TW201235624A - Decontamination apparatuses and methods - Google Patents

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201235624 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本揭示内容一般係關於去汙之設備及方法，尤其 係關於透過至少部分地在環境内產生蒸氣之用於環境 去汙的設備及方法。 【先前技術】 舉例來說，霧及/或蒸氣可用於去除房間、環境、 區域及/或室的汙垢。可藉由使霧及/或蒸氣與房間、環 境、區域及/或室中之表面及/或物件接觸來去除該些表 面及/或物件的汙垢。在各種實施例中，可在去汙設備 内產生蒸氣’接著再提供給房間、環境、區域及/或室， 以用於表面及/或物件的去汙。在大多數的工業程序 中，藉由在加熱板或類似熱源上使一溶液或液體急速 氣化（亦即，高於沸點的加熱）來製造蒸氣。由於這些 蒸氣係在溶液或液體的沸點或高於沸點下所產生，其 係以非常向的溫度逸出去汙設備。此外，若針對欲處 理的大區域需要大量蒸氣’由於大加熱板或大熱源之 熱損失及額外的熱容量，通常會提供大的加熱板或大 的熱源。這一類大加熱板或大熱源由於低效率的加熱 方法而使用數量可觀的能量。所需的是改善蒸氣製造 技術。 【發明内容】 4 201235624 在-通用之態樣中，本揭示内容係部分地關於一 備。去汙設備包括—第―導管，其與一霧產生 态机體通連，並經配置以接收霧；及一第二導管，其 氣/;IL移動裝置流體通連，並經配置以接收經加熱 H導管包括'·置以使霧通過其中的' A出口’且該第二導管包括一經配置以使該經加轨 仏通過其中的第二出口。該第二出π的位置接近;： ，第-出口。當在該第1口、該第二出口及該去汗 设備外側與該經加熱氣流混合時，至少一部分的 發成為用於環境去汙的蒸氣。 在一通用之態樣中，本揭示内容係部分關於一去 汙設備。該去汙設備包括一經配置以接收來自一霧產 生器之霧的第一導管、一經配置以接收來自一氣流移 動裝置之；加熱氣流的第二導管、一位於該第一導管 之-端的第-出口及—位於該第二導管之—端的第二 出口。該第一出口經配置以使該霧通過其中，且該第 二出口經配置以使該經加熱氣流通過其中，以致該經 加熱氣流與該霧在該第一出口及該第二出口外側混 合，以形成用於環境去汙的蒸氣。 t 在另一通用之態樣中，本揭示内容係部分關於一 使用去汙設備之去汙方法。該方法包含以下步驟：從 霧產生器產生霧；從一氣流移動裝置產生氣流丨藉 由一加熱裝置加熱該氣流；使該霧流過一包括一第一 出口之第一導管；及使該經加熱氣流流過一包括一第 201235624 二出口之第二導管。該第―出口的位置接近於該第二 出口；。該方法進-步包含以下步驟：在接近該第〆出 口與該第二出口處混合該霧與該經加熱氣流，以形成 一混合區。至少一部分的該混合區位於該去汙設備外 側。該方法進—步包含以下步驟：藉由使該霧與該經 加熱氣流-併蒸發來製造蒸氣；及以至少—部分的該 蒸氣去除至少一部分的環境汙垢。 一須了解本揭示内容並未受限於此發明内容中所揭 示内容的實施例’而是意欲涵蓋屬於本揭示肉容之精 神及範如的修改，如申請專利範_定義者。 【實施方式】 内 現將敘述本揭示内容之各種非限制實施例，以提 供對去汙設備及/或去汗方法之結構、魏製造與使 用之原理的全面了解。這些非限制實施例的〆或多個 實例係繪示於伴隨圖式中。須了解本文具體敘述且將 之、會示於伴式巾之去汙設備及去汙方法為非限制 例示實施例’且本揭_容之各種非_實施例的範 圍僅藉由中請專利範圍蚊義。連同—非 所示或敘述之特徵可與其他非限制實 合。這類改良及變異係意欲包含在本揭示内=圍 「霧」-詞意指由液體小滴所構成之物質。霧氣 化或蒸發成為蒸氣。霧不會凝結。可以例如超音波加 6 201235624 濕器或其他適用的霧或液滴產生裝置來產生霧。依據 液體小滴的大小及密度，霧通常為肉眼可見。 「蒸氣」一詞意指由自由分子所構成之氣體。蒸 氣會凝結。？矣氣係由霧或液體的蒸發所產生。 「去汙」一詞意指使生物汙染不活化的作用，且 包括，但不限於衛生處理、滅菌及消毒。去汙亦包括 使例如病原性蛋白顆粒、原蟲卵囊、細菌内孢子、分 枝桿菌、病毒、真菌孢子、細菌繁殖體及黴漿菌不活 化的作用。 %^兄」5司思指開放區域、氣體或空氣之載區、 封閉區域、房間、隔離體、室、包體、遮蔽處、育嬰 室、日間照顧或可需要去汙之任何適用空間、地方及/ 或區域。「環境」一詞亦包括表面、器材、裝置、玩具、 床、桌子及/或位於空間、地方及/或區域中之任何其他 物件。依據殺菌化學品的濃度及施用，「環境」一詞亦 可包括位於空間、地方及/或區域内的人、病患、醫護 人員、家禽及/或動物。 在一實施例中，本揭示内容之一去汙設備可藉由 混合或擾動混合霧及經加熱氣流來產生蒸氣。擾動混 合通常為一流體體系，其特徵在於混亂、隨機的性質 波動（例如，速度、壓力溫度及濃度）。關於擾動混合 的額外細節在Madjid Birouk及Iskender Gokalp之「在 擾流中之小滴蒸發的現行狀態（Current status 〇f droplet evaporation in turbulent flows)」，Progress in 201235624

Energy and Combustion Science，32，第 408 至 423 頁 (2006)中敘述，其全文係併入於此以供參照。介於霧 與經加熱氣流間之混合區中的擾動可用來產生最佳混 合及使霧成為泰氣之有效蒸發。霧可由单一或多種成 刀之去汗液體或溶液(例如，水、水及醇之互溶溶液、 生物滅除劑(例如，過氧化氫、有機化合物、過氧乙酸、 過氧曱酸、其他過氧酸化學品、臭氧化之液體、氣化 合物、次氣酸鹽、季銨化合物及其混合物）、油及其摻 合物及/或燃料（例如，石油餾出物及其摻合物（例如， 煤油)))所構成。經加熱氣流可由氣體(例如，來自放置 去汙設備之環境中的空氣、非來自放置去汙設備之環 境中的空氣、臭氧、二氧化氣、二氧化氮、二氧化碳 及/或惰性氣體（例如，氮及氦))構成。在各種實施例 中’蒸氣產生程序可發生或至少部分地發生在欲去汙 之環境内，或者，在其他實施例中，其可發生在去汙 設備内，接著再提供給欲去汙的環境。無論如何，霧 可與經加熱氣流混合或擾動混合，並導致因與經加熱 氣流混合而使霧蒸發所致使的蒸氣產生或製造。以本 揭示内容之去汙設備將霧轉換為蒸氣的百分比可大於 約25%、大於約35°/。、大於約50%、大於約6〇。/。或大 於約75%。在一實施例中，霧轉換為蒸氣的百分比可 為約80%或更大。在另一實施财，霧轉換為蒸氣的 百分比可為100%。霧至蒸氣的轉換可藉由霧流速度及 /或經加熱氣流的溫度來控制。霧流速度及/或經加熱氣 8 201235624 流的溫度可隨得自例如Stac〇 Energy pr〇ducts Co.之適 用的可變變壓器改變。例如，在霧至蒸氣轉換率高的 實施例中’可降低霧流速度及/或可增加經加熱氣流的 溫度。在各種實施例中，霧轉換為蒸氣可發生在去汙 設備外側及/或發生在欲處理的環境中。在這一類實施 例中’霧及經加熱氣流在去汙設備内可維持分離，且 僅在一經逸出去汙設備或短暫在此之後的時間點混 & 在其他各種實施例中’霧及經加熱氣流在去汙設 備内可維持分離，直到該等接近一第一導管之一出口 及一第二導管之一出口為止。接著為了產生蒸氣，可 在接近出口但位於一部分的去汙設備内進行霧及經加 熱氣流的擾動混合。蒸氣可接著行經去汙設備之一連 通欲去汙之環境的導管。在一實施例中，蒸氣可至少 部分地在欲處理之環境内產生。 在各種實施例中，由於經加熱氣流與霧混合或擾 動混合來經由蒸發產生蒸氣，故可以最小能量消耗來 產生大量蒸氣。因此m具有額外之熱損失及儲 藏的大熱源或大加熱板。由於只要產生並適當地混合 霧及經加熱氣流便可持續製造蒸氣，因此僅藉由操ς 去汙設備一段較長時間即可輕易地針對任何環境調整 2汙設備所製成的蒸氣量。此外，通過使用‘熱 ·: L及霧蒸軋可透過蒸發在霧液體或溶液的沸騰、 度下製成蒸氣，從而導致所製成之蒸氣 卢^ 例如室溫或接近室溫。在一實施例中，蒸氣 201235624 例如比環境室溫高攝氏約1至約5〇度、攝氏约2至約 30度或攝氏約3至約10度。經加熱氣流的溫度可以 需要蒸發為蒸氣的霧量為基礎而變化。所製成之蒸氣 可為熱穩定。同樣地，在霧液體或溶液之沸點下製造 蒸氣可致能透過在蒸氣產生程序期間避免使用過多熱 來保存霧液體或溶液之化學性質。換言之，在霧液體 或溶液之沸點下製造蒸氣可降低在雙重成分或多重成 分之霧滴（例如，乙醇和水的溶液以及水和過氧化氫的 溶液）中之成分蒸餾將發生的可能性。在一些例子中， 這對於去汙用之霧滴的蒸發、除臭及使用蒸氣之化學 及生物中和程序來說可為一重要考量。在一實施例 中，霧與經加熱氣流間的溫差越大，可使霧越快蒸發， 然而可不希望藉由使用霧與經加熱氣流間的過大溫差 來將環境大幅過度加熱至超過環境室溫。在各種實施 例中，可變化經加熱氣流之溫度及/或流速及/或霧的溫 度及/或流速，以實現所需的蒸氣製造。在一實施例 中，經加熱氣流的溫度可為例如攝氏約3〇至約15〇 度、攝氏約40至約1〇〇度、攝氏約5〇至約8〇度或攝 氏約60至約70度。 在各種實施例中，霧可由細霧滴構成，其可由超 音波霧化製成，從而導致較高的霧至蒸氣轉換率。可 使用對流法藉由將霧排放至具有可蒸發所需之霧滴量 之初始足舰的欲去汗環境巾來使這些細_在與經 加熱氣流混合時蒸發4其他實施例t，當供給經加 201235624 熱或暖化的環境時，可藉由對流法來使霧蒸發。在各 種實施例中，環境中的空氣可加熱至例如攝氏約30至 約150度、攝氏約40至約100度、攝氏約50至約80 度或攝氏約60至約70度。可藉由霧的體積或霧的流 速來計算用於經加熱氣流的適當溫度。可藉由汲取空 氣到去汙設備中，加熱空氣，並將空氣送回到欲處理 的環境來實現欲處理環境的加熱或暖化在其他環境 中，可藉由旋渦狀的經加熱氣流來捲入霧。在仍有其 他實施例中，可將以低速流動之具有小於約10至20 微米或約5至10微米直徑之小滴的細霧捲入到以相對 高速流動之經加熱氣流中，以產生蒸氣。這一類程序 在某些例子中可提供短至數毫秒之霧至蒸氣轉換時間 或蒸發時間。在其他各種實施例中，依據小滴尺寸及 小滴分布，霧至蒸氣的轉換時間可位於數秒的週期内。 在各種實施例中，霧的蒸發效率可取決於經加熱 氣流及霧的緊密混合。可控制或調適各種參數來達成 用於蒸氣製造的恰當條件。這些參數可包括經加熱氣 流的焓、經加熱氣流的相對濕度、經加熱氣流的溫度、 經加熱氣流及—㈣速度、_數密度及/或位於所 捲入之霧滴層級的後續局部濕度。 之參數來狀適應料輸人霧特性、

在各種實施例中’本揭示内容提供變化上文提及 輸入霧特性、所需蒸氣溫度、 氣化時間標度的方法。藉由變 對速度，可增強或削弱對流力 201235624 在蒸發程序中的角色。藉由變化經加熱氣流的溫度與 焓，可增強或削弱熱在蒸發程序中的角色。藉由變化 經加熱氣流的體積，可控制混合霧及經加熱氣流至環 境中的膨脹及位於霧滴層級之數密度與局部背景濕 度，以增強或削弱此參數在蒸發程序中的角色。在一 實施例中，本揭示内容提供一蒸發程序，其包括兩個 不同的氣流；一緩慢移動的霧流及一快速移動的經加 熱氣流。可配置及引導這兩種氣流，使之互撞或彼此 交叉，以最佳化捲入、混合及/或增強熱及質量傳遞， 並產生霧至蒸氣的有效蒸發。 在一實施例中，參照圖1A，所提供的是去汙設備 10的示意圖。除了下述特徵外，去汙設備10可包括 霧產生器、霧移動裝置、至少一個加熱裝置及至少一 個氣流移動裝置，然而為了簡化，並未將這一類部件 繪示於圖1A中。去汙設備10可包括與霧產生器流體 通連並經配置以接收霧14的第一導管12及與氣流移 動裝置流體通連並經配置以接收例如經加熱氣流18 之氣流的第二導管16。霧轉向器20可至少部分地放 置在第一導管12的第一出口 22内部或接近此處。第 二導管16可包括放置為接近第一出口 22或自該處偏 移的第二出口 24。第一導管22可經配置以使霧14通 過其中，且第二導管24可經配置以使經加熱氣流18 通過其中。在一實施例中，第二導管16可至少部分地 環繞第一導管12及/或第一導管12可與第二導管16 201235624 同心。在一實施例φ 轉向器26,其朝向第_^^ 24可包括經加熱氣流 於第一導瞢12之#^ & 2傾斜或繞行。從垂直 及第二導管12及16所取得的橫剖面觀點看來，第一 部分、半圓形部八、rT各自包括例如環形部分、弧形 部分。在實；二圓形部分、矩形部分及/或正方形 其壁的交叉處包括第—導s 12及16可在 、，古18 h山*括圓角科，以維持们4及經加熱氣 二導管^m程度的料，而各自係位於其個別 ，。在各種實施例中，霧14的流速可低於經 =:^18的流速。在其他的各種實施例中霧14 可與經加熱氣流18的流速相同。在各種實施例 m I4及/或經加熱氣流18的流速可為，岐或連續 k化。在一實施例中’冑14及/或經加熱氣流18的流 速可為間歇性。 尸在一實施例中，再次參照圖1A，當霧14及經加 熱氣流18各自逸出其個別出口 22及24時或在霧14 及經加熱氣流18逸出其個別出口 22及24後，可將霧 14與經加熱氣流18擾動混合。在一實施例中，這類 混合可發生或至少部分地發生在欲處理或去汙的環境 28内。無論如何’混合可發生在第一出口 22及第二 出口 24的外側或接近處。一旦將霧14與經加熱氣流 18擾動混合，在欲處理或去汙的環境28中，至少大 部分的霧14可轉換為蒸氣30。在一實施例中，霧14 可與逸出第二出口 24之經加熱氣流18垂直或實質上 201235624 垂直地逸出第一出口 22。在其他各種實施例中，霧14 可相對離開第二出口 24之經加熱氣流18以橫斷方式 逸出第一出口 22。霧轉向器20及經加熱氣流轉向器 26可經配置以使經加熱氣流18與霧14交叉。霧14 相對經加熱氣流18的這類流動可導致霧14與經加熱 氣流18間的擾動混合。雖然上文曾敘述蒸氣30係在 欲處理或去汙的環境28内產生，須了解在一實施例 中，出口 22及24可設置在與欲去汙環境28連通之一 管、導管、殼體或其他結構構件内側，以致霧14及經 加熱氣流18在第一及第二出口 22及24的外側或接近 處混合，從而產生至少部分在去汙設備内或接近去汙 設備10的蒸氣。可接著使用該管、導管、殼體或其他 結構構件來將蒸氣供給環境28。 在一實施例中，參照圖1B，茲提供去汙設備10·。 去汙設備10’可包括與去汙設備10類似的特徵，且亦 可包括與第一導管12及第二導管16流體通連的導管 29。導管29可為撓性或具有撓性部分，並可為第一導 管12及第二導管16之延伸。在這一類實施例中，霧 14及經加熱氣流18當位於導管29内部時仍可維持分 離，直到各自到達導管29之出口 22’及24’為止。在一 實施例中，可將去汙設備10'設計、建置及/或用作用 於去汙之一可攜式單元。若在環境28中有溢出或不衛 生狀態，去汙設備10'可用於處理溢出或不衛生狀態， 201235624 =非對整個環境28進行去汙。去柯備1Q•亦可用於 處理例如公園之開放環境中之例如遊樂場的小區域。 人在—實施例中，參照圖2人，去汙設備1〇〇可包括 二：第—出口 122的第-導管in及含有第二出口124 第二導管116。第—導管112及第-出口 122可類似 :上文針對圖1A所述之第一導管12及第一出口 。 二：地：ί二導管116及第二出口 124可類似於上述 鲑一導官16及第二出口 24。在各種實施例中，霧 向器120可位於、至少部分地位於第一導管^的 出口 122内或接近第一導管112的第一出口 122, 且第一出〇 124可包括經加熱氣流轉向H 126,其朝 向第—言112傾斜或繞行，類似於上文所述。霧轉 向器120及經加熱氣流轉向器丨26可包括任何適用形 狀、大小及/或組態。 在一實施例中，再度參照圖2Α，去汙設備1〇〇可 ^括經配置以產生霧114的至少一個霧產生器H 與霧產生，132流體通連並經配置以使霧114移動進 入第一導管112的至少一個霧移動裝置134、經配置 以使至少—個氣流移動並且與第二導管116流體通連 的至少一個氣流移動裝置136及經配置以加熱由至少 -個氣流移動裝置136移動之氣流的至少 一個加熱裝 置138。各種部件可設置在一殼體（未繪示於圖2α中） 内。滅體可在其中^義各種孔徑；其-接近第-及第 一出口 122及124 ’且至少-個接近氣流移動裝置或 201235624 至少與氣流移動裝置流體通連，以致可藉由氣流移動 裝置通過孔徑汲取氣體到殼體中，接著再將之用於產 生經加熱氣流118。 在一實施例中，仍參照圖2A，霧產生器132可為 那些熟悉此項技術者已知之任何習用的霧或液滴產生 設備。在各種實施例中，霧產生器132可產生具有小 於約1至20微米、約1至10微米、約1至5微米或 約5至10微米之直徑之霧滴的細霧。在一實施例中， 霧可為單分配。在各種實施例中’可使用市售的霧產 生器（例如，Mainland Mart 之 mister maker fogger)來產 生霧114。在各種實施例中，霧產生器可包括那些熟 悉此項技術者已知之超音波加濕器或任何其他適用的 霧產生器。在一實施例中，例如，為了預調節環境128, 亦可設置一額外的加熱裝置及氣流移動裝置。 在一實施例中，仍參照圖2A，霧移動裝置134可 用來將霧114從霧產生器132移動至第一導管ιΐ2，或 在其他實施例中，將其移動至其他各種導管。霧移動 裝置134彳包括風扇、鼓風機及/或經配置以移動霧ιΐ4 之其。在其他各種實施例中，霧移動裝置 131= 132中之一開口及藉由以遠離或 實質上祕第-出π 122的方向移動經純氣汽ιΐ8 所產生的真空。經加熱氣流118的這類移動可丄 = 112之中或接近處產生真空。由 於第-導& 112與霧產生器132流體通連的事實，當 201235624

經加熱氣流118處於移動令時，由於移_加 118所產生的真空，可將霧114拉入第〜導管^^並^ 過第一出口 122。在一實施例中，霧移動裝置ι34 以例如範圍約10 CFM至約1〇〇 CFM或約25 CFM 約50 CFM的流速移動霧114 ^ I 在一實施例中’參照圖2A，至少一個氣产 置136可包括例如風扇、鼓風機及/或其他適二裝置: 在一實施例中，氣流移動裝置136可為商業上^購自

Dayton 之約 50 CFM 至約 500 CFM 或約 1〇〇 CFM 至 約300 CFM的鼓風機。至少一個氣流移動裝置136可 經配置以將空氣汲入並使之通過殼體中之孔徑，同時 移動或吹送空氣朝向、越過及/或通過至少一個加熱裝 置138，並使之進人第二導管116中作為經加熱氣^ 118。經加熱氣流118可幫助使蒸氣更均勻分布在環境 128内。在其他各種實施例中，至少一個氣流移動裝 置136可以一獨立氣體源供應、與之連接或與之流體 通連，以致藉由至少一個氣流移動裝置136移動或吹 送氣體朝向、越過及/或通過至少一個加熱裝置138， 最終再迫使其進入第二導管116作為經加熱氣流 118 ^在一實施例中’參照圖3，僅可設置一氣流移動 裝置136。同樣地’在其他各種實施例中，可設置超 過兩個氣流移動裝置。在一實施例中，至少一個氣流 移動裴置136可以任何適用的速度或流速移動經加熱 氣’泉118或未加熱氣流。在其他各種實施例中’流迷 201235624 可為約100 CFM至約300 CFM，其可對應於在約2英 吋直徑之導管中的約30 ft/s至約90 ft/s。經加熱氣流 118的流速可在各種應用中為恆定、連續變化及/或間 歇性。 在一實施例中，仍參照圖2A，至少一個加熱裝置 138可包括燃燒器、電熱器、熱水器、換熱器、加熱 帶及/或那些熟悉此項技術者已知之任何其他適用的 熱源。在一實施例中，至少一個加熱裝置138可為商 業上可購自Omega Engineering之約500瓦特至約4〇〇〇 瓦特或約1000瓦特至約2000瓦特的加熱器。在一實 施例中，加熱裝置138可包括例如加熱帶。可將加熱 帶纏繞於各種去汙設備的一部分’以加熱經加熱氣 流。在各種實施例中，至少一個加熱裝置138可將未 加熱氣流之溫度升高至例如攝氏約30至約15〇度或攝 氏約40至約100度、攝氏約50至約80度及/或攝氏 約60至約70度。經加熱氣流之適當溫度必須藉由例 如霧的速率來進行適當地定標。在一實施例，參照圖 3，例如，可僅設置一個加熱裝置138。同樣地，在其 他實施例中，可設置多於兩個的加熱裝置。 在各種實施例中’參照圖2A，至少一個霧產生器 132及霧移動裝置134可彼此流體通連，並與第一導 管112及第一出口 122流體通連。在這一類實施例中， 霧114可藉由至少一個霧產生器132製造，藉由至少 一個霧移動裝置134(其在其他實施例中可僅為本文所 201235624 討論的真幻移動或吹人第-導管112及第 122。在-實施例中，至少—個氣流移動裝置n 殼體之-孔徑或-氣體源流㈣連，㈣ 置！36可將空氣或氣肢^體一旦將空氣或氣^ 沒入殼體，至少-個氣流移動敦置136可將空 體吹入或移入第三導管142及第四導管144。至少丄 個加熱裝置138可設置為與第三導管142及第四導管 144熱通連或位於這兩者内部，以致可將空氣或氣二 加熱至適當溫度，以產生經加熱氣流118。在逸出或 通過加熱裝置138上方之後，經加熱氣流ι18適用的 度範圍可藉由霧速率來進行適當地定標。第三導管 142及第四導管144可透過第二導管116之側壁146 中的孔與第二導管116流體通連。第三導管142及第 四導管144可各自包括與第二導管ία之孔流體通連 的經加熱氣流出口 148，以致經加熱氣流118可藉由 第三導管142及第四導管144之經加熱氣流出口 148 傳入第二導管116。在一實施例中，第二導管U6的側 壁146可包括弧形部分，其中第三導管142及第四導 管144的經加熱氣流出口 148係正切地相對側壁146 的弧形部分設置。在一實施例中，第二導管丨16包括 一縱軸。接近經加熱氣流出口 148之一部分的第三導 管142及接近經加熱氣流出口 148之一部分的第四導 官144可各自垂直於、實質上垂直於或橫斷第二導管 116的縱軸。 201235624 藉由使經加熱氣流118沿實質上垂直於或垂直於 第一導管112之縱轴且相對第二導管116之弧形側壁 為正切的方向進入第二導管U6，可在第二導管116 内部產生出經加熱氣流118的璇流。這—類旋流可增 強在第-出口 122及第二出口 124外側之霧114與經 加熱U m的捲心這—類旋流亦可增加經加熱氣 流II8的擾動’再度提供與霧1M之更佳混合或捲入。 在一實施例中，參照圖2B及2C，所繪示的是另 -去汗汉備1〇〇。在這一類實施例中，霧產生器 可經配置以製造霧114。可在第—導管112，中接收霧 114至。、個氣抓移動裳置可經配置以製造一氣 流。一部分的氣流可在第二導管142,中接收，且一部 分的氣流可在第三導管144,中接收。在—實施例中， 可除去第三導管144,，並可將第二導管142，經配置以 接收整個氣流。可藉由設置在第二導管142，及第三導 管144·中或與這兩者熱接觸的加熱裝置138來加熱該 氣流。在一實施例中，加熱帶可用於取代加熱裝置 138。在這一類實施例中，加熱帶可纏繞部分的第二導 管142,及/或第三導管144，。第一導管112，可包括:配 置以使霧114通過其中之第一出口 113'。第二導管142, 可包括經配置以使一部分的經加熱氣流118通過其中 之第二出口 115'，且第三導管丨44’可包括經配置以使 一部分的經加熱氣流118通過其中之第三出口 117,。 由於第二出口 115'及第三出口 in’相對第一導管112,

S 20 201235624 的定位，如圖2C所示，這兩者可在混合區中產生一旋 流。由於第一出口 113'、第二出口 115'及選用之第三 出口 117’之定位，經加熱氣流118可在第一出口 113、 第二出口 115’及選用之第三出口 117’的外側與霧114 混合或擾動混合，以形成用於環境去汙的蒸氣130。 在這一類實施例中，蒸氣130可至少部分地在去汙設 備100'的外側製成。在各種實施例中，可至少部分地 在去汙設備100'内部及至少部分地在去汙設備100'的 外側形成一混合區。 在一實施例中，參照圖3，可設置一個氣流移動 裝置136及一個加熱裝置138。在這一類實施例中， 第三導管142’可與第四導管144’接合並可與之流體通 連，以致經加熱氣流118可通過或越過加熱裝置138， 並接著移入第三導管142’及第四導管144'。在一實施 例中，一分流器（標示為「SS」）可設置在第三導管142’ 及第四導管144’的交叉處或接近其交叉處，以幫助將 約一半的經加熱氣流118引入第三導管142'，並將約 一半的經加熱氣流118引入第四導管144'。第三導管 142’及第四導管14伞可類似於上文所述般地與第二導 管116流體通連。在一實施例中，加熱帶可用於取代 加熱裝置138。在這一類實施例中，可將加熱帶纏繞 在部分或全部的第三導管142’及/或第四導管14伞。在 各種實施例中，加熱帶亦可纏繞在部分或全部的第二 導管116。 21 201235624 在一實施例中，本揭示内容之去汙設備可用於區 域應用（圖4)或室應用（圖5A及圖5B)。參照圖4，在 區域應用中，可將去汙設備推入或滾入需要去汙的環 境或其他區域。在各種實施例中，去汙設備可設置在 推車上或具有附接的滾輪，以便其為可攜式，並玎從 需要去汗的一區域移動至另一區域。一旦藉由去汙設 備在環境中製成蒸氣，且一旦經過一段足夠的時間週 期以致蒸氣可作用在環境内部的表面或物體上，則可 從該環境移除去汙設備。在各種例子中，可密封欲去 汙的環境。參照圖5A，在室應用中，去汙設備可與去 汙室（例如，用於去汙醫療儀器或其他物體的去汙室） 流體通連。雖然去汙設備在圖5A中繪示為與室附接’ 那些熟悉此項技術者將了解去汙設備可不與室附接’ 而是可與室形成密封的流體通連。無論如何，如圖5B 所示，去汙設備可致使蒸氣在室或室之環境中生成。 在一實施例中，參照圖6，所揭示的是去汙設備 200之另一組態的示意圖。在這一類實施例中’為了 簡化，僅繪示去汙設備之出口部分的頂視圖。去汙設 備200包括經配置以接收霧214之第一導管202、經 配置以接收經加熱氣流218的第二導管204及經配置 以接收霧214的第三導管206。為了製造蒸氣，可將 霧214捲入經加熱氣流218及/或與之混合。可藉由單 一個霧產生器或藉由二或多個霧產生器來提供霧214 給第一導管202及第三導管206。可類似於上文所述

S 201235624 般地將經加熱氣流218供給第二導管2〇4。由於經加 熱氣流218之移動或流動所導致之經加熱氣流218之 任一側上的徑向負壓梯度’在霧214及經加熱氣流218 逸出第一、第二及第三導管202、204及206後，可將 霧214捲入經加熱氣流218。在一實施例中，第* __、 第一及第二導管202、204及206可為同心。在一實施 例中’經加熱氣流218可在其逸出第二導管2〇4時產 生漩流。在其他各種實施例中，霧轉向器（未繪示）可 設置為接近、至少部分位於或位於第一導管202之一 出口及第三導管206之一出口中，以使霧214轉向進 入逸出第二導管204出口的經加熱氣流218。在仍有 其他實施例中’經加熱氣流轉向器可設置為接近、至 少部分位於或位於第二導管204之一出口中，以使經 加熱氣流218轉向進入流出第一導管202的霧214及 流出第三導管206的霧214。在各種實施例中，可藉 由在第一導管202及第三導管206中產生負徑向壓力 之經加熱氣流218的移動來致使霧214流過第一導管 202及第三導管206。在一實施例中，第一導管2〇2中 的霧214可具有與第三導管206中的霧214相同或不 同的流速。在各種實施例中，第一導管202中之霧214 可具有與第三導管206中之霧214相同或不同的組 成。在一實施例中，第一導管202中之霧214可例如 以和第三導管206中之霧214相同或不同的時間逸出 第一導管202 ^例如，在各種實施例中，可在第一導 23 201235624 管202及第三導管206中提供一經加熱氣流，並在第 二導管204中提供一霧。 在一實施例中，參照圖7,所揭示的是去汙設備 300之另一組態的示意圖。在這一類實施例中，為了 簡化，僅繪示去汙設備300之出口部分的頂視圖。去 汙設備300可包括經配置以接收霧314的第一導管302 及經配置以接收經加熱氣流318的第二導管304。在 這一類實施例中，可類似上文所述般地將霧314捲入 經加熱氣流318及/或與之混合，以產生蒸氣。 在一實施例中，參照圖8，去汙設備400可包括 經配置以接收至少一個霧流414之一第一導管及經配 置以接收兩個經加熱氣流418之一第二導管。經加熱 氣流418可透過第二導管之側壁42〇中的孔進入第二 導管。包括經加熱氣流入口 448之第三導管442及包 括經加熱氣流入口 450之第四導管444可正切地附接 至含有弧形部分的側壁420，以致經加熱氣流418可 在第二導管内成漩。經加熱氣流418的這類成旋可提 供在第一及第二導管之出口部分外側之霧414的較佳 捲入。 在一實施例中，參照圖9，多埠去汙設備500可 包括經配置以從接收來自一霧產生器之至少一個霧流 514之一第一導管及經配置以正切地接收經加熱氣流 518之一第二導管。第一導管與複數個出口管520流 體通連’這些出口管係經配置以將霧514引導至欲去

24 S 201235624 汙環境528。第二導管與複數個出口管522流體通連， 這些出口管係經配置以將經加熱氣流518引導至該欲 去汗環境528。在一實施例中，出口管520之一及出 口管522之一可形成多埠去汙設備500的一個埠524。 埠524可用來將霧514及經加熱氣流518排出至欲去 汙環境528之中’以形成蒸氣530。 在各種實施例中，參照圖10，所揭示的是一部分 之一去汙設備的殼體、一入口組件或一去汙設備的附 接件（此後稱為「風箱600」）。在一實施例中，風箱 6〇〇可包括第一區段602及第二區段604。第一區段 6〇2可包括頂壁606，其包括至少一個定義在其中的孔 徑608;側壁610,其各自包括至少一個位於其中的孔 徑612 ;及底壁614，其可包括位於其中的孔徑（然而 這類孔徑並未繪示於圖1〇)。第二區段604可包括與頂 壁606為相同組件之底壁616、設置在其中的氣體移 動裝置618、側壁620及在其中定義至少一個孔徑624 的頂壁622。在一實施例中，風箱600可設置在去汙 設備之底部或其他部分上或形成去汙設備之底部或其 他部分’例如在圖4之去汙設備上。當致動氣體移動 裝置618時’其可在第一區段602内產生負壓，導致 空氣衝入孔徑612或第一區段602的其他孔徑。空氣 接著將透過頂壁606中的孔徑608吸入第二區段604, 接著可吹過頂壁622中的孔徑624。那些熟悉此項技 術者將了解風箱600可採取各種其他組態、形狀及/或 25 201235624 孔，，案’同時仍實現類似的結果及功能。例如，在 -實細例中’第—區段6〇2可在側壁61〇上包括孔徑 或槽，一致圖案。在第-區段6G2之侧壁610中的各 種孔徑可具有類似大小及形狀或不同大小及形狀。孔 徑608及624亦可具有任何適用的大小及形狀。 例如，在各種實施例中，風箱6〇〇可允許—去汙 設備從多個方向沒入线至其自#，從而導致環境中 的空氣循環。隨著將空氣汲入風箱600,可在置入該 空，的環境中產生—負|，從而導致環境中的空氣朝 風箱600移動。例如，去汙設備可從其頂部部分排出 霧及經加熱氣流，且風箱6〇〇可設置在去汙設備的底 部部分上或附接在其底部部分。就這樣，當藉由混合 霧及經加熱氣流來產生蒸氣時，由於使用風箱6〇〇二 導致的循環，便可使蒸氣擴散至環境各處。換言之， 風箱600可用來達成環境内之更均勻的蒸氣分散。 在一實施例中，由本揭示内容提供一製造蒸氣的 去汙方法。該方法可使用本文所述之去汙設備之其一 或藉由使用另一去汙設備來實現。該去汙方法可包含 以下步驟從一霧產生器產生一霧；從一氣流移動裝置 產生一氣流；及藉由一加熱裝置加熱該氣流。產生該 氣流之步驟可包含在一箱型入口組件内產生一真空， 其中該箱型入口組件可在其中定義複數埠，且其中該 些埠可與該環境連通。該去汙方法亦可包含使該霧流 過包括第一出口之一第一導管及使該經加熱氣流流過 26 201235624 包括第一出口之一第二導_乾 接近該第二出口。該去;;該第一出口可設置為 出口及該第二出口處混亦可包含在接近該第一 氣流，以形成-現合區動混合該霧與該經加熱 於該去汗設備外側，或在其二；::分的該混合區可位 合區可位於該去汗設備外側該混 該經加熱氣流蒸發該霧㈣^法亦可包含藉由以 該蒸氣去汙至少1分之及以至少—部分的 在一實施例中，該方法‘二二 氣流射入-欲去汙環境，I中：二將該霧及該經加熱 在處於該環境中時進行混^及該經加熱氣流係 各種實施财，-部氣。在其他 流可在該去汙⑽内進行私，的該經加熱氣 過或吹過與該環境連通之一出口〜=再，過、移動通 境。無論如何，可使用相同的：二：官並進入該環 驟來形成職氣。 H驟錢動混合步 在一實施例中，雖然該氣流 加熱，亦可以-適用的加熱裂置λ:本文中討論為經 施例中，可加熱該霧及該氣流3熱該霧。在各種實 中，可僅加賴霧。 彳’而在其他實施例 、儘管闡明本揭示内容之廣域範_數值範圍及參 數為近似值，仍盡可能精確地記述在實例實施例中所 ^出的數值β然而’任何數值固有地包含由在它們的 個別測試測量值中發現之標準偏差所必然產生的某些 27 201235624 誤差。此外’當本文提出具有不同範圍之數值範圍時， 吾人是打算讓包括列舉值在内之這些值的任意組合均 為可使用的。如本文所用之「一（one、a或an)」的詞 除非另外指明，否則是打算包括「至少―個」或「_ 或多個」。 雖已繪示及敘述本揭示内容之特定非限制實施 例’那些熟悉此項技術者將了解可在不偏離本揭示内 谷之精神及範圍的情況下作出各種其他變化與修改。 因此’意欲在附加之中請專利範圍中涵蓋屬^本揭示 内容範圍的所有這類變化與修改。 【圖式簡單說明】 本揭不㈣之各鮮卩㈣實關係 於本文中敘述，其甲： 圖1Α為根據本揭示内容之一非限制實施例之一 去汙設備的示意圖； 圖1β為根據本揭示内容之一非限制實施例之另 一去汙設備的示意圖； 圖Μ為根據本揭示内容之一非限制實施例之尚 有另一去汙設備的示意圖； 圖2Β為根據本揭示内容之—非限制實施例之仍 有另一去汙設備的示意圖； ^2C為根據本揭示内容之—非限制實施例之圖 2B之去汙設備的頂視圖；

S 201235624 圖3為根據本揭示内容之一非限制實施例之仍有 另一去汙設備的示意圖； 圖4為根據本揭示内容之一非限制實施例之用於 區域應用之一去汙設備的示意圖； 圖5A為根據本揭示内容之一非限制實施例之用 於室應用之一去汙設備的示意圖； 圖5B為根據本揭示内容之一非限制實施例之用 於室應用之一去汙設備的示意圖； 圖6為根據本揭示内容之一非限制實施例之一去 汙設備之一出口的示意圖； 圖7為根據本揭示内容之一非限制實施例之一去 汙設備之另一出口的示意圖； 圖8為根據本揭示内容之一非限制實施例之一去 汙設備的透視圖； 圖9為根據本揭示内容之一非限制實施例之包括 多個出口之一去汙設備的透視圖；及 圖10為根據一非限制實施例之經配置以與本揭 示内容之各種去汙設備併用之一箱型入口組件的透視 圖。 【主要元件符號說明】 55.. .分流器 10.. .去汙設備 10’...去汙設備 29 201235624 12…第一導管 14".霧 16…第二導管 18.. .經加熱氣流 20.. .霧轉向器 22…第一出口 22'…出口 24.. .第二出口 24,…出口 26.. .經加熱氣流轉向器 28.. .欲處理或去汙的環境 29.. .導管 30…蒸氣 100.. .去汙設備 100’...去汙設備 112.. .第一導管 112’…第一導管 113’...第一出口 114.. .霧 115’...第二出口 116.. .第二導管 117’·.·第三出口 118.. .經加熱氣流 120.. .霧轉向器 30 201235624 122…第一出口 124.. .第二出口 126…經加熱氣流轉向器 128.. .環境 130.. .蒸氣 132.. .霧產生器 134.. .霧移動裝置 136.. .氣流移動裝置 138.. .加熱裝置 142…第三導管 142’…第二導管/第三導管 144…第四導管 144’...第三導管/第四導管 146.. .側壁 148.. .經加熱氣流出口 200.. .去汙設備 202.. .第一導管 204.. .第二導管 206.. .第三導管 214.. .霧 218.. .經加熱氣流 300.. .去汙設備 302.. .第一導管 304.. .第二導管 201235624 314…霧 318.. .經加熱氣流 400.. .去汙設備 414…霧流 418.. .經加熱氣流 420.. .側壁 442.. .第三導管 444.. .第四導管 448.. .經加熱氣流入口 450.. .經加熱氣流入口 500…多埠去汙設備 514…霧流 518…經加熱氣流 520…出口管 522…出口管 524".埠 528.. .環境 530.. .蒸氣 600.. .風箱 602.. .第一區段 604.. .第二區段 606…頂壁 608孔徑 610側壁 32 201235624 612孔徑 614.. .底壁 616…底壁 618.. .氣體移動裝置 620.. .側壁 622…頂壁 624.. .孔徑

Claims (1)

1. 201235624 七、申請專利範圍： 1. 一種去汙設備，其包括： 一第一導管，其與一霧產生器流體通連，並配置以 接收一霧； 一第二導管，其與一經加熱氣流移動裝置流體通連 並配置以接收一經加熱氣流； 其中該第一導管包括經配置以使該霧通過其中之一 第出口其中該第一導管包括經配置以使該經加熱氣 流通過其中之—第二出σ ’其中該第一出口設置在接近 該第二出口處’且其中當在該第―出口、該第二出口及 該去汙設備之外側與該經加熱氣流混合時，至少一部分 的該霧蒸發成為用於一環境去汙之一蒸氣。 2. 申晴專利範圍第1項所述之去汙設備，其中該第一導 管及該第二導管兩者均包括環形部分。 3·=請專利範圍第丨項所述之去汙設備，其包括一霧轉 二益’其至少部分地設置在接近該第—出口之該第 管内部。 項所述之去汙設備，其中該霧轉向 4.如申請專利範圍第3 器為圓錐形。 5.t^f利範圍第1項所述之去汙⑽，其中該第二出 、、^ = ί第—出口 ’且其中卿二出口包括-經加熱氣 it笛其t傾斜朝向該第一出口，以允許該經加熱 ^在該第-出口及該第二出口之外侧與該霧擾動混 34 201235624 6. 如申請專利範圍第1項所述之去汙設備，其中該第一出 口環繞該第二出口。 7. 如申請專利範圍第1項所述之去汙設備，其包括： 一霧產生器經配置以產生該霧；及 霧移動裝置’其與該霧產生器流體通連，並經配置 以將該霧移入該第一導管。 8. 如申請專利範圍第丨項所述之去汙設備，其包括一第三 導官、一第四導管及一經加熱氣流移動裝置，其中該第 二導管與該經加熱氣流移動裝置流體通連，並與該第二 導管流體通連，其中該第三導管經配置以接收一部分的 該經加熱氣流，其巾該第四導管與雜加減流移 置，體通連’並與該第二導管流體通連，且其中該第二 導官經配置以接收一部分的該經加熱氣流。 9. ^申請專利_第8項所述之去汗設備，其中該第 S包括一縱軸’其中該第三導管於接近該第三導管之一 經加熱氣流出口之-部分，係實質上垂直㈣第二導总 之該縱軸’且其中該第四導管於接近 ::出口之一部分’係實質上垂直於該第二導管: 10. 如申請專利範圍第8頊晰 其W 項所返之去汙設備，其中該第三導 &包括一經加熱氣流出口，盆 導 其中該第二導管包括一側壁-導官流體通連’ 2經加熱氣流出口相斜該側壁的該弧形部分為正;刀 35 201235624 11. 如申請專利範圍第1項所述之去汙設備，其中該第一導 管及該第二導管各自包括一撓性部分，其經配置以將該 霧及該經加熱氣流提供給該環境内之一特定區域，以將 該區域去汙。 12. 如申請專利範圍第1項所述之去汙設備，其包括一箱型 入口組件，其在其中定義複數孔徑，其中該些孔徑對該 環境敞開。 13. —種去汙設備，其包括： 一第一導管，其經配置以從一霧產生器接收一霧； 一第二導管，其經配置以接收來自一氣流移動裝置之 一經加熱氣流； 一第一出口，其位於該第一導管之一端，其中該第一 出口經配置以使該霧通過其中；及 一第二出口，其位於該第二導管之一端，其中該第二 出口經配置以使該經加熱氣流通過其中，以致該經加熱 氣流與該霧在該第一出口及該第二出口之外側混合，以 形成用於去汙一環境之一蒸氣。 14. 如申請專利範圍第13項所述之去汙設備，其包括一第 三導管，其經配置以接收來自該氣流移動裝置之一部分 的該經加熱氣流；一第三出口，其位於該第三導管之一 端，其中該第三出口經配置以使該部分的該經加熱氣流 通過其中，以致該部分的該經加熱氣流與該霧在該第一 出口及該第三出口之外侧混合，以形成用於去汙該環境 之一蒸氣。 36 201235624 1:5.如申請專利範圍第13項所述之去汙設備，其中該第一 出口及該第二出口設置在該去汙設備上，以致該經加熱 氣流與該霧在該第一出口及該第二出口之外側擾動混 合，以形成該蒸氣。 16. 如申請專利範圍第13項所述之去汙設備，其中該蒸氣 的一部分係藉由將該經加熱氣流的一部分的與該霧混 合，而在該去汙設備的外側形成。 17. —種使用一去汙設備的去汙方法，該方法包含以下步 驟： 從一霧產生器產生一霧； 從一氣流移動裝置產生一氣流； 藉由一加熱裝置加熱該氣流； 使該霧流過包括一第一出口之一第一導管； 使該經加熱氣流流過包括一第二出口之一第二導 管，其中該第一出口經設置在接近該第二出口處； 在接近該第一出口與該第二出口處將該霧與該經加 熱氣流混合，以形成一混合區，其中至少一部分的該混 合區位於該去汙設備外侧； 藉由以該經加熱氣流蒸發該霧來製造蒸氣；及 以至少一部分的該蒸氣去汙至少一部分之一環境。 18. 如申請專利範圍第17項所述之去汙方法，其中該混合 係藉由在該去汙設備外側將該霧與該經加熱氣流擾動 混合來實現。 37 201235624 19, 如申請專利範圍第17項所述之去汙方法，其包含在欲 去汙之該環境中產生該蒸氣。 20. 如申請專利範圍第17項所述之去汙方法，其中產生該 氣流之步驟包含在一箱型入口組件内部產生一真空，其 中該箱型入口組件在其中定義複數個孔徑，且其中該複 數個孔徑對該環境敞開。 38