TW201240923A - Electrical purification apparatus and methods of manufacturing same - Google Patents

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.201240923 六、發明說明： 與相關申請案之交叉參考 本申請案在此'聲明，擁有在2011年2月4曰提出申請之 美國臨時專利申請案序號Nl6 1/439,520名稱為「電去 離子裝置及其製造方法」，在35USC§119(e)T之優先 權，其所有揭示内容在此援用作為參考。 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種水處理之系統及方法，及製造用 於處理水之系統或設備的方法。尤其，本說明書係關於 使用電淨化設備之水處理系統及方法，及製造一用於處 理水之電淨化設備的方法。 【先前技術】 【發明内容】 在本說明書之一些實施例中，提供一種電淨化設 備。電淨化設備可包括由複數個離子交換膜形成的複數 個交互之離子消除隔室及離子濃縮隔室。複數個離子消 除隔室及離子濃縮隔室之每一個可包括一含有本體及蓋 件之間隔物。蓋件可具有小於約1mm之厚度。蓋件可包 =第:構件，該第一構件與在本體上之第二構件耦合而 提供密封。蓋件及本體可界定一歧管。間隔物可構成且 配置成在進水傳導率當量（feed conductivity equivalent) 為約5pS/Cm至約1〇〇p/cm的範圍内提供為約ι〇 megaohm-cm至約18 megaohm-cm之產品水的阻抗。間 -3- 備’其 之子 及離子 隔物。 構件與 體可界 歧管可 之均勻 時可提 201240923 隔物之厚度可在約2mm至約4mm的範圍。間隔物 成且配置成提供通過複數個離子消除隔室或離子濃 至之母個的均勻流體流。間隔物可包括具有不均 面的第一側、及具有平坦表面之第二側。電淨化設 另包括：第一修改間隔物’定位在電淨化設備的第一 及第二修改間隔物，定位在電淨化設備的第二端。 備亦可包括：第一端塊，定位在第一修改間隔物附 及第二端塊，定位在第二修改間隔物附近。第一端 第二端塊可具有一致的幾何形狀。 間隔物可構成且配置成用於在第一點、第二點 第三點提供彼此約5%至約1〇%之範圍内的流體流 度，以提供均勻的流體流，第一點、第二點、及第 係平行於間隔物之一邊緣流動。 + %明書之 ，’ --— '丨王电 包括由複數個離子交換膜界定形成的複韵 消除隔室及離子濃縮隔室。複數個離子3 濃縮隔室之每一個可包括一含有本體及| 盍件可具有lmm之厚度且包括第一構件 在本體上之第二構件耦合而提供密封。^ 定歧管，以提供通過每一個隔室之均勻^ 提供通道用以引導流體至隔室且提供一Η 流體流。蓋件可包括突脊及溝槽，當與4 供在歧管中的流道。 职上所迷者，間隔物可包括具有不均句表 侧、及具有平坦表面之笛_ y丨 ^ — 第一側。電淨化設備可 可構 縮隔 勻表 備可 端； 該設 近； 塊及 、及 動速 化設 交互 隔室 之間 第一 及本 流。 隔室 合 第一 括： 201240923 第一修改間隔物，定位在電淨化設備的第一端；及第二 修改間隔物’定位在電淨化設備的第二端。電淨化設備 亦可包括：第一端塊，定位在第一修改間隔物附近；及 第二端塊’定位在第二修改間隔物附近》第一端塊及第 二端塊可具有一致的幾何形狀。 在某些實施例中，間隔物可構成且配置成在進水傳 導率當量約5pS/cm至約lOOpS/cm的範圍内提供約1〇 megaohm-cm至約1 8 megaohm-cm之產品水的阻抗。間 隔物之厚度可在約2mm至約4mm的範圍。 間隔物可構成且配置成用於在第一點、第二點、及 第三點提供彼此約5 %至約1 〇 %之範圍内的流體流，以提 供均气的流體流，第一點、第二點、及第三點係平行於 間隔物之邊緣流動。 在本說明書之某些實施例中，提供用於提供超純水 的系統。此系統包括-水源’包含約5〇ppm至約1〇〇〇ppm 總 >谷解固體。此系統亦可包括一與水源作流體連接之單 通（single-pass)逆滲透單元、及一與單通逆滲透單元作流 體連接之單通電去電離裝置，包括複數個濃縮隔室及稀 釋隔至。隔至之每—個具有小於約4mm之厚度，且裝置 可構成且配置成提供含有約至約1⑽總溶解固 體之水。間隔物可且士 〇有如本說明書所說明的結構及尺寸。 在本說明書之甘+ ^系些貫施例中，提供一種用於提供超 純水的方法。佥士 s有傳導率當量約i〇C^S/cm至約 2000pS/cm的水可站，盆 ^ L 』掖導入一單通逆滲透單元，以產生含 有傳導率當量約 M/em至約lOOgS/cm的過濾水。過濾 201240923 水可被導入一包含複數個濃縮隔室及稀釋隔室的單通電 去電離裝置中。隔室之每一個具有小於約4mm之厚度， 用於提供約5 megaohm-cm至約18 megaohm-cm之產品 水的阻抗。間隔物可具有如本說明書所說明的結構及尺 寸。 【實施方式】 使用電場來淨化流體的裝置一般係用來處理含有溶 解離子物種（species)之水及其他液體。依此方式處理水 的兩種裝置係電去離子及電透析裝置。 電去離子法（EDI)係使用電活性媒介及一電位從水 中除去或至少減低一或多種已電離或可電離的物種，以 影響離子輸送。電活性媒介一般用於交互地收集及送出 電離及/或可電離的物種，且在某些情況中，藉離子或電 子取代機構來促進離子的輸送’此輸送可為連續性。EDi 裝置可包括永久或暫時電荷的電化學活性媒介，且能整 批、斷續、連續、及/或均勻地以逆極性模式操作^ Edi 裝置可操作以促進一或多個具體設計用以達到或強化性 能的電化學反應。又，此等電化學裝置可包括電活性膜， 如半透過性或選擇透過離子交換或雙極膜。連續電去離 子（CEDI)裝置係熟於此技術熟知的EDI褒置，其係水淨 化可在離子交換材料連續補充下可持連

或物種及氫氧或羥離子或物種 <狀況下，在CEDI系 水合氫（hydronium)離子 其等在裝置中可再生離 -6- 201240923 子交換媒介，因而從其等促進捕捉的物種之釋放。依此 方式，被處理的水流可連續地淨化而不需要離子交換樹 脂之化學再充填。 電透析（ED)裝置除了 ED裝置一般並不在膜之間包 含電活性媒介外，係在與CEDI之類似原理下操作。由 於缺少電活性媒介，ED之插作由於提高的阻抗及水分裂 之潛在性而在低鹽度之進水上可能受到阻礙，此等可能 由於如碳酸鈣（CaC〇3)及硫酸鈣（CaS〇4)之化合物而造成 水垢。一般避免在此方式下操作。而且，因為在高鹽度 進給水的ED之操作會造成提高的電流消耗，ed設備至 目前係最有效地使用在中鹽度的水源上。 在CEDI及ED裝置中，複數個鄰接之單元或隔室通 常被選擇性的可透過膜分隔’此選擇性可透過膜允許帶 正電或帶負電物種通過’但一般不許兩種通過。在此裝 置中’稀釋或消除隔室通常有濃縮隔室介入。當水流過 请除隔至時，電離及其他帶電物種通常在如一 Dc電場 的電場之影響下被拉入濃縮隔室中。帶正電的物種被拉 往通常位於多個消除及濃縮隔室之堆疊的一端之陰極， 而帶負電物種同樣地被拉往位於諸隔室之堆疊的相對端 之陽極。兩電極通常被容納在電解液隔室中，通常此電 解液隔室局部地隔絕與消除及/或濃縮隔室之流體連 通。一旦在一濃縮隔室中，帶電物種通常被至少局部地 形成濃縮隔室之選擇性可透過膜的阻擋層捕獲。例如， 由陰離子選擇膜移出濃縮隔室之陽離子通常被防止進一 步移向陰極一旦在濃縮隔室中被捕獲時，才皮捕獲的帶 201240923 電物種可在濃縮流動中被移除。 在⑽及ED裝置中，DC電場通常從一電虔源被 施加到單元且電流被施加到電極（陽極或正極，及陰極或 負極）。電壓及電流源（總稱「電源供給」）本身被如ac 電源或例如被太陽能、風' 或波浪動力之許多手段所驅 動。在電極/液體介面，產生電化學半單元反應，其可啟 動及/或促進離子轉移通過膜及隔室。在電極/介面產生 之此具體電化學反應可藉容納電極組合之特定隔"的 鹽之濃度而被控制到某個程度。例如，對氣化納濃度高 的陽極電解液室之進給會產生氣氣及氫離子，而對陰極 電解液室之進給會產；^β f座生虱虱及虱氧離子。通常，在陽極 電解液至產生的氫離子會盘如氣 聯，以保持電荷之中性且：氣的自由陰離子相關 &出軋化虱酸溶液，且類似地， 在陰極電解液室產生& _ 生的虱氧離子會與自由陽離子如鈉離 子相關聯，以保掊雷# > & + ^之中性且造出氫氧化鈉溶液。電 極隔室之反應產物如姦 电 ί- φ ^ ^ Φ 生的氣軋及氫氧化鈉可使用在過 矛王中作為需要的消毒 时生、* 調整用途。 $、膜，月洗及去污之用途、及ρΗ 板與骨架及螺旋缠达 電化學去離子裝置，;^之4已被使用在各種型式之 去離子（eDi)裝置。市ρ包含但不限制於電透析⑽）及電 骨架設計，而_穿：上可取4的仙裝置通常係板與 用。 、置則有板與骨架及螺旋結構兩者可 本發明揭示一種 體中之農置，及關於製造且使且可包含在-殼 1 w且使用此裝置的方法。待淨化 201240923 的液體或其他流體進入淨化裝置或設備，且在電場的影 響下被處理以產生一去除離子之液體。來自於進入液體 的物種被收集以產生一離子濃縮液體。亦可被稱為電化 學分離系統或電化學分離裝置的電淨化設備之元件，可 使用各種技術來裝配，以達到設備之最佳操作。 為了本發明之目的，名詞「進給水傳導率當量（feed water conductivity equivalent)」（FCE)用於對經由電化學 淨化設備處理的進給水提供一傳傳導率值。此名詞至少 局部是因為如二氧化碳（C〇2)及矽（Si〇2)之可弱電離的化 合物由於水分裂導致pH值局部變化而在電化學淨化設 備中可電離。因而此等離子必須被加入電離負載而藉DC 電流移動通過膜。一般，為了計算FCE而測量進水傳導 率(^S/cm)。以百萬分比（ppm)表示的二氧化碳濃度亦被 測定。為了將二氧化碳之濃度轉換為傳導率，將以卯瓜 表示的濃度乘以2.79之因子。矽之濃度亦以ppm測定且 然後乘以1.94之因子。測定後的傳導率被加到：氧化碳 及石夕之計算的傳導率以決定FcE。 在本發明之某些實施例+，提供一種電淨化設備。 電淨化設備可包括由複數個離子交換膜界定的複數個交 互之離子/肖除室及離子濃縮隔室。複數個離子消除隔 濃縮隔室之每-個可包括—包含本體及蓋件之 隔室或通道。此等…! 步破區分為子 〇 此4子隔至或通道可為流體地平行。蓋件 可具有小於約i mm之厚 一槿 予又蓋件了包括第一構件，該第 1、在本體上之第二構件耦合以提供密封。蓋件及 201240923 本體可界定-歧管。間隔物可構成且配置成在進水 率當量（feed conductivity equivalent)當量約 至 1〇〇^/Cm的範圍内提供產品水之阻抗為約’1〇 mega〇hm-cm至約18 mega〇hm-cm之間。間隔物之厚声 可在約2mm至約4mm的範圍。間隔物可構成且： 提供通過隔室或通過每-個隔室的均句流體流。間隔物 可包括具有不均句表面的第-側、及具有平坦表面之第 二側。 乐 為了在電 的第一側、及 及膜之堆疊可 隔物在每一侧 及膜之堆疊可 隔物在一側包 具有第二表面 兩端之此等間 具有平坦表面 有不均勻表面 另一側具不均 隔物，可被定 個堆疊兩端部 端的端塊每一 或相同的幾何 換地使用。若 表面特徵時， 淨化設備中調 具有平坦表面 包括一附加間 包含相似的表 包括一附加間 含第一表面特 幾何形狀。位 隔物可被稱為 而被稱為第一 之堆疊的端部 勻表面的附加 位在堆疊的第 面向外，且消 個之再重建的 形狀，因而在 堆疊的端部在 需要端塊之重 適使用包含具 之第二側的間 搞物在一或兩 面特徵或幾何 隔物在一或兩 徵或幾何形狀 於間隔物及膜 修改間隔物。 修改間隔物， 。在一侧具有 間隔物而被稱 一端。此造成 除或減少定位 需要。通常， 電淨化設備的 每一側不具有 建或再建構， 有不均勻表面 隔物，間隔物 端，此附加間 形狀。間隔物 端，此附加間 ，且在另一側 之堆疊的一或 例如，在兩侧 可被定位在具 平坦表面且在 為第二附加間 平坦表面在整 在設備之每— 端塊具有相似 任何端部可互 相同或相似之 以將堆塊密封 10- 201240923 到堆疊，且端塊無法在設備的每—個端部互換地使用。 在本發明之某些實施例中，提供一種電淨化設備， 包括由複數個離子交換膜界定的複數個交互之離子消除 隔室及離子濃縮隔室。複數個離子消除隔室及離子濃縮 隔室之每一個可包括一包含本體及蓋件之間隔物。蓋件 可具有lmm之厚度且包含第一構件，其與在本體上之第 一構件耦合而提供一密封。蓋件及本體可界定一歧管， 以提供通過由間隔物界定的隔室之均勻流體流。歧管可 提供通道用以引導流體到隔室，且亦可輸送流體到隔室 以提供通過隔室之均勻流體流。 如上述’間隔物可包括具有不均勻表面的第一側、 及具有平坦表面之第二側。電淨化設備可另包括：第一 修改間隔物，定位在堆疊的一個端；及第二修改間隔物， 定位在堆疊的第二端。設備亦可包括：第一端塊，定位 在第一修改間隔物附近；及第二端塊，定位在第二修改 間隔物附近。第一端塊及第二端塊可具有相同的幾何形 狀。 在某些實施例中，間隔物可構成且配置成在進水傳 導率當量約5pS/cm至約lOOpS/cm的範圍内提供產品水 的阻抗為約10 megaohm-cm至約18 mega〇hm_cm。間隔 物之厚度可在約2mm至約4mm的範圍。 在本說明書之某些實施例中，提供用於提供超純水 的系統。此系統可包括一水源，包含約5〇ppm至約 l〇〇〇Ppm總溶解固體。此水源可為自來水，其在被引導 到單通逆渗料元之前定被軟化。此系統亦可包括 201240923 -流體連接到水源之單通逆渗透 單通逆滲透單元之單通電去電離裂 一抓體連接到 隔室及稀釋隔室。每】，匕括複數個濃縮 洛H壯班 個隔至可具有小於約4mm之厘 又，且裝置可構成且配置成提供含 總溶解固體之水。間# " PP約100Ppb 構及尺寸。單诵、.,Γ 本案發明所揭示的結 ^ 滲透早兀及早通電去電離裝置可被稱 為早7G或裝置，其等被構成. 再 從入口到出口 A 專成或配置成允許待處理之流體 ]出次通過此等單元或裝置而不回收流體。 在本說明書之笨此眘谂加士 个u Η又桃體。 純水的"人 提供-種用於提供超 純水的方法。含有傳導率當量約& 20〇〇HS/cm的水可被導入一 '•勺 為自來水，其在被料到單Μ ^透早70 °此水源可 軟化。單通逆渗透透“之前不一定被 *透早兀可產生含有傳導率當量約為 至約⑽…⑽的過遽水。過遽水可被導入一包 含複數個濃縮隔室及稀釋隔室的單通電去電離裝置中。

Pm室之每 >(固具有小於％ 4顏之厚度’用於提供約$ megaohm-cm至約1 8 megaohm-cm之產品水的阻抗。 依照一或多個實施例，電淨化設備之效率可被改 善。通過電淨化設備之一隔室的流體之不良好、不平滑 或不均勻流動可能係效率不佳的潛在源頭。在某些電淨 化設備之設計中，流動可沿著隔室之邊緣沿著間隔物之 特定部分集中。在某些實施例中，如包含目前揭示的間 隔物之實施例，通過電淨化設備之一隔室的流體之不良 好、或不均勻流動的潛在性可被定位。通過隔室之流動 可使用染料加入被加到間隔物之進水中而測定。對通過 -12- 201240923 隔室之 勻性之 等距離 室之流 子稀釋 延伸平 許多點 二點、 垂直於 如，若 這些點 上。 在 5%至約 可在彼 室之實 可在相 中、或 通 勻流動 隔室之 在 可被控 此歧管 室。此 被染色的流體流之觀察可提供通過隔室之流動 才曰不。除此之外/或者，在通過隔室從入口點算 之一點以上的流體迷度可被測定，以決定通過 體之流動均勻性。在某些實施例中，移動通過 隔室、或離子濃縮隔室的流體之速度，可在沿 打於能使流體進入隔室的間隔物之邊緣的線上 測定。速度可在沿著此平行線之例如第一點、 及第二點測定。在具體實施例中，這些點可在 隔室或子隔室中流體的平均流動方向的線上。 流體朝隔室之入口與出口之間的方向流動的話 可在垂直於入口與出口之間的平均流動方向的 某些例中，在這些點之每一個之速度彼此可在 1 1 0 %内。在某些例中，在這些點之每一個之速 此少於5 %内。在間隔物包含超過一個通道或子 施例中，這些點例如第一點、第二點、及第三 同的通道或子隔室中、在不同的通道或子隔 在其專之結合中。 過電淨化設備之一隔室的流體之不良好、或不 的一個潛在來源可包含流體通過位於流體入口 間的流動歧管之輸送。 一或多個實施例中，通過流動歧管之流體的流 制’以促進通過歧管的一致性且均句的流體流 能以相同一致性且均勻的方式輸送流體通過 可改善電淨化設備之效率，此可由觀察曾電淨 岣 起 隔 離 著 之 第 例 線 約 度 隔 點 室 均 與 動 ， 隔 化 -13- 201240923 設 時 中 傳 處 良 生 體 洩 子 效 物 室 可 出 進 品 之 隔 之

備生產的產品水質中槔A %知1。此亦可在達成的較短停留 而仍維持產品水之高〇 ^ QQ質中觀察出。在某些實施例 ，電淨化設備之提升致1 ^ ^ . x早亦可藉在進水傳導率或進水 導率當量之廣範圍内達 _ %到鬲品質產品水而觀察出。 流體從電淨化設備之& _ & &洩漏可能為效率不佳之另 個潛在源頭。在某些電 电夺化設備之設計中，通過設備 理且通過隔室之液體會 由於例如膜與間隔物彼此之不 的密封而從隔室洩出。 匕〉，11·體損失會減少被處理以產 產品水的整體進給流體 眼且因而降低電淨化設備之整 效率。 被稱為父又沒漏的流體，眩—办兩、位 在隔至與電淨化設備之簡的 漏，可能為效率不佳之里 两之間的 〈另—個潛在源 濃縮室到離子消除室之J 攸離 率不佳。'除…漏會造成產品的污染且導致 在-或多個實施例中，用於提供單元堆 之密封可被調整或改變， 、/、間隔 之間的流體可造成設備之更有效的二或： 在達成的，短停留而仍維持產品水之高品質，： 。在某些實施例中，電淨化設備之提升效率亦： “專導丰次進水傳導率當量之廣範圍。 水而觀察出。 達】阿品質產 結構中的構造 化設備中，間 。在本說明書 捏入成型到間 茂漏之防止或降低可經由在間隔物之 修改或調整而證明。在先前技術之電淨 物及旗可藉點著劑或熱接合而彼此耦合 某些實施例中，間隔物及膜可藉成型或 -14- 201240923 隔物上的密封而彼此耦合 提供防止或/N " 风圭或埋入成型的間隔物可 間隔物可描# 洩漏的选封。 内部間隔在約， 置成提供一電淨化設備，包含膜 牧，，勺2mm至約4mm夕f m , 間隔物可構成且 ㉟圍。在某些實施例中’ 之間隔在約2 成^供一電淨化設備，包含膜彼此 隔物除了：至約1〇_之範圍。在-單元對中的間 稱。在某此實扩γ丨士 旱度之外可為彼此鏡像對 物可為較； 中’稀釋間隔物可為較厚且濃縮間隔 可=或者，稀釋間隔物可為較薄且濃縮間隔物 行預明之間隔物的形狀可為適於在電淨化設備中執 狀可為方形、施例中’間隔物之形 物之形狀T A ' 3夕邊形。在某些實施例中，間隔 刃之形狀可為不均句或不對稱。 在本發明之某些實施例中，每—個間隔物可I有一 枉大為圓形或大致圓形的周圍。間隔物及膜的堆疊盘電 一、端塊、及端板、及選擇性的繫棒可被插入且密封到 圓柱形谷器内。此容器可提供機械支撐以對抗單元堆 的内壓力。壓力可取操作中流體壓力及來自於離子交 換樹脂之膨脹的潛在壓力的和來計算。容器亦有助於： :來自單元堆的流體之潛在茂漏。在某些實施例中：容 态不-定需要，如當間隔物由具有充分剛性的材料成型 使得其等不需容器之助而可忍受内壓力時。 間隔物之材料的選定可視其能以薄壁及小尺寸，例 如約0.060英口寸（1.5mm)或更小之尺寸來成型的能力而 -15- 201240923 定。材料亦可呈古上 寸來成刚丨丨、α約〇.030英吋（0.75mm)或更小之 丁木成型小孔的能 及&特Μ _ π _ 材料可具有適當的彈性，以使 及^特徵7C件有適去 學相容性，而騎^ 且能與待淨化流體具有 轉期間遭遇的壓力 度之剛性用以支樓在設備的 I月之某些實施例中，在隔室内之流動可被 新刀配、或重新引導，以提供流體與隔室内之 表面的較大接觸。隔室可構成且配置成在隔室重新分 流體流"高室可具有阻件、突起、凸部、凸緣、或擋 而k ί、將通過隔至的流動重分配的結構，下面將更進 步敘述。在某些實施例中，阻件、突起、凸部、凸緣 或擋板可稱為流動重新分配件。 岔封可藉任何適當手段達成，以確保膜之間的耦 而提供通過由膜界定之隔室的所需之流體流動路徑。 如’密封可藉黏著劑、由雷射或超音波熔接的熱熔合 例如或藉使用在相鄰的膜及/或間隔物上之陽或陰性 徵的搞合或互鎖來達成。 第1圖顯示本發明之間隔物的一例。間隔物之第 側可為如第1Α圖所示為平坦，而間隔物之第二側如 1B圖所示，可包括用於提供密封的突脊或溝槽。如第 圖及第1B圖所示，入口 1 04使流體進入由靠近間隔物 第一側的第一膜、及靠近間隔物之第二側的第二膜界 之流動隔室106。流體流過隔室1〇6且從出口 102流jj 間隔物可設有一本體1 0 8及蓋件11 0，蓋件11 〇與本 108之一部分耦合，以提供由本體及蓋件11〇 尺 陽 化 運 調 膜 配 板 合 例 、 特 第 1A 之 K \ 〇 JHA 體 定 -16- 201240923 的流動歧管。 大脊或溝槽可設置在間隔物之第二側（第1B圖）以提 供一或多個密封而在電淨化設備中形成一或多個隔室。 在某些實施例中’藉著設置突脊或溝槽在間隔物之一側 使第一側為平坦或大致平坦，可構成在約2mm至4mm 範圍内之間隔物。在某些其他的實施例中，可構成小於 約2mm之間隔物。 、 間隔物1由聚合材料構成且可被射出成型或藉任何 習知的裝拉方法生產。密封可由彈性體材料構成且可埋 入成型到間隔物之聚合材料。在其他實施例中，間隔物 可從聚合材料機械加工且可在一側包含溝槽以便具有與 0 -環躺合的能力。 本發月之間隔物可包含一流動歧管’以使流體流動 在入口與隔至之間、流動隔室與出口之間流動。如第2 圖所示，間隔物20之—部分被顯示包含入口 2〇2及流動 隔室咖。流動歧管212可由本體2〇8及蓋件（未圖示） 界ί。Ϊ件或Ϊ體可包含突脊或溝槽而可引導流體流過 歧& :::隔至。如第2圖所示’顯示有隱藏線用來表 示此等突脊或溝槽。 第3圖顯示具有特徵之篆杜 盖件的一個實施例，此特徵 例如可引導流體流通過歧管的突脊或 ^ 方為/霉槽。盍件3 10可 與本體308之一部分耦合以便界土 疋 彝近入口 302及屮 口 3 0 4的流動歧管。可引導浠砰、,ώ 可被設在蓋件、本體、或兩:體::: 支管的突脊及溝槽 的某些實施例中，蓋件可構成厚产在:；】突脊及溝槽之蓋 予度、，勺為lmm或較小。這 201240923 部分係由於突脊對蓋件提供結構強度，且當其冷卻時減 乂零件之變形，使得此零件被成型為此厚度。藉著提供 厚又、为為1 mm或較小的蓋件時，間隔物之總厚度可在約 2mm至4mm之範圍。力宜此奋—,，丄 m 在杲些只施例中，間隔物可構成且 配置成提供一電淨 卜士Λ供·，计—人 夺化《又備，其包含膜彼此之間隔為約 2mm 至約 lOmm。 一在本發明之一個實施例中，蓋件被構成如第4圖所 不蓋件40可包含入口 402。突脊416及溝槽418可設

置成引導流體流經歧管β X 第5A及5B圖顯示第一間隔物及第二間隔物。間隔 物可為相同的厚度，且彼此為鏡像對稱。在某些實施例 中，第5A圖之間隔物可為用於稀釋隔室之間隔物，且第 5 B圖之間隔物可為用於濃縮隔室之間隔物。 第6圖顯示—電淨化設備之單元對的分解圖。單元 對包括第-離子交換膜62〇及第二離子交換骐⑵。在 某些實施例中，第—離子交換膜62G可為-陰離子交換 膜且第二離子交換膜622可為一陽離子交換膜。第〜間 隔物600係定位在第一離子交換膜62〇與第二離子交換 膜622之間。帛^間隔⑯6〇 i係定位在第二離子交換膜 6 2 /、另離子父換膜（未圖示）之間。在某些實施例中、， 第一間隔物600可為用於稀釋隔室之間隔物，且第二間 隔物可為用於濃縮隔室之間隔物。 許多密封被顯示在第6圖之間隔物上。密封624可 被设置在每一個間隔物600及601上，以將每一個間p 物密封到鄰接的膜。例如，在間隔物6〇〇上之密封 -18- 201240923 用於將間隔物6 0 0密封到膜6 2 0。在間隔物6 〇 1 封624用於將間隔物601密封到膜622。 一中間密封，密封626對密封624提供一支相 且將每一個間隔物密封到鄰接的間隔物。例如， 物601上之密封626用於將間隔物601密封到 600 °周圍密封628對密封624提供又一個支樓密 亦將每一個間隔物密封到鄰接的間隔物。例如， 物601上之密封628用於將間隔物601密封到 600 〇 密封亦設置在繫棒穿孔的周圍，如密封63〇 間隔物6 0 1上之繫棒穿孔6 3 2的周圍。 第7圖係通過第6圖之單元對的剖面圖。單 括第一離子交換膜720及第二離子交換膜722。 實施例中’第一離子交換膜72〇可為一陰離子交 第二離子交換膜722可為一陽離子交換膜。第一 700係定位在第一膜離子交換膜72〇與第二離子 722之間。第二間隔物701係定位在第二離子交換 與另一離子交換膜（未圖示）之間。在某些實施例 —間隔物7 0 0可為用於稀釋隔室之間隔物，且第 物70 1可為用於濃縮隔室之間隔物。蓋件7〗〇被 間隔物701相關。蓋件7丨〇包括可引導流體流過 突脊716及溝槽718。 許多密封被顯示於第7圖的間隔物上。密封 被設置在每一個間隔物700及7〇丨上，以將每一 物密封到鄰接的膜。例如’在間隔物7〇〇上之密 上之密 ^密封， 在間隔 間隔物 封，且 在間隔 間隔物 定位在 元對包 在某些 換膜且 間隔物 交換膜 膜722 中，第 二間隔 顯示與 歧管的 724可 値間隔 封724 201240923 用於將間隔物700密封到膜72〇。 一中間密封726對密封724提供一支撐密封，且將 每一個間隔物在、封到鄰接的間隔物。周圍密封7 2 8對密 封724及密封726提供又一個支撐密封，且亦將每一個 間隔物密封到鄰接的間隔物。例如，在間隔物7〇丨上之 後封7 2 8用於將間隔物7 0 1密封到間隔物7 〇 〇。 密封亦設置在繫棒穿孔的周圍，如密封73〇定位在 間隔物700上之繫棒穿孔732的周圍。另一個密封，密 封734位於間隔物700之穿孔736周圍，可防止在間隔 物700與間隔物701的流動隔室之間的穿孔736處的交 叉洩漏。 例1 在許多電化學淨化裝置上進行測試，包含對依本發 明一些實施例的連續電去電離裝置（模組A)，並在性能及 產品水品質上與其他電化學淨化裝置（模組B及c)比較。 在模組A中的單元對數目為丨〇。膜彼此間之距離為 0.125英吋（3.2mm)。每個稀釋單元之公稱流量為 〇.169gPm(63 8mL/min·)。在稀釋單元中停留時間為16 7 秒。每個濃縮單元之公稱流量··〇 〇146gpm(55mL/min )。 總進水流量之產品流量的整體再生利用率為9〇。/(^對每 一個模組A之進水係來自於一以自來水進給的逆滲透系 統的產物，及為了調整進水傳導率當量（FCE)而另外添加 的氯化鈉（NaCl)及二氧化碳（c〇2)氣體。進水溫度平均值 為約22°C。 模組B具有膜彼此間之距離為〇 〇95英吋（2 4mm)。 -20- .201240923 單元中之停留時間為Μ秒4最^ 早7L中之停留時間為1 8秒。 寺在稀釋 模組C具有膜彼此間之距離為〇 在最大流量時在稀釋單元中之停留時間為、149(=叫。 模組Α之細節顯示於第8及9圖， 圓 電淨化設備的如模組A之隔室及膜 ：：圖係在- 第8圖中，3個單元對㈣ _ 的概不圖。在 加…w 对係簡化地顯不;但是模組A包含10 個早兀對。第8圖之電淨化設備顯示交互 及稀釋隔室852。一電極隔官,^ 勺濃縮隔至850 p3 . ^ 電桎隔至，如陰極隔室854及陽極 =近在設備之每一端的濃縮隔室“Ο。陰 極858位於罪近陰極隔室854 ^ P ^ )且陽極86〇位於靠近陽極 二H 室854、陽極隔室856、及濃縮隔室850 =曲為、机路平行。所有稀釋隔室852亦係均流體地平行。 私辰縮隔t 850亦可被稱為緩衝隔室且可另外被使用將 陽極隔室856或陰極隔室854與稀釋隔室852隔離，使 得電極反應之產物不致污染到產品。 第9圖顯示如第8圖所示之pa1隔物及膜之堆疊的分 解圖。但是為了清楚起見僅顯示一個單元對。陽離子交 換膜962及陰離子交換膜964介插於間隔物97〇,966,968, 及972之間。$隔物966包括濃縮隔室且間隔物968包 括稀釋隔室。每一個間隔物966 & 968包括如第以及 1Β圖中所述之幾何形狀及特徵。可被稱為第一修改間隔 物的間隔物970包括陽極隔室且具有第一平坦側及第二 平坦側，兩者和陽離子及陰離子交換膜962及間隔物966 一致。可被稱為第二修改間隔物的間隔物9 7 2包括陰極 隔室，並具有為平坦的且包含密封的第一側及第二側（未 •21- 201240923 圖示），以致兩者和陽雜& %離子及陰離子交換膜962及間隔物 ⑽：致。間隔物972之第二側不一定包括如第7圖戶: 不之密封734般的密封。此能與陰極有較佳的對齊。 /如第10圖所示，顯示水品質與進給傳導率當量之關 係曲線在曲線上之許多條線及繪點係參照特定條件下 運，的不同之電化學裝置。進給水被測試，進水傳導率 當量值係在約bS/cm至約5MS/cm的範圍内變化^十對 模組A，進給水被測試，其包含從約#s/cm至約卿 的進水傳料當量值，在進水傳導率當量 值為約~S/cm至約350/cm的範圍内，水之品質（阻抗） 被維持在約i5meg〇hm-cm至約17meg〇hmcm的範圍 内在進水傳導率當篁值為約5gS/cm至約的範 圍内，水之品質（阻抗）被維持在約1〇meg〇hm_cm至約 18meg〇hm-cm的範圍内。在電淨化設備中的停留時間為 1 6 · 7 秒。 在一公稱流量下運轉的模組B，不論其具有24秒之 較長的停留期間，在相同的進水傳導率當量範圍内並不 提供一致的水品質。在最大流量下運轉的模組B、在公 稱流量下運轉的模組C亦在相同的進水傳導率當量範圍 内不提供一致的水品質。此數據顯示，藉使用本發明之 某些實施例之電化學淨化設備，在寬廣的進水傳導率當 量範圍内可達到改善的產品水之品質。 田 不僅藉使用本發明之電化學淨化設備改善產品水之 品質，而且水流經設備的停留時間亦從24秒減少到丨6 7 秒。此證明本發明之電化學淨化設備能更有效率地運轉 -22- 201240923 而比其他裝置產出更佳的產品水之品質。如圖示，當嘗 試在模組B中符合於減少的停留時間至18秒時對大部 分已知進水傳導率當量範圍内的產品水之品質大致較 低。 由上述的結果可知，本發明之電化學淨化設備在廣 泛的進水範圍可提供較高的產品水之品質，且亦提供較 快的水處理。此設備可提供更有效的水處理且減少運轉 成本。此設備亦可使用一寬廣範圍的進水以有效地達成 高的產品水之品質。 例2 蓋件之一個實施例顯示在第丨丨圖中。第丨丨圖之蓋 件被用來執行流體力學電腦模擬（CFD)以顯示通過間隔 物之：體的流量。如第u圖所示，例示之肋"Μ在流 動歧官上方被成型為蓋件之部分，以導引流體從入口 1176及出口埠至子隔室或間隔物之流道。子隔室或流道 可填充樹脂。例示之流動通道"78連接入口 1176到間 隔物之通道。在此圖中’通道為四個獨立群組β 在某些實施例中，希望在每一條流道中具有相等的 流量，假定流道具有相同的體積。然後每條流道之停留 時間：等’且在間隔物中的整個樹脂體積及接觸的膜面 積被完全使用，以便從絲雜 、 稀釋隔至輸送離子到濃縮隔室。 由流動模擬及試驗室之試驗，已發現第U圖中之咬 計可達到均句的流動分配。從人口谭經由每到 出口槔的流動可藉改變蓋件之肋的尺寸及位置而；立地 調整β在通過流道的流動之間某些量的互相作用為不可 '23- 201240923 免，但是在設計中可說明。 第12圖顯示如第n圖 7不之間隔物的CFD模擬之 結果。如例示為i 28〇之流動 逼將入口及出口埠連到流 道1282。在流動通道ι28〇中 ^ ^ ^ 丨L連會變化；但是在樹脂 流道中的流速並不顯著。若在 遂罝於隔室或子隔室中流 體之平均流動方向的線上選擇數 、评数點的話，此等點的速度 彼此在約5 %至約1 〇 %内而提供 仗供均勻的流體流。在某些例 中，在這些點的速度可彼此在至少5%内。 第13圖顯示通過第12|11邮- θ 圖所不之間隔物之四個流道 之流量的分佈。流量相斜於单u 里作3了 &十均值的變化係少5%，即使 總流置在公稱流量的纟ί] 5 Γ)& W L ® ^ 'Ί至約150%之間變化（在 234ml/min 與 1360ml/min 之間）。 此等結果證明了依照本發明之某些實施例的電淨化 设備的設計在提供通過每一個隔室之均勻流體流的效 益。藉著更均勻的流體流，可減少流體在隔室中之停留 時間，導致在同樣時間内有更多進水被處理，且使用較 少的能量來處理水。此等結果證明了能更有效率、有效 益及較少成本之過程來處理水。 雖然本發明之貫ίβ例已在此揭示，但是在不違離本 發明及其均等性之精神及範圍可作許多.修改、添加、及 刪減’本發明及其均等性之精神及範圍定義於下列申請 專利範圍中。 熟於此技術者可隨即了解在此敘述的參數及結構係 舉例，且實際參數及結構係視使用本發明之電淨化設備 及方法之特定應用而定。熟於此技術者可認識或不過使 •24· 201240923 用例行試驗即可確定在此說明的特定實施例之許多均等 性。例如，熟於此技術者可認識，依本發明之設備、及 其元件可另包括系統之網路或水淨化或處理系統之元 件。故須了解，前述實施例僅一例子方式呈現且在附加 申請專利範圍及其均等性的範圍内，所揭示的電淨化設 備及方法能如具體敘述的方式實施。本設備及方法係針 對在此敛述的每一個別特徵或方法。除此之外，_或夕 個此種特徵、設備或方法之任何結合，若此種特徵、設 備或方法互相不同時，係包含在本發明之範圍内。 例如’殼體可為任何適當之幾何形狀，且一或多個 膜單元堆疊或模組單元可被鎖固在其内。例如，殼體可 為圓柱形、多邊形、方形、或矩形。關於膜單元堆疊或 模組單元，只要膜單元堆疊或模組單元可被鎖固到殼體 的話，任何適當之幾何形狀均可接受。例如，膜或間隔 物形狀上可為矩形。在某些實施例中，希望在單元堆疊 上有特疋數目之角部或頂點。例如，希望能有三或多個 角部或頂點以將單元堆疊鎖固到殼體。在某些實施例 中，可選擇殼體、單元堆疊、膜、及間隔物之其中任何 一個的幾何形狀，以容納電淨化設備之作業參數。例如， 間隔物可為非對稱’以容納稀釋與濃縮流之間的流量之 差異。 又’須了解’熟於此技術者可隨即作出許多改變、 修改、及改善。此等改變、修改、及改善係為本發明之 4分’且在本發明之精神範圍内。例如，既有設備可被 修改為使用或包含本發明之一或多個形態。故，在某些 -25- 201240923 情況中，設備及方法可包含連接或構成一既有裝置使 其包括一電淨化設備。因而，上述說明圖面係僅為舉例。 又，圖面所顯示並不限制本發明為特定圖示。 在此所使用的名詞「複數個（plurality)」係指二或多 項或元件。不論在本文說明書或申請專利範圍中等，名 詞「包括..comprising」、「包含：including」、「carrying」、 「havmg」、「containing」、「inv〇lving」，係末端開放的 名詞，即意為「包含但不限定於^因而，此等名詞之使 用意在包括隨後列出的項目，及其等之均等性及額外 項目。關於申請專利範圍中申請專利範圍，僅過渡性句 子’’consisting of”及” consisting essenUaUy 〇f，，係各為封 閉或半封閉過渡性句子。在申請專利範圍中用於修飾申 請專利範圍元件之序數名詞如「第1」、「第2」、「第3 等之使用本身並不意味著任何優先、先後、或一個申請 專利範圍元件對另一個申請專利範圍元件之次序，或方 法的動作被執行的時間順序，而僅用作標籤以區別具有 某名稱之一個申請專利範圍元件和具有相同名稱之另一 個元件（但係序數名詞之使用）之不同。 至少某些附圖 物、單元堆疊、及 別的結構及幾何形 形狀，以使一或多 體内。例如，殼體 形。關於膜單元堆 單元可被鎖固到殼 以特別結構及幾何 殼體。但是，本發 狀。例如，殼體可 個膜單元堆疊或模 可為圓柱形、多邊 疊及模組單元，只 體的S舌，任何適當 形狀顯示膜、間隔 明並不限於此等特 為任何適當的幾何 組單元可鎖固在殼 形、正方形、或矩 要單元堆疊或模組 的幾何形狀皆可接 -26- 201240923 受。例如，膜或間隔物可為矩形。 不需要殼體。膜及間隔物之幾 某些實施例中，並 又戍何形狀 何形狀，以使膜及間隔物可祜 馬任何適當的幾 攸頌囚到單；， 實施例中，希望在單元堆疊上有平70堆疊。在某些 點。例如’三或多個角落或頂點可：來= 到殼體。在某些實施例中，可選擇殼體、單元堆二膜、 及間隔物之任何一個的幾何形狀， 从谷納電淨化呼備之 操作參數。例如，間隔物可為非對 ° ^ B 辑，以谷納稀釋及濃 縮流動之間的流量之差異。 【圖式簡單說明】 此等附圖中，每個在 元件係以相同符號表 每一圖中標示。附圖 附圖並非以真實比例繪製。在 不同圖面中顯示的相同或類同的 示。為清楚起見’並非每個元件在 中： 或夕個實施例之電淨化設 第1A圖係依本發明之一 備之間隔物的概示圖； 例之電淨化設 之電淨化設備 第1B圖係依本發明之一或多個實施 備之間隔物的概示圖； 第2圖係依本發明之一或多個實施例 之一部分的概示圖； 第3圖係依本發明之一 之間隔物的概示圖； 或多個實施例 之電淨化設備 第4圖係依本發明之一 之一部分的概示圖； 或多個實施例 之電淨化設備 弟：>A圖係依本發 -2 7- 201240923 備之間隔物的概示圖； 第5 B圖係依本發明之一或多個實施例電去離子設 備之間隔物的概示圖； 第6圖係依本發明之一或多個實施例之電去離子設 備的單元對之分解概圖； 第7圖係依本發明之一或多個實施例通過第6圖之 單元對的線之剖面概圖； 第8圖係依本發明之一或多個實施例之電淨化設備 之一部分的概不圖；； 第9圖係依本發明之一或多個實施例之電淨化設備 之一部分的分解概示圖； 第1 0係依本發明之一或多個實施例之水品質與進給 傳導率當量之曲線； 第11圖係依本發明之一或多個實施例之電淨化設備 之間隔物的概示圖； 第1 2圖係依本發明之一或多個實施例之流體力學電 腦模擬；及 第1 3圖係依本發明之一或多個實施例之—例的流量 與流道數目的曲線。 【主要元件符號說明】 102 出口 104 入口 106 流動隔室 108 本體 110 蓋件 -28- 201240923 20 間 隔 物 202 入 π 206 流 動 隔 室 212 流 動 歧 管 310 蓋 件 308 本 體 302 入 D 304 出 D 40,710 蓋 件 402 入 口 416,716 突 脊 418,718 溝 槽 620,720 第 一 離 子 交 換 膜 622,722 第 二 離 子 交 換 膜 600,700 第 一 間 隔 物 601,701 第 二 間 隔 物 624,724 密 封 626,726 中 間 密 封 628,728 周 圍 密 封 630,730,734 密 封 732,736 繫 棒 穿 孔 850 '曲 縮 隔 室 852 稀 釋 隔 室 854 陰 極 隔 室 856 陽 極 隔 室 -29- 201240923 858 陰 極 860 陽 極 962 陽 離 子 交 換 膜 964 陰 離 子 交 換 膜 970,966,968,972 間 隔 物 1174 肋 1176 入 口 1178 流 動 通 道 -30-

Claims (1)

1. 201240923 七、申請專利範圍： 1_ 一種電淨化設備，包括： 由複數個離子交換膜界定的複數個交互之離子 消除隔室及離子濃縮隔室，該複數個離子消除隔室及 離子濃縮隔室之每一個包括： —包含本體及蓋件之間隔物，該蓋件具有小於約 1 mm之厚度且包括第一構件，該第一構件與在該本體 上之第二構件耗合而提供密封，該蓋件及該本體界定 一歧管’且該間隔物構成並配置成在進水傳導率當量 (feed conductivity equivalent)為約 5pS/cm 至約 lOMS/cm的範圍内提供約mega〇hm_cm至約i8 megaohm-cm之產品水的阻抗。 2.如申請專利範圍第1項之電淨化設備，其中該間隔物 包括具有不均勻表面的第一側、及具有平坦表面之第 二側。 2項之電淨化設備，另包括：第_

   3 ·如申請專利範圍第 修改間隔物，定位 修改間隔物，定位 端塊具有一致的幾何形狀。

   -31 - 201240923 系構成且配置成提供通過該複數個離子消除隔室及 離子濃縮隔室之每一個的均勻流體流。 .如申凊專利範圍第6項之電淨化設備，其中該間隔物 系構成且配置成用於在第一點、第二點、及第三點提 、彼此約5 %至約1 〇 %之範圍内的流體流動速度，以 提七、均勻的流體流’該第一點、第二點、及第三點係 平行於該間隔物之一邊緣運行。 8 ·種電淨化設備，包括： 由複數個離子交換膜界定的複數個交互之離子 ’肖除隔至及離子濃縮隔室，該複數個離子消除隔室及 離子濃縮隔室之每一個包括： 包含本體及蓋件之間隔物，該蓋件具有lmm之 厚度且包含第一構件，該第一構件與在該本體上之第 二構件耦合而提供密封，該蓋件及該本體界定一歧 B ，以提供通過該每一個隔室之均勻流體流。 9·如申請專利範圍第8項之電淨化設備，其中該歧管包 含流道’以引導流體至該隔室。 H)·如申請專利範圍第9項之電淨化設備，其中該蓋件包 括突脊及溝槽，當與該本體耦合時用於提供在該歧管 中的流道。 U.如申請專利範圍第8項之電淨化設備，其中該間隔物 包括具有不均勻表面的第—側、及具有平坦表面之第 二側。 如申請專利範圍第U項之電淨化設備，另包括：第 一修改間隔物，定位在該電淨化設備的第一端；及第 -32- 201240923 二修改間隔物’定位在該電淨化設備的第二端。 1 3 _如申請專利範圍第12項之電淨化設備，另包括：第 一端塊’定位在第一修改間隔物附近；及第二端塊， 定位在第二修改間隔物附近，其中該第一端塊及該第 '一 塊具有一致的幾何形狀。 1 4 _如申請專利範圍第8項之電淨化設備，其中該間隔物 構成且配置成在進水傳導率當量為約5pS/crn至約 100pS/cm的辄圍内提供約1〇 mega〇hm_cin至約is megaohm-cm之產品水的阻抗。 1 5 ·如申請專利範圍第8項之電淨化設備，其中該間隔物 係構成且配置成用於在第一點、第二點、及第三點提 供彼此約5%至約10%之範圍内的流體流動速度，以 提供均勻的流體流，該第一點、第二點、及第三點係 平行於该間隔物之—邊緣運行。 16. 如申清專利範圍第8項之電淨化設備，其中該間隔物 之厚度在約2mm至約4mm的範圍。 17. 一種提供超純水之系統，包括： 水源’包含約50ppm至約lOOOppm之總溶解 口體’一單通逆滲透單元，其流體連接至該水源； —單通電去電離裝置，其流體連接至包含複數個 '農縮&至及稀釋隔室的該單通逆滲透單元，該每一個 ^至具有小於約4_之厚冑，該裝置構成且配置成 ’、3有約5pPb至約lOOppb總溶解固體之產品水。 、申:專利範圍第17項之系統，其中該複數個離子 消除隔至及離子濃縮隔室之每一個包含一間隔物，該 -33- 201240923 間隔物包含本體及蓋件’該蓋件具有1 mm 包含第一構件，該第一構件與在該本體上之 雜合而提供密封，該蓋件及該本體界定一歧 供通過該每一個隔室之均勻流體流。 19. 如申凊專利範圍第1 8項之系統，其中該歧 道，以引導流體至該隔室。 20. 如申請專利範圍第19項之系統，其中該蓋 脊及溝槽’當與該本體耦合時用於提供在該 流道。 21·如申請專利範圍第17項之系統，另包括： 間隔物，定位在該電淨化設備的第一端；及 間隔物’定位在該電淨化設備的第二端。 22. 如申請專利範圍第17項之系統，另包括：第 定位在第一修改間隔物附近；及第二端塊， 二修改間隔物附近’其中該第一端塊及該第 有一致的幾何形狀。 23. 如申請專利範圍第17項之系統，其中該間 具有不均勻表面的第_側、及具有平坦表 側0 24. 如申請專利範圍第1 8項之系統，其中該間 成且配置成用於在第—點、第二點、及第三 此約5%至約丨0%之範圍内的流體流動速度 均勻的流體流，該第一點、第二點、及第三 於該間隔物之一邊緣運行。 25. —種用於提供超純水的方法，包括： 之厚度且 第二構件 管’以提 管包含流 件包括突 歧管t的 第一修改 第二修改 一端塊， 定位在第 二端塊具 隔物包括 面之第二 隔物係構 點提供彼 ，以提供 點係平行 -34- 201240923 引導含有進水傳導率當量約i〇0pS/cin至約 2000pS/cm的水到—單通逆滲透單元，以產生含有傳 導率當量約5pS/cm至約100μ8/(ίιη的過濾水； 引導5玄過濾水到一包含複數個濃縮隔室及稀釋 隔室的早通電去雷離缺罢& ^ 电離裝置中，該每一個隔室具有小於 約4mm之厚度，以提供合 択3有阻抗為約5 megaohm-cm 至約18 mega〇hm-cm之產品水。 26. 如申請專利範圍第25項 一 項之方法’其中該複數個離子 消除隔室及離子濃缩瞌玄 > . 晨細隔至之母—個包括：包含本體及 蓋件之間隔物，該蓋件呈右】 显仵/、有1mm之厚度且包含第一 構件’ S玄第一構件盘右兮士 Μ , 仟/、在。玄本體上之第二構件耦合而提 供被封，該蓋件及該本體界 匕个遐介疋一歧管，以提供通過該 每一個隔室之均勻流體流。 27. 如申請專利範圍第26項 ^ s ,a ^ 貝之方法，其中引導該過濾水 到π玄單通电去雷離番+ 管中的流道。 包括引導流體通過在該歧 28. =Γ範圍第26項之方法，其中該蓋件包括突 脊及溝槽，當與該本體搞合 $ 4 祸D時用於提供在該歧管中的 流道。 29. 如申請專利範圍第26項之方、本# θ ^ 、 方法，其中該間隔物包括 具有不均勻表面的第一側、及1 側。 及I有平坦表面之第二 其中該間隔物係構 、及第三點提供彼 流動速度，以提供 30.如申請專利範圍第26項之方法， 成且配置成用於在第—點、第二點 此約5%至約1〇%之範圍内的流體 -35- 201240923 均勻的流體流，該第一點、第二點、及第三點係平行 於該間隔物之一邊緣運行。 -36-