩81之開口部82及蒸锻 源85之射出口 86分別設置複數個之情形為例進行了說明。 然而’本貫施形態並不限定於此。上述陰影遮罩81至少包 含1個開口部82即可，蒸鍍源85至少包含i個射出口 86即 vp 〇 亦即’陰影遮罩81及蒸鍍源8 5亦可具有分別僅設置1個 開口部82及射出口 86之構成。該情形時，使遮罩單元8〇及 被成膜基板200中之至少一者進行相對移動，使蒸鑛粒子 經由陰影遮罩81之開口部82而依序蒸鍍於被成膜基板2〇〇 之蒸链區域210上’藉此可於被成膜基板200上成膜特定之 161616.doc -48- 201241197 圖案。 又，本實施形態中，以陰影遮罩81具有狹缝狀之開口部 82之情形為例進行了說明。然而，上述開口部82之形狀並 無特別限定’以獲得所需之蒸鍍圖案之方式適當設定即 〇 又’本實施形態中，如上所述，以自TFT基板10側提取 光之底部發光型之有機EL顯示裝置1的製造方法為例進行 了說明。然而’本實施形態並不限定於此。本發明亦可適 宜使用於自密封基板40側提取光之頂部發光型之有機EL顯 示裝置1。 又’本實施形態中，以使用玻璃基板作為TFT基板丨〇及 密圭ί基板40之支持基板之情形為例進行了說明，但本實施 形態並不限定於此。 作為該等TFT基板1〇及密封基板4〇之各支持基板，於有 機EL顯示裝置1係底部發光型之有機EL顯示裝置之情形 時，除玻璃基板以外，亦可使用例如塑膠基板等之透明基 板。另一方面，於上述有機EL·顯示裝置1係頂部發光型之 有機EL顯不裝置之情形時，作為上述支持基板，除如上所 述之透明基板以外，亦可使用例如陶瓷基板等之不透明的 基板。 又，本實施形態中，以將陽極（本實施形態中為第丨電極 21)形成為矩陣狀之情形為例進行了說明。然而，作為上 述陽極，若具有作為將電洞供給至有機EL層之電極之功 能，則其形狀、材質、及大，丨、I 4主一 仍貝次穴小無特別限定，亦可形成為例 161616.doc -49· 201241197 如條紋狀。但是，於有機EL元件之性質上，較佳為陽極及 陰極中之至少一者為透明。一般而言，使用透明的陽極。 又，本實施形態中’以各像素午具有TFT之主動矩陣方 式之有機EL顯示裝置的製造方法為例進行了說明。然而， 並不限於此’對於各像素中不具有TFT之被動矩陣方式之 有機EL顯示裝置1，亦可較佳地使用本發明。 又，本實施形態中可適當設定掃描速度及蒸鍍速度等。 又，可適當設定作為被成膜基板200之TFT基板1〇與陰 影遮罩81之間之間隙gl、及上述蒸鍍源85與陰影遮罩“之 間之間隙g2。 關於TFT基板1 0與陰影遮罩8 1之間之間隙g〖，將間隙保 持為固定’且於兩者不接觸之範圍内適當調整即可。又， 上述間隙g2審於蒸鍍粒子之空間上擴散之分佈及自蒸鑛源 85放射之熱之影響而適當調整即可。 又’配線14之端子之彙集區域並不限定於平行側端子部 區域ΡΤ1、Ρτ2。例如圖17之區域X所示，亦可於上述矩陣所 成之上述矩形之對角線上，以與該矩形鄰接之態樣而設置 上述配線14之端子之彙集區域。總之，上述配線14之端子 之彙集區域只要為蒸鍍區域210之外部則可為任意位置。 又’於上述各實施形態中，設置有2個平行側端子部區 域Ρτι、Ρτ2，但亦可將各配線14之端子彙集於任一者。 又’於上述第1實施形態中，設置有2個第2電極連接部 Ρ·η、Ρτ4 ’於上述第2實施形態中’設置有2個第2電極連接 部PiV、PtV，但亦可將各配線14之端子彙集於任一者。 161616.doc -50- 201241197 又’本發明不僅適用於有機EL顯示裝置！之製造，而且 適用於在藉由基板與陰影遮罩之相對移動而進行蒸鍛之情 形時’對端子部區域之蒸鍍膜之形成成為問題之其他裝置 的製造。 [要點概要] 如上所述，本發明之實施形態之被成膜基板中，上述像 素區域為矩陣狀地排列有上述複數個像素之矩形狀之區 域’上述像素區域所形成之矩形之4邊中的至少1邊為|古歹 被成膜基板和上述蒸鍍遮罩之相對移動的移動方向平行之 邊，上述複數之配線之各端子係於上述蒸鍍層之形成區域 外之區域、且上述平行之邊之外側，以沿著該邊之方式而 彙集。 根據該形態’將上述複數之配線之各端子於上述蒸鍵層 之形成區域外之區域、且上述平行之邊之外側，以沿著該 邊之方式而彙集’因此與將上述彙集位置設定於其他位置 之情形相比，可儘量縮短上述複數之配線之長度。 本發明之實施形態之被成膜基板中，進而可將用以將電 子注入至形成於該被成膜基板之發光層中的第2電極之連 接部，於上述蒸鍍層之形成區域外之區域、且上述平行之 邊之外側，以沿著該邊之方式而設置。 本發明之實施形態之被成膜基板中，進而將用以將電子 注入至形成於該被成膜基板之發光層中的第2電極之連接 部配設於上述蒸鍍層之形成區域内。 根據該形態，將上述第2電極之連接部彙集於上述蒸鑛 161616.doc •51 - 201241197 層之形成區域内，故而於先前之被成膜基板中設置有與上 述第2電極連接之配線之連接部的空間内，可彙集與上述 第2電極連接之配線以外之端子。 再者’該情形時，上述第2電極之連接部並未與外部電 路直接連接，而是另外經形成於上述蒸鍍層之形成區域外 之端子而與外部電路連接。 本發明之實施形態之被成膜基板中，上述像素區域為矩 陣狀地排列有上述複數個像素之矩形狀之區域，上述像素 區域所形成之矩形之4邊中的至少1邊為與該被成膜基板和 上述蒸鍍遮罩之相對移動的移動方向平行之邊，上述第2 電極之連接部係於上述像素區域所形成之矩形之4邊中的 與和上述移動方向平行之邊交叉之邊的外側，以沿著該邊 之方式而設置。 根據本發明之實施形態，將上述第2電極之連接部於上 述像素區域所形成之矩形之4邊中的與和上述移動方向平 行之邊交叉之邊的外側以沿著該邊之方式而設置因此可 儘量縮短與第2電極之連接部連接之配線之長度。 本發明之實施形態之有機EL顯示農置為如下的有機此 顯示裝置：包含蒸鑛有蒸鑛層之上述任一形態之被成膜基 板’上述蒸鍍層包含有機EL層，該有機肛層包含藉由供 給電流而發光之有機EL元件。 根據該形態 EL顯示裝置。 可實現可取得上述任 —發明之效果的有機 [產業上之可利用性] 161616.doc •52· 201241197 本發明之被成膜基板可適用於例如用於有機el顯示裝置 之有機層之分塗形成等之成膜製程的有機EL顯示裝置之製 造裝置及製造方法等。 【圖式簡單說明】 圖1係自被成膜基板之背面側觀察本發明之一實施形態 的蒸鍍裝置之真空腔室内之被成膜基板與遮罩單元之平面 圖。 圖2係本發明之一實施形態的蒸鍍裝置之真空腔室内之 主要構成要素之俯視圖。 圖3係模式性表示本發明之一實施形態的蒸鍍裝置之主 要部分之概略構成之剖面圖。 圖4係表未本發明之一實施形態的蒸鍍裝置之構成之一 部分之方塊圖。 圖5(a)〜（c)係表示本發明之一實施形態的被成膜基板及 蒸錢遮罩之對準標記之形狀之一例的圖。 圖6係表示RGB全彩顯示之有機£[顯示裝置之概略構成 之剖面圖。 圖7係表示構成圖6所示之有機示裝置之像素之構成 之平面圖。 圖8係圖7所示之有機EL顯示裝置之TFT基板之a_a線箭 視剖面圖。 圖9係以步驟順序表示本發明之一實施形態的有機EL顯 示裝置之製造步驟之流程圖。
圖10係表示使用本發明之一實施形態的蒸鍍裝置於TFT 161616.doc -53- 201241197 基板上成膜特定之圖案之方法之一例的流程圖。 圖11係表示對準調整方法之流程圖。 圖12係表示TFT之電路構成之圖。 圖^係表示形成發光層之前之階段的TFT基板之概略構 成之圖。 圖14係表示將藉由密封基板密封後之TFT基板剛要連接 於可撓性膜電纜之前之狀態的圖。 圖1 5係表示位於交又側端子部區域之配線之端子周邊之 構成的圖0 圖16係表示複數之配線之配線態樣之圖。 圖17係表示本實施形態之tft基板之構成之圖。 圖18係表示第2實施形態之TFT基板（被成膜基板）之概略 構成之圖。 圖19係表示使用有陰影遮罩之先前之蒸鍍裝置之概略構 成之剖面圖》 【主要元件符號說明】 1 有機EL顯示裝置 2 像素 10 TFT基板（被成膜基板） 14 配線 26 第2電極 50 蒸鍍裝置 81 陰影遮罩（蒸鍍遮罩） 82 開口部 161616.doc • 54· 201241197 85 蒸鑛源 86 射出口 200 被成膜基板 210 蒸鍍區域 211 蒸鍍膜（蒸鍍層） Ag 像素區域 pT1、pT2 端子部區域 PT3、ΡΤ4 第2電極連接部 161616.doc 55-