201239486 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種於一對基板間保持有液晶之液晶& 置、及使用該液晶裝置作為光閥之投射型顯示裝置。 【先前技術】 於液晶裝置中，於一面側設置有複數個像素電極排列而 成之圖像顯示區域的元件基板、與設置有被施加共通電位 之共通電極的對向基板藉由密封材料而貼合，於元件基板 與對向基板之間在以密封材料包圍之區域内保持有液晶 層。該液晶裝置係用作直視型顯示裝置或投射型顯示裝置 之光閥。 於此種液晶裝置中，若液晶注入時所混入之離子性雜質 或自密封材料中溶析出之離子性雜質藉由液晶裝置之驅動 而於圖像顯示區域内凝聚，則會招致圖像之留痕（斑痕）等 顯示品質之下降。因此，提出有以下技術：於圖像顯示區 域之外側设置周邊電極，藉由將離子性雜質吸引至該周邊 電極且使其㈣n防止料性雜質於®像顯示區域内 凝聚（參照專利文獻1)。 八 °於專利文獻1所記載之技術中，以包圍圖 像顯示區域H方式設置第i周邊電極及第2周邊電 極對第1周邊電極及第2周邊電極施加不同之電位，並且 針對每個框架使對第i周邊電極及第2周邊電極施加之電位 之極性反轉，藉由第13 周邊電極與第2周邊電極之間之橫電 “進打液晶之微小之晃動及離子性雜質之移動。 I59872.doc 201239486 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]曰本專利特開2008-58497號公報之圖4等 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而，於在周邊區域藉由與像素電極同一層之導電膜而 設置虛設像素電極，藉此緩和圖像顯示區域與周邊區域之 尚低差而謀求圖像顯示區域内之平坦化之情形時，存在無 法將專利文獻1所記載之離子性雜質捕捉用之周邊電極配 置於適當之位置之問題。例如，若於較設置有虛設像素電 極之區域更内側設置離子性雜質捕捉用之周邊電極，則周 邊電極與圖像顯示區域之距離過短，捕捉至周邊電極之離 子性雜質之影響會波及至圖像顯示區域。相對於此，若於 較設置有虛設像素電極之區域更外側設置離子性雜質捕捉 用之周邊電極，則難以藉由周邊電極吸引圖像顯示區域内 之離子性雜質。 鑒於以上之問題，本發明之課題在於提供一種即便於設 置有虛言免像素電極之情_亦可將離子性雜質捕捉用之周 邊電極配置於適當之位晉之游曰驶罢 JT „ . 、田直之及日日裝置'及具有該液晶裝置 之投射型顯示裝置。 [解決問題之技術手段] 為解決上述課題，本發明之液晶裝置之包括：元件基 板·’於其-面側設置有複數個像素電極排列之圖像顯示區 域’對向基板’其設置有被施加共通電位之共通電極；密 159872.doc 201239486 封材料，其貼合上述元件基板與上述對向基板；及液晶 層’其保持於上述元件基板與上述對向基板之間以上述密 封材料包圍之區域内；且上述液晶裝置之特徵在於：於上 述元件基板之一面側包括：複數個導電圖案，其係於由上 述圖像顯示區域與上述密封材料夾持之周邊區域藉由與上 述複數個像素電極同一層之導電膜而形成；絕緣膜，其設 置於相對於上述複數個導電圖案及上述複數個像素電極為 上述對向基板所在之側；周邊電極，其設置於上述周邊區 域中相對於上述絕緣膜為上述對向基板所在之側且俯視時 重疊於上述複數個之導電圖案之區域，且被施加與上述共 通電位不同之電位；以及配向膜，其設置於相對於該周邊 電極為上述對向基板所在之側。 於本發明之液晶裝置中，因於元件基板之周邊區域設置 有施加與共通電位不同之電位之周邊電極，故於周邊電極 與共通電極之間生成液晶層之層厚方向之電場。因此，即 便於進行液晶注入時混入之離子性雜質或自密封材料中溶 析出之離子性雜質存在於液晶中、且該離子性雜質伴隨液 晶驅動而凝聚於圖像顯示區域之端部之情形時，離子性雜 質亦會被吸引至周邊區域中之周邊電極或共通電極中之與 周邊電極對向之部分，被吸引之離子性雜質以凝聚於此處 之狀態滯留於周邊區域。因&，由於離子性雜質不渗出至 圖像顯示區域，故可防止起因於離子性雜質之顯示品質之 :降。此處’以緩和圖像顯示區域與周邊區域之高低差且 提高圖像顯示區域内之表面、絕緣膜之平坦性為目的而於周 159872.doc 201239486 邊區域設置有導電圖案，但於本發明中，因於與導電圖案 重疊之位置設置有離子性雜質捕捉用之周邊電極，故即便 於形成導電圖案之情形時，亦可將周邊電極設置於距圖像 顯示區域之距離適當之位置。因此，可防止以周邊電極捕 捉之離子性雜質之影響波及至圖像顯示區域，並且可確實 將欲於圖像顯示區域凝聚之離子性雜質吸引至周邊電極附 近。因此，可同時實現圖像顯示區域内之平坦化、及起因 於離子性雜質之顯示品質之下降之防止。 於本發明中’較佳為：於上述周邊區域於相對於上述 複數個導電圖案為上述對向基板所在之側的相反側且俯視 時重疊之區域，設置有包括周邊電路及信號配線之周邊電 路部。根據該構成，因即便於對周邊電極施加交流之情形 時’亦可藉由導電圖案阻止離子性雜質捕捉用之周邊電極 之電性之影響，故可將周邊電路部設置於與導電圖案重疊 之區域，即與周邊電極重疊之區域。 於本發明中’較佳為上述周邊電極於至少相對於上述周 邊電路部於俯視時重疊之區域包含沿與上述複數個導電圖 案重叠之區域平行延伸之複數個帶狀電極。根據該構成， 因可將周邊電極中自莫, 电ηT自導電圖案凸出之部分抑制得較小，故 即便於對周邊電極施加交流卜 父机之清形時，離子性雜質捕捉用 之周邊電極之電性之影響亦可藉由導電圖案來阻止，從而 不易波及至周邊電路部。 於本發月中’較佳為上述複數個帶狀電極之間距等於盘 該複數個帶狀電極之延伸方向正交之方向上的上述複數個 159872.doc 201239486 導電圖幸wc /、 $距。根據該構成，因可將周邊電極中自導電 、案凸出之。卩分抑制得較小，故即便於對周邊電極施加交 形時，離子性雜質捕捉用之周邊電極之電性之影響 '、°藉由導電圖案來阻止，從而不易波及至周邊電路部。 ;本發明中’較佳為上述複數個帶狀電極之線寬小於與 該複數個帶狀電極之延伸方向正交之方向上的上述複數個
導電圖夕P —L 尺寸。根據該構成，因可將周邊電極中自導電 案凸出之邛分抑制得較小，故離子性雜質捕捉用之周邊 電陵之衫響藉由導電圖案來阻止，I而不易波及至 周邊電路部。 於本發明中，較佳為上述複數個導電圖案及上述周邊電 極没置於上述周邊區域之全周。根據該構成，因周邊電極 之形成紅圍較廣，故可有效地捕捉離子性雜質。 本發明應用於上述配向膜為無機配向膜且於上述液晶層 中使用介電異向性（介電常數異向性）為負之向列液晶化合 物之情形時較為有效。無機配向膜有容易吸附離子性雜質 之傾向，但根據本發明，即便為使用無機配向膜之情形 時’亦可確實地防止離子性雜質於圖像顯示區域内凝聚。 又’於在液晶層中使用介電異向性為負之向列液晶化合物 之情形時’因液晶分子以長度方向之一處為中心旋轉，故 雖容易使離子性雜質聚集至特定部分，但亦容易產生圖像 之劣化，但根據本發明，即便於使用介電異向性為負之向 列液晶化合物之情料，亦可確實地防止離子性雜質於圖 像顯示區域内凝聚。 159872.doc 201239486 本發明之液晶裝置例如亦可用作投射型顯示裝置之光閥 或直視型顯示裝置。於將本發明之液晶裝置用於投射型顯 示裝置之情形時，於投射型顯示裝置中設置將對上述液晶 裝置供給之光出射之光源部、及將藉由上述液晶裝置調變 之光投射之投射光學系統。 【實施方式】 參照圖式對本發明之實施形態進行說明。再者，於以下 之說明所參照之圖+，為冑各層4各構件設為於圖式上可 識別之程度之大小，針對各層或各構件使縮尺不同。再 者，於流經場效型電晶體之電流之方向反轉之情形時，源 極與汲極調換，但於以下之說明中’為方便起見，將連接 有像素電極之側設為汲極、且將連接有資料線之側設為源 極進行說明。又，於對形成於元件基板之層進行說明時， 所謂上層側或表面侧係指元件基板之基板本體所在之側之 相反側（對向基板所在之側），所謂下層側係指元件基板之 基板本體所在之側（對向基板所在之側之相反側）。 [實施形態1] (整體構成） 圖1係表示應用有本發明之液晶裝置之電性構成之方塊 圖。於圖1中’液晶裝置100具有TN(Twisted Nematic，扭 轉向列）模式或VA(Vertical Alignment，垂直配向）模式之 液晶面板100p ’液晶面板1 〇〇p於其中央區域具備複數個像 素100a矩陣狀地排列而成之圖像顯示區域丨〇a。液晶面板 l〇〇p中’於下述之元件基板1〇(參照圖2等）中，於圖像顯示 159872.doc 201239486 區域10a之内側複數條資料線^及複數條掃描線縱橫地 延伸，於與該等之交又對應之位置構成有像素100a。於複 數個像素100a之各個中形成有包含場效型電晶體之像素電 晶體30、及下述之像素電極％。於像素電晶體冗之源極電 性連接有資料線6a，於像素電晶體3〇之閘極電性連接有掃 描線3a，於像素電晶體3〇之汲極電性連接有像素電極9a。 於元件基板10中，於較圖像顯示區域10a更外周側設置 有掃描線驅動電路104、資料線驅動電路1〇1及包括各種配 線之周邊電路部106。資料線驅動電路1〇1電性連接於各資 料線6a，且將自圖像處理電路供給之圖像信號依序供給至 各資料線6a。掃描線驅動電路1〇4電性連接於各掃描線 3a ’且將掃描信號依序供給至各掃描線3&。 於各像素100a中，像素電極9a隔著液晶層而與形成於下 述之對向基板20(參照圖2等）上之共通電極對向，從而構成 液晶電容50a。又，於各像素100a中，為防止由液晶電容 5〇a保持之圖像信號之變動，而與液晶電容5〇a並行地附加 儲存電容55。本形態中，為構成儲存電容55，跨及複數個 像素100a而形成有與掃描線3a並行地延伸之電容線5b。 於該液晶裝置100中’在掃描線驅動電路i 〇4或資料線驅 動電路101之形成區域及其附近設置有被施加有共通電位 Vcom之共通電位線5c、或供給與共通電位Vc〇m*同之離 子性雜質捕捉用之電位Vtrap之配線5s，儲存電容55電性連 接於共通電位線5c ’下述之周邊電極電性連接於配線5s。 (液晶面板100p及元件基板10之構成） 159B72.doc 201239486 圖2係應用有本發明之液晶裝置100之液晶面板loop之說 月圖® 2(a) (b)为別係自對向基板之側一併地觀察應用 有本發明之液晶裝置100之液晶面板1〇〇p與各構成要素之 平面圖、及其Η-ΪΓ剖面圖。圖3係形成於應用有本發明之 液晶裝置100之元件基板1〇上之電極等之說明圖，圖％勾、 (b)分別係表不凡件基板1〇整體中之像素電極％或虛設像素 電極9b之佈局之說明圖、及表示虛設像素電極9b之形狀等 之說明圖》再者，圖3中省略周邊電極以之圖示。又，圖3 中關於像素電極9a或虛設像素電極9b之數量等表示得較 少，周邊區域l〇b之寬度尺寸表示為相當於3列虛設像素電 極之量。 如圖2(a)、（b)及圖3(a)所示’於液晶面板1〇〇p中，元件 基板10與對向基板20隔著特定之間隙且藉由密封材料1〇7 而貼合，密封材料107以沿對向基板2〇之外緣之方式設置 為框狀。密封材料107為包含光硬化樹脂或熱固性樹脂等 之接著劑，且調配有用以使兩基板間之距離為特定值之玻 璃纖維 '或者玻璃珠等間隙材料。本形態中，於密封材料 1〇7中設置有用作液晶注入口之間斷部分1〇7a，該間斷部 为1 〇7a於液晶之注入後藉由密封材料1 〇5而密封。本形態 中，於兀件基板10之4條邊部分l〇d〜l〇g中的邊部分1〇d所 在之側設置有間斷部分1〇73及密封材料1〇5。 於該構成之液晶面板l〇〇p中，元件基板1〇及對向基板2〇 均為四邊形，於液晶面板100p之大致中央處設置有參照圖 1所說明之圖像顯示區域]0a作為四邊形之區域。對應於該 159872.doc 12 201239486 形狀，密封材料而亦設置為大致四邊形，於密封㈣iq7 之内周緣與圖像顯示區域1〇a之外周緣之間，大致四邊形 之周邊區域10b設置為邊框狀。 於元件基板H)之-面H)s及另-面1〇t中的一面i〇s之側 (對向基板20所在之面側)’於圖像顯示區域心之外側沿元 件基板1G之-邊（邊部分1Gd)形成有資料線驅動電路⑻及 複數個端子102,沿鄰接於該一邊之其他邊(邊部分⑽、 l〇g)形成有掃描線驅動電路1()4。又，詳細内容於下文敍 述，但於元件基板U)之-面1()s，在圖像顯示區域心中矩 陣狀地形成有參照圖…說明之像素電晶體3〇、及電性連 接於像素電晶體3 0之矩形之傻去®杖λ 心乙傢常電極9a，於該像素電極9a 之上層側形成有配向膜16。 又，於元件基板10之-面1〇s，在周邊區域⑽中形成有 作為與像素電極9a同時形成之導電圖案之虛設像素電極 外。虛設像素電極9b採用施加有電位之構成、或未施加電 位之處於浮動狀態H於任—情料，於使元件基板 1〇中形成配向膜16之面藉由研磨而平坦化時，虛設像素電 極9b有助於磨縮圖像顯示區域1〇a與周邊區域⑽之高度位 置而使形成配向膜16之面為平坦面。本形態中，因經由共 通電位線5C而對虛設像素電極处施加共通電位v讓，故 可防止圖像顯示區域l〇a之外周側端部之液晶分子之配向 之混亂。 本开'態中，如圖3(b)所示，虛設像素電極％係以與像素 電極9a相同之形狀及相同之大小且以與像素電極％相同之 159872.doc 201239486 間距而形成。此處’複數個虛設像素電極9b中之鄰接之虛 设像素電極9b彼此經由寬度比虛設像素電極9b窄之連結部 9ιι而連接。因此，若對一部分虛設像素電極％施加共通電 位Vcom ’則會對所有虛設像素電極9b施加共通電位Vcom。 再次於圖2(b)中’於對向基板20之兩面中之與元件基板 10對向之一面形成有共通電極21 ’於共通電極21之上層形 成有配向膜26»共通電極21形成於對向基板2〇之大致整個 面或作為複數個之帶狀電極跨及複數個像素1〇〇&而形成。 又’於對向基板20中與元件基板1〇對向之一侧之基板面， 在共通電極21之下層側形成有遮光層1〇8。本形態中，遮 光層108形成為沿圖像顯示區域！ 0a之外周緣延伸之邊框 狀。此處’遮光層108之外周緣位於其與密封材料1〇7之内 周緣之間隔開間隙之位置上，遮光層i 08未與密封材料i 〇7 重疊。再者’於對向基板20中，遮光層1〇8有時於與由鄰 接之像素電極9a所夾持之區域重疊之區域等形成為黑矩陣 部。 於如此構成之液晶面板1 00p中，於元件基板〖〇中，在較 密封材料107更外側且與對向基板2〇之角部分重疊之區域 形成有用以於元件基板10與對向基板2〇之間獲得電性之導 通之基板間導通用電極109 ’該基板間導通用電極1〇9電性 連接於共通電位線5c。又’於與基板間導通用電極1〇9重 疊之位置上配置有包含所謂的銀點等導電粒子之基板間導 通材料109a，元件基板10之共通電位線5c與對向基板2〇之 共通電極21經由基板間導通材料1 〇9a而電性連接。因此 159872.doc 201239486 共通電極21自元件基板1 〇之側被施加共通電位vc〇rn β 此處’密封材料107以大致相同之寬度尺寸沿對向基板 20之外周緣而設置。因此，密封材料1〇7為大致四邊形。 但’密封材料107於與對向基板20之角部分重疊之區域以 避開基板間導通用電極109且通過内側之方式而設置，密 封材料107之角部分為大致圓弧狀。 於該構成之液晶裝置100中’若藉由IT0(Indium Tin Oxide，氧化銦錫）膜或IZO(IndiumZinc〇xide，氧化銦辞） 膜等透光性導電膜形成像素電極9a及共通電極2丨，則可構 成透過型之液晶裝置。相對於此，若藉由透光性導電膜形 成像素電極9a及共通電極21之一者，藉由銘膜等反射性導 電膜形成另一者’則可構成反射型之液晶裝置。於液晶裝 置100為反射型之情形時，自元件基板1〇及對向基板2〇中 之一側之基板入射之光，於由另一側之基板反射而出射之 期間被調變而顯示圖像。於液晶裝置1〇〇為透過型之情形 時，自元件基板1 〇及對向基板2〇中之一側之基板入射之光 於透過另一側之基板而出射之期間被調變而顯示圖像。 -液晶裝置100可用作行動電腦、行動電話等電子機器之 彩色顯示裝置，於此情形時，於對向基板2〇上形成有彩色 濾光片（未圖示）或保護臈。又，於液晶裝置1〇〇中，根據使 用之液晶層50之種類、或正常顯白模式/正常顯黑模式之 各個，偏光膜、相位差膜、偏光板等對於液晶面板1〇〇p在 特疋之方向上配置。進而，液晶裝置1〇〇於下述之投射型 顯示裝置（液晶投影儀）中可用作RGB(red、green、blue)用 159872.doc 201239486 之光閥。於此情形時，因經由RGB色分解用之分光鏡而分 解之各色之光作為投射光而分別入射至RGB用之各液晶裝 置100之各個，故未形成彩色濾光片。 本形態中’液BB裝置100係於下述之投射型顯示裝置中 用作RGB用之光閥之透過型之液晶裝置，以自對向基板2〇 入射之光透過元件基板10而出射之情形為中心進行說明。 又，本形態中，以液晶裝置1〇〇包括使用介電異向性（介電 常數異向性）為負之向列液晶化合物作為液晶層5 〇的V A模 式之液晶面板100p之情形為中心進行說明。 (像素之具體之構成） 圖4係應用有本發明之液晶裝置1〇〇之像素之說明圖，圖 4(a)、（b)分別係使用應用有本發明之液晶裝置ι〇〇的元件 基板10中鄰接之像素之平面圖、及於與圖4 (a)之線相 當之位置切割液晶裝置1 〇〇時之剖面圆。再者，於圖4(a) 中，半導體層以細且短之虛線表示，掃描線3 a以粗實線表 示，資料線6a及與其同時形成之薄膜以一點鏈線表示，電 谷線5 b以兩點鏈線表示，像素電極9 a以粗且長之虛線表 示，下述之汲極電極4a以細實線表示。再者，於與掃描線 3a或電谷線5b荨重疊之區域形成有遮光層7a，但於圖4(丑） 中省略遮光層7a之圖示。 如圖4(a)所示，於元件基板1〇之一面1〇s侧，於複數個像 素100a之各個中形成有四邊形之像素電極9a，分別沿各像 素電極9a之縱橫之邊界形成有資料線6a及掃描線“ ◎資料 線6a及掃描線3 a分別直線狀地延伸，對應於資料線6a與掃 159872.doc •16· 201239486 描線3a之交叉而形成有像素電晶體30。於元件基板10上以 與掃描線3a重疊之方式形成有電容線5b。本形態中，電容 線5b包括以與掃描線3a重疊之方式直線狀地延伸之主線部 分、及以於資料線6a與掃描線3a之交叉部分重疊於資料線 6a之方式延伸之副線部分。 如圖4(a)、（b)所示，元件基板1〇係將形成於石英基板或 玻璃基板等透光性之基板本體10w之一面1〇s側的像素電極 9a、像素切換用之像素電晶體3〇、及配向膜丨6作為主體而 構成。對向基板20係將形成於石英基板或玻璃基板等透光 性之基板本體20w之一面側之共通電極21、及配向膜％作 為主體而構成。 於元件基板10中，於基板本體l〇w之一面l〇s側形成有包 含金屬矽化物膜或金屬膜之遮光層7a，於該遮光層7a之表 面側形成有基底絕緣膜12。又，於複數個像素1 〇〇a之各個 中形成有具有半導體層la之像素電晶體3〇。半導體層丨&包 括相對於包含掃描線3 a之一部分之閘極電極3 c隔著閘極絕 緣層2而對向之通道區域lg、源極區域1!;)及汲極區域ic， 源極區域1 b及汲極區域1 c分別包括低濃度區域及高濃度區 域。半導體層la例如藉由形成於基底絕緣膜12之表面之多 晶石夕膜等而構成，閘極絕緣層2包含藉由cVD(chemical vapor deposition ,化學氣相沈積）法等形成之氧化矽膜或 氮化矽膜。又，閘極絕緣層2有時亦具有對半導體層1&進 行熱氧化而成之氧化矽膜及藉由CVD法等形成之氧化石夕膜 或氮化矽膜之2層結構。於掃描線3a中使用導電性之多晶 159872.doc 201239486 矽膜、金屬矽化物膜或金屬膜。再者，本形態中，於透過 液BB裝置1〇〇後之光由其他構件反射時，以防止該反射光 入射至半導體層U而於像素電晶體30中產生起因於光電流 之誤動作為目的，而於與像素電晶體30重疊之區域設置遮 光層7a。但，亦可使遮光層73形成為掃描線，且採用將閘 極電極3c與遮光層7a經由接觸孔電性連接之結構。 於掃描線3 a之上層側形成有包含氧化石夕膜等之第丨層間 絕緣膜41，於第丨層間絕緣膜41之上層形成有汲極電極 4a。汲極電極4a形成為以掃描線3&與資料線以之交又之位 置作為基點且沿掃描線3 a及資料線6 a延伸之大致l字型。 沒極電極4a包含導電性之多晶矽膜、金屬矽化物膜或金屬 膜等’且經由接觸孔41 a而電性連接於汲極區域丨c。 於及極電極4a之上層側形成有包含氮化矽膜或氧化石夕膜 等之介電質層42»於介電質層42之上層側以隔著介電質層 42而與没極電極4a對向之方式形成有電容線5b，藉由該電 容線5b、介電質層42及汲極電極4a而形成儲存電容55。電 容線5b包含導電性之多晶矽膜、金屬矽化物膜或金屬膜 等。 ' 於電容線5 b之上層側形成有包含氧化石夕膜等之第2層間 絕緣膜43，於第2層間絕緣膜43之上層形成有資料線以及 中繼電極6b。資料線6a經由接觸孔43a而電性連接於源極 區域lb。中繼電極6b經由接觸孔43b而電性連接於沒極電 極4a ’且經由汲極電極4a而電性連接於汲極區域u。資料 線6a及中繼電極讣包含導電性之多晶矽膜、金屬矽化物膜 159872.doc -18 · 201239486 或金屬膜等。 於資料線6a及中繼電極6b之上層側形成有包含氧化石夕膜 等之第3層間絕緣膜44。於第3層間絕緣膜44中形成有通向 中繼電極6b之接觸孔44a。於第3層間絕緣膜44之上層形成 有包含ITO膜等透光性導電膜之像素電極如，像素電極9a 經由接觸孔44a而電性連接於中繼電極6b。本形態中，第3 層間絕緣膜44之表面為平坦面。 此處，於第3層間絕緣膜44之表面形成有參照圖2(b)及 圖3(a)所說明之虛設像素電極9b(於圖4中未圖示），該虛設 像素電極9b包含與像素電極9a同時形成之透光性導電膜。 於像素電極9a之表面形成有配向膜16。配向膜16包含聚 醯亞胺等樹脂膜、或氧化⑦膜等斜向蒸鍍膜。本形態中， 配向膜 16 為包含 Si〇x(x<2)、Si〇2、Ti〇2、Mg〇、、
In^3 ' Sb2〇3、Ta2〇5等斜向蒸鍍膜之無機配向膜（垂直配 向膜）’於配向膜16與像素電極％之層間形成有氧化矽膜 或氮化石夕膜等表面絕緣膜17 » 表面絕緣膜17之表面為平坦面，且填埋形成於像素電極 9a之間之凹部。因此’配向膜16形成於表面絕緣膜η之平 坦之表面_L。該冑成可藉由於像素電極％之表面側形成表 面絕緣膜17後對表面絕緣膜17之表面進行研磨而實現。 於该研磨中可利用化學機械研磨，於化學機械研磨中， 藉由研磨液中所包含之化學成分之作用及研磨劑與元件基 ^ 1〇之相對移動，可以高速獲得平滑之研磨面。更具體而 〇於研磨裳置中，一面使貼附有包含不織布、發泡聚胺 159872.doc •19- 201239486 基甲酸醋、多孔質默樹脂等之研磨布（焊墊）之定盤與保持 70件基板1G之S持器相對旋.面進行研磨。_，例如 將平均粒徑為_〜2G _之氧化鈽粒子、作為分散劑之 丙烯酸醋衍生物、&包含水之研磨劑供給至研磨布與元件 基板1〇之@ )tb時，；^於圖像顯示區域1Ga與周邊區域⑽ 之間存在較大之问低差，則即便進行研磨步驟，亦難以使 圖像顯示區域1〇a内為平坦面，但本形態中，如參照圖2及 圖3所說明般，於周邊區域1〇,形成有虛設像素電極处。因 此，因於形成表面絕緣膜17之時間點在圖像顯示區域… 與周邊區域U)b之間不存在較大之高低差，故可藉由研磨 步驟使圖像顯示區域l〇a内為平坦面。 於對向基板20中，於石英基板或玻璃基板等透光性之基 板本體20w之一面側形成有共通電極21，以覆蓋該共通電 極21之方式形成有配向膜26。配向膜％與配向膜“同樣地 包含聚醯亞胺等樹脂膜、或氧化矽膜等斜向蒸鍍膜。本形 態中，配向膜 26 為包含 Si〇x(x<2)、Si〇2、Ti()2、Mgc>、
Al2〇3、In2〇3、Sb2〇3、Ta2〇5等斜向蒸鍍膜之無機配向膜 (垂直配向膜），於配向膜26與共通電極21之層間形成有氧 化石夕膜或氮化石夕膜等保護膜27。保護膜27之表面為平坦 面’於該平坦面上形成有配向膜26。該配向膜16、26使液 晶層50中所使用之介電異向性為負之向列液晶化合物垂直 配向’液晶面板100p作為正常顯黑之VA模式而動作。 (周邊電路部之構成） 圖5係應用有本發明之液晶裝置1〇〇之周邊電路部等 J59872.doc •20· 201239486 之說明圖。如圖5所示，於液晶裝置100中，於參照圖1及 圖2所說明之資料線驅動電路1 〇 i及掃描線驅動電路i 04等 之周邊電路部106中，構成有具有n通道型之驅動用電晶體 106a及ρ通道型之驅動用電晶體1〇6b之互補型電晶體電路 等。又’於周邊電路部106中亦形成有各種配線i〇6c等。 此處’由於驅動用電晶體106a、1〇6b係利用像素電晶體3〇 之製造步驟之一部分而形成，故於元件基板1〇中形成有資 料線驅動電路101及掃描線驅動電路1〇4之區域亦具有與圖 3 (b)所示之剖面構成大致相同之剖面構成。 本形態中，於形成有周邊電路部1〇6之區域中之由圖像 顯示區域10a與密封材料1〇7夾持之周邊區域1〇b，在覆蓋 周邊電路部106之第3層間絕緣膜44之表面形成有包含與像 素電極9a同一層之導電膜之虛設像素電極孙。該虛設像素 電極9b於周邊區域1〇b中，利用周邊電路部1〇6之空間區域 等而電性連接於圖1、圖2(a)及圖3(a)所示之共通電位線 5c。於虛设像素電極外與共通電位線5c之電性之連接中利 用形成於第3層間絕緣膜44等中之接觸孔（未圖示）。 又’於兀件基板10中之周邊區域1〇b中，在表面絕緣膜 17之表面形成有離子性雜質捕捉用之周邊電極8a。該周邊 電極8a於周邊區域1Gb中，利用周邊電路部1⑽及虛設像素 電極9b之空閒區域等而電性連接於^、圖2⑷及圖叫所 厂、之配線5s於δ亥周邊電極8a與配線&之電性之連接中利 用形成於第3層間絕緣膜44等中之接觸孔（未圖示）。 (周邊電極8a之詳細構成） 159872.doc 201239486 圖ό係形成於本發明之實施形態1之液晶裝置1〇〇之元件 基板10上之周邊電極8a之說明圖，圖6(a)、（b)係表示周邊 電極8a整體之佈局之說明圖、及將周邊電極“放大表示之 說明圖。再者’於圖6中關於像素電極9a或虛設像素電極 9b之數量等表示得較少’於圖6中，周邊區域1〇1)之寬度尺 寸表示為3列虛設像素電極之量。 如圖5及圖6所示’於本形態之液晶裝置1〇〇之元件基板 10中’於由圖像顯示區域1 〇a及密封材料丨〇7夾持之周邊區 域10b構成有周邊電路部106之一部分，於周邊區域i〇b 中，在相對於周邊電路部1〇6而在上層側重疊之區域形成 有虛設像素電極9b。又，於本形態之液晶裝置i 〇〇之元件 基板10中，於周邊區域l〇b中，在相對於虛設像素電極9b 而在上層側重疊之區域形成有離子性雜質捕捉用之周邊電 極8a。本形態中，周邊電極8a包含11〇或12〇等導電性金屬 氧化膜、導電性之多晶矽膜、金屬矽化物膜、金屬膜等。 a亥周邊電極8a於周邊區域i〇b中’利用周邊電路部及 虛δ又像素電極9b之空閒區域等而電性連接於如圖1、圖2(a) 及圖3(a)所示之配線5s，且施加有離子性雜質捕捉用之電 位Vtrap。於該周邊電極ga與配線5§之電性之連接中利用形 成於第3層間絕緣膜44等中之接觸孔（未圖示）。 本形態中’周邊電極8a形成為於周邊區域1〇b中遍及全 周包圍圖像顯示區域1 〇a之矩形框狀。此處，周邊電極8a 未形成於沿周邊區域l〇b之寬度方向鄰接於圖像顯示區域 10a之位置，而僅形成於周邊區域1〇b中之遠離圖像顯示區 I59872.doc -22- 201239486 域l〇a之位置。因此，於表面絕緣膜17之表面形成周邊電 極8a後’在形成配向膜16時，即便於形成有周邊電極仏之 區域存在起因於周邊電極8a之階差，且配向膜16之形成偏 離最佳條件，亦可於圖像顯示區域1〇a較佳地形成配向膜 16。又.，即便對周邊電極“施加離子性雜質捕捉用之電位 Vtrap ’亦不會擾亂圖像顯示區域1 〇a之液晶分子之配向。 於本形態之液晶裝置1〇〇中，對共通電極21及虛設像素 電極9b施加之共通電位¥(1〇„1為〇 v且固定，對像素電極知 施加之信號之極性反轉。又，對周邊電極8a施加之電位之 極性亦反轉。例如，對周邊電極8a施加之電位vtrap之極 性以與對像素電極9a施加之信號之極性反轉之時序相同之 時序反轉。又，亦可採用對周邊電極8a施加之電位Vtrap 之極性以向於對像素電極9a施加之信號之極性反轉之時序 之頻率反轉之構成。無論於採用任一驅動方法之情形時， 對周邊電極8 a施加之電位v t r a p與對共通電極2丨及虛設像 素電極9b施加之共通電位Vc〇m(〇 v)始終不同。因此即 便於製造液晶裝置1〇〇時之液晶注入時混入之離子性雜質 或自密封材料107中溶析出之離子性雜質存在於液晶層5〇 内，若對周邊電極8a施加電位Vtrap，則於周邊電極“與共 通電極21之間亦生成液晶層5〇之層厚方向之電場。因此， 即便於液晶注入時混入之離子性雜質或自密封材料1〇7中 溶析出之離子性雜質存在於液晶層5〇中，亦可高效地將其 吸引至周邊電極8a、及共通電極21中之與周邊電極“對向 之部分附近，並滞留於此，因此，離子性雜質不會於圖像 159872.doc -23· 201239486 顯示區域10a凝聚。 因此’於製造液晶裝置100後，若於進行液晶裝置1〇〇之 檢查時對周邊電極8a施加離子性雜質捕捉用之電位 Vtrap，且對共通電極21施力口共通電位Vcom，貝ij可將離子 性雜質吸引至周邊電極8a所在之侧附近，並使其滯留於 此。又’於液晶裝置1 〇〇進行顯示動作時，液晶層5〇中所 使用之液晶分子之形態改變，由於伴隨其之液晶分子之微 小之晃動，液晶層50中之離子性雜質欲集中於圖像顯示區 域10a之角部分’印便於上述情形時，由於離子性雜質亦 被吸引至周邊電極8a所在之側附近，且以凝聚於此處之狀 態滯留，故離子性雜質不會於圖像顯示區域1〇a凝聚。尤 其，若反轉驅動液晶裝置100時之直流成分產生不平衡， 則液晶層50中之離子性雜質容易欲集中於圖像顯示區域 10a之角部分，但根據本形態，由於離子性雜質被吸引至 周邊電極8a所在之侧附近，並以凝聚於此處之狀態滯留， 故離子性雜質不會於圖像顯示區域1〇a凝聚。因此，可防 止起因於離子性雜質之圖像之品質下降之產生。 (本形態之主要效果） 如以上所說明般，於本形態之液晶裝置1〇〇中，因於元 件基板1G之周邊區域⑽設置有施加有與共通電位乂_不 同之電位Vtrap之周邊電極8a，故由於離子性雜質於圖像 ，不區域l〇a不凝聚’故可防止起因於離子性雜質之顯示 質之下降。又，本形態中，以緩和圖像顯示區域1 〇已與 周邊區域u)b之間之表面絕緣膜17之高低差為目的而於周 159872.doc -24· 201239486 邊區域H)b設置有虛設像素電極外，但本形態中，於與虛 設像素電極㈣疊之位置設置有離子性雜質捕捉用之周邊 電極8a目此’即便於形成虛設像素電極％之情形時，亦 可將周邊電極83設置於距圖像顯示區域i〇a之距離適當之 位置因此T防止捕捉至周邊電極8a之離子性雜質之影 ' ^會波及至圖像顯示區域1Ga，並且可確實地吸引欲於圖 像顯示區域10a凝聚之離子性雜質。因此，可確實地防止 起因於離子性雜質之顯示品質之下降。 又’於周邊區域1〇b，在虛設像素電極9b之下層侧設置 有周邊電路部106，但對周邊電極^施加交流之電位 (Vtrap)時之電性之影響可藉由施加有固定電位(共通電位 V_)之虛設像素電極外來阻止。因此，根據本形態，由 於可將周邊電路部106設置於與虛設像素電極％重疊之區 域、即與周邊電極8a重疊之區域，因⑥對周邊電路部ι〇6 之佈局方面之自由度較高。 又，周邊電極8a之捕捉離子性雜質之能力與周邊電極“ 之平面面積大概成比例，但本形態中，由於虛設像素電極 9b及周邊電極8a設置於周邊區域⑽之全周，故周邊電極 8 a之形成範圍較廣。因此，可有效地捕捉離子性雜質。 又，於VA模式之液晶裝置1〇〇之情形時，藉由液晶分子 於垂直姿勢及水平地平伏之姿勢中切換時之流動，與預傾 之方位對應之對角之角區域離子性雜質容易分佈不均，但 本形態中，藉由周邊電極以，可有效地捕捉離子性雜質。 又，於使用無機配向膜作為配向膜16、26之情形時，無機 159872.doc •25· 201239486 配向膜有容易吸附離子性雜質之傾向’但本形態中，藉由 周邊電極8a，可有效地捕捉離子性雜質。因此，於乂八模 式之液晶裝置100t，即便於使用無機配向膜之情形時， 亦可確實地防止離子性雜質於圖像顯示區域1〇a凝聚。 [實施形態2] 圖7係形成於本發明之貫施形態2之液晶裝置j 〇〇之元件 基板10上之周邊電極8a之說明圖，圖7(a)、（b)係表示周邊 電極8a整體之佈局之說明圖、及將周邊電極“放大表示之 說明圖。再者，由於本形態之基本之構成與實施形態！相 同’故對共通之部分附上相同符號並省略該等之說明。 如圖7所示，本形態之液晶裝置1〇〇與實施形態1同樣地 亦於元件基板10中設置有排列有複數個像素電極9a之圖像 顯示區域1 〇a、及由圖像顯示區域1 〇a與密封材料丨〇7夾持 之周邊區域10b。又，於周邊區域1 〇b中構成有周邊電路部 106之一部分，於周邊區域1〇b中，於相對於周邊電路部 106而在上層側重疊之區域形成有虛設像素電極处。又， 於周邊區域10b中，於相對於虛設像素電極9b而在上層側 重疊之區域形成有離子性雜質捕捉用之周邊電極8a。 本形態中’周邊電極8a於至少相對於周邊電路部1〇6重 疊之區域包含沿與複數個虛設像素電極9b重疊之區域平行 地延伸之複數個帶狀電極8b。本形態中，周邊電極8a之整 體包含沿與複數個虛設像素電極9b重疊之區域平行地延伸 之複數個帶狀電極81^又，由於複數個帶狀電極8b之各個 係遍及周邊區域l〇b之全周而形成’故形成為矩形框狀。 i59872.doc •26· 201239486 因此，周邊電極8a藉由多層帶狀電極讣而構成。 又，帶狀電極8b之間距（線寬方向之間距）等於與帶狀電 極8b之延伸方向正交之方向上之虛設像素電極处之間距。 又’帶狀電極8b之線寬小於與帶狀電極扑之延伸方向正交 之方向上之虛設像素電極9b之尺寸。因此，帶狀電極肋於 線寬方向上，位於較在下層側重疊之虛設像素電極外之端 部更靠内側處。 於如此構成之情形時，因於元件基板1〇之周邊區域1〇b 亦設置有施加有與共通電位Vc〇m*同之電位之周邊電極 8a，故離子性雜質不於圖像顯示區域1〇a凝聚。因此，可 防止起因於離子性雜質之顯示品質之下降。又，本形態 中，於周邊區域10b設置有虛設像素電極9b，而於與虛設 像素電極9b重叠之位置言史置有離子性雜質捕捉用之周邊電 極8a。因此，即便於形成虛設像素電極外之情形時，亦可 將周邊電極8a β又置於距圖像顯示區域丨〇a之距離適當之位 置。又，於周邊區域l〇b中在虛設像素電極9b之下層側設 置有周邊電路部1〇6，但對周邊電極8a施加交流電位 (Vtrap)時之電性之影響可藉由施加有固定電位（共通電位 v_)之虛設像素電極9b來阻止。因此，根據本形態，由 於可將周邊電路部106設置於與虛設像素電極外重叠之區 域即。周邊電極8a重疊之區域，故實現對周邊電路部 106之佈局方面之自由度較高等與實施形態1大致相同之效 果。 又’本形態t ’周邊電極8a包括沿與複數個虛設像素電 I59872.doc 27· 201239486 極9b重疊之區域平行地延伸之複數個帶狀電極扑。又，帶 狀電極8b之間距（線寬方向之間距）等於與帶狀電極扑之延 伸方向正交之方向上之虛設像素電極9b之間距，且帶狀電 極8b之線寬小於與帶狀電極8b之延伸方向正交之方向上之 虛設像素電極9b之尺寸。因此，帶狀電極扑於線寬方向上 位於較在下層側重疊之虛設像素電極外之端部更靠内側 處。因此，由於帶狀電極扑中自虛設像素電極外凸出之區 域之面積極其狹窄，故對周邊電極以施加交流時之電性之 影響可藉由施加有固定電位（共通電位Vc〇m)之虛設像素電 極9b有效地阻止。 [實施形態2之變形例] 圖8係將形成於本發明之實施形態2之變形例之液晶裝置 100之元件基板10上之周邊電極8a放大表示之說明圖圖 8(a)、（b)係僅將周邊電極83之與周邊電路部1〇6重疊之部 分設為帶狀電極之情形之說明圖、及將周邊電極以設為與 虛設像素電極9b相同之形狀之情形之說明圖。再者由於 本形態之基本之構成與實施形態丨相同，故對共通之部分 附上相同之符號並省略該等之說明。 女圖8(a)所示，本开> 態之液晶裝置〗〇〇與實施形態1同樣 也方'元件基板1 〇中亦设置有排列有複數個像素電極％之圖 象.·.·員示區域1 〇a、及由圖像顯示區域1 〇a與密封材料1 〇7夾 持之周邊區域10b。又，於周邊區域1Gb構成有周邊電路部 106之一部分（參照圖3等），於周邊區域i〇b中，於相對於周 邊電路部106而在上層側重疊之區域形成有虛設像素電極 159872.doc •28· 201239486 9b。又，於周邊區域l〇b中’於相對於虛設像素電極9b而 在上層侧重疊之區域形成有離子性雜質捕捉用之周邊電極 8a ° 本形態中’周邊電極8a於相對於周邊電路部1 〇6重疊之 區域包含沿與複數個虛設像素電極9b重疊之區域平行地延 伸之複數個帶狀電極8 b。相對於此，於相對於周邊電路部 106不重疊之區域’周邊電極8a之線寬尺寸相當於複數個 虛設像素電極9b之寬度尺寸。即便於如此構成之情形時， 對周邊電極8 a施加交流時之電性之影響亦可藉由施加有固 定電位（共通電位Vcom)之虛設像素電極9b來阻止。因此， 根據本形態’由於可將周邊電路部1〇6設置於與虛設像素 電極9b重疊之區域、即與周邊電極仏重疊之區域故實現 對周邊電路部106之佈局方面之自由度較高等與實施形態^ 大致相同之效果。 又，周邊電極8a之捕捉離子性雜質之能力與周邊電極8& 之平面面積大概成比例，但本形態中，於相對於周邊電路 部106不重疊之區域，周邊電極8&之線寬尺寸增大。因 此’捕捉離子性雜質之能力較強。 如圖8(b)所示，本形態之液晶裝置1〇〇與實施形態ι同樣 地於元件基板1 〇中亦設置有排列有複數個像素電極9 a之圖 像顯示區域l〇a、及由圖像顯示區域1〇a與密封材料1〇7失 持之周邊區域l〇b。又，於周邊區域1〇b中構成有周邊電路 部106之一部分（參照圖3等），於周邊區域l〇b中，於相對於 周邊電路部106而在上層側重疊之區域形成有虛設像素電 I59872.doc •29· 201239486 極9b。又，於周邊區域丨〇b中，於相對於虛設像素電極9b 而在上層側重疊之區域形成有離子性雜質捕捉用之周邊電 極8a。 本形態中，周邊電極8a包括略小於虛設像素電極9b但具 有與虛設像素電極9b相同之形狀之帶狀電極8be更具體而 言，周邊電極8a與虛設像素電極9b同樣地包括複數個矩形 部分8al、及以較矩形部分8al狹窄之寬度尺寸將矩形部分 8al彼此連結之連結部分8a2。因此，周邊電極“未自虛設 像素電極9b凸出《根據該構成，對周邊電極8a施加交流時 之電性之影響可藉由施加有固定電位（共通電位Vc〇m)之虛 设像素電極9b確實地阻止。因此，根據本形態，由於可將 周邊電路部106設置於與虛設像素電極外重疊之區域、即 與周邊電極8a重疊之區域’故實現對周邊電路部ι〇6之佈 局方面之自由度較高等效果。 [其他實施形態] 於上述實施形態中，周邊電極8a為以全周連接之構成， 但只要為可施加離子性雜質捕捉用之電位Vtrap之構成， 周邊電極8a亦可部分性地間斷。又，於上述實施形態中， 周邊電極8a為以全周連接之構成，但例如亦可於僅於角部 分設置周邊電極8a之情形時應用本發明。又，於上述實施 形態2中’對構成周邊電極8a之複數個帶狀電極肋施加相 同之離子性雜質捕捉用之電位Vtrap ’但亦可對複數個帶 狀電極8b施加不同之離子性雜質捕捉用之電位乂卜叩。 於上述實施形態中，於透過型之液晶裝置1〇〇中應用本 159872.doc •30· 201239486 發明’但於反射型之液晶裝置100中亦可應用本發明。 [對電子機器之裝載例] 對應用有上述實施形態之液晶裝置100之電子機器進行 說明。圖9係使用應用有本發明之液晶裝置1〇〇之投射型顯 示裝置之概略構成圖，圖9(a)、（b)分別係使用透過型之液 - 晶裝置100之投射型顯示裝置之說明圖、及使用反射型之 液晶裝置100之投射型顯示裝置之說明圖。 (投射型顯示裝置之第1例） 圖9(a)所示之投射型顯示裝置丨10係朝向設置於觀察者側 之螢幕111照射光並觀察以該螢幕Π1反射之光之所謂的投 影型之投射型顯示裝置。投射型顯示裝置11〇包括具有光 源112之光源部130、分光鏡113及114、液晶光閥115〜 117(液晶裝置1 〇〇)、投射光學系統丨丨8、合光稜鏡丨丨9、以 及中繼系統120。 光源112由供給包括紅色光、綠色光及藍色光之光之超 高壓水銀燈構成。分光鏡113為使來自光源112之紅色光透 過並且反射綠色光及藍色光之構成。又，分光鏡114為使 . 以分光鏡113反射之綠色光及藍色光中之藍色光透過並且 反射綠色光之構成。如此’分光鏡丨13、114構成將自光源 112出射之光分離為紅色光、綠色光及藍色光之色分離光 學系統。 此處’於分光鏡113與光源112之間自光源112起依序配 置有積分器121及偏光轉換元件122〇積分器121成為使自 光源112知、射之光之照度分佈均一化之構成。又，偏光轉 I59872.doc 201239486 換元件122成為使來自光源112之光為例如s偏光般之具有 特定之振動方向之偏光之構成。 液晶光閥Π5係對透過分光鏡113且以反射鏡123反射之 紅色光根據圖像信號進行調變之透過型之液晶裝置1〇〇。 液晶光閥115包括λ/2相位差板11 5a、第1偏光板115b、液 晶面板115c及第2偏光板115d。此處，由於入射至液晶光 閥115之紅色光即便透過分光鏡113，光之偏光亦不變化， 故仍為s偏光。 λ/2相位差板115a為將入射至液晶光閥！ 15之3偏光轉換為 P偏光之光學元件。又’第1偏光板1 15b為阻斷s偏光而使p 偏光透過之偏光板。而且’液晶面板115c為藉由對p偏光 根據圖像信號進行調變而將其轉換為s偏光（若為半色調， 則為圓偏光或橢圓偏光）之構成。進而，第2偏光板115d為 阻斷p偏光而使s偏光透過之偏光板》因此，液晶光閥u 5 為根據圖像信號對紅色光進行調變且將所調變之紅色光朝 向合光梭鏡119出射之構成。 再者’ λ/2相位差板115a及第1偏光板115b以連接於不使 偏光轉換之透光性之玻璃板11 5e之狀態而配置，從而可避 免λ/2相位差板115a及第1偏光板115b由於發熱而應變。 液晶光閥116為對以分光鏡113反射後以分光鏡114反射 之綠色光根據圖像信號進行調變之透過型之液晶裝置 100。而且，液晶光閥116與液晶光閥115同樣地包括第1偏 光板116b、液晶面板116c及第2偏光板116d。入射至液晶 光閥116之綠色光為以分光鏡113、114反射後而入射之s偏 159872.doc 32· 201239486 光。第1偏光板116b為阻斷p偏光而使8偏光透過之偏光 板。又，液晶面板116c形成為藉由對s偏光根據圖像信號 進行調變而將其轉換為p偏光（若為半色調，則為圓偏光或 橢圓偏光）之構成。而且，第2偏光板U6d為阻斷s偏光而 使P偏光透過之偏紐。因此，液晶光閥116成為根據圖像 信號對綠色光進行調變且將所調變之綠色光朝向合光棱鏡 119出射之構成。 液晶光閥117為對以分光鏡丨13反射且透過分光鏡i 14之 後經由中繼系統120之藍色光根據圖像信號進行調變之透 過型之液晶裝置100。而且，液晶光閥！ 17與液晶光閥 115、116同樣地包括λ/2相位差板117&、第i偏光板n7b、 液晶面板117c及第2偏光板117d。此處，由於入射至液晶 光閥117之藍色光於以分光鏡113反射且透過分光鏡114後 以中繼系統120之下述2個反射鏡125a、125b反射，故成為 s偏光。 λ/2相位差板U7a為將入射至液晶光閥117之3偏光轉換為 P偏光之光學元件。又，第1偏光板117b為阻斷s偏光而使p 偏光透過之偏光板。而且，液晶面板117c成為藉由對p偏 光根據圖像信號進行調變而將其轉換為s偏光（若為半色 調，則為圓偏光或橢圓偏光）之構成。進而，第2偏光板 117d為阻斷p偏光而使s偏光透過之偏光板。因此，液晶光 閥117形成為根據圖像信號對藍色光進行調變且將所調變 之藍色光朝向合光稜鏡119出射之構成。再者，λ/2相位差 板117a及第1偏光板117b以連接於玻璃板117e之狀態而配 159872.doc -33· 201239486 置。 中繼系統120包括中繼透鏡124a、124b及反射鏡125a、 125b。中繼透鏡124a、124b係為防止由於藍色光之光路較 長而產生之光損失而設置❶此處，中繼透鏡124a配置於分 光鏡114與反射鏡125a之間。又，中繼透鏡124b配置於反 射鏡125a、125b之間》反射鏡125a以使透過分光鏡114且 自中繼透鏡124a之出射之藍色光朝向中繼透鏡124b反射之 方式配置。又，反射鏡125b以使自中繼透鏡124b出射之藍 色光朝向液晶光閥1 1 7反射之方式配置。 合光稜鏡119為將2個分光膜119a、119b X字型地正交配 置之色合成光學系統。分光膜1 19a為反射藍色光而使綠色 光透過之膜，分光膜119b為反射紅色光而使綠色光透過之 膜。因此’合光稜鏡119以將以液晶光閥115〜117之各個 進行調變之紅色光、綠色光與藍色光合成並朝向投射光學 系統11 8出射之方式構成。 再者，自液晶光閥115、117入射至合光稜鏡119之光為s 偏光’自液晶光閥116入射至合光稜鏡119之光為p偏光。 如此藉由將入射至合光稜鏡119之光設為不同種類之偏 光，可於合光稜鏡119中合成自各液晶光閥115〜117入射 之光。此處’一般而言，分光膜119a、119b之s偏光之反 射電晶體特性優異。因此，將以分光膜119a、119b反射之 紅色光及藍色光設為s偏光，將透過分光膜119a、119b之 綠色光設為P偏光。投射光學系統118包括投影透鏡（省略 圖示），且以將由合光稜鏡119合成之光投射至螢幕ill之 159872.doc •34· 201239486 方式構成。 (投射型顯示裝置之第2例） 圖9(b)所示之投射型顯示裝置1 〇〇〇包括產生光源光之光 源部1021、將自光源部1021出射之光源光分離為紅、綠、 藍之3色之色分離導光光學系統1〇23、及藉由自色分離導 光光學系統1023出射之各色之光源光進行照明之光調變部 1025。又’投射型顯示裝置1〇〇〇包括合成自光調變部1〇25 出射之各色之像光之合光棱鏡1027(合成光學系統）、及作 為用以將經由合光稜鏡1027之像光投射至螢幕（未圖示）之 投射光學系統的投射光學系統1029。 於該投射型顯示裝置1 〇〇〇中，光源部1 〇2 1包括光源 1021a、一對複眼光學系統1〇21d及1021e、偏光轉換構件 1 02 1 g、以及重疊透鏡1 〇21 i。本形態中，光源部1 〇21具有 包含抛物面之反射器l〇21f ’且出射平行光。複眼光學系 統1021 d、1021 e包含於與系統光軸正交之面内矩陣狀地配 置之複數個要素透鏡’藉由該等要素透鏡將光源光分割而 使其個別地聚光、發散。偏光轉換構件丨〇2丨g將自複眼光 學系統1021 e出射之光源光僅轉換為例如於圖式中平行之p 偏光成分並供給至光路下游側光學系統。重疊透鏡1〇2Π 藉由使經由偏光轉換構件1021 g之光源光作為整體進行適 當彳欠斂’而使設置於光調變部1 〇25之複數個液晶裝置丨〇〇 可分別均一地重疊照明。 色分離導光光學系統1023包括交又分光鏡i〇23a、分光 鏡l〇23b、及反射鏡i〇23j、102%。於色分離導光光學系 159872.doc •35· 201239486 統1023中，來自光源部1021之大致白色之光源光入射至交 叉分光鏡1023a。以構成交叉分光鏡1023a之一個第1分光 鏡103 la反射之紅色（R)之光，由反射鏡l〇23j反射且透過分 光鏡1023b，經由入射側偏光板l〇37r、使p偏光透過而反 射s偏光之線柵偏光板1032r、及光學補償板1039r，以p偏 光之狀態入射至紅色（R)用之液晶裝置100。 又，由第1分光鏡103 la反射之綠色（G)之光被反射鏡 l〇23j反射，其後，亦由分光鏡1023b反射，經由入射側偏 光板1037g、使p偏光透過而反射s偏光之線栅偏光板 1032g、及光學補償板1039g，而以p偏光之狀態入射至綠 色（G)用之液晶裝置100。 相對於此，由構成交叉分光鏡1023a之另一個第2分光鏡 1031b反射之藍色（B)之光被反射鏡1023k反射，經由入射 側偏光板1 037b、使p偏光透過而反射s偏光之線柵偏光板 1 03 2b、及光學補償板1 〇39b，而以p偏光之狀態入射至藍 色（B)用之液晶裝置1〇〇。 再者’光學補償板1039r、1039g、1039b藉由調整朝向 液晶裝置100之入射光及出射光之偏光狀態，而光學性地 補償液晶層之特性。 於如此構成之投射型顯示裝置1000中，經由光學補償板 103 9r、103 9g、1〇3 9b而入射之3色之光分別於各液晶裝置 1〇〇中被調變。此時，自液晶裝置1〇〇中出射之調變光中之 s偏光之成分光以線柵偏光板1〇3 2r、103 2g、1〇3 2b反射， 經由出射側偏光板l〇38r、1038g、1038b而入射至合光稜 159872.doc •36- 201239486 鏡1027。於合光稜鏡1027中形成有X字狀地交叉之第1介電 質多層膜1027a及第2介電質多層膜1027b，其令一個第1介 電質多層膜1027a反射R光，另一個第2介電質多層膜i〇27b 反射B光。因此，3色之光於合光稜鏡1027中被合成，並出 射至投射光學系統1029。而且，投射光學系統1029將以合 光稜鏡1027合成之彩色之像光以所需之倍率進行螢幕（未 圖示）投射。 (其他投射型顯示裝置） 再者’投射型顯示裝置亦可構成為使用出射各色之光之 LED(Light Emitting Diode，發光二極體）光源等作為光源 部，且將自該LED光源出射之色光分別供給至不同之液晶 裝置。 (其他電子機器） 應用有本發明之液晶裝置1〇〇除應用於上述電子機器以 外，亦可於行動電話、個人數位助理（PDA : Pers0nal Digital Assistants)、數相位機、液晶電視、汽車導航裝 置、視訊電話' POS(p〇int_〇f_sale，銷售點）終端、具有觸 控面板之機器等電子機器中用作直視型顯示裝置。 【圖式簡單說明】 圖1係表示應用有本發明之液晶裝置之電性構成之方塊 圖。 圖2(a)、（b)係應用有本發明之液晶裝置之液晶面板之說 明圖。 圖3(a)、(b)係形成於應用有本發明之液晶裝置之元件基 159872.doc -37· 201239486 板上之電極等之說明圖。 圖4(a)、（b)係應用有本發明之液晶裝置之像素之說明 圖。 圖5係應用有本發明之液晶裝置之周邊電路部等之說明 圖。 圖6(a) ' (b)係形成於本發明之實施形態1之液晶裝置之 元件基板上之周邊電極之說明圖。 圖7(a)、（b)係形成於本發明之實施形態2之液晶裝置之 元件基板上之周邊電極之說明圖。 圖8(a)、（b)係將形成於本發明之實施形態2之變形例之 液晶震置之元件基板上之周邊電極放大表示之說明圖。 圖9(a)、（b)係使用應用本發明之液晶裝置之投射型顯示 裝置之概略構成圖。 【主要元件符號說明】 5c 共通電位線 5 s 配線 8a 周邊電極 8b 帶狀電極 9a 像素電極 9b 虛設像素電極（導電圖案） 10 元件基板 10a 圖像顯示區域 10b 周邊區域 lOd 邊部分 159872.doc -38- 201239486 10e 邊部分 lOf 邊部分 l〇g 邊部分 10s 元件基板10之一 lOt 元件基板10之另 1 Ow 基板本體 16 配向膜 17 表面絕緣膜 20 對向基板 20w 基板本體 21 共通電極 26 配向膜 50 液晶層 107 密封材料 100 液晶裝置 lOOp 液晶面板 101 資料線驅動電路 102 端子 104 掃描線驅動電路 105 密封材料 106 周邊電路部 107 密封材料 107a 間斷部分 108 遮光層 159872.doc -39- 201239486 109 基板間導通用電極 109a 基板間導通材料 110 投射型顯示裝置 1000 投射型顯示裝置 Vcom 共通電位 Vtrap 離子性雜質捕捉用之電位 H-H' 剖面 159872.doc 40-